TWI450825B - A film for forming a protective layer - Google Patents

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Description

保護層形成用膜
本發明係關於一種依序積層有支撐基材、黏著劑層及熱硬化性樹脂層而成之保護層形成用膜。
先前，隨著形成於半導體晶片中之電路圖案之微細化，電路之間之距離接近，因此接近之電路間之電容增大。並且，產生電路傳播之信號與其成比例地變慢之現象(信號延遲)。因此，提出使用介電常數較低之所謂low-k材料(低介電材料)於電路上形成低介電材料層來降低電路間電容之方案。
作為上述低介電材料層，例如可列舉：SiO2 膜(相對介電常數k=4.2)、SiOF膜(k=3.5~3.7)、SiOC膜(k=2.5~2.8)等。此種低介電材料層例如可利用電漿CVD法形成於半導體晶圓上。
然而，如上所述之低介電材料層非常脆，有於半導體製程之切割步驟中產生龜裂，引起半導體元件之動作異常之虞。因此，近年來，採取使用雷射先去掉低介電材料層之後(雷射劃線)用刀片等進行切割之方法(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-093273號公報
然而，於此種方法中，於進行切割時，首先進行雷射劃線，其後用刀片等進行切割，因此有步驟數增加之問題。 又，即便使用雷射劃線，由於低介電材料層較脆，因此無法充分地減少龜裂之產生，就該方面而言有改善之餘地。
本發明係鑒於上述問題方面而完成者，其目的在於，提供一種可抑制半導體裝置製造時之步驟數增加並且防止低介電材料層之龜裂之保護層形成用膜。
本申請案發明者等為了解決上述先前之問題方面進行研究，結果發現，只要使用如下之保護層形成用膜，則可抑制半導體裝置製造時之步驟數增加並且防止低介電材料層之龜裂，從而完成本發明：依序積層有支撐基材、黏著劑層及熱硬化性樹脂層，上述熱硬化性樹脂層之熔融黏度在特定之範圍內，並且上述黏著劑層之剪切彈性模數為特定之範圍內之溫度存在於50~120℃之溫度範圍內。
即，本發明之保護層形成用膜之特徵在於：其係用以於形成有低介電材料層之附有凸點之晶圓上形成保護層者，且依序積層有支撐基材、黏著劑層及熱硬化性樹脂層，上述熱硬化性樹脂層之熔融黏度為1×102 Pa．S以上且未達2×104 Pa．S，並且上述黏著劑層之剪切彈性模數為1×103 Pa以上2×106 Pa以下之溫度存在於50~120℃之溫度範圍內。
上述保護層形成用膜例如係下述半導體裝置之製造方法 中所使用。該半導體裝置之製造方法包括：於形成有低介電材料層之附有凸點之晶圓上，以上述熱硬化性樹脂層作為貼合面而貼合上述保護層形成用膜之步驟；將上述支撐基材及上述黏著劑層自上述熱硬化性樹脂層剝離之步驟；加熱上述熱硬化性樹脂層而使其硬化，形成保護層之步驟；以及將上述附有凸點之晶圓與保護層一起切割之步驟。
因此，根據本發明之保護層形成膜，由於可於附有凸點之晶圓之低介電材料層上形成保護層，因此可由保護層加強低介電材料層。又，若其後將附有凸點之晶圓與保護層一起切割，則由於低介電材料層於由保護層加強之狀態下經切割，因此可抑制於低介電材料層中產生龜裂。又，由於低介電材料層於由保護層加強之狀態下經切割，因此亦可不必預先利用雷射劃線等去除低介電材料層。其結果，可抑制步驟數之增加。
又，由於上述熱硬化性樹脂層之熔融黏度為1×102 Pa．S以上且未達2×104 Pa．S，並且上述黏著劑層之剪切彈性模數為1×103 Pa以上且2×106 Pa以下之溫度存在於50~120℃之溫度範圍內，因此若於該溫度範圍內於附有凸點之晶圓上貼合保護層形成用膜，則可使凸點自熱硬化性樹脂層中突出。其結果，可抑制連接可靠性之降低。
又，若於上述溫度範圍內，於附有凸點之晶圓上貼合保護層形成用膜，則由於在該溫度範圍內，熱硬化性樹脂層之熔融黏度為1×102 Pa．S以上，因此於附有凸點之晶圓上 貼合保護層形成用膜時，可防止熱硬化性樹脂層脫落，能可靠地形成保護層。又，若於上述溫度範圍內，於附有凸點之晶圓上貼合保護層形成用膜，則由於在上述溫度範圍內，熱硬化性樹脂層之熔融黏度未達2×104 Pa．S，因此能更可靠地使凸點自熱硬化性樹脂層中突出。
於上述構成中，上述熱硬化性樹脂層之厚度較佳為5 μm以上200 μm以下。作為附有凸點之晶圓之凸點之高度，通常使用5~200 μm者。因此，藉由將上述熱硬化性樹脂層之厚度設為200 μm以下，於附有凸點之晶圓上貼合保護層形成用膜時，可使凸點自熱硬化性樹脂層中更可靠地突出。又，藉由將上述熱硬化性樹脂層之厚度設為5 μm以上，能可靠地防止切割時之低介電材料層之龜裂。
於上述構成中，較佳為上述熱硬化性樹脂層包含環氧樹脂及苯酚樹脂，上述黏著劑層包含丙烯酸系聚合物。藉由將熱硬化性樹脂層設為以環氧樹脂及苯酚樹脂作為基質之層，將黏著劑層設為以丙烯酸系聚合物作為基質之層，可提高熱硬化性樹脂層與黏著劑層之剝離性。
根據本發明，可提供一種能夠抑制半導體裝置製造時之步驟數增加並且防止低介電材料層之龜裂之保護層形成用膜。
一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明，但本發明並不限定於該等例。再者，於圖中，省略說明中不需 要之部分，又，為了使說明容易有放大或縮小等而圖示之部分。以下首先對本實施形態之保護層形成用膜進行說明。圖1係示意性地表示本實施形態之保護層形成用膜之一例的剖面圖。
(保護層形成用膜)
如圖1所示，保護層形成用膜10具有依序積層有支撐基材12、黏著劑層14及熱硬化性樹脂層16而成之構成。再者，熱硬化性樹脂層16之表面於直至貼附於晶圓上期間，亦可由分隔件等保護。
此處，對保護層形成用膜10所貼附之附有凸點之晶圓進行說明。圖2係示意性地表示附有凸點之晶圓之一例的剖面圖。如圖2所示，附有凸點之晶圓3具有半導體晶圓2及形成於半導體晶圓2之電路面側之凸點51。又，附有凸點之晶圓3於半導體晶圓2之電路面側具有低介電材料層41。
作為半導體晶圓2，只要為公知或慣用之半導體晶圓，則無特別限制，可自各種原材料之半導體晶圓中適當地選擇使用。於本發明中，作為半導體晶圓，可較佳使用矽晶圓。作為半導體晶圓2之厚度，例如可使用10~800 μm之厚度，尤其可使用20~200 μm之厚度。作為凸點51之高度，例如通常使用5~200 μm之高度，尤其是使用10~100 μm之高度。
作為低介電材料層41，可使用介電常數較低之所謂low-k材料來形成，例如可列舉：SiO2 膜(相對介電常數k=4.2)、SiOF膜(k=3.5~3.7)、SiOC膜(k=2.5~2.8)等。低介電材料層 41可利用電漿CVD法等形成於半導體晶圓2上。
於保護層形成用膜10(參照圖1)中，熱硬化性樹脂層16之熔融黏度為1×102 Pa．S以上且未達2×104 Pa．S，並且黏著劑層14之剪切彈性模數為1×103 Pa以上且2×106 Pa以下之溫度存在於50~120℃之溫度範圍內。於保護層形成用膜10(參照圖1)中，更佳為熱硬化性樹脂層16之熔融黏度為1×103 Pa．S以上且未達1×104 Pa．S，並且黏著劑層14之剪切彈性模數為1×104 Pa以上2×106 Pa以下之溫度存在於50~120℃之溫度範圍內。由於熱硬化性樹脂層16之熔融黏度為1×102 Pa．S以上且未達2×104 Pa．S，並且黏著劑層15之剪切彈性模數為1×103 Pa以上2×106 Pa以下之溫度存在於50~120℃之溫度範圍內，因此若於該溫度範圍內，於附有凸點之晶圓3上貼合保護層形成用膜10，則可使凸點自熱硬化性樹脂層16中突出。其結果為，可抑制連接可靠性之降低。熱硬化性樹脂層16之熔融黏度可根據熱硬化性樹脂之調配比等來控制。熱硬化性樹脂層16之熔融黏度為1×102 Pa．S以上且未達2×104 Pa．S、並且黏著劑層15之剪切彈性模數為1×103 Pa以上2×106 Pa以下之溫度範圍，更佳為50~100℃，進而較佳為60~90℃。
又，若於上述溫度範圍內，於附有凸點之晶圓3上貼合保護層形成用膜10，則由於在該溫度範圍內，熱硬化性樹脂層16之熔融黏度為1×102 Pa．S以上，因此於附有凸點之晶圓3上貼合保護層形成用膜10時，可防止熱硬化性樹脂層16脫落，能可靠地形成保護層17。又，若於上述溫度範 圍內，於附有凸點之晶圓3上貼合保護層形成用膜10，則由於在該溫度範圍內，熱硬化性樹脂層16之熔融黏度未達2×104 Pa．S，因此可使凸點自熱硬化性樹脂層16中更可靠地突出。
熱硬化性樹脂層之熔融黏度係使用流變計(HAAKE公司製造，RS-1)利用平行板法測定出之值。更詳細而言，係於間隙100 μm、旋轉錐直徑20 mm、轉速10 s-1 之條件下，於室溫至250℃之範圍內進行測定時之值。
(熱硬化性樹脂層)
熱硬化性樹脂層16貼附於附有凸點之晶圓3的形成有凸點51之面上，用以於研削附有凸點之晶圓3之背面時保持、固定附有凸點之晶圓3。又，熱硬化性樹脂層16於貼合於附有凸點之晶圓3上之後熱硬化，形成保護層17。於對附有凸點之晶圓3進行切割時，保護層17具有保護低介電材料層41之功能。
