TW201446923A - 底部塡充用接著膜、背面硏削用帶一體型底部塡充用接著膜、切割帶一體型底部塡充用接著膜及半導體裝置 - Google Patents

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TW201446923A
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film
resin
underfill film
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TW103112613A
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Kosuke Morita
Naohide Takamoto
Hiroyuki Hanazono
Akihiro Fukui
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本發明提供一種無損可撓性而提高玻璃轉移溫度之底部填充用接著膜。本發明係關於一種底部填充用接著膜，其包含含有數量平均分子量為600以下之環氧樹脂、數量平均分子量超過500之酚樹脂、及彈性體的樹脂成分，且上述樹脂成分中之上述環氧樹脂之含量為5~50重量%，上述酚樹脂之含量為5~50重量%。

Description

底部填充用接著膜、背面研削用帶一體型底部填充用接著膜、切割帶一體型底部填充用接著膜及半導體裝置
本發明係關於一種底部填充用接著膜、背面研削用帶一體型底部填充用接著膜、切割帶一體型底部填充用接著膜及半導體裝置。
於覆晶安裝之半導體封裝體之製造中，有時於將半導體晶片與基板電性連接後，對半導體晶片與基板之間之空間填充液狀底部填充材料(專利文獻1)。
然而，近年來，半導體晶片之凸塊窄間距化不斷發展，使用液狀底部填充材料之填充方法存在難以填充凸塊形成面之凹凸而產生空隙(氣泡)之情形。因此，提出使用片狀之底部填充材料填充半導體晶片與基板之間之空間的技術(專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4438973號
[專利文獻2]日本專利第4802987號
片狀之底部填充材料要求具有可撓性，但若欲提高可撓性，則玻璃轉移溫度會降低，且熱可靠性會降低。另一方面，若欲提高底部填充用接著膜之熱可靠性，則可撓性會降低，加工性等會降低。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可無損可撓性而獲得較高之熱可靠性的底部填充用接著膜。
本發明係關於一種底部填充用接著膜，其包含含有數量平均分子量為600以下之環氧樹脂、數量平均分子量超過500之酚樹脂、及彈性體的樹脂成分，且上述樹脂成分中之上述環氧樹脂之含量為5~50重量%，上述酚樹脂之含量為5~50重量%。
於本發明中，由於調配特定量之數量平均分子量超過500之酚樹脂(相對高分子量之酚樹脂)，故而可提高玻璃轉移溫度，由於調配特定量之數量平均分子量為600以下之環氧樹脂(相對低分子量之環氧樹脂)，故而可獲得良好之可撓性。進而，藉由調配彈性體，可保持可撓性，並且保持黏度。
上述酚樹脂之羥基當量較佳為200g/eq以上。若酚樹脂之羥基當量為200g/eq以上，則交聯點間之距離增大而因熱硬化所導致之收縮受到抑制，可提高半導體元件之熱可靠性。
上述酚樹脂較佳為包含式(I)所表示之骨架，
(式中，n表示整數)。
藉此，可保持玻璃轉移點，故而進而可提高熱可靠性。
上述環氧樹脂較佳為雙酚A型環氧樹脂或雙酚F型環氧樹脂。藉此，可提高可撓性且獲得良好之熱可靠性。
上述樹脂成分中之上述彈性體之含量較佳為10~40重量%。若彈 性體之含量為上述範圍內，則可保持可撓性並且獲得較高之熱可靠性。
上述彈性體較佳為丙烯酸系樹脂。藉此，可保持電氣可靠性並且提高耐熱性與可撓性。
於對上述底部填充用接著膜在40~100℃下測定黏度之情形時，較佳為存在成為20000Pa‧s以下之溫度。若存在成為20000Pa‧s以下之溫度，則可對被接著體之凹凸無空隙地填充。又，較佳為100~200℃下之最低黏度為100Pa‧s以上。若為100Pa‧s以上，則可抑制因來自接著膜之逸氣而產生之空隙。
較佳為，於上述底部填充用接著膜中包含無機填充劑30~70重量%。藉由將無機填充劑之含量設為30重量%以上，可提高熱硬化物之特性，提高熱可靠性。又，藉由設為70重量%以下，可獲得良好之可撓性，並且良好地覆蓋凸塊形成面之凹凸。
本發明亦關於一種背面研削用帶一體型底部填充用接著膜，其具備上述底部填充用接著膜及背面研削用帶，且於上述背面研削用帶上設置有上述底部填充用接著膜。藉由將底部填充用接著膜與背面研削用帶一體地使用，可提高製造效率。
本發明亦關於一種切割帶一體型底部填充用接著膜，其具備上述底部填充用接著膜及切割帶，且於上述切割帶上設置有上述底部填充用接著膜。藉由將底部填充用接著膜與切割帶一體地使用，可提高製造效率。
本發明亦關於一種使用上述底部填充用接著膜所製作之半導體裝置。
本發明亦關於一種使用上述背面研削用帶一體型底部填充用接著膜所製作之半導體裝置。
本發明亦關於一種使用切割帶一體型底部填充用接著膜所製作 之半導體裝置。
1‧‧‧背面研削用帶
1a‧‧‧基材
1b‧‧‧黏著劑層
2‧‧‧底部填充用接著膜
3‧‧‧半導體晶圓
3a‧‧‧半導體晶圓之電路面
3b‧‧‧半導體晶圓之與電路面相反側之面
4‧‧‧連接構件(凸塊)
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被接著體
7‧‧‧導通材料
10‧‧‧背面研削用帶一體型底部填充用接著膜
11‧‧‧切割帶
11a‧‧‧基材
11b‧‧‧黏著劑層
30‧‧‧半導體裝置
41‧‧‧切割帶
41a‧‧‧基材
41b‧‧‧黏著劑層
42‧‧‧底部填充用接著膜
43‧‧‧半導體晶圓
44‧‧‧連接構件(凸塊)
45‧‧‧半導體晶片
46‧‧‧被接著體
47‧‧‧導通材料
50‧‧‧切割帶一體型底部填充用接著膜
60‧‧‧半導體裝置
圖1係背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之剖面模式面。
圖2A係表示使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖2B係表示使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖2C係表示使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖2D係表示使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖2E係表示使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖2F係表示使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖2G係表示使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖3係切割帶一體型底部填充用接著膜之剖面模式面。
