TW201539586A - 切晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

切晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201539586A
TW201539586A TW104109052A TW104109052A TW201539586A TW 201539586 A TW201539586 A TW 201539586A TW 104109052 A TW104109052 A TW 104109052A TW 104109052 A TW104109052 A TW 104109052A TW 201539586 A TW201539586 A TW 201539586A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
die
dicing
semiconductor wafer
adhesive layer
Prior art date
Application number
TW104109052A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI660436B (zh
Inventor
Yuta Kimura
Sadahito Misumi
Shuhei Murata
Kenji Onishi
Yuichiro Shishido
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of TW201539586A publication Critical patent/TW201539586A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI660436B publication Critical patent/TWI660436B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本發明提供一種利用即使在低溫下之擴展亦能引發半導體晶圓、或黏晶膜之斷裂之切晶膜，及具備其之切晶黏晶膜及使用該等膜之半導體裝置的製造方法。一種切晶膜，其係具備基材及設置於該基材上之黏著劑層者，且將由於MD方向及TD方向各自以0℃下負荷延伸應力時之應力-應變曲線求出的MD方向之儲存彈性模數設為E'MD1、TD方向之儲存彈性模數設為E'TD1之情形時，E'MD1/E'TD1為0.75以上且1.25以下。

Description

切晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種切晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法。
先前，提出於半導體裝置之製造步驟中，於切晶步驟中接著保持半導體晶圓，並且亦賦予安裝步驟所需之晶片固著用之接著劑層的切晶黏晶膜(例如，參照專利文獻1)。該切晶黏晶膜係於具備支持基材及黏著劑層之切晶膜上設置接著劑層而成者，於利用該接著劑層之保持下用刀片切晶(所謂刀片切晶)半導體晶圓後，於擴展(expand)步驟中延伸切晶膜，繼而將經單片化之晶片與接著劑層一起拾取，將其逐個回收並經由該接著劑層而固著於引線框等被接著物。
另一方面，近年來提出藉由對半導體晶圓之分割預定線照射雷射光而形成改性區域，而使半導體晶圓能夠容易地沿分割預定線進行分割後，施加延伸應力，藉此使該半導體晶圓斷裂，獲得各個半導體晶片之方法(以下亦稱為「Stealth Dicing(註冊商標)」)(例如，參照專利文獻2及3)。根據該等方法，尤其即便為薄型之半導體晶圓亦能夠減少碎片等不良之產生，並且能夠使切口寬度(切口邊緣)較先前更窄，實現半導體晶片之產率提高。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-218571號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-192370號公報
[專利文獻3]日本專利特開2003-338467號公報
為了於切晶黏晶膜之保持下利用Stealth Dicing獲得附黏晶膜之各個半導體晶片，必須利用擴展步驟中之延伸應力使黏晶膜與半導體晶圓一起斷裂。然而，實際上並非僅黏晶膜負荷延伸應力，尤其切晶膜負荷延伸應力而使膜伸長會引發黏晶膜之斷裂。
Stealth Dicing中，為了提高黏晶膜之斷裂性，正提出於低溫下(例如，0℃)進行擴展之方法。然而，若將先前之切晶黏晶膜中之切晶膜於低溫下擴展，則發生半導體晶圓或黏晶膜局部未斷裂之不良情況，成為半導體裝置之製造良率降低之結果。
本發明係鑒於上述問題方面而成者，其目的在於提供一種利用低溫下之擴展亦能夠引發半導體晶圓、或黏晶膜之斷裂的切晶膜及具備其之切晶黏晶膜、以及使用該等膜之半導體裝置的製造方法。
本申請發明者等人為了解決上述問題方面而進行深入研究，結果發現，考慮於切晶膜或切晶黏晶膜負荷延伸應力時之特性(以下亦稱為「延伸特性」)產生各向異性，藉由抑制該各向異性，而使黏晶膜及半導體晶圓因延伸應力而較佳地斷裂，從而完成本發明。
即，本發明係一種切晶膜，其係具備基材及設置於該基材上之黏著劑層者，且將由於MD方向及TD方向各自於0℃下負荷延伸應力時之應力-應變曲線求出之MD方向的儲存彈性模數設為E'MD1、TD方向之儲存彈性模數設為E'TD1之情形時，E'MD1/E'TD1為0.75以上且1.25以下。
本申請發明等人著眼於延伸特性之各向異性特別是承擔切晶膜 之機械強度之基材的各向異性。切晶膜所使用之膜基材(代表而言為烯烴系膜)較多於擠出成形或延伸處理等製造步驟中被賦予各向異性，此外，由於以輥狀進行處理，因此亦有時因捲取張力等產生延伸應力而產生各向異性。進而，製造切晶黏晶膜時，有時於輸送之長條之切晶膜上貼合形成於隔離膜上之黏晶膜而使兩者一體化。若該貼合步驟中之張力較強，亦會因其而產生應力，從而產生各向異性。
於擴展步驟中，將切晶膜之全部外周於半徑方向上延伸而負荷延伸應力，但使用具有各向異性之基材而獲得之切晶膜於面內的延伸特性變得不均勻，藉此半導體晶圓或黏晶膜之斷裂變得不充分。特別是於0℃之低溫下存在此種各向異性變得明顯之傾向。
對於該切晶膜，將0℃下之負載延伸應力時之MD方向的儲存彈性模數E'MD1與TD方向之儲存彈性模數E'TD1之比(E'MD1/E'TD1，以下亦稱為「各向異性比1」)設為0.75以上且1.25以下。換言之，抑制作為延伸特性之一的儲存彈性模數之各向異性，極力地使切晶膜之面內的延伸特性為各向同性。藉此，擴展時之延伸應力均勻地負荷於切晶膜之面內，切晶膜向半徑方向之伸長變得均勻，能夠引發黏晶膜及半導體晶圓之充分之斷裂。若偏離各向異性比1之上限及下限，於任意情形時均顯現出切晶膜之延伸特性之各向異性，有時無法引發充分之斷裂。
再者，於本說明書中，MD方向係指基材之移動方向，TD方向係指與MD方向垂直之方向。另外，各儲存彈性模數之測定方法依據實施例之記載。
該切晶膜較佳為，上述儲存彈性模數E'MD1與上述儲存彈性模數E'TD1之差的絕對值為1MPa以上且50MPa以下。藉由將儲存彈性模數之差之絕對值設為上述範圍，而能夠使切晶膜之延伸特性更均勻化。
該切晶膜較佳為，上述儲存彈性模數E'MD1及上述儲存彈性模數 E'TD1之中的至少一者為10MPa以上且100MPa以下。藉此，能夠防止低溫下之切晶膜之不小心的斷裂，並且即便於低溫下切晶膜亦良好地伸長，能夠引發黏晶膜及半導體晶圓之充分之斷裂。
於本發明中，亦包括具備該切晶膜及設置於該切晶膜之黏著劑層上之熱硬化型黏晶膜之切晶黏晶膜。藉此，能夠將自半導體晶圓之切晶直至半導體元件之拾取、半導體元件之安裝的步驟作為一系列之流程而高效地進行。
該切晶黏晶膜較佳為，上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的0℃下之剝離力高於上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的23℃下之剝離力。藉此，能夠使切晶時之半導體晶圓或半導體元件之保持力與拾取時之附黏晶膜之晶片的剝離性較佳平衡。
該切晶黏晶膜較佳為，上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的0℃下之剝離力為0.15N/100mm以上且5N/100mm以下。若切晶膜與黏晶膜之間之剝離力較弱，則於擴展時於黏晶膜與切晶膜之界面產生剝離，作為結果，發生斷裂不良、或斷裂之半導體元件飛散之不良情況，因此0℃下之剝離力較佳為0.15N/100mm以上。另一方面，若剝離力過高，則有時發生斷裂不良，因此較佳為5N/100mm以下。再者，於本說明書中，各剝離力之測定方法依據實施例之記載。
該切晶黏晶膜較佳為，上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的23℃下之剝離力為0.05N/100mm以上且2.5N/100mm以下。為了於常溫(23±2℃)下自切晶膜拾取附黏晶膜之半導體元件，較佳為具有輕剝離性。特別是Stealth Dicing之半導體晶圓與刀片切晶之情形相比被薄型化，變得容易產生裂紋，因此要求剝離力之進一步降低。藉由將剝離力設為2.5N/100mm以下，從而能夠發揮良好之輕剝離性。另一方面，若剝離力低於0.05N/100mm，則有時輸送時之半導體元件之保持變得困難。再者，黏著劑層為利用紫外線照射而黏著力降低 之類型之情形時，紫外線照射後之剝離力為上述範圍內即可。
