JP3500813B2 - 半導体ウエハの切断方法 - Google Patents
半導体ウエハの切断方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの切
断方法に関し、特に半導体層と、その半導体層より硬度
の大きい台座ガラスなどの層とが積層形成された半導体
ウエハの切断方法に関する。
断方法に関し、特に半導体層と、その半導体層より硬度
の大きい台座ガラスなどの層とが積層形成された半導体
ウエハの切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウエハ上にセンシング部
が形成された半導体圧力センサでは、台座ガラス上にシ
リコンウエハの裏面を接着して所定の大きさに切断する
ことにより多数のチップを切り出していた。このときシ
リコンウエハと台座ガラスとの材質が異なり、台座ガラ
スの硬度がシリコンウエハの硬度より大きく、シリコン
ウエハ切断用のブレードを用いて台座ガラスを切断する
ことはブレードの破損をもたらすために、台座ガラス切
断用のブレードを用いてシリコンウエハ及び台座ガラス
を切断する必要がある。しかし台座ガラス切断用のブレ
ード（粒度♯６００〜♯１５００）は、シリコンウエハ
切断用のブレード（粒度♯２０００〜♯３０００）に比
べて粒度が粗いために、切断時にシリコンウエハのチッ
ピング（欠け）が多数発生し、これが半導体圧力センサ
の歩留りを悪化させていた。その対策としては、切断部
分の幅（スクライブ幅）を広くする方法やスクライブ部
分にＶ字溝を形成する方法、或いはシリコンウエハと台
座ガラスをそれぞれ別々のブレードで切断する方法（特
公昭６３−３６１５４号公報等）などが知られている。
が形成された半導体圧力センサでは、台座ガラス上にシ
リコンウエハの裏面を接着して所定の大きさに切断する
ことにより多数のチップを切り出していた。このときシ
リコンウエハと台座ガラスとの材質が異なり、台座ガラ
スの硬度がシリコンウエハの硬度より大きく、シリコン
ウエハ切断用のブレードを用いて台座ガラスを切断する
ことはブレードの破損をもたらすために、台座ガラス切
断用のブレードを用いてシリコンウエハ及び台座ガラス
を切断する必要がある。しかし台座ガラス切断用のブレ
ード（粒度♯６００〜♯１５００）は、シリコンウエハ
切断用のブレード（粒度♯２０００〜♯３０００）に比
べて粒度が粗いために、切断時にシリコンウエハのチッ
ピング（欠け）が多数発生し、これが半導体圧力センサ
の歩留りを悪化させていた。その対策としては、切断部
分の幅（スクライブ幅）を広くする方法やスクライブ部
分にＶ字溝を形成する方法、或いはシリコンウエハと台
座ガラスをそれぞれ別々のブレードで切断する方法（特
公昭６３−３６１５４号公報等）などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公昭
６３−３６１５４号公報などに示される方法ではシリコ
ンウエハのチップ収容数の低下や、製造工程の増加を伴
うため、半導体チップのコストが高くなるという問題が
あり、またチッピングの発生が抑制されたとは言え、２
０μｍ程度のチッピングが生じており、チッピングの発
生を完全に防止したとは言い切れない状態にある。従っ
て、本発明の目的は、上記課題に鑑み、絶縁膜とシリコ
ンとの境界でチッピングがストップしやすい性質に着目
し、半導体圧力センサのスクライブ側の面上にブレード
幅より広い間隔を有する格子状パターンの絶縁膜を形成
し、チッピングを発生させずに、製造工程を増加させず
に、シリコンウエハと台座ガラスとを同時に切断する方
法を提供することである。
６３−３６１５４号公報などに示される方法ではシリコ
ンウエハのチップ収容数の低下や、製造工程の増加を伴
うため、半導体チップのコストが高くなるという問題が
あり、またチッピングの発生が抑制されたとは言え、２
０μｍ程度のチッピングが生じており、チッピングの発
生を完全に防止したとは言い切れない状態にある。従っ
て、本発明の目的は、上記課題に鑑み、絶縁膜とシリコ
ンとの境界でチッピングがストップしやすい性質に着目
し、半導体圧力センサのスクライブ側の面上にブレード
