KR101455610B1 - 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름 - Google Patents

비자외선형 다이싱 다이본딩 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR101455610B1
KR101455610B1 KR1020110138245A KR20110138245A KR101455610B1 KR 101455610 B1 KR101455610 B1 KR 101455610B1 KR 1020110138245 A KR1020110138245 A KR 1020110138245A KR 20110138245 A KR20110138245 A KR 20110138245A KR 101455610 B1 KR101455610 B1 KR 101455610B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bonding film
dicing die
parts
ultraviolet
acrylate
Prior art date
Application number
KR1020110138245A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130070964A (ko
Inventor
서광원
조경래
최재원
Original Assignee
제일모직 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직 주식회사 filed Critical 제일모직 주식회사
Priority to KR1020110138245A priority Critical patent/KR101455610B1/ko
Priority to PCT/KR2012/010835 priority patent/WO2013094930A1/ko
Priority to TW101148372A priority patent/TWI465537B/zh
Publication of KR20130070964A publication Critical patent/KR20130070964A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101455610B1 publication Critical patent/KR101455610B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10—Esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본원 발명은 아크릴 공중합체를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 히드록시기 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 20 내지 40 중량부로 포함함으로써 링프레임과의 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
또한 본원 발명은 경화 후 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력 및 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인 점착층을 포함함으로써, 링프레임 탈리에 의한 공정 불량을 방지하고 높은 픽업 성공률을 나타내는 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.

Description

비자외선형 다이싱 다이본딩 필름{Non-UV type dicing die bonding film}
본원 발명은 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 일정 함량으로 함께 포함함으로써 링프레임과의 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
또한 본원 발명은 경화 후 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력 및 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인 점착층을 포함함으로써, 링프레임 탈리에 의한 공정 불량을 방지하고 높은 픽업 성공률을 나타내는 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에 사용되는 다이싱 다이본딩 필름은 자외선 노광이 필요한 자외선형(UV type) 필름과 자외선 노광을 필요로 하지않는 비자외선형(Non-UV type) 필름으로 구분된다.
자외선형 필름은 광경화 전 우수한 점착력을 나타내어 절삭 공정이 우수하다. 그러나, 자외선형 필름은 절삭 공정 후 픽업 공정을 실시하기 위하여 자외선을 조사하는 노광 공정을 추가로 실시해야 하므로 공정의 번거로움이 있다. 픽업 전 수행되는 자외선 노광 공정은 반도체 패키지 제조 과정 중에 많은 시간을 소요하는 공정으로, 반도체 패키지 생산성에 큰 영향을 미쳐 생산성 증대를 저해할 수 있다. 또한, 자외선 노광 공정 중에 자외선 조사기의 오작동이 발생할 경우, 랏(lot)에 정렬된 웨이퍼 중 자외선 에너지가 충분히 공급되지 못하는 부분이 생길 수 있고, 이에 따라 소잉(sawing)된 반도체 칩들이 픽업 과정에서 다이싱 필름층(점착층)으로부터 박리되지 못하는 공정 불량이 발생할 수 있다.
이와 같은 문제를 해결하고자, 픽업 공정 전에 도입되는 자외선 노광 과정을 생략할 수 있는 비자외선형 필름에 대한 필요성이 증대되고 있다. 비자외선형 필름은 구체적으로, 링프레임과의 점착력은 우수하면서 접착제층과의 점착력은 낮아 자외선 조사 공정을 따로 실시하지 않더라도 점착층으로부터 칩이 쉽게 박리되는 장점이 있다.
그러나 종래의 비자외선형 필름의 경우, 점착력이 약하여 링프레임으로부터의 탈리가 쉽게 일어나는 문제가 있다. 기본적으로 점착력이 약한 비자외선형 필름은 소잉 공정시 투입되는 절삭수(水)에 의해 수침을 쉽게 받아 링프레임과의 부착력이 약화될 수 있으며, 이로 인해 익스펜딩(expending) 공정 등과 같은 픽업 전 공정 및/또는 픽업 공정 시 점착층과 링프레임의 탈리를 유발하게 된다. 이는 곧 픽업 공정성의 저하로 이어지게 되고 생산 효율의 감소를 야기하게 된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 선행 기술로 링프레임 부착 부위에 접착력이 강한 별도의 필름을 추가로 부착시키는 방법이 있으나 이는 오히려 반도체 제조 공정을 번거롭고 복잡하게 만든다.
비자외선형 필름에 관한 또 다른 선행 기술로 대한민국등록특허 제10-1019756호를 들 수 있다. 대한민국등록특허 제10-1019756호는 자외선 경화형 점착층에 미리 부분적으로 자외선 노광 공정을 수행하여 소잉 시의 유지력, 링프레임과의 부착력 및 픽업 공정상의 박리력을 적절히 조절하여 픽업 공정을 용이하게 하려는 발명이다. 그러나, 상기 선행 기술은 자외선 경화형 점착층을 미리 부분적으로 경화시키는 과정에서 링프레임과의 부착이 이루어지는 부위에까지 자외선이 조사되어 점착력이 약해질 수 있으므로, 결국 종래의 선경화형 비자외선형 필름의 문제를 그대로 내포하고 있다고 할 수 있다.
대한민국등록특허공보 B1 제10-1019756호 (2011.02.25.공고) 일본공개특허공보 A 제1991-358886호 (1993.07.20.공개)
본 발명자들은 상기의 문제를 해결하기 위하여, 선행 기술과 같이 점착력이 약한 다이싱 다이본딩 필름에 후속적 조치를 취해 점착력을 강화시키는 것이 아닌, 필름 자체의 물성으로 링프레임과의 우수한 점착력을 갖도록 조성된 다이싱 다이본딩 필름을 개발하기에 이르렀다. 구체적으로, 본 발명자들은 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 일정 함량으로 함께 포함함으로써 링프레임과의 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 개발하였다.
