KR20240025635A - 익스팬드 장치, 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 칩 - Google Patents

익스팬드 장치, 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 칩 Download PDF

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야마하하쓰도키 가부시키가이샤
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Abstract

이 익스팬드 장치(2)는 복수의 반도체 칩(Ch)을 포함하는 웨이퍼(W1)가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재(W2)보다 웨이퍼(W1)에 설치되어 있는 필름(W4)쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각하는 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)과, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)에 의해 냉각 온도로 냉각된 시트 부재(W2)를 익스팬딩하여 웨이퍼(W1)를 복수의 반도체 칩(Ch)으로 분할하는 익스팬드부(208)를 구비한다.

Description

익스팬드 장치, 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 칩
본 발명은 익스팬드 장치, 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 칩에 관한 것이다.
종래, 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재를 냉각해서 익스팬드하는 익스팬드 장치가 알려져 있다. 이러한 익스팬드 장치는 예를 들면, 일본특허공개 2021-082648호 공보에 개시되어 있다.
상기 일본특허공개 2021-082648호 공보에는 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재를 소정의 냉각 온도로 냉각하고, 냉각한 시트 부재를 익스팬드해서 웨이퍼를 분할하는 익스팬드 장치가 개시되고 있다. 또한, 웨이퍼는 접착제층을 통해서 시트 부재에 접착되어 있고, 시트 부재의 익스팬드에 의해 접착제층이 웨이퍼와 함께 분할됨으로써, 복수의 반도체 칩으로 분할된다.
일본특허공개 2021-082648호 공보
그러나, 상기 일본특허공개 2021-082648호 공보의 익스팬드 장치에서는 시트 부재를 소정의 냉각 온도로 냉각해서 익스팬드할 때에, 냉각 온도가 높으면 접착제층이 단단하게 되지 않기 때문에, 접착제층을 확실하게 분할하는 것이 곤란하다. 한편, 냉각 온도가 낮으면, 시트 부재가 지나치게 단단하게 되므로, 시트 부재를 익스팬드하는 것이 곤란해진다. 그래서, 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재를 확실하게 익스팬드하는 것이 가능함과 아울러, 웨이퍼에 형성되어 있는 있는 접착제층 등의 필름을 확실하게 분할하는 것이 가능한 익스팬드 장치가 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이고, 이 발명의 1개의 목적은 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재를 확실하게 익스팬드하는 것이 가능함과 아울러, 웨이퍼에 형성되어 있는 필름을 확실하게 분할하는 것이 가능한 익스팬드 장치, 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 칩을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 1 국면에 의한 익스팬드 장치는 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재보다 웨이퍼에 형성되어 있는 필름쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각하는 냉각부와, 냉각부에 의해 냉각 온도로 냉각된 시트 부재를 익스팬딩하여 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 분할하는 익스팬드부를 구비한다.
본 발명의 제 1 국면에 의한 익스팬드 장치에서는, 상기한 바와 같이, 냉각부는 시트 부재보다 웨이퍼에 형성되어 있는 필름쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각한다. 이것에 의해, 필름을 웨이퍼와 함께 분할할 수 있음과 아울러, 시트 부재가 파단되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재를 확실하게 익스팬드할 수 있음과 아울러, 웨이퍼에 형성되어 있는 필름을 확실하게 분할할 수 있다. 이것에 의해, 익스팬드에 의한 웨이퍼의 분할의 제품 수율을 보다 향상시킬 수 있다.
상기 제 1 국면에 의한 익스팬드 장치에 있어서, 바람직하게는 시트 부재 및 필름의 온도에 대한 경도는 소정 온도에 있어서 대소 관계가 역전하고, 냉각부는 시트 부재보다 필름쪽이 단단하게 되는 소정 온도보다 낮은 온도로 냉각한다. 이렇게 구성하면, 시트 부재의 경도와 필름의 경도가 역전하고, 시트 부재보다 필름이 단단하게 된 상태에서 익스팬드할 수 있으므로, 필름을 보다 확실하게 분할할 수 있다.
상기 제 1 국면에 의한 익스팬드 장치에 있어서, 바람직하게는 냉각부는 시트 부재보다 필름쪽이 단단하게 되고, 또한 시트 부재의 경도가 소정의 값보다 작아지는 냉각 온도 범위의 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각한다. 이렇게 구성하면, 시트 부재가 지나치게 단단하게 되지 않고, 또한 필름이 단단하게 되는 냉각 온도로 냉각한 상태에서 시트 부재를 익스팬드할 수 있다.
이 경우, 바람직하게는 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재에 있어서의 편차가 필름의 편차보다 큰 경우에, 냉각부는 냉각 온도 범위 중 높은 측의 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각한다. 이렇게 구성하면, 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재의 편차가 큰 경우라도, 시트 부재가 파단하는 온도가 되지 않는 냉각 온도로 냉각할 수 있다.
상기 시트 부재보다 필름쪽이 단단하게 되고, 또한 시트 부재의 경도가 소정의 값보다 작아지는 냉각 온도 범위로 결정된 냉각 온도로, 냉각부가 시트 부재 및 필름을 냉각하는 구성에 있어서, 바람직하게는 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재에 있어서의 편차가 필름의 편차보다 작은 경우에, 냉각부는 냉각 온도 범위 중 낮은 측의 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각한다. 이렇게 구성하면, 온도에 대한 경도에 대해서 필름의 편차가 큰 경우라도, 필름이 확실하게 분할할 수 있는 냉각 온도로 냉각할 수 있다.
본 발명의 제 2 국면에 의한 반도체 칩의 제조 방법은, 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재보다 웨이퍼에 형성되어 있는 필름쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각하는 공정과 냉각 온도로 냉각된 시트 부재를 익스팬딩하여 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 분할하는 공정을 구비한다.
본 발명의 제 2 국면에 의한 반도체 칩의 제조 방법에서는 상기한 바와 같이, 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재보다 웨이퍼에 형성되어 있는 필름쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각한다. 이것에 의해, 필름을 웨이퍼와 함께 분할할 수 있음과 아울러, 시트 부재가 파단하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재를 확실하게 익스팬드할 수 있음과 아울러, 웨이퍼에 형성되어 있는 필름을 확실하게 분할하는 것이 가능한 반도체 칩의 제조 방법을 제공할 수 있다. 이것에 의해, 익스팬드에 의한 웨이퍼의 분할의 제품 수율을 보다 향상시킬 수 있다.
상기 제 2 국면에 의한 반도체 칩의 제조 방법에 있어서, 바람직하게는 시트 부재 및 필름의 온도에 대한 경도는 소정 온도에 있어서 대소 관계가 역전하고, 필름을 냉각하는 공정에서는 시트 부재보다 필름쪽이 단단하게 되는 소정 온도보다 낮은 온도로 냉각한다. 이렇게 구성하면, 시트 부재의 경도와 필름의 경도가 역전하고, 시트 부재보다 필름이 단단해진 상태에서, 익스팬드할 수 있으므로 필름을 보다 확실하게 분할할 수 있다.
상기 제 2 국면에 의한 반도체 칩의 제조 방법에 있어서, 바람직하게는 시트 부재 및 필름의 온도에 대한 경도를 측정하는 공정과, 측정한 결과에 근거하여 냉각 온도를 결정하는 공정을 더 구비한다. 이렇게 구성하면, 시트 부재 및 필름의 온도에 대한 경도의 측정 결과에 근거하여 필름이 분할되고, 또한 시트 부재가 파단되지 않는 냉각 온도를 양호한 정밀도로 결정할 수 있다.
이 경우, 바람직하게는 냉각 온도에 시트 부재 및 필름을 냉각하는 공정에서는 시트 부재보다 필름쪽이 단단하게 되고, 또한 시트 부재의 경도가 소정의 값보다 작아지는 냉각 온도 범위로 결정된 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각한다. 이렇게 구성하면, 시트 부재가 지나치게 단단하게 되지 않고, 또한 필름이 단단하 되는 냉각 온도로 냉각한 상태에서 시트 부재를 익스팬드할 수 있다.
