TWI408197B - Cut crystal sticky film - Google Patents

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TWI408197B
TWI408197B TW101136774A TW101136774A TWI408197B TW I408197 B TWI408197 B TW I408197B TW 101136774 A TW101136774 A TW 101136774A TW 101136774 A TW101136774 A TW 101136774A TW I408197 B TWI408197 B TW I408197B
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TW
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film
adhesive layer
acrylate
dicing
adhesive
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TW101136774A
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Inventor
Shuuhei Murata
Takeshi Matsumura
Katsuhiko Kamiya
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Description

切晶黏晶膜
本發明係關於一種於將用以固著晶片狀工件(半導體晶圓等)與電極構件之接著劑在切晶前附設於工件(半導體晶圓等)上之狀態下供於工件之切晶的切晶黏晶膜。
形成有電路圖案之半導體晶圓(工件)係根據需要藉由背面研磨來調節厚度之後，被切割成半導體晶片(晶片狀工件)(切晶步驟)。在切晶步驟中，為了除去切割層，通常以適度的液壓(通常為2 kg/cm2 左右)清洗半導體晶圓。接著，用接著劑將上述半導體晶片固著於引線框等被黏接體上(安裝步驟)，然後，轉移至黏晶步驟。在上述安裝步驟中，將接著劑塗布於引線框或半導體晶片上。但是，該方法難以實現接著劑層之均勻化，而且接著劑之塗布需要特殊裝置或較長時間。因此，提出了一種於切晶步驟中接著保持半導體晶圓、並且於安裝步驟中亦提供所需要之晶片固著用接著劑層的切晶黏晶膜(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1中所記載之切晶黏晶膜係於支持基材上以可剝離之方式設置接著劑層而形成的。即，於藉由接著劑層之保持下對半導體晶圓進行切割後，使支持基材延伸而將半導體晶片連同接著劑層一併剝離，並分別加以回收，經由該接著劑層而固著於引線框等被黏接體上。
對於此種切晶黏晶膜之接著劑層而言，為了不產生無法切晶或尺寸錯誤等狀況，而期待其具有對半導體晶圓之良 好的保持力、及可將切晶後之半導體晶片與接著劑層一體地自支持基材剝離之良好的剝離性。但是，取得該兩特性之平衡絕非易事。特別是如用旋轉圓刀等對半導體晶圓進行切割之方式等般要求接著劑層具有較大的保持力之情況下，難以獲得滿足上述特性之切晶黏晶膜。
因此，為了克服上述問題，已提出了各種改良方法(例如參照專利文獻2)。專利文獻2中提出有如下方法：在支持基材與接著劑層之間介隔可進行紫外線硬化之黏著劑層，使其於切晶後進行紫外線硬化，而使黏著劑層與接著劑層之間的接著力下降，並藉由兩者間之剝離而容易地提取半導體晶片。
但是，於先前之切晶黏晶膜中存在以下問題：若將切晶膜與黏晶膜在貼合之狀態下保存特定時間，則剝離性會隨時間變化而下降。特別是在室溫下保存時，即便藉由紫外線照射使黏著劑層進行紫外線硬化，剝離性亦不充分下降，由此在提取半導體晶片時產生提取不良。其結果是，在將先前之切晶黏晶膜保存特定時間之情況下，藉由在低溫下保存等來謀求抑制紫外線硬化之剝離性下降。
專利文獻1：日本專利特開昭60-57642號公報
專利文獻2：日本專利特開平2-248064號公報
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種切晶黏晶膜，該切晶黏晶膜具備於基材上具有黏著劑層之切晶膜、及設置於該黏著劑層上之黏晶膜，且即便在室溫 下製品之保存穩定性亦優異。
本發明者等人為了解決上述先前之問題而對切晶黏晶膜進行了研究。結果發現：藉由將作為黏著劑層之構成材料的丙烯酸系聚合物之酸值及碘值設定為特定值，而即便在室溫下保存特定時間，亦可防止紫外線硬化後之剝離性下降，從而完成了本發明。
即，本發明之切晶黏晶膜為了解決上述課題而具有如下特徵，其係具備於基材上具有放射線硬化型黏著劑層之切晶膜、及設置於該黏著劑層上之黏晶膜者，且上述黏著劑層中之黏著劑含有丙烯酸系聚合物而構成，上述丙烯酸系聚合物之酸值為0.01~1，碘值為5~10之範圍內。
本發明之切晶膜中之黏著劑層為放射線硬化型，自切晶膜上剝離黏晶膜時，藉由放射線照射來降低黏著劑層之黏著力，而試圖提高剝離性。於此，本發明中，作為黏著劑層之構成成分的丙烯酸系聚合物，係使用具有酸值為0.01~1、碘值為5~10之物性者，由此例如即便在室溫下保存一定時間，亦可抑制放射線照射後之黏著劑層的剝離性下降。即，若為上述構成之切晶黏晶膜，則即便在室溫下保存一定時間，亦可抑制放射線硬化後之剝離性下降，而且製品之保存穩定性優異。其結果，例如將本發明之切晶黏晶膜應用於半導體裝置之製造方法時，可減少提取不良之產生，並可改善良率。
再者，上述酸值意指中和1 g試料中所含之COOH基所需要的氫氧化鉀之mg數。又，上述碘值意指用如下百分率表 示之值，即，將使鹵素作用於試料時所吸收的鹵素之重量換算成碘之重量而得的重量相對於試料之重量的百分率。
於上述構成中，上述丙烯酸系聚合物之羥值較好的是7~30之範圍內。由此，可進一步抑制黏著劑層在放射線硬化後之剝離性下降，並可進一步改善半導體裝置製造之良率。再者，上述羥值意指中和1 g試料中與使乙醯化劑反應而得的乙醯化物相結合之乙酸所需要的氫氧化鉀之mg數。
本發明之更進一步之其他目的、特徵以及優異點應可藉由以下所示之記載而充分暸解。又，本發明之優點應可藉由參照隨附圖式之以下說明而明白。
 (切晶黏晶膜)
一面參照圖1及圖2，一面對本發明之實施形態進行說明。圖1係表示本實施形態之切晶黏晶膜的剖面示意圖。圖2係表示本實施形態之另一切晶黏晶膜的剖面示意圖。其中，省略無需說明之部分，又，為了易於說明，有放大或縮小等而進行圖示之部分。