幅より広い間隔を有する格子状パターンの絶縁膜を形成
し、チッピングを発生させずに、製造工程を増加させず
に、シリコンウエハと台座ガラスとを同時に切断する方
法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の手段を採用することができる。
この手段によると、半導体部材と、該半導体部材の裏面
に配置され該半導体部材の硬度より大きい硬度を有する
基板とから成る半導体ウエハを、前記基板の硬度に対応
した切削歯により前記半導体部材側より切断する半導体
ウエハの切断方法であって、半導体部材上に、切削線に
沿ってその両側に、絶縁膜をその間隔が切削歯の歯幅よ
り大きい間隔で連続して形成する。そして絶縁膜が形成
された側から切削線に沿って基板及び半導体部材を同一
の切削歯を用いて切断する。これにより半導体ウエハの
切断の際に生じるチッピングを絶縁膜の部分で止めるこ
とができるため、チッピングによる半導体ウエハの不良
を防止でき、半導体ウエハの歩留りを向上させることが
できる。また請求項２に記載の手段によれば、硬度の大
きい基板の切削に対応した切削歯を用いることで、切削
歯の破損を防止することができる。請求項３に記載の手
段によれば、熱酸化により半導体部材上に酸化膜を形成
し、これを絶縁膜とすることにより、製造工程を増加す
ることなく、容易に絶縁膜を形成することができる。請
求項４に記載の手段によれば、シリコンから成る半導体
部材の絶縁膜が形成される側と異なる側からエッチング
を行ってダイヤフラム部を設け、そのダイヤフラム部に
拡散抵抗を形成し、ガラス材料から成る基板と半導体部
材とを接合することにより、半導体圧力センサを構成す
ることができる。
めに、請求項１に記載の手段を採用することができる。
この手段によると、半導体部材と、該半導体部材の裏面
に配置され該半導体部材の硬度より大きい硬度を有する
基板とから成る半導体ウエハを、前記基板の硬度に対応
した切削歯により前記半導体部材側より切断する半導体
ウエハの切断方法であって、半導体部材上に、切削線に
沿ってその両側に、絶縁膜をその間隔が切削歯の歯幅よ
り大きい間隔で連続して形成する。そして絶縁膜が形成
された側から切削線に沿って基板及び半導体部材を同一
の切削歯を用いて切断する。これにより半導体ウエハの
切断の際に生じるチッピングを絶縁膜の部分で止めるこ
とができるため、チッピングによる半導体ウエハの不良
を防止でき、半導体ウエハの歩留りを向上させることが
できる。また請求項２に記載の手段によれば、硬度の大
きい基板の切削に対応した切削歯を用いることで、切削
歯の破損を防止することができる。請求項３に記載の手
段によれば、熱酸化により半導体部材上に酸化膜を形成
し、これを絶縁膜とすることにより、製造工程を増加す
ることなく、容易に絶縁膜を形成することができる。請
求項４に記載の手段によれば、シリコンから成る半導体
部材の絶縁膜が形成される側と異なる側からエッチング
を行ってダイヤフラム部を設け、そのダイヤフラム部に
拡散抵抗を形成し、ガラス材料から成る基板と半導体部
材とを接合することにより、半導体圧力センサを構成す
ることができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。図１は、本発明に係わる第一実施例
の構成を示したものであり、（ａ）図が半導体圧力セン
サウエハ１０（半導体ウエハに相当）の切断時の平面図
を示し、（ｂ）図がそのＡ−Ａ’断面を示している。台
座ガラス１（基板に相当）上にダイヤフラム部２ｂを有
したｎ型のシリコンウエハ２（半導体部材に相当）が形
成され、ダイヤフラム部２ｂ上にはゲージ３（拡散抵抗
に相当）、Ａｌ電極５、シリコン酸化膜４などから成る
矩形状のセンシングパターン７が複数個格子状に形成さ
れている。そして各センシングパターン７を取り囲むよ
うにその周囲に幅約２０μｍ以上の絶縁膜６が各センシ
ングパターン７と約１０μｍ以上の距離をおいて形成さ
れている。隣接する絶縁膜６間の間隔は、ダイサ１１に
てシリコンウエハ２を切断する際に、ダイサ１１のブレ
ード１２（切削歯に相当）が絶縁膜６に接触しないよう
に、ブレード１２の幅１２ａより大きく形成されてい
