JP2009194303A - ダイシング・ダイボンドフィルム - Google Patents

Abstract

【課題】 基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、当該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、室温下においても製品の保存安定性に優れたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に放射線硬化型の粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記粘着剤層における粘着剤はアクリル系ポリマーを含み構成され、前記アクリル系ポリマーの酸価が０．０１〜１であり、ヨウ素価が５〜１０の範囲内であることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、チップ状ワーク（半導体チップ等）と電極部材とを固着するための接着剤を、ダイシング前にワーク（半導体ウエハ等）に付設した状態で、ワークのダイシングに供するダイシング・ダイボンドフィルムに関する。

回路パターンを形成した半導体ウェハ（ワーク）は、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、半導体チップ（チップ状ワーク）にダイシングされる（ダイシング工程）。ダイシング工程では、切断層の除去のため半導体ウェハを適度な液圧（通常、２ｋｇ／ｃｍ^２程度）で洗浄するのが一般的である。次いで、前記半導体チップを接着剤にてリードフレームなどの被着体に固着（マウント工程）した後、ボンディング工程に移される。前記マウント工程においては、接着剤をリードフレームや半導体チップに塗布していた。しかし、この方法では接着剤層の均一化が困難であり、また接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものである。すなわち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させるようにしたものである。

この種のダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層には、ダイシング不能や寸法ミスなどが生じないように、半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを接着剤層と一体に支持基材から剥離し得る良好な剥離性が望まれる。しかし、この両特性をバランスさせることは決して容易なことではなかった。特に、半導体ウェハを回転丸刃などでダイシングする方式などのように、接着剤層に大きな保持力が要求される場合には、上記特性を満足するダイシング・ダイボンドフィルムを得ることは困難であった。

そこで、このような問題を克服するために、種々の改良法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２には、支持基材と接着剤層との間に紫外線硬化が可能な粘着剤層を介在させ、これをダイシング後に紫外線硬化して、粘着剤層と接着剤層との間の接着力を低下させ、両者間の剥離により半導体チップのピックアップを容易にする方法が提案されている。

しかし、従来のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムを貼り合わせた状態で所定期間保存すると、経時変化に伴い剥離性が低下するという問題がある。特に、室温下で保存を行うと、紫外線照射により粘着剤層を紫外線硬化させても剥離性が十分に低下せず、これにより半導体チップのピックアップの際にはピックアップ不良が生じていた。その結果、従来のダイシング・ダイボンドフィルムを一定期間保存する場合には、低温下で保存する等して、紫外線硬化後の剥離性の低下の抑制が図られていた。

特開昭６０−５７６４２号公報 特開平２−２４８０６４号公報

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、当該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、室温下においても製品の保存安定性に優れたダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。

本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく、ダイシング・ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、粘着剤層の構成材料であるアクリル系ポリマーの酸価及びヨウ素価を所定値に設定することにより、室温下で所定期間保存をしても紫外線硬化後の剥離性の低下を防止できることを見出して、本発明を完成させるに至った。

即ち、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、基材上に放射線硬化型の粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記粘着剤層における粘着剤はアクリル系ポリマーを含み構成され、前記アクリル系ポリマーの酸価が０．０１〜１であり、ヨウ素価が５〜１０の範囲内であることを特徴とする。

本発明のダイシングフィルムにおける粘着剤層は放射線硬化型であり、ダイシングフィルムからダイボンドフィルムを剥離する際には、放射線照射により粘着剤層の粘着力を低減させて剥離性の向上を図る。ここで本発明は、粘着剤層の構成成分であるアクリル系ポリマーとして、酸価が０．０１〜１、ヨウ素価が５〜１０の物性を有するものを用いており、これにより例えば室温下で一定期間保存をしても、放射線照射後の粘着剤層の剥離性が低下するのを抑制することができる。即ち、前記構成のダイシング・ダイボンドフィルムであると、室温下で一定期間保存をしても放射線硬化後の剥離性の低下が抑制され、製品の保存安定性に優れる。その結果、例えば本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを半導体装置の製造方法に適用した場合には、ピックアップ不良の発生を低減し、歩留まりの抑制が可能になる。

尚、前記酸価は、試料１ｇ中に含まれるＣＯＯＨ基を中和するのに必要な水酸化カリウムのｍｇ数を意味する。また、前記ヨウ素価は、試料にハロゲンを作用させたとき吸収されるハロゲンの重量をヨウ素の重量に換算した重量を試料の重量に対する百分率で表わした値を意味する。