상기 시트 부재보다 필름쪽이 단단하게 되고, 또한 시트 부재의 경도가 소정의 값보다 작아지는 냉각 온도 범위로 결정된 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각하는 구성에 있어서, 바람직하게는 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각하는 공정에서는 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재에 있어서의 편차가 필름의 편차보다 큰 경우에, 냉각 온도 범위 중 높은 측의 온도로 결정된 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각한다. 이렇게 구성하면, 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재의 편차가 큰 경우라도, 시트 부재가 파단하는 온도가 되지 않는 냉각 온도로 냉각할 수 있다.
상기 시트 부재보다 필름쪽이 단단하게 되고, 또한 시트 부재의 경도가 소정의 값보다 작아지는 냉각 온도 범위로 결정된 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각하는 구성에 있어서, 바람직하게는 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각하는 공정에서는, 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재에 있어서의 편차가 필름의 편차보다 작은 경우에, 냉각 온도 범위 중 낮은 측의 온도로 결정된 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각한다. 이렇게 구성하면, 온도에 대한 경도에 대해서 필름의 편차가 큰 경우라도, 필름이 확실하게 분할할 수 있는 냉각 온도로 냉각할 수 있다.
본 발명의 제 3 국면에 의한 반도체 칩은 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재보다 웨이퍼에 형성되어 있는 필름쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각하는 냉각부와, 냉각부에 의해 냉각 온도로 냉각된 시트 부재를 익스팬딩하여 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 분할하는 익스팬드부를 구비하는 익스팬드 장치에 의해 제조된다.
본 발명의 제 3 국면에 의한 반도체 칩에서는 상기한 바와 같이, 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재보다 웨이퍼에 형성되어 있는 필름쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재 및 필름을 냉각한다. 이것에 의해, 필름을 웨이퍼와 함께 분할할 수 있음과 아울러, 시트 부재가 파단하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재를 확실하게 익스팬드할 수 있음과 아울러, 웨이퍼에 형성되어 있는 필름을 확실하게 분할하는 것이 가능한 반도체 칩을 제공할 수 있다. 이것에 의해, 익스팬드에 의한 웨이퍼의 분할의 제품 수율을 보다 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 상기한 바와 같이, 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재를 확실하게 익스팬드할 수 있음과 아울러, 웨이퍼에 형성되어 있는 필름을 확실하게 분할할 수 있다.
도 1은 일실시형태에 의한 다이싱 장치 및 익스팬드 장치가 설치된 반도체 웨이퍼의 가공 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 일실시형태에 의한 반도체 웨이퍼의 가공 장치에 있어서 가공되는 웨이퍼 링 구조체를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따른 단면도이다.
도 4는 일실시형태에 의한 익스팬드 장치에 인접해서 배치된 다이싱 장치의 평면도이다.
도 5는 일실시형태에 의한 익스팬드 장치에 인접해서 배치된 다이싱 장치를 Y2방향측으로부터 본 측면도이다.
도 6은 일실시형태에 의한 익스팬드 장치의 평면도이다.
도 7은 일실시형태에 의한 익스팬드 장치의 Y2방향측으로보터 본 측면도이다.
도 8은 일실시형태에 의한 익스팬드 장치의 X1방향측으로부터 본 측면도이다.
도 9는 일실시형태에 의한 반도체 웨이퍼의 가공 장치의 제어적인 구성을 나타낸 블록도이다.
도 10은 일실시형태에 의한 반도체 웨이퍼의 가공 장치의 반도체 칩 제조 처리의 전반 부분의 플로우 차트이다.
도 11은 일실시형태에 의한 반도체 웨이퍼의 가공 장치의 반도체 칩 제조 처리의 후반 부분의 플로우 차트이다.
도 12는 일실시형태에 의한 익스팬드 장치에 있어서 클램프부가 상승 위치에 배치된 상태를 나타낸 측면도이다.
도 13은 일실시형태에 의한 익스팬드 장치에 있어서 클램프부가 하강 위치에 배치된 상태를 나타낸 측면도이다.
도 14는 일실시형태에 의한 익스팬드 장치에 있어서 자외선 조사부가 자외선을 조사한 상태를 나타낸 측면도이다.
도 15는 일실시형태에 의한 웨이퍼 링 구조체의 제 1 예를 나타낸 측면 단면도이다.
도 16은 일실시형태에 의한 웨이퍼 링 구조체의 제 2 예를 나타낸 측면 단면도이다.
도 17은 일실시형태에 의한 웨이퍼 링 구조체의 시트 부재 및 필름의 냉각 온도와 경도의 관계를 나타낸 도면이다.
도 18은 일실시형태에 의한 웨이퍼 링 구조체의 시트 부재의 경도의 편차가 있는 경우의 시트 부재 및 필름의 냉각 온도와 경도의 관계를 나타낸 도면이다.
도 19는 일실시형태에 의한 웨이퍼 링 구조체의 필름의 경도의 편차가 있는 경우의 시트 부재 및 필름의 냉각 온도와 경도의 관계를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명을 구체화한 실시형태를 도면에 근거해서 설명한다.
도 1∼도 19를 참조하여 본 발명의 일실시형태에 의한 반도체 웨이퍼의 가공 장치(100)의 구성에 대해서 설명한다.
(반도체 웨이퍼의 가공 장치)
도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 가공 장치(100)는 웨이퍼 링 구조체(W)에 설치된 웨이퍼(W1)의 가공을 행하는 장치이다. 반도체 웨이퍼의 가공 장치(100)는 웨이퍼(W1)에 개질층을 형성함과 아울러, 웨이퍼(W1)를 개질층을 따라 분할해서 복수의 반도체 칩(Ch)(도 8 참조)을 형성하도록 구성되어 있다.
여기서, 도 2 및 도 3을 참조하여 웨이퍼 링 구조체(W)에 관해서 설명한다. 웨이퍼 링 구조체(W)는 웨이퍼(W1)와 시트 부재(W2)와 링형상 부재(W3)를 갖고 있다.
웨이퍼(W1)는 반도체 집적 회로의 재료가 되는 반도체 물질의 결정으로 생긴원형의 얇은 판이다. 웨이퍼(W1)의 내부에는 반도체 웨이퍼의 가공 장치(100)에 있어서의 가공에 의해, 분할 라인을 따라 내부를 개질시킨 개질층이 형성된다. 즉, 웨이퍼(W1)는 분할 라인을 따라 분할 가능하게 가공된다. 시트 부재(W2)는 신축성을 갖는 점착 테이프이다. 시트 부재(W2)의 상면(W21)에는 점착층이 형성되어 있다. 시트 부재(W2)에는 점착층에 웨이퍼(W1)가 부착되어 있다. 링형상 부재(W3)는 평면 시에 있어서 링형상의 금속제의 프레임이다. 링형상 부재(W3)는 웨이퍼(W1)를 둘러싼 상태에서 시트 부재(W2)의 점착층에 부착되어 있다.
또한, 반도체 웨이퍼의 가공 장치(100)는 다이싱 장치(1)와 익스팬드 장치(2)를 구비하고 있다. 이하에서는 상하 방향을 Z방향으로 하고, 상방향을 Z1방으로 함과 아울러, 하방향을 Z2방향으로 한다. Z방향에 직교하는 수평 방향 중 다이싱 장치(1)와 익스팬드 장치(2)가 나열하는 방향을 X방향으로 하고, X방향 중 익스팬드 장치(2)측을 X1방향으로 하고, X방향 중 다이싱 장치(1)측을 X2방향으로 한다. 수평 방향 중 X방향으로 직교하는 방향을 Y방향으로 하고, Y방향 중 일방측을 Y1방향으로 하고, Y방향 중 타방측을 Y2방향으로 한다.
(다이싱 장치)
도 1, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 다이싱 장치(1)는 웨이퍼(W1)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저를 분할 라인(스트리트)을 따라 조사함으로써, 개질층을 형성하도록 구성되어 있다. 개질층이란 레이저에 의해 웨이퍼(W1)의 내부에 형성된 균열 및 보이드 등을 나타낸다.