熱硬化性樹脂層16具有膜狀之形態。熱硬化性樹脂層16通常於作為產品之保護層形成用膜10之形態下，為未硬化狀態(包括半硬化狀態)，於貼附於附有凸點之晶圓3(參照圖2)上之後經熱硬化(下文敍述詳細情況)。
熱硬化性樹脂層16可由至少含有熱硬化性樹脂之樹脂組合物來構成。上述樹脂組合物亦可含有熱塑性樹脂。
作為上述熱硬化性樹脂，除了環氧樹脂、苯酚樹脂以外，亦可列舉：胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。熱硬化性 樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上使用。作為熱硬化性樹脂，特別較佳為含有腐蝕半導體元件之離子性雜質等較少之環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，可較佳使用苯酚樹脂。於包含環氧樹脂及苯酚樹脂而構成熱硬化性樹脂層16之情形時，較佳為於黏著劑層14中含有丙烯酸系聚合物。其原因在於，可提高熱硬化性樹脂層16與黏著劑層14之剝離性。
作為環氧樹脂，並無特別限定，例如可使用雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芴型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂，或者乙內醯脲型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯型環氧樹脂或者縮水甘油胺型環氧樹脂等環氧樹脂。
作為環氧樹脂，於上述例示之中，特別較佳為萘型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂。就回流時之耐熱性之觀點而言，較佳使用該等環氧樹脂。
上述環氧樹脂較佳為環氧當量為150~1000 g/eq者，更佳為150~400 g/eq者。藉由將上述環氧樹脂之環氧當量設為150~400 g/eq，可更提高耐熱性。
進而，上述苯酚樹脂係發揮作為上述環氧樹脂之硬化劑之作用者，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基 樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型苯酚樹脂，甲酚型苯酚樹脂、聚對氧基苯乙烯等聚氧基苯乙烯等。苯酚樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上使用。於該等苯酚樹脂之中，就耐熱性之觀點而言，較佳使用苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。
就耐熱性、高溫時之應力緩和性而言，上述苯酚樹脂較佳為苯酚當量為90~300 g/eq者，更佳為100~270 g/eq者，進而較佳為150~250 g/eq者。
環氧樹脂與苯酚樹脂之調配比例，例如較佳為於上述環氧樹脂成分中之每1當量環氧基中苯酚樹脂中之羥基調配成0.5當量~2.0當量。更佳之比例為0.8當量~1.2當量。即其原因在於，若兩者之調配比例脫離上述範圍，則不會進行充分之硬化反應，環氧樹脂硬化物之特性容易劣化。
於本發明中，亦可使用環氧樹脂與苯酚樹脂之熱硬化促進觸媒。作為熱硬化促進觸媒，並無特別限制，可自公知之熱硬化促進觸媒中適當地選擇使用。熱硬化促進觸媒可單獨使用，亦可組合2種以上使用。作為熱硬化促進觸媒，例如可使用胺系硬化促進劑、磷系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、磷-硼系硬化促進劑等。
作為上述胺系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉：單乙醇胺三氟硼酸酯(Stella-Chemifa(股)製造)、雙氰胺(Nacalai Tesque(股)製造)等。
作為上述磷系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉：三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機膦，四苯基溴化鏻(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MOC)、苄基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-ZC)等(均為北興化學(股)製造)。又，作為上述三苯基膦系化合物，較佳為對於環氧樹脂實質上顯示出非溶解性之化合物。若對於環氧樹脂為非溶解性，則可抑制熱硬化過度進行。作為具有三苯基膦結構並且對於環氧樹脂實質上顯示出非溶解性之熱硬化觸媒，例如可例示甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)等。再者，上述之所謂「非溶解性」意指，包含三苯基膦系化合物之熱硬化觸媒對於包含環氧樹脂之溶劑為不溶性，更詳細而言，意指於溫度10~40℃之範圍中不會溶解10重量%以上。
作為上述咪唑系硬化促進劑，可列舉：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽(商品 名：2PZCNS-PW)、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三(商品名：2MZ-A)、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-均三(商品名：C11Z-A)、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三異氰脲酸加成物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等(均為四國化成工業(股)製造)。
作為上述硼系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉三氯硼烷等。
作為上述磷-硼系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉：四苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四對三硼酸鹽(商品名：TPP-MK)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均為北興化學(股)製造)。
上述熱硬化促進觸媒之比例相對於熱硬化性樹脂總量較佳為0.01重量%以上10重量%以下。藉由將熱硬化促進觸媒之比例設為0.01重量%以上，可使硬化充分。又，藉由將熱硬化促進觸媒之比例設為10重量%以下，可降低製造成本。熱硬化促進觸媒之上述比例相對於熱硬化性樹脂總量更佳為0.1重量%以上5重量%以下，進而較佳為0.3重量%以上3重量%以下。
為了實現熱硬化性樹脂層16對於附有凸點之晶圓3於高 溫下之接著特性之提高、耐熱性之改善，亦可將熱硬化性樹脂層16預先於某種程度下交聯。於製作時，可藉由添加與聚合物之分子鏈末端之官能基等反應之多官能性化合物作為交聯劑來交聯。
作為上述交聯劑，並無特別限制，可使用公知之交聯劑。具體而言，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑，此外亦可列舉：尿素系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。作為交聯劑，較佳為異氰酸酯系交聯劑或環氧系交聯劑。又，上述交聯劑可單獨使用，亦可組合2種以上使用。
作為上述異氰酸酯系交聯劑，例如可列舉：二異氰酸1,2-乙二酯、二異氰酸1,4-丁二酯、二異氰酸1,6-己二酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；二異氰酸環戊二酯、二異氰酸環己二酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族聚異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類等，此外，亦可使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物[日本聚胺酯工業(股)製造，商品名「Coronate L」]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加成物[日本聚胺酯工業(股)製造，商品名「Coronate HL」]等。又，作為上述環氧系交聯劑，例如可列舉：N,N,N',N'-四縮水甘 油基-間二甲苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、山梨糖醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥基乙基)異氰尿酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚-S-二縮水甘油醚，此外亦可列舉於分子內具有2個以上環氧基之環氧系樹脂等。