前記構成に於いては、前記アクリル系ポリマーの水酸基価が７〜３０の範囲内であることが好ましい。これにより、粘着剤層における放射線硬化後の剥離性の低下が一層抑制され、半導体装置製造の歩留まりが更に低減される。尚、前記水酸基価は、試料１ｇ中にアセチル化剤を反応させて得られるアセチル化物に結合している酢酸を中和するのに必要な水酸化カリウムのｍｇ数を意味する。

（ダイシング・ダイボンドフィルム）
本発明の実施の形態について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２は、本実施の形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。但し、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にする為に拡大又は縮小等して図示した部分がある。

図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、基材１上に粘着剤層２が設けられたダイシングフィルムと、該粘着剤層２上にダイボンドフィルム３を有する構成である。また本発明は、図２に示すように、半導体ウェハ貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。

前記基材１は放射線透過性を有し、かつダイシング・ダイボンドフィルム１０、１１の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。

前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。

前記粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤を含み構成されている。放射線硬化型粘着剤は、放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分２ａのみを紫外線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることもできる。尚、放射線としては、紫外線や電子線等が挙げられる。

また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。

前述の通り、図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがダイシングリングを固定することができる。ダイシングリングは、例えばステンレス製などの金属からなるものや樹脂製のものを使用できる。

前記放射線硬化型粘着剤は、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを使用する。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。アクリル系粘着剤はアクリル系ポリマーをベースポリマーとする粘着剤であり、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点で好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、具体的にはアクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。前記アクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓｅｃ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及びアクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）等が挙げられる。これらのモノマーは単独で又は２種以上を併用して用いてもよい。

前記に例示したアクリル酸エステルのうち、本発明に於いては、化学式ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数６〜１０、より好ましくは炭素数８〜９のアルキル基である。）で表されるモノマーを用いることが好ましい。炭素数が６未満であると、粘着力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。その一方、炭素数が１０を超えると、ダイボンドフィルムとの接着性が低下し、その結果、ダイシングの際にチップ飛びが発生する場合がある。また、アクリル酸エステルが化学式ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲで表される場合、その含有量は、全モノマー成分に対し５０〜９１ｍｏｌ％が好ましく、８０〜８７ｍｏｌ％がより好ましい。含有量が５０ｍｏｌ％未満であると、粘着力が大きくなり過ぎ、ピックアップ性が低下する場合がある。その一方、９１ｍｏｌ％を超えると、粘着性が低下しダイシングの際にチップ飛びが発生する場合がある。更に、前記化学式で表されるモノマーのうち、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸イソオクチルが特に好ましい。

前記アクリル系ポリマーは、前記アクリル酸エステルと共重合可能なヒドロキシル基含有モノマーを必須成分として含む。ヒドロキシル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

前記ヒドロキシル基含有モノマーの含有量は、アクリル酸エステルに対し１０〜３０ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましく、１５〜２５ｍｏｌ％の範囲内であることがより好ましい。含有量が１０ｍｏｌ％未満であると、放射線照射後の架橋が不足し、ダイシングの際に粘着剤層２上に貼り付けられるダイシングリングに対し、糊残りが発生する場合がある。その一方、含有量が３０ｍｏｌ％を超えると、粘着剤の極性が高くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることにより剥離が困難になる。

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上を使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。但し、前記カルボキシル基含有モノマーの場合、そのカルボキシル基とダイボンドフィルム３中のエポキシ樹脂におけるエポキシ基とが反応することにより、粘着剤層２とダイボンドフィルム３との境界面が消失し、両者の剥離性が低下することがある。従って、カルボキシル基含有モノマーの使用量は、全モノマー成分の０〜３重量％以下が好ましい。その他、ヒドロキシル基含有モノマーやグリシジル基含有モノマーも、エポキシ樹脂におけるエポキシ基と反応し得るので、カルボキシル基含有モノマーの場合と同様にするのが好ましい。また、これらのモノマー成分のうち、本発明の粘着剤層２はアクリル酸を含まない方が好ましい。粘着剤層２とダイボンドフィルム３の反応や相互作用を防止することができ、ピックアップ性の一層の向上が図れる。

