JP2019197784A - レーザー加工装置 - Google Patents

レーザー加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019197784A
JP2019197784A JP2018090177A JP2018090177A JP2019197784A JP 2019197784 A JP2019197784 A JP 2019197784A JP 2018090177 A JP2018090177 A JP 2018090177A JP 2018090177 A JP2018090177 A JP 2018090177A JP 2019197784 A JP2019197784 A JP 2019197784A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
daf
laser beam
roller
adhesive sheet
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018090177A
Other languages
English (en)
Inventor
卓 岡村
Taku Okamura
卓 岡村
中村 勝
Masaru Nakamura
勝 中村
良彰 淀
Yoshiaki Yodo
良彰 淀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2018090177A priority Critical patent/JP2019197784A/ja
Publication of JP2019197784A publication Critical patent/JP2019197784A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】被加工物に貼着されるDAFを効率的に分割可能な状態に加工すること。【解決手段】本発明に係るレーザー加工装置は、DAFがロール状に巻かれた状態でセットされ、該DAFを送り出す送り出し手段と、該DAFが透過性を有する波長のレーザー光線を、該送り出し手段により送り出されたDAFに、該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットと、該レーザー光線照射ユニットによって該レーザー光線が照射された該DAFを巻き取る巻き取り手段とを備えることを特徴とする。【選択図】図1

Description

本発明は、レーザー加工装置に関する。
半導体ウエーハや光デバイスウエーハなどの被加工物を個々のデバイスチップに分割した後、デバイスチップを基盤などに固定するためのDAF(Die Attached Film)が用いられている(例えば特許文献1参照)。
被加工物の加工方法の1つとして知られるSDBG(Stealth Dicing Before Grinding)工程は、分割予定ラインに沿って内部に改質層が形成された被加工物の裏面にDAF及び支持テープを貼着した後に、支持テープを拡張して、被加工物及びDAFを個々のデバイスチップ毎に分割する。
また、特許文献1などに記載された被加工物の加工方法であるDBG(Dicing Before Grinding)と、DAFをレーザー光線などにより切断する工程とを組み合わせた工程は、個々のデバイスチップに分割された被加工物の裏面にDAFを貼着した後に、分割溝から露出するDAFに対してアブレーション加工などを実施することにより、DAFをデバイスチップ毎に分割する。
特開2015−207724号公報
SDBG工程は、加工条件によっては、DAFをデバイスチップ毎に完全に分割できないおそれがある。また、特許文献1などに記載されたDBGとDAFの切断とを組み合わせた工程は、被加工物の裏面を研削する時にデバイスチップのずれが生じた場合、デバイスチップに生じたずれに応じてDAFを分割するためのアライメントを改めて実施する必要がある。また、特許文献1などに記載されたDBGとDAFの切断とを組み合わせた工程は、DAFを分割するためにDAFに対してアブレーション加工を施す。このように、特許文献1などに記載されたDBGとDAFの切断とを組み合わせた工程は、DAFを分割するためのアライメントや、DAFを分割するためのアブレーション加工などによって、被加工物を加工する際の所要時間が長時間化する。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、被加工物に貼着されるDAFを効率的に分割可能な状態に加工できるレーザー加工装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、レーザー加工装置であって、DAFがロール状に巻かれた状態でセットされ、該DAFを送り出す送り出し部と、該DAFが透過性を有する波長のレーザー光線を、該送り出し手段により送り出されたDAFに、該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットと、該レーザー光線照射ユニットによって該レーザー光線が照射された該DAFを巻き取る巻き取り部とを備えることを特徴とする。
本発明の構成によれば、DAFが透過性を有する波長のレーザー光線をDAFの内部に焦点(集光点)を合わせた状態で照射するので、DAFの内部にDAFを効率的に破断するための改質層を形成できる。また、DAFの内部に改質層を効率的に破断するための改質層を形成できる結果、被加工物に貼着されたDAFをデバイスチップごとに分割する時間を抑制でき、DAFが貼着された被加工物を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。
本発明において、DAFは、エキスパンドテープに積層された粘着性部材であってもよい。本発明の構成によれば、被加工物にエキスパンドテープを貼着する際にDAFを貼着できる。
本発明によれば、DAFが貼着された被加工物を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。