該切晶黏晶膜可較佳地用於對半導體晶圓照射雷射光而形成改性區域後，使上述半導體晶圓沿著上述改性區域斷裂，藉此獲得半導體元件之半導體元件的製造方法。
於本發明中，亦包括一種半導體裝置之製造方法，其包括以下之步驟：對半導體晶圓之分割預定線照射雷射光，沿著上述分割預定線形成改性區域的步驟；將改性區域形成後之半導體晶圓貼合於該切晶黏晶膜的步驟；於-20℃~15℃之條件下，對上述切晶黏晶膜施加延伸應力，藉此使上述半導體晶圓與上述切晶黏晶膜之黏晶膜沿著上述分割預定線斷裂，形成半導體元件的步驟；將上述半導體元件與上述黏晶膜一起拾取的步驟；以及將拾取之上述半導體元件經由上述黏晶膜而黏晶於被接著物的步驟。
該製造方法由於使用延伸特性之各向異性受到抑制之切晶黏晶膜來進行基於Stealth Dicing之半導體晶圓的斷裂，因此於負荷延伸應力之擴展步驟中能夠引發黏晶膜及半導體晶圓的充分之斷裂，能夠防止半導體元件之破片等不良情況，提高製造效率。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
2a‧‧‧黏著劑層2之與半導體晶圓貼附部分相對應之部分
2b‧‧‧其他部分
3、3'‧‧‧黏晶膜(熱硬化型黏晶膜)
3a‧‧‧半導體晶圓貼附部分
3b‧‧‧與半導體晶圓貼附部分以外之部分
4‧‧‧半導體晶圓
4L‧‧‧分割預定線
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被接著物
7‧‧‧接合線
8‧‧‧密封樹脂
10、12‧‧‧切晶黏晶膜
11‧‧‧切晶膜
31‧‧‧切晶環
32‧‧‧晶圓擴展裝置
33‧‧‧上推部
圖1為表示本發明之一實施形態之切晶黏晶膜的截面示意圖。
圖2為表示本發明之其他實施形態之切晶黏晶膜的截面示意圖。
圖3為用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法的截面示意圖。
圖4為用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法的截面示意圖。
圖5(a)、圖5(b)為用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法的截面示意圖。
圖6為用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法的截面示意圖。
<切晶黏晶膜>
以下說明本發明之切晶黏晶膜。圖1為表示本發明之一實施形態之切晶黏晶膜的截面示意圖。圖2為表示本發明之其他實施形態之切晶黏晶膜的截面示意圖。
如圖1所示，切晶黏晶膜10具有於切晶膜11上積層有黏晶膜3之構成。切晶膜11係於基材1上積層黏著劑層2而構成，黏晶膜3設置於該黏著劑層2上。另外，本發明亦可為如圖2所示之切晶黏晶膜12般僅於半導體晶圓貼附部分形成有黏晶膜3'之構成。
(切晶膜)
切晶膜11於將由MD方向及TD方向各自於0℃下負荷延伸應力時之應力-應變曲線求出的MD方向之儲存彈性模數設為E'MD1、TD方向之儲存彈性模數設為E'TD1之情形時，E'MD1/E'TD1為0.75以上且1.25以下。上述比(各向異性比1)E'MD1/E'TD1之下限較佳為0.78以上。另一方面，上述各向異性比1之上限較佳為1.20以下，更佳為1.17以下。藉由將切晶膜11之各向異性比1設為上述範圍，從而擴展時之延伸應力均勻地負荷於切晶膜之面內，切晶膜向半徑方向之伸長變得均勻，能夠引發黏晶膜及半導體晶圓之充分之斷裂。
(基材)
上述基材1較佳為具有紫外線透過性，成為切晶黏晶膜10、12之強度基體。例如，可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚 聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳綸(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，可列舉上述樹脂之交聯體等聚合物。
上述樹脂膜容易於其製造過程中被賦予各向異性。基材承擔切晶膜之機械強度，因此對切晶膜之延伸特性之各向異性造成較強的影響。因此，較佳為作為基材之樹脂膜自身之各向異性受到抑制。作為緩和樹脂膜之各向異性之措施，並無特別限定，例如可列舉使用利用溶液流延法形成之樹脂膜；或進行能緩和殘留於樹脂膜之應力的程度之熱處理；或不進行延伸或壓延步驟等，且極力地減弱捲取之張力，以不對樹脂膜施加應力。關於樹脂膜，只要能夠抑制切晶膜之延伸特性之各向異性，則可以無延伸狀態使用，亦可使用根據需要實施單軸或雙軸之延伸處理的膜。
基材1之表面可為了提高與相鄰接之層之密接性、保持性等而實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射處理等化學性或物理性處理，基於底塗劑(例如，下述黏著物質)之塗佈處理。上述基材1可適當選擇同種或不同種之材料來使用，根據需要可使用將多種摻合而成的材料。另外，為了對基材1賦予抗靜電能力，可於上述基材1上設置包含金屬、合金、該等之氧化物等之厚度為30~500Å左右之導電性物質的蒸鍍層。基材1可為單層或2種以上之複層。
基材1之厚度可無特別限制而適當決定，通常為5~200μm左 右。
(黏著劑層)
上述黏著劑層2包含紫外線硬化型黏著劑而構成。紫外線硬化型黏著劑因紫外線之照射而增加交聯度，能夠容易地降低其黏著力，藉由僅對圖2所示之黏著劑層2的與半導體晶圓貼附部分相對應之部分2a進行紫外線照射，而能夠設置與其他部分2b之黏著力之差。
另外，藉由根據圖2所示之黏晶膜3'而使紫外線硬化型黏著劑層2硬化，而能夠容易地形成黏著力明顯降低之上述部分2a。由於在硬化而黏著力降低之上述部分2a貼附有黏晶膜3'，故而黏著劑層2之上述部分2a與黏晶膜3'之界面具有於拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射紫外線之部分具有充分之黏著力，形成上述部分2b。
如上所述，圖1所示之切晶黏晶膜10之黏著劑層2中，利用未硬化之紫外線硬化型黏著劑形成之上述部分2b與黏晶膜3黏著，能夠確保切晶時之保持力。如此，紫外線硬化型黏著劑能夠接著/剝離之平衡良好地支持用以將半導體晶片黏晶於基板等被接著物之黏晶膜3。圖2所示之切晶黏晶膜12之黏著劑層2中，上述部分2b能夠固定晶圓環。
上述紫外線硬化型黏著劑可無特別限制而使用具有碳-碳雙鍵等紫外線硬化性官能基且表現出黏著性者。作為紫外線硬化型黏著劑，例如可例示於丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常之感壓性黏著劑中調配紫外線硬化性單體成分、或低聚物成分而成之添加型紫外線硬化型黏著劑。
作為上述感壓性接著劑，就半導體晶圓、或玻璃等避忌污染之電子零件之利用超純水、或醇等有機溶劑之清潔清洗性等方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系聚合物，例如可列舉使用(甲基)丙烯酸烷基酯 (例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數1~30、特別是碳數4~18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如，環戊酯、環己酯等)中之1種或2種以上作為單體成分的丙烯酸系聚合物等。再者，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)均為同樣之涵義。
上述丙烯酸系聚合物亦可以凝聚力、耐熱性等之改性為目的而根據需要包含對應於能與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚之其他單體成分的單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基之單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基之單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等能共聚之單體成分可使用1種或2種以上。該等能共聚之單體之使用量較佳為全部單體成分之40重量%以下。
進而，上述丙烯酸系聚合物可為了進行交聯而根據需要包含多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二 (甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。該等多官能性單體亦可使用1種或2種以上。多官能性單體之使用量，就黏著特性等方面而言，較佳為全部單體成分之30重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由對單一單體或2種以上之單體混合物進行聚合而獲得。聚合以溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等中任意方式進行均可。就防止對清潔之被接著物之污染等方面而言，較佳為低分子量物質之含量較小。就該方面而言，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為30萬以上，進而較佳為40萬~300萬左右。