구체적으로는 다이싱 장치(1)는, 베이스(11)와 척 테이블부(12)와 레이저부(13)와 촬상부(14)를 포함하고 있다.
베이스(11)는 척 테이블부(12)가 설치되는 기대이다. 베이스(11)는 평면 시에 있어서, 직사각형 형상을 갖고 있다.
<척 테이블부>
척 테이블부(12)는 흡착부(12a)와, 클램프부(12b)와, 회동 기구(12c)와, 테이블 이동 기구(12d)를 갖고 있다. 흡착부(12a)는 웨이퍼 링 구조체(W)를 Z1방향측의 상면에 흡착하도록 구성되어 있다. 흡착부(12a)는 웨이퍼 링 구조체(W)의 링형상 부재(W3)의 Z2방향측의 하면을 흡착하기 위해서 흡인 구멍 및 흡인 관로 등이 형성된 테이블이다. 흡착부(12a)는 회동 기구(12c)를 통해서 테이블 이동 기구(12d)에 지지되어 있다. 클램프부(12b)는 흡착부(12a)의 상단부에 설치되어 있다. 클램프부(12b)는 흡착부(12a)에 의해 흡착된 웨이퍼 링 구조체(W)를 누르도록 구성되어 있다. 클램프부(12b)는 흡착부(12a)에 의해 흡착된 웨이퍼 링 구조체(W)의 링형상 부재(W3)를 Z1방향측으로부터 누르고 있다. 이와 같이, 웨이퍼 링 구조체(W)는 흡착부(12a) 및 클램프부(12b)에 의해 파지되어 있다.
회동 기구(12c)는 Z방향으로 평행하게 연장된 회동 중심 축선(C) 주변의 둘레 방향에 흡착부(12a)를 회동시키도록 구성되어 있다. 회동 기구(12c)는 테이블 이동 기구(12d)의 상단부에 부착되어 있다. 테이블 이동 기구(12d)는 웨이퍼 링 구조체(W)를 X방향 및 Y방향으로 이동시키도록 구성되어 있다. 테이블 이동 기구(12d)는 X방향 이동 기구(121)과, Y방향 이동 기구(122)를 갖고 있다. X방향 이동 기구(121)는 X1방향 또는 X2방향에 회동 기구(12c)를 이동시키도록 구성되어 있다. X방향 이동 기구(121)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다. Y방향 이동 기구(122)는 Y1방향 또는 Y2방향에 회동 기구(12c)를 이동시키도록 구성되어 있다. Y방향 이동 기구(122)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다.
<레이저부>
레이저부(13)는 척 테이블부(12)에 파지된 웨이퍼 링 구조체(W)의 웨이퍼(W1)에 레이저 광을 조사하도록 구성되어 있다. 레이저부(13)는 척 테이블부(12)의 Z1방향측에 배치되어 있다. 레이저부(13)는, 레이저 조사부(13a)와 부착 부재(13b)와 Z방향 이동 기구(13c)를 갖고 있다. 레이저 조사부(13a)는 펄스 레이저 광을 조사하도록 구성되어 있다. 부착 부재(13b)는 레이저부(13) 및 촬상부(14)가 부착되는 프레임이다. Z방향 이동 기구(13c)는 Z1방향 또는 Z2방향에 레이저부(13)를 이동시키도록 구성되어 있다. Z방향 이동 기구(13c)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다. 또한, 레이저 조사부(13a)는 다광자 흡수에 의한 개질층을 형성할 수 있는 한, 펄스 레이저 광 이외의, 연속파 레이저 광을 레이저 광으로서 발진하는 레이저 조사부이어도 된다.
<촬상부>
촬상부(14)는 척 테이블부(12)에 파지된 웨이퍼 링 구조체(W)의 웨이퍼(W1)를 촬상하도록 구성되어 있다. 촬상부(14)는 척 테이블부(12)의 Z1방향측에 배치되어 있다. 촬상부(14)는, 고분해능 카메라(14a)와 광화각 카메라(14b)와 Z방향 이동 기구(14c)와 Z방향 이동 기구(14d)를 갖고 있다.
고분해능 카메라(14a) 및 광화각 카메라(14b)는, 근적외선 촬상용 카메라이다. 고분해능 카메라(14a)는 광화각 카메라(14b)보다 시야각이 좁다. 고분해능 카메라(14a)는 광화각 카메라(14b)보다 분해능이 높다. 광화각 카메라(14b)는 고분해능 카메라(14a)보다 시야각이 넓다. 광화각 카메라(14b)는 고분해능 카메라(14a)보다 분해능이 낮다. 고분해능 카메라(14a)는 레이저 조사부(13a)의 X1방향측에 배치되어 있다. 광화각 카메라(14b)는 레이저 조사부(13a)의 X2방향측에 배치되어 있다. 이와 같이, 고분해능 카메라(14a), 레이저 조사부(13a) 및 광화각 카메라(14b)는 X1방향측으로부터 X2방향측을 향해서 이 순서로 인접해서 배치되어 있다.
Z방향 이동 기구(14c)는 Z1방향 또는 Z2방향에 고분해능 카메라(14a)를 이동시키도록 구성되어 있다. Z방향 이동 기구(14c)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다. Z방향 이동 기구(14d)는 Z1방향 또는 Z2방향에 광화각 카메라(14b)를 이동시키도록 구성되어 있다. Z방향 이동 기구(14d)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다.
(익스팬드 장치)
도 1, 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 장치(2)는 웨이퍼(W1)를 분할해서 복수의 반도체 칩(Ch)(도 8 참조)을 형성하도록 구성되어 있다. 또한, 익스팬드 장치(2)는 복수의 반도체 칩(Ch)끼리의 사이에 충분한 간극을 형성하도록 구성되어 있다. 여기서, 웨이퍼(W1)에는 다이싱 장치(1)에 있어서, 웨이퍼(W1)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저가 분할 라인(스트리트)을 따라 조사됨으로써 개질층이 형성되어 있다. 익스팬드 장치(2)에서는 다이싱 장치(1)에 있어서 미리 형성된 개질층을 따라 웨이퍼(W1)를 분할함으로써, 복수의 반도체 칩(Ch)이 형성되어 있다.
따라서, 익스팬드 장치(2)에서는 시트 부재(W2)를 익스팬드시킴으로써 개질층을 따라 웨이퍼(W1)가 분할되는 것이 된다. 또한, 익스팬드 장치(2)에 있어서, 시트 부재(W2)를 익스팬드시킴으로써 분할되어서 형성된 복수의 반도체 칩(Ch)끼리의 간극이 넓어지게 된다.
익스팬드 장치(2)는, 베이스(201)와 카세트부(202)와 리프트업 핸드부(203)와 흡착 핸드부(204)와 베이스(205)와 냉기 공급부(206)와 냉각 유닛(207)과 익스팬드부(208)와 베이스(209)와 확장 유지 부재(210)와 히트 슈링크부(211)와 자외선 조사부(212)와 스퀴지부(213)와 클램프부(214)를 포함하고 있다. 또한, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은, 청구의 범위의 「냉각부」의 일례이다.
<베이스>
베이스(201)는 카세트부(202) 및 리프트업 핸드부(203)가 설치되는 기대이다. 베이스(201)는 평면 시에 있어서, 직사각형 형상을 갖고 있다.
<카세트부>
카세트부(202)는 복수의 웨이퍼 링 구조체(W)를 수용 가능하게 구성되어 있다. 카세트부(202)는, 웨이퍼 카세트(202a)와 Z방향 이동 기구(202b)와 한 쌍의 적재부(202c)를 포함하고 있다.
웨이퍼 카세트(202a)는 Z방향으로 복수(3개) 배치되어 있다. 웨이퍼 카세트(202a)는 복수(5개)의 웨이퍼 링 구조체(W)를 수용 가능한 수용 공간을 갖고 있다. 웨이퍼 카세트(202a)에는 웨이퍼 링 구조체(W)가 수작업에 의해 공급 및 적재된다. 또한, 웨이퍼 카세트(202a)는 1∼4개의 웨이퍼 링 구조체(W)를 수용하거나 또는 6개 이상의 웨이퍼 링 구조체(W)를 수용해도 된다. 또한, 웨이퍼 카세트(202a)는 Z방향으로 1, 2 또는 4개 이상 배치되어 있어도 된다.