圖4A係表示使用切割帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖4B係表示使用切割帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖4C係表示使用切割帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
圖4D係表示使用切割帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法之一步驟的圖。
[底部填充用接著膜]
本發明之底部填充用接著膜包含：包含數量平均分子量為600以下之環氧樹脂、數量平均分子量超過500之酚樹脂、及彈性體之樹脂成分。
於本發明中，由於調配特定量之數量平均分子量超過500之酚樹脂(相對高分子量之酚樹脂)，故而可提高玻璃轉移溫度，由於調配特定量之數量平均分子量為600以下之環氧樹脂(相對低分子量之環氧樹脂)，故而可獲得良好之可撓性。進而，藉由調配彈性體，可保持可撓性，並且保持黏度。
環氧樹脂之數量平均分子量為600以下，較佳為500以下，更佳為400以下。環氧樹脂之數量平均分子量為600以下，故而可獲得良好之可撓性。環氧樹脂之數量平均分子量之下限並無特別限定，例如為300以上。
再者，數量平均分子量係基於凝膠滲透層析法(GPC)之測定值並藉由標準聚苯乙烯換算而求出。凝膠滲透層析係將TSK G2000H HR、G3000H HR、G4000H HR、及GMH-H HR 4根管柱(均為Tosoh股份有限公司製造)串接而使用，使用四氫呋喃作為沖提液，於流速1ml/min、溫度40℃、樣品濃度0.1重量%之四氫呋喃溶液、樣品注入量500μl之條件下進行，使用示差折射計作為檢測器。
數量平均分子量為600以下之環氧樹脂之環氧當量並無特別限定，較佳為100g/eq以上，更佳為150g/eq以上。若環氧當量未達100g/eq，則有因交聯點變密而由硬化收縮導致無法獲得熱可靠性之可能性。環氧當量之上限較佳為500g/eq以下，更佳為300g/eq以下。若環氧當量超過1000g/eq，則有因交聯點變疏而無法獲得充分之熱可靠性之可能性。
作為數量平均分子量為600以下之環氧樹脂，例如可使用：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂，或乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰尿酸酯型或縮水甘油胺型等之環氧樹脂。該等可單獨使用，或併用兩種以上。其中，由於常溫下之黏度較低而操作性良好，故而較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂。
樹脂成分中之數量平均分子量為600以下之環氧樹脂之含量為5重量%以上，較佳為6重量%以上。該環氧樹脂之含量為5重量%以上，故而可獲得良好之可撓性。另一方面，樹脂成分中之數量平均分子量為600以下之環氧樹脂之含量為50重量%以下，較佳為20重量%以下，更佳為10重量%以下。該環氧樹脂之含量為50重量%以下，故而片材之黏性得到抑制而操作性提高。
本發明之底部填充用接著膜包含數量平均分子量超過500之酚樹脂。酚樹脂之數量平均分子量較佳為1000以上，更佳為1200以上。另一方面，酚樹脂之數量平均分子量之上限並無特別限定，較佳為10000以下。若數量平均分子量為10000以下，則可提高對有機溶劑之溶解性，提高生產性。
數量平均分子量超過500之酚樹脂之羥基當量並無特別限定，較佳為200g/eq以上。若羥基當量為200g/eq以上，則交聯點間之距離增大而因熱硬化所導致之收縮受到抑制，可提高半導體元件之熱可靠性。羥基當量之上限並無特別限定，較佳為500g/eq以下。
作為數量平均分子量超過500之酚樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂，可溶酚醛型 酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。該等可單獨使用，或併用兩種以上。其中，就熱可靠性方面而言，較佳為苯酚芳烷基樹脂，更佳為包含式(I)所表示之骨架者。
(式中，n表示整數)
樹脂成分中之數量平均分子量超過500之酚樹脂之含量為5重量%以上，較佳為10重量%以上，進而較佳為20重量%以上。該酚樹脂之含量為5重量%以上，故而可獲得較高之熱可靠性。另一方面，樹脂成分中之數量平均分子量超過500之酚樹脂之含量為50重量%以下，較佳為40重量%以下。該酚樹脂之含量為50重量%以下，故而可獲得良好之可撓性。
作為彈性體，並無特別限定，就電氣可靠性與耐熱性方面而言，較佳為丙烯酸系樹脂。
作為丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉以具有碳數30以下、尤其是碳數4~18之直鏈或分支之烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸之酯之一種或兩種以上作為成分之聚合物等。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
又，作為形成上述聚合物之其他單體，並無特別限定，例如可列舉：如丙烯腈之含氰基單體，如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基 乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸酸或丁烯酸等之含羧基單體，如順丁烯二酸酐或伊康酸酐等之酸酐單體，如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等之含羥基單體，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之含磺酸基單體，或如2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之含磷酸基單體。
彈性體之重量平均分子量並無特別限定，較佳為10萬以上，更佳為30萬以上。若彈性體之重量平均分子量為10萬以上，則可賦予良好之可撓性。另一方面，彈性體之重量平均分子量較佳為80萬以下，更佳為50萬以下。
樹脂成分中之彈性體之含量較佳為10重量%以上，更佳為15重量%以上。若彈性體之含量為10重量%以上，則可獲得良好之可撓性。另一方面，樹脂成分中之彈性體之含量較佳為50重量%以下，更佳為40重量%以下，進而較佳為35重量%以下。若彈性體之含量為40重量%以下，則可獲得良好之熱可靠性。
除數量平均分子量為600以下之環氧樹脂、數量平均分子量超過500之酚樹脂、及彈性體以外，亦可調配其他樹脂成分。作為其他樹脂成分，例如可列舉：數量平均分子量超過600之環氧樹脂、數量平均分子量為500以下之酚樹脂等。其中，較佳為數量平均分子量為1000以上之環氧樹脂。藉由調配數量平均分子量為1000以上之環氧樹脂，而提高硬化物物性，提高熱可靠性。
作為數量平均分子量為1000以上之環氧樹脂，較佳為數量平均分子量為1500以上者。另一方面，數量平均分子量之上限並無特別限 定，較佳為10000以下。若數量平均分子量為10000以下，則可提高對有機溶劑之溶解性，提高生產性。
作為數量平均分子量為1000以上之環氧樹脂，可使用數量平均分子量為600以下之環氧樹脂中所例示之類型之環氧樹脂。
樹脂成分中之數量平均分子量為1000以上之環氧樹脂之含量較佳為10重量%以上，更佳為20重量%以上。該環氧樹脂之含量為10重量%以上，故而提高硬化物物性，提高熱可靠性。另一方面，樹脂成分中之數量平均分子量為1000以上之環氧樹脂之含量較佳為40重量%以下，更佳為30重量%以下。該環氧樹脂之含量為40重量%以下，故而可保持可撓性。
本發明之底部填充用接著膜較佳為包含硬化促進觸媒。藉此，可促進環氧樹脂(數量平均分子量為600以下之環氧樹脂、數量平均分子量超過600之環氧樹脂等)與酚樹脂(數量平均分子量超過500之酚樹脂、數量平均分子量為500以下之酚樹脂等)之硬化。作為硬化促進觸媒，並無特別限制，可自公知之硬化促進觸媒中適當選擇而使用。作為硬化促進觸媒，例如可使用：胺系硬化促進劑、磷系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、磷-硼系硬化促進劑等。其中，較佳為咪唑系硬化促進劑，更佳為2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑。
硬化促進觸媒之含量係相對於環氧樹脂及酚樹脂之合計含量100重量份，較佳為0.1重量份以上。若硬化促進觸媒之含量為0.1重量份以上，則可使利用熱處理之硬化時間縮短而提高生產性。又，熱硬化促進觸媒之含量較佳為5重量份以下。若熱硬化促進觸媒之含量為5重量份以下，則可提高熱硬化性樹脂之保存性。
本發明之底部填充用接著膜較佳為包含無機填充劑。藉此，可提高耐熱性。作為無機填充劑，可列舉：石英玻璃、滑石、二氧化矽 (熔融二氧化矽或結晶性二氧化矽等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氮化硼之粉末等。其中，就絕緣性優異、熱膨脹率較小方面而言，較佳為二氧化矽，更佳為熔融二氧化矽。
無機填充劑之平均粒徑較佳為0.01μm以上，更佳為0.05μm以上，進而較佳為0.5μm以上。若無機填充劑之平均粒徑為0.01μm以上，則可抑制由填料之表面積對可撓性產生之影響。無機填充劑之平均粒徑較佳為10μm以下，更佳為1μm以下。若無機填充劑之平均粒徑為10μm以下，則可良好地填充至半導體元件與基板之間之間隙。
再者，平均粒徑係利用光度式之粒度分佈計(HORIBA製造，裝置名：LA-910)所求出之值。
底部填充用接著膜中之無機填充劑之含量較佳為30重量%以上，進而較佳為35重量%以上。若無機填充劑之含量為30重量%以上，則可將高溫時之膜黏度調整為良好之範圍。又，底部填充用接著膜中之無機填充劑之含量較佳為70重量%以下，更佳為50重量%以下。若無機填充劑之含量為70重量%以下，則可獲得良好之可撓性，並且良好地覆蓋凸塊形成面之凹凸。
為了去除焊料凸塊表面之氧化膜而使半導體元件之安裝變得容易，亦可於本發明之底部填充用接著膜中添加助焊劑。作為助焊劑，並無特別限定，可使用先前公知之具有助焊作用之化合物，例如可列舉：鄰甲氧基苯甲酸(o-anisic acid)、雙酚酸、己二酸、乙醯水楊酸、苯甲酸、二苯乙醇酸、壬二酸、苄基苯甲酸、丙二酸、2,2-雙(羥基甲基)丙酸、水楊酸、鄰甲氧基苯甲酸(o-methoxybenzoic acid)、間羥基苯甲酸、丁二酸、2,6-二甲氧基甲基對甲酚、苯甲醯肼、碳醯肼、丙二醯肼、丁二醯肼、戊二醯肼、水楊醯肼、亞胺基二乙二醯肼、伊康二醯肼、檸檬三醯肼、硫卡肼、二苯甲酮腙、4,4'-氧基雙苯磺醯肼及己二醯肼等。助焊劑之添加量只要為發揮助焊作用之程度即可，通常 相對於底部填充用接著膜中所含之樹脂成分100重量份為0.1~20重量份左右。
本發明之底部填充用接著膜亦可視需要進行著色。作為藉由著色所呈現之色，並無特別限制，例如較佳為黑色、藍色、紅色、綠色等。於進行著色時，可自顏料、染料等公知之著色劑中適當選擇而使用。
於使本發明之底部填充用接著膜預先某種程度交聯之情形時，製作時，亦可添加與聚合物之分子鏈末端之官能基等反應之多官能性化合物作為交聯劑。作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯之加成物等聚異氰酸酯化合物等。
再者，可於本發明之底部填充用接著膜中視需要適當地調配其他添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑等。作為阻燃劑，例如可列舉：三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。作為矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。作為離子捕捉劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍等。
本發明之底部填充用接著膜例如可以如下之方式製作。首先，調配作為底部填充用接著膜之形成材料之上述各成分，使其等溶解或分散於溶劑(例如，甲基乙基酮、乙酸乙酯等)中而製備塗佈液。繼而，將所製備之塗佈液以成為特定厚度之方式塗佈於基材分隔件上而形成塗佈膜後，將該塗佈膜進行乾燥，而形成底部填充用接著膜。
本發明之底部填充用接著膜之厚度考慮半導體元件與被接著體之間之間隙或連接構件之高度而適當設定即可。厚度較佳為10~100μm。
本發明之底部填充用接著膜於在40~100℃下測定黏度之情形時，具有成為20000Pa‧s以下之溫度。若具有成為20000Pa‧s以下之溫度，則可提高對半導體元件或被接著體之覆蓋性，獲得無空隙之半導體元件。
成為20000Pa‧s以下之溫度可藉由數量平均分子量為600以下之環氧樹脂之含量、數量平均分子量超過500之酚樹脂之含量、彈性體之種類、彈性體之含量、彈性體之分子量、無機填充劑之含量等而進行控制。