再者，交聯劑之使用量並無特別限制，可根據交聯之程度適當地選擇。具體而言，作為交聯劑之使用量，例如相對於聚合物成分(特別是具有分子鏈末端之官能基之聚合物)100重量份，通常較佳設為7重量份以下(例如0.05重量份~7重量份)。藉由將交聯劑之使用量相對於聚合物成分100重量份設為7重量份以下，可抑制接著力之降低。再者，就提高凝聚力之觀點而言，交聯劑之使用量較佳為相對於聚合物成分100重量份為0.05重量份以上。
再者，於本發明中，亦可代替交聯劑，或者使用交聯劑並且利用電子束或紫外線等之照射實施交聯處理。
作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁 二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者氟樹脂等。熱塑性樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上使用。於該等熱塑性樹脂之中，特別較佳為離子性雜質較少、耐熱性較高、可確保半導體元件之可靠性之丙烯酸樹脂。
作為上述丙烯酸樹脂，並無特別限定，可列舉以具有碳數30以下(較佳為碳數4~18、更佳為碳數6~10、特別佳為碳數8或9)之直鏈或支鏈之烷基之丙烯酸或者甲基丙烯酸之酯的1種或2種以上作為成分之聚合物等。即，於本發明中，所謂丙烯酸樹脂為亦包括甲基丙烯酸樹脂之廣義之意思。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
又，作為用以形成上述丙烯酸樹脂之其他之單體(烷基之碳數為30以下之丙烯酸或者甲基丙烯酸之烷基酯以外之單體)，並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸或丁烯酸等各種含有羧基之單體，順丁烯二酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁 酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或(4-羥基甲基環己基)-甲基丙烯酸酯等各種含有羥基之單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等各種含有磺酸基之單體，或者2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等各種含有磷酸基之單體等。再者，所謂(甲基)丙烯酸係指丙烯酸及/或甲基丙烯酸，本發明之所謂(甲基)均為相同之意思。
於熱硬化性樹脂層16中，視需要可適當地調配其他之添加劑。作為其他之添加劑，例如可列舉：填充劑(filler)、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑，此外亦可列舉：增量劑、抗老化劑、防氧化劑、界面活性劑等。
作為上述填充劑，可為無機填充劑、有機填充劑中之任一者，但較佳為無機填充劑。藉由無機填充劑等填充劑之調配，可實現熱應力之耐受性提高。作為上述無機填充劑，例如可列舉：二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊錫等金屬，或者合金類，以及包含碳等之各種無機粉末等。填充劑可單獨使用，亦可併用2種以上使用。作為填充劑，其中較佳為二氧化矽，特別較佳為熔融二氧化矽。再者，無機填充劑之平均粒徑較佳為0.1 μm~80 μm之範圍內。無機填充劑之平均粒徑例如可利用雷射繞射型粒度分佈測定裝置來測 定。
上述填充劑(特別是無機填充劑)之調配量相對於有機樹脂成分100重量份較佳為80重量份以下(0重量份~80重量份)，特佳為0重量份~70重量份。
又，作為上述阻燃劑，例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。阻燃劑可單獨使用，亦可併用2種以上使用。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。矽烷偶合劑可單獨使用，亦可併用2種以上使用。作為上述離子捕捉劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍等。離子捕捉劑可單獨使用，亦可併用2種以上使用。
熱硬化性樹脂層16例如可利用如下之慣用之方法來形成：將環氧樹脂等熱硬化性樹脂、視需要之丙烯酸樹脂等熱塑性樹脂、視需要之溶劑及其他添加劑等混合而製備樹脂組合物，形成膜狀之層。具體而言，例如可利用將上述樹脂組合物塗佈於黏著劑層14上之方法、於適當之分隔件(剝離紙等)上塗佈上述樹脂組合物而形成樹脂層並將其轉印(轉移)至黏著劑層14上之方法等來形成膜狀之熱硬化性樹脂層16。再者，上述樹脂組合物可為溶液，亦可為分散液。
於本發明中，由於熱硬化性樹脂層係由含有熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成之膜狀物，因此可有效地發揮對於附有凸點之晶圓3之密著性。
關於熱硬化性樹脂層16之厚度(積層膜之情形時為總厚度)，只要於貼合於附有凸點之晶圓3上時，能將凸點51突出即可，較佳為2 μm~200 μm，更佳為2 μm~100 μm，進而較佳為5 μm~50 μm。
又，熱硬化性樹脂層16較佳為具有凸點51之高度之0.05~0.9倍之厚度，更佳為具有0.05~0.7倍之厚度。若熱硬化性樹脂層16具有凸點51之高度之0.05~0.9倍之厚度，則於附有凸點之晶圓3上貼合保護層形成用膜10時，可使凸點51自熱硬化性樹脂層16可靠地突出。
較佳將熱硬化性樹脂層16之表面由分隔件(剝離襯墊)保護(未圖示)。分隔件具有作為保護熱硬化性樹脂層16直至供實用之保護材料之功能。又，分隔件可用作於黏著劑層14上轉印熱硬化性樹脂層16時之支撐基材。分隔件於保護層形成用膜10上貼附附有凸點之晶圓3時經剝離。作為分隔件，亦可使用聚乙烯、聚丙烯、或利用氟系剝離劑、長鏈丙烯酸烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠膜(聚對苯二甲酸乙二酯等)或紙等。再者，分隔件可利用先前公知之方法形成。又，分隔件之厚度等亦無特別限制。
(黏著劑層)
作為黏著劑層14之形成時所使用之黏著劑並無特別限制，例如可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等普通之感壓性黏著劑。作為上述感壓性黏著劑，就半導體晶圓或玻璃等怕污染之電子部件之利用超純水或醇等有機溶劑之潔淨清洗性等方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基 質聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系聚合物，例如可列舉：將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數1~30、特別較佳為碳數4~18之直鏈狀或者支鏈狀之烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)之1種或者2種以上作為單體成分使用之丙烯酸系聚合物等。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之所謂(甲基)均為相同之意思。
為了改性凝聚力、耐熱性等，上述丙烯酸系聚合物視需要亦可含有對應於能夠與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或者環烷基酯共聚之其他單體成分之單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含有羧基之單體；順丁烯二酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含有羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯 醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含有磺酸基之單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含有磷酸基之單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等可共聚之單體成分可使用1種或者2種以上。該等可共聚之單體之使用量較佳為全部單體成分之40重量%以下。
進而，為了使上述丙烯酸系聚合物交聯，亦可含有多官能性單體等視需要作為共聚用單體成分。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。該等多官能性單體亦可使用1種或者2種以上。關於多官能性單體之使用量，就黏著特性等方面而言，較佳為全部單體成分之30重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由將單一單體或者2種以上之單體混合物加以聚合而獲得。聚合可用溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸濁聚合等中之任一方式來進行。就防止污染潔淨之被黏附體等方面而言，較佳為低分子量物質之含量較小。就該方面而言，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為30萬以上，進而較佳為40萬~150萬左右。