Z방향 이동 기구(202b)는 Z1방향 또는 Z2방향에 웨이퍼 카세트(202a)를 이동시키도록 구성되어 있다. Z방향 이동 기구(202b)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다. 또한, Z방향 이동 기구(202b)는 웨이퍼 카세트(202a)를 하측으로부터 지지하는 적재대(202d)를 갖고 있다. 적재대(202d)는 복수의 웨이퍼 카세트(202a)의 위치에 맞춰서 복수(3개) 배치되어 있다.
한 쌍의 적재부(202c)는 웨이퍼 카세트(202a)의 내측에 복수(5개) 배치되어 있다. 한 쌍의 적재부(202c)에는 웨이퍼 링 구조체(W)의 링형상 부재(W3)가 Z1방향측으로부터 적재된다. 한 쌍의 적재부(202c)의 일방은 웨이퍼 카세트(202a)의 X1방향측의 내측면으로부터 X2방향측으로 돌출되어 있다. 한 쌍의 적재부(202c)의 타방은 웨이퍼 카세트(202a)의 X2방향측의 내측면으로부터 X1방향측으로 돌출되어 있다.
<리프트업 핸드부>
리프트업 핸드부(203)는 카세트부(202)로부터 웨이퍼 링 구조체(W)를 인출 가능하게 구성되어 있다. 또한, 리프트업 핸드부(203)는 카세트부(202)에 웨이퍼 링 구조체(W)를 수용 가능하게 구성되어 있다.
구체적으로는 리프트업 핸드부(203)는 Y방향 이동 기구(203a)와, 리프트업 핸드(203b)를 포함하고 있다. Y방향 이동 기구(203a)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다. 리프트업 핸드(203b)는 웨이퍼 링 구조체(W)의 링형상 부재(W3)을 Z2방향측으로부터 지지하도록 구성되어 있다.
<흡착 핸드부>
흡착 핸드부(204)는 웨이퍼 링 구조체(W)의 링형상 부재(W3)를 Z1방향측으로부터 흡착하도록 구성되어 있다.
구체적으로는 흡착 핸드부(204)는, X방향 이동 기구(204a)와 Z방향 이동 기구(204b)와 흡착 핸드(204c)를 포함하고 있다. X방향 이동 기구(204a)는 흡착 핸드(204c)를 X방향으로 이동시키도록 구성되어 있다. Z방향 이동 기구(204b)는 흡착 핸드(204c)를 Z방향으로 이동시키도록 구성되어 있다. X방향 이동 기구(204a) 및 Z방향 이동 기구(204b)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다. 흡착 핸드(204c)는 웨이퍼 링 구조체(W)의 링형상 부재(W3)를 Z1방향측으로부터 흡착해서 지지하도록 구성되어 있다. 여기서, 흡착 핸드(204c)에서는 부압을 발생시킴으로써, 웨이퍼 링 구조체(W)의 링형상 부재(W3)가 지지된다.
<베이스>
도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 베이스(205)는 익스팬드부(208), 냉각 유닛(207), 자외선 조사부(212) 및 스퀴지부(213)가 설치되는 기대이다. 베이스(205)는 평면 시에 있어서, 직사각형 형상을 갖고 있다. 또한, 도 8에서는 냉각 유닛(207)의 Z1방향의 위치에 배치된 클램프부(214)가 점선으로 나타내어져 있다.
<냉기 공급부>
냉기 공급부(206)는 익스팬드부(208)에 의해 시트 부재(W2)를 익스팬드시킬 때, 시트 부재(W2)에 Z1방향측으로부터 냉기를 공급하도록 구성되어 있다.
구체적으로는, 냉기 공급부(206)는 공급부 본체(206a)와, 냉기 공급구(206b)와, 이동 기구(206c)를 갖고 있다. 냉기 공급구(206b)는 냉기 공급 장치로부터 공급되는 냉기를 유출시키도록 구성되어 있다. 냉기 공급구(206b)는 공급부 본체(206a)의 Z2방향측의 단부에 설치되어 있다. 냉기 공급구(206b)는 공급부 본체(206a)의 Z2방향측의 단부에 있어서의 중앙부에 배치되어 있다. 이동 기구(206c)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖고 있다.
냉기 공급 장치는 냉기를 생성하기 위한 장치이다. 냉기 공급 장치는 예를 들면, 히트 펌프 등에 의해 냉각된 공기를 공급한다. 이러한 냉기 공급 장치는 베이스(205)에 설치된다. 냉기 공급부(206)와 냉각 공급 장치는 호스(도시 생략)에 의해 접속되어 있다.
<냉각 유닛>
냉각 유닛(207)은 시트 부재(W2)를 Z2방향측으로부터 냉각하도록 구성되어 있다.
냉각 유닛(207)은, 냉각체(271) 및 펠티에 소자(272)를 갖는 냉각 부재(207a)와 Z방향 이동 기구(207b)를 포함하고 있다. 냉각체(271)는 열용량이 크고, 또한 열전도율이 높은 부재에 의해 구성되어 있다. 냉각체(271)는 알루미늄 등의 금속에 의해 형성되어 있다. 펠티에 소자(272)는 냉각체(271)를 냉각하도록 구성되어 있다. 또한, 냉각체(271)는 알루미늄에 한정되지 않고, 다른 열용량이 크고, 또한 열전도율이 높은 부재이어도 된다. Z방향 이동 기구(207b)는 실린더이다.
냉각 유닛(207)은 Z방향 이동 기구(207b)에 의해, Z1방향 또는 Z2방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 이것에 의해, 냉각 유닛(207)은 시트 부재(W2)에 접촉하는 위치 및 시트 부재(W2)로부터 이간된 위치로 이동하는 것이 가능하다.
<익스팬드부>
익스팬드부(208)는 웨이퍼 링 구조체(W)의 시트 부재(W2)를 익스팬드함으로써, 분할 라인을 따라 웨이퍼(W1)를 분할하도록 구성되어 있다.
익스팬드부(208)는 익스팬드 링(281)을 갖고 있다. 익스팬드 링(281)은 시트 부재(W2)를 Z2방향측으로부터 지지함으로써, 시트 부재(W2)를 익스팬드(확장)시키도록 구성되어 있다. 익스팬드 링(281)은 평면 시에 있어서 링형상을 갖고 있다. 또한, 익스팬드 링(281)의 구조에 대해서는 뒤에 상세하게 설명한다.
<베이스>
베이스(209)는, 냉기 공급부(206), 확장 유지 부재(210) 및 히트 슈링크부(211)가 설치되는 기재이다.
<확장 유지 부재>
도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 확장 유지 부재(210)는 가열 링(211a)에 의한 가열에 의해 웨이퍼(W1) 부근의 시트 부재(W2)가 수축되지 않도록, 시트 부재(W2)를 Z1방향측으로부터 누르도록 구성되어 있다.
구체적으로는, 확장 유지 부재(210)는, 압압 링부(210a)와 뚜껑부(210b)와 흡기부(210c)를 갖고 있다. 압압 링부(210a)는 평면 시에 있어서 링 형상을 갖고 있다. 뚜껑부(210b)는 압압 링부(210a)의 개구를 폐쇄하도록 압압 링부(210a)에 설치되어 있다. 흡기부(210c)는 평면 시에 있어서, 링 형상을 갖는 흡기 링이다. 흡기부(210c)의 Z2방향측의 하면에는 복수의 흡기구가 형성되어 있다. 또한, 압압 링부(210a)는 Z방향 이동 기구(210d)에 의해 Z방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 즉, Z방향 이동 기구(210d)는 시트 부재(W2)를 누르는 위치 및 시트 부재(W2)로부터 벗어난 위치에 압압 링부(210a)를 이동시키도록 구성되어 있다. Z방향 이동 기구(210d)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다.