る。このようにして半導体圧力センサウエハ１０が構成
されている。
基づいて説明する。図１は、本発明に係わる第一実施例
の構成を示したものであり、（ａ）図が半導体圧力セン
サウエハ１０（半導体ウエハに相当）の切断時の平面図
を示し、（ｂ）図がそのＡ−Ａ’断面を示している。台
座ガラス１（基板に相当）上にダイヤフラム部２ｂを有
したｎ型のシリコンウエハ２（半導体部材に相当）が形
成され、ダイヤフラム部２ｂ上にはゲージ３（拡散抵抗
に相当）、Ａｌ電極５、シリコン酸化膜４などから成る
矩形状のセンシングパターン７が複数個格子状に形成さ
れている。そして各センシングパターン７を取り囲むよ
うにその周囲に幅約２０μｍ以上の絶縁膜６が各センシ
ングパターン７と約１０μｍ以上の距離をおいて形成さ
れている。隣接する絶縁膜６間の間隔は、ダイサ１１に
てシリコンウエハ２を切断する際に、ダイサ１１のブレ
ード１２（切削歯に相当）が絶縁膜６に接触しないよう
に、ブレード１２の幅１２ａより大きく形成されてい
る。このようにして半導体圧力センサウエハ１０が構成
されている。
【０００６】次に図２（ａ）〜（ｆ）及び図３（ａ）〜
（ｃ）を用いて半導体圧力センサウエハ１０の製造方法
を示す。まず結晶方位が（１１０）または（１００）の
肉厚約２００〜５００μｍのｎ型シリコンウエハ２を全
面にわたって温度約８５０〜１１００℃で、３０分間ほ
ど熱酸化し、厚さ約５０００Åのシリコン酸化膜４を形
成する（図２（ａ））。続いて所定の部位のシリコン酸
化膜４をフッ酸及び水を用いたホトエッチングにより除
去する。そしてシリコン酸化膜４が除去された領域に温
度約１１５０〜１２００℃で約１２０分間ボロンを拡散
させ、シリコンウエハ２内にｐ型部２ａを深さ約３μｍ
に形成する。このときスクライブ領域Ｒ内のシリコン酸
化膜４は除去しない（図２（ｂ））。この後、ダイヤフ
ラム部２ｂ（図１参照）の形成領域上のシリコン酸化膜
４を除去し、そのシリコン酸化膜４を除去した領域上に
温度約８５０〜１１００℃で、６０分間ほどの熱酸化に
より厚さ約１０００Åのシリコン酸化膜４を形成する。
このときもスクライブ領域Ｒ上のシリコン酸化膜４は除
去しない（図２（ｃ））。
（ｃ）を用いて半導体圧力センサウエハ１０の製造方法
を示す。まず結晶方位が（１１０）または（１００）の
肉厚約２００〜５００μｍのｎ型シリコンウエハ２を全
面にわたって温度約８５０〜１１００℃で、３０分間ほ
ど熱酸化し、厚さ約５０００Åのシリコン酸化膜４を形
成する（図２（ａ））。続いて所定の部位のシリコン酸
化膜４をフッ酸及び水を用いたホトエッチングにより除
去する。そしてシリコン酸化膜４が除去された領域に温
度約１１５０〜１２００℃で約１２０分間ボロンを拡散
させ、シリコンウエハ２内にｐ型部２ａを深さ約３μｍ
に形成する。このときスクライブ領域Ｒ内のシリコン酸
化膜４は除去しない（図２（ｂ））。この後、ダイヤフ
ラム部２ｂ（図１参照）の形成領域上のシリコン酸化膜
４を除去し、そのシリコン酸化膜４を除去した領域上に
温度約８５０〜１１００℃で、６０分間ほどの熱酸化に
より厚さ約１０００Åのシリコン酸化膜４を形成する。
このときもスクライブ領域Ｒ上のシリコン酸化膜４は除
去しない（図２（ｃ））。
【０００７】次に液状のレジスト８をスピンコーティン
グ法などによりシリコン酸化膜４上に約１μｍの膜厚に
形成し、所定の部位を開口させる。このレジスト８の開
口した部位にボロンをイオン注入することにより、シリ
コンウエハ２内にゲージ３を深さ約１μｍに形成する
（図２（ｄ））。ゲージ３の形成後、レジスト８を硫酸
と過酸化水素水との混合液などを用いて除去し、１００
０℃で約３０分間のアニール処理にてボロンイオンを活
性化させる。そしてゲージ３とのコンタクト部分とスク
ライブ領域Ｒ上の所定の部位のシリコン酸化膜４を除去
することにより、図１の絶縁膜６に相当するシリコン酸
化膜４が切削線Ｌの両側に、絶縁膜６間の間隔がブレー
ド幅１２より大きくなるように所定のパターンで形成さ
れる（図２（ｅ））。そしてＡｌ電極５を蒸着法または
スパッタにより全面に膜厚約１μｍに形成した後に、露
光、現像等の工程を経てシリコンウエハ２及びｐ型部２
ａ上に所定のパターンに形成する（図２（ｆ））。その