又，於上述黏著劑中，為了提高作為基質聚合物之丙烯酸系聚合物等之數量平均分子量，亦可適當地採用外部交 聯劑。作為外部交聯方法之具體之方法，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂交聯劑並使其反應之方法。於使用外部交聯劑之情形時，其使用量根據與應交聯之基質聚合物之平衡、進而作為黏著劑之使用用途來適當地決定。一般而言，相對於上述基質聚合物100重量份，較佳調配5重量份左右以下，進而較佳調配0.1~5重量份。進而，於黏著劑中，視需要，除了上述成分以外，亦可使用先前公知之各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
又，黏著劑層14亦可由紫外線硬化型黏著劑來形成。紫外線硬化型黏著劑可根據紫外線之照射使交聯度增大而容易地降低其黏著力。因此，於利用紫外線硬化型黏著劑形成黏著劑層14之情形時，可藉由於附有凸點之晶圓3上貼合保護層形成用膜10之後，藉由紫外線之照射使黏著力降低，而將支撐基材12及黏著劑層14自熱硬化性樹脂層16剝離。
上述紫外線之照射例如較佳以10~1000 mJ/cm2 之紫外線照射累計光量來進行，更佳設為100~500 mJ/cm2 。藉由將紫外線照射累計光量設為10 mJ/cm2 以上，可使黏著劑層14充足地硬化，可防止與熱硬化性樹脂層16之過度之密著。其結果，可於黏著劑層14與熱硬化性樹脂層16之界面良好地剝離。又，可防止於熱硬化性樹脂層16上附著黏著劑層14之黏著劑(所謂糊劑殘餘)。另一方面，藉由將紫外線照射累計光量設為1000 mJ/cm2 以下，可防止因發熱引 起之膜劣化。
上述紫外線硬化型黏著劑可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線硬化性之官能基並且顯示出黏著性之材料。作為紫外線硬化型黏著劑，例如可例示於上述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等普通之感壓性黏著劑中調配紫外線硬化性單體成分或低聚物成分而成的添加型紫外線硬化型黏著劑。
作為所調配之上述紫外線硬化性單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯低聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。又，紫外線硬化性低聚物成分可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，其分子量為100~30000左右之範圍者較為適當。尤其是，為了提高凸點之前端突出性，較佳含有(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。紫外線硬化性單體成分或低聚物成分之調配量可根據上述黏著劑層之種類，適當地決定能夠降低黏著劑層之黏著力之量。一般而言，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基質聚合物100重量份，例如為5~500重量份，較佳為40~150重量份左右。
又，作為紫外線硬化型黏著劑，除了上述所說明之添加型紫外線硬化型黏著劑以外，亦可列舉使用於聚合物側鏈 或主鏈中或者於主鏈末端具有碳-碳雙鍵者作為基質聚合物之內在型紫外線硬化型黏著劑。內在型紫外線硬化型黏著劑無需含有作為低分子量成分之低聚物成分等，或者大多數不含有，因此低聚物等成分不會隨時間於黏著劑中移動，可形成穩定之層結構之黏著劑層，故而較佳。
上述具有碳-碳雙鍵之基質聚合物可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵並且具有黏著性之聚合物。作為此種基質聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架之聚合物。作為丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉上述所例示之丙烯酸系聚合物。
於上述丙烯酸系聚合物中之碳-碳雙鍵之導入法並無特別限制，可採用各種方法，但將碳-碳雙鍵導入聚合物側鏈中者分子設計較為容易。例如可列舉如下之方法：於預先使丙烯酸系聚合物與具有官能基之單體共聚之後，使具有能夠與該官能基反應之官能基及碳-碳雙鍵之化合物於維持碳-碳雙鍵之紫外線硬化性之狀態下進行縮合或加成反應。
作為該等官能基之組合之例，可列舉：羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。於該等官能基之組合之中，就追隨反應之容易性方面而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合。又，只要為利用該等官能基之組合能夠生成上述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物之組合，則官能基可位於丙烯酸系聚合物與上述化合物之任一側，於上述之較佳之組合中，較佳為丙烯酸系聚合物具有 羥基、上述化合物具有異氰酸酯基之情形。於該情形時，作為具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，例如可列舉：異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯等。又，作為丙烯酸系聚合物，使用將上述所例示之含有羥基之單體或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚之醚系化合物等共聚所得之聚合物。
上述內在型紫外線硬化型黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵之基質聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，但亦可以不會使特性變差之程度調配上述紫外線硬化性單體成分或低聚物成分。紫外線硬化性低聚物成分等通常相對於基質聚合物100重量份為30重量份之範圍內，較佳為0~10重量份之範圍。
於上述紫外線硬化型黏著劑中，於利用紫外線等硬化之情形時含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫)-苯基]-2-啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苄基二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲 基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基膦氧化物；醯基磷酸酯等。光聚合起始劑之調配量相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基質聚合物100重量份例如為0.05~20重量份左右。
於由紫外線硬化型黏著劑形成黏著劑層14之情形時，以調整剪切彈性模數、熔融黏度為目的，亦可預先進行紫外線照射。作為該情形時之紫外線照射量，例如可列舉10~1000 mJ/cm2 。
再者，於紫外線照射時會引起因氧引起之硬化阻礙之情形時，較理想為自黏著劑層14之表面利用某些方法來阻斷氧(空氣)。例如可列舉於氮氣環境中進行紫外線之照射之方法等。
黏著劑層14之厚度並無特別限定，但為了更可靠地使凸點露出，較佳為凸點高度之0.1倍以上且未達1.2倍，更佳為凸點高度之0.5倍以上且未達1.2倍。黏著劑層14之厚度具體而言例如較佳為5~300 μm，更佳為5~200 μm。
又，就剝離性之觀點而言，支撐基材12之厚度與黏著劑層14之厚度之總計較佳為20~500 μm，更佳為40~200 μm。
(支撐基材12)
作為支撐基材12，並無特別限制，例如可較佳使用塑膠膜或薄片等塑膠系基材。作為此種塑膠材料之原材料，例 如可列舉：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烴系樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物等以乙烯作為單體成分之共聚物；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；丙烯酸系樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚胺基甲酸酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚醯胺(尼龍)、全芳香族聚醯胺(芳族聚醯胺)等醯胺系樹脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素系樹脂；矽酮樹脂；氟樹脂等。