<히트 슈링크부>
히트 슈링크부(211)는 익스팬드부(208)에 의해 익스팬드된 시트 부재(W2)를, 복수의 반도체 칩(Ch)끼리의 사이의 간극을 유지한 상태로, 가열에 의해 수축시키도록 구성되어 있다.
히트 슈링크부(211)는 가열 링(211a)과 Z방향 이동 기구(211b)를 갖고 있다. 가열 링(211a)은 평면 시에 있어서, 링 형상을 갖고 있다. 또한, 가열 링(211a)은 시트 부재(W2)를 가열하는 시즈 히터(Sheath Heater)를 갖고 있다. Z방향 이동 기구(211b)는 가열 링(211a)을 Z방향으로 이동시키도록 구성되어 있다. Z방향 이동 기구(211b)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다.
<자외선 조사부>
자외선 조사부(212)는 시트 부재(W2)의 점착층의 점착력을 저하시키기 위해서, 시트 부재(W2)에 자외선(Ut)을 조사하도록 구성되어 있다. 구체적으로는 자외선 조사부(212)는 자외선용 조명을 갖고 있다. 자외선 조사부(212)는 스퀴지부(213)의 후술하는 압압부(213a)의 Z1방향측의 단부에 배치되어 있다. 자외선 조사부(212)는 스퀴지부(213)와 함께 이동하면서, 시트 부재(W2)에 자외선(Ut)을 조사하도록 구성되어 있다.
<스퀴지부>
스퀴지부(213)는 시트 부재(W2)를 익스팬드시킨 후, 웨이퍼(W1)를 Z2방향측으로부터 국소적으로 압압함으로써, 웨이퍼(W1)를 개질층을 따라 더욱 분할시키도록 구성되어 있다. 구체적으로는 스퀴지부(213)는 압압부(213a)와 Z방향 이동 기구(213b)와 X방향 이동 기구(213c)와 회동 기구(213d)를 갖고 있다.
압압부(213a)는 시트 부재(W2)를 통해서 Z2방향측으로부터 웨이퍼(W1)를 압압하면서, 회동 기구(213d) 및 X방향 이동 기구(213c)에 의해 이동함으로써, 웨이퍼(W1)에 구부림 응력을 발생시켜 개질층을 따라 웨이퍼(W1)를 분할하도록 구성되어 있다. 압압부(213a)는 Z방향 이동 기구(213b)에 의해 Z1방향측의 상승 위치로 상승함으로써 시트 부재(W2)를 통해서 웨이퍼(W1)에 접촉함으로써, 웨이퍼(W1)를 압압한다. 압압부(213a)는 Z방향 이동 기구(213b)에 의해 Z2방향측의 하강 위치로 하강함으로써 웨이퍼(W1)와의 접촉이 해제됨으로써 웨이퍼(W1)에 압압되지 않게 된다. 압압부(213a)는 스퀴지이다.
압압부(213a)는 Z방향 이동 기구(213b)의 Z1방향측의 단부에 부착되어 있다. Z방향 이동 기구(213b)는 Z1방향 또는 Z2방향에 직선적으로 압압부(213a)를 이동시키도록 구성되어 있다. Z방향 이동 기구(213b)는 예를 들면, 실린더이다. Z방향 이동 기구(213b)는 X방향 이동 기구(213c)의 Z1방향측의 단부에 부착되어 있다.
X방향 이동 기구(213c)는 회동 기구(213d)의 Z1방향측의 단부에 부착되어 있다. X방향 이동 기구(213c)는 일방향에 직선적으로 압압부(213a)를 이동시키도록 구성되어 있다. X방향 이동 기구(213c)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다.
스퀴지부(213)에서는 Z방향 이동 기구(213b)에 의해 압압부(213a)가 상승 위치까지 상승된다. 스퀴지부(213)에서는 시트 부재(W2)를 통해서, Z2방향측으로부터 웨이퍼(W1)를 압압부(213a)가 국소적으로 압압하면서, X방향 이동 기구(213c)에 의해 압압부(213a)가 Y방향으로 이동함으로써, 웨이퍼(W1)가 분할된다. 스퀴지부(213)에서는 Z방향 이동 기구(213b)에 의해 압압부(213a)가 하강 위치까지 하강한다. 스퀴지부(213)에서는 압압부(213a)의 Y방향으로의 이동이 종료된 후, 회동 기구(213d)에 의해 압압부(213a)가 90도 회동한다.
스퀴지부(213)에서는 Z방향 이동 기구(213b)에 의해 압압부(213a)가 상승 위치까지 상승된다. 스퀴지부(213)에서는 압압부(213a)가 90도 회동한 후, 시트 부재(W2)를 통해서 Z2방향측으로부터 웨이퍼(W1)를 압압부(213a)가 국소적으로 압압하면서, X방향 이동 기구(213c)에 의해 압압부(213a)가 X방향으로 이동함으로써, 웨이퍼(W1)가 분할된다.
<클램프부>
클램프부(214)는 웨이퍼 링 구조체(W)의 링형상 부재(W3)를 파지하도록 구성되어 있다. 구체적으로는 클램프부(214)는, 파지부(214a)와 Z방향 이동 기구(214b)와 Y방향 이동 기구(214c)를 갖고 있다. 파지부(214a)는 링형상 부재(W3)를 Z2방향측으로부터 지지함과 아울러, 링형상 부재(W3)를 Z1방향측으로부터 누른다. 이와 같이, 링형상 부재(W3)는 파지부(214a)에 의해 파지된다. 파지부(214a)는 Z방향 이동 기구(214b)에 부착되어 있다.
Z방향 이동 기구(214b)는 클램프부(214)를 Z방향으로 이동시키도록 구성되어 있다. 구체적으로는 Z방향 이동 기구(214b)는 파지부(214a)를 Z1방향 또는 Z2방향으로 이동시키도록 구성되어 있다. Z방향 이동 기구(214b)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다. Z방향 이동 기구(214b)는 Y방향 이동 기구(214c)에 부착되어 있다. Y방향 이동 기구(214c)는 Z방향 이동 기구(214b)를 Y1방향 또는 Y2방향으로 이동시키도록 구성되어 있다. Y방향 이동 기구(214c)는 예를 들면, 리니어 컨베이어 모듈, 또는 볼 나사 및 인코더가 있는 모터를 갖는 구동부를 갖고 있다.
(반도체 웨이퍼의 가공 장치의 제어적인 구성)
도 9에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 가공 장치(100)는, 제 1 제어부(101)와 제 2 제어부(102)와 제 3 제어부(103)와 제 4 제어부(104)와 제 5 제어부(105)와 제 6 제어부(106)와 제 7 제어부(107)와 제 8 제어부(108)와 익스팬드 제어 연산부(109)와 핸들링 제어 연산부(110)와 다이싱 제어 연산부(111)와 기억부(112)를 구비하고 있다.
제 1 제어부(101)는 스퀴지부(213)를 제어하도록 구성되어 있다. 제 1 제어부(101)는, CPU(Central Processing Unit)와 ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory) 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다. 또한, 제 1 제어부(101)는 기억부로서, 전압 차단 후에도 기억된 정보가 유지되는 HDD(Hard Disk Drive) 등을 포함하고 있어도 된다. 또한, HDD는 제 1 제어부(101), 제 2 제어부(102), 제 3 제어부(103), 제 4 제어부(104), 제 5 제어부(105), 제 6 제어부(106), 제 7 제어부(107) 및 제 8 제어부(108)에 대하여 공통으로 설치되어 있어도 된다.
제 2 제어부(102)는 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)을 제어하도록 구성되어 있다. 제 2 제어부(102)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다. 제 3 제어부(103)는 히트 슈링크부(211) 및 자외선 조사부(212)를 제어하도록 구성되어 있다. 제 3 제어부(103)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다. 또한, 제 2 제어부(102) 및 제 3 제어부(103)는 기억부로서, 전압 차단 후에도 기억된 정보가 유지되는 HDD 등을 포함하고 있어도 된다.