ここで、前記アクリル系ポリマーは、共重合用モノマー成分として多官能性モノマーを含まない。これにより、多官能性モノマーがダイボンドフィルムに物質拡散をすることがなくなり、粘着剤層２とダイボンドフィルム３の境界面が消失することによるピックアップ性の低下を防止することができる。

また、前記アクリル系ポリマーは、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物を含んでもよい。前記イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。

前記イソシアネート化合物の含有量は、ヒドロキシル基含有モノマーに対し含有量が７０〜９０ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましく、７５〜８５ｍｏｌ％の範囲内であることがより好ましい。含有量が７０ｍｏｌ％未満であると、放射線照射後の架橋が不足し、ダイシングの際に粘着剤層上に貼り付けられるダイシングリングに対し、糊残りが発生する。その一方、含有量が９０ｍｏｌ％を超えると、粘着剤の極性が高くなりダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることにより剥離が困難となりピックアップ性が低下する。

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは３５万〜１００万、更に好ましくは４５万〜８０万程度である。重量平均分子量を３５万以上にすることにより、低分子量ポリマーとなるのを防止し、これにより、例えばダイシングの際に粘着剤層２上に貼り付けられるダイシングリングから剥離が生じるのを防止できる。更に、放射線照射後の架橋が不足するのを防止するので、ダイシングリングを粘着剤層２から剥離する際に、糊残りが発生することも防止できる。その一方、重量平均分子量を１００万以下にすることにより、粘着剤層２を基材１上に形成する際の作業性を向上させることができる。粘着剤層２の形成は、例えば、前記ポリマーを含む粘着剤組成物の溶液を基材上に塗布した後、乾燥させて行うが、ポリマーの重量平均分子量が１００万を超えると、粘着剤組成物の溶液の粘度が大きくなり過ぎるため、該ポリマーの重合、及び塗工の際の作業性が低下するからである。

本発明のアクリル系ポリマーの酸価は０．０１〜１の範囲内であり、好ましくは０．０５〜１の範囲内であり、より好ましくは０．１〜０．５の範囲内である。前記酸価が０．０５未満であると、テープ復元性の改善効果が低下する場合がある。その一方、酸価が１を超えると、ダイボンドフィルムに対するダイシングフィルムの粘着力が高くなり、ピックアップが困難になる場合がある。粘着剤の流動性が損なわれる場合がある。また、ヨウ素価は５〜１０の範囲内であり、好ましくは５．５〜９の範囲内である。また、前記ヨウ素価が５未満であると、放射線照射後の粘着力の低減効果が不十分となる場合がある。その一方、ヨウ素価が１０を超えると、ダイボンドフィルムに対するダイシングフィルムの粘着力が高くなり、ピックアップが困難になる場合がある。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、前記酸価及びヨウ素価がそれぞれの数値範囲を同時に充足することにより、比較的高温（例えば、０℃〜４０℃）下で一定期間（例えば、３日〜２週間程度）保存をしても粘着剤層２の紫外線照射後の剥離性の低下を抑制可能にしたものである。尚、前記酸価の数値範囲は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２に基づく電位差滴定法により測定した値である。また、前記ヨウ素価の数値範囲は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２に基づき測定した値である。

更に、アクリル系ポリマーの水酸基価は７〜３０の範囲内であることが好ましく、１０〜２５の範囲内であることがより好ましい。前記水酸基価が７未満であると、放射線照射後の粘着力の低減効果が不十分となる場合がある。その一方、水酸基価が３０を超えると、ダイボンドフィルムに対するダイシングフィルムの粘着力が高くなり、ピックアップが困難になる場合がある。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、前記酸価及びヨウ素価に加え、更に水酸基価を前記数値範囲内に調節することにより、放射線硬化後の剥離性の低下を一層防止し、製品の保存安定性を更に向上させることができる。その結果、ピックアップの際におけるピックアップ条件（例えば、ニードル本数やニードル突き上げ量）を引き上げても良好なピックアップ性を示し、半導体装置の製造歩留まりの低減が図れる。尚、前記水酸基価の数値範囲は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２に基づくアセチル化法により測定した値である。

