JP2010147293A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 シリコン基板の底面および側面を保護する樹脂保護膜の形成に際し、樹脂保護膜を硬化させるとき、全体が反りにくいようにする。
【解決手段】 まず、ダイシングストリート22およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ21および封止膜12等に溝28を形成する。この状態では、溝28の形成により、半導体ウエハ21は個々のシリコン基板1に分離されている。次に、溝28内を含む各シリコン基板1の底面に樹脂保護膜11を形成する。この場合、半導体ウエハ21は個々のシリコン基板1に分離されているが、柱状電極10および封止膜12の上面に第1の接着剤層23等を介して第1のサポート板25が貼り付けられているので、樹脂保護膜11の形成に際し、個々に分離されたシリコン基板1を含む全体が反りにくいようにすることができる。
【選択図】 図8
【解決手段】 まず、ダイシングストリート22およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ21および封止膜12等に溝28を形成する。この状態では、溝28の形成により、半導体ウエハ21は個々のシリコン基板1に分離されている。次に、溝28内を含む各シリコン基板1の底面に樹脂保護膜11を形成する。この場合、半導体ウエハ21は個々のシリコン基板1に分離されているが、柱状電極10および封止膜12の上面に第1の接着剤層23等を介して第1のサポート板25が貼り付けられているので、樹脂保護膜11の形成に際し、個々に分離されたシリコン基板1を含む全体が反りにくいようにすることができる。
【選択図】 図8
Description
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来の半導体装置には、CSP(Chip Size Package)と呼ばれるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。この半導体装置では、半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面に複数の配線が設けられ、配線の接続パッド部上面に柱状電極が設けられ、配線を含む絶縁膜の上面に封止膜がその上面が柱状電極の上面と面一となるように設けられ、柱状電極の上面に半田ボールが設けられている。この場合、半導体基板の下面および側面が露出しないようにするために、半導体基板の下面および側面を樹脂保護膜で覆っている。
ところで、上記従来の半導体装置の製造方法では、まず、ウエハ状態の半導体基板(以下、半導体ウエハという)の上面側に、絶縁膜、配線、柱状電極および封止膜が形成されたものを準備する。次に、半導体ウエハの上下を反転する。次に、半導体ウエハの底面側(封止膜等が形成された面とは反対の面側)における各半導体装置形成領域間にハーフカットにより所定幅の溝を封止膜の途中に達するまで形成する。この状態では、半導体ウエハは、溝の形成により、個々の半導体基板に分離されている。
次に、溝内を含む各半導体基板の底面に樹脂保護膜を形成する。次に、各半導体基板を含む全体の上下を反転する。次に、柱状電極の上面に半田ボールを形成する。次に、溝の幅方向中央部において封止膜および樹脂保護膜を切断する。かくして、半導体基板の底面および側面を樹脂保護膜で覆った構造の半導体装置が得られる。
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、上下を反転された半導体ウエハの上面側にハーフカットにより溝を封止膜の途中に達するまで形成した後に、溝内を含む各半導体基板の底面に樹脂保護膜を形成しているだけであるので、すなわち、溝の形成により半導体ウエハを個々の半導体基板に分離した状態において樹脂保護膜を形成しているだけであるので、ハーフカット工程および以降の工程における強度が低下し、各半導体基板を含む全体が比較的大きく反ってしまうため、品質の維持が困難となり、且つ、各工程のハンドリングが難しくなるという問題がある。
そこで、この発明は、半導体基板を保護する樹脂保護膜の形成に際し、各半導体基板を含む全体が反りにくいようにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、一面上に集積回路が形成された半導体ウエハの当該一面上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部が前記集積回路に接続されて形成され、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極が形成され、前記外部接続用バンプ電極の周囲に封止膜が形成されたもの準備する工程と、記柱状電極および前記封止膜上に第1のサポート板を貼り付ける工程と、ダイシングストリートおよびその両側に対応する部分における前記半導体ウエハの底面側に前記封止膜の厚さの中間位置まで達する溝を形成する工程と、前記溝内を含む前記半導体ウエハの底面に樹脂保護膜を形成する工程と、前記樹脂保護膜下に第2のサポート板を貼り付ける工程と、前記第1のサポート板を剥離する工程と、前記外部接続用バンプ電極上に半田ボールを形成する工程と、前記第2のサポート板を剥離する工程と、前記封止膜および前記樹脂保護膜を前記溝の幅よりも小さい幅で切断する工程と、を有し、前記第1、第2のサポート板を貼り付ける工程の少なくともいずれか一方の工程は、光吸収剤および熱分解性樹脂を含む光熱変換型の第1、第2の熱分解層を介して貼り付ける工程を含み、前記第1、第2のサポート板を剥離する工程の少なくともいずれか一方の工程は、前記第1、第2のサポート板側から前記第1、第2の熱分解層にレーザーを照射する工程を含み、前記半導体基板の側面から前記封止膜の中間位置までの側面および前記半導体基板の底面に前記樹脂保護膜が形成された半導体装置を複数個得ることを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記柱状電極および前記封止膜と前記第1の熱分解層との間に第1の接着剤層を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記第1のサポート板を貼り付ける工程は、前記柱状電極および前記封止膜上に紫外線硬化型の液状接着剤を塗布する工程と、予め前記第1のサポート板の一面に前記第1の熱分解層を形成する工程と、前記液状接着剤に予め前記第1のサポート板の一面に形成された前記第1の熱分解層を貼り合せる工程と、紫外線を照射して前記液状接着剤を硬化させて前記第1の接着剤層を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記液状接着剤に予め前記第1のサポート板の一面に形成された前記第1の熱分解層を貼り合せる工程は真空下で行うことを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記第1のサポート板はガラス板からなることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記樹脂保護膜と前記第2の熱分解層との間に第2の接着剤層を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記第2のサポート板を貼り付ける工程は、前記樹脂保護膜下に紫外線硬化型の液状接着剤を塗布する工程と、予め前記第2のサポート板の一面に前記第2の熱分解層を形成する工程と、前記液状接着剤に予め前記第2のサポート板の一面に形成された前記第2の熱分解層を貼り合せる工程と、紫外線を照射して前記液状接着剤を硬化させて前記第2の接着剤層を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の発明において、前記液状接着剤に予め前記第2のサポート板の一面に形成された前記第2の熱分解層を貼り合せる工程は真空下で行うことを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記第2のサポート板はガラス板からなることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第2のサポート板を貼り付ける工程は、前記樹脂保護膜下に前記第2のサポート板をカーボン入りの第2の接着剤層を介して貼り付ける工程を含み、前記第2のサポート板を剥離する工程は、前記第2のサポート板側から前記第2の接着剤層にレーザーを照射する工程と、前記第2のサポート板を前記第2の接着剤層と共に剥離する工程とを含むことを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記第2のサポート板はガラス板からなることを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第1のサポート板を貼り付けた後に、前記半導体ウエハの底面側を研削して該半導体ウエハの厚さを薄くする工程を有することを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記樹脂保護膜を形成した後に、前記樹脂保護膜の上面側を研削して該樹脂保護膜の厚さを薄くするとともにその上面を平坦化する工程を有することを特徴とするものである。
請求項14に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記外部接続用バンプ電極は、前記電極用接続パッド部上に形成された柱状電極であることを特徴とするものである。