本發明之底部填充用接著膜於100~200℃下之最低黏度較佳為100Pa‧s以上，更佳為500Pa‧s以上。若100~200℃下之最低黏度為100Pa‧s以上，則可抑制由膜之逸氣產生之空隙。100~200℃下之最低黏度之上限並無特別限定，較佳為10000Pa‧s以下。若該最低黏度為10000Pa‧s以下，則對被接著體之凹凸之覆蓋性提高。
100~200℃下之最低黏度可藉由數量平均分子量為600以下之環氧樹脂之含量、數量平均分子量超過500之酚樹脂之含量、彈性體之含量、無機填充劑之含量等而進行控制。例如，藉由增大彈性體之含量、增大無機填充劑之含量，可提高100~200℃下之最低黏度。
再者，黏度可使用流變儀進行測定。具體而言，可藉由實施例中記載之方法進行測定。
本發明之底部填充用接著膜較佳為受分隔件保護。分隔件具有於供於實用前作為保護底部填充用接著膜之保護材料的功能。分隔件係於在底部填充用接著膜上貼合半導體元件時被剝去。作為分隔件，亦可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或經氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行過表面塗佈的塑膠膜或紙等。
藉由以本發明之底部填充用接著膜填充半導體元件與被接著體 之間之空間，可保護半導體元件之連接構件與被接著體之導電材料的接合部。作為半導體元件，可列舉：半導體晶圓、半導體晶片、半導體封裝體等。作為被接著體，可列舉：配線電路基板、撓性基板、插入式基板(interposer)、半導體晶圓、半導體元件等。作為連接構件之材質，可列舉：錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫-鋅-鉍系金屬材料等焊料類(合金)、金系金屬材料、銅系金屬材料等。作為導電材料之材質，只要為具有導電性者，則並無特別限定，例如可列舉銅等。
本發明之底部填充用接著膜可與背面研削用帶或切割帶一體化而使用。藉此，可高效率地製造半導體裝置。
[背面研削用帶一體型底部填充用接著膜]
本發明之背面研削用帶一體型底部填充用接著膜具備：背面研削用帶、及上述底部填充用接著膜。
圖1係背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之剖面模式面。如圖1所示，背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10具備：背面研削用帶1、及底部填充用接著膜2。背面研削用帶1具備基材1a及黏著劑層1b，且黏著劑層1b設置於基材1a上。底部填充膜2係設置於黏著劑層1b上。
再者，底部填充用接著膜2可如圖1所示般不積層於背面研削用帶1之整個面，而以足夠與半導體晶圓3(參照圖2A)貼合之尺寸設置即可。
(背面研削用帶)
背面研削用帶1具備：基材1a、及積層於基材1a上之黏著劑層1b。
上述基材1a係成為背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之強度母體者。例如，可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚 乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯，聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂、金屬(箔)、紙等。於黏著劑層1b為紫外線硬化型之情形時，基材1a較佳為對紫外線具有穿透性。
上述基材1a可適當地選擇而使用同種或異種者，可視需要使用摻和有複數種者。可對基材1a之表面實施慣用之表面處理。為了對基材1a賦予防靜電能力，可於上述基材1a上設置包含金屬、合金、該等之氧化物等之厚度為30~500Å左右之導電性物質之蒸鍍層。基材1a亦可為單層或兩種以上之複數層。
基材1a之厚度可適當地決定，通常為約5μm以上且200μm以下，較佳為35μm以上且120μm以下。
再者，基材1a中亦可包含各種添加劑(例如，著色劑、填充劑、塑化劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、阻燃劑等)。
用於形成黏著劑層1b之黏著劑只要為於半導體晶圓之背面研削時可保持半導體晶圓、於背面研削後可自半導體晶圓剝離者，則並無特別限制。例如可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常之感壓性接著劑。作為上述感壓性接著劑，就半導體晶圓或玻璃等避忌污染之電子零件利用超純水或醇等有機溶劑之潔淨洗淨性等方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系聚合物，可列舉將丙烯酸酯用作主單體成分 者。作為上述丙烯酸酯，例如可列舉將一種或兩種以上(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數1~30、尤其是碳數4~18之直鏈狀或分支鏈狀之烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如，環戊酯、環己酯等)用作單體成分之丙烯酸系聚合物等。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯，係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)均為相同含義。
上述丙烯酸系聚合物以凝集力、耐熱性等之改質為目的，視需要亦可包含對應可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚之其他單體成分之單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基單體；順丁烯二酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等可共聚之單體成分可使用一種或兩種以上。該等可共聚之單體之使用量較佳為全部單體成分之40重量%以下。
進而，上述丙烯酸系聚合物為了進行交聯，視需要亦可含有多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚) 丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸聚酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。該等多官能性單體亦可使用一種或兩種以上。多官能性單體之使用量就黏著特性等方面而言，較佳為全部單體成分之30重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由將單一單體或兩種以上單體混合物供於聚合而獲得。聚合亦可利用溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸濁聚合等中之任一種方式進行。就防止對潔淨之被接著體之污染等方面而言，較佳為低分子量物質之含量較小。就該方面而言，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為30萬以上，進而較佳為40萬~300萬左右。
