JP6000668B2 - 半導体素子のマーキング方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子のマーキング方法、半導体装置の製造方法、及び該製造方法により得られた半導体装置に関する。

近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのため、半導体装置及びそのパッケージとして、半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。

当該フリップチップ接続は半導体チップの回路面が基板の電極形成面と対向する形態で固定されるものである。このような半導体装置等では、半導体チップの裏面を保護フィルムにより保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある。

しかしながら、保護フィルムにより半導体チップの裏面を保護するためには、ダイシング工程で得られた半導体チップに対し、その裏面に保護フィルムを貼り付けるための新たな工程を追加する必要がある。その結果、工程数が増え、製造コスト等が増加することになる。このような問題に対して、製造コストの低減を図るため、ダイシングテープ一体型の半導体裏面用フィルムを使用することが知られている。ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングテープと、ダイシングテープの粘着剤層上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有する構造である。半導体装置の製造に際して、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、次の通りに用いられる。先ず、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに於けるフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する。次に、この半導体ウエハをダイシングして半導体チップを形成する。続いて、半導体チップをフリップチップ型半導体裏面用フィルムと共に、ダイシングテープの粘着剤層から剥離してピックアップした後、ピックアップにより得られた半導体素子を基板等の被着体上にフリップチップ接続させる。これにより、フリップチップ型の半導体装置が得られる。

ところで、従来、製造された半導体素子や、当該半導体素子を用いて製造された半導体装置においては、製品の管理等の目的のため、各種情報（例えば、製品番号等の文字情報や、２次元コード等の図形情報）が製品に視認可能な状態で付与（マーキング）されていることが求められている。

特開２００２−２８０３２９号公報 特開２００４−２６０１９０号公報

しかしながら、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを使用すると、ダイシングテープの存在により半導体ウェハごとにマーキングすることが困難である。このため、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを使用する場合は、半導体素子ごとにアライメント（位置合わせ）を行い、マーキングする工程が必要となり、半導体ウェハごとにマーキングする場合に比べて、生産効率（ＵＰＨ：Ｕｔｉｌｉｔｙ Ｐｅｒ Ｈｏｕｒ）が著しく低下してしまう。

本発明の目的は、半導体素子ごとにマーキングする場合であっても、半導体装置を効率的に製造できる半導体素子のマーキング方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

本願発明者等は、半導体装置の製造過程において、リール状に巻き取り可能なキャリアーをリールに送り（巻き取り）ながら、該キャリアーのポケットに半導体素子を挿入するプロセスに着目した。そして、該キャリアーのポケットに挿入された半導体素子をマーキングすることで、前記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明は、リール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入された半導体素子をマーキングすることを特徴とする半導体素子のマーキング方法に関する。

前記構成によれば、マーキングするための単独の工程を設ける必要がない。このため、半導体素子ごとにマーキングする場合であっても、半導体装置を効率的に製造できる。

また、通常、マーキング前にアライメント（位置合わせ）を行う。前記構成によれば、半導体素子が、リール状に巻き取り可能なキャリアーによりアライメントマーク検出可能領域に連続的に送られるため、各半導体素子の位置ずれがわずかであり、効率的にアライメントできる。この結果、半導体装置を効率的に製造できる。

前記マーキングがレーザーマーキングであることが好ましい。

前記半導体素子の裏面をマーキングすることが好ましい。

前記半導体素子が、被着体上にフリップチップ接続された半導体チップの裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムを備え、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムをマーキングすることが好ましい。

本発明はまた、半導体素子をリール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入する工程１、及び前記ポケットに挿入された前記半導体素子をマーキングする工程２を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。

前記構成によれば、マーキングするための単独の工程を設ける必要がない。このため、半導体素子ごとにマーキングする場合であっても、半導体装置を効率的に製造できる。

また、通常、マーキング前にアライメント（位置合わせ）を行う。前記構成によれば、半導体素子が、リール状に巻き取り可能なキャリアーによりアライメントマーク検出可能領域に連続的に送られるため、各半導体素子の位置ずれがわずかであり、効率的にアライメントできる。この結果、半導体装置を効率的に製造できる。

被着体上にフリップチップ接続された半導体チップの裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムがダイシングテープ上に積層されたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを、半導体ウエハにラミネートする工程Ａ、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムによりラミネートされた前記半導体ウエハをダイシングする工程Ｂ、及び前記ダイシングにより得られた半導体チップを前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとともにピックアップすることによって、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムを備える前記半導体素子を得る工程Ｃを含み、前記工程２は、前記工程Ｃにより得られた前記半導体素子の前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムをマーキングすることが好ましい。

ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを使用する場合、半導体素子ごとにマーキングする必要があるが、前記構成によれば、半導体装置を効率的に製造できる。

前記リール状に巻き取り可能なキャリアーにカバーテープを貼り付けることによって、前記工程２によりマーキングされた前記半導体素子を封入する工程３を含むことが好ましい。