図1は、本実施形態に係るレーザー加工装置の概略構成を模式的に示す斜視図である。 図2は、本実施形態に係るレーザー加工装置の概略構成を模式的に示す正面図である。 図3は、本実施形態に係るレーザー加工装置の概略構成を模式的に示す平面図である。 図4は、本実施形態に係る粘着シートの一例を示す斜視図である。 図5は、図4に示す粘着シートのI‐I線断面を示す図である。 図6は、本実施形態に係る粘着シートを用いて生成される板状物の一例を示す図である。 図7は、本実施形態に係るレーザー光線照射ユニットの構成の一例を示す図である。 図8は、本実施形態に係るDAFに対して照射されるレーザー光線を模式的に示す図である。 図9は、本実施形態に係るDAFに対してレーザー光線が照射される様子を模式的に示す図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
図1は、本実施形態に係るレーザー加工装置1の概略構成を模式的に示す斜視図である。図2は、本実施形態に係るレーザー加工装置1の概略構成を模式的に示す正面図である。図3は、本実施形態に係るレーザー加工装置1の概略構成を模式的に示す平面図である。図4は、本実施形態に係る粘着シート111の一例を示す斜視図である。図5は、図4に示す粘着シート111のI‐I線断面を示す図である。図6は、本実施形態に係る粘着シート111を用いて生成される板状物200の一例を示す図である。図2は、レーザー加工装置1の一部を図1及び図2に示すY軸方向に平行な方向から見たときの概略構成を示し、図3は、レーザー加工装置1の一部を図1及び図2に示すZ軸方向に平行な方向から見たときの概略構成を示している。図1から図3においては、本実施形態に係るレーザー加工装置1の構成の一部を適宜省略して示す。
レーザー加工装置1は、本体部11と、本体部11から立設した壁部12と、壁部12からに連なって延びるアーム部13とを有する。アーム部13の先端部には、レーザー光線照射ユニット150及び撮像装置154が取り付けられる。
レーザー加工装置1は、本体部11の上方に、ロール状に巻かれた状態で粘着シート111がセットされる第1ローラ106が配置される。第1ローラ106には、粘着シート111が本体部11の上面と平行に向い合わされた状態で送り出されるように、粘着シート111がセットされる。本体部11は、案内機構G1及び案内機構G2を有する。案内機構G1及び案内機構G2は、案内機構G1及び案内機構G2で、粘着シート111の幅方向両側から粘着シート111を挟み込むようにして、本体部11の上面に設置される。
粘着シート111は、長尺なシート状の部材として成形されている。粘着シート111は、DAF115とエキスパンドテープ117とが一体に成形された複合タイプのシートである。粘着シート111は、粘着シート111の粘着面に貼着された剥離シート113を巻き込んでロール状に巻回されている。
図5に例示するように、エキスパンドテープ117は、合成樹脂で構成された樹脂層117a及び粘着層117bを有する。粘着層117bは樹脂層117aに積層される。粘着層117bは、図6に例示するように、所定の加工工程によって加工される被加工物であるウエーハ121の周囲に載置される環状のフレーム133に貼着される。エキスパンドテープ117は、ウエーハ121とフレーム133とを覆い隠すように、フレーム133の幅よりも幅広に成形される。樹脂層117aには厚さ100μm程度のポリオレフィン等を用いることができ、粘着層117bには厚さ10μm程度のアクリル樹脂系の糊等を用いることができる。エキスパンドテープ117の粘着層117bは粘着シート111の粘着面となる。
DAF115は、ダイボンティング用のフィルム状の粘着性部材であり、図5に例示するように、エキスパンドテープ117の粘着層117bに予め積層される。DAF115はウエーハ121の裏面に貼着される。DAF115は円盤状の外形を有し、ウエーハ121の裏面全体を覆った状態でウエーハ121に貼着できるように、ウエーハ121が有する直径よりも長い直径を有する。DAF115は所定の間隔を空けて粘着シート111の中に複数設けられる。DAF115は、例えばアクリル系接着フィルムや、ポリイミド系接着フィルム等を用いることができる。DAF115は所定の間隔を空けて粘着シート111の中に複数設けられる。DAF115は粘着シート111の粘着面となる。
剥離シート113は、図5に例示するように、DAF115及びエキスパンドテープ117を覆うように、DAF115及びエキスパンドテープ117に貼着される。剥離シート113は、貼着前のDAF115及び粘着層117bの表面(貼着面)を保護する。剥離シート113は、ウエーハ121及びフレーム133に貼着される前に粘着シート111から取り除かれる。
ウエーハ121及びフレーム133に粘着シート111を貼着することにより、図6に例示する板状物200が生成される。粘着シート111は、DAF115を介してウエーハ121に間接的に貼着し、また、フレーム133に直接貼着する。粘着シート111を貼着することにより、ウエーハ121は、フレーム133に内側に支持された状態となる。すなわち、ウエーハ121及びフレーム133は、粘着シート111を介して一体化された部材となる。ウエーハ121は、円盤状の外形を有する半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ121の表面121Aには、格子状に配列された分割予定ライン102が形成される。分割予定ライン102により区画された複数のデバイス領域103には、IC(Integrated Circuit)などのデバイスが形成される。ウエーハ121の裏面121Bは、リードフレームなどの支持体にボンディングされる。
ウエーハ121の表面121Aに、分割予定ライン102に沿って切削された溝(図示せず)が形成されるDGB加工が実施される場合、複数のデバイスチップに分割された状態のウエーハ121の裏面121Bに粘着シート111が貼着された板状物200が生成される。また、ウエーハ121の内部に、分割予定ライン102に沿った改質層が形成されるSDBG加工が実施される場合、複数のデバイスチップに分割される前の状態のウエーハ121の裏面121Bに粘着シート111が貼着された板状物200が生成される。板状物200において、DAF115はウエーハ121の裏面121Bの全体を覆うように貼着される。なお、ウエーハ121の表面121Aには、粘着シート111を貼着する前に表面保護部材(図示せず)が貼着される。