又，作為支撐基材12之材料，可列舉上述樹脂之交聯體等聚合物。上述塑膠膜可不延伸而使用，亦可視需要使用實施單軸或雙軸之延伸處理之材料。根據利用延伸處理等賦予熱收縮性之樹脂薄片，藉由於將保護層形成用膜10貼合於附有凸點之晶圓3上之後，使支撐基材12熱收縮，而可降低黏著劑層14與熱硬化性樹脂層16之接著面積，可將支撐基材12及黏著劑層14自熱硬化性樹脂層16容易地剝離。
為了提高與鄰接之層之密著性、保持性等，可對支撐基材12之表面實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學性或者物理性處理，利用底塗劑(例如下述之黏著物質)之塗佈處理。
支撐基材12可適當地選擇使用同種或者異種之材料，視需要可使用將數種摻合而成之材料。又，為了對支撐基材12賦予防靜電能力，可於支撐基材12上設置包含金屬、合金、該等之氧化物等之厚度為30~500 Å左右之導電性物質之蒸鍍層。支撐基材12可為單層或者2種以上之多層。
支撐基材12之厚度(積層體之情形時為總厚度)並無特別限制，可根據強度或柔軟性、使用目的等適當地選擇，較佳為10~500 μm，更佳為20~200 μm。
再者，於支撐基材12中，於不損害本發明之效果等之範圍內，亦可含有各種添加劑(著色劑、填充材料、塑化劑、抗老化劑、防氧化劑、界面活性劑、阻燃劑等)。
(保護層形成用膜10之製造方法)
對本實施形態之保護層形成用膜10之製造方法進行說明。首先，支撐基材12可利用先前公知之製膜方法來製膜。作為該製膜方法，例如可例示：壓延製膜法、有機溶劑中之澆鑄法、密閉系統中之吹塑擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
繼而，於支撐基材12上塗佈黏著劑組合物，使其乾燥(視需要將其加熱交聯)而形成黏著劑層14。作為塗佈方式，可列舉：輥塗、絲網塗佈、凹版塗佈等。再者，可將黏著劑層組合物直接塗佈於支撐基材12上，於支撐基材12上形成黏著劑層14，又亦可於將黏著劑組合物塗佈於於表面進行剝離處理之剝離紙等上而形成黏著劑層14之後，將該黏著劑層14轉印於支撐基材12上。此處，視需要，以調 整黏著劑層14之斷裂彈性模數或熔融黏度為目的，對黏著劑層14進行紫外線之照射。
另一方面，將用以形成熱硬化性樹脂層16之形成材料以使乾燥後之厚度達到特定厚度之方式塗佈於剝離紙上，進而於特定條件下乾燥(於需要熱硬化之情形時等，視需要實施加熱處理而乾燥)，形成塗佈層。藉由將該塗佈層轉印於黏著劑層14上，而於黏著劑層14上形成熱硬化性樹脂層16。再者，藉由於黏著劑層14上直接塗佈用以形成熱硬化性樹脂層16之形成材料之後，於特定條件下乾燥(於需要熱硬化之情形時等，視需要實施加熱處理而乾燥)，亦可於黏著劑層14上形成熱硬化性樹脂層16。藉由以上操作，可獲得保護層形成用膜10。
(半導體裝置之製造方法)
於以下一面參照圖3~圖6一面對本實施形態之半導體裝置之製造方法進行說明。圖3~圖6係示意性地表示本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例的剖面圖。
本實施形態之半導體裝置之製造方法至少包括：於附有凸點之晶圓3上，以熱硬化性樹脂層16作為貼合面而貼合保護層形成用膜10之步驟；將支撐基材12及黏著劑層14自熱硬化性樹脂層16剝離之步驟；加熱熱硬化性樹脂層16而使其硬化，形成保護層17之步驟；以及將附有凸點之晶圓3與保護層17一起進行切割之步驟。
首先，如圖3所示，於附有凸點之晶圓3上以熱硬化性樹脂層16作為貼合面而貼合保護層形成用膜10。貼附方法並 無特別限定，較佳為藉由壓接之方法。壓接通常一面利用壓接輥等擠壓機構一面進行擠壓而進行。作為壓接之條件，壓接溫度較佳為25~150℃，更佳為30~100℃。線壓較佳為0.05~1.0 MPa，更佳為0.2~1.0 MPa。壓接速度較佳為1~100 mm/sec，更佳為10~80 mm/sec。藉此，附有凸點之晶圓3所具有之凸點51會自熱硬化性樹脂層16突出。
繼而，視需要，進行附有凸點之晶圓3之背面研削。由於於附有凸點之晶圓3之形成有凸點51之面，貼附有保護層形成用膜10，因此可利用保護層形成用膜10來保持、固定附有凸點之晶圓3。再者，附有凸點之晶圓3之背面係指附有凸點之晶圓3之並未形成凸點51之側的面。
繼而，於附有凸點之晶圓3之背面貼附切割膠帶(未圖示)。作為切割膠帶，可使用先前公知之材料，關於貼附裝置亦可使用先前公知之裝置。
繼而，將支撐基材12及黏著劑層14自熱硬化性樹脂層16剝離。於黏著劑層14為紫外線硬化性樹脂之情形時，視需要，自支撐基材12側照射紫外線。藉此，使黏著劑層14硬化，使黏著劑層14與熱硬化性樹脂層16之界面之剝離力降低。
於剝離時，例如可使用Backgrind Tape剝離裝置MA-3000II(日東精機(股)製造)。此時，熱硬化性樹脂層16(熱硬化前)與黏著劑層14之剝離力較佳為5 N/20 mm寬度以下(例如為0.01 N/20 mm寬度~5 N/20 mm寬度)，更佳為0.01 N/20 mm寬度~1 N/20 mm寬度。藉由將熱硬化性樹脂層 16(熱硬化前)與黏著劑層14之剝離力設為上述數值範圍內，而可將熱硬化性樹脂層16(熱硬化前)與黏著劑層14較佳地剝離。上述剝離力之值為於溫度23±2℃、剝離角度180°、剝離速度300 mm/min、卡盤間距離100 mm之條件下進行T型剝離試驗(JIS K6854-3)中之測定值。又，作為延伸試驗機，使用商品名「Autograph AGS-H」(島津製作所(股)製造)。
繼而，加熱熱硬化性樹脂層16而使其硬化，形成保護層17(參照圖4)。作為加熱條件，加熱溫度較佳為120~200℃，更佳為140~180℃。又，加熱時間較佳為30分鐘~3小時，更佳為1小時~2小時。
繼而，利用切割刀片22將附有凸點之晶圓3與保護層17一起切割(參照圖5)。於切割時，例如可使用具備切割刀片之先前公知之切割裝置。附有凸點之晶圓3所具備之低介電材料層41由於於由保護層17加強之狀態下經切割，因此可抑制於低介電材料層41中產生龜裂。又，由於低介電材料層41於由保護層17加強之狀態下經切割，因此亦可不必預先利用雷射劃線等去除低介電材料層41。其結果，可抑制步驟數之增加。但是，於本發明中，亦可於切割前(例如於將附有凸點之晶圓與保護層形成用膜貼合之前)利用雷射劃線等將切割跡道上之低介電材料層預先去除。於該情形時，就可更可靠地抑制低介電材料層之龜裂方面而言係較佳。
其後，如圖6所示，拾取藉由切割而單片化之半導體晶 片5，接著固定於被黏附體6上。由於半導體晶片5上之凸點51係自保護層17突出，因此可與被黏附體6上之凸點51電性連接。具體而言，將半導體晶片5以使半導體晶片5之凸點形成面與被黏附體6相對向之形態下依照常法固定於被黏附體6上。例如藉由一面於使半導體晶片5之凸點形成面接觸與被黏附體6之連接墊所黏附之接合用之導電材料(焊錫等)61並擠壓，一面使導電材料熔融，而可確保半導體晶片5與被黏附體6之電導通，將半導體晶片5固定於被黏附體6上。此時，於半導體晶片5與被黏附體6之間形成有空隙，該空隙間距離一般為30 μm~300 μm左右。於將半導體晶片5接著於被黏附體6上之後，清洗半導體晶片5與被黏附體6之對向面或間隙，於該間隙中填充密封材料(密封樹脂等)而密封。
作為被黏附體6，可使用引線框或電路基板(配線電路基板等)等各種基板。作為此種基板之材質，並無特別限定，但可列舉：陶瓷基板或塑膠基板。作為塑膠基板，例如可列舉：環氧基板、雙馬來醯亞胺三基板、聚醯亞胺基板等。
作為凸點或導電材料之材質，並無特別限定，例如可列舉：錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫-鋅-鉍系金屬材料等焊錫類(合金)或金系金屬材料、銅系金屬材料等。
於本步驟中，較佳為進行半導體晶片5與被黏附體6之對向面(電極形成面)或間隙之清洗。作為該清洗中所用之清 洗液，並無特別限制，例如可列舉有機系之清洗液、水系之清洗液。
繼而，進行用以將半導體晶片5與被黏附體6之間之間隙密封之密封步驟。密封步驟係使用密封樹脂進行。作為此時之密封條件並無特別限定，但通常藉由於175℃下進行60秒~90秒之加熱而進行密封樹脂之熱硬化，但本發明並不限定於此，例如可於165℃~185℃下進行數分鐘之熟化。
作為上述密封樹脂，只要為具有絕緣性之樹脂(絕緣樹脂)則無特別限制，可自公知之密封樹脂等密封材料中適當地選擇使用，但更佳為具有彈性之絕緣樹脂。作為密封樹脂，例如可列舉包含環氧樹脂之樹脂組合物等。作為環氧樹脂，可列舉上文所例示之環氧樹脂等。又，作為利用含有環氧樹脂之樹脂組合物之密封樹脂，作為樹脂成分，於環氧樹脂以外，亦可含有環氧樹脂以外之熱硬化性樹脂(苯酚樹脂等)或熱塑性樹脂等。再者，作為苯酚樹脂，亦可用作環氧樹脂之硬化劑，作為此種苯酚樹脂，可列舉上文所例示之苯酚樹脂等。
[實施例]
以下，使用實施例對本發明進行詳細說明，但本發明只要不超出其主旨，則不限定於以下之實施例。又，於各例中，只要未特別指出，份均為重量基準。
<支撐基材之準備>