前記半導体素子が、被着体上にフリップチップ接続された半導体チップの裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムを備え、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムが、熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好ましい。

前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムが、前記熱硬化性樹脂を含む前記樹脂組成物により形成されており、前記工程３において、前記熱硬化性樹脂が未硬化であることが好ましい。

前記構成によれば、工程３より前にフリップチップ型半導体裏面用フィルムを硬化させる工程を含まないため、製造工程を簡略化できる。この結果、半導体装置を効率的に製造できる。

また、本発明は、前記製造方法により得られた半導体装置に関する。

前記製造方法により得られた半導体装置は、マーキングにより施された各種情報（文字情報、図研情報など）を良好に視認することができる。

本発明の半導体素子のマーキング方法、及び半導体装置の製造方法によれば、半導体素子ごとにマーキングする場合であっても、半導体装置を効率的に製造できる。

半導体素子をリール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入する様子を示す断面模式図である。 本発明で使用できるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを示す断面模式図である。 半導体素子の製造方法の一例を示す断面模式図である。 半導体素子をリール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入する様子を示す断面模式図である。 フリップチップ型半導体装置を示す断面模式図である。

本発明の半導体素子のマーキング方法は、リール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入された半導体素子をマーキングする。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子をリール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入する工程１、及びポケットに挿入された半導体素子をマーキングする工程２を含む。

本発明の半導体素子のマーキング方法、及び半導体装置の製造方法について、図を参照しながら説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
なお、本明細書において、図には、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。

図１は、半導体素子をリール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入する様子を示す断面模式図である。
図２は、本発明で使用できるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを示す断面模式図である。
図３は、半導体素子の製造方法の一例を示す断面模式図である。
図４は、半導体素子をリール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入する様子を示す断面模式図である。
図５は、フリップチップ型半導体装置を示す断面模式図である。

（１）工程１
工程１では、半導体素子１３をリール状に巻き取り可能なキャリアー１１のポケット１２に挿入する。

（１−１）半導体素子１３
本発明で使用できる半導体素子１３としては特に限定されず、例えば、半導体チップ５などが挙げられる。なかでも、被着体６上にフリップチップ接続された半導体チップ５の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２（以下、半導体裏面用フィルム２ともいう）を備えるものが好ましい。

このような半導体素子１３は、例えば、被着体６上にフリップチップ接続された半導体チップ５の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２がダイシングテープ３上に積層されたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を、半導体ウエハ４にラミネートする工程Ａ、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム１によりラミネートされた前記半導体ウエハ４をダイシングする工程Ｂ、及び前記ダイシングにより得られた半導体チップ５を前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム２とともにピックアップすることによって、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム２を備える前記半導体素子１３を得る工程Ｃを含む方法により好適に得られる。

（１−１−Ａ）工程Ａ
工程Ａでは、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を、半導体ウエハ４にラミネートする。

（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１）
図１で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、基材３１上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と、前記粘着剤層３２上に設けられた半導体裏面用フィルム２とを備える構成である。また、本発明で使用することができるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、図１で示されているように、ダイシングテープ３の粘着剤層３２上において、半導体ウエハ４の貼着部分に対応する部分３３のみに半導体裏面用フィルム２が形成された構成であってもよいが、粘着剤層３２の全面に半導体裏面用フィルム２が形成された構成でもよく、また、半導体ウエハ４の貼着部分に対応する部分３３より大きく且つ粘着剤層３２の全面よりも小さい部分に半導体裏面用フィルム２が形成された構成でもよい。なお、半導体裏面用フィルム２の表面（ウエハの裏面に貼着される側の表面）は、ウエハ裏面に貼着されるまでの間、セパレータ等により保護されていてもよい。

以下、半導体裏面用フィルム２、ダイシングテープ３について詳細に説明する。

（半導体裏面用フィルム２）
前記半導体裏面用フィルム２はフィルム状の形態を有している。

前記半導体裏面用フィルム２は、例えば、熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成することができ、具体的には、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物、熱硬化性樹脂が用いられていない熱可塑性樹脂組成物、熱可塑性樹脂が用いられていない熱硬化性樹脂組成物により形成することができる。なかでも、熱可塑性樹脂を含む樹脂組成物により形成することが好ましい。

前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又は、フッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの中でも、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子１３の信頼性を確保できる点から、アクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数１〜１８、さらに好ましくは炭素数１〜１０、特に好ましくは炭素数１〜５）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。

また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマーとしては、前記炭素数３０以下の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステル以外のモノマーであれば特に限定されるものではない。具体的には、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー、又は、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本明細書中の（メタ）は全て同様の意味である。

樹脂成分全体に対する熱可塑性樹脂の含有量は多いほど好ましく、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは６０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上である。５０重量％以上であると、熱硬化前後の物性変化が少ないため、工程２において半導体裏面用フィルム２を未硬化状態で良好にマーキングできる。また、プロセスマージンを広げることができる。
一方、樹脂成分全体に対する熱可塑性樹脂の含有量の上限は特に限定されないが、例えば９５重量％以下、好ましくは９０重量％以下である。９０重量％以下であると十分なウエハへの粘着力を発現できる。