另外，上述黏著劑中，為了提高作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物等之數量平均分子量，亦可適當地採用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體方法，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂交聯劑來進行反應之方法。於使用外部交聯劑之情形時，其使用量係根據與應交聯之基礎聚合物之平衡，進而根據作為黏著劑之使用用途來適當決定。通常，相對於100重量份上述基礎聚合物，較佳為5重量份以下。另外，作為下限值較佳為0.1重量份以上。進而，黏著劑中除了上述成分以外亦可根據需要使用各種增黏劑、防老化劑等添加劑。
作為調配之上述紫外線硬化性之單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯低聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線硬化性之低聚物成分可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚 系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，其分子量為100~30000左右之範圍較為適當。紫外線硬化性之單體成分、或低聚物成分之調配量可根據上述黏著劑層之種類適宜地決定能夠降低黏著劑層之黏著力的量。通常，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5~500重量份，較佳為70~150重量份左右。
另外，作為紫外線硬化型黏著劑，除了上述說明之添加型紫外線硬化型黏著劑以外，亦可列舉使用於聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵之聚合物作為基礎聚合物之內在型紫外線硬化型黏著劑。內在型紫外線硬化型黏著劑無需含有、或者不大量含有作為低分子量成分之低聚物成分等，因此低聚物成分等不經時地於黏著劑中移動，能夠形成穩定之層結構之黏著劑層，故而較佳。
上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物可無特別限制而使用具有碳-碳雙鍵且具有黏著性之聚合物。作為此種基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉上述例示之丙烯酸系聚合物。
向上述丙烯酸系聚合物導入碳-碳雙鍵之方法並無特別限制，可採用各種方法，於聚合物側鏈導入碳-碳雙鍵時，分子設計較為容易。例如，可列舉以下之方法：預先於丙烯酸系聚合物中共聚具有官能基之單體後，使具有能與該官能基反應之官能基及碳-碳雙鍵之化合物以維持碳-碳雙鍵之紫外線硬化性的狀態進行縮合或加成反應之方法。
作為該等官能基之組合之例，可列舉羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。該等官能基之組合之中，就反應追蹤之容易度而言，羥基與異氰酸酯基之組合較為合適。另外，只要為利用該等官能基之組合生成上述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物 之組合，則官能基位於丙烯酸系聚合物及上述化合物中任意側均可，但於上述較佳之組合中，丙烯酸系聚合物具有羥基且上述化合物具有異氰酸酯基之情形較為合適。於該情形時，作為具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，可使用將上述例示之含羥基之單體、或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚之醚系化合物等共聚而成者。
上述內在型紫外線硬化型黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，但亦可以不使特性惡化之程度調配上述紫外線硬化性之單體成分或低聚物成分。紫外線硬化性之低聚物成分等通常相對於100重量份基礎聚合物為30重量份之範圍內，較佳為0~10重量份之範圍。
上述紫外線硬化型黏著劑中，於利用紫外線等進行硬化之情形時含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-縮酮系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苄基二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合 起始劑之調配量相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份例如為0.05~20重量份左右。
另外，作為紫外線硬化型黏著劑，例如可列舉：日本專利特開昭60-196956號公報中揭示之含有具有2個以上不飽和鍵之加成聚合性化合物、具有環氧基之烷氧基矽烷等光聚合性化合物以及羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等光聚合起始劑之橡膠系黏著劑、或丙烯酸系黏著劑等。
作為於上述黏著劑層2中形成上述部分2a之方法，可列舉於基材1上形成紫外線硬化型黏著劑層2後，對上述部分2a局部地照射紫外線使其硬化的方法。局部之紫外線照射可經由形成有與半導體晶圓貼附部分3a以外之部分3b等相對應之圖案的光罩來進行。另外，可列舉以光斑狀照射紫外線使其硬化的方法等。紫外線硬化型黏著劑層2之形成亦可藉由將設置於隔離膜上之黏著劑層轉印於基材1上來進行。局部之紫外線硬化亦可對設置於隔離膜上之紫外線硬化型黏著劑層2進行。
切晶黏晶膜10之黏著劑層2中，亦可以(上述部分2a之黏著力)<(其他部分2b之黏著力)的方式紫外線照射黏著劑層2之一部分。即，可使用將基材1之至少單面之與半導體晶圓貼附部分3a相對應之部分以外的部分之全部或一部分遮光的基材，於其上形成紫外線硬化型黏著劑層2後進行紫外線照射，使與半導體晶圓貼附部分3a相對應之部分硬化，形成使黏著力降低之上述部分2a。作為遮光材料，可利用印刷或蒸鍍等製作能夠於支持膜上成為光罩者。藉此，能夠效率良好地製造本發明之切晶黏晶膜10。
黏著劑層2之厚度並無特別限定，就防止晶片切斷面之缺口、或固定保持接著層之兼具性等方面而言，較佳為1~50μm左右，更佳為2~30μm，進而較佳為5~25μm。
切晶膜11較佳為，上述儲存彈性模數E'MD1與上述儲存彈性模數E'TD1之差的絕對值為1MPa以上且50MPa以下，更佳為3MPa以上且30MPa以下。藉由將儲存彈性模數之差之絕對值設為上述範圍，而能夠使切晶膜之延伸特性更均勻化。
切晶膜11較佳為，上述儲存彈性模數E'MD1及上述儲存彈性模數E'TD1中之至少一者為10MPa以上且100MPa以下，更佳為20MPa以上且90MPa以下。藉此，能夠防止低溫下之切晶膜之不小心的斷裂，並且即便於低溫下切晶膜亦良好地伸長，能夠引發黏晶膜及半導體晶圓之充分之斷裂。
(黏晶膜)
黏晶膜之層結構並無特別限定，例如可列舉：如黏晶膜3、3'(參照圖1、圖2)般僅包含接著劑層之單層、或將單層之接著劑層積層而成者、於核心材料之單面或雙面形成接著劑層而成之多層結構等。作為上述核心材料，可列舉：膜(例如聚醯亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纖維或塑膠製不織纖維進行強化之樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。於黏晶膜為多層結構之情形時，上述儲存彈性模數等以多層結構之黏晶膜整體計為上述數值範圍內即可。
作為構成上述黏晶膜3、3'之接著劑組合物，可列舉併用熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂的組合物。
作為上述熱硬化性樹脂，可列舉：苯酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨或併用2種以上來使用。特別較佳為較少地含有腐蝕半導體元件之離子性雜質等環氧樹脂。另外，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為苯酚樹脂。
上述環氧樹脂只要為通常用作接著劑組合物者則無特別限定， 例如可使用雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。該等可單獨或併用2種以上來使用。該等環氧樹脂之中，特別較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型樹脂或者四羥苯基乙烷型環氧樹脂。其原因在於，該等環氧樹脂富有與作為硬化劑之苯酚樹脂之反應性，耐熱性等優異。
進而，上述苯酚樹脂作為上述環氧樹脂之硬化劑發揮作用，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型苯酚樹脂；甲酚型苯酚樹脂、聚對氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。該等可單獨或併用2種以上來使用。該等苯酚樹脂之中，特別較佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。其原因在於，能夠提高半導體裝置之連接可靠性。