又，上述黏著劑中，為了提高作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物等之數量平均分子量，亦可適當地採用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體方法，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂之交聯劑進行反應之方法。於使用外部交聯劑之情形時，其使用量係根據其與應交聯之基礎聚合物之平衡、進而根據作為黏著劑之使用用途而適當決定。一般而言，相對於上述基礎聚合物100重量份，較佳為調配約5重量份以下，進而較佳為調配0.1~5重量份。進而，黏著劑中，除上述成分以外，視需要亦可使用先前公知之各種黏著賦予劑、抗老化劑等添加劑。
黏著劑層1b可由放射線硬化型黏著劑而形成。放射線硬化型黏著劑可藉由紫外線等放射線之照射而增大交聯度，從而容易地降低其黏著力，可容易地進行拾取。作為放射線，可列舉：X射線、紫外線、電子束、α射線、β射線、中子射線等。
放射線硬化型黏著劑可無特別限定地使用具有碳-碳雙鍵等放射 線硬化性官能基且顯示黏著性者。作為放射線硬化型黏著劑，例如可例示於上述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常之感壓性黏著劑中調配有放射線硬化性之單體成分或低聚物成分的添加型放射線硬化性黏著劑。
作為調配之放射線硬化性之單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯低聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。又，放射線硬化性之低聚物成分可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，較合適為其重量平均分子量為100~30000左右之範圍者。放射線硬化性之單體成分或低聚物成分之調配量可根據上述黏著劑層之種類而適當地決定可降低黏著劑層之黏著力之量。一般而言，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5~500重量份、較佳為40~150重量份左右。
又，作為放射線硬化型黏著劑，除上述說明之添加型放射線硬化性黏著劑以外，亦可列舉使用在聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵者作為基礎聚合物的內在型放射線硬化性黏著劑。內在型放射線硬化性黏著劑無需含有作為低分子成分之低聚物成分等，或含量不大，故而並無低聚物成分等經過一段時間於黏著劑中移動，而可形成層結構穩定之黏著劑層，故而較佳。
上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物，可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵、且具有黏著性者。作為此種基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉上述例示之丙烯酸系聚合物。
向上述丙烯酸系聚合物導入碳-碳雙鍵之導入法並無特別限制，可採用各種方法，但將碳-碳雙鍵導入至聚合物側鏈中時分子設計較為容易。例如可列舉如下方法：預先使具有官能基之單體共聚成丙烯酸系聚合物，此後使具有可與該官能基反應之官能基及碳-碳雙鍵之化合物維持碳-碳雙鍵之放射線硬化性而進行縮合或加成反應。
作為該等官能基之組合之例，可列舉：羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。於該等官能基之組合中，就追蹤反應之容易性而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合。又，只要為藉由該等官能基之組合而生成上述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物的組合，則官能基可位於丙烯酸系聚合物與上述化合物之任一側，於上述較佳之組合中，較佳為丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基之情形。於該情形時，作為具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。又，作為丙烯酸系聚合物，可使用使上述例示之含羥基單體或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚之醚系化合物等共聚而成者。
上述內在型放射線硬化性黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物(尤其是丙烯酸系聚合物)，亦可以不使特性劣化之程度調配上述放射線硬化性之單體成分或低聚物成分。放射線硬化性之低聚物成分等通常相對於基礎聚合物100重量份為30重量份之範圍內，較佳為0~10重量份之範圍。
上述放射線硬化型黏著劑中，於藉由紫外線等進行硬化之情形時，較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧 基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙烷二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基膦氧化物；醯基磷酸酯等。光聚合起始劑之調配量係相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份例如為約0.05~20重量份。
再者，於在放射線照射時由氧引起硬化阻礙之情形時，較理想為利用任意之方法對放射線硬化型之黏著劑層1b之表面阻斷氧(空氣)。例如，可列舉：以分隔件被覆上述黏著劑層1b之表面之方法、或於氮氣環境中進行紫外線等放射線之照射之方法等。
再者，黏著劑層1b中亦可包含各種添加劑(例如，著色劑、增黏劑、增量劑、填充劑、黏著賦予劑、塑化劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。