如圖1所示，切晶黏晶膜10之構成係具有於基材1上設置有黏著劑層2之切晶膜、及設置於該黏著劑層2上之黏晶膜3。又，如圖2所示，亦可為僅於半導體晶圓貼附部分形成黏晶膜3'之構成。
上述基材1係具有放射線透射性，且成為切晶黏晶膜10、11之強度母體者。例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈 狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、隨機共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(隨機、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物，聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯，聚碳酸酯，聚醚醚酮，聚醯亞胺，聚醚醯亞胺，聚醯胺，全芳香族聚醯胺，聚苯硫醚，芳族聚醯胺(紙)，玻璃，玻璃布，氟樹脂，聚氯乙烯，聚偏二氯乙烯，纖維素系樹脂，矽酮樹脂，金屬(箔)，紙等。
又，作為基材1之材料，可列舉上述樹脂之交聯體等聚合物。上述塑膠膜可於未延伸之狀態下使用，根據需要亦可使用實施單軸或雙軸延伸處理者。若採用藉由延伸處理等而賦予熱收縮性之樹脂片，則可藉由切晶後使該基材1熱收縮而使黏著劑層2與黏晶膜3、3'之接著面積減小，從而可實現半導體晶片回收之容易化。
為了提高與鄰接之層的密接性、保持性等，基材1之表面可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射處理等化學或物理處理，利用底塗劑(例如後述之黏著物質)之塗布處理。
上述基材1可適當選擇使用同種或不同種材料，根據需要可使用將多種材料摻合而製成者。又，為了對基材1賦予抗靜電能力，可於上述基材1上設置由金屬、合金、該等之氧化物等所形成的厚度為30~500 Å左右之導電性物質 的蒸鍍層。基材1可為單層或2層以上之多層。
基材1之厚度並無特別限制，可適當地決定，通常為5~200 μm左右。
上述黏著劑層2含有放射線硬化型黏著劑而構成。放射線硬化型黏著劑可藉由放射線之照射使交聯度增加，從而容易地使其黏著力降低；亦可藉由僅對圖2所示之黏著劑層2的與半導體晶圓貼附部分相對應之部分2a照射紫外線，而設定與其他部分2b之黏著力之差。再者，作為放射線，可列舉紫外線或電子束等。
又，對準圖2所示之黏晶膜3'而使放射線硬化型黏著劑層2硬化，由此可容易地形成黏著力顯著下降的上述部分2a。由於在硬化、黏著力下降之上述部分2a上貼附黏晶膜3'，因此黏著劑層2之上述部分2a與黏晶膜3'的界面具有提取時易於剝離之性質。另一方面，末照射紫外線之部分具有充分的黏著力，而形成上述部分2b。
如上所述，於圖1所示之切晶黏晶膜10之黏著劑層2中，由未硬化之放射線硬化型黏著劑形成的上述部分2b與黏晶膜3黏著，從而可確保切割時之保持力。如此，放射線硬化型黏著劑能以良好的接著/剝離平衡來支持用以將半導體晶片固著於基板等被黏接體的黏晶膜3。於圖2所示之切晶黏晶膜11之黏著劑層2中，上述部分2b可固定切晶環。切晶環可使用例如由不鏽鋼製等包含金屬者或樹脂製者。
上述放射線硬化型黏著劑使用具有自由基反應性碳-碳雙鍵等放射線硬化性官能基、且顯示黏著性者。作為放射 線硬化型黏著劑，例如可例示在丙烯酸系黏著劑中調配有放射線硬化性單體成分或寡聚物成分之添加型放射線硬化型黏著劑。丙烯酸系黏著劑係以丙烯酸系聚合物為基底聚合物的黏著劑，就半導體晶圓或玻璃等唯恐受到污染的電子零件的利用超純水或醇等有機溶劑之清洗性等方面而言較好。
作為上述丙烯酸系聚合物，具體可列舉使用丙烯酸酯作為主要單體成分者。作為上述丙烯酸酯，例如可列舉：丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數為1~30、特別是碳數為4~18之直鏈狀或支鏈狀烷基酯等)及丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)等。該等單體可單獨使用或將2種以上加以併用。
上述所例示之丙烯酸酯中，本發明中較好的是使用由化學式CH2 =CHCOOR(式中，R係碳數為6~10、更好的是8~9之烷基)表示之單體。若碳數未達6，則黏著力變得過大而有提取性下降之情況。另一方面，若碳數超過10，則與黏晶膜之接著性降低，結果有在切晶時產生晶片飛散之情況。又，於丙烯酸酯由化學式CH2 =CHCOOR表示時，其含量相對於全部單體成分較好的是50~91 mol%，更好的是80~87 mol%。若含量未達50 mol%，則黏著力變得過大， 而有提取性下降之情況。另一方面，若超過91 mol%，則黏著性降低，而有在切晶時產生晶片飛散之情況。進而，在由上述化學式表示之單體中，特別好的是丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯。
上述丙烯酸系聚合物含有可與上述丙烯酸酯共聚合的含羥基單體作為必須成分。作為含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷基酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等。
上述含羥基單體之含量相對於丙烯酸酯，較好的是10~30 mol%之範圍內，更好的是15~25 mol%之範圍內。若含量不足10 mol%，則放射線照射後之交聯不足，而有切晶時在貼附於黏著劑層2上之切晶環上產生殘糊之情況。另一方面，若含量超過30 mol%，則黏著劑之極性提高，與黏晶膜之相互作用提高，由此變得難以剝離。
對上述丙烯酸系聚合物而言，為了改質凝聚力、耐熱性等，根據需要可含有對應於可與上述丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚合的其他單體成分之單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺 酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等可共聚合之單體成分可使用1種或2種以上。該等可共聚合之單體的使用量較好的是全部單體成分之40重量%以下。但是，在上述含羧基單體之情況下，由於該羧基與黏晶膜3中之環氧樹脂中的環氧基反應，從而黏著劑層2與黏晶膜3之界面消失，而導致兩者之剝離性下降。因此，含羧基單體之使用量較好的是全部單體成分之0~3重量%以下。此外，由於含羥基單體或含縮水甘油基單體亦可與環氧樹脂中之環氧基反應，因此較好的是與含羧基單體之情況同樣。又，該等單體成分中，較好的是本發明之黏著劑層2不含有丙烯酸。可防止黏著劑層2與黏晶膜3之反應或相互作用，可實現進一步提高提取性。