準備厚度為50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜(PET膜)、及 厚度為120 μm之乙烯乙酸乙烯酯共聚物膜(EVA膜)。
<黏著劑層之製作>
於實施例1~9以及比較例1、2中，於所準備之上述支撐基材上，塗佈下述黏著劑組合物溶液A，並使其乾燥而獲得黏著劑層。所製作之黏著劑層之厚度如表1、表2所示。
(黏著劑組合物溶液A)
於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計、以及攪拌裝置之反應容器中，加入丙烯酸-2-乙基己酯(以下亦稱為「2EHA」)86.4份、丙烯酸-2-羥基乙酯(以下亦稱為「HEA」)13.6份、過氧化苯甲醯0.2份、以及甲苯65份，於氮氣環境中以61℃進行6小時聚合處理，獲得丙烯酸系聚合物A。
於丙烯酸系聚合物A中加入異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(以下亦稱為「MOI」)14.6份，於空氣環境中以50℃進行48小時加成反應處理，獲得丙烯酸系聚合物A'。
繼而，相對於丙烯酸系聚合物A'之100份，加入聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」、日本聚胺酯(股)製造)8份、以及光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」、Ciba Specialty Chemicals公司製造)5份，獲得黏著劑組合物溶液A。
<熱硬化性樹脂層之製作>
(熱硬化性樹脂層a)
將環氧當量142 g/eq之萘型環氧樹脂(DIC公司製造，產品名：HP4032D)31.6份、環氧當量169 g/eq之三苯酚甲烷 型環氧樹脂(日本化藥(股)製造，產品名：EPPN501HY)7.9份、苯酚當量175 g/eq之芳烷基型苯酚樹脂(明和化成(股)公司製造，產品名：MEHC7800S)47.3份、丙烯酸丁酯-丙烯腈-甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚物(Nagase Chemtex(股)公司製造，產品名：SG-28GM)12份、以及作為硬化觸媒之三苯基膦1.2份溶解於甲基乙基酮中，製備固形物成分濃度為38.6重量%之接著劑組合物之溶液。
於將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊(分隔件)之包含進行矽酮脫模處理之厚度為50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜上之後，於130℃下乾燥2分鐘，藉此製作具有表1、表2中記載之厚度之熱硬化性樹脂層a。
(熱硬化性樹脂層b)
將環氧當量169 g/eq之三苯酚甲烷型環氧樹脂(日本化藥(股)製造，產品名：EPPN501HY)38.1份、苯酚當量175 g/eq之芳烷基型苯酚樹脂(明和化成(股)公司製造，產品名：MEHC7800S)40.8份、丙烯酸丁酯-丙烯腈-甲基丙烯酸乙酯共聚物(Nagase Chemtex(股)公司製造，產品名：SG-P3)20份、以及作為硬化觸媒之三苯基膦1.2份溶解於甲基乙基酮中，製備固形物成分濃度為48.0重量%之接著劑組合物之溶液。
於將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊(分隔件)之包含進行矽酮脫模處理之厚度為50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜上之後，於130℃下乾燥2分鐘， 藉此製作具有表1、表2中記載之厚度之熱硬化性樹脂層b。
(熱硬化性樹脂層c)
將環氧當量185 g/eq之雙酚A型環氧樹脂(Japan Epoxy Resins(股)公司製造，產品名：YL-980)34.4份、環氧當量169 g/eq之三苯酚甲烷型環氧樹脂(日本化藥(股)製造，產品名：EPPN501HY)14.8份、苯酚當量175 g/eq之芳烷基型苯酚樹脂(明和化成(股)公司製造，產品名：MEHC7800S)22.6份、苯酚當量105 g/eq之苯酚酚醛清漆樹脂(群榮化學(股)公司製造，產品名：GS-180)15.1份、丙烯酸丁酯-丙烯腈-甲基丙烯酸乙酯共聚物(Nagase Chemtex(股)公司製造，產品名：SG-P3)12份、以及作為硬化觸媒之三苯基膦1.2份溶解於甲基乙基酮中，製備固形物成分濃度為54.4重量%之接著劑組合物之溶液。
於將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊(分隔件)之包含進行矽酮脫模處理之厚度為50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜上之後，於130℃下乾燥2分鐘，藉此製作具有表1、表2中記載之厚度之熱硬化性樹脂層c。
<保護層形成用膜之製作>
於實施例1~9以及比較例1、2中，於利用上述操作製作之黏著劑層上，分別貼合利用上述操作製作之熱硬化性樹脂層，製作保護層形成用膜。又，於比較例3、4中，於所準備之上述支撐基材上，分別貼合利用上述操作製作之熱 硬化性樹脂層，製作保護層形成用膜。表1、表2中，表示實施例以及比較例之保護層形成用膜之支撐基材、黏著劑層、及熱硬化性樹脂層之組合。
再者，層壓之條件如下所示。
<層壓條件>
層壓裝置：滾筒層壓機(rolllaminator)
層壓速度：1 mm/min
層壓壓力：0.5 MPa
層壓溫度：室溫(23℃)
(黏著劑層之剪切彈性模數之測定)
測定黏著劑層(關於實施例3~9、比較例1、2係照射表1、表2所示之紫外線之後的黏著劑層)之剪切彈性模數。剪切彈性模數之測定係使用所製備之黏著劑組合物溶液A形成黏著劑層(厚度0.2 mm)，使用剪切彈性模數測定裝置(Rheometric公司製造，ARES)測定。具體而言，將溫度設為表1、表2所示之「貼合溫度」，於頻率1 Hz、板直徑7.9 mm、以及應變1%之條件下測定該樣品之剪切彈性模數。將結果示於表1、表2中。
(熔融黏度之測定)
測定熱硬化性樹脂層(熱硬化前)之熔融黏度。熔融黏度之測定係使用流變計(HAAKE公司製造，RS-1)，利用平行板法測定出之值。更具體而言，係於間隙100 μm、旋轉錐直徑20 mm、轉速10 s-1 之條件下，於室溫至250℃之範圍內進行測定時之值，將表1、表2所示之「貼合溫度」下之 值作為測定值。將結果示於表1、表2中。
(黏著劑層與熱硬化性樹脂層之剝離力、以及黏著劑層與熱硬化性樹脂層之界面中之剝離性)
於附有凸點之矽晶圓之形成有凸點之側的面中，以熱硬化性樹脂層作為貼合面而貼合實施例及比較例之保護層形成用膜。作為附有凸點之矽晶圓，使用以下晶圓。又，貼合條件如下所示。
<附有凸點之矽晶圓>
矽晶圓之厚度：200 μm
低介電材料層之材質：SiN膜
低介電材料層之厚度：0.3 μm
凸點之高度：65 μm
凸點之間距：150 μm
凸點之材質：焊錫
<貼合條件>
貼合裝置：DR-3000II(日東精機(股)公司製造)
層壓速度：0.1 mm/min
層壓壓力：0.5 MPa
層壓溫度：如表1、表2之「貼合溫度」所示設定
繼而，測定黏著劑層與熱硬化性樹脂層之剝離力。具體而言，作為延伸試驗，使用商品名「Autograph AGS-H」(島津製作所(股)製造)，於溫度23±2℃、剝離角度180°、剝離速度300 mm/min、卡盤間距離100 mm之條件下，進行模具剝離試驗(JIS K6854-3)。將結果示於表1、表2中。 又，於實施例1~2中，自支撐基材側照射紫外線，使黏著劑層硬化。於紫外線照射時，使用紫外線照射裝置(產品名：UM810，製造商：日東精機(股)製造)，紫外線放射量設為400 mJ/cm2 。其後，測定黏著劑層與熱硬化性樹脂層之剝離力。將結果作為「剝離前紫外線照射後之黏著劑層與熱硬化性樹脂層之剝離力」示於表1、表2中。
又，嘗試是否可將附有支撐基材之黏著劑層自保護層(熱硬化性樹脂層)剝離。將能夠於黏著劑層與熱硬化性樹脂層之界面中剝離者評價為○，將無法剝離者評價為×。將結果示於表1、表2中。
(凸點前端有無露出)
對於上述剝離性試驗中所用之樣品，觀察半導體晶圓側之面，將凸點之前端露出者評價為○，將未露出者評價為×。將結果示於表1、表2中。
(切割性)
觀察凸點前端之露出之後，於175℃下加熱2小時，使熱硬化性樹脂層硬化而形成保護層。其後，進行附有凸點之矽晶圓之切割。於切割時，使用DU-300(日東電工(股)製造)作為切割膠帶，使用產品名：DFD6361，製造商：DISCO(股)製造作為切割裝置，將附有凸點之矽晶圓與保護層一起切割。再者，切割之條件如下所示。將可不產生低介電材料層之剝離或碎片而切割之情形評價為○，將雖然較少亦產生低介電材料層之剝離或碎片之情形評價為×。將結果示於表1、表2中。但是，於比較例1、3中，由 於無法使凸點之前端露出，因此並未進行切割性評價。又，於比較例4中，由於無法將支撐基材自保護層(熱硬化性樹脂)剝離，因此並未進行切割性評價。
<切割條件>
切割尺寸：10 mm×10 mm
切割速度：30 mm/sec