본원 발명은 아크릴 공중합체를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 히드록시기 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 20 내지 40 중량부로 포함함으로써, 링프레임과의 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본원 발명은 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력 및 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인 점착층을 포함함으로써, 링프레임 탈리에 의한 공정 불량을 방지하고 높은 픽업 성공률을 나타내는 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원 발명은 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 일정 함량으로 함께 포함하는 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
본원 발명의 일 양태는,
아크릴 공중합체 및 열경화제를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서,
상기 아크릴 공중합체는 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여,
a) 알킬 아크릴레이트 모노머 55 내지 95 중량부;
b) 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 5 내지 30 중량부; 및
c) 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트 1 내지 15 중량부
를 포함하는, 비자외선형(Non-UV type) 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여, 상기 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트의 총 함량이 20 내지 40 중량부인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트는 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112011101348711-pat00001
상기 식에서,
n은 2 내지 40인 정수이다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 아크릴 공중합체는, 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머를 추가로 포함하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 상기 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머의 함량이 0 초과 내지 20 중량부인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 아크릴 공중합체는, 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머를 추가로 포함하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 상기 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머의 함량이 0 초과 내지 10 중량부인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면,
a) 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여, 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트가 20 내지 40 중량부로 포함된 아크릴레이트를 함유하는 점착층; 및
b) 상기 점착층에 적층된 접착층을 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서,
상기 점착층은, 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력 및 상기 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 바람직하게는 상기 점착층은, 링프레임에 대한 점착력(x)이, 접착층에 대한 점착력(y)보다 큰(x 〉y), 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 배선 기판 및 반도체 칩을 포함하며 상기의 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름으로 접속된 반도체 장치를 제공한다.
본원 발명은 필름의 물성 자체에서 링프레임과의 우수한 점착력을 갖도록 조성된 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 효과를 갖는다.
보다 구체적으로, 본원 발명은 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 일정 함량으로 함께 포함함으로써 링프레임과의 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 효과를 갖는다.
또한 본원 발명은 경화 후 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력 및 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인 점착층을 포함함으로써, 링프레임 탈리에 의한 공정 불량을 방지하고 높은 픽업 성공률을 나타내는 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 효과를 갖는다.
이하, 본원 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 본원 명세서에 기재되지 않은 내용은 본원 발명의 기술 분야 또는 유사 분야에서 숙련된 자이면 충분히 인식하고 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
본원 발명의 일 양태는
아크릴 공중합체 및 열경화제를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서,
상기 아크릴 공중합체는 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여,
a) 알킬 아크릴레이트 모노머 55 내지 95 중량부;
b) 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 5 내지 30 중량부; 및
c) 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트 1 내지 15 중량부
를 포함하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본원 발명에서 사용되는 아크릴 공중합체는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 아크릴 공중합체를 사용할 수 있다.
상기 아크릴 공중합체의 비제한적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 헥실, 옥실, 도데실, 라우릴 아크릴레이트, 메타 아크릴레이트 등과 이들의 변성으로 이루어진 아크릴레이트, 아크릴산, 메타 아크릴산, 메틸 메타아크릴레이트, 비닐 아세테이트 또는 이로부터 변성된 아크릴 모노머 등의 아크릴 모노머를 중합하여 만든 아크릴 공중합체를 들 수 있다.
상기 아크릴 또는 메타크릴 모노머를 중합하면 폴리아크릴 또는 메타크릴레이트가 되며, 이는 분자 내 이중 결합을 포함하지 않는 지방족 고분자를 이루어 산화에 대한 저항력이 뛰어난 장점이 있다. 또한, 요구되는 물성에 따라 고분자의 조성 변경 또는 관능기의 도입 등으로 인한 개질이 용이한 장점이 있고 저온, 상압 조건에서 비교적 쉽게 생산되는 장점이 있다.
본원 발명에서 사용되는 아크릴 공중합체의 중합 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다.
상기 아크릴 공중합체의 중합에 있어서 용액 중합 방법을 사용하는 경우에는 유기 용제로서 바람직하게는 케톤계, 에스테르계, 알코올계 또는 방향족인 것 등을 사용할 수 있으며 보다 바람직하게는 톨루엔, 초산 에틸, 아세톤 또는 메틸 에틸 케톤을 사용할 수 있다.
본원 발명에 사용되는 알킬 아크릴레이트 모노머는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 알려진 알킬 아크릴레이트를 사용할 수 있다.
상기 알킬 아크릴레이트 모노머의 비제한적인 예로는 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 옥타데실메타크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 헥실메타크릴레이트 또는 2-에틸헥실메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 알킬 아크릴레이트 모노머는, 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 55 내지 95 중량부로 함유될 수 있다. 상기 범위 내에서 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름을 얻을 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 아크릴 공중합체의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 100,000 g/mol 내지 700,000 g/mol일 수 있으며, 보다 바람직하게는 150,000 g/mol 내지 600,000 g/mol일 수 있다. 상기 범위 내에서 필름의 점착력이 우수해지고, 응집력이 증가하여 피착제에 전사될 위험을 방지할 수 있으며, 중합이 용이해지는 정도의 점도를 나타내는 이점이 있다.
본원 발명에서 사용되는 아크릴 공중합체의 유리 전이 온도(Tg)는 바람직하게는 -30℃ 내지 -70℃일 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 알려진 히드록시기 함유 아크릴레이트를 사용할 수 있다.