黏著劑層1b之厚度並無特別限定，就防止晶片切斷面之缺損、保持底部填充用接著膜2固定之兼顧性等觀點而言，較佳為約1~50μm。較佳為2~30μm，進而較佳為5~25μm。
(背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之製造方法)
背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10例如可藉由分別製作背面研削用帶1及底部填充用接著膜2並於最後將該等貼合而製成。
(使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法)
繼而，對使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之半導體裝置之製造方法進行說明。圖2係表示使用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之半導體裝置之製造方法之各步驟的圖。
具體而言，該半導體裝置之製造方法包括：貼合步驟，其係將半導體晶圓3之形成有連接構件4之電路面3a與背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之底部填充用接著膜2進行貼合；研削步驟，其係對半導體晶圓3之背面3b進行研削；晶圓固定步驟，其係於半導體晶圓3之背面3b貼附切割帶11；剝離步驟，其係將背面研削用帶1剝離；切割步驟，其係將半導體晶圓3切割而形成附底部填充用接著膜2之半導體晶片5；及拾取步驟，其係將附底部填充用接著膜2之半導體晶片5自切割帶11剝離；連接步驟，其係以底部填充用接著膜2填充被接著體6與半導體晶片5之間之空間且經由連接構件4將半導體晶片5與被接著體6電性連接；及硬化步驟，其係使底部填充用接著膜2硬化。
<貼合步驟>
於貼合步驟中，將半導體晶圓3之形成有連接構件4之電路面3a與背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之底部填充用接著膜2進行貼合(參照圖2A)。
半導體晶圓3之電路面3a上形成有複數個連接構件4(參照圖2A)。連接構件4之高度係根據用途而決定，一般為約15~100μm。當然，半導體晶圓3中之每個連接構件4之高度可相同亦可不同。
較佳為，形成於半導體晶圓3表面之連接構件4之高度X(μm)與底部填充用接著膜2之厚度Y(μm)滿足下述關係：0.5≦Y/X≦2。
藉由使連接構件4之高度X(μm)與底部填充用接著膜2之厚度Y(μm)滿足上述關係，可充分地填充半導體晶片5與被接著體6之間之空間，並且可防止底部填充用接著膜2自該空間過量溢出，可防止由 底部填充用接著膜2污染半導體晶片5等。再者，於各連接構件4之高度不同之情形時，以最高之連接構件4之高度為基準。
首先，將任意地設置於背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之底部填充用接著膜2上的分隔件適當地剝離，如圖2A所示，使半導體晶圓3之形成有連接構件4之電路面3a與底部填充用接著膜2對向，而將底部填充用接著膜2與半導體晶圓3進行貼合(安裝)。
貼合之方法並無特別限定，較佳為利用壓接之方法。壓接之壓力較佳為0.1MPa以上，更佳為0.2MPa以上。若壓接之壓力為0.1MPa以上，則可良好地覆蓋半導體晶圓3之電路面3a之凹凸。又，壓接之壓力之上限並無特別限定，較佳為1MPa以下，更佳為0.5MPa以下。
貼合之溫度較佳為60℃以上，更佳為70℃以上。若貼合之溫度為60℃以上，則底部填充用接著膜2之黏度降低，可無空隙地填充半導體晶圓3之凹凸。又，貼合之溫度較佳為100℃以下，更佳為80℃以下。若貼合之溫度為100℃以下，則可抑制底部填充用接著膜2之硬化反應而進行貼合。
貼合較佳為於減壓下進行，例如為1000Pa以下，較佳為500Pa以下。下限並無特別限定，例如為1Pa以上。
<研削步驟>
於研削步驟中，對半導體晶圓3之與電路面3a相反側之面(即，背面)3b進行研削(參照圖2B)。作為用於半導體晶圓3之背面研削之薄型加工機，並無特別限定，例如可例示研削機(背面研削機)、研磨墊等。又，亦可利用蝕刻等化學方法進行背面研削。背面研削係進行至半導體晶圓3成為所需厚度(例如，700~25μm)為止。
<晶圓固定步驟>
於研削步驟後，對半導體晶圓3之背面3b貼附切割帶11(參照圖 2C)。再者，切割帶11具有在基材11a上積層有黏著劑層11b之構造。作為基材11a及黏著劑層11b，可使用背面研削用帶1之基材1a及黏著劑層1b之項中所示之成分及製法而較佳地製作。
<剝離步驟>
繼而，將背面研削用帶1剝離(參照圖2D)。藉此，使底部填充用接著膜2成為露出之狀態。
於將背面研削用帶1剝離時，於黏著劑層1b具有放射線硬化性之情形時，可藉由對黏著劑層1b照射放射線而使黏著劑層1b硬化而容易地進行剝離。放射線之照射量係考慮使用之放射線之種類或黏著劑層之硬化度等而適當設定即可。
<切割步驟>
於切割步驟中，如圖2E所示將半導體晶圓3及底部填充用接著膜2切割而形成經切割之附底部填充用接著膜2之半導體晶片5。切割係根據常法自半導體晶圓3之貼合有底部填充用接著膜2之電路面3a而進行。例如，可採用進行切入直至切割帶11之被稱為全切之切斷方式等。作為用於本步驟之切割裝置，並無特別限定，可使用先前公知者。
再者，繼切割步驟後進行切割帶11之擴展之情形時，該擴展可使用先前公知之擴展裝置進行。
<拾取步驟>
如圖2F所示，將附底部填充用接著膜2之半導體晶片5自切割帶11剝離(拾取附底部填充用接著膜2之半導體晶片5)。作為拾取之方法，並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。
此處，於切割帶11之黏著劑層11b為紫外線硬化型之情形時，拾取係於對黏著劑層11b照射紫外線後進行。藉此，黏著劑層11b對半導體晶片5之黏著力降低，半導體晶片5之剝離變得容易。
<連接步驟>
於連接步驟中，以底部填充用接著膜2填充被接著體6與半導體晶片5之間之空間，且經由連接構件4而將半導體晶片5與被接著體6電性連接(參照圖2G)。具體而言，一面使形成於半導體晶片5之連接構件4接觸被接著於被接著體6之連接墊的接合用導電材料7並進行推壓，一面使導電材料7熔融，藉此將半導體晶片5與被接著體6電性連接。於半導體晶片5之電路面3a貼附有底部填充用接著膜2，故而將半導體晶片5與被接著體6電性連接，同時，半導體晶片5與被接著體6之間之空間被底部填充用接著膜2填充。
連接步驟中之加熱條件並無特別限定，通常加熱條件為100~300℃，加壓條件為0.5~500N。
再者，亦可以多階段進行連接步驟中之熱壓接處理。藉由以多階段進行熱壓接處理，可高效率地去除連接構件4與導電材料7間之樹脂，可獲得更良好之金屬間接合。
<硬化步驟>