於此，上述丙烯酸系聚合物不含多官能性單體作為共聚合用單體成分。由此，多官能性單體不會在黏晶膜中發生物質擴散，從而可防止因黏著劑層2與黏晶膜3之界面消失而引起的提取性下降。
又，上述丙烯酸系聚合物可含有具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物。作為上述異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。
上述異氰酸酯化合物之含量相對於含羥基單體，較好的 是含量在70~90 mol%之範圍內，更好的是75~85 mol%之範圍內。若含量未達70 mol%，則放射線照射後之交聯不足，而在切晶時於貼附於黏著劑層上之切晶環上產生殘糊。另一方面，若含量超過90 mol%，則黏著劑之極性提高，且與黏晶膜之相互作用提高，由此剝離變得困難，而提取性降低。
上述丙烯酸系聚合物係藉由將單一單體或2種以上之單體混合物進行聚合而獲得。聚合可藉由溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任一方式來進行。就防止對清潔之被黏接體造成污染等方面而言，較好的是低分子量物質含量較小。就該點而言，丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較好的是35萬~100萬左右，更好的是45萬~80萬左右。藉由使重量平均分子量為35萬以上，可防止成為低分子量聚合物，由此，例如可防止在切晶時自貼附於黏著劑層2上之切晶環上剝離。進而，由於防止放射線照射後之交聯不足，因而在將切晶環自黏著劑層2上剝離時，亦可防止產生殘糊。另一方面，藉由使重量平均分子量為100萬以下，可提高在基材1上形成黏著劑層2時之作業性。關於黏著劑層2之形成，例如可在基材上塗布含有上述聚合物之黏著劑組合物的溶液後，使其乾燥來進行，但是若聚合物之重量平均分子量超過100萬，則由於黏著劑組合物溶液之黏度變得過大，因此導致該聚合物之聚合及塗布時之作業性下降。
本發明之丙烯酸系聚合物的酸值為0.01~1之範圍內，較 好的是0.05~1之範圍內，更好的是0.1~0.5之範圍內。若上述酸值未達0.05，則有膠帶回復性之改善效果下降之情況。另一方面，若酸值超過1，則切晶膜對於黏晶膜之黏著力提高，而有提取變得困難之情況。並且有黏著劑之流動性受損之情況。又，碘值為5~10之範圍內，較好的是5.5~9之範圍內。又，若上述碘值未達5，則有放射線照射後之黏著力的降低效果不充分之情況。另一方面，若碘值超過10，則切晶膜對於黏晶膜之黏著力提高，而有提取變得困難之情況。本發明之切晶黏晶膜藉由使上述酸值與碘值同時滿足各自之數值範圍，而即便在相對較高溫度(例如0℃~40℃)下保存一定時間(例如3日~2週左右)，亦可抑制黏著劑層2在紫外線照射後之剝離性下降。再者，上述酸值之數值範圍係藉由基於JIS K 0070-1992之電位差滴定法測定而得的值。又，上述碘值之數值範圍係基於JIS K 0070-1992測定而得的值。
進而，丙烯酸系聚合物之羥值較好的是7~30之範圍內，更好的是10~25之範圍內。若上述羥值未達7，則有放射線照射後之黏著力降低效果變得不充分之情況。另一方面，若羥值超過30，則切晶膜對於黏晶膜之黏著力提高，而有提取變得困難之情況。本發明之切晶黏晶膜除了上述酸值及碘值外，進而可藉由將羥值調節至上述數值範圍內，而可進一步防止放射線硬化後之剝離性下降，並可使製品之保存穩定性進一步提高。結果即便提高提取時之提取條件(例如頂針根數或頂針頂起量)，亦表現良好的提取性，從 而可實現改善半導體裝置之製造良率。再者，上述羥值之數值範圍係藉由基於JIS K 0070-1992之乙醯化法測定而得的值。
表現上述數值範圍內之酸值及碘值之丙烯酸系聚合物，例如可藉由日本專利特開平2-187478號公報等中先前公知的方法來製造。此時，藉由調節丙烯酸之共聚合量，而可將酸值調節至上述數值範圍內。又，藉由調節甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯之添加量，而可將碘值調節至上述數值範圍內。進而，藉由調節甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯之添加量以及丙烯酸-2-羥乙酯之共聚合量，而可將羥值調節至上述數值範圍內。
又，本發明之黏著劑層2較好的是含有在分子中具有2個以上對羥基表現反應性之官能基的交聯劑。作為對羥基表現反應性之官能基，例如可列舉：異氰酸酯基、環氧基、縮水甘油基等。作為具有此種官能基之交聯劑，更具體而言，可列舉異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑等。
作為上述異氰酸酯系交聯劑，若為分子中具有2個以上異氰酸酯基者，則並無特別限制，例如可列舉甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二異氰酸己二酯等。該等可單獨使用，亦可將2種以上加以併用。
作為上述環氧系交聯劑，若為分子中具有2個以上環氧基者，則並無特別限制，例如可列舉乙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、二甘 油聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚等。該等可單獨使用亦可將2種以上加以併用。
作為上述氮丙啶系交聯劑，若為分子中具有2個以上氮丙啶基者，則並無特別限制。例如可較好地使用ω-氮丙啶基丙酸-2,2-二羥基甲基-丁醇-三酯、4,4'-雙(伸乙亞胺基羰基胺基)二苯基甲烷、2,4,6-(三伸乙亞胺基)-均三、1,6-雙(伸乙亞胺基羰基胺基)己烷等。該等可單獨使用亦可將2種以上加以併用。
上述交聯劑之含量相對於基底聚合物100重量份，較好的是2~20重量份之範圍內，更好的是4~15重量份之範圍內。若含量未達2重量份，則紫外線照射後之交聯不充分，拉伸彈性模數下降。結果在半導體晶圓之切晶時，在貼附於黏著劑層上之切晶環上產生殘糊，在半導體晶片之提取時，剝離力變得過大而提取性下降。另一方面，若含量超過20重量份，則拉伸彈性模數變得過大，結果在切晶時產生晶片飛散。再者，在黏著劑中，根據需要，除了上述成分外還可使用先前公知之各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