後、必要に応じてＳｉＮ、ＳｉＮ／ＳｉＯ2、ＳｉＮ／Ｐ
ＳＧ、ＰＳＧ等から成る表面保護膜をウエハ全面に形成
してもよい。この表面保護膜はスクライブ領域Ｒ内のシ
リコン絶縁膜４上に存在しても、しなくてもよい。
グ法などによりシリコン酸化膜４上に約１μｍの膜厚に
形成し、所定の部位を開口させる。このレジスト８の開
口した部位にボロンをイオン注入することにより、シリ
コンウエハ２内にゲージ３を深さ約１μｍに形成する
（図２（ｄ））。ゲージ３の形成後、レジスト８を硫酸
と過酸化水素水との混合液などを用いて除去し、１００
０℃で約３０分間のアニール処理にてボロンイオンを活
性化させる。そしてゲージ３とのコンタクト部分とスク
ライブ領域Ｒ上の所定の部位のシリコン酸化膜４を除去
することにより、図１の絶縁膜６に相当するシリコン酸
化膜４が切削線Ｌの両側に、絶縁膜６間の間隔がブレー
ド幅１２より大きくなるように所定のパターンで形成さ
れる（図２（ｅ））。そしてＡｌ電極５を蒸着法または
スパッタにより全面に膜厚約１μｍに形成した後に、露
光、現像等の工程を経てシリコンウエハ２及びｐ型部２
ａ上に所定のパターンに形成する（図２（ｆ））。その
後、必要に応じてＳｉＮ、ＳｉＮ／ＳｉＯ2、ＳｉＮ／Ｐ
ＳＧ、ＰＳＧ等から成る表面保護膜をウエハ全面に形成
してもよい。この表面保護膜はスクライブ領域Ｒ内のシ
リコン絶縁膜４上に存在しても、しなくてもよい。
【０００８】次にシリコンウエハ２の裏面２ｃ側からウ
ェットエッチングなどにより肉厚約１０〜２０μｍのダ
イヤフラム部２ｂを形成する（図３（ａ））。続いてパ
イレックスのようなケイ酸から成る肉厚約２〜３ｍｍの
台座ガラス１をシリコンウエハ２の裏面２ｃに配置し、
台座ガラス１とシリコンウエハ２との間に約６００〜８
００Ｖの静電圧を印加し、陽極接合法により台座ガラス
１とシリコンウエハ２とを接合させる（図３（ｂ））。
この後、ダイサ１１のブレード１２を駆動させ、絶縁膜
６間の切削線Ｌ上に配置し（図３（ｃ））、ブレード１
２を図中下方に下ろして、まずシリコンウエハ２を切断
し、続いて台座ガラス１を切断して、半導体圧力センサ
ウエハ１０をチップ毎に切り出す（図１（ｂ）参照）。
尚、絶縁膜６は電気特性上何ら影響を及ぼさないのでダ
イサ１１による圧力センサウエハ１０の切断後にシリコ
ンウエハ２上に残留していてもかまわない。
ェットエッチングなどにより肉厚約１０〜２０μｍのダ
イヤフラム部２ｂを形成する（図３（ａ））。続いてパ
イレックスのようなケイ酸から成る肉厚約２〜３ｍｍの
台座ガラス１をシリコンウエハ２の裏面２ｃに配置し、
台座ガラス１とシリコンウエハ２との間に約６００〜８
００Ｖの静電圧を印加し、陽極接合法により台座ガラス
１とシリコンウエハ２とを接合させる（図３（ｂ））。
この後、ダイサ１１のブレード１２を駆動させ、絶縁膜
６間の切削線Ｌ上に配置し（図３（ｃ））、ブレード１
２を図中下方に下ろして、まずシリコンウエハ２を切断
し、続いて台座ガラス１を切断して、半導体圧力センサ
ウエハ１０をチップ毎に切り出す（図１（ｂ）参照）。
尚、絶縁膜６は電気特性上何ら影響を及ぼさないのでダ
イサ１１による圧力センサウエハ１０の切断後にシリコ
ンウエハ２上に残留していてもかまわない。
【０００９】ウエハの切断には粒度♯２０００〜♯３０
００程度のシリコン切断用のブレードを用いると、シリ
コンウエハ２の切断は良好に行えるが、シリコンウエハ
２より硬度の大きい台座ガラス１の切断時にブレードが
破損するため、ガラス切断用の粒度♯６００〜♯１５０
０のブレード１２を用いる。このとき、シリコンウエハ
２をガラス切断用の粒度の粗いブレード１２にて切断す
るために、通常はシリコンウエハ２にチッピングが発生
するが、本実施例のようにセンシングパターン７の周囲
に絶縁膜６を形成することによりチッピングを絶縁膜６
でストップさせる構成とすることができ（図１（ｂ）参
照）、チッピングによる圧力センサの素子不良を低減で
き、圧力センサウエハ１０の歩留りを大幅に向上させる
ことができる。また絶縁膜６の形成のために製造工程が
増加することがなく、圧力センサウエハ１０がコスト高
となることはない。
００程度のシリコン切断用のブレードを用いると、シリ