제 4 제어부(104)는 카세트부(202) 및 리프트업 핸드부(203)를 제어하도록 구성되어 있다. 제 4 제어부(104)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다. 제 5 제어부(105)는 흡착 핸드부(204)를 제어하도록 구성되어 있다. 제 5 제어부(105)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다. 또한, 제 4 제어부(104) 및 제 5 제어부(105)는 기억부로서, 전압 차단 후에도 기억된 정보가 유지되는 HDD 등을 포함하고 있어도 된다.
제 6 제어부(106)는 척 테이블부(12)를 제어하도록 구성되어 있다. 제 6 제어부(106)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다. 제 7 제어부(107)는 레이저부(13)를 제어하도록 구성되어 있다. 제 7 제어부(107)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다. 제 8 제어부(108)는 촬상부(14)를 제어하도록 구성되어 있다. 제 8 제어부(108)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다. 또한, 제 6 제어부(106), 제 7 제어부(107) 및 제 8 제어부(108)는 기억부로서, 전압 차단 후에도 기억된 정보가 유지되는 HDD 등을 포함하고 있어도 된다.
익스팬드 제어 연산부(109)는 제 1 제어부(101), 제 2 제어부(102) 및 제 3 제어부(103)의 처리 결과에 기초하여 시트 부재(W2)의 익스팬드 처리에 관한 연산을 행하도록 구성되어 있다. 익스팬드 제어 연산부(109)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다.
핸들링 제어 연산부(110)는 제 4 제어부(104) 및 제 5 제어부(105)의 처리 결과에 근거하여 웨이퍼 링 구조체(W)의 이동 처리에 관한 연산을 행하도록 구성되어 있다. 핸들링 제어 연산부(110)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다.
다이싱 제어 연산부(111)는 제 6 제어부(106), 제 7 제어부(107) 및 제 8 제어부(108)의 처리 결과에 근거하여 웨이퍼(W1)의 다이싱 처리에 관한 연산을 행하도록 구성되어 있다. 다이싱 제어 연산부(111)는 CPU와, ROM 및 RAM 등을 갖는 기억부를 포함하고 있다.
기억부(112)는 다이싱 장치(1) 및 익스팬드 장치(2)를 동작시키기 위한 프로그램이 기억되어 있다. 기억부(19)는 ROM, RAM 및 HDD 등을 포함하고 있다.
(반도체 칩 제조 처리)
도 10 및 도 11을 참조하여 반도체 웨이퍼의 가공 장치(100)의 전체적인 동작에 대해서 이하에 설명한다.
스텝 S1에 있어서, 카세트부(202)로부터 웨이퍼 링 구조체(W)가 인출된다. 즉, 카세트부(202) 내에 수용된 웨이퍼 링 구조체(W)를 리프트업 핸드(203b)에 의해 지지한 후, Y방향 이동 기구(31)에 의해 리프트업 핸드(203b)가 Y1방향측으로 이동함으로써, 카세트부(202)로부터 웨이퍼 링 구조체(W)가 인출된다. 스텝 S2에 있어서, 흡착 핸드(204c)에 의해 웨이퍼 링 구조체(W)가, 다이싱 장치(1)의 척 테이블부(12)로 이재된다. 즉, 카세트부(202)로부터 인출된 웨이퍼 링 구조체(W)는 흡착 핸드(204c)에 의해 흡착된 상태로, X방향 이동 기구(204a)에 의해 X2방향측으로 이동한다. 그리고, X2방향측으로 이동한 웨이퍼 링 구조체(W)는 흡착 핸드(204c)로부터 척 테이블부(12)로 이재된 후, 척 테이블부(12)에 의해 파지된다.
스텝 S3에 있어서, 레이저부(13)에 의해 웨이퍼(W1)에 개질층이 형성된다. 스텝 S4에 있어서, 흡착 핸드(204c)에 의해 개질층이 형성된 웨이퍼(W1)를 갖는 웨이퍼 링 구조체(W)가 클램프부(214)로 이재된다. 스텝 S5에 있어서, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)에 의해 시트 부재(W2)가 냉각된다. 즉, Z방향 이동 기구(214b)에 의해 클램프부(214)에 파지된 웨이퍼 링 구조체(W)를 Z2방향으로 이동(하강)시켜서 냉각 유닛(207)에 접촉시킴과 아울러, 냉기 공급부(206)에 의해 Z1방향측으로부터 냉기를 공급함으로써, 시트 부재(W2)가 냉각된다.
스텝 S6에 있어서, 클램프부(214)에 의해 익스팬드부(208)에 웨이퍼 링 구조체(W)가 이동한다. 즉, 시트 부재(W2)가 냉각된 웨이퍼 링 구조체(W)가, 클램프부(214)에 파지된 상태로, Y방향 이동 기구(214c)에 의해 Y1방향으로 이동한다. 스텝 S7에 있어서, 익스팬드부(208)에 의해 시트 부재(W2)가 익스팬드된다. 즉, 웨이퍼 링 구조체(W)가 클램프부(214)에 파지된 상태로, Z방향 이동 기구(214b)에 의해 Z2방향으로 이동한다. 그리고, 시트 부재(W2)가 익스팬드 링(281)에 접촉함과 아울러, 익스팬드 링(281)에 의해 인장됨으로써 익스팬드된다. 이것에 의해, 웨이퍼(W1)가 분할 라인(개질층)을 따라 분할된다.
스텝 S8에 있어서, 확장 유지 부재(210)에 의해, 익스팬드된 상태의 시트 부재(W2)가 Z1방향측으로부터 눌러진다. 즉, 압압 링부(210a)가 Z방향 이동 기구(210d)에 의해 시트 부재(W2)에 접촉하기까지 Z2방향으로 이동(하강)한다. 그리고, 도 10의 A점으로부터 도 11의 A점을 통해서 스텝 S9로 진행된다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 스텝 S9에 있어서, 확장 유지 부재(210)에 의해 시트 부재(W2)가 눌러진 후, 스퀴지부(213)에 의해 웨이퍼(W1)를 압압하면서, 자외선 조사부(212)에 의해 시트 부재(W2)에 자외선(Ut)을 조사한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W1)가 스퀴지부(213)에 의해 더욱 분할된다. 또한, 시트 부재(W2)의 점착력이 자외선 조사부(212)로부터 조사되는 자외선(Ut)에 의해 저하한다.
스텝 S10에 있어서, 히트 슈링크부(211)에 의해 시트 부재(W2)가 가열되어서 수축되면서, 클램프부(214)가 상승한다. 이 때, 흡기부(210c)가 가열되어 있는 시트 부재(W2) 부근의 공기를 흡입한다. 스텝 S11에 있어서, 웨이퍼 링 구조체(W)가 클램프부(214)로부터 흡착 핸드(204c)로 이재된다. 즉, 웨이퍼 링 구조체(W)가 클램프부(214)에 파지된 상태로, Y방향 이동 기구(214c)에 의해 Y2방향으로 이동한다. 그리고, 웨이퍼 링 구조체(W)가 냉각 유닛(207)의 Z1방향측의 위치에 있어서, 클램프부(214)에 의한 파지가 해제된 후, 흡착 핸드(204c)에 의해 흡착된다.
스텝 S12에 있어서, 흡착 핸드(204c)에 의해 리프트업 핸드(203b)에 웨이퍼 링 구조체(W)가 이재된다. 스텝 S13에 있어서, 웨이퍼 링 구조체(W)가 카세트부(202)에 수용된다. 즉, 리프트업 핸드(203b)에 의해 지지된 웨이퍼 링 구조체(W)는 Y방향 이동 기구(203a)에 의해 Y1방향측으로 이동됨으로써 카세트부(202)에 웨이퍼 링 구조체(W)가 수용된다. 이들에 의해, 1매의 웨이퍼 링 구조체(W)에 대하여 행해지는 처리가 종료한다. 그리고, 도 11의 B점으로부터 도10의 B점을 통해서 스텝 S1로 되돌아간다.