また、前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子１３を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。

エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。これらの中でも、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの中でも、半導体装置の接続信頼性を向上させることができる点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好ましく、０．８〜１．２当量がより好ましい。

本発明では、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒を用いることもできる。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。

熱硬化前後の物性変化が少なく、工程２において半導体裏面用フィルム２を未硬化状態で良好にマーキングできる点、また、プロセスマージンを広げることができる点から、樹脂成分全体に対する熱硬化性樹脂の含有量は少ないほど好ましい。樹脂成分全体に対する熱硬化性樹脂の含有量の上限は、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、更に好ましくは３０重量％以下である。一方、樹脂成分全体に対する熱硬化性樹脂の含有量の下限は特に限定されないが、例えば５重量％以上、好ましくは１０重量％以上である。１０重量％以上であると、半導体ウエハ４に対する密着性が良好である。

半導体裏面用フィルム２は、半導体ウエハ４の裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。

半導体裏面用フィルム２の半導体ウエハ４に対する接着力（２３℃、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分）は、１Ｎ／１０ｍｍ幅以上が好ましく、２Ｎ／１０ｍｍ幅以上がより好ましく、４Ｎ／１０ｍｍ幅以上であることがさらに好ましい。また、上限値としては特に限定されないが、１０Ｎ／１０ｍｍ幅以下であることが好ましく、８Ｎ／１０ｍｍ幅以下であることがより好ましい。１Ｎ／１０ｍｍ幅以上にすることにより、優れた密着性で半導体ウエハ４や半導体素子１３に貼着されており、浮き等の発生を防止することができる。また、半導体ウエハ４のダイシングの際にチップ飛びが発生するのを防止することもできる。なお、半導体裏面用フィルム２の半導体ウエハ４に対する前記接着力は、例えば、次の通りにして測定した値である。

＜接着力＞
半導体裏面用フィルム２の一方の面に、粘着テープ（商品名「ＢＴ３１５」日東電工（株）製）を貼着して裏面補強する。その後、裏面補強した長さ１５０ｍｍ、幅１０ｍｍの半導体裏面用フィルム２の表面に、厚さ０．６ｍｍの半導体ウエハ４を、５０℃で２ｋｇのローラーを一往復して熱ラミネート法により貼り合わせる。その後、熱板上（５０℃）に２分間静置した後、常温（２３℃程度）で２０分静置する。静置後、剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ−Ｊ」、（株）島津製作所製）を用いて、温度２３℃の下で、剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下で、裏面補強された半導体裏面用フィルム２を引き剥がす。前記接着力は、このときの半導体裏面用フィルム２と半導体ウエハ４との界面で剥離させて測定された値（Ｎ／１０ｍｍ幅）である。

また、前記樹脂組成物には、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。

前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物（日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」）、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物（日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」）なども用いられる。

また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。

なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択することができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分（特に、分子鎖末端の官能基を有する重合体）１００重量部に対し、７重量部以下であることが好ましく、０．０５〜７重量部がより好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分１００重量部に対して７重量部より多いと、接着力が低下する傾向がある。なお、凝集力向上の観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分１００重量部に対して０．０５重量部以上であることが好ましい。

なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。

前記半導体裏面用フィルム２は着色されていることが好ましい。これにより、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。このように、着色された半導体裏面用フィルム２は、優れたマーキング性を有しているので、半導体素子１３又は該半導体素子１３が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、半導体裏面用フィルム２を介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優れた視認性で視認することが可能になる。このように半導体裏面用フィルム２が着色されている場合、ダイシングテープ３と、半導体裏面用フィルム２とを、容易に区別することができ、作業性等を向上させることができるため、好ましい。更に、例えば半導体装置として、製品別に色分けすることも可能である。半導体裏面用フィルム２を有色にする場合（無色・透明ではない場合）、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。

本実施の形態において、濃色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、６０以下（０〜６０）となる濃い色のことを意味している。前記Ｌ*は、５０以下（０〜５０）が好ましく、４０以下（０〜４０）がより好ましい。

また、黒色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、３５以下（０〜３５）となる黒色系色のことを意味している。前記Ｌ*は、３０以下（０〜３０）が好ましく、２５以下（０〜２５）がより好ましい。なお、黒色において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるａ*やｂ*は、それぞれ、Ｌ*の値に応じて適宜選択することができる。ａ*やｂ*としては、例えば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（なかでも０又はほぼ０）であることが好適である。

なお、本実施の形態において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*、ａ*、ｂ*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ*ａ*ｂ*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。

半導体裏面用フィルム２を着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。

特に、色材として染料を用いると、半導体裏面用フィルム２中には、染料が溶解により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一又はほぼ均一な半導体裏面用フィルム２を容易に製造することができる。そのため、色材として染料を用いると、半導体裏面用フィルム２は、着色濃度を均一又はほぼ均一とすることができ、マーキング性や外観性を向上させることができる。

黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼンダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。

具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックなど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。

本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。

このような黒系色材としては、例えば、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＹ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＳ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＨＢＢ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ８０３」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ８６０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９７０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９０６」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９０５」（オリエント化学工業（株）製）などが市販されている。

黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシアン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。

また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、同２８などが挙げられる。

マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５などが挙げられる。

また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。

シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（または配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜選択することができる。

前記着色剤の含有量は、樹脂組成物（樹脂、フィラー、着色剤を含む、溶媒以外の全成分）１００重量部に対して０．０１〜１０重量部であることが好ましく、０．５〜８重量部であることがより好ましく、１〜５重量部であることがさらに好ましい。前記含有量を０．０１重量部以上とすることにより、光線透過率を低くすることができるとともに、レーザーマーキングした後のマーキング部とマーキング部以外とのコントラストを高くすることができる。なお、半導体裏面用フィルム２は単層でもよく複数の層が積層された積層フィルムであってもよいが、積層フィルムの場合、前記着色剤の含有量は、積層フィルム全体として０．０１〜１０重量部の範囲内であればよい。

半導体裏面用フィルム２を着色させる場合、その着色形態は特に制限されない。例えば、半導体裏面用フィルム２は、着色剤が添加された単層のフィルム状物であってもよく、樹脂組成物により形成された樹脂層と、着色剤層とが少なくとも積層された積層フィルムであってもよい。なお、半導体裏面用フィルム２が樹脂層と着色剤層との積層フィルムである場合、積層形態の半導体裏面用フィルム２としては、樹脂層／着色剤層／樹脂層の積層形態を有していることが好ましい。この場合、着色剤層の両側の２つの樹脂層は、同一の組成の樹脂層であってもよく、異なる組成の樹脂層であってもよい。

本発明で使用できる半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成される場合、半導体裏面用フィルム２の未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は、１０Ｍ〜１０ＧＰａであることが好ましく、１００ＭＰａ〜５ＧＰａであることがより好ましく、１００ＭＰａ〜３ＧＰａであることがさらに好ましく、１００ＭＰａ〜１ＧＰａであることがさらに好ましく、１００ＭＰａ〜０．７ＧＰａであることが特に好ましい。弾性率を１０ＧＰａ以下とすることで、半導体ウエハ４との密着性を十分確保できる。

ここで、半導体裏面用フィルム２は単層でもよく複数の層が積層された積層フィルムであってもよいが、積層フィルムの場合、前記未硬化状態における２３℃での貯蔵弾性率は積層フィルム全体として前記範囲内であればよい。また、半導体裏面用フィルム２の未硬化状態における前記引張貯蔵弾性率（２３℃）は、樹脂成分（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂）の種類やその含有量、シリカフィラー等の充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。

なお、前記引張貯蔵弾性率は、ダイシングテープ３に積層させずに、未硬化状態の半導体裏面用フィルム２を作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚さ：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて測定して、得られた引張貯蔵弾性率の値とした。

本発明で使用できる半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成される場合、半導体裏面用フィルム２の硬化後の弾性率は、１０Ｍ〜１０ＧＰａであることが好ましく、１００ＭＰａ〜５ＧＰａであることがより好ましく、１００ＭＰａ〜３ＧＰａであることがさらに好ましく、１００ＭＰａ〜１ＧＰａであることが特に好ましい。なお、弾性率の測定方法については、前記測定方法において、半導体裏面用フィルム２を硬化（１７５℃、１時間）した以外は、同様の方法により測定したものである。

半導体裏面用フィルム２には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填材（フィラー）、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。

前記充填材としては、無機充填材、有機充填材のいずれであってもよいが、無機充填材が好適である。無機充填材等の充填材の配合により、半導体裏面用フィルム２に導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、半導体裏面用フィルム２としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機充填材としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填材は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。充填材としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填材の平均粒径は０．１〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。

前記充填材の配合量は、樹脂成分１００重量部に対して８０重量部以下であることが好ましく、特に０〜７５重量部であることが好適である。

また、前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

半導体裏面用フィルム２は、例えば、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂と、必要に応じてエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、前記樹脂組成物を、ダイシングテープ３の粘着剤層３２上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記樹脂組成物を塗布して樹脂層（又は接着剤層）を形成し、これを粘着剤層３２上に転写（移着）する方法などにより、半導体裏面用フィルム２としてのフィルム状の層（接着剤層）を形成することができる。なお、前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。

なお、後述する工程Ｂでは通常、切削水を使用することから、半導体裏面用フィルム２が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、フリップチップボンディングを行うと、半導体裏面用フィルム２と半導体ウエハ４又はその加工体（半導体）との接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、半導体裏面用フィルム２としては、透湿性の高いコア材料を両面に設けた構成とすることにより、水蒸気が拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、コア材料の片面又は両面に半導体裏面用フィルムを形成した多層構造を半導体裏面用フィルムとして用いてもよい。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。