作為所調配之上述紫外線硬化性單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯寡聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。 又，紫外線硬化性寡聚物成分可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種寡聚物，較好的是其分子量為100~30000左右之範圍者。紫外線硬化性單體成分或寡聚物成分之調配量，可根據上述黏著劑層之種類而適當地確定可使黏著劑層之黏著力降低的量。通常，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基底聚合物100重量份，例如為5~500重量份，較好的是40~150重量份左右。
又，作為放射線硬化型黏著劑，除上述已說明之添加型放射線硬化型黏著劑以外，可列舉：使用在聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有自由基反應性碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物作為基底聚合物的內在型放射線硬化型黏著劑。內在型紫外線硬化型黏著劑無須含有、或者含有不多作為低分子量成分的寡聚物成分等，因此，寡聚物成分等不會隨著時間變化而在黏著劑中移動，從而可形成具有穩定層結構的黏著劑層，因此較好。
即便在內在型放射線硬化型黏著劑之情況下，丙烯酸系聚合物之酸值及碘值亦在上述數值範圍內。又，作為丙烯酸系聚合物之具體例，可列舉上述所例示之丙烯酸系聚合物。
向上述丙烯酸系聚合物中導入自由基反應性碳-碳雙鍵之方法並無特別限制，可採用各種方法，就分子設計方面而言，較為容易的是將自由基反應性碳-碳雙鍵導入至聚合物側鏈。例如可列舉如下方法：預先使具有羥基之單體 與丙烯酸系聚合物共聚合後，使具有可與該羥基反應之異氰酸酯基及自由基反應性碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，在維持自由基反應性碳-碳雙鍵之放射線硬化性之狀態下進行縮合或加成反應。作為具有異氰酸酯基及自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，可列舉上述所例示之異氰酸酯化合物。又，作為丙烯酸系聚合物，可使用將上述所例示之含羥基單體或2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚系化合物等共聚合而成者。
上述內在型放射線硬化型黏著劑可單獨使用上述具有自由基反應性碳-碳雙鍵之基底聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，亦可在不使特性惡化之程度下，調配上述放射線硬化性單體成分或寡聚物成分。通常，相對於基底聚合物100重量份，紫外線硬化性寡聚物成分等為0~30重量份之範圍內，較好的是0~10重量份之範圍。
對於上述放射線硬化型黏著劑而言，在利用紫外線等放射線進行硬化之情況下含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苄基二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯 氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基碳基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；9-氧硫、2-氯-9-氧硫、2-甲基-9-氧硫、2,4-二甲基-9-氧硫、異丙基-9-氧硫、2,4-二氯-9-氧硫、2,4-二乙基-9-氧硫、2,4-二異丙基-9-氧硫等9-氧硫系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基氧化磷；醯基膦酸酯等。相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基底聚合物100重量份，光聚合起始劑之調配量為例如0.05~20重量份左右。
又，作為放射線硬化型黏著劑，例如可列舉：日本專利特開昭60-196956號公報中所揭示的含有具有2個以上不飽和鍵之加成聚合性化合物、具有環氧基之烷氧基矽烷等光聚合性化合物與羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等光聚合起始劑之橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑等。
作為在上述黏著劑層2上形成上述部分2a之方法，可列舉：在基材1上形成放射線硬化型黏著劑層2後對上述部分2a部分性的照射放射線而使其硬化之方法。關於部分性的放射線照射，可藉由形成有與半導體晶圓貼附部分3a以外的部分3b等相對應之圖案的光罩來進行。又，可列舉點式照射放射線而使其硬化之方法等。放射線硬化型黏著劑層2之形成，可藉由將設在分隔件上者轉印至基材1上來進行。部分性的放射線硬化亦可對設置於分隔件上之放射線 硬化型黏著劑層2來進行。
於切晶黏晶膜10之黏著劑層2中，可對黏著劑層2之一部分進行放射線照射，使上述部分2a之黏著力<其他部分2b之黏著力。即，可使用基材1之至少單面的與半導體晶圓貼附部分3a相對應之部分以外的部分之全部或一部分被遮光者，在其上形成放射線硬化型黏著劑層2後，照射放射線，使與半導體晶圓貼附部分3a相對應之部分硬化，而形成黏著力下降之上述部分2a。作為遮光材料，可藉由印刷、蒸鍍等在支持膜上製作可成為光罩者。由此，可高效地製造本發明之切晶黏晶膜10。
再者，於紫外線照射時產生由氧氣引起之硬化阻礙之情況下，較理想的是遮蔽黏著劑層2之表面以不受氧氣(空氣)影響。作為其方法，例如可列舉：將黏著劑層2之表面用分隔件覆蓋之方法、或於氮氣環境中進行紫外線等之紫外線照射的方法等。
進而，較好的是上述黏著劑層2之放射線照射前在23℃下之拉伸彈性模數為0.4~3.5 MPa之範圍內，放射線照射後在23℃下之拉伸彈性模數為7~100 MPa之範圍內。藉由使放射線照射前之拉伸彈性模數(23℃)為0.4 MPa以上，則可使切割半導體晶圓時之半導體晶片的固定達到良好，結果可防止產生碎屑。又，在剝離切晶環時，亦可防止產生殘糊。另一方面，藉由使拉伸彈性模數(23℃)為3.5 MPa以下，則可防止在切晶時產生晶片飛散。又，藉由使放射線照射後之拉伸彈性模數(23℃)為7 MPa以上，則可實現提 取性之提高。