상기 히드록시기 함유 아크릴레이트 모노머의 비제한적인 예로는 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 4-히드록시부틸 아크릴레이트, 2-히드록시프로필 아크릴레이트 또는 비닐 카프로락탐 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 히드록시기 함유 아크릴레이트 모노머는 바람직하게는 2-히드록시에틸 아크릴레이트를 사용할 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트는 길이가 긴 폴리에틸렌글리콜 곁사슬을 가지고 있어, 다이싱 다이본딩 필름 제조 시 글라이콜 작용기가 필름의 표면에 존재하기 용이하여 링프레임과의 점착력을 향상시키는 장점이 있다. 보다 구체적으로, 길이가 긴 글라이콜 작용기에 의해 다이싱 다이본딩 필름과 링프레임간의 수소 결합이 강화됨으로써 링프레임에 대한 점착력이 강해지는 효과를 얻을 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트는 바람직하게는 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 것일 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112011101348711-pat00002
상기 식에서,
n은 바람직하게는 2 내지 40인 정수일 수 있으며, 보다 바람직하게는 5 내지 20인 정수일 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트의 수평균 분자량은 바람직하게는 200 g/mol 내지 2,000 g/mol일 수 있으며, 보다 바람직하게는 300 g/mol 내지 700 g/mol일 수 있다. 상기 범위 내에서 길이가 긴 폴리에틸렌글리콜 곁사슬을 충분히 가질 수 있으며, 이로써 링프레임과의 수소 결합을 강화시킬 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트의 유리 전이 온도는 바람직하게는 -100℃ 내지 150℃일 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트는 바람직하게는 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 20 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 링프레임에 대한 우수한 점착력을 얻을 수 있다.
상기 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트에 있어서, 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트 보다 히드록시기 함유 아크릴레이트 모노머가 더 많은 양으로 포함되는 것이 바람직하다.
본원 발명에 사용되는 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머는 바람직하게는 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 5 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.
본원 발명에 사용되는 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트는 바람직하게는 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 1 내지 15 중량부로 포함될 수 있다. 상기 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트의 함량이 1 중량부 미만일 경우에는 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 첨가한 효과가 제대로 발현되지 않을 우려가 있으며, 15 중량부를 초과하는 경우에는 바인더의 유리 전이 온도가 지나치게 높아져서 다이싱 공정 시 링프레임과의 점착력이 크게 저하되어 링프레임 탈리 현상 및/또는 수침이 쉽게 일어날 우려가 있다.
상기 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트 이외에, 본원 발명에서 사용되는 아크릴 공중합체는 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머 및/또는 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머를 추가로 포함할 수 있다.
본원 발명에서 사용 가능한 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 알려진 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트를 사용할 수 있다.
상기 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머의 비제한적인 예로는, 인 함유 작용기를 갖고 있으며, 상기 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트 및/또는 알킬기를 갖는 (메타)아크릴레이트와 공중합 가능한 단량체를 의미할 수 있다.
본원 발명의 일 양태에서 인 함유 작용기는 하기의 화학식 2 또는 화학식 3의 구조를 갖는 것일 수 있다.
[화학식 2]
-O-P(=O)(OH)2
[화학식 3]
-OP(=O)(OR1)(OR2)
상기 식에서,
R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
바람직하게는, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기일 수 있다.
본원 발명의 일 양태에서 인 함유 작용기를 포함하는 (메타)아크릴레이트는 예를 들면, 하기 화학식 4 구조를 가질 수 있다.
[화학식 4]
CH2=CR-C(=O)O-(CH2)m-O-P(=O)(OR1)(OR2)
상기 식에서,
R은 -H 또는 -(CH2)n-CH3이고;
n은 0 내지 5의 정수이고;
R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택되고;
m은 1 내지 10의 정수이다.
본원 발명에서 사용되는 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머는 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 0 내지 20 중량부로 포함될 수 있으며, 보다 바람직하게는 5 내지 15 중량부로 포함될 수 있다.
본원 발명에서 사용 가능한 에폭시기 함유 아크릴레이트 모노머는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 알려진 에폭시기 함유 아크릴레이트를 사용할 수 있다.
상기 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머의 비제한적인 예로는 글리시딜 메타크릴레이트 또는 글리시딜 아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본원 발명에서 사용 가능한 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머로는 바람직하게는 글리시딜 메타크릴레이트를 사용할 수 있다.
본원 발명에서 사용 가능한 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머는 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 0 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 열경화제는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 알려진 열경화제를 사용할 수 있으나 바람직하게는 이소시아네이트계 열경화제를 사용할 수 있다.
상기 이소시아네이트계 열경화제의 비제한적인 예로는, 2,4-트릴렌 디이소시아네이트, 2,6-트릴렌 디이소시아네이트, 수소화트릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실렌 디이소시아네이트, 1,4-크실렌 디이소시아네이트, 디페닐 메탄-4,4-디이소시아네이트, 1,3-비스이소시아네이토메틸 시클로헥산, 테트라메틸크실렌 디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸롤프로판의 트릴렌 디이소시아네이트 어덕트, 트리메틸롤프로판의 크실렌 디이소시아네이트 어덕트, 트리페닐메탄트리이소시아네이트, 메틸렌 비스 트리 이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 열경화제로는 바람직하게는 애경 화학사 제품으로 제품명 AK-75인 이소시아네이트를 사용할 수 있다(TDI(Toluene Diisocyanate)-TMP(Trimethylolpropane) 어덕트 타입의 물질로, 에틸 아세테이트 용매를 기본으로 제조됨).
본원 발명에서 사용되는 열경화제는 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 15 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 점착층이 반도체 칩 제조 시, 점착력을 유지하여 링프레임 탈리 현상 및 칩 날림 현상을 방지하여 픽업 성능을 향상시킬 수 있다.
본원 발명의 다이싱 다이본딩 필름은 점착층 및 상기 점착층에 적층된 접착층을 포함할 수 있다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 점착층은, 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력(x) 및 상기 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하일 수 있다. 상기 범위 내에서 링프레임으로부터의 탈리 현상없이 효율적인 픽업 공정을 수행할 수 있다. 또한, 상기 링프레임에 대한 점착력(x) 및 상기 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3을 초과할 경우에는 칩 픽업 시 하부에서 핀이 상승하면서 픽업을 도와주어도 픽업이 되지 않는 공정 불량을 야기시킨다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 점착층은, 링프레임에 대한 점착력(x)이 접착층에 대한 점착력(y) 보다 큰(x 〉y) 것일 수 있다.
본원 발명에서 사용되는 접착층은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 알려진 조성 및 방법에 의하여 제조된 접착층을 사용할 수 있다.