第1ローラ106の下方には、第2ローラ112と第3ローラ114とが配置される。第2ローラ112の円筒状の外周面及び第3ローラ114の円筒状の外周面は、第2ローラ112と第3ローラ114との間に挿通される粘着シート111を介して間接的に接している。第2ローラ112は、図示しない駆動機構によって粘着シート111の送り方向d1に垂直な回転軸周りに回転できる。第2ローラ112は、粘着シート111を送り出すとき、方向r1に向かって回転する。第3ローラ114は、X軸方向に平行な方向に沿って第2ローラ112と隣接して配置される。第3ローラ114は第2ローラ112の回転運動に従って動作する。
第2ローラ112及び第3ローラ114から、X軸方向に平行な方向にやや間隔を空けて、第4ローラ116及び第5ローラ118が配置される。第4ローラ116の円筒状の外周面及び第5ローラ118の円筒状の外周面は、第4ローラ116と第5ローラ118との間に挿通される粘着シート111を介して間接的に接している。第4ローラ116は、図示しない駆動機構によって粘着シート111の送り方向d1に垂直な回転軸周りに回転できる。第4ローラ116は、粘着シート111を送り出すとき、方向r1に向かって回転する。第5ローラ118は、X軸方向に平行な方向に沿って第4ローラ116と隣接して配置される。第5ローラ118は第4ローラ116の回転運動に従って動作する。
第4ローラ116及び第5ローラ118の上方には、第2ローラ112及び第3ローラ114によって送り出された粘着シート111に、レーザー光線照射ユニット150によりレーザー光線が照射された粘着シート111を巻き取る巻き取り手段として機能する第6ローラ120が配置される。第6ローラ120は、粘着シート111の送り出しのタイミングに同期しながら、粘着シート111の巻き取りを実行する。第6ローラ120は、レーザー光線が照射された後の粘着シート111を巻き取ることができるように粘着シート111の一方の端部がセットされる。
レーザー加工装置1は、第1ローラ106、第2ローラ112及び第4ローラ116のそれぞれを制御する駆動回路(図示せず)を制御することにより、粘着シート111の送り出し量を調整する。レーザー加工装置1は、第6ローラ120を制御する駆動回路(図示せず)を制御することにより、粘着シート111の送り出しのタイミングと粘着シート111の巻き取りのタイミングとを同期させながら、粘着シート111の巻き取り量を調整する。また、レーザー加工装置1は、第2ローラ112又は第4ローラ116の回転方向を切り換えることにより粘着シート111に張力を付加することもできる。
第1ローラ106、第2ローラ112及び第4ローラ116により送り出される粘着シート111は、案内機構G1及び案内機構G2により、本体部11の表面11SFに対して平行に位置付けられる。第1ローラ106、第2ローラ112及び第4ローラ116は、粘着シート111を送り出す送り出し手段として機能する。
レーザー光線照射ユニット150は、DAF115が透過性を有する波長のレーザー光線を、第1ローラ106、第2ローラ112及び第4ローラ116により送り出されたDAF115に、DAF115の内部に焦点(集光点)合わせた状態で照射する。図7は、本実施形態に係るレーザー光線照射ユニット150の構成の一例を示す図である。図8は、本実施形態に係るDAF115に対して照射されるレーザー光線L1を模式的に示す図である。図9は、本実施形態に係るDAF115に対してレーザー光線L1が照射される様子を模式的に示す図である。
図7に例示するように、レーザー光線照射ユニット150は、レーザー光線発振器51と、照射角度調整機構52と、集光機構53とを有する。
レーザー光線発振器51は、予め設定される周波数に基づいて、DAF115が透過性を有する波長のレーザー光線L1を発振する。レーザー光線発振器51は、例えば、YAGレーザー発振器、或いはYXO4レーザー発振器と、周波数設定手段とで実装できる。
照射角度調整機構52は、ミラー52a及びアクチュエータ52bを有する。ミラー52aは、レーザー光線発振器51から発振されたレーザー光線L1の光軸をY軸方向に偏向する。アクチュエータ52bは、α軸周りにミラー52aを回転させることにより、ミラー52aの角度を変更する。照射角度調整機構52は、例えば、ガルバノミラーユニットにより実装できる。
集光機構53は、集光レンズ53a及び集光点調整部53bを有する。集光レンズ53aは、照射角度調整機構52により偏向されたレーザー光線L1を集光するとともに、集光したレーザー光線L1をDAF115に照射する。集光レンズ53aは、例えば、テレセントリックエフシータレンズにより実装できる。集光点調整部53bは、DAF115に対して集光レンズ53aを垂直方向(Z軸方向)に移動できる。集光点調整部53bは、例えば、ボールネジ、ネット、パルスモータなどにより実装できる。
照射角度調整機構52及び集光機構53の位置関係は、照射角度調整機構52にミラー52aにより偏向されるレーザー光線L1の光軸と、集光機構53が有する集光レンズ53aの入射瞳の位置に基づいて予め調整の上で決定される。
制御装置100は、レーザー加工装置1の各部を制御することにより、DAF115の内部に改質層を形成するための加工処理を実行する。DAF115の加工処理は、粘着シート111の送り出し処理、及びDAF115に対するレーザー光線L1の照射処理を含む。制御装置100は、粘着シート111の送り出し処理を実行するために、第1ローラ106、第2ローラ112、第4ローラ116、及び第6ローラ120の動作を制御できる。また、制御装置100は、DAF115に対するレーザー光線L1の照射処理を実行するために、レーザー光線照射ユニット150を制御できる。制御装置100は、粘着シート111を順次送り出しながら、レーザー光線照射ユニット150からレーザー光線L1を照射することにより、レーザー光線L1によりDAF115の加工処理を実行する。