進行半導體晶片5與被接著體6之電性連接後，藉由加熱底部填充用接著膜2而使其硬化。藉此，可確保半導體晶片5與被接著體6之間之連接可靠性。作為用以使底部填充用接著膜2硬化之加熱溫度，並無特別限定，例如於150~200℃下進行10~120分鐘。再者，亦可藉由連接步驟中之加熱處理而使底部填充用接著膜硬化。
<密封步驟>
繼而，亦可進行密封步驟用以保護具備所安裝之半導體晶片5之半導體裝置30整體。密封步驟係使用密封樹脂進行。作為此時之密封條件，並無特別限定，通常藉由在175℃下進行60秒~90秒之加熱而進行密封樹脂之熱硬化，但本發明並不限定於此，例如可於165℃~185℃下進行數分鐘固化。
作為密封樹脂，較佳為具有絕緣性之樹脂(絕緣樹脂)，可自公知之密封樹脂中適當選擇而使用。
<半導體裝置>
於半導體裝置30中，將半導體晶片5與被接著體6經由形成於半導體晶片5上之連接構件4及設置於被接著體6上之導電材料7而電性連接。又，於半導體晶片5與被接著體6之間，以填充其空間之方式配置有底部填充用接著膜2。
[切割帶一體型底部填充用接著膜]
本發明之切割帶一體型底部填充用接著膜具備：切割帶、及上述底部填充用接著膜。
圖3係切割帶一體型底部填充用接著膜50之剖面模式面。如圖3所示，切割帶一體型底部填充用接著膜50具備：切割帶41、及底部填充用接著膜42。
切割帶41具備基材41a及黏著劑層41b，且黏著劑層41b設置於基材41a上。底部填充膜42係設置於黏著劑層41b上。
再者，底部填充用接著膜42可如圖3所示積層於切割帶41之整個面，亦可以足夠與半導體晶圓43(參照圖4A)貼合之尺寸設置。
切割帶41具備：基材41a、及積層於基材41a上之黏著劑層41b。作為基材41a，可使用基材1a中所例示者。作為黏著劑層41b，可使用黏著劑層1b中所例示者。
(使用切割帶一體型底部填充用接著膜之半導體裝置之製造方法)
繼而，對使用切割帶一體型底部填充用接著膜50之半導體裝置之製造方法進行說明。圖4係表示使用切割帶一體型底部填充用接著膜50之半導體裝置之製造方法之各步驟的圖。具體而言，該半導體裝置之製造方法包括：貼合步驟，其係將兩面形成有具有連接構件44之電路面之半導體晶圓43與切割帶一體型底部填充用接著膜50之底部填 充用接著膜42進行貼合；切割步驟，其係將半導體晶圓43切割而形成附底部填充用接著膜42之半導體晶片45；拾取步驟，其係將附底部填充用接著膜42之半導體晶片45自切割帶41剝離；連接步驟，其係以底部填充用接著膜42填充被接著體46與半導體晶片45之間之空間且經由連接構件44而將半導體晶片45與被接著體46電性連接；及硬化步驟，其係使底部填充用接著膜42硬化。
<貼合步驟>
於貼合步驟中，如圖4A所示，將兩面形成有具有連接構件44之電路面之半導體晶圓43與切割帶一體型底部填充用接著膜50之底部填充用接著膜42進行貼合。再者，通常半導體晶圓43之強度較弱，故而有為了補強而將半導體晶圓43固定於支持玻璃等支持體之情況(未圖示)。於該情形時，亦可包括如下步驟：於半導體晶圓43與底部填充用接著膜42貼合後，將支持體剝離。關於將半導體晶圓43之哪一電路面與底部填充用接著膜42進行貼合，根據目標之半導體裝置之構造進行變更即可。
半導體晶圓43之兩面之連接構件44彼此可電性連接，亦可不連接。於連接構件44彼此之電性連接中，可列舉被稱為TSV(Through Silicon Via，矽通孔)形式之利用經由通孔之連接而進行者等。作為貼合條件，可採用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之貼合步驟中所例示之條件。
<切割步驟>
於切割步驟中，將半導體晶圓43及底部填充用接著膜42切割而形成附底部填充用接著膜42之半導體晶片45(參照圖4B)。作為切割條件，可採用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之切割步驟中所例示之條件。
<拾取步驟>
於拾取步驟中，將附底部填充用接著膜42之半導體晶片45自切割帶41剝離(圖4C)。
作為拾取條件，可採用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之拾取步驟中所例示之條件。
<連接步驟>
於連接步驟中，以底部填充用接著膜42填充被接著體46與半導體晶片45之間之空間，且經由連接構件44而將半導體晶片45與被接著體46電性連接(參照圖4D)。具體之連接方法與背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之連接步驟中所說明之內容相同。作為連接步驟之加熱條件，可採用背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10中所例示之條件。
<硬化步驟及密封步驟>
硬化步驟及密封步驟與背面研削用帶一體型底部填充用接著膜10之硬化步驟及密封步驟中所說明之內容相同。藉此，可製造半導體裝置60。
[實施例]
以下，例示性地詳細說明本發明之較佳實施例。然而，該實施例中所記載之材料或調配量等只要並無特別限定性之記載，則並非旨在將本發明之範圍僅限定於該等。
以下，對實施例及比較例中所使用之各種成分匯總進行說明。
丙烯酸系樹脂：根上工業股份有限公司製造之PARACRON W-197CM(以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作為主成分之丙烯酸酯系聚合物，Mw：400000)
環氧樹脂1：三菱化學股份有限公司製造之jER1004(雙酚A型環氧樹脂，Mn：1650，環氧當量：875~975g/eq)
環氧樹脂2：三菱化學股份有限公司製造之jER828(雙酚A型環氧 樹脂，Mn：370，環氧當量：184~194g/eq)
酚樹脂1：明和化成股份有限公司製造之MEH-7851SS(包含式(I)所表示之骨架之樹脂，Mn：550，羥基當量：202g/eq)
酚樹脂2：明和化成股份有限公司製造之MEH-7851-4H(包含式(I)所表示之骨架之樹脂，Mn：1230，羥基當量：242g/eq)
酚樹脂3：明和化成股份有限公司製造之MEH-7500(三苯基甲烷型酚樹脂，Mn：490，羥基當量：97g/eq)
二氧化矽填料：球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」，平均粒徑：500nm(0.5μm)，Admatechs股份有限公司製造)
有機酸：東京化成股份有限公司製造之鄰甲氧基苯甲酸
咪唑觸媒：四國化成股份有限公司製造之2PHZ-PW(2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑)
[接著膜之製作]
根據表1所示之調配比，將各成分溶解於甲基乙基酮中，製備固形物成分濃度成為23.6重量%之接著劑組合物之溶液。