關於上述環氧樹脂與苯酚樹脂之調配比例，例如，較佳為以苯酚樹脂中之羥基相對於上述環氧樹脂成分中之環氧基每1當量達到0.5~2.0當量的方式調配。更佳為0.8~1.2當量。即，其原因在於，若兩者之調配比例偏離上述範圍，則無法進行充分之硬化反應，環氧樹脂硬化物之特性變得容易劣化。
作為上述熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍、或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET、或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者氟樹脂等。該等熱塑性樹脂可單獨或併用2種以上來使用。該等熱 塑性樹脂之中，特別較佳為離子性雜質較少、耐熱性較高、能夠確保半導體元件之可靠性之丙烯酸系樹脂。
作為上述丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉以具有碳數30以下、尤其是碳數4~18之直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸酯中之1種或2種以上作為成分的聚合物(丙烯酸系共聚物)等。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
上述丙烯酸系樹脂之中，以提高凝聚力之理由，特別較佳為丙烯酸系共聚物。作為上述丙烯酸系共聚物，例如可列舉：丙烯酸乙酯與甲基丙烯酸甲酯之共聚物、丙烯酸與丙烯腈之共聚物、丙烯酸丁酯與丙烯腈之共聚物。
上述丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-30℃以上且30℃以下，更佳為-20℃以上且15℃以下。藉由將上述丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度設為-30℃以上，從而黏晶膜變硬，斷裂性提高，藉由設為30℃以下，從而低溫下之晶圓層壓性提高。作為玻璃轉移溫度為-30℃以上且30℃以下之丙烯酸系樹脂，例如可列舉：Nagase Chemtex股份有限公司製造之SG-708-6(玻璃轉移溫度：6℃)、SG-790(玻璃轉移溫度：-25℃)、WS-023(玻璃轉移溫度：-5℃)、SG-80H(玻璃轉移溫度：7.5℃)、SG-P3(玻璃轉移溫度：15℃)。
另外，作為形成上述聚合物之其他單體，並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之類之含羧基之單體、馬來酸酐或衣康酸酐等之類之酸酐單體、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己 酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等之類之含羥基之單體、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之類之含磺酸基之單體、或者2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之類之含磷酸基之單體。
作為上述熱硬化性樹脂之調配比率，只要為於特定條件下加熱時黏晶膜3、3'發揮作為熱硬化型之功能的程度則無特別限定，較佳為5~60重量%之範圍內，更佳為10~50重量%之範圍內。
上述黏晶膜3、3'之熱硬化前之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為25~60℃，更佳為25~55℃，進而較佳為25~50℃。藉由將熱硬化前之玻璃轉移溫度設為25~60℃，能夠良好地層壓晶圓。再者，黏晶膜之熱硬化前之玻璃轉移溫度之測定可按照以下的步驟進行。即，將黏晶膜於40℃之條件下重疊至厚度100μm後，以成為寬度10mm之長條狀之測定片的方式切斷。繼而，使用動態黏彈性測定裝置(RSA(III)，Rheometric Scientific公司製造)，於頻率10Hz、升溫速度5℃/分鐘之條件下測定-30~280℃下之損耗正切(tanδ)。由此時之tanδ的峰值求出玻璃轉移溫度。
上述黏晶膜3、3'之中，含有環氧樹脂、苯酚樹脂、以及丙烯酸系樹脂，將上述環氧樹脂及上述苯酚樹脂之合計重量設為X，將上述丙烯酸系樹脂之重量設為Y時，較佳為X/(X+Y)為0.3以上且未達0.9，更佳為0.35以上且未達0.85，進而較佳為0.4以上且未達0.8。隨著環氧樹脂及苯酚樹脂之含量增多，變得容易斷裂，另一方面，向半導體晶圓4接著之接著性降低。另外，隨著丙烯酸系樹脂之含量增多，於貼合時或處理時黏晶膜3、3'變得不易產生裂紋，作業性變得良好，另一方面，變得難以斷裂。因此，藉由將X/(X+Y)設為0.3以上，從而 於利用Stealth Dicing由半導體晶圓4獲得半導體元件5時，變得更容易使黏晶膜3、3'與半導體晶圓4同時斷裂。另外，藉由使X/(X+Y)未達0.9，能夠使作業性良好。
於預先使本發明之黏晶膜3、3'以某種程度交聯之情形時，可於製作時預先添加與聚合物之分子鏈末端之官能基等進行反應的多官能性化合物作為交聯劑。藉此，能夠提高高溫下之接著特性，實現耐熱性之改善。
作為上述交聯劑，可採用先前公知之交聯劑。尤其是，更佳為甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯之加成物等聚異氰酸酯化合物。作為交聯劑之添加量，相對於100重量份上述聚合物，通常較佳為設為0.05~7重量份。若交聯劑之量多於7重量份，則接著力降低，因此不佳。另一方面，若少於0.05重量份，則凝聚力不足，因此不佳。另外，亦可與此種聚異氰酸酯化合物一同，根據需要而一併含有環氧樹脂等其他多官能性化合物。
另外，黏晶膜3、3'中可根據其用途適當調配填料。填料之調配可賦予導電性、或提高導熱性、調節彈性模數等。作為上述填料，可列舉：無機填料及有機填料，就處理性之提高、導熱性之提高、熔融黏度之調整、觸變性之賦予等特性的觀點而言，較佳為無機填料。作為上述無機填料，並無特別限制，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽等。該等可單獨或併用2種以上來使用。就提高導熱性之觀點而言，較佳為氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽。另外，就上述各特性之平衡良好的觀點而言，較佳為結晶二氧化矽或非晶二氧化矽。另外，以賦予導電性、提高導熱性等為目的，作為無機填料， 亦可使用導電性物質(導電填料)。作為導電填料，可列舉將銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等製成球狀、針狀、鱗片狀之金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形碳黑、石墨等。
上述填料之平均粒徑較佳為0.005~10μm，更佳為0.005~1μm。其原因在於，藉由將上述填料之平均粒徑設為0.005μm以上，從而能夠使對被接著物潤濕之潤濕性及接著性良好。另外，藉由設為10μm以下，從而能使為了賦予上述各特性而添加之填料之效果充分，並且能夠確保耐熱性。再者，填料之平均粒徑為利用光度式之粒度分佈計(HORIBA製造，裝置名：LA-910)求出之值。
關於黏晶膜，將上述環氧樹脂與上述酚樹脂及上述丙烯酸系樹脂之合計重量設為A、上述填料之重量設為B時，B/(A+B)較佳為0.1以上且0.7以下，更佳為0.1以上且0.65以下，進而較佳為0.1以上且0.6以下。藉由將上述值設為0.7以下，而能夠防止延伸儲存彈性模數變高，能夠使對被接著物潤濕之潤濕性及接著性良好。另外，藉由將上述值設為0.1以上，從而能夠使黏晶膜因延伸應力而較佳地斷裂。
再者，黏晶膜3、3'中，除了上述填料以外，可根據需要適當調配其他添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑或離子捕捉劑等。作為上述阻燃劑，例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。該等可單獨或併用2種以上來使用。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。該等化合物可單獨或併用2種以上來使用。作為上述離子捕捉劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍等。該等可單獨或併用2種以上來使用。
黏晶膜3、3'之厚度(積層體之情形時為總厚度)並無特別限定，例如可自1~200μm之範圍中選擇，較佳為5~100μm，更佳為10~80 μm。
上述切晶黏晶膜10、12之黏晶膜3、3'較佳為用隔離膜來保護(未圖示)。隔離膜具有於供於實用之前作為保護黏晶膜3、3'之保護材料的功能。另外，隔離膜亦可作為向黏著劑層2上轉印黏晶膜3、3'時的支持基材來使用。隔離膜於向切晶黏晶膜之黏晶膜3、3'上黏貼工件時被剝離。作為隔離膜，亦可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠膜、或紙等。