半導体裏面用フィルム２の厚さ（積層フィルムの場合は総厚）は特に限定されないが、例えば、２〜２００μｍ程度の範囲から適宜選択することができる。更に、前記厚さは４〜１６０μｍ程度が好ましく、６〜１００μｍ程度がより好ましく、１０〜８０μｍ程度が特に好ましい。

（ダイシングテープ３）
ダイシングテープ３は、基材３１上に粘着剤層３２が形成されて構成されている。

基材（支持基材）３１は粘着剤層３２等の支持母体として用いることができる。前記基材３１は放射線透過性を有していることが好ましい。前記基材３１としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など］等の適宜な薄葉体を用いることができる。これらの中でも、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。

このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。

また基材３１の材料としては、前記樹脂の架橋体等も挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材３１を熱収縮させることにより粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２との接着面積を低下させて、半導体チップ５の回収の容易化を図ることができる。

基材３１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。

前記基材３１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材３１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材３１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材３１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。

基材３１の厚さ（積層体の場合は総厚）は、特に制限されるものではなく、強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には１０００μｍ以下であり、１〜１０００μｍが好ましく、１０〜５００μｍがより好ましく、２０〜３００μｍがさらに好ましく、３０〜２００μｍ程度が特に好ましい。

なお、基材３１には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（着色剤、充填材、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。

前記粘着剤層３２は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤（例えば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報等参照）の中から、前記特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）や、熱膨張性粘着剤を用いることもできる。粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。

前記粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、特にアクリル系粘着剤が好適である。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体又は共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。

前記アクリル系粘着剤における（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が４〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状の何れであっても良い。

なお、前記アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分（共重合性単量体成分）に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。これらの共重合性単量体成分は１種又は２種以上使用できる。

粘着剤として放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）を用いる場合、放射線硬化型粘着剤（組成物）としては、例えば、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の放射線硬化型粘着剤や、粘着剤中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。また、粘着剤として熱膨張性粘着剤を用いる場合、熱膨張性粘着剤としては、例えば、粘着剤と発泡剤（特に熱膨張性微小球）とを含む熱膨張性粘着剤などが挙げられる。

本発明では、粘着剤層３２には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填材、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。

前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられ、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量は、特に制限されない。

前記イソシアネート系架橋剤としては、前記半導体裏面用フィルム２用の樹脂組成物に添加することができるイソシアネート系架橋剤として本明細書中に挙げられたものと同様のものを挙げることができる。

なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。

粘着剤層３２は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材３１上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して粘着剤層３２を形成し、これを基材３１上に転写（移着）する方法などにより、粘着剤層３２を形成することができる。

粘着剤層３２の厚さは特に制限されず、例えば、５〜３００μｍが好ましく、５〜２００μｍがより好ましく、５〜１００μｍがさらに好ましく、７〜５０μｍ程度が特に好ましい。粘着剤層３２の厚さが前記範囲内であると、適度な粘着力を発揮することができる。なお、粘着剤層３２は単層、複層の何れであってもよい。

前記ダイシングテープ３の粘着剤層３２のフリップチップ型半導体裏面用フィルム２に対する接着力（２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．０２〜１０Ｎ／２０ｍｍが好ましく、０．０５〜５Ｎ／２０ｍｍがより好ましい。前記接着力を０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、半導体ウエハ４のダイシングの際に半導体素子１３がチップ飛びするのを防止することができる。その一方、前記接着力を１０Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、半導体素子１３をピックアップする際に、当該半導体素子１３の剥離が困難になったり、糊残りが発生するのを防止することができる。

また、フリップチップ型半導体裏面用フィルム２や、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、ロール状に巻回された形態で形成されていてもよく、シート（フィルム）が積層された形態で形成されていてもよい。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の厚さ（半導体裏面用フィルム２の厚さと、基材３１及び粘着剤層３２からなるダイシングテープ３の厚さの総厚）としては、例えば、８〜１５００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは２０〜８５０μｍ、さらに好ましくは３１〜５００μｍ、特に好ましくは４７〜３３０μｍである。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１において、半導体裏面用フィルム２の厚さと、ダイシングテープ３の粘着剤層３２の厚さとの比や、半導体裏面用フィルム２の厚さと、ダイシングテープ３の厚さ（基材３１及び粘着剤層３２の総厚）との比をコントロールすることにより、ダイシング工程時のダイシング性、ピックアップ工程時のピックアップ性などを向上させることができ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を半導体ウエハ４のダイシング工程〜半導体素子１３のフリップチップボンディング工程にかけて有効に利用することができる。

また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の製造方法について、説明する。先ず、基材３１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材３１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層３２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材３１に塗布して、基材３１上に粘着剤層３２を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層３２を形成させた後、該粘着剤層３２を基材３１に転写させてもよい。これにより、基材３１上に粘着剤層３２を形成されたダイシングテープ３が作製される。