본원 발명에 사용되는 다이싱 다이본딩 필름용 접착층을 제조하기 위한 조성물에는 고분자 수지, 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉매, 커플링제, 충진제 및 기타 첨가제 등이 함유될 수 있다. 이들의 종류 및 함량은 특별히 한정되지 아니하며 당해 기술 분야에서 알려진 조성을 따를 수 있다. 이하, 본원 발명의 접착층에 사용 가능한 성분의 구체적인 예를 기술한다.
고분자 수지
본원 발명에 사용되는 고분자 수지는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 않는다. 상기 고분자 수지의 비제한적인 예로는 폴리이미드 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 부타디엔 고무, 아크릴 고무, (메타)아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리페닐렌 에테르 수지, 폴리 에테르 이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 에테르 수지, 변성 폴리페닐렌 에테르 수지 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있다.
또한, 관능성 모노머를 포함하는 고분자 성분, 예를 들어 글리시딜 아크릴레이트 또는 글리시딜 메타크릴레이트 등의 관능성 모노머를 함유하는 에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체를 사용할 수 있다. 상기 에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체로는 (메타)아크릴 에스테르 공중합체, 아크릴 고무 등을 사용할 수 있다.
에폭시 수지
본원 발명에 사용되는 에폭시 수지는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 아니하며, 액상 에폭시 수지 또는 고상 에폭시 수지 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지의 비제한적인 예로, 비스페놀 A형 액상 에폭시 수지, 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지, 3 관능성 이상의 다관능성 액상 에폭시 수지, 고무변성 액상 에폭시 수지, 우레탄 변성 액상 에폭시 수지, 아크릴 변성 액상 에폭시 수지 및 감광성 액상 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지는 상온에서 고상 또는 고상에 근접한 에폭시로서 하나 이상의 관능기를 가지고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 그의 비제한적인 예로는, 비스페놀계 에폭시, 페놀 노볼락(Phenol novolac)계 에폭시, o-크레졸 노볼락(Cresol novolac)계 에폭시, 다관능 에폭시, 아민계 에폭시, 복소환 함유 에폭시, 치환형 에폭시, 나프톨계 에폭시 및 이들의 유도체 등을 들 수 있다.
이러한 에폭시계 수지로서 현재 시판되고 있는 제품으로, 비스페놀계로서는 국도 화학의 YD-017H, YD-020, YD020-L, YD-014, YD-014ER, YD-013K, YD-019K, YD-019, YD-017R, YD-017, YD-012, YD-011H, YD-011S, YD-011, YDF-2004, YDF-2001 등이 있고, 페놀 노볼락(Phenol novolac)계로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사의 체피코트 152, 에피코트 154, 일본 화약 주식회사의 EPPN-201, 다우 케미컬의 DN-483, 국도 화학의 YDPN-641, YDPN-638A80, YDPN-638, YDPN-637, YDPN-644, YDPN-631 등이 있고, o-크레졸 노볼락(Cresol novolac)계로서는 국도 화학의 YDCN-500-1P, YDCN-500-2P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500-8P, YDCN-500-10P, YDCN-500-80P, YDCN-500-80PCA60, YDCN-500-80PBC60, YDCN-500-90P, YDCN-500-90PA75 등이 있고 일본 화약 주식회사의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, 독도 화학 주식회사의 YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, 대일본 잉크화학의 에피클론 N-665-EXP 등이 있고, 비스페놀계 노볼락 에폭시로는 국도 화학의 KBPN-110, KBPN-120, KBPN-115 등이 있고, 다관능 에폭시 수지로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사 Epon 1031S, 시바 스페샬리티 케미칼 주식회사의 아랄디이토 0163, 나가섭씨온도 화성 주식회사의 데타콜 EX-611, 데타콜 EX-614, 데타콜 EX-25-12614B, 데타콜 EX-622, 데타콜 EX-512, 데타콜 EX-521, 데타콜 EX-421, 데타콜 EX-411, 데타콜 EX-321, 국도 화학의 EP-5200R, KD-1012, EP-5100R, KD-1011, KDT-4400A70, KDT-4400, YH-434L, YH-434, YH-300 등이 있으며, 아민계 에폭시 수지로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사 에피코트 604, 독도 화학 주식회사의 YH-434, 미쓰비시가스화학 주식회사의 TETRAD-X, TETRAD-C, 스미토모 화학 주식회사의 ELM-120 등이 있고, 복소환 함유 에폭시 수지로는 시바 스페샬리티 케미칼 주식회사의 PT-810, 치환형 에폭시 수지로는 UCC사의 ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206, 나프톨계 에폭시로는 대일본 잉크화학의 에피클론 HP-4032, 에피클론 HP-4032D, 에피클론 HP-4700, 에피클론 4701 등이 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
경화제
본원 발명에 사용되는 경화제는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 아니하며, 상기 경화제로 페놀형 에폭시 수지 경화제 및 아민 경화제를 사용할 수 있다.
상기 페놀형 경화제의 비제한적인 예로는, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S 등의 비스페놀계 수지; 페놀 노볼락계 수지; 비스페놀 A계 노볼락 수지; 자일록계, 크레졸계 노볼락, 비페닐계 등의 페놀계 수지 등을 들 수 있다.
이러한 페놀형 에폭시 수지 경화제로서 현재 시판되고 있는 제품의 예로는, 단순 페놀계의 경화제로 메이화 플라스틱 산업 주식회사의 H-1, H-4, HF-1M, HF-3M, HF-4M, HF-45 등이 있고, 파라 자일렌계열의 메이화 플라스틱 산업 주식회사의 MEH-78004S, MEH-7800SS, MEH-7800S, MEH-7800M, MEH-7800H, MEH-7800HH, MEH-78003H, 코오롱 유화 주식회사의 KPH-F3065, 비페닐 계열의 메이화 플라스틱 산업 주식회사의 MEH-7851SS, MEH-7851S, MEH7851M, MEH-7851H, MEH-78513H, MEH-78514H, 코오롱 유화 주식회사의 KPH-F4500, 트리페닐메틸계의 메이화 플라스틱 산업 주식회사의 MEH-7500, MEH-75003S, MEH-7500SS, MEH-7500S, MEH-7500H 등이 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
경화 촉매
본원 발명에 사용되는 상기 경화 촉매는 반도체 공정 동안에 에폭시 수지가 완전히 경화될 수 있도록 경화시간을 단축시키는 촉매로서, 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 않는다. 상기 경화 촉매의 비제한적인 예로는 멜라민계, 이미다졸계, 트리페닐포스핀계 촉매 등을 들 수 있다. 현재 시판되고 있는 제품의 예로는, 이미다졸계로서 아지노모토 정밀 기술 주식회사의 PN-23, PN-40, 사국 화학 주식회사의 2P4MZ, 2MA-OK, 2MAOK-PW, 2P4MHZ 등이 있고, 호코 케미칼사(HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD)의 TPP-K, TPP-MK 등이 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
실란 커플링제
본원 발명에 사용될 수 있는 커플링제는 조성물 배합시 실리카와 같은 무기물질의 표면과 유기 물질간의 화학적 결합으로 인한 접착력을 증진시키기 위한 접착증진제의 작용을 한다.