黏著劑層2之厚度並無特別限制，就兼具防止晶片切割面之欠缺或固定保持接著層等方面而言，較好的是1~50 μm左右。較好的是2~30 μm、更好的是5~25 μm。
黏晶膜3可為例如僅包含接著劑層單層之構成。又，亦可將玻璃轉移溫度不同的熱塑性樹脂、熱硬化溫度不同的熱硬化性樹脂適當組合，而製成2層以上之多層結構。再者，由於在半導體晶圓之切晶步驟中使用切削水，因此有黏晶膜3吸濕而達到常態以上含水率之情況。若在此種高含水率之狀態下與基板等接著，則在後硬化之階段中在接著界面上滯留水蒸汽，而有發生浮起之情況。因此，作為黏晶接著用接著劑，藉由形成為由黏晶接著劑夾持有透濕性高之芯材料的構成，由此在後硬化階段，可使水蒸汽通過膜而擴散，從而避免該問題。就該觀點而言，黏晶膜3可製成在芯材料之單面或雙面上形成有接著劑層的多層結構。
作為上述芯材料，可列舉膜(例如聚醯亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、由玻璃纖維或塑膠製不織纖維進行強化而成之樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。
本發明之黏晶膜3含有環氧樹脂作為主要成分而構成。就使半導體元件腐蝕之離子性雜質等的含量較少之方面而言，較好的是環氧樹脂。作為上述環氧樹脂，若為通常用作接著劑組合物者，則並無特別限制，例如可使用：雙酚 A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰尿酸酯型或縮水甘油胺型等之環氧樹脂。該等環氧樹脂可單獨使用或將2種以上加以併用。在該等環氧樹脂中，特別好的是酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四酚基乙烷型環氧樹脂。其原因在於，該等環氧樹脂與作為硬化劑的酚樹脂之反應性充分，且耐熱性等優異。
又，黏晶膜3還可根據需要適當併用其他熱硬化性樹脂或熱塑性樹脂。作為上述熱硬化性樹脂，可列舉：酚樹脂、胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨使用，或將2種以上加以併用。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較好的是酚樹脂。
進而，上述酚樹脂發揮出作為上述環氧樹脂之硬化劑之作用，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂，可溶酚醛型酚樹脂，聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。該等可單獨使用或將2種以上加以併用。該等酚樹脂中，特別好的是苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷樹脂。其原因在於，可提高半導體裝置之連接可靠性。
至於上述環氧樹脂與酚樹脂之調配比例，例如較好的是：調配成相對於上述環氧樹脂成分中之環氧基1當量而使酚樹脂中之羥基達到0.5~2.0當量。更好的是0.8~1.2當量。即其原因在於，若兩者之調配比例脫離上述範圍，則硬化反應不會充分進行，環氧樹脂硬化物之特性容易劣化。
作為上述熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂或氟樹脂等。該等熱塑性樹脂可單獨使用或將2種以上加以併用。在該等熱塑性樹脂中，特別好的是離子性雜質少、耐熱性高、可確保半導體元件之可靠性的丙烯酸系樹脂。
作為上述丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉將具有碳數為30以下、特別是碳數為4~18之直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸之酯的1種或2種以上作為成分之聚合物等。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二烷基等。
又，作為形成上述聚合物之其他單體，並無特別限定， 例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或丁烯酸等之類的含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等之類的酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等之類的含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之類的含磺酸基單體；或者2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等之類的含磷酸基單體。
對於黏晶膜3之接著劑層而言，為了使其預先進行某種程度之交聯，較好的是在製作時預先添加與聚合物之分子鏈末端之官能基等反應的多官能性化合物作為交聯劑。由此，可提高高溫下之接著特性，並實現改善耐熱性。
再者，在黏晶膜3之接著劑層中，還可根據需要適當添加其他添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑或離子捕獲劑等。作為上述阻燃劑，例如可列舉三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。該等可單獨使用或將2種以上加以併用。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉β(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。該等化合物可單獨使用或將2種以上加以併用。作為上述離子捕獲劑，例如可列舉水滑石類、氫氧化 鉍等。該等可單獨使用或將2種以上加以併用。
黏晶膜3之厚度並無特別限制，例如為5~100 μm左右，較好的是5~50 μm左右。
可使切晶黏晶膜10、11具有抗靜電能力。由此，可防止在其接著時或剝離時等靜電之產生及由此引起的工件(半導體晶圓等)帶電而導致電路破壞等。關於抗靜電能力之賦予，可藉由在基材1、黏著劑層2或黏晶膜3中添加抗靜電劑或導電性物質之方法，或者於基材1上附設包含電荷轉移錯合物或金屬膜等之導電層等適當的方式來進行。作為該等方式，較好的是不易產生可能使半導體晶圓變質之雜質離子的方式。作為以導電性之賦予、熱傳導性之提高等為目的而調配之導電性物質(導電填料)，可列舉：銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等之球狀、頂針狀、片狀金屬粉，氧化鋁等金屬氧化物，非晶形碳黑、石墨等。然而，就可不產生電洩露之方面而言，較好的是上述黏晶膜3、3'為非導電性。