前記数値範囲内の酸価及びヨウ素価を示すアクリル系ポリマーは、例えば、特開平２−１８７４７８号公報等の従来公知の方法により製造することができる。このとき、酸価はアクリル酸の共重合量を調整することにより、前記数値範囲内に調整可能である。また、ヨウ素価はメタクリル酸２−イソシアネートエチルの添加量を調整することにより、前記数値範囲内に調整可能である。更に、水酸基価はメタクリル酸２−イソシアネートエチルの添加量とアクリル酸２−ヒドロキシエチルの共重合量を調整することにより、前記数値範囲内に調整可能である。

また、本発明の粘着剤層２は、ヒドロキシル基に対し反応性を示す官能基を分子中に２個以上備えた架橋剤を含むのが好ましい。ヒドロキシル基に対し反応性を示す官能基としては、例えば、イソシアネート基、エポキシ基、グリシジル基等が挙げられる。その様な官能基を有する架橋剤としては、より具体的には、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤等が挙げられる。

前記イソシアネート系架橋剤としては、分子中にイソシアネート基を２個以上有するものであれば特に限定されず、例えば、トルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。これらは単独使用でもよく２種以上を併用してもよい。

前記エポキシ系架橋剤としては、分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に限定されず、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル等が挙げられる。これらは単独使用でもよく２種以上を併用してもよい。

前記アジリジン系架橋剤としては、分子中にアジリジン基を２個以上有するものであれば、特に限定されない。例えば、ω−アジリジニルプロピオン酸−２，２−ジヒドロキシメチル−ブタノール−トリエステル、４，４’−ビス（エチレンイミノカルボニルアミノ）ジフェニルメタン、２，４，６−（トリエチレンイミノ）−ｓｙｍ−トリアジン、１，６−ビス（エチレンイミノカルボニルアミノ）ヘキサン等が好適に用いられる。これらは単独使用でもよく２種以上を併用してもよい。

前記架橋剤の含有量は、ベースポリマー１００重量部に対し２〜２０重量部の範囲内であることが好ましく、４〜１５重量部の範囲内であることがより好ましい。含有量が２重量部未満であると、紫外線照射後の架橋が不十分となり、引張弾性率が低下する。その結果、半導体ウェハのダイシングの際には、粘着剤層上に貼り付けられるダイシングリングに対し糊残りが発生し、半導体チップのピックアップの際には、剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する。その一方、含有量が２０重量部を超えると引張弾性率が大きくなりすぎ、その結果ダイシングの際にチップ飛びが発生する。尚、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するアクリル系ポリマーを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。

内在型の放射線硬化型粘着剤の場合であっても、アクリル系ポリマーの酸価、及びヨウ素価は前記数値範囲内にある。また、アクリル系ポリマーの具体例としては、前記例示したものが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへのラジカル反応性炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーにヒドロキシル基を有するモノマーを共重合した後、このヒドロキシル基と反応しうるイソシアネート基及びラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物を、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。イソシアネート基及びラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、前記に例示したものが挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等の放射線により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に放射線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。

ダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いては、前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。即ち、基材１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。

尚、紫外線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、粘着剤層２の表面から酸素（空気）を遮断するのが望ましい。その方法としては、例えば粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の紫外線の照射を行う方法等が挙げられる。

更に、前記粘着剤層２の放射線照射前の２３℃における引張弾性率は０．４〜３．５ＭＰａの範囲内であり、放射線照射後の２３℃における引張弾性率は７〜１００ＭＰａの範囲内であることが好ましい。放射線照射前の引張弾性率（２３℃）を０．４ＭＰａ以上にすることにより、半導体ウェハをダイシングする際の半導体チップの固定を良好なものにし、その結果、チッピングが発生するのを防止することができる。また、ダイシングリングを剥離する際に、糊残りが発生するのも防止できる。その一方、引張弾性率（２３℃）を３．５ＭＰａ以下にすることにより、ダイシングの際にチップ飛びが発生するのを防止することができる。また、放射線照射後の引張弾性率（２３℃）を７ＭＰａ以上にすることにより、ピックアップ性の向上が図れる。

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。

ダイボンドフィルム３は、例えば接着剤層の単層のみからなる構成とすることができる。また、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造にしてもよい。尚、半導体ウェハのダイシング工程では切削水を使用することから、ダイボンドフィルム３が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着用接着剤としては、透湿性の高いコア材料をダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気がフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、ダイボンドフィルム３はコア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造にしてもよい。

前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。

本発明に係るダイボンドフィルム３は、エポキシ樹脂を主成分として含み構成される。エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない点で好ましい。前記エポキシ樹脂としては、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