상기 커플링제는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 아니하며, 그 비제한적인 예로는, 에폭시가 함유된 2-(3,4 에폭시 사이클로 헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 아민기가 함유된 N-2(아미노에틸)3-아미토프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
충진제
본원 발명의 접착 조성물은 틱소트로픽성(thixotropy)을 발현하여 용융점도를 조절하기 위하여 충진제를 포함할 수 있다. 상기 충진제는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 않는다. 상기 충진제로는 필요에 따라 무기 또는 유기 충진제를 사용할 수 있으며, 무기 충진제로는 금속성분인 금가루, 은가루, 동분, 니켈을 사용할 수 있고, 비금속성분인 알루미나, 수산화 일미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 실리카, 질화 붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철, 세라믹 등을 사용할 수 있고, 유기 충진제로서는 카본, 고무계 필러, 폴리머계 등을 사용할 수 있다. 상기 충진제의 형상과 크기는 특별히 제한되지 아니하나, 바람직하게는 구형 일 수 있으며 크기는 500 nm 내지 10 ㎛의 범위가 바람직하다.
유기 용매
본원 발명의 접착 조성물은 유기용매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 유기용매는 반도체용 접착 조성물의 점도를 낮게 하여 필름의 제조가 용이하도록 하며, 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 않는다. 그 비제한적인 예로는, 톨루엔, 자일렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸케톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 시클로헥사논 등을 들 수 있다.
기타 첨가제
한편, 상기와 같은 본원 발명의 반도체용 접착 조성물은 이온성 불순물을 흡착하고 흡습 시의 절연 신뢰성을 구현하기 위하여 이온 포착제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 이온 포착제로는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 아니하며, 비제한적인 예로 트리아진 티올(Triazin thiol)화합물, 지르코늄계(Zirconium), 안티몬 비스무트계(Antimon bismuth), 마그네슘 알루미늄계(magnesium aluminium) 화합물 등을 들 수 있다.
본원 발명의 다이싱 다이본딩 필름을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다.
본원 발명의 다이싱 다이본딩 필름 중 점착층을 형성하는 데에는 특별한 장치나 설비가 필요하지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법에 의해 특별한 제한없이 제조될 수 있다. 상기 점착층의 제조 방법에 대한 비제한적인 예는 다음과 같다: 아크릴 공중합체, 중합 개시제, 열경화제 등을 메틸에틸케톤 또는 시클로헥사논 등과 같은 용제에 용해시킨 다음, 비드 밀을 이용하여 충분히 혼련시킨 후, 어플리케이터를 이용하여 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름상에 도포하고 100℃ 오븐에서 2 내지 10분간 가열 건조한 후 폴리올레핀(PO) 필름상에 전사시키면 적당한 도막 두께를 가지는 점착필름을 얻을 수 있다. 그 후 25 내지 40℃의 오븐에서 3 내지 7일 동안 에이징을 실시하여 균일한 품질의 점착필름을 얻을 수 있다.
상기 점착층의 두께는 3 내지 100 ㎛인 것이 바람직하고, 5 내지 30 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 두께가 3 ㎛ 미만일 경우에는 균일한 점착력의 획득이 어려울 우려가 있고 100 ㎛를 초과하는 경우에는 경제성이 떨어지는 문제가 있다.
본원 발명의 다이싱 다이본딩 필름 중 접착층을 형성하는 데에 특별한 장치나 설비가 필요하지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법에 의해 특별한 제한없이 제조될 수 있다.
상기 접착층은 상기 점착층의 제조 방법과 동일한 방법에 의하여 제조할 수 있다.
상기 접착층의 두께는 바람직하게는 5 내지 200 ㎛일 수 있고, 보다 바람직하게는 10 내지 100 ㎛ 일 수 있으며, 가장 바람직하게는 15 내지 60 ㎛ 일 수 있다. 상기 접착 필름의 두께가 5 ㎛ 미만일 경우에는 PCB(Printed Circuit Board) 갭-필링(gap-filling) 능력이 부족하여 몰딩 후 보이드 특성이 나빠질 우려가 있으며, 200 ㎛를 초과하는 경우에는 경제성이 떨어지게 된다.
본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기의 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름으로 접속된 반도체 장치를 제공한다.
상기 반도체 장치는, 배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 부착되어 있는 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 필름상에 탑재된 반도체 칩을 포함할 수 있다.
본원 발명에 사용되는 상기 배선 기판, 반도체 칩은 특별히 한정되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 것을 사용할 수 있다.
본원 발명의 반도체 장치를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법으로 수행될 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예를 기술함으로써 본원 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 하기의 실시예, 비교예 및 실험예는 본원 발명의 일 예시에 불과하며, 본원 발명의 내용이 이에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
실시예 1
히드록시 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 ( 메타 ) 아크릴레이트를 포함하는 점착층의 제조
(1) 아크릴 공중합체의 제조
1 L의 유리 자켓 반응기에 유기용매인 에틸아세테이트 368 g을 먼저 투입하고 2-에틸헥실아크릴레이트 138 g, 2-히드록시에틸아크릴레이트 48 g, 글리시딜 메타크릴레이트 모노머 10 g 및 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트 8 g을 투입하였다.