上述切晶黏晶膜10、11之黏晶膜3、3'較好的是由分隔件進行保護(未圖示)。分隔件具有作為保護黏晶膜3、3'直至供於實際應用之保護材料的功能。又，分隔件可進一步用作將黏晶膜3、3'轉印至黏著劑層2時之支持基材。將工件黏貼於切晶黏晶膜之黏晶膜3、3'上時剝離分隔件。作為分隔件，亦可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或由氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗布之塑膠膜或紙等。
(切晶黏晶膜之製造方法)
繼而，以切晶黏晶膜10為例對本發明之切晶黏晶膜之製造方法進行說明。首先，基材1可藉由先前公知之製膜方法來製膜。作為該製膜方法，例如可例示砑光製膜法、有機溶劑中之澆鑄法、密閉系統內之膨脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
其次，在基材1上塗布含有黏著劑之組合物，使其乾燥(根據需要進行加熱交聯)而形成黏著劑層2。作為塗布方式，可列舉輥塗布、絲網塗布、凹版塗布等。又，塗布可直接在基材1上進行，亦可塗布於表面實施過剝離處理之剝離紙等上後轉印至基材1上。
接著，在剝離紙上塗布用於形成黏晶膜3之形成材料，以使達到特定厚度，進而在特定條件下進行乾燥而形成塗布層。藉由將該塗布層轉印至上述黏著劑層2上，形成黏晶膜3。又，亦可藉由在上述黏著劑層2上直接塗布形成材料後在特定條件下進行乾燥，來形成黏晶膜3。由此，可獲得本發明之切晶黏晶膜10。
(半導體裝置之製造方法)
對於本發明之切晶黏晶膜10、11而言，係適當剝離任意設置於黏晶膜3、3'上之分隔件而以如下方式進行使用。以下一面參照圖3A~3E一面以使用切晶黏晶膜11之情況為例進行說明。
首先，在切晶黏晶膜11之黏晶膜3'上壓接半導體晶圓4，將其接著保持而進行固定(安裝步驟)。該步驟係利用壓 接輥等擠壓機構一面進行擠壓一面來進行的。
繼而，進行半導體晶圓4之切晶。由此，將半導體晶圓4切割成特定尺寸並分離，而製造半導體晶片5。切晶係例如自半導體晶圓4之電路面側按照常法來進行。又，在該步驟中，例如可採用切入至切晶黏晶膜10為止之被稱為全切之切割方式等。作為該步驟中所使用之切晶裝置，並無特別限制，可使用先前公知之裝置。又，由於半導體晶圓藉由切晶黏晶膜10進行接著固定，因此可抑制晶片欠缺或晶片飛散，並且亦可抑制半導體晶圓4之破損。
為了將接著固定於切晶黏晶膜10上之半導體晶片剝離，而進行半導體晶片5之提取。作為提取方法，並無特別限制，可採用先前公知之各種方法。例如可列舉如下方法等：藉由頂針自切晶黏晶膜10側頂起各半導體晶片5，利用提取裝置來提取被頂起之半導體晶片5。
於此，由於黏著劑層2為紫外線硬化型，因此在對該黏著劑層2照射紫外線後進行提取。由此，黏著劑層2對於黏晶膜3a之黏著力下降，從而使半導體晶片5之剝離變得容易。結果可進行提取而不損壞半導體晶片。紫外線照射時之照射強度、照射時間等條件並無特別限制，根據需要來適當設定即可。又，作為紫外線照射所使用之光源，可使用上述光源。
經提取之半導體晶片5經由黏晶膜3a而接著固定於被黏接體6上(黏晶)。被黏接體6載置於加熱塊9上。作為被黏接體6，可列舉引線框、TAB膜、基板或另行製作之半導體 晶片等。被黏接體6例如可為容易變形之變形型被黏接體，亦可為難以變形之非變形型被黏接體(半導體晶圓等)。
作為上述基板，可使用先前公知者。又，作為上述引線框，可使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或包含環氧玻璃、BT(雙馬來醯亞胺-三)、聚酯亞胺等之有機基板。但是，本發明並不限於此，亦包括安裝半導體元件、並與半導體元件電性連接而可使用之電路基板。
於黏晶膜3為熱硬化型時，藉由加熱硬化，而將半導體晶片5接著固定於被黏接體6上，並提高耐熱強度。再者，半導體晶片5經由半導體晶圓貼附部分3a而接著固定於基板等上者，可供於回流焊步驟。然後，進行利用接線7將基板之端子部(內引腳)之頂端與半導體晶片5上之電極墊(未圖示)加以電性連接之打線接合，進而用密封樹脂8將半導體晶片密封，將該密封樹脂8進行後硬化。由此，製作本實施形態之半導體裝置。
實施例
以下，例示性地詳細說明本發明之較佳實施例。但是，該實施例所記載之材料或調配量等，只要無特別限定之記載，則並不將該發明之範圍僅限定於該等，該等只不過為說明例。又，各例中之份只要無特別說明均為重量基準。
(實施例1) <切晶膜之製作>
在具備冷卻管、氨氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應 容器中加入丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為「2EHA」)88.8份、丙烯酸-2-羥乙酯(以下稱為「HEA」)11.2份、過氧化苯甲醯0.2份及甲苯65份，在氮氣流中61℃下進行聚合處理6小時，而獲得重量平均分子量為85萬之丙烯酸系聚合物A。重量平均分子量如下所述。2EHA與HEA之莫耳比為100 mol比20 mol。
在該丙烯酸系聚合物A中加入2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(以T稱為「MOI」)12份(相對於HEA為80 mol%)，在空氣氣流中50℃下進行加成反應處理48小時，而獲得丙烯酸系聚合物A'。對於該丙烯酸系聚合物A'，藉由後述方法測定所得之酸值為0.25，羥值為16，碘值為6.4。
然後，相對於丙烯酸系聚合物A' 100份，而加入聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」、日本聚胺酯(Nippon Polyurethane)(股)製造)8份、以及光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」、汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)公司製造)5份，而製作黏著劑溶液。
將上述製備之黏著劑溶液塗布於PET剝離襯墊之經矽酮處理之面上，在120℃下加熱交聯2分鐘，而形成厚度為10 μm之黏著劑層。繼而，在該黏著劑層面上貼合厚度為100 μm之聚烯烴膜。然後，在50℃下保存24小時後，而製作本實施例之切晶膜。
<黏晶膜之製作>