コンウエハ２の切断は良好に行えるが、シリコンウエハ
２より硬度の大きい台座ガラス１の切断時にブレードが
破損するため、ガラス切断用の粒度♯６００〜♯１５０
０のブレード１２を用いる。このとき、シリコンウエハ
２をガラス切断用の粒度の粗いブレード１２にて切断す
るために、通常はシリコンウエハ２にチッピングが発生
するが、本実施例のようにセンシングパターン７の周囲
に絶縁膜６を形成することによりチッピングを絶縁膜６
でストップさせる構成とすることができ（図１（ｂ）参
照）、チッピングによる圧力センサの素子不良を低減で
き、圧力センサウエハ１０の歩留りを大幅に向上させる
ことができる。また絶縁膜６の形成のために製造工程が
増加することがなく、圧力センサウエハ１０がコスト高
となることはない。
【００１０】上記実施例ではセンシングパターン７の形
成工程を示したが、センシングパターン７の周囲に回路
が形成された場合においても、絶縁膜６はコンタクト部
分を形成する際に同時に形成すればよい。また上記実施
例では台座にガラスを用いる構成としたが、セラミック
などの他の材料で台座を構成してもよい。
成工程を示したが、センシングパターン７の周囲に回路
が形成された場合においても、絶縁膜６はコンタクト部
分を形成する際に同時に形成すればよい。また上記実施
例では台座にガラスを用いる構成としたが、セラミック
などの他の材料で台座を構成してもよい。
【００１１】尚、上記実施例では台座ガラス１上にダイ
ヤフラム部２ｂを有するｎ型シリコンウエハ２が形成さ
れた半導体圧力センサウエハ１０の、センシングパター
ン７の周囲に絶縁膜６を形成して切断する構成とした
が、本発明はこれに限定されるものではない。例えば半
導体加速度センサや半導体歪みセンサなどのように、半
導体層と、その層より大きい硬度を有する層とが積層さ
れて構成された半導体ウエハであれば、半導体層上に酸
化膜等の絶縁膜を形成し、硬度の大きい層に対応したブ
レードを用いて半導体層側から切断する構成とすればよ
く、本発明はその適用対象を上記実施例に限定するもの
ではない。
ヤフラム部２ｂを有するｎ型シリコンウエハ２が形成さ
れた半導体圧力センサウエハ１０の、センシングパター
ン７の周囲に絶縁膜６を形成して切断する構成とした
が、本発明はこれに限定されるものではない。例えば半
導体加速度センサや半導体歪みセンサなどのように、半
導体層と、その層より大きい硬度を有する層とが積層さ
れて構成された半導体ウエハであれば、半導体層上に酸
化膜等の絶縁膜を形成し、硬度の大きい層に対応したブ
レードを用いて半導体層側から切断する構成とすればよ
く、本発明はその適用対象を上記実施例に限定するもの
ではない。
【図１】本発明に係わる第一実施例における半導体圧力
センサウエハの構造を示した模式図。
センサウエハの構造を示した模式図。
【図２】本発明に係わる第一実施例の製造方法を示した
模式図。
模式図。
【図３】本発明に係わる第一実施例の製造方法を示した
模式図。
模式図。
１ 台座ガラス
２ ｎ型シリコンウエハ
３ ゲージ
４ シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）
５ Ａｌ電極
６ 絶縁膜
７ センシングパターン
８ レジスト
１０ 半導体圧力センサウエハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/301
H01L 29/84
Claims (4)
- 【請求項１】半導体部材と、該半導体部材の裏面に配置
され該半導体部材の硬度より大きい硬度を有する基板と
から成る半導体ウエハを、前記基板の硬度に対応した切
削歯により前記半導体部材側より切断する半導体ウエハ
の切断方法であって、 前記半導体部材の面上に切削線に沿ってその両側に連続
した絶縁膜を、その間隔が前記切削歯の歯幅より大きく
形成する工程と、 前記切削歯を用いて前記切削線に沿って前記半導体部材
側から前記半導体ウエハを切断する工程とを備えたこと
を特徴とする半導体ウエハの切断方法。 - 【請求項２】前記切削歯は、前記基板の切削に対応した
切削歯であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