그 다음, 상기 반응기 상부 중앙에 교반 장치를 설치하고 한쪽에는 환류 냉각기를, 다른 한쪽에는 질소 공급 라인을 설치하여 반응 후 3시간 동안 지속적으로 질소가 공급되도록 하였다. 교반 속도를 150 rpm으로 유지하면서 자켓에 온도 조절이 가능한 증류수 순환 장치를 연결하여 반응 온도를 40℃로 조절하였다. 반응기 내부 온도가 40℃로 유지되었을 때 아조비스이소부틸로나이트릴 및 에틸아세테이트를 투입하여 고형분 함량을 30%로 보정하여 아크릴 공중합체를 제조하였다.
(2) 다이싱 다이본딩 필름용 점착층의 제조
상기에서 제조된 아크릴 공중합체 83.8 g에, 용제로서 메틸에틸케톤 25.8 g 및 열경화제로서 이소시아네이트 경화제(AK-75, 애경화학) 8.8 g을 넣고 10분 동안 교반하여 고형분 25%의 점착 조성물을 혼합하였다.
그 다음, 어플리케이터를 이용하여 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름상에 상기 점착 조성물을 도포하고 100℃ 오븐에서 8분간 가열 건조한 후 폴리올레핀(PO) 필름상에 전사하였다.
그 다음, 이를 40℃ 오븐에서 5일 동안 에이징시켜 두께 20 ㎛의 다이싱 다이본딩 필름용 점착층을 제조하였다.
실시예 2
히드록시 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 ( 메타 ) 아크릴레이 트를 포함하는 점착층의 제조
실시예 1에 있어서, 2-에틸헥실아크릴레이트를 132 g 투입하고, 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트를 18 g 투입한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 다이싱 다이본딩 필름용 점착층을 제조하였다.
실시예 3
히드록시 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 ( 메타 ) 아크릴레이트를 포함하는 점착층의 제조
실시예 1에 있어서, 2-에틸헥실아크릴레이트를 132 g 투입하고, 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트를 18 g 투입한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 다이싱 다이본딩 필름용 점착층을 제조하였다.
실시예 4
히드록시 함유 아크릴레이트 모노머 , 폴리에틸렌글리콜 ( 메타 ) 아크릴레이트 및 인 함유 아크릴레이트 모노머를 포함하는 점착층의 제조
실시예 1에 있어서, 2-에틸헥실아크릴레이트를 128 g 투입하고, 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트를 12 g 투입하고, 인 함유 작용기를 갖는 아크릴레이트 모노머를 20 g 투입한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 다이싱 다이본딩 필름용 점착층을 제조하였다.
비교예 1
폴리에틸렌글리콜 ( 메타 ) 아크릴레이트를 포함하지 않는 점착층의 제조
실시예 1에 있어서, 2-에틸헥실아크릴레이트를 150 g 투입하고, 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트를 투입하지 않는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 다이싱 다이본딩 필름용 점착층을 제조하였다.
비교예 2
폴리에틸렌글리콜 ( 메타 ) 아크릴레이트를 포함하지 않는 점착층의 제조
실시예 1에 있어서, 2-에틸헥실아크릴레이트를 142 g 투입하고, 2-히드록시에틸아크릴레이트를 48 g 투입하며, 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트를 투입하지 않는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 다이싱 다이본딩 필름용 점착층을 제조하였다.
비교예 3
히드록시 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 ( 메타 ) 아크릴레이 트를 포함하는 점착층의 제조
실시예 1에 있어서, 2-에틸헥실아크릴레이트를 138 g 투입하고, 2-히드록시에틸아크릴레이트를 48 g 투입하며, 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트를 4g 투입한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 다이싱 다이본딩 필름용 점착층을 제조하였다.
하기 표 1 및 2는 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에 따른 아크릴 공중합체의 조성을 중량부로 나타낸 것이다.
성분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4


모노머
( 중량부 ) 		2-에틸헥실아크릴레이트 69 66 63 64
2-히드록시에틸아크릴레이트 20 20 20 20
글리시딜메타크릴레이트 5 5 5 -
폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 6 9 12 6
인 함유 작용기를 갖는
아크릴레이트		 - - - 10
분자량 및
분자량 분포 		수평균 분자량(K) 51 53 52 49
중량 평균 분자량(K) 486 489 467 471
PDI 9.5 9.1 9.0 9.6
상온 점도( cps ) 750 710 640 660
성분 비교예 1 비교예 2 비교예 3


모노머
( 중량부 ) 		2-에틸헥실아크릴레이트 75 71 69
2-히드록시에틸아크릴레이트 20 24 24
글리시딜메타크릴레이트 5 5 5
폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 - - 2
인 함유 작용기를 갖는
아크릴레이트		 - - -
분자량 및
분자량 분포 		수평균 분자량(K) 52 45 48
중량 평균 분자량(K) 535 453 475
PDI 10.2 10.1 9.9
상온 점도( cps ) 840 350 420
실험예 1
점착층과 접착층간의 점착력 측정
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에 따른 점착층의 점착력을 측정하기 위하여 다음과 같은 방법에 의해 점착층과 접착층간의 박리력을 측정함으로써 점착력 측정 실험을 수행하였다. 점착력 측정은 한국 공업 규격 KS-A-01107(점착테이프 및 점착 시이트의 시험 방법)의 8항에 따라 시험하였다.
통상적으로 사용되는 다이싱 다이본딩 필름용 접착층(제일모직)에 상기 점착층 시료(폭 25 mm, 길이 250 mm)를 붙인 후, 2 kg 하중의 압착 롤러를 이용하여 300 mm/min의 속도로 1회 왕복시켜 압착하였다. 압착 후 30분 경과 후에 시험편의 접은 부분을 180˚로 뒤집어 약 25 mm를 벗긴 후, 10 N 로드셀(Load Cell)에서 인장 강도기의 위쪽 클립에 상기 시험편을, 아래쪽 클립에 상기 접착층을 고정시키고, 300 mm/min의 인장 속도로 당겨 벗길 때의 하중을 측정하였다. 상기 인장 시험기는 "Instron Series 1X/s Automated materials Tester-3343"을 사용하였다.