將該接著劑組合物之溶液塗佈於經聚矽氧脫模處理之由厚度為50μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜構成的脫模處理膜上後，於130℃下乾燥2分鐘，藉此製作厚度45μm之接著膜。
對所獲得之接著膜進行以下之評價。將結果示於表1。
[可撓性]
將厚度45μm之接著膜切割成長度3m、寬度330mm之長條，並捲繞於3英吋直徑之聚丙烯製之卷芯，此時，將接著膜未產生破裂之情形評價為○，將產生破裂之情形評價為×。
[玻璃轉移溫度(Tg)]
首先，藉由175℃下之1小時加熱處理使接著膜熱硬化，其後，利用截切刀切出為厚度200μm、長度40mm(測定長度)、寬度10mm 之短條狀，使用固體黏彈性測定裝置(RSAIII，Rheometric Scientific(股)製造)，測定-50~300℃下之儲藏彈性模數及損失彈性模數。測定條件係設為頻率1Hz、升溫速度10℃/min。進而，藉由算出tanδ(G"(損失彈性模數)/G'(儲藏彈性模數))之值而獲得玻璃轉移溫度。
(黏度之測定)
接著膜之最低熔融黏度之測定係使用流變儀(HAAKE公司製造，RS-1)並利用平行板法所測得之值。更詳細而言，於間隙100μm、轉板直徑20mm、旋轉速度5s-1、升溫速度10℃/min之條件下，於40℃至200℃之範圍測定熔融黏度，將此時所獲得之40℃~100℃之範圍、及100℃~200℃之範圍內之熔融黏度之最低值設為各自溫度範圍內之最低熔融黏度。
[熱可靠性]
(1)切割帶一體型接著膜之製作
使用手壓輥將接著膜貼合於切割帶(商品名「V-8-T」，日東電工股份有限公司製造)之黏著劑層上，製作切割帶一體型接著膜。
(2)半導體封裝體之製作
準備單面形成有凸塊之單面附凸塊半導體晶圓，將切割帶一體型接著膜貼附於該單面附凸塊半導體晶圓之凸塊形成面。作為單面附凸塊半導體晶圓，使用以下者。又，貼附條件如下所述。底部填充材料之厚度Y(=45μm)相對於連接構件之高度X(=45μm)之比(Y/X)為1。
‧單面附凸塊半導體晶圓
半導體晶圓之直徑：8英吋
半導體晶圓之厚度：0.2mm(使用研削裝置「DFG-8560，DISCO股份有限公司製造」自0.7mm背面研削至0.2mm而成者)
凸塊之高度：45μm
凸塊之間距：50μm
‧貼附條件
貼附裝置：商品名「DSA840-WS」，日東精機股份有限公司製造
貼附速度：5mm/min
貼附壓力：0.25MPa
貼附時之載置台溫度：80℃
貼附時之真空度：150Pa
於貼附後，利用下述條件進行半導體晶圓之切割。切割係以成為7.3mm見方之晶片尺寸之方式進行全切。
‧切割條件
切割裝置：商品名「DFD-6361」，DISCO公司製造
切割環：「2-8-1」(DISCO公司製造)
切割速度：30mm/sec
切割刀片：
Z1：DISCO公司製造之「203O-SE 27HCDD」
Z2：DISCO公司製造之「203O-SE 27HCBB」
切割刀片轉數：
Z1：40,000rpm
Z2：45,000rpm
切割方式：階梯切割
晶圓晶片尺寸：7.3mm見方
繼而，自切割帶之基材側以針之頂出方式拾取接著膜與單面附凸塊半導體晶片之積層體(附接著膜之半導體晶片)。
繼而，於半導體晶片之凸塊形成面與BGA(Ball Grid Array，球柵陣列)基板對向之狀態下，將半導體晶片熱壓接於BGA基板而進行半 導體晶片之安裝。再者，安裝條件如下所示，以安裝條件1進行處理後，以安裝條件2進行處理。藉此，獲得BGA基板上安裝有半導體晶片之半導體封裝體。
‧安裝條件1
熱壓接裝置：商品名「FCB-3」，Panasonic製造
加熱溫度：150℃
荷重：10kg
保持時間：10秒
‧安裝條件2
熱壓接裝置：商品名「FCB-3」，Panasonic製造
加熱溫度：260℃
荷重：10kg
保持時間：10秒
(3)熱可靠性之評價
根據以上之方法，將實施例及比較例之半導體封裝體製成各10個樣品，使將-55℃~125℃以30分鐘循環1次之熱循環重複進行500個循環後，以包埋用環氧樹脂包埋半導體封裝體。繼而，將半導體封裝體以露出焊料接合部之方式於垂直於基板之方向切斷，並對所露出之焊料接合部之剖面進行研磨。其後，利用光學顯微鏡(倍率：1000倍)對經研磨之焊料接合部之剖面進行觀察，將焊料接合部未破斷之情形評價為「○」，將即使1個樣品之焊料接合部破斷之情形評價為「×」。將結果示於表1。
調配有數量平均分子量為600以下之環氧樹脂(環氧樹脂2)、數量平均分子量超過500之酚樹脂(酚樹脂1、2)、及丙烯酸系樹脂之實施例1、2中，獲得了良好之可撓性與良好之熱可靠性。
另一方面，未調配環氧樹脂2之比較例2(調配環氧樹脂1代替實施例1之環氧樹脂2之例)中，雖然熱可靠性良好，但可撓性較差。又，調配有分子量較小之酚樹脂3之比較例1中，雖然可撓性良好，但熱可靠性較差。
1‧‧‧背面研削用帶
1a‧‧‧基材
1b‧‧‧黏著劑層
2‧‧‧底部填充用接著膜
10‧‧‧背面研削用帶一體型底部填充用接著膜

Claims (13)

  1. 一種底部填充用接著膜，其包含：包含數量平均分子量為600以下之環氧樹脂、數量平均分子量超過500之酚樹脂、及彈性體之樹脂成分，且上述樹脂成分中之上述環氧樹脂之含量為5~50重量%，上述酚樹脂之含量為5~50重量%。
  2. 如請求項1之底部填充用接著膜，其中上述酚樹脂之羥基當量為200g/eq以上。
  3. 如請求項1之底部填充用接著膜，其中上述酚樹脂包含式(I)所表示之骨架， (式中，n表示整數)。
  4. 如請求項1之底部填充用接著膜，其中上述環氧樹脂為雙酚A型環氧樹脂或雙酚F型環氧樹脂。
  5. 如請求項1之底部填充用接著膜，其中上述樹脂成分中之上述彈性體之含量為10~40重量%。
  6. 如請求項1之底部填充用接著膜，其中上述彈性體為丙烯酸系樹脂。
  7. 如請求項1之底部填充用接著膜，其於在40~100℃下測定黏度之情形時，具有成為20000Pa‧s以下之溫度，且100~200℃下之最低黏度為100Pa‧s以上。
  8. 如請求項1至7中任一項之底部填充用接著膜，其中於上述底部填充用接著膜中包含無機填充劑30~70重量%。
  9. 一種背面研削用帶一體型底部填充用接著膜，其具備如請求項1至8中任一項之底部填充用接著膜及背面研削用帶，且於上述背面研削用帶上設置有上述底部填充用接著膜。
  10. 一種切割帶一體型底部填充用接著膜，其具備如請求項1至8中任一項之底部填充用接著膜及切割帶，且於上述切割帶上設置有上述底部填充用接著膜。
  11. 一種半導體裝置，其係使用如請求項1至8中任一項之底部填充用接著膜而製作。
  12. 一種半導體裝置，其係使用如請求項9之背面研削用帶一體型底部填充用接著膜而製作。
  13. 一種半導體裝置，其係使用如請求項10之切割帶一體型底部填充用接著膜而製作。
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