一方、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を剥離紙上に乾燥後の厚みが所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して、塗布層を形成する。この塗布層を前記粘着剤層３２上に転写することにより、半導体裏面用フィルム２を粘着剤層３２上に形成する。なお、前記粘着剤層３２上に、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによっても、半導体裏面用フィルム２を粘着剤層３２上に形成することができる。以上により、本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を得ることができる。

（半導体ウエハ４）
半導体ウエハ４としては、公知乃至慣用の半導体ウエハ４であれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハ４から適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハ４としては、シリコンウエハを好適に用いることができる。

先ず、図３（ａ）で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム２上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、当該半導体裏面用フィルム２上に半導体ウエハ４を貼着して、これを接着保持させ固定する（マウント工程）。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、半導体ウエハ４の裏面に貼着される。半導体ウエハ４の裏面とは、回路形成面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。

（１−１−Ｂ）工程Ｂ
次に、図３（ｂ）で示されるように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ４は、半導体裏面用フィルム２を有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。なお、半導体裏面用フィルム２がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面において半導体裏面用フィルム２の接着剤層の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着（ブロッキング）することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。

（１−１−Ｃ）工程Ｃ
ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１に接着固定された半導体チップ５を回収する為に、図３（ｃ）で示されるように、半導体チップ５のピックアップを行って、半導体チップ５を半導体裏面用フィルム２とともにダイシングテープ３より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の基材３１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップ５は、その裏面が半導体裏面用フィルム２により保護されている。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、ピックアップの際に、隣り合う半導体チップ５同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。

（１−２）キャリアー１１
キャリアー１１としてはリール状に巻き取り可能であれば特に限定されず、従来公知のものを使用できる。キャリアー１１には通常、長手方向に所定ピッチで複数のポケット（半導体素子１３が挿入される凹部）１２が形成されている。キャリアー１１として、例えば、エンボスキャリアテープ、プレスキャリアテープ（プレスポケットキャリアテープ）などが挙げられる。また、パンチキャリアテープ（貫通穴有キャリアー）の裏面に従来公知のボトムテープを貼り付けたものなども挙げられる。

ポケット１２としては半導体素子１３を挿入できる凹部であれば特に限定されない。例えば、エンボス加工、圧縮加工により形成された凹部などが挙げられる。また、貫通穴有キャリアーの裏面に従来公知のボトムテープを貼り付けて形成された凹部などが挙げられる。通常、各ポケット１２には、１つの半導体素子１３が挿入される。

挿入は、テーピング装置を用いてキャリアー１１をリールに送り（巻き取り）ながら、行うことができる。テーピング装置としては特に限定されず、従来公知のものを使用できる。

挿入方法としては特に限定されず、例えば、キャリアー１１の送りを停止し、半導体素子１３を挿入する方法、キャリアー１１を送りながら（停止させず）半導体素子１３を挿入する方法などが挙げられる。精度よく挿入できるという点から、キャリアー１１の送りを停止し、半導体素子１３を挿入する方法が好ましい。

停止時間としては特に限定されないが、通常、０．０１〜１００秒であり、好ましくは０．５〜１０秒である。

（２）工程２
工程２では、前記工程１によりポケット１２に挿入された半導体素子１３をマーキングする。

マーキングは、半導体素子１３がポケット１２に挿入された後に行われれば特に限定されないが、キャリアー１１の送りを停止している間（前述の停止時間内）に行うことが好ましい。これにより、マーキングするための単独の工程を設ける必要がなく、半導体装置を効率的に製造できる。また、半導体素子１３が停止状態にあるため、精度よくマーキングできる。その結果、文字情報や図形情報などの各種情報の視認性に優れた半導体装置が得られる。

なお、通常、マーキング前に、アライメント（位置合わせ）を行う。アライメント方法は特に限定されず、従来公知の方法でアライメントできる。工程２では、通常、半導体素子１３が、キャリアー１１によりアライメントマーク検出可能領域に連続的に送られるため、各半導体素子１３の位置ずれがわずかであり、効率的にアライメントできる。この結果、半導体装置を効率的に製造できる。

マーキングは半導体素子１３に対して行う。通常、マーキングは半導体素子１３の裏面に対して行われる。半導体素子１３の裏面とは、回路形成面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。なお、前述の工程Ａ〜Ｃにより得られる半導体素子１３の裏面には、半導体裏面用フィルム２が形成されている。

半導体素子１３が半導体裏面用フィルム２を備える場合、半導体裏面用フィルム２をマーキングすることが好ましい。本発明で使用できる半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成される場合、未硬化状態の半導体裏面用フィルム２をマーキングすることがより好ましい。ここで、未硬化状態とは、本明細書中で定義されている状態と同じである。