切晶黏晶膜10、12較佳為上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的0℃下之剝離力高於上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的23℃下的剝離力。藉此，能夠使切晶時之半導體晶圓或半導體元件的保持力與拾取時之附黏晶膜之晶片的剝離性適宜地平衡。
對於切晶黏晶膜10、12，上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的0℃下的剝離力較佳為0.15N/100mm以上且5N/100mm以下，更佳為0.20N/100mm以上且1N/100mm以下。若切晶膜與黏晶膜之間的剝離力較弱，則於擴展時在黏晶膜與切晶膜之界面產生剝離，作為其結果，發生斷裂不良或斷裂之半導體元件飛散之不良情況，因此0℃下之剝離力較佳為上述下限以上。另一方面，若剝離力過高，則有時發生斷裂不良，因此較佳為上述上限以下。
對於切晶黏晶膜10、12，上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間之23℃下的剝離力較佳為0.05N/100mm以上且2.5N/100mm以下，更佳為0.10N/100mm以上且1N/100mm以下。為了於常溫(23±2℃)下自切晶膜拾取附黏晶膜之半導體元件，較佳為具有輕剝離性。特別是Stealth Dicing之半導體晶圓與刀片切晶的情況相比被薄型化，變得容易產生裂紋，因此要求剝離力之進一步降低。藉由將剝離力設為上述上限以下，而能夠發揮良好之輕剝離性。另一方面，若剝離力 低於上述下限，則有時輸送時之半導體元件的保持變得困難。再者，黏著劑層為利用紫外線照射而黏著力降低之類型時，紫外線照射後之剝離力為上述範圍內即可。
<切晶黏晶膜之製造方法>
本實施形態之切晶黏晶膜10、12例如如下所述而製作。
首先，基材1可利用先前公知之製膜方法來製膜。作為該製膜方法，例如可例示：壓延製膜法、於有機溶劑中之流延法、於密閉體系中之吹脹擠出法、T模具擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
繼而，於基材1上塗佈黏著劑組合物溶液而形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥(根據需要進行加熱交聯)，形成黏著劑層2。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉：輥塗、絲網塗覆、凹版塗覆等。另外，作為乾燥條件，例如於乾燥溫度80~150℃、乾燥時間0.5~5分鐘之範圍內進行。另外，亦可於隔離膜上塗佈黏著劑組合物而形成塗佈膜後，於上述乾燥條件下使塗佈膜乾燥而形成黏著劑層2。然後，將黏著劑層2與隔離膜一起貼合於基材1上。藉此，製作切晶膜11。此時，亦可對切晶膜之與黏晶膜之貼合面預先進行紫外線照射。
黏晶膜3、3'例如如下所述而製作。
首先，製作黏晶膜3、3'之形成材料即接著劑組合物溶液。該接著劑組合物溶液中如上所述調配上述接著劑組合物、或填料、其他各種添加劑等。
繼而，將接著劑組合物溶液以特定厚度塗佈於基材隔離膜上而形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥，形成接著劑層。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉：輥塗、絲網塗覆、凹版塗覆等。另外，作為乾燥條件，例如於乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘之範圍內進行。另外，亦可於隔離膜上塗佈黏著劑組合物溶液 而形成塗佈膜後，於上述乾燥條件下使塗佈膜乾燥而形成接著劑層。然後，將接著劑層與隔離膜一起貼合於基材隔離膜上。
繼而，自切晶膜11及接著劑層分別剝離隔離膜，以接著劑層與黏著劑層成為貼合面之方式將兩者貼合在一起。貼合例如可藉由壓接來進行。此時，層壓溫度並無特別限定，例如較佳為30~50℃，更佳為35~45℃。另外，線壓並無特別限定，例如較佳為0.1~20kgf/cm，更佳為1~10kgf/cm。繼而，剝離接著劑層上之基材隔離膜，獲得本實施形態之切晶黏晶膜。
於使用長條之基材製造切晶黏晶膜之情形時，可適宜地採用輥對輥法。將捲繞成輥狀之長條之基材送出，於輸送之基材上根據通用方法形成黏著劑層，製成切晶膜。通常，於將黏著劑層用隔離膜覆蓋後，再次捲取成輥狀。繼而，根據自該輥送出切晶膜而剝離隔離膜。另行準備形成於隔離膜上之黏晶膜，一面使輸送之切晶膜與黏晶膜同步，一面將黏晶膜貼合於切晶膜之黏著劑層上。藉此，獲得於具備長條基材及黏著劑層之長條的切晶膜上以特定間隔設有黏晶膜之長條的切晶黏晶膜。亦可將長條之切晶黏晶膜進一步捲取成輥狀，製成切晶黏晶膜捲繞體的形態。
於採用輥對輥法之情形時，若於輸送時基材上負荷較強之張力，則基材產生各向異性，有招致切晶膜或切晶黏晶膜之延伸特性之各向異性之虞。就降低基材之各向異異性的觀點而言，輸送時之張力較佳為0.01N/mm以上且1N/mm以下，更佳為0.05N/mm以上且0.5N/mm以下。
<半導體裝置之製造方法>
繼而，一面參照圖3~圖6一面針對使用切晶黏晶膜12之半導體裝置的製造方法進行說明。圖3~圖6為用以說明本實施形態之半導體裝置之一製造方法的截面示意圖。首先，對半導體晶圓4之分割預定 線4L照射雷射光，於分割預定線4L上形成改性區域。本方法係向半導體晶圓之內部對準聚光點，沿著格子狀之分割預定線照射雷射光，利用基於多光子吸收之燒蝕而於半導體晶圓之內部形成改性區域的方法。作為雷射光照射條件，於以下之條件之範圍內適當調整即可。
(雷射光照射條件)
(A)雷射光
(B)聚光用透鏡
對於雷射光波長之透過率100%以下
(C)載置有半導體基板之載置台之移動速度280mm/秒以下
再者，關於照射雷射光而於分割預定線4L上形成改性區域之方法，日本專利第3408805號公報、或日本專利特開2003-338567號公報中有詳細描述，因此此處省略詳細之說明。
繼而，如圖4所示，於黏晶膜3'上壓接改性區域形成後之半導體晶圓4，使其接著保持並進行固定(安裝步驟)。本步驟一面利用壓接輥等按壓裝置按壓一面進行。安裝時之貼附溫度並無特別限定，較佳 為40~80℃之範圍內。其原因在於，能夠有效地防止半導體晶圓4之翹曲，並且能夠降低切晶黏晶膜之伸縮的影響。
繼而，藉由對切晶黏晶膜12施加延伸應力，而使半導體晶圓4與黏晶膜3'沿分割預定線4L斷裂，形成半導體晶片5(晶片形成步驟)。於本步驟中，例如，可使用市售之晶圓擴展裝置。具體而言，如圖5(a)所示，於貼合有半導體晶圓4之切晶黏晶膜12之黏著劑層2周邊部貼附切晶環31後，固定於晶圓擴展裝置32。繼而，如圖5(b)所示，使上推部33上升，對切晶黏晶膜12施加張力進行擴展。
該晶片形成步驟較佳為於-20℃~15℃之條件下執行，更佳為於-20℃~5℃之條件下執行，更佳為於-15℃~0℃之條件下執行。藉由於如上述範圍般之低溫條件下執行晶片形成步驟，而能夠效率良好地進行黏晶膜3'之斷裂，其結果，能夠提高製造效率。
另外，於晶片形成步驟中，擴展速度(上推部上升之速度)較佳為100~400mm/秒，更佳為100~350mm/秒，進而較佳為100~300mm/秒。藉由將擴展速度設為上述下限以上，而能夠使半導體晶圓4與黏晶膜3'大致同時且容易地斷裂。另外，藉由將擴展速度設為上述上限以下，而能夠防止切晶膜11斷裂。
另外，於晶片形成步驟中，擴展量較佳為6~12%。上述擴展量於上述數值範圍內根據所形成之晶片尺寸適當調整即可。再者，於本實施形態中，擴展量係指，將擴展前之切晶膜的表面積設為100%，因擴展而增加之表面積的值(%)。藉由將擴展量設為6%以上，而容易使半導體晶圓4及黏晶膜3斷裂。另外，藉由將擴展量設為12%以下，而能夠防止切晶膜11斷裂。
如此，藉由對切晶黏晶膜12施加延伸應力，而能夠以半導體晶圓4之改性區域作為起點於半導體晶圓4的厚度方向上產生裂紋，並且使與半導體晶圓4密著之黏晶膜3'斷裂，能夠獲得附黏晶膜3'之半導體 晶片5。
繼而，為了將接著固定於切晶黏晶膜12之半導體晶片5剝離，進行半導體晶片5之拾取(拾取步驟)。作為拾取之方法，並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。例如可列舉：利用針將各個半導體晶片5自切晶黏晶膜12側頂起，利用拾取裝置拾取所頂起之半導體晶片5的方法等。
此處，關於拾取，由於黏著劑層2為紫外線硬化型，因此於對該黏著劑層2照射紫外線之後進行。藉此，黏著劑層2對黏晶膜3'之黏著力降低，半導體晶片5之剝離變得容易。其結果，能夠無損半導體晶片5而進行拾取。紫外線照射時之照射強度、照射時間等條件並無特別限定，根據需要適當設定即可。再者，使用於紫外線硬化之切晶膜上貼合黏晶膜而成之切晶黏晶膜時，無需此處之紫外線照射。
繼而，如圖6所示，將所拾取之半導體晶片5經由黏晶膜3'而黏晶於被接著物6(暫時固著步驟)。作為被接著物6，可列舉：引線框、TAB膜、基板或另行製作之半導體晶片等。被接著物6例如可為容易變形之變形型被接著物，亦可為難以變形之非變形型被接著物(半導體晶圓等)。