主軸轉速：40000 rpm
(結果)
於實施例1~9之保護層形成用膜中，可使凸點自熱硬化性樹脂層中突出。另一方面，於比較例1中，由於貼合溫度下之熱硬化性樹脂層之熔融黏度高達1.6×105 Pa．S，因此凸點之前端並未露出。又，於比較例2中，由於貼合溫度下之熱硬化性樹脂層之熔融黏度低至8.9×101 Pa．S，因此構成熱硬化性樹脂層之樹脂於貼合時會流動，無法形成保護層。又，於比較例3中，由於不存在黏著劑層，因此凸點與支撐基材之較硬之PET膜接觸，凸點之前端並未露出。又，於比較例4中，由於不存在黏著劑層，因此使凸點埋沒於支撐基材之柔軟之EVA膜中，藉此可使凸點之前端露出。然而，無法將熱硬化性樹脂層與支撐基板剝離。
2‧‧‧半導體晶圓
3‧‧‧附有凸點之晶圓
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被黏附體
10‧‧‧保護層形成用膜
12‧‧‧支撐基材
14‧‧‧黏著劑層
16‧‧‧熱硬化性樹脂層
17‧‧‧保護層
22‧‧‧切割刀片
41‧‧‧低介電材料層
51‧‧‧凸點
圖1係示意性地表示本實施形態之保護層形成用膜之一例的剖面圖。
圖2係示意性地表示附有凸點之晶圓之一例的剖面圖。
圖3係示意性地表示本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例的剖面圖。
圖4係示意性地表示本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例的剖面圖。
圖5係示意性地表示本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例的剖面圖。
圖6係示意性地表示本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例的剖面圖。
10‧‧‧保護層形成用膜
12‧‧‧支撐基材
14‧‧‧黏著劑層
16‧‧‧熱硬化性樹脂層

Claims (4)

  1. 一種保護層形成用膜，其特徵在於：其係用以於形成有低介電材料層之附有凸點之晶圓上形成保護層者，且依序積層有支撐基材、黏著劑層及熱硬化性樹脂層，上述熱硬化性樹脂層之熔融黏度為1×102 Pa．S以上且未達2×104 Pa．S、且上述黏著劑層之剪切彈性模數為1×103 Pa以上且2×106 Pa以下之溫度存在於50~120℃之溫度範圍內；且該保護層形成用膜係用於包含下述步驟(a)至(e)之半導體裝置之製造方法：步驟(a)：將依序積層有支撐基材、黏著劑層及熱硬化性樹脂層之保護層形成用膜，以上述熱硬化性樹脂層為貼合面，而貼合於形成有低介電材料層之附有凸點之晶圓；步驟(b)：將上述支撐基材與上述黏著劑層自上述熱硬化性樹脂層剝離；步驟(c)：加熱上述熱硬化性樹脂層使其硬化，形成保護層；步驟(d)：對上述附有凸點之晶圓與上述保護層一起進行切割；步驟(e)：拾取藉由切割而單片化之半導體晶片，將其接著固定於被黏附體。
  2. 如請求項1之保護層形成用膜，其中上述熱硬化性樹脂層之厚度為5μm以上且200μm以下。
  3. 如請求項1或2之保護層形成用膜，其中上述熱硬化性樹脂層包含環氧樹脂及苯酚樹脂，上述黏著劑層包含丙烯酸系聚合物。
  4. 一種使用保護層形成用膜之半導體裝置之製造方法，該保護層形成用膜係依序積層有支撐基材、黏著劑層及熱硬化性樹脂層，上述熱硬化性樹脂層之熔融黏度為1×102 Pa．S以上且未達2×104 Pa．S、且上述黏著劑層之剪切彈性模數為1×103 Pa以上且2×106 Pa以下之溫度存在於50~120℃之溫度範圍內；該半導體裝置之製造方法包含下述步驟(a)至(e)：步驟(a)：將上述保護層形成用膜，以上述熱硬化性樹脂層為貼合面，而貼合於附有凸點之晶圓；步驟(b)：將上述支撐基材與上述黏著劑層自上述熱硬化性樹脂層剝離；步驟(c)：加熱上述熱硬化性樹脂層使其硬化，形成保護層；步驟(d)：對上述附有凸點之晶圓與上述保護層一起進行切割；步驟(e)：拾取藉由切割而單片化之半導體晶片，將其接著固定於被黏附體。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI713976B (zh) * 2018-01-16 2020-12-21 日商迪思科股份有限公司 處理晶圓的方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9202714B2 (en) * 2012-04-24 2015-12-01 Micron Technology, Inc. Methods for forming semiconductor device packages
JP6041933B2 (ja) * 2012-11-29 2016-12-14 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法
KR102046534B1 (ko) * 2013-01-25 2019-11-19 삼성전자주식회사 기판 가공 방법
JP5976573B2 (ja) 2013-03-13 2016-08-23 日東電工株式会社 補強シート及び二次実装半導体装置の製造方法
JP6157890B2 (ja) * 2013-03-26 2017-07-05 日東電工株式会社 アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法
KR102224972B1 (ko) * 2014-07-04 2021-03-08 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 필름
JP6481465B2 (ja) * 2014-08-21 2019-03-13 三星ダイヤモンド工業株式会社 複合基板のブレイク方法
JP6021982B2 (ja) * 2015-03-31 2016-11-09 積水化学工業株式会社 バックグラインド−アンダーフィル一体型テープ、及び、半導体チップの実装方法
JP6599134B2 (ja) * 2015-06-04 2019-10-30 デクセリアルズ株式会社 保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP6595296B2 (ja) * 2015-10-19 2019-10-23 デクセリアルズ株式会社 保護テープ、及び半導体装置の製造方法
CN108352365B (zh) * 2015-11-04 2021-08-10 琳得科株式会社 保护膜形成用片
WO2017078052A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 リンテック株式会社 第１保護膜形成用シート
WO2017077809A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
WO2017077957A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP6816918B2 (ja) * 2015-11-04 2021-01-20 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
TWI641494B (zh) * 2015-11-04 2018-11-21 日商琳得科股份有限公司 第一保護膜形成用片、第一保護膜形成方法以及半導體晶片的製造方法
JP2017088758A (ja) * 2015-11-11 2017-05-25 リンテック株式会社 接着シート
JP6660156B2 (ja) * 2015-11-13 2020-03-04 日東電工株式会社 積層体および合同体・半導体装置の製造方法
JP2017092335A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 半導体パッケージの製造方法
SG11201808374TA (en) * 2016-03-30 2018-10-30 Mitsui Chemicals Tohcello Inc Method for manufacturing semiconductor device
JP6887766B2 (ja) * 2016-07-19 2021-06-16 日東電工株式会社 粘着シート
SG11201902955QA (en) 2016-10-05 2019-05-30 Lintec Corp First protective film forming sheet
KR20180126254A (ko) * 2017-05-17 2018-11-27 삼성전자주식회사 기판의 처리 방법
CN109181441B (zh) * 2018-07-23 2021-01-22 北京优氧朗芬莱环保科技有限公司 抗老化涂料、制备方法及在延长水管、电缆寿命上的应用
TWI683415B (zh) * 2018-09-28 2020-01-21 典琦科技股份有限公司 晶片封裝體的製造方法