(익스팬드부, 확장 유지 부재, 자외선 조사부 및 스퀴지부의 상세한 구성)
도 12 및 도 13을 참조하여 익스팬드부(208), 확장 유지 부재(210), 자외선 조사부(212) 및 스퀴지부(213)의 상세한 구성에 대해서 설명한다. 또한, 도 12에서는 편의 상, 익스팬드 장치(2)의 히트 슈링크부(211)를 도시하지 않는다.
도 12에 나타내는 익스팬드 장치(2)에서는 익스팬드 링(281)에 의한 시트 부재(W2)의 익스팬드가 행해지기 전의 상태가 나타내어져 있다. 여기서, 클램프부(214)는 상승 위치(Up)에 배치되어 있다. 즉, 파지부(214a)가 Z방향 이동 기구(214b)에 의해 상승 위치(Up)에 배치되어 있다.
도 13에 나타내는 익스팬드 장치(2)에서는 익스팬드 링(281)에 의한 시트 부재(W2)의 익스팬드가 행해지고 있는 상태가 나타내어져 있다. 여기서, 클램프부(214)는 하강 위치(Lw)에 배치되어 있다. 즉, 파지부(214a)가 Z방향 이동 기구(214b)에 의해, 상승 위치(Up)로부터 하강 위치(Lw)를 향해서 Z2방향측으로 이동되어 있다.
시트 부재(W2)는 상승 위치(Up)로부터 하강 위치(Lw)를 향해서 파지부(214a)가 Z2방향측으로 이동될 때, 익스팬드 링(281)의 상단부(281a)에 접촉함으로써 신장된다. 이 때, 웨이퍼(W1)가 시트 부재(W2)로 인장됨으로써, 웨이퍼(W1) 내에 인장 응력이 발생되므로, 웨이퍼(W1)에 형성된 개질층을 따라 웨이퍼(W1)가 분할된다. 이것에 의해, 복수의 반도체 칩(Ch)이 형성된다.
<익스팬드부>
익스팬드부(208)는 클램프부(214)가 웨이퍼 링 구조체(W)를 파지한 상태로, 시트 부재(W2)를 익스팬드시킴으로써, 서로 간격(Mr)을 둔 상태의 복수의 반도체 칩(Ch)으로 웨이퍼(W1)를 분할하는 익스팬드 링(281)을 갖고 있다. 즉, 익스팬드 링(281)은 Z방향 이동 기구(214b)에 의해 상승 위치(Up)로부터 하강 위치(Lw)를 향해서 Z2방향측으로 이동하는 클램프부(214)에 의해, 시트 부재(W2)를 익스팬드하도록 구성되어 있다.
익스팬드 링(281)은 베이스(205) 상에 고정되어 있다. 익스팬드 링(281)의 상단부(281a)는 Z방향에 있어서의 소정 높이 위치(Hd)에 배치되어 있다. 소정 높이 위치(Hd)는 베이스(205)의 상면을 기준으로 한 높이 위치이다. 이렇게, 익스팬드 링(281)의 상단부(281a)는 소정 높이 위치(Hd)에 배치된 상태가 유지되어 있다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 확장 유지 부재(210)는 웨이퍼(W1) 부근의 시트 부재(W2)의 익스팬드 상태를 유지하도록 구성되어 있다. 도 14에서는 편의 상, 익스팬드 장치(2)의 히트 슈링크부(211)를 도시하지 않는다.
구체적으로는 확장 유지 부재(210)는, 압압 링부(210a)와 뚜껑부(210b)를 갖고 있다.
압압 링부(210a)는 평면 시에 있어서, 웨이퍼(W1)를 둘러싸도록 배치된 원통형상을 갖고 있다. 뚜껑부(210b)는 압압 링부(210a)의 Z1방향에의 개구를 덮도록 설치되어 있다. 뚜껑부(210b)는 압압 링부(210a)의 Z1방향에의 개구를 폐쇄하도록 압압 링부(210a)의 내측(1210a)에 설치되어 있다. 뚜껑부(210b)는 압압 링부(210a)의 내측(1210a)의 Z1방향측의 단부에 설치되어 있다. 내측(1210a)은 원통 형상의 압압 링부(210a)의 지름 방향에 있어서의 내측이다.
자외선 조사부(212)는 익스팬드 상태의 시트 부재(W2)에 Z2방향측으로부터 자외선(Ut)을 조사하도록 구성되어 있다. 또한, 자외선 조사부(212)는 익스팬드 상태의 시트 부재(W2)의 웨이퍼(W1)의 Z2방향의 위치에 배치되어 있다.
자외선 조사부(212)로부터 조사된 자외선(Ut)은 원통 형상의 압압 링부(210a)와 뚜껑부(210b)에 의해 웨이퍼(W1)를 Z1방향측으로부터 덮는 것에 의해, 확장 유지 부재(210)로부터 외부로 새지 않도록 되어 있다. 이와 같이, 확장 유지 부재(210)는 웨이퍼(W1) 부근의 시트 부재(W2)의 익스팬드 상태를 유지하는 기능뿐만아니라, 자외선(Ut)을 차폐하는 기능을 갖고 있다. 또한, 확장 유지 부재(210)는 자외선(Ut)을 차폐하는 것에 기인하는 재질의 열화를 억제하기 위해서 스테인리스 등의 금속에 의해 형성되어 있다.
도 15 및 도 16에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W1)에는 필름(W4)이 설치되어 있다. 도 15에 나타내는 예에서는 필름(W4)은 웨이퍼(W1)와 시트 부재(W2) 사이에 설치되어 있다. 또한, 도 16에 나타내는 예에서는 필름(W4)은 웨이퍼(W1)에 대하여 시트 부재(W2)와는 반대측에 설치되어 있다. 필름(W4)은 예를 들면, DAF(다이 어태치 필름) 등의 접착제층이나 Low-k필름 등의 절연막이다.
도 17에 나타내는 바와 같이, 시트 부재(W2) 및 필름(W4)은 냉각함으로써 단단해진다. 여기서, 온도 t1로 냉각한 경우와 같이, 시트 부재(W2)가 단단하게 되지 않으면, 익스팬드를 행한 경우에, 웨이퍼(W1)의 외측 부분의 시트 부재(W2)만이 신장되어버려, 웨이퍼(W1)가 분할되지 않는다. 한편, 온도 t3으로 냉각한 경우와 같이, 시트 부재(W2)가 지나치게 단단하면, 익스팬드를 행한 경우에, 시트 부재(W2)가 파단되어 버린다. 또한, 온도 t1로 냉각한 경우와 같이, 필름(W4)이 단단하게 되지 않으면, 익스팬드를 행한 경우에, 필름(W4)이 신장되어버려, 웨이퍼(W1)와 함께 분할되지 않는다. 또한, 온도 t4로 냉각한 경우와 같이, 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 극도로 냉각하면, 시트 부재(W2) 및 필름(W4)이 고체화되어버린다. 그래서, 익스팬드를 행한 경우에, 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 적절한 냉각 온도로 냉각할 필요가 있다.
여기서, 본 실시형태에서는 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 시트 부재(W2)보다 웨이퍼(W1)에 설치되어 있는 필름(W4)쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 구체적으로는 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 시트 부재(W2)의 경도가 필름(W4)의 경도보다 작아지는 온도 t2보다 작고, 시트 부재(W2)가 지나치게 단단하게 되지 않는 온도 t3보다 큰 범위의 냉각 온도로 냉각한다.
즉, 이 익스팬드 장치(2)에 의한 반도체 칩의 제조 방법에서는 복수의 반도체 칩(Ch)을 포함하는 웨이퍼(W1)가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재(W2)보다 웨이퍼(W1)에 설치되어 있는 필름(W4)쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각하는 공정과, 냉각 온도로 냉각된 시트 부재(W2)를 익스팬딩하여 웨이퍼(W1)를 복수의 반도체 칩(Ch)으로 분할하는 공정을 구비한다.