制御装置100は、第1ローラ106、第2ローラ112、第4ローラ116及び第6ローラ120を制御しつつ、粘着シート111の送り出しを開始する。粘着シート111は、例えば、DAF115を本体部11の表面11SFに平行に向い合せた状態で送り出される。制御装置100は、DAF115がレーザー光線L1の照射開始位置に到達すると、粘着シート111の送り出しを停止する。制御装置100は、撮像装置154により撮影される画像に基づいて、送り出されるDAF115の位置を特定し、DAF115の位置とレーザー光線照射ユニット150との位置に基づいて、レーザー光線L1の照射開始位置を決定できる。また、制御装置100は、第2ローラ112又は第4ローラ116を、粘着シート111を送りだすときの方向r1とは逆方向に回転させることにより、DAF115に対するレーザー光線L1の照射を開始する前に、DAF115に張力を付加することができる。
図8に例示するように、レーザー光線L1の照射開始位置にDAF115を位置付けた後、制御装置100は、集光機構53を制御して、レーザー光線照射ユニット150から照射するレーザー光線L1の焦点(集光点)P1をDAF115の内部に合わせる。具体的には、制御装置100は、集光点調整部53bを駆動させ、集光レンズ53aをDAF115に対して集光レンズ53aを垂直方向(Z軸方向)に移動させることにより、集光レンズ53aによって集光されるレーザー光線L1の焦点(集光点)がDAF115の内部に到達するように、集光レンズ53aの位置調整を実行する。
続いて、制御装置100は、レーザー光線発振器51からのレーザー光線L1の発振、及び照射角度調整機構52によるレーザー光線L1の偏向を制御しつつ、DAF115に対するレーザー光線L1の照射を実行する。図9に例示するように、制御装置100は、レーザー光線L1の焦点(集光点)P1を、DAF115(粘着シート111)の送り方向d1(X軸方向)に対して垂直方向(Y軸方向)に移動させながらレーザー光線L1を照射する。図9に示す領域La1は、レーザー光線L1の照射が完了した領域を例示するものである。
照射開始位置におけるレーザー光線L1の照射が完了すると、制御装置100は、次の照射位置までDAF115を送り出し、次の照射位置に位置付けられたDAF115に対して、再びレーザー光線L1の照射を実行する。制御装置100は、DAF115の送り出し及びDAF115に対するレーザー光線L1の照射を繰り返し実行することにより、図9に例示すように、DAF115の全面に対してレーザー光線L1を照射する。
レーザー光線L1の照射によって、DAF115の内部に改質層が形成される。改質層は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なる層のことをいう。レーザー加工装置1は、粘着シート111に設けられるDAF115の内部に、DAF115を効率的に破断するための改質層を予め形成できる。改質層は、拡張処理などによってDAF115デバイスチップごとに分割するための破断起点となる。DAF115の内部に予め形成された改質層によりDAF115が効率的に分割される結果、アブレーション加工などによりDAF115を分割する場合に比較して、ウエーハ121に貼着されたDAF115をデバイスチップごとに分割する時間を抑制でき、結果として、DAF115が貼着された被加工物を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。また、DAF115の内部に予め改質層を形成しておくことにより、DAF115が完全に分割されない事態をできるだけ回避できる。
図8では、レーザー加工装置1が、粘着シート111の非粘着面SF1の側、すなわち、エキスパンドテープ117の樹脂層117a越しに、DAF115に対してレーザー光線L1を照射する例を示すが、この例に限定されるものではない。レーザー加工装置1は、粘着シート111の粘着面SF2の側、すなわち、剥離シート113越しに、DAF115に対してレーザー光線L1を照射してもよい。また、レーザー加工装置1は、レーザー光線L1の照射範囲を放射状に広げる。
図8に例示するレーザー光線L1の照射が終了すると、レーザー加工装置1は、レーザー光線L1が照射されたDAF115の部分を第6ローラ120により巻き取りつつ、レーザー光線L1の照射が行われていないDAF115をレーザー光線L1の照射開始位置に位置付けられるまで、第1ローラ106、第2ローラ112、及び第4ローラ116により粘着シート111を送り出す。
制御装置100は、演算処理装置及び記憶装置を含む。演算処理装置は、CPU(Central Processing Unit)マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、DSP、システムLSI(Large Scale Integration)などのプロセッサである。記憶装置は、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、フラッシュメモリ、EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)、EEPROM(登録商標)(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)などの不揮発性または揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスク、またはDVD(Digital Versatile Disc)である。
記憶装置は、本実施形態に係るレーザー加工装置1の処理を実現するコンピュータプログラム及びコンピュータプログラムによる処理に用いられるデータを記憶する。コンピュータプログラムは、レーザー光線照射ユニット150及び撮像装置154などの制御を実現するための機能を提供する制御用プログラムを含む。演算処理装置が実行するコンピュータプログラムは、コンピュータで実行可能な、データ処理を行うための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能かつ非遷移的な(non-transitory)記録媒体を有するコンピュータプログラムプロダクトであるともいえる。記憶装置は、演算処理装置がコンピュータプログラムに記述された命令を実行する際の一時的な作業領域として利用されてもよい。