また、ダイボンドフィルム３は、適宜必要に応じてその他の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を併用させることができる。前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン―酢酸ビニル共重合体、エチレン―アクリル酸共重合体、エチレン―アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

ダイボンドフィルム３の接着剤層には、予めある程度架橋をさせておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図る。

尚、ダイボンドフィルム３の接着剤層には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

ダイボンドフィルム３の厚さは特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは５〜５０μｍ程度である。

ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１１には、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによるワーク（半導体ウェハ等）の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材１、粘着剤層２乃至ダイボンドフィルム３へ帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、基材１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。ただし、前記ダイボンドフィルム３、３’は、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。

前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１１のダイボンドフィルム３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３、３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。

（ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法）
次に、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法について、ダイシング・ダイボンドフィルム１０を例にして説明する。先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材１上に粘着剤を含む組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、塗布は直接基材１上に行ってもよく、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布後、基材１に転写してもよい。

次に、ダイボンドフィルム３を形成する為の形成材料を剥離紙上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して塗布層を形成する。この塗布層を前記粘着剤層２上に転写することにより、ダイボンドフィルム３を形成する。また、前記粘着剤層２上に形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによってもダイボンドフィルム３を形成することができる。以上により、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を得ることができる。

（半導体装置の製造方法）
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０、１１は、ダイボンドフィルム３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図３を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１１を用いた場合を例にして説明する。

先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム１１に於けるダイボンドフィルム３’上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。

次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシング・ダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。

ダイシング・ダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である為、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３ａに対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。

ピックアップした半導体チップ５は、ダイボンドフィルム３ａを介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。被着体６はヒートブロック９上に載置されている。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

ダイボンドフィルム３が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる。尚、半導体ウェハ貼り付け部分３ａを介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。その後、基板の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂８で封止し、当該封止樹脂８をアフターキュアする。これにより、本実施の形態に係る半導体装置が作製される。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。

（実施例１）
＜ダイシングフィルムの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）８８．８部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」という。）１１．２部、過酸化ベンゾイル０．２部及びトルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、重量平均分子量８５万のアクリル系ポリマーＡを得た。重量平均分子量は下記の通りである。２ＥＨＡとＨＥＡとのモル比は、１００ｍｏｌ対２０ｍｏｌとした。

このアクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」という。）１２部（ＨＥＡに対し８０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。このアクリル系ポリマーＡ’について、後述する方法により測定した酸価は０．２５であり、水酸基価は１６であり、ヨウ素価は６．４であった。

次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）８部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤溶液を作製した。

前記で調製した粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、当該粘着剤層面に、厚さ１００μｍのポリオレフィンフィルムを貼り合せた。その後、５０℃にて２４時間保存をした後、本実施例に係るダイシングフィルムを作製した。

＜ダイボンドフィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部に対して、エポキシ樹脂１（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）５９部、エポキシ樹脂２（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）５３部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名：ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）１２１部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）２２２部をメチルエチルケトンに溶解して、濃度２３．６重量％となる様に調製した。

この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナー（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムを作製した。更に、ダイボンドフィルムを前述のダイシングフィルムにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシング・ダイボンドフィルムを得た。

＜重量平均分子量Ｍｗの測定＞
重量平均分子量Ｍｗの測定は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により行った。測定条件は下記の通りである。尚、重量平均分子量はポリスチレン換算により算出した。
測定装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ（製品名、東ソー社製）
カラム：ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ−Ｈ（Ｓ）×２（品番、東ソー社製）
流量：０．５ｍｌ／ｍｉｎ
注入量：１００μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
注入試料濃度：０．１重量％
検出器：示差屈折計

＜酸価の測定＞
アクリル系ポリマーＡ’の酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２（電位差滴定法）に準じて評価を行った。即ち、乾燥させたアクリル系ポリマーＡ’約３ｇにアセトン１００ｍｌを加え、撹拌して溶解させた。これに水２５ｍｌを加え撹拌した。この溶液を０．０５ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム溶液で滴定を行った。試料１ｇを中和するのに必要な水酸化カリウムのｍｇ数を酸価値として表した。