請求項15に記載の発明は、請求項14に記載の発明において、前記第1のサポート板を剥離した後に、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記柱状電極および前記封止膜と前記第1の熱分解層との間に第1の接着剤層を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記第1のサポート板を貼り付ける工程は、前記柱状電極および前記封止膜上に紫外線硬化型の液状接着剤を塗布する工程と、予め前記第1のサポート板の一面に前記第1の熱分解層を形成する工程と、前記液状接着剤に予め前記第1のサポート板の一面に形成された前記第1の熱分解層を貼り合せる工程と、紫外線を照射して前記液状接着剤を硬化させて前記第1の接着剤層を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記液状接着剤に予め前記第1のサポート板の一面に形成された前記第1の熱分解層を貼り合せる工程は真空下で行うことを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記第1のサポート板はガラス板からなることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記樹脂保護膜と前記第2の熱分解層との間に第2の接着剤層を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記第2のサポート板を貼り付ける工程は、前記樹脂保護膜下に紫外線硬化型の液状接着剤を塗布する工程と、予め前記第2のサポート板の一面に前記第2の熱分解層を形成する工程と、前記液状接着剤に予め前記第2のサポート板の一面に形成された前記第2の熱分解層を貼り合せる工程と、紫外線を照射して前記液状接着剤を硬化させて前記第2の接着剤層を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の発明において、前記液状接着剤に予め前記第2のサポート板の一面に形成された前記第2の熱分解層を貼り合せる工程は真空下で行うことを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記第2のサポート板はガラス板からなることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第2のサポート板を貼り付ける工程は、前記樹脂保護膜下に前記第2のサポート板をカーボン入りの第2の接着剤層を介して貼り付ける工程を含み、前記第2のサポート板を剥離する工程は、前記第2のサポート板側から前記第2の接着剤層にレーザーを照射する工程と、前記第2のサポート板を前記第2の接着剤層と共に剥離する工程とを含むことを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記第2のサポート板はガラス板からなることを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第1のサポート板を貼り付けた後に、前記半導体ウエハの底面側を研削して該半導体ウエハの厚さを薄くする工程を有することを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記樹脂保護膜を形成した後に、前記樹脂保護膜の上面側を研削して該樹脂保護膜の厚さを薄くするとともにその上面を平坦化する工程を有することを特徴とするものである。
請求項14に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記外部接続用バンプ電極は、前記電極用接続パッド部上に形成された柱状電極であることを特徴とするものである。
請求項15に記載の発明は、請求項14に記載の発明において、前記第1のサポート板を剥離した後に、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
この発明によれば、外部接続用バンプ電極および封止膜上に第1のサポート板を貼り付けた状態で、溝内を含む半導体ウエハ(各半導体基板)の底面に樹脂保護膜を形成しているので、半導体基板を保護する樹脂保護膜の形成に際し、各半導体基板を含む全体が反りにくいようにすることができる。この場合、第1、第2のサポート板により、準備工程の直後からダイシングストリートに沿って切断する直前まで補強機能を発揮することができる。
図1はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはCSPと呼ばれるものであり、シリコン基板(半導体基板)1を備えている。シリコン基板1の上面には所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子(図示せず)が形成され、その上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる接続パッド2が設けられている。接続パッド2は2個のみを図示するが、実際にはシリコン基板1の上面周辺部に多数配列されている。
接続パッド2の中央部を除くシリコン基板1の上面には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜(絶縁膜)3が設けられ、接続パッド2の中央部はパッシベーション膜3に設けられた開口部4を介して露出されている。パッシベーション膜3の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜(絶縁膜)5が設けられている。パッシベーション膜3の開口部4に対応する部分における保護膜5には開口部6が設けられている。