演算処理装置が記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを読み出して、コンピュータプログラムに記述された命令を実行することにより、本実施形態に係るレーザー加工装置1の処理、すなわち、上述したDAF115の加工処理が実現される。
演算処理装置は、専用のハードウェアで実現されてもよい。この場合、演算処理装置は、単一回路、複合回路、プログラム化したプロセッサ、並列プログラム化したプロセッサ、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field Programmable Gate Array)又はこれらを組み合わせたものである。
制御装置100は、第1ローラ106、第2ローラ112、第4ローラ116、及び第6ローラ120の動作を制御する駆動回路、レーザー光線照射ユニット150及び撮像装置154を制御するための制御信号を出力する出力用のインタフェース装置(図示せず)、撮像装置154の画像データを入力する入力用のインタフェース装置(図示せず)、各種の情報や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示装置(図示せず)と、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力装置(図示せず)などを有してよい。制御装置100は、入力用及び出力用のインタフェース装置、表示装置、入力装置に接続されてよい。入力装置は、表示装置に設けられるタッチパネルやキーボードなどのユーザインタフェースにより構成されてよい。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、レーザー加工装置1は、DAF115の全領域のうち、ウエーハ121に表面121Aに形成される分割予定ライン102に対応する位置にレーザー光線L1を照射するようにしてもよい。この場合、レーザー加工装置1は、撮像装置154により撮影されるDAF115の画像に基づいてDAF115の端部を特定し、DAF115の端でアライメントをして、DAF115の端から所定の距離に設定する加工開始位置から所定のピッチでレーザー光線L1の照射を実行するというように、DAF115のレーザー加工を実行してもよい。
レーザー加工装置1は、DAF115に対してレーザー光線L1の照射を実行する装置として単独で用いられてもよいし、ウエーハ121に対して全ての加工工程を実行する加工システムに組み込まれてもよい。
レーザー加工装置1が、ウエーハ121に対して全ての加工工程を実行する加工システムに組み込まれる場合、ウエーハ121を保持するために設けられた保持テーブルの吸引機構によって粘着シート111を吸引しつつ、送り方向d1に粘着シート111を送り出してもよい。
1 レーザー加工装置
11 本体部
12 壁部
13 アーム部
100 制御装置
106 第1ローラ
111 粘着シート
112 第2ローラ
113 剥離シート
114 第3ローラ
115 DAF
116 第4ローラ
117 エキスパンドテープ
117a 樹脂層
117b 粘着層
118 第5ローラ
120 第6ローラ
121 ウエーハ
133 フレーム
150 レーザー光線照射ユニット
154 撮像装置

Claims (2)

  1. レーザー加工装置であって、
    DAFがロール状に巻かれた状態でセットされ、該DAFを送り出す送り出し手段と、
    該DAFが透過性を有する波長のレーザー光線を、該送り出し手段により送り出されたDAFに、該DAFの内部に焦点を合わせた状態で照射するレーザー光線照射ユニットと、
    該レーザー光線照射ユニットによって該レーザー光線が照射された該DAFを巻き取る巻き取り手段と
    を備えることを特徴とするレーザー加工装置。
  2. 前記DAFは、エキスパンドテープに積層された粘着性部材であることを特徴とする請求項1に記載のレーザー加工装置。
JP2018090177A 2018-05-08 2018-05-08 レーザー加工装置 Pending JP2019197784A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018090177A JP2019197784A (ja) 2018-05-08 2018-05-08 レーザー加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018090177A JP2019197784A (ja) 2018-05-08 2018-05-08 レーザー加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019197784A true JP2019197784A (ja) 2019-11-14

Family

ID=68538707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018090177A Pending JP2019197784A (ja) 2018-05-08 2018-05-08 レーザー加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2019197784A (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165740A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2007221034A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Fujitsu Ltd フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法