相對於以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分之丙烯酸酯系聚合物(根上工業(股)製造、商品名：Paracron W-197CM)100份，將環氧樹脂1(JER(股)製造、Epikote 1004)59份、環氧樹脂2(JER(股)製造、Epikote 827)53份、酚樹脂(三井化學(股)製造、商品名：Milex XLC-4L)121份、球狀二氧化矽(Admatechs(股)製造、商品名：SO-25R)222份溶解於甲基乙基酮中，而製備成濃度為23.6重量%。
將該接著劑組合物之溶液塗布於作為剝離襯墊(分隔件)之經矽酮脫模處理的厚度為38 μm之由聚對苯二甲酸乙二酯膜所形成之脫模處理膜上，然後在130℃下乾燥2分鐘。由此，而製作厚度為25 μm之黏晶膜。進而，將黏晶膜轉印至上述切晶膜之黏著劑層側，而獲得本實施例之切晶黏晶膜。
<重量平均分子量Mw之測定>
藉由GPC(凝膠滲透層析法)進行測定重量平均分子量Mw。測定條件如下所述。再者，重量平均分子量藉由聚苯乙烯換算而算出。
測定裝置：HLC-8120GPC(製品名、東曹(Tosoh)公司製造)
管柱：TSKgel GMH-H(S)×2(料號、東曹公司製造)
流量：0.5 ml/min
注入量：100 μl
管柱溫度：40℃
溶析液：THF
注入試料濃度：0.1重量%
檢測器：示差折射計
<酸值之測定>
丙烯酸系聚合物A'之酸值係根據JIS K 0070-1992(電位差滴定法)來進行評價。即，在乾燥後之丙烯酸系聚合物A'約3 g中加入丙酮100 ml，並攪拌使其溶解。在其中加入水25 ml並進行攪拌。將該溶液用0.05 mol/l之氫氧化鈉溶液進行滴定。將中和試料1 g所需要的氫氧化鉀之mg數表示為酸值。
<羥值之測定>
丙烯酸系聚合物A'之羥值係根據JIS K 0070-1992(乙醯化法))來進行評價。即，在乾燥後之丙烯酸系聚合物A'約3 g中加入乙醯化試劑10 ml，進而加入吡啶30 ml及二甲基甲醯胺30 ml作為溶劑。將該溶液在具備冷卻器之水浴中(95~100℃))加熱1小時30分鐘。再加入水3 ml後，進行加熱10分鐘。
然後，冷卻至室溫，將冷卻器用5 ml之乙醇清洗並加入。在該溶液中加入攪拌子，一面用磁力攪拌器進行攪拌，一面採用電位差滴定裝置用0.5 mol%/l之氫氧化鈉溶液進行滴定。將使試料1 g乙醯化時中和與羥基結合之乙酸所需要的氫氧化鈉之mg數表示為羥值。
<碘值之測定>
丙烯酸系聚合物A'之碘值係根據JIS K 0070-1992來進行評價。即，在乾燥後之丙烯酸系聚合物A'約3 g中加入氯仿30 ml並使其溶解。在其中加入韋氏(WIJS)液25 ml並攪 拌。然後，加栓使其為密閉狀態，於23℃下在暗處放置1小時。在該溶液中加入碘化鉀溶液20 ml及水100 ml並攪拌。將該溶液用0.1 mol%/l之硫代硫酸鈉溶液進行滴定，於溶液變微黃色後，加入數滴澱粉溶液，進行滴定至藍色消失為止。將使試料100 g與鹵素反應時所結合之鹵素量換算成碘之g數，將所得之值表示為碘值。
(實施例2~9)
對於各實施例2~9，除了變更為下述表1所示之組成及含量以外，以與上述實施例1相同之方式來製作切晶黏晶膜。
(比較例1~4)
對於各比較例1~4，除了變更為下述表1所示之組成及含量以外，以與上述實施例1相同之方式來製作切晶黏晶膜。
再者，表1中所記載之簡稱的意思如下所述。
2EHA：丙烯酸-2-乙基己酯
HEA：丙烯酸-2-羥乙酯
AA：丙烯酸
MOI：2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯
C/L：聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」、日本聚胺酯(股)製造)
(切晶)
使用各實施例及比較例之各切晶黏晶膜，按以下要領，實際進行半導體晶圓之切晶，並評價各切晶黏晶膜之性能。
將半導體晶圓(直徑8吋、厚度0.6 mm)進行背面研磨處理，使用厚度為0.15 mm之鏡面晶圓作為工件。自切晶黏晶膜上剝離分隔件後，於其黏晶膜上於40℃下將鏡面晶圓進行輥壓接而貼合，進而進行切晶。又，切晶係全切成1 mm見方之晶片尺寸。對切割後之半導體晶圓及切晶黏晶膜，確認有無晶片飛散。關於晶片飛散，將只要有一片半導體晶片飛散就評價為×，無晶片飛散時評價為○。晶圓研磨條件、貼合條件及切晶條件如後所述。
<晶圓研磨條件>
研磨裝置：DISCO公司製造、DFG-8560
半導體晶圓：直徑8吋(自厚度0.6 mm背面研磨至0.15 mm)
<貼合條件>
貼附裝置：日東精機製造、MA-3000II
貼附速度計：10 mm/min
貼附壓力：0.15 MPa
貼附時之平臺溫度：40℃
<切晶條件>
切晶裝置：DISCO公司製造、DFD-6361
切晶環：2-8-1(DISCO公司製造)
切晶速度：80 mm/sec
切晶刀片：
Z1：DISCO公司製造2050HEDD
Z2：DISCO公司製造2050HEBB
切晶刀片轉速：
Z1：40,000 rpm
Z2：40,000 rpm
刀片高度：
Z1：0.215 mm(取決於半導體晶圓之厚度(晶圓厚度為75 μm時，為0.170 mm))
Z2：0.085 mm
切割方式：A模式/階梯式切割
晶圓晶片尺寸：1.0 mm見方
(提取)
使用各實施例及比較例之各切晶黏晶膜，按以下要領，在實際進行半導體晶圓之切晶後進行提取，並評價各切晶黏晶膜之性能。
將半導體晶圓(直徑8吋、厚度0.6 mm))進行背面研磨處理，使用厚度為0.075 mm之鏡面晶圓作為工件。將黏晶膜與黏晶膜貼合後，在23℃下放置1小時。然後，將黏晶膜之接著劑層上之分隔件剝離，在黏晶膜上於40℃下將鏡面晶圓進行輥壓接而貼合。進而在23℃下放置1小時後，進行鏡面晶圓之切晶。切晶係全切成10 mm見方之晶片尺寸。
接著，對各切晶黏晶膜進行紫外線照射，並進行將該等拉伸而使各晶片間達到特定間隔之延伸步驟。進而，以自各切晶黏晶膜之基材側用頂針頂起方式提取半導體晶片，並評價提取性。具體而言，連續提取400個半導體晶片，將在後述條件A及B下進行時之成功率均為100%時評價為◎，將在條件A下進行時之成功率為100%而在條件B下進行時之成功率並非100%時評價為○，將在條件A及B下之成功率均不為100%時評價為×。
<晶圓研磨條件>
研磨裝置：DISCO公司製造、DFG-8560
半導體晶圓：直徑8吋(自厚度0.6 mm背面研磨至0.075 mm)
<貼合條件>
貼附裝置：日東精機製造、MA-3000II
貼附速度計：10 m/min
貼附壓力：0.15 MPa
貼附時之平臺溫度：40℃
<切晶條件>
切晶裝置：DISCO公司製造、DFD-6361