保護膜5の上面には配線7が設けられている。配線7は、保護膜5の上面に設けられた銅等からなる下地金属層8と、下地金属層8の上面に設けられた銅からなる上部金属層9との2層構造となっている。配線7の一端部は、パッシベーション膜3および保護膜5の開口部4、6を介して接続パッド2に接続されている。配線7の接続パッド部(電極用接続パッド部)上面には銅からなる柱状電極(外部接続用バンプ電極)10が設けられている。
シリコン基板1の底面およびシリコン基板1、パッシベーション膜3および保護膜5の側面にはエポキシ系樹脂等からなる樹脂保護膜11が設けられている。この場合、シリコン基板1、パッシベーション膜3および保護膜5の側面に設けられた樹脂保護膜11の上部は保護膜5の上面よりも上側にストレート状に突出されている。この状態では、シリコン基板1の下面およびシリコン基板1、パッシベーション膜3および保護膜5の側面は樹脂保護膜11によって覆われている。
配線7を含む保護膜5の上面およびその周囲における樹脂保護膜11の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜12が設けられている。柱状電極10は、その上面が封止膜12の上面と面一乃至数μm低くなるように設けられている。柱状電極10の上面には半田ボール13が設けられている。
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、ウエハ状態のシリコン基板(以下、半導体ウエハ21という)上に、接続パッド2、パッシベーション膜3、保護膜5、下地金属層8および上部金属層9からなる2層構造の配線7、柱状電極10および封止膜12が形成されたものを準備する。このような、半導体ウエハ21の製造方法は既に知られており、詳細は、例えば特許第3955059号の図2〜図7および明細書の関連箇所を参照されたい。
この場合、半導体ウエハ21の厚さは、図1に示すシリコン基板1の厚さよりもある程度厚くなっている。また、柱状電極10の上面を含む封止膜12の上面は平坦となっている。ここで、図2において、符号22で示す領域はダイシングストリートに対応する領域である。
さて、図2に示すものを準備したら、次に、図3に示すように、柱状電極10および封止膜12の上面に第1の接着剤層23および第1の熱分解層24を介して第1のサポート板25を貼り付ける。この場合、第1の接着剤層23は紫外線硬化型の接着剤からなっている。第1の熱分解層24は、カーボンブラック等の光吸収剤および熱分解性樹脂を含む光熱変換型のものからなっている(例えば、住友スリーエム株式会社製のWafer Support System)。第1のサポート板25は、半導体ウエハ21よりもやや大きめの円形状のガラス板等の紫外線に対して透過性を有する硬質板からなっている。
そして、まず、柱状電極10および封止膜12の上面に第1の接着剤層23を形成するための液状接着剤をスピンコート法等により塗布する。一方、ガラス板等からなる第1のサポート板25の下面に予め第1の熱分解層24を形成しておく。次に、真空下において、塗布された液状接着剤の上面に第1のサポート板25の下面に予め形成された第1の熱分解層24を貼り合せる。この貼り合せを真空下において行うのは、第1のサポート板25の下面に予め形成された第1の熱分解層24と第1の接着剤層23との間に空気が入らないようにするためである。次に、第1のサポート板25側から紫外線を照射し、塗布された液状接着剤を硬化させて第1の接着剤層23を形成する。なお、第1の熱分解層24はエネルギーの小さい紫外線の照射では熱分解を生じることは無い。
次に、図3に示すものの上下を反転して、図4に示すように、半導体ウエハ21の底面(封止膜12等が形成された面とは反対の面)を上に向ける。次に、図5に示すように、半導体ウエハ21の底面側を研削砥石(図示せず)を用いて適宜に研削し、半導体ウエハ21の厚さを適宜に薄くする。これは、図1に示す完成した半導体装置を薄型化するためである。
次に、図6に示すように、第1のサポート板25の下面をダイシングテープ26の上面に貼り付ける。次に、図7に示すように、ブレード27を準備する。このブレード27は円盤状の砥石からなり、その刃先の断面形状はほぼコ字形状(あるいはほぼU字形状)となっており、その厚さはダイシングストリート22の幅よりもある程度厚くなっている。
そして、このブレード27を用いて、ダイシングストリート22およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ21、パッシベーション膜3、保護膜5および封止膜12に溝28を形成する。この場合、溝28の深さは、封止膜12の途中までとし、例えば、封止膜12の厚さの1/2以上好ましくは1/3以上とする。この状態では、溝28の形成により、半導体ウエハ21は個々のシリコン基板1に分離されている。次に、第1のサポート板25をダイシングテープ26の上面から剥離する。なお、この工程は、ハーフカット用のダイシング装置を用いることにより、ダイシングテープに貼らずに加工することも可能である。
次に、図8に示すように、溝28内を含む各シリコン基板1の底面側に、エポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂をスピンコート法、スクリーン印刷法等により塗布し、硬化させることにより、樹脂保護膜11を形成する。樹脂保護膜11の硬化温度は、第1の接着剤層23および第1の熱分解層24の耐熱性を考慮して150〜250℃で、処理時間は1時間程度とする。