JP2011151360A (ja) * 2009-12-24 2011-08-04 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP2012248607A (ja) * 2011-05-26 2012-12-13 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンドダイシングシート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2013055137A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Disco Abrasive Syst Ltd チップ間隔維持方法
JP2014007217A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2015198118A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 ダイシングフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2018051879A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 昭和電工パッケージング株式会社 ラミネート材の加工方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165740A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2007221034A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Fujitsu Ltd フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法
JP2011151360A (ja) * 2009-12-24 2011-08-04 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP2012248607A (ja) * 2011-05-26 2012-12-13 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンドダイシングシート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2013055137A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Disco Abrasive Syst Ltd チップ間隔維持方法
JP2014007217A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2015198118A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 ダイシングフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2018051879A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 昭和電工パッケージング株式会社 ラミネート材の加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5904720B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP4767711B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP5800646B2 (ja) チップ間隔維持方法
US9478465B2 (en) Wafer processing method
JP2011003757A (ja) ウエーハの分割方法
JP2005135964A (ja) ウエーハの分割方法
JP2016129203A (ja) ウエーハの加工方法
JP2010123723A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2013089714A (ja) チップ形成方法
JP2010089094A (ja) レーザ加工装置
JP2011108708A (ja) ウエーハの加工方法
JP2008042110A (ja) ウエーハの分割方法
JP6308919B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2016129202A (ja) ウエーハの加工方法
JP2016054205A (ja) ウエーハの加工方法
JP5441629B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6029347B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6234312B2 (ja) 積層基板の加工方法
JP2019197784A (ja) レーザー加工装置
JP7088768B2 (ja) ウェーハの分割方法
JP6029348B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2007227703A (ja) 基板分割方法、基板分割装置、電気光学装置、電子機器
JP2013175499A (ja) ウエーハの分割方法
JP2019197802A (ja) Daf
JP5489808B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210302

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220405

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20221004