JP2012114322A5 - 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、複数のデバイスが作り込まれた半導体ウエハを各デバイス単位に分割する半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置に関する。

以上から、高い品質の半導体素子（チップ）を歩留り良く生産することができる半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置を提供することを目的とする。

一観点によれば、半導体基板の表面に積層された積層膜によって複数のデバイスが形成されたウエハを、各デバイスを区画するダイシング領域に沿って分割する方法であって、レーザにより、前記ダイシング領域に沿って前記積層膜の部分のみに溝を形成して前記溝の下に前記積層膜を残す工程と、前記ウエハの溝が形成されている側の面に保護シートを貼り付ける工程と、前記保護シートが貼り付けられた前記ウエハの裏面を研削して薄くすると共に、鏡面加工する工程と、前記ウエハの裏面側から前記半導体基板に対してレーザ光を前記ダイシング領域に沿って照射して、前記半導体基板の内部に改質層を形成する工程と、前記改質層が形成されたウエハの裏面にシート部材を貼り付ける工程と、前記保護シートを除去する工程と、前記シート部材を拡張することで前記改質層が形成されたウエハに外力を与えることにより、前記積層膜及び半導体基板を分断して前記ウエハを個々の半導体チップに分割する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの分割方法が提供される。

Claims (6)

1. 半導体基板の表面に積層された積層膜によって複数のデバイスが形成されたウエハを、各デバイスを区画するダイシング領域に沿って分割する方法であって、
   レーザにより、前記ダイシング領域に沿って前記積層膜の部分のみに溝を形成して前記溝の下に前記積層膜を残す工程と、
   前記ウエハの溝が形成されている側の面に保護シートを貼り付ける工程と、
   前記保護シートが貼り付けられた前記ウエハの裏面を研削して薄くすると共に、鏡面加工する工程と、
   前記ウエハの裏面側から前記半導体基板に対してレーザ光を前記ダイシング領域に沿って照射して、前記半導体基板の内部に改質層を形成する工程と、
   前記改質層が形成されたウエハの裏面にシート部材を貼り付ける工程と、
   前記保護シートを除去する工程と、
   前記シート部材を拡張することで前記改質層が形成されたウエハに外力を与えることにより、前記積層膜及び半導体基板を分断して前記ウエハを個々の半導体チップに分割する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
2. 前記溝を形成する工程において、
   前記溝の表面が凹凸面となることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハの分割方法。
3. 半導体基板と、
   前記半導体基板の表面に積層された積層膜と、
   前記積層膜の外縁が面取りされた傾斜状のエッジ部分とを有し、
   前記傾斜状のエッジ部分は前記積層膜のみに形成され、前記傾斜状のエッジ部分の深さは前記積層膜の厚みの途中まで形成されていることを特徴とする半導体チップ。
4. 前記半導体基板の側面の中央部に変質層が露出していることを特徴とする請求項３に記載の半導体チップ。
5. 前記積層膜の傾斜状のエッジ部分の表面は凹凸面となっており、かつ、
   前記半導体基板の側面と前記積層膜の傾斜状のエッジ部分を除く側面とは同一面となっていることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体チップ。
6. 請求項３乃至５のいずれかの半導体チップと、
   前記半導体チップの上面及び側面を封止する樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。