실험예 2
점착층과 링프레임간의 점착력 측정
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에 따른 점착층의 점착력을 측정하기 위하여 다음과 같은 방법에 의해 점착층과 링프레임간의 박리력을 측정함으로써 점착력 측정 실험을 수행하였다.
점착층과 링프레임간의 박리력은 상기 실험예 1에 있어서, 접착층 대신 링프레임에 점착 시료를 붙여 실험한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 수행하였다.
실험예 3
다이싱 공정 시 수침 여부 및 픽업(Pick-Up) 성공률 평가
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에 따른 점착층을 포함한 다이싱 다이본딩 필름의 다이싱 공정 시 수침 여부(링프레임과 점착층 사이에 물이 침투하는지 여부 확인)를 확인하기 위하여 샘플 10개를 가지고 실험을 수행하였다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에 따른 점착층에, 통상적으로 사용되는 접착층(제일모직)을 합지하여 얻어진 다이싱 다이본딩 필름에 두께 80 ㎛의 실리콘 웨이퍼를 60℃에서 10초간 열압착 시킨 후, EFD-650(DISCO사)을 이용하여 가로 8.97 × 세로 9.715 mm의 크기로 다이싱하였다(다이싱 공정 시, 물 또는 에어가 분사됨).
수침 여부는, 10개의 샘플 모두 수침 현상이 없는 경우는 "없음"으로, 샘플 1개라도 수침 현상이 발생 경우에는 "있음"으로 평가하였다.
실험예 4
픽업( Pick - Up ) 성공률 평가
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에 따른 점착층을 포함한 다이싱 다이본딩 필름의 다이싱 공정 후 픽업 성공률을 평가하기 위하여 다음과 같은 방법으로 실험을 수행하였다.
상기 실리콘 웨이퍼 중앙부의 칩 100개에 대하여 다이본더 장치(SDB-10M, 메카트로닉스사)를 이용하여 픽업 시험을 실시하고 그 성공률(%)을 측정하였다. 픽업 시험의 경우 핀 상승 높이에 따라 측정하였는데 낮은 핀 상승 높이에서 픽업이 가능할수록 우수한 픽업 성능을 나타낸다.
또한, 다이싱 후에 링프레임과 점착층이 점착된 부위를 육안으로 관찰하여 수침 여부를 평가하였다.
하기 표 3 및 4는 실험예 1 내지 4의 측정 결과를 나타낸 것이다.
물성 평가 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4
접착층에 대한 점착력(N/25 mm ): y 0.33 0.29 0.31 0.26
링프레임에 대한 점착력(N/25 mm ): x 0.27 0.28 0.35 0.34
y/x 1.22 1.03 0.88 0.76
다이싱 공정 시 수침 여부 없음 없음 없음 없음
픽업( Pic - Up )
성공률(%) 		Stroke 300㎛ 100 100 100 100
물성 평가 비교예 1 비교예 2 비교예 3
접착층에 대한 점착력(N/25 mm ): y 0.59 0.43 0.38
링프레임에 대한 점착력(N/25 mm ): x 0.40 0.32 0.28
y/x 1.47 1.34 1.35
다이싱 공정 시 수침 여부 없음 있음 있음
픽업( Pic - Up )
성공률(%) 		Stroke 300㎛ 96 99 98
일반적으로 접착층에 대한 점착층의 박리력과 링프레임에 대한 점착층의 박리력의 차이는 0.1 N/25mm 이상으로 접착층에 대한 박리력이 더 크게 나타난다. 따라서 자외선 경화를 하지 않고도 접착층에 대하여 용이한 박리력을 얻으려면, 그에 따라 링프레임에 대한 박리력도 감소하게 되어 다이싱 공정 시 링프레임 탈리 및/또는 수침 현상이 일어나는 문제점이 발생한다.
상기 표 3 및 4를 살펴보면, 실시예 1 내지 4에 따른 점착층은 접착층에 대한 박리력과 링프레임에 대한 박리력의 비가 1.3 이하로 작아 우수한 픽업 특성을 보이면서도 링프레임으로부터의 탈리 및 수침없이 링프레임과의 점착성을 유지할 수 있는 효과를 나타내는 것으로 확인되었다.
따라서, 실시예 1 내지 4의 점착층은 비교예 1 내지 3의 점착층과 비교하여 낮은 핀상승(stroke) 높이에서 우수한 픽업 성공률을 나타내는 것으로 확인되었다.
한편, 비교예 2의 경우 우수한 픽업 특성을 보였으나, 링프레임과의 박리력 저하로 다이싱 공정 시 수침이 일어나는 문제가 발생한 것을 확인할 수 있었다.

Claims (15)

  1. 아크릴 공중합체 및 열경화제를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서,
    상기 아크릴 공중합체는 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여,
    a) 알킬 아크릴레이트 모노머 55 내지 95 중량부;
    b) 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 5 내지 30 중량부; 및
    c) 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트 1 내지 15 중량부
    를 포함하는, 비자외선형(Non-UV type) 다이싱 다이본딩 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여, 상기 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트의 총 함량이 20 내지 40 중량부인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  3. 제1항에 있어서, 상기 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트는 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
    [화학식 1]
    Figure 112011101348711-pat00003

    상기 식에서,
    n은 2 내지 40인 정수이다.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체는, 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머를 추가로 포함하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  5. 제4항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여, 상기 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머의 함량이 0 초과 내지 20 중량부인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체는, 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머를 추가로 포함하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  7. 제6항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여, 상기 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머의 함량이 0 초과 내지 10 중량부인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  8. a) 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여, 히드록시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트가 20 내지 40 중량부로 포함된 아크릴레이트를 함유하는 점착층; 및
    b) 상기 점착층에 적층된 접착층;
    을 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서,
    상기 점착층은, 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력(x) 및 상기 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  9. 제8항에 있어서, 상기 점착층은, 링프레임에 대한 점착력(x)이, 접착층에 대한 점착력(y)보다 큰(x 〉y), 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  10. 제8항에 있어서, 상기 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트는 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
    [화학식 1]
    Figure 112011101348711-pat00004

    상기 식에서,
    n은 2 내지 40인 정수이다.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체는, 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머를 추가로 포함하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  12. 제11항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여, 상기 인 함유 작용기를 포함하는 아크릴레이트 모노머의 함량이 0 초과 내지 20 중량부인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  13. 제8항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체는, 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머를 추가로 포함하는, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  14. 제13항에 있어서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여, 상기 에폭시기를 함유하는 아크릴레이트 모노머의 함량이 0 초과 내지 10 중량부인, 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름.