マーキング方法としては特に限定されず、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用できる。なかでも、レーザーマーキングが好ましい。これにより、優れたコントラスト比でマーキングを施すことができ、マーキングにより施された各種情報（文字情報、図研情報など）を良好に視認することが可能である。

レーザーマーキングを行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、固体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ_２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ_４レーザーが好適である。

レーザーマーキングを行う際のレーザーの照射条件としては、マーキング部とマーキング部以外とのコントラストや加工深さ等を考慮して適宜設定することができ、例えば、レーザーマーキング装置：商品名「ＭＤ−Ｓ９９００」、キーエンス社製を用いた場合は、
以下の範囲内とすることができる。

（レーザー照射条件）
波長：５３２ｎｍ
強度：１．０Ｗ
スキャンスピード：７００ｍｍ／ｓｅｃ
Ｑスイッチ周波数：６４ｋＨｚ

（３）工程３
本発明の半導体装置の製造方法は、工程３を含むことが好ましい。
工程３では、キャリアー１１にカバーテープを貼り付けることによって、工程２によりマーキングされた半導体素子１３を封入する。カバーテープとしては特に限定されず、従来公知のカバーテープを使用でき、また、貼り付け方法も特に限定されない。

本発明で使用できる半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成される場合、工程３の半導体素子１３が備える半導体裏面用フィルム２は、未硬化状態であることが好ましい。ここで、未硬化状態とは、完全硬化前の状態をさし、硬化しない程度に架橋反応が進んだ半硬化の状態をも含むものである。つまり、工程３の前に、半導体裏面用フィルム２を硬化する工程（例えば、熱硬化工程や、光重合工程）を含まない。このため、製造工程を簡略化でき、半導体装置をより効率的に製造できる。

（４）工程４
本発明の半導体装置の製造方法は、工程４を含むことが好ましい。
工程４では、工程３により封入された半導体素子１３を被着体６に実装する。具体的には、工程３により半導体素子１３が封入されたキャリアー１１を、電子部品実装機にセットし、ポケット１２から半導体素子１３をピックアップし、被着体６に実装する。電子部品実装機としては特に限定されず、従来公知のものを使用できる。

ピックアップした半導体素子１３は、図５で示されるように、基板等の被着体６に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定できる。具体的には、半導体チップ５を、半導体チップ５の回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体６と対向する形態で、被着体６に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ５１を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材６１を溶融させることにより、半導体チップ５と被着体６との電気的導通を確保し、半導体チップ５を被着体６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップ５と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０〜３００μｍ程度である。なお、半導体チップ５を被着体６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップ５と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することが重要である。

被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。

フリップチップボンディング工程において、バンプ５１や導電材６１の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。

なお、フリップチップボンディング工程では、導電材６１を溶融させて、半導体チップ５の回路面側のバンプ５１と、被着体６の表面の導電材６１とを接続させているが、この導電材６１の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０〜３００℃）となっている。

本工程では、半導体チップ５と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。

次に、フリップチップボンディングされた半導体チップ５と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。本発明で使用できる半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成される場合、当該工程における熱処理においては、封止樹脂だけでなく未硬化状態の半導体裏面用フィルム２の熱硬化も同時に行うことができる。また、当該工程により、半導体裏面用フィルム２を完全に又はほぼ完全に熱硬化させることができ、優れた密着性で半導体素子１３の裏面に貼着させることができる。当該封止工程の際に、半導体裏面用フィルム２を封止材と共に熱硬化させることができるので、半導体裏面用フィルム２を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がなく、製造工程を簡略化でき、半導体装置をより効率的に製造できる。

前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。

前記製造方法により得られる半導体装置は、マーキングにより施された各種情報（文字情報、図研情報など）を良好に視認することができる。

前記半導体装置は、各種の電子機器・電子部品又はそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、本発明のフリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」や「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（例えば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」及びコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（例えば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤー等）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品又は、電子機器・電子部品の材料・部材としては、例えば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載
されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。

実施例１
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
エチルアクリレート−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」、根上工業（株）製）１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ（株）製）１２部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」、三井化学（株）製）１３部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」、（株）アドマテックス製）９２部、染料１（商品名「ＯＩＬ ＧＲＥＥＮ ５０２」、オリエント化学工業（株）製）２部、染料２（商品名「ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ」、オリエント化学工業（株）製）２部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物の溶液を調製した。

この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２０μｍの半導体裏面用フィルムＡを作製した。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの作製＞
上記半導体裏面用フィルムＡを、ダイシングテープ（商品名「Ｖ−８−Ｔ」日東電工社製）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを作製した。

＜半導体ウエハの研削件、貼り合わせ、ダイシング＞
半導体ウエハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ；シリコンミラーウエハ）を厚さ０．２ｍｍとなるまで、裏面研削した。ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムからセパレータを剥離した後、上記半導体ウエハを半導体裏面用フィルムＡ上に７０℃でロール圧着して貼り合わせた。更に、半導体ウエハのダイシングを行った。ダイシングは１０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。なお、半導体ウエハの研削条件、貼り合わせ条件、ダイシング条件は、下記のとおりである。