この場合、半導体ウエハ21は個々のシリコン基板1に分離されているが、柱状電極10および封止膜12の下面に第1の接着剤層23および第1の熱分解層24を介して第1のサポート板25が貼り付けられているので、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなる樹脂保護膜11を塗布し、硬化させる際において、個々に分離されたシリコン基板1を含む全体が反りにくいようにすることができ、さらにはその後の工程に反りによる支障を来たしにくいようにすることができる。
次に、図9に示すように、樹脂保護膜11の上面側を研削砥石(図示せず)を用いて適宜に研削し、樹脂保護膜11の厚さを適宜に薄くし、且つ、樹脂保護膜11の上面を平坦化する。この研削工程は半導体装置を一層薄型化するために行う。
次に、図10に示すように、樹脂保護膜11の上面に第2の接着剤層31および第2の熱分解層32を介して第2のサポート板33を貼り付ける。この場合、第2の接着剤層31は、第1の接着剤層23と同様に、紫外線硬化型の接着剤からなっている。第2の熱分解層32は、第1の熱分解層24と同様に、カーボンブラック等の光吸収剤および熱分解性樹脂を含む光熱変換型のものからなっている(例えば、住友スリーエム株式会社製のWafer Support System)。第2のサポート板33は、第1のサポート板25と同様に、半導体ウエハ21よりもやや大きめの円形状のガラス板等の紫外線に対して透過性を有する硬質板からなっている。
そして、まず、樹脂保護膜11の上面に第2の接着剤層31を形成するための液状接着剤をスピンコート法等により塗布する。一方、ガラス板等からなる第2のサポート板33の下面に予め第2の熱分解層32を形成しておく。次に、真空下において、塗布された液状接着剤の上面に第2のサポート板33の下面に予め形成された第2の熱分解層32を貼り合せる。この貼り合せを真空下において行うのは、第2のサポート板33の下面に予め形成された第2の熱分解層32と第2の接着剤層31との間に空気が入らないようにするためである。次に、第2のサポート板33側から紫外線を照射し、塗布された液状接着剤を硬化させて第2の接着剤層32を形成する。この場合も、第1の熱分解層24はエネルギーの小さい紫外線の照射では熱分解を生じることは無い。
次に、図10に示すものの上下を反転して、図11に示すように、シリコン基板1の封止膜12等が形成された面側を上に向ける。次に、図12に示すように、第1のサポート板25の上面側からYAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザーを照射する。すると、照射されたYAGレーザーのエネルギーは第1の熱分解層24の光吸収剤に吸収され、熱エネルギーに変換される。この変換された熱エネルギーにより、第1の熱分解層24の熱分解性樹脂が熱分解し、この熱分解によりガスが発生する。この発生したガスにより、第1の熱分解層24内に空隙が形成され、第1の熱分解層24がその厚さ方向に自己分離され、すなわち、上層第1の熱分解層24aと下層第1の熱分解層24bとに自己分離される。光熱変換型の熱分解層については、例えば、特開2004−64040号公報に開示されている。
そこで、次に、第1のサポート板25を上層第1の熱分解層24aと共に下層第1の熱分解層24bの上面から剥離する。次に、第1の接着剤層23を下層第1の熱分解層24bと共に柱状電極10および封止膜12の上面から剥離する。
ここで、第1の接着剤層23のほかに第1の熱分解層24を用いている理由について説明する。ガラス板等からなる第1のサポート板25は、柔軟性を有していないため、半導体ウエハ全面に対応する領域を同時に剥離しなければならない。表現を変えれば、少しずつ剥離する所謂ピール剥離をすることができない。このため、第1のサポート板25やシリコン基板1に変形や破損を与えることなく両者を分離することができない。そこで、第1のサポート板25の剥離を容易とするため、第1の熱分解層24を用いている。一方、下層第1の熱分解層24bを含む第1の接着剤層23は、十分な柔軟性を有するので、ピール剥離をすることが可能である。
次に、図13に示すように、柱状電極10の上面に半田ボール13を形成する。この場合、柱状電極10の上面にバリや酸化膜が形成されている場合には、柱状電極10の上面を数μmエッチングして、これらを除去する。次に、図13に示すものの上下を反転して、図14に示すように、シリコン基板1の底面を上に向ける。このエッチングにより、柱状電極10の上面は封止膜12の上面より数μm低くなる。
次に、図15に示すように、第2のサポート板33の上面側からYAGレーザーを照射する。すると、第1の熱分解層24の場合と同様に、第2の熱分解層33がその厚さ方向に自己分離され、すなわち、上層第2の熱分解層32aと下層第2の熱分解層32bとに自己分離される。