＜水酸基価の測定＞
アクリル系ポリマーＡ’の水酸基価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２（アセチル化法）に準じて評価を行った。即ち、乾燥させたアクリル系ポリマーＡ’約３ｇにアセチル化試薬１０ｍｌを入れ、更に溶剤としてピリジン３０ｍｌ及びジメチルホルムアミド３０ｍｌを加えた。この溶液を、冷却器を備えたウォーターバス中（９５〜１００℃）で１時間３０分加熱を行った。更に、水３ｍｌを加えた後、１０分間加熱を行った。

その後、室温に冷却し、冷却器を５ｍｌのエタノールで洗浄し加えた。この溶液に撹拌子を入れ、マグネチックスターラーで撹拌しながら、０．５ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム溶液で電位差滴定装置を用いて滴定を行った。試料１ｇをアセチル化させたときに、水酸基と結合した酢酸を中和するのに必要な水酸化ナトリウムのｍｇ数を水酸基価値として表した。

＜ヨウ素価の測定＞
アクリル系ポリマーＡ’の酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２に準じて評価を行った。即ち、乾燥させたアクリル系ポリマーＡ’約３ｇにクロロホルム３０ｍｌを加え溶解させた。これにウィイス液２５ｍｌを加え撹拌した。その後、栓をして密閉状態にし、２３℃で暗所に１時間放置した。この溶液にヨウ化カリウム溶液２０ｍｌ及び水１００ｍｌを加え撹拌した。この溶液を０．１ｍｏｌ／ｌのチオ硫酸ナトリウム溶液で滴定し、溶液が微黄色になったら、でんぷん溶液を数滴加え、青色が消えるまで滴定を行った。試料１００ｇにハロゲンを反応させたとき、結合するハロゲンの量をヨウ素のｇ数に換算した値をヨウ素価値として表した。

（実施例２〜９）
各実施例２〜９については、下記表１に示す組成及び含有量に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。

（比較例１〜４）
各比較例１〜４については、下記表１に示す組成及び含有量に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。

尚、表１中に記載する略称の意味は次の通りである。
２ＥＨＡ：アクリル酸２−エチルヘキシル
ＨＥＡ：２−ヒドロキシエチルアクリレート
ＡＡ：アクリル酸
ＭＯＩ：２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート
Ｃ／Ｌ：ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）

（ダイシング）
各実施例及び比較例のそれぞれダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウェハのダイシングを行い、各ダイシング・ダイボンドフィルムの性能を評価した。

半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ）を裏面研磨処理し、厚さ０．１５ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。ダイシング・ダイボンドフィルムからセパレータを剥離した後、そのダイボンドフィルム上にミラーウェハを４０℃でロール圧着して貼り合わせ、更にダイシングを行った。また、ダイシングは１ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。切断後の半導体ウェハ及びダイシング・ダイボンドフィルムについて、チップ飛びの有無を確認した。チップ飛びは、半導体チップが一つでも飛散した場合を×とし、飛散しなかった場合を○とした。ウェハ研削条件、貼り合わせ条件及びダイシング条件については、後述する。

＜ウェハ研削条件＞
研削装置：ディスコ社製 ＤＦＧ−８５６０
半導体ウェハ：８インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．１５ｍｍに裏面研削）

＜貼り合わせ条件＞
貼り付け装置：日東精機製、ＭＡ−３０００II
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃

＜ダイシング条件＞
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６３６１
ダイシングリング：２−８−１（ディスコ社製）
ダイシング速度：８０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製２０５０ＨＥＤＤ
Ｚ２；ディスコ社製２０５０ＨＥＢＢ
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；４０，０００ｒｐｍ
Ｚ２；４０，０００ｒｐｍ
ブレード高さ：
Ｚ１；０．２１５ｍｍ（半導体ウェハの厚みによる（ウェハ厚みが７５μｍの場合、０．１７０ｍｍ））
Ｚ２；０．０８５ｍｍ
カット方式：Ａモード／ステップカット
ウェハチップサイズ：１．０ｍｍ角

（ピックアップ）
各実施例及び比較例のそれぞれダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウェハのダイシングを行った後にピックアップを行い、各ダイシング・ダイボンドフィルムの性能を評価した。

半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ）を裏面研磨処理し、厚さ０．０７５ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。ダイボンドフィルムとダイボンドフィルムを貼り合わせた後、２３℃にて１時間放置した。その後、ダイボンドフィルムにおける接着剤層上のセパレータを剥離し、ダイボンドフィルム上にミラーウェハを４０℃でロール圧着して貼り合わせた。更に、２３℃で１時間放置した後、ミラーウェハのダイシングを行った。ダイシングは１０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。