JP7249160B2 (ja) * 2019-01-29 2023-03-30 日東電工株式会社 積層体
JP7541503B2 (ja) 2019-02-26 2024-08-28 リンテック株式会社 熱硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート
JP7541502B2 (ja) 2019-02-26 2024-08-28 リンテック株式会社 熱硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート
WO2023276731A1 (ja) * 2021-06-28 2023-01-05 リンテック株式会社 保護膜付きチップの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020001688A1 (en) * 2000-05-23 2002-01-03 Hirotaka Ueda Sheet resin composition and process for manufacturing semiconductor device therewith
US20100279491A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Nitto Denko Corporation Die attach film-provided dicing tape and production process of semiconductor device

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3189799B2 (ja) 1991-08-23 2001-07-16 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US6399178B1 (en) * 1998-07-20 2002-06-04 Amerasia International Technology, Inc. Rigid adhesive underfill preform, as for a flip-chip device
US6710454B1 (en) * 2000-02-16 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Adhesive layer for an electronic apparatus having multiple semiconductor devices
JP2002353369A (ja) 2001-05-28 2002-12-06 Sharp Corp 半導体パッケージおよびその製造方法
US20030068841A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-10 Nitto Denko Corporation Process of producing semiconductor device and resin composition sheet used therefor
JP4432316B2 (ja) * 2002-06-26 2010-03-17 日立化成工業株式会社 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
JP3533665B1 (ja) * 2002-12-17 2004-05-31 オムロン株式会社 電子部品モジュールの製造方法、並びに電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法。
MY142246A (en) 2003-06-10 2010-11-15 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive film and process for preparing the same as well as adhesive sheet and semiconductor device
JP4170839B2 (ja) 2003-07-11 2008-10-22 日東電工株式会社 積層シート
JP2006013452A (ja) 2004-05-21 2006-01-12 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法、及びそれに用いる半導体基板加工用の粘着シート
JP4776188B2 (ja) 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
JP2006161038A (ja) 2004-11-12 2006-06-22 Mitsui Chemicals Inc フィルム状接着剤およびそれを用いた半導体パッケージ
JP2006140404A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4668001B2 (ja) * 2005-08-18 2011-04-13 リンテック株式会社 ダイシング・ダイボンド兼用シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2007091794A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Tomoegawa Paper Co Ltd 接着剤組成物及び半導体装置用接着シート
US8034659B2 (en) * 2006-06-23 2011-10-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Production method of semiconductor device and bonding film
KR100773634B1 (ko) * 2006-10-26 2007-11-05 제일모직주식회사 아크릴 바인더 수지조성물를 포함하는 광경화형 점착조성물및 이를 이용한 점착테이프
JP4933233B2 (ja) 2006-11-30 2012-05-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR100963675B1 (ko) 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
JP5428423B2 (ja) * 2008-04-21 2014-02-26 日立化成株式会社 半導体装置及びフィルム状接着剤
JP2010056406A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd 加工用テープ及び加工用テープの製造方法
JP2010056407A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ加工用テープ
US7776649B1 (en) * 2009-05-01 2010-08-17 Powertech Technology Inc. Method for fabricating wafer level chip scale packages
JP2010093273A (ja) 2009-11-13 2010-04-22 Casio Computer Co Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020001688A1 (en) * 2000-05-23 2002-01-03 Hirotaka Ueda Sheet resin composition and process for manufacturing semiconductor device therewith
US20100279491A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Nitto Denko Corporation Die attach film-provided dicing tape and production process of semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI713976B (zh) * 2018-01-16 2020-12-21 日商迪思科股份有限公司 處理晶圓的方法
US11133219B2 (en) 2018-01-16 2021-09-28 Disco Corporation Method of processing a wafer
US11626324B2 (en) 2018-01-16 2023-04-11 Disco Corporation Method of processing a wafer

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