作為上述基板，可使用先前公知之基板。另外，作為上述引線框，可使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或包含玻璃環氧、BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等之有機基板。但是，本發明不限定於此，亦包括能接著固定半導體元件且與半導體元件電性連接而使用的電路基板。
黏晶膜3'之暫時固著時之25℃下之剪切接著力對於被接著物6較佳為0.2MPa以上，更佳為0.2~10MPa。若黏晶膜3之剪切接著力至少為0.2MPa以上，則於引線接合步驟時，因該步驟中之超聲波振動或加熱而於黏晶膜3與半導體晶片5或被接著物6之接著面產生剪切變 形的情況較少。即，半導體元件較少因引線接合時之超聲波振動而移動，藉此防止引線接合之成功率降低。另外，黏晶膜3'之暫時固著時之175℃下的剪切接著力對於被接著物6較佳為0.01MPa以上，更佳為0.01~5MPa。
繼而，進行利用接合線7將被接著物6之端子部(內部引線)之前端與半導體晶片5上的電極焊盤(未圖示)電性連接的引線接合(引線接合步驟)。作為上述接合線7，例如可列舉：金線、鋁線或銅線等。關於進行引線接合時之溫度，於80~250℃，較佳為80~220℃之範圍內進行。另外，關於其加熱時間，進行幾秒~幾分鐘。接線藉由於加熱至上述溫度範圍內之狀態下併用由超聲波引起之振動能量及由施加加壓引起之壓接能量而進行。本步驟可不進行黏晶膜3a之熱硬化而執行。另外，本步驟之過程中並不利用黏晶膜3a將半導體晶片5與被接著物6固著。
繼而，利用密封樹脂8密封半導體晶片5(密封步驟)。本步驟係為了保護搭載於被接著物6之半導體晶片5、或接合線7而進行。本步驟藉由將密封用樹脂利用模具成型來進行。作為密封樹脂8，例如使用環氧系樹脂。關於樹脂密封時之加熱溫度，通常於175℃下進行60~90秒，但本發明不限定於此，例如可於165~185℃下硬化幾分鐘。藉此，使密封樹脂硬化，並且經由黏晶膜3將半導體晶片5與被接著物6固著。即，於本發明中，即便於未進行下述之後硬化步驟之情形時，亦能夠於本步驟中利用黏晶膜3進行固著，能夠有助於製造步驟數之減少及半導體裝置之製造期間的縮短。
上述後硬化步驟中，使於上述密封步驟中硬化不充分之密封樹脂8完全硬化。即便於密封步驟中黏晶膜3a未完全熱硬化之情形時，亦能夠於本步驟中使密封樹脂8以及黏晶膜3a完全熱硬化。本步驟中之加熱溫度根據密封樹脂之種類而有所不同，例如為165~185℃之範 圍內，加熱時間為0.5~8小時左右。
上述實施形態中，對於將附黏晶膜3'之半導體晶片5暫時固著於被接著物6後未使黏晶膜3'完全熱硬化而進行引線接合步驟之情形進行說明。然而，於本發明中，亦可進行如下之通常的黏晶步驟：於被接著物6上暫時固著附黏晶膜3'之半導體晶片5後，使黏晶膜3'熱硬化，然後，進行引線接合步驟。該情形時，熱硬化後之黏晶膜3'較佳為於175℃下具有0.01MPa以上之剪切接著力，更佳為0.01~5MPa。其原因在於，藉由將熱硬化後之175℃下之剪切接著力設為0.01MPa以上，而能夠防止由於引線接合步驟時之超聲波振動、或加熱而於黏晶膜3'與半導體晶片5或被接著物6之接著面產生剪切變形。
再者，本發明之切晶黏晶膜亦可適宜地用於將複數個半導體晶片積層而進行三維安裝之情形。此時，可於半導體晶片間積層黏晶膜及間隔物，亦可於半導體晶片間僅積層黏晶膜而不積層間隔物，可根據製造條件或用途等適當變更。
[實施例]
以下，例示性地詳細說明本發明之較佳之實施例。但是，該實施例中記載之材料或調配量等只要並非特別限定性之記載，則並無意圖將本發明之要旨僅限定於該等。
<實施例1~3及比較例1~2>
<切晶膜之製造>
(製造例1)
於具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中加入丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)76份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)24份、以及過氧化苯甲醯0.2份及甲苯60份，於氮氣氣流中在61℃下進行6小時聚合處理，獲得丙烯酸系聚合物A。2EHA與HEA之莫耳比設為100mol比20mol。
於該丙烯酸系聚合物A中加入2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(以下稱為「MOI」)10份(相對於HEA為80mol%)，於空氣氣流中在50℃下進行48小時加成反應處理，獲得丙烯酸系聚合物A'。
繼而，相對於100份丙烯酸系聚合物A'，加入異氰酸酯系交聯劑(商品名「CORONATE L」，日本聚胺酯股份有限公司製造)6份及光聚合起始劑(商品名「IRGACURE 651」，Ciba Specialty Chemicals公司製造)4份，製作黏著劑溶液。
將上述製備之黏著劑溶液塗佈於PET剝離襯墊之實施聚矽氧處理的面上，於120℃下加熱交聯2分鐘，形成厚度30μm之黏著劑層前驅物。繼而，準備具有聚丙烯層及聚乙烯層之2層結構之厚度80μm的基材膜，於該黏著劑前驅物表面上以聚丙烯層作為貼合面而貼合基材膜。然後，於50℃下保存24小時。僅對黏著劑層前驅物之相當於半導體晶圓貼附部分(直徑200mm)的部分(直徑220mm)照射紫外線，形成黏著劑層。藉此，製作本製造例之切晶膜A。再者，照射條件如下所述。
<紫外線之照射條件>
紫外線(UV)照射裝置：高壓水銀燈
紫外線照射累積光量：500mJ/cm2
輸出：120W
照射強度：200mW/cm2
(製造例2)
作為基材膜，準備具有聚丙烯層及聚乙烯層之2層結構的厚度100μm之基材膜，於上述黏著劑前驅物表面上以聚丙烯層作為貼合面而貼合基材膜，除此以外以與製造例1同樣之方式，製作切晶膜B。
(製造例3)
作為基材膜，準備具有將聚丙烯與聚乙烯摻合而成之1層結構之 厚度40μm的基材膜，將其與上述黏著劑前驅物表面貼合，除此以外以與製造例1同樣之方式，製作切晶膜C。
(製造例4)
作為基材膜，準備具有聚丙烯及聚乙烯之摻合層、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物層、以及聚丙烯及聚乙烯之摻合層的3層結構之厚度90μm的基材膜，於上述黏著劑前驅物表面上以任意摻合層作為貼合面而貼合基材膜，除此以外以與製造例1同樣之方式，製作切晶膜D。
<黏晶膜之製造>
(製造例5)
將下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，獲得濃度23.6重量%之接著劑組合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作為主要成分之丙烯酸酯系聚合物(Nagase Chemtex股份有限公司製造，SG-P3，玻璃轉移溫度：15℃) 48重量份
(b)環氧樹脂(東都化成股份有限公司製造，KI-3000，環氧當量105，軟化點70℃) 6重量份
(c)苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製造，MEH-7800M，羥基當量175) 6重量份
(d)填料(ADMATECHS公司製造，SO-E2，熔融球狀二氧化矽，平均粒徑0.5μm) 40重量份
將該接著劑組合物溶液塗佈於經聚矽氧脫模處理之厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜(剝離襯墊)上後，於130 ℃下乾燥2分鐘。藉此，製作厚度10μm之黏晶膜A。
(製造例6)
將下述(a)~(e)溶解於甲基乙基酮，獲得濃度23.6重量%之接著劑組合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作為主成分之丙烯酸酯系聚合物(Nagase Chemtex股份有限公司製造，SG-P3，玻璃轉移溫度：15℃) 32重量份
(b)環氧樹脂(東都化成股份有限公司製造，KI-3000，環氧當量105，軟化點70℃) 4重量份
(c)苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製造，MEH-7800M，羥基當量175) 4重量份
(d)填料(ADMATECHS公司製造，SO-E2，熔融球狀二氧化矽，平均粒徑0.5μm) 60重量份
(e)矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造，KBM-403) 0.05重量份
將該接著劑組合物溶液塗佈於經聚矽氧脫模處理之厚度為50μm之包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，於130℃下乾燥2分鐘。藉此，製作厚度10μm之黏晶膜B。
<切晶黏晶膜之製造>
按照表1所示之組合，將黏晶膜與切晶膜於層壓溫度40℃、線壓2kgf/cm下貼合，將該等分別記作實施例及比較例之切晶黏晶膜A~E。
(23℃之儲存彈性模數的測定)
對於切晶膜A~D，分別測定23℃下之MD方向及TD方向之儲存彈性模數。詳細而言，用切晶刀將切晶膜切成10mm寬度×50mm長度，使用Autograph(島津製作所製造，AGS-J)，於卡盤間距離10mm、延伸速度50mm/min下進行測定。由獲得之SS曲線使用伸長3%時刻之值求出儲存彈性模數。算出所使用之樣品厚度使用基材與黏著劑層之厚度的合計之值。將結果示於表1。