次に、各ダイシング・ダイボンドフィルムに対し紫外線照射を行い、それらを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。更に、各ダイシング・ダイボンドフィルムの基材側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップしピックアップ性の評価を行った。具体的には、４００個の半導体チップを連続してピックアップし、後述の条件Ａ及びＢで行ったときの成功率が共に１００％の場合を◎とし、条件Ａで行ったときの成功率が１００％であり、かつ、条件Ｂで行ったときの成功率が１００％でなかった場合を○とし、条件Ａ及びＢ共に成功率が１００％でなかった場合を×とした。

＜ウェハ研削条件＞
研削装置：ディスコ社製 ＤＦＧ−８５６０
半導体ウェハ：８インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．０７５ｍｍに裏面研削）

＜貼り合わせ条件＞
貼り付け装置：日東精機製、ＭＡ−３０００II
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃

＜ダイシング条件＞
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６３６１
ダイシングリング：２−８−１（ディスコ社製）
ダイシング速度：８０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製２０５０ＨＥＤＤ
Ｚ２；ディスコ社製２０５０ＨＥＢＢ
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；４０，０００ｒｐｍ
Ｚ２；４０，０００ｒｐｍ
ブレード高さ：
Ｚ１；０．１７０ｍｍ（半導体ウェハの厚みによる（ウェハ厚みが７５μｍの場合、０．１７０ｍｍ））
Ｚ２；０．０８５ｍｍ
カット方式：Ａモード／ステップカット
ウェハチップサイズ：１０．０ｍｍ角

＜紫外線の照射条件＞
紫外線（ＵＶ）照射装置：日東精機（商品名、ＵＭ−８１０製）
紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ^２
尚、紫外線照射はポリオレフィンフィルム側から行った。

＜ピックアップ条件＞
ピックアップ条件については、下記表２に示す条件Ａ及び条件Ｂによりそれぞれ行った。

（保存性試験１）
ダイシングフィルムとダイボンドフィルムを貼り合わせたダイシング・ダイボンドフィルムを０℃にて２週間保存した（相対湿度 ％）。その後、前記と同様の条件下でピックアップの評価を行った。条件Ａ及びＢで行ったときの成功率が共に１００％の場合を◎とし、条件Ａで行ったときの成功率が１００％であり、かつ、条件Ｂで行ったときの成功率が１００％でなかった場合を○とし、条件Ａ及びＢ共に成功率が１００％でなかった場合を×とした。結果を表１に示す。

（保存性試験２）
保存期間の温度を２３℃に変更したこと以外は、前記保存性試験１と同様にしてピックアップの評価を行った。結果を表３に示す。

（保存性試験３）
保存期間の温度を４０℃に変更したこと以外は、前記保存性試験１と同様にしてピックアップの評価を行った。結果を表３に示す。

（引張弾性率の測定）
測定条件として、サンプルサイズとして初期長さ１０ｍｍ、断面積０．１〜０．５ｍｍ^２にし、測定温度２３℃、チャック間距離５０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎでＭＤ方向又はＴＤ方向に引張試験を行い、各方向に於けるサンプルの伸びの変化量（ｍｍ）を測定した。その結果、得られたＳ−Ｓ曲線の初期の立ち上がりの部分に接線を引き、その接線が１００％伸びに相当するときの引張強度を基材フィルムの断面積で割り、引張弾性率とした。尚、紫外線照射後の引張弾性率の測定については、前記照射条件により紫外線をポリオレフィンフィルム側から照射した後に行った。

（ダイシングリングの糊残り）
ダイシングフィルムをダイシングリングから剥がし、ダイシングリングに糊残りが発生しているか否かを目視により確認した。糊残りが確認されたものを×とし、確認されなかったものを○とした。

本発明の実施の一形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施の形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。

符号の説明

１ 基材
２ 粘着剤層
３ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ スペーサ
１０、１１ ダイシング・ダイボンドフィルム

Claims (2)

1. 基材上に放射線硬化型の粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
   前記粘着剤層における粘着剤はアクリル系ポリマーを含み構成され、
   前記アクリル系ポリマーの酸価が０．０１〜１であり、ヨウ素価が５〜１０の範囲内であることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。
2. 前記アクリル系ポリマーの水酸基価が７〜３０の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。

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