そこで、次に、第2のサポート板33を上層第2の熱分解層32aと共に下層第2の熱分解層32bの上面から剥離する。次に、第2の接着剤層31を下層第2の熱分解層32bと共に樹脂保護膜11の上面から剥離する。この場合、第2の接着剤層31のほかに第2の熱分解層32を用いている理由は、第1の接着剤層23のほかに第1の熱分解層24を用いている場合と同じである。
さて、第2の接着剤層31を下層第2の熱分解層32bと共に樹脂保護膜11の上面から剥離したら、次に、全体の上下を反転して、図16に示すように、シリコン基板1の封止膜12等が形成された面側を上に向ける。次に、図17に示すように、封止膜12および樹脂保護膜11を溝28内の中央部のダイシングストリート22に沿って切断する。
この場合、ブレードとしてはその幅がダイシングストリート22と同一の幅を有するものを用いるので、図17に図示される如く、シリコン基板1、パッシベーション膜3、保護膜5および封止膜12の中間位置までの各膜の側面に設けられた樹脂保護膜11の中間位置からは封止膜12がその側面を形成するように切断される。この結果、図1に示すように、シリコン基板1の底面および側面を樹脂保護膜11で覆った構造の半導体装置が複数個得られる。
以上のように、この半導体装置の製造方法では、図2に示すものを準備した後に第1の第1のサポート板25を貼り付け、次いで第2の第1のサポート板33を貼り付け、次いで第1のサポート板25を剥離し、次いで半田ボール13を形成した後につまりダイシングストリート22に沿って切断する前に第2のサポート板33を剥離し、次いでダイシングストリート22に沿って切断して個々の半導体装置を得ているので、図2に示すものを準備した直後からダイシングストリート22に沿って切断する直前まで、第1、第2の第1のサポート板25、33の少なくとも一方が貼り付けられており、第1、第2の第1のサポート板25、33の少なくとも一方により補強機能を発揮することができる。
なお、上記実施形態では、例えば、図10に示すように、樹脂保護膜11の上面に第2の接着剤層31および第2の熱分解層32を介して第2のサポート板33を貼り付けているが、これに限定されるものではない。例えば、樹脂保護膜11をカーボン入りのエポキシ系樹脂等によって形成した場合には、樹脂保護膜11の上面に第2の接着剤層31のみを介して第2のサポート板33を貼り付け、第2の熱分解層32を省略するようにしてもよい。
このようにした場合には、図15に示すような工程において、第2のサポート板33の上面側からYAGレーザーを照射すると、第2の接着剤層31と樹脂保護膜11との界面で樹脂保護膜11中のカーボンが熱分解することにより分離が生じる。したがって、この場合には、第2のサポート板33を第2の接着剤層31と共に樹脂保護膜11の上面から剥離することができ、第2の接着剤層31のみを剥離する工程を省略することができる。
1 シリコン基板
2 接続パッド
3 パッシベーション膜
5 保護膜
7 配線
10 柱状電極
11 樹脂保護膜
12 封止膜
13 半田ボール
21 半導体ウエハ
22 ダイシングストリート
23 第1の接着剤層
24 第1の熱分解層
25 第1のサポート板
26 ダイシングテープ
27 ブレード
28 溝
31 第2の接着剤層
32 第2の熱分解層
33 第2のサポート板
2 接続パッド
3 パッシベーション膜
5 保護膜
7 配線
10 柱状電極
11 樹脂保護膜
12 封止膜
13 半田ボール
21 半導体ウエハ
22 ダイシングストリート
23 第1の接着剤層
24 第1の熱分解層
25 第1のサポート板
26 ダイシングテープ
27 ブレード
28 溝
31 第2の接着剤層
32 第2の熱分解層
33 第2のサポート板
Claims (15)
- 一面上に集積回路が形成された半導体ウエハの当該一面上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部が前記集積回路に接続されて形成され、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極が形成され、前記外部接続用バンプ電極の周囲に封止膜が形成されたもの準備する工程と、
前記外部接続用バンプ電極および前記封止膜上に第1のサポート板を貼り付ける工程と、
ダイシングストリートおよびその両側に対応する部分における前記半導体ウエハの底面側に前記封止膜の厚さの中間位置まで達する溝を形成する工程と、
前記溝内を含む前記半導体ウエハの底面に樹脂保護膜を形成する工程と、
前記樹脂保護膜下に第2のサポート板を貼り付ける工程と、
前記第1のサポート板を剥離する工程と、
前記外部接続用バンプ電極上に半田ボールを形成する工程と、
前記第2のサポート板を剥離する工程と、
前記封止膜および前記樹脂保護膜を前記溝の幅よりも小さい幅で切断する工程と、
を有し、
前記第1、第2のサポート板を貼り付ける工程の少なくともいずれか一方の工程は、光吸収剤および熱分解性樹脂を含む光熱変換型の第1、第2の熱分解層を介して貼り付ける工程を含み、
前記第1、第2のサポート板を剥離する工程の少なくともいずれか一方の工程は、前記第1、第2のサポート板側から前記第1、第2の熱分解層にレーザーを照射する工程を含み、