(0℃之儲存彈性模數之測定)
對於切晶膜A~D，分別測定0℃下之MD方向及TD方向之儲存彈性模數。詳細而言，用切晶刀將切晶膜切成10mm寬度×50mm長度，使用Autograph(島津製作所製造)，於卡盤間距離10mm、延伸速度50mm/min下進行測定。由獲得之SS曲線使用伸長3%時刻之值求出儲存彈性模數。算出所使用之樣品厚度使用基材及黏著劑層的厚度之合計的值。將結果示於表1。
(斷裂性之確認)
作為雷射加工裝置，使用東京精密股份有限公司製造之ML300-Integration，向半導體晶圓之內部對準聚光點，沿著格子狀(10mm×10mm)之分割預定線自半導體晶圓之表面側照射雷射光，於半導體晶圓的內部形成改性區域。半導體晶圓使用矽晶圓(厚度75μm、外徑12英吋)。另外，雷射光照射條件如下所述地進行。
(A)雷射光
(B)聚光用透鏡
對於雷射光波長之透過率60%
(C)載置半導體基板之載置台之移動速度100mm/秒
對各個切晶黏晶膜A~E分別貼合利用雷射光進行預處理之半導體晶圓後，進行斷裂試驗。斷裂試驗於擴展溫度0℃之條件下進行。擴展速度設為400mm/秒、擴展量設為6%。作為擴展之結果，對於半導體晶圓之中央部100個晶片，計數晶片與黏晶膜沿分割預定線良好地斷裂之晶片個數，求出其比率。將結果示於表1。
(剝離力測定)
於所製作之切晶黏晶膜上於黏晶膜側在常溫下貼合膠帶(日東電工股份有限公司製造，商品名；BT-315)來進行加強。用切晶刀切斷成100mm寬度×120mm長度。然後，將切晶膜之黏著劑層與黏晶膜夾持，分別於0℃及23℃下使用延伸試驗機(島津製作所股份有限公司製造，商品名；AGS-J)讀取以剝離速度300mm/min、T型剝離試驗剝離黏著劑層與黏晶膜時的力(最大負載，單位：N/100mm)。將結果示於表1。
實施例之切晶黏晶膜之基於雷射切晶的斷裂性良好。另外，獲得以下之結果：0℃下之剝離力較高，半導體晶圓之保持性優異，另一方面，23℃下之剝離力較低，拾取性優異。相對於此，比較例1及2之切晶黏晶膜由於TD方向及MD方向之物性的偏差較大，因此獲得基於雷射切晶之斷裂性較差的結果。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
3'‧‧‧黏晶膜(熱硬化型黏晶膜)
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
12‧‧‧切晶黏晶膜
31‧‧‧切晶環
32‧‧‧晶圓擴展裝置
33‧‧‧上推部

Claims (9)

  1. 一種切晶膜，其係具備基材及設置於該基材上之黏著劑層者，且於將由於MD方向及TD方向各自於0℃下負荷延伸應力時之應力-應變曲線求出的MD方向之儲存彈性模數設為E'MD1、TD方向之儲存彈性模數設為E'TD1之情形時，E'MD1/E'TD1為0.75以上且1.25以下。
  2. 如請求項1之切晶膜，其中上述儲存彈性模數E'MD1與上述儲存彈性模數E'TD1之差的絕對值為1以上且50以下。
  3. 如請求項1之切晶膜，其中上述儲存彈性模數E'MD1及上述儲存彈性模數E'TD1中之至少一者為10MPa以上且100MPa以下。
  4. 一種切晶黏晶膜，其具備如請求項1之切晶膜及設置於該切晶膜之黏著劑層上的熱硬化型黏晶膜。
  5. 如請求項4之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的0℃下之剝離力高於上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的23℃下之剝離力。
  6. 如請求項5之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的0℃下之剝離力為0.15N/100mm以上且5N/100mm以下。
  7. 如請求項5之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層與上述熱硬化型黏晶膜之間的23℃下之剝離力為0.05N/100mm以上且2.5N/100mm以下。
  8. 如請求項4至7中任一項之切晶黏晶膜，其用於藉由對半導體晶圓照射雷射光而形成改性區域後，使上述半導體晶圓沿上述改性區域斷裂，而獲得半導體元件之半導體元件的製造方法。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，其包括以下之步驟：對半導體晶圓之分割預定線照射雷射光，沿著上述分割預定線形成改性區域的步驟；將改性區域形成後之半導體晶圓貼合於如請求項4至8中任一項之切晶黏晶膜的步驟；於-20℃~15℃之條件下，對上述切晶黏晶膜施加延伸應力，而使上述半導體晶圓與上述切晶黏晶膜之黏晶膜沿著上述分割預定線斷裂，形成半導體元件的步驟；將上述半導體元件與上述黏晶膜一起拾取的步驟；以及將拾取之上述半導體元件經由上述黏晶膜而黏晶於被接著物的步驟。
TW104109052A 2014-03-31 2015-03-20 切晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法 TWI660436B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-074017 2014-03-31
JP2014074017A JP6312498B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 ダイシングフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201539586A true TW201539586A (zh) 2015-10-16
TWI660436B TWI660436B (zh) 2019-05-21

Family

ID=54161231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104109052A TWI660436B (zh) 2014-03-31 2015-03-20 切晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6312498B2 (zh)
KR (2) KR102386082B1 (zh)
CN (1) CN104946152B (zh)
TW (1) TWI660436B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI803489B (zh) * 2017-04-17 2023-06-01 日商日東電工股份有限公司 切晶黏晶膜

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6574685B2 (ja) * 2015-11-12 2019-09-11 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP6577341B2 (ja) * 2015-11-13 2019-09-18 日東電工株式会社 積層体および半導体装置の製造方法
JP6662074B2 (ja) * 2016-02-05 2020-03-11 日立化成株式会社 接着フィルム
CN107227123A (zh) * 2016-03-24 2017-10-03 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法
JP2017183705A (ja) * 2016-03-24 2017-10-05 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
CN106206397B (zh) * 2016-08-05 2020-02-07 厦门市三安光电科技有限公司 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法
KR102383560B1 (ko) * 2016-10-28 2022-04-08 가부시키가이샤 도교 세이미쓰 워크 분할 장치 및 워크 분할 방법
JP6980680B2 (ja) * 2016-11-02 2021-12-15 リンテック株式会社 ステルスダイシング用粘着シート
JP6877982B2 (ja) * 2016-12-08 2021-05-26 日東電工株式会社 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR20180116755A (ko) * 2017-04-17 2018-10-25 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 다이 본드 필름
JP2019197784A (ja) * 2018-05-08 2019-11-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置