ウエハの切断方法。 - 【請求項３】前記絶縁膜を形成する前記工程は、前記半
導体部材上に熱酸化により酸化膜を形成して前記絶縁膜
とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ
の切断方法。 - 【請求項４】前記半導体部材をシリコンで構成し、前記
基板をガラス材料で構成し、 前記半導体部材に対して前記絶縁膜が形成される側と異
なる側からエッチングを行い、所定の肉厚のダイヤフラ
ム部を形成する工程と、 前記ダイヤフラム部の所定の領域に拡散抵抗を形成する
工程とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導
体ウエハの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31591795A JP3500813B2 (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 半導体ウエハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31591795A JP3500813B2 (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 半導体ウエハの切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134893A JPH09134893A (ja) | 1997-05-20 |
| JP3500813B2 true JP3500813B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=18071165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31591795A Expired - Fee Related JP3500813B2 (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 半導体ウエハの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3500813B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7838323B2 (en) | 2006-06-09 | 2010-11-23 | Panasonic Corporation | Method for fabricating semiconductor device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000298818A (ja) | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Tdk Corp | 多面付素子の加工方法およびスライダの加工方法 |
| JP2004153193A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの処理方法 |
| JP2006196588A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | マイクロマシン及び静電容量型センサの製造方法 |
-
1995
- 1995-11-08 JP JP31591795A patent/JP3500813B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7838323B2 (en) | 2006-06-09 | 2010-11-23 | Panasonic Corporation | Method for fabricating semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09134893A (ja) | 1997-05-20 |
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