［半導体ウエハ研削条件］
研削装置：商品名「ＤＦＧ−８５６０」ディスコ社製
半導体ウエハ：８インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．２ｍｍに裏面研削）

［貼り合わせ条件］
貼り付け装置：商品名「ＭＡ−３０００ＩＩＩ」日東精機（株）製
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：７０℃

［ダイシング条件］
ダイシング装置：商品名「ＤＦＤ−６３６１」ディスコ社製
ダイシングリング：「２−８−１」（ディスコ社製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＤＤ」
Ｚ２；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＢＢ」
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；４０，０００ｒｐｍ
Ｚ２；４５，０００ｒｐｍ
カット方式：ステップカット
ウエハチップサイズ：１０．０ｍｍ角

＜半導体素子の挿入及びマーキング＞
ダイシングして得られた半導体素子（半導体裏面用フィルムＡを備える半導体チップ）をピックアップした。テーピング装置を用いてキャリアーを巻き取りリールに送りながら、ピックアップした半導体素子をポケットに挿入し、半導体素子が備える半導体裏面用フィルムＡをレーザーマーキングした。

使用したテーピング装置は、下記のとおりである。
テーピング装置：ＤＰＥ社製のＫ８−ｄ

なお、ピックアップ条件、レーザーマーキング条件は、下記のとおりである。

［ピックアップ条件］
ピックアップ装置：商品名「ＳＰＡ−３００」、（株）新川製
ピックアップニードル本数：９本
ニードル突き上げ速度：２０ｍｍ／ｓ
ニードル突き上げ量：５００μｍ
ピックアップ時間：１秒
ダイシングテープ エキスパンド量:３ｍｍ

［レーザーマーキング条件］
レーザーマーキング装置：商品名「ＭＤ−Ｓ９９００」、キーエンス社製
波長：５３２ｎｍ
強度：１．０Ｗ
スキャンスピード：７００ｍｍ／ｓｅｃ
Ｑスイッチ周波数：６４ｋＨｚ
全体のサイズとして約４ｍｍ×約４ｍｍで、各セルのサイズが０．０８ｍｍ×０．２４
ｍｍの二次元コードを加工した。

実施例１から、リール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入された半導体素子をマーキングすることで、半導体装置を効率的に製造できることが明らかとなった。また、マーキングにより形成された文字も良好に読み取ることができた。

１ ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
２ 半導体裏面用フィルム
３ ダイシングテープ
４ 半導体ウエハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
１１ リール状に巻き取り可能なキャリアー
１２ ポケット
１３ 半導体素子
１４ 送り方向
３１ 基材
３２ 粘着剤層
３３ 半導体ウエハの貼着部分に対応する部分
５１ 半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ
６１ 被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材

Claims (10)

1. リール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入された半導体素子をレーザーマーキングすることを特徴とする半導体素子のマーキング方法。
2. 前記レーザーマーキングでは、前記半導体素子の裏面をレーザーマーキングすることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のマーキング方法。
3. 前記半導体素子が、被着体上にフリップチップ接続された半導体チップの裏面に形成する
   ためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムを備え、
   前記レーザーマーキングでは、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムをレーザーマーキングすることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子のマーキング方法。
4. 半導体素子をリール状に巻き取り可能なキャリアーのポケットに挿入する工程１、及び前記ポケットに挿入された前記半導体素子をレーザーマーキングする工程２を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 被着体上にフリップチップ接続された半導体チップの裏面に形成するためのフリップチッ
   プ型半導体裏面用フィルムがダイシングテープ上に積層されたダイシングテープ一体型半
   導体裏面用フィルムを、半導体ウエハにラミネートする工程Ａ、
   前記半導体ウエハをダイシングする工程Ｂ、及び
   前記ダイシングにより得られた半導体チップを前記フリップチップ型半導体裏面用フィル
   ムとともにピックアップすることによって、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム
   を備える前記半導体素子を得る工程Ｃを含み、
   前記工程２では、前記工程Ｃにより得られた前記半導体素子の前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムをレーザーマーキングすることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記リール状に巻き取り可能なキャリアーにカバーテープを貼り付けることによって、前
   記工程２によりレーザーマーキングされた前記半導体素子を封入する工程３を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記半導体素子が、被着体上にフリップチップ接続された半導体チップの裏面に形成する
   ためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムを備え、
   前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムが、熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂を
   含む樹脂組成物により形成されていることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の
   半導体装置の製造方法。
8. 前記半導体素子が、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを備え、
   前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムが、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されており、
   前記工程３において、前記熱硬化性樹脂が未硬化であることを特徴とする請求項６に記載
   の半導体装置の製造方法。
9. 前記樹脂組成物が前記熱硬化性樹脂を含み、
   前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率が１０Ｍ〜１０ＧＰａである、請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記樹脂組成物は着色剤を含む、請求項７〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。