KR20210107031A (ko) * 2018-12-28 2021-08-31 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 광경화성 점착제의 평가 방법, 다이싱·다이본딩 일체형 필름과 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6835296B1 (ja) * 2019-05-10 2021-02-24 昭和電工マテリアルズ株式会社 ピックアップ性の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法及び選別方法、並びに半導体装置の製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4578050B2 (ja) * 2001-09-04 2010-11-10 グンゼ株式会社 ウェハダイシングテープ用基材
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005191297A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法
JP4891603B2 (ja) * 2005-12-07 2012-03-07 電気化学工業株式会社 粘着シート及びそれを用いた電子部品製造方法。
JP4430085B2 (ja) 2007-03-01 2010-03-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2009049400A (ja) * 2007-07-25 2009-03-05 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2009164556A (ja) * 2007-12-11 2009-07-23 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2009242586A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sekisui Film Kk 粘着テープ基材及び粘着シート
JP5561949B2 (ja) * 2009-04-08 2014-07-30 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2010251480A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置の製造方法及びウエハ加工用テープ
JP2011060848A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP4927187B2 (ja) * 2010-02-19 2012-05-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2011187571A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4976522B2 (ja) * 2010-04-16 2012-07-18 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5439264B2 (ja) * 2010-04-19 2014-03-12 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
TW201207070A (en) * 2010-07-05 2012-02-16 Nitto Denko Corp Active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for re-release and dicing die-bonding film
JP2012079936A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2012142368A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
TW201305306A (zh) * 2011-07-25 2013-02-01 Nitto Denko Corp 接著片及其用途
JP5828706B2 (ja) * 2011-08-03 2015-12-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2013038181A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5554351B2 (ja) * 2012-01-25 2014-07-23 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI803489B (zh) * 2017-04-17 2023-06-01 日商日東電工股份有限公司 切晶黏晶膜

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015198118A (ja) 2015-11-09
CN104946152A (zh) 2015-09-30
KR20150113878A (ko) 2015-10-08
TWI660436B (zh) 2019-05-21
KR20220050110A (ko) 2022-04-22
KR102493750B1 (ko) 2023-02-06
JP6312498B2 (ja) 2018-04-18
CN104946152B (zh) 2022-10-21
KR102386082B1 (ko) 2022-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102493750B1 (ko) 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI521578B (zh) 切晶黏晶膜
TWI439525B (zh) 切割及晶片接合薄膜
TWI664263B (zh) 熱硬化型黏晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法
TWI441894B (zh) 熱固型晶片接合薄膜、切割/晶片接合薄膜及半導體裝置的製造方法
TWI546365B (zh) 熱固型晶片接合薄膜、切割／晶片接合薄膜及半導體裝置
TWI428419B (zh) Cut crystal sticky film
JP4801127B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
TWI433907B (zh) Cut crystal sticky film
KR101083959B1 (ko) 반도체 장치 제조용 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI739729B (zh) 黏晶膜、附切割片材之黏晶膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法
TWI642120B (zh) Reinforced sheet and method of manufacturing secondary mounted semiconductor device
JP6295135B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
TW201842117A (zh) 切晶黏晶膜
KR20120030964A (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2011174042A (ja) 半導体装置製造用フィルム及び半導体装置の製造方法
CN104342047B (zh) 带有切割胶带的芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法
JP2017183705A (ja) ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2012222002A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2013038408A (ja) 半導体ウェハ固定用粘着テープ、半導体チップの製造方法及び接着フィルム付き粘着テープ
TWI643269B (zh) A die-bonding film with a dicing sheet, a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor device
JP2014082498A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
TW201540809A (zh) 黏晶（ｄｉｅ ｂｏｎｄ）薄膜、附有切割片之黏晶薄膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法
JP5656741B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
TWI439530B (zh) 熱固型晶片接合膜、切割晶片接合膜、以及半導體裝置的製造方法