前記半導体基板の側面から前記封止膜の中間位置までの側面および前記半導体基板の底面に前記樹脂保護膜が形成された半導体装置を複数個得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の発明において、前記柱状電極および前記封止膜と前記第1の熱分解層との間に第1の接着剤層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項2に記載の発明において、前記第1のサポート板を貼り付ける工程は、前記柱状電極および前記封止膜上に紫外線硬化型の液状接着剤を塗布する工程と、予め前記第1のサポート板の一面に前記第1の熱分解層を形成する工程と、前記液状接着剤に予め前記第1のサポート板の一面に形成された前記第1の熱分解層を貼り合せる工程と、紫外線を照射して前記液状接着剤を硬化させて前記第1の接着剤層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項3に記載の発明において、前記液状接着剤に予め前記第1のサポート板の一面に形成された前記第1の熱分解層を貼り合せる工程は真空下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項3に記載の発明において、前記第1のサポート板はガラス板からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記樹脂保護膜と前記第2の熱分解層との間に第2の接着剤層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項6に記載の発明において、前記第2のサポート板を貼り付ける工程は、前記樹脂保護膜下に紫外線硬化型の液状接着剤を塗布する工程と、予め前記第2のサポート板の一面に前記第2の熱分解層を形成する工程と、前記液状接着剤に予め前記第2のサポート板の一面に形成された前記第2の熱分解層を貼り合せる工程と、紫外線を照射して前記液状接着剤を硬化させて前記第2の接着剤層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項7に記載の発明において、前記液状接着剤に予め前記第2のサポート板の一面に形成された前記第2の熱分解層を貼り合せる工程は真空下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項6に記載の発明において、前記第2のサポート板はガラス板からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記第2のサポート板を貼り付ける工程は、前記樹脂保護膜下に前記第2のサポート板をカーボン入りの第2の接着剤層を介して貼り付ける工程を含み、前記第2のサポート板を剥離する工程は、前記第2のサポート板側から前記第2の接着剤層にレーザーを照射する工程と、前記第2のサポート板を前記第2の接着剤層と共に剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項10に記載の発明において、前記第2のサポート板はガラス板からなることを特徴とするものである。
- 請求項1に記載の発明において、前記第1のサポート板を貼り付けた後に、前記半導体ウエハの底面側を研削して該半導体ウエハの厚さを薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記樹脂保護膜を形成した後に、前記樹脂保護膜の上面側を研削して該樹脂保護膜の厚さを薄くするとともにその上面を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記外部接続用バンプ電極は、前記電極用接続パッド部上に形成された柱状電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記第1のサポート板を剥離した後に、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008323774A JP2010147293A (ja) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2008323774A JP2010147293A (ja) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2010147293A true JP2010147293A (ja) | 2010-07-01 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016111275A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板及びラミネート装置 |
WO2021131044A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 太陽誘電株式会社 | 部品モジュール |
-
2008
- 2008-12-19 JP JP2008323774A patent/JP2010147293A/ja active Pending
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