  15. a) 배선 기판;
    b) 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 부착되어 있는 다이싱 다이본딩 필름; 및
    c) 상기 다이싱 다이본딩 필름상에 탑재된 반도체 칩
    을 포함하는 반도체 장치로서,
    상기 다이싱 다이본딩 필름은 제1항 또는 제8항에 기재된 필름인, 반도체 장치.
KR1020110138245A 2011-12-20 2011-12-20 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름 KR101455610B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110138245A KR101455610B1 (ko) 2011-12-20 2011-12-20 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름
PCT/KR2012/010835 WO2013094930A1 (ko) 2011-12-20 2012-12-13 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름
TW101148372A TWI465537B (zh) 2011-12-20 2012-12-19 非ｕｖ型切割晶粒黏合膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110138245A KR101455610B1 (ko) 2011-12-20 2011-12-20 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130070964A KR20130070964A (ko) 2013-06-28
KR101455610B1 true KR101455610B1 (ko) 2014-10-30

Family

ID=48668763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110138245A KR101455610B1 (ko) 2011-12-20 2011-12-20 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101455610B1 (ko)
TW (1) TWI465537B (ko)
WO (1) WO2013094930A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200082246A (ko) 2018-12-28 2020-07-08 주식회사 케이씨씨 반도체용 비자외선형 점착제 조성물 및 이를 포함하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름
KR20200082245A (ko) 2018-12-28 2020-07-08 주식회사 케이씨씨 반도체용 비자외선형 점착제 조성물

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140139212A (ko) * 2013-05-27 2014-12-05 제일모직주식회사 다이싱 다이본딩 필름
KR20220097052A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 접착 부재 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090004829A1 (en) 2007-06-28 2009-01-01 Lintec Corporation Adhesive Composition, Adhesive Sheet and Production Process for Semiconductor Device
KR20090121254A (ko) * 2008-05-20 2009-11-25 주식회사 엘지화학 점착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 웨이퍼
JP2010132807A (ja) 2008-12-05 2010-06-17 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2011054953A (ja) 2009-08-05 2011-03-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4493643B2 (ja) * 2006-12-06 2010-06-30 日東電工株式会社 再剥離型粘着剤組成物、及び粘着テープ又はシート
JP4553400B2 (ja) * 2008-02-18 2010-09-29 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
KR101211839B1 (ko) * 2008-05-14 2012-12-12 주식회사 엘지화학 점착제 조성물, 상기를 포함하는 점착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 웨이퍼

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090004829A1 (en) 2007-06-28 2009-01-01 Lintec Corporation Adhesive Composition, Adhesive Sheet and Production Process for Semiconductor Device
KR20090121254A (ko) * 2008-05-20 2009-11-25 주식회사 엘지화학 점착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 웨이퍼
JP2010132807A (ja) 2008-12-05 2010-06-17 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2011054953A (ja) 2009-08-05 2011-03-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200082246A (ko) 2018-12-28 2020-07-08 주식회사 케이씨씨 반도체용 비자외선형 점착제 조성물 및 이를 포함하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름
KR20200082245A (ko) 2018-12-28 2020-07-08 주식회사 케이씨씨 반도체용 비자외선형 점착제 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130070964A (ko) 2013-06-28
TW201345992A (zh) 2013-11-16
TWI465537B (zh) 2014-12-21
WO2013094930A1 (ko) 2013-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100962936B1 (ko) 반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 접착 필름
KR101023241B1 (ko) 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 접착 필름
KR100938745B1 (ko) 고비점 용매 및 저비점 용매를 포함하는 반도체 다이접착제 조성물 및 이에 의한 접착필름
KR101033045B1 (ko) 반도체 조립용 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름
KR101492629B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
KR100934558B1 (ko) 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름
KR100831153B1 (ko) 반도체 조립용 접착 필름 조성물, 이에 의한 접착 필름 및이를 포함하는 다이싱 다이본드 필름
US20090230568A1 (en) Adhesive Film for Semiconductor and Semiconductor Device Therewith
US9169425B2 (en) Adhesive film and electronic device including the same
KR100850772B1 (ko) 다이싱·다이 본딩용 점접착 시트 및 반도체 장치의 제조방법
KR20130075188A (ko) 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름
KR101019754B1 (ko) 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용한 접착 필름
KR101455610B1 (ko) 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름
JP4300393B2 (ja) 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
KR101266546B1 (ko) 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름
JP5414256B2 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR20140129921A (ko) 반도체용 접착 조성물,이를 이용하여 제조된 반도체용 접착 필름 및 반도체 장치
KR101374364B1 (ko) 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름
KR101103407B1 (ko) 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용하여 제조된 복층구조 접착필름
KR20190059648A (ko) 접착제 조성물 및 이를 사용한 접착필름
KR100959746B1 (ko) 페녹시수지 및 에스테르계 열 가소성 수지를 이용한 반도체조립용 접착 필름 조성물 및 접착 필름
KR101582290B1 (ko) 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용하여 제조된 반도체용 접착 필름
KR100943618B1 (ko) Ｕｖ선 경화형 반도체 조립용 접착필름 조성물 및 이를이용한 접착필름
JP4474839B2 (ja) 接着シート及び半導体装置及びその製造方法
KR20130073190A (ko) 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 6