切晶環：2-8-1(DISCO公司製造)
切晶速度：80 mm/sec
切晶刀片：
Z1：DISCO公司製造2050HEDD
Z2：DISCO公司製造2050HEBB
切晶刀片轉速：
Z1：40,000 rpm
Z2：40,000 rpm
刀片高度：
Z1：0.170 mm(取決於半導體晶圓之厚度(晶圓厚度為75 μm時，為0.170 mm))
Z2：0.085 mm
切割方式：A模式/階梯式切割
晶圓晶片尺寸：10.0 mm見方
<紫外線之照射條件>
紫外線(UV)照射裝置：日東精機(商品名、UM-810製造)
紫外線照射累計光量：300 mJ/cm2
再者，紫外線照射係自聚烯烴膜側進行。
<提取條件>
關於提取條件，按下述表2所示之條件A及條件B分別進行。
(保存性試驗1)
將貼合有切晶膜與黏晶膜之切晶黏晶膜在0℃下保存2週。然後，在與上述相同之條件下，進行提取評價。將在條件A及B下進行時之成功率均為100%時評價為◎，將在條件A下進行時之成功率為100%而在條件B下進行時之成功率並非為100%時評價為○，將在條件A及B下之成功率均不為100%時評價為×。結果示於表3。
(保存性試驗2)
除了將保存期間之溫度變更為23℃以外，以與上述保存性試驗1相同之方式，進行提取評價。結果示於表3。
(保存性試驗3)
除了將保存期間之溫度變更為40℃以外，以與上述保存性試驗1相同之方式，進行提取評價。結果示於表3。
(拉伸彈性模數之測定)
作為測定條件，樣品尺寸係設定初始長度10 mm、剖面積0.1~0.5 mm2 ，於測定溫度23℃、夾頭間距離50 mm、拉伸速度50 mm/min下沿MD方向或TD方向進行拉伸試驗，並測定各方向上之樣品延伸之變化量(mm)。結果，對所得S-S曲線之初始上升部分作切線，將該切線相當於100%拉伸時之拉伸強度除以基材膜之剖面積，作為拉伸彈性模數。再者，關於紫外線照射後之拉伸彈性模數之測定，係根據上述照射條件自聚烯烴膜側照射紫外線後來進行。
(切晶環之殘糊)
將切晶膜自切晶環上剝離，目視確認切晶環上是否產生殘糊。當確認有殘糊時評價為×，當確認不到時評價為○。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
2a‧‧‧與半導體晶圓貼附部分相對應之部分
2b‧‧‧與半導體晶圓貼附部分相對應之部分以外的部分
3、3'‧‧‧黏晶膜
3a‧‧‧半導體晶圓貼附部分
3b‧‧‧半導體晶圓貼附部分3a以外的部分
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被黏接體
7‧‧‧接線
8‧‧‧密封樹脂
9‧‧‧加熱塊
10、11‧‧‧切晶黏晶膜
圖1係表示本發明之一實施形態的切晶黏晶膜之剖面示意圖；圖2係表示本發明之另一實施形態的其他切晶黏晶膜之剖面示意圖；圖3A係表示於上述切晶黏晶膜中之黏晶膜上安裝半導體晶圓之形態的剖面示意圖；圖3B係表示切割上述半導體晶圓之形態的剖面示意圖；圖3C係表示藉由頂針頂起由上述半導體晶圓之切晶而得半導體晶片之形態的剖面示意圖；圖3D係表示提取上述半導體晶片之形態的剖面示意圖；及圖3E係表示上述半導體晶片被黏晶於被黏接體上之後藉由密封樹脂來密封之形態的剖面示意圖。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
2a‧‧‧與半導體晶圓貼附部分相對應之部分
2b‧‧‧與半導體晶圓貼附部分相對應之部分以外的部分
3‧‧‧黏晶膜
3a‧‧‧半導體晶圓貼附部分
3b‧‧‧半導體晶圓貼附部分3a以外的部分
4‧‧‧半導體晶圓
10‧‧‧切晶黏晶膜

Claims (9)

  1. 一種切晶黏晶膜，其係具備：在基材上具有放射線硬化型黏著劑層之切晶膜、以及設置於該黏著劑層上之黏晶膜者，且上述黏著劑層中之黏著劑含有丙烯酸系聚合物而構成，上述丙烯酸系聚合物以CH2 =CHCOOR(式中，R為碳數為6~10之烷基)表示之丙烯酸酯作為主要單體，上述丙烯酸系聚合物含有選自丙烯酸-2-羥乙酯及丙烯酸-4-羥丁酯所組成群中之至少1種以上之含羥基單體、與選自2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯及2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯所組成群中之至少1種以上之具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，上述丙烯酸系聚合物之酸值為0.01~1，碘值為5~10之範圍內。
  2. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述丙烯酸系聚合物之羥值為7~30之範圍內。
  3. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述CH2 =CHCOOR表示之單體含量係相對於全部單體成分而在50~91 mol%之範圍內(式中，R為碳數為6~10之烷基)。
  4. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述CH2 =CHCOOR(式中，R為碳數為6~10之烷基)為丙烯酸-2-乙基己酯、或者丙烯酸異辛酯。
  5. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述含羥基單體之含量係相對於上述丙烯酸酯而在10~30 mol%之範圍內。
  6. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述丙烯酸系聚合物之重量平均分子量在35萬~100萬之範圍內。
  7. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層在放射線照射前於23℃下之拉伸彈性模數在0.4~3.5 MPa之範圍內，在放射線照射後於23℃下之拉伸彈性模數在7~100 MPa之範圍內。
  8. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層含有在分子中具有2個以上對羥基表現反應性之官能基的交聯劑。
  9. 如請求項8之切晶黏晶膜，其中上述交聯劑為選自由異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑以及三聚氰胺系交聯劑所組成群中之至少任意1種。
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