또한, 이 익스팬드 장치(2)에 제조되는 반도체 칩(Ch)은 복수의 반도체 칩(Ch)을 포함하는 웨이퍼(W1)가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재(W2)보다 웨이퍼(W1)에 설치되어 있는 필름(W4)쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각하는 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)과, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)에 의해 냉각 온도로 냉각된 시트 부재(W2)를 익스팬딩하여 웨이퍼(W1)를 복수의 반도체 칩(Ch)으로 분할하는 익스팬드부(208)를 구비하는 익스팬드 장치(2)에 의해 제조된다.
또한, 본 실시형태에서는 시트 부재(W2) 및 필름(W4)의 온도에 대한 경도는, 소정 온도에 있어서 대소 관계가 역전하고, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 시트 부재(W2)보다 필름(W4)쪽이 단단하게 되는 소정 온도보다 낮은 온도로 냉각한다. 도 17에 나타내는 예에서는 시트 부재(W2) 및 필름(W4)의 온도에 대한 경도는 온도 t2에 있어서 대소 관계가 역전한다.
또한, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 시트 부재(W2)보다 필름(W4)쪽이 단단하게 되고, 또한 시트 부재(W2)의 경도가 소정의 값보다 작아지는 냉각 온도 범위의 냉각 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 도 17에 나타내는 예에서는 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 온도 t3보다 크고 온도 t2보다 작은 냉각 온도 범위의 냉각 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다.
도 18에 나타내는 바와 같이, 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재(W2)에 있어서의 편차가 필름(W4)의 편차보다 큰 경우에, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 냉각 온도 범위 중 높은 측의 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 도 18에 나타내는 예에서는 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재(W2)에 있어서의 편차가 큰 경우에, 냉각 온도 범위(온도 t2보다 크고 온도 t3보다 작은 온도 범위)의 중앙의 온도 ta보다 높은 온도 tb로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 즉, 시트 부재(W2)의 온도에 대한 경도가 편차가 있는 경우에, 시트 부재(W2)가 지나치게 단단하게 되지 않도록, 냉각 온도가 냉각 온도 범위의 중앙의 온도 ta보다 높은 온도 tb로 설정된다.
도 19에 나타내는 바와 같이, 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재(W2)에 있어서의 편차가 필름(W4)의 편차보다 작은 경우에, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 냉각 온도 범위 중 낮은 측의 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 도 19에 나타내는 예에서는 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은, 온도에 대한 경도에 대해서 필름(W4)에 있어서의 편차가 큰 경우에, 냉각 온도 범위(온도 t2보다 크고 온도 t3보다 작은 온도 범위)의 중앙의 온도 ta보다 낮은 온도 tc로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 즉, 필름(W4)의 온도에 대한 경도가 편차가 있는 경우에, 필름(W4)을 확실하게 단단하게 하기 위해서, 냉각 온도가 냉각 온도 범위의 중앙의 온도 ta보다 낮은 온도 tc로 설정된다.
또한, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)에 의한 냉각 온도는 작업자에 의해 미리 설정(결정)된다. 구체적으로는 시트 부재(W2) 및 필름(W4)의 온도에 대한 경도가 측정되고, 측정된 결과에 근거하여 냉각 온도가 결정된다.
(실시형태의 효과)
본 실시형태에서는 이하와 같은 효과를 얻을 수 있다.
본 실시형태에서는 상기한 바와 같이, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 시트 부재(W2)보다 웨이퍼(W1)에 설치되어 있는 필름(W4)쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 이것에 의해, 필름(W4)을 웨이퍼(W1)와 함께 분할할 수 있음과 아울러, 시트 부재(W2)가 파단하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 복수의 반도체 칩(Ch)을 포함하는 웨이퍼(W1)가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재(W2)를 확실하게 익스팬드할 수 있음과 아울러, 웨이퍼(W1)에 설치되어 있는 필름(W4)을 확실하게 분할할 수 있다. 이것에 의해, 익스팬드에 의한 웨이퍼의 분할의 제품 수율을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 상기한 바와 같이, 시트 부재(W2) 및 필름(W4)의 온도에 대한 경도는 소정 온도에 있어서 대소 관계가 역전하고, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 시트 부재(W2)보다 필름(W4)쪽이 단단하게 되는 소정 온도보다 낮은 온도로 냉각한다. 이것에 의해, 시트 부재(W2)의 경도와 필름(W4)의 경도가 역전하고, 시트 부재(W2)보다 필름(W4)이 단단해진 상태로, 익스팬드할 수 있으므로, 필름(W4)을 보다 확실하게 분할할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 상기한 바와 같이, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 시트 부재(W2)보다 필름(W4)쪽이 단단하게 되고, 또한 시트 부재(W2)의 경도가 소정의 값보다 작아지는 냉각 온도 범위의 냉각 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 이것에 의해, 시트 부재(W2)가 지나치게 단단하게 되지 않고, 또한 필름(W4)이 단단하게 되는 냉각 온도로 냉각한 상태로, 시트 부재(W2)를 익스팬드할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 상기한 바와 같이, 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재(W2)에 있어서의 편차가 필름(W4)의 편차보다 큰 경우에, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은, 냉각 온도 범위 중 높은 측의 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 이것에 의해, 온도에 대한 경도에 대해서, 시트 부재(W2)의 편차가 큰 경우라도, 시트 부재(W2)가 파단하는 온도가 되지 않는 냉각 온도로 냉각할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 상기한 바와 같이, 온도에 대한 경도에 대해서 시트 부재(W2)에 있어서의 편차가 필름(W4)의 편차보다 작은 경우에, 냉기 공급부(206) 및 냉각 유닛(207)은 냉각 온도 범위 중 낮은 측의 온도로 시트 부재(W2) 및 필름(W4)을 냉각한다. 이것에 의해, 온도에 대한 경도에 대해서 필름(W4)의 편차가 큰 경우라도, 필름(W4)이 확실하게 분할할 수 있는 냉각 온도로 냉각할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 상기한 바와 같이, 시트 부재(W2) 및 필름(W4)의 온도에 대한 경도를 측정하고, 측정한 결과에 근거하여 냉각 온도를 결정한다. 이것에 의해, 시트 부재(W2) 및 필름(W4)의 온도에 대한 경도의 측정 결과에 근거하여 필름(W4)이 분할되고, 또한 시트 부재(W2)가 파단되지 않는 냉각 온도를 양호한 정밀도로 결정할 수 있다.
[변형예]
또한, 금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 실시형태의 설명이 아니고 청구의 범위에 의해 나타내어지고, 또한 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위내에서의 모든 변경(변형예)이 포함된다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는 익스팬드 장치와 아울러, 웨이퍼에 대하여 다이싱을 행하는 다이싱 장치가 설치되어 있는 구성의 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는 익스팬드 장치와 함께 다이싱 장치를 설치하지 않고, 익스팬드 장치를 단독으로 사용해도 된다. 또한, 익스팬드 장치와 함께, 다이싱 장치에 더해서 다른 장치를 더 설치해도 된다. 예를 들면, 익스팬드 장치 및 다이싱 장치와 함께, 웨이퍼를 연마하는 글라이딩 장치를 더 설치해도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는 냉각부로서의 냉기 공급부에 의한 냉기와 냉각 유닛의 펠티에 소자의 양방에 의해 시트 부재 및 필름을 냉각하는 구성의 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는 냉기 공급부에 의한 냉기와 펠티에 소자 중 어느 일방에 의해 시트 부재 및 필름을 냉각해도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는 냉각부에 의한 시트 부재 및 필름을 냉각하는 위치와, 익스팬드부에 의해 시트 부재를 익스팬드하는 위치가 서로 상이한 구성의 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는 냉각부에 의한 시트 부재 및 필름을 냉각하는 위치와, 익스팬드부에 의해 시트 부재를 익스팬드하는 위치가 같은 위치이어도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는 다이싱 장치는 웨이퍼에 레이저를 조사해서 균열을 생성해서 다이싱을 행하는 구성의 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는 다이싱 장치는 레이저 조사에 의해 웨이퍼를 절단해도 되고, 블레이드에 의해 웨이퍼를 절단하도록 해도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는 확장 유지 부재는 뚜껑부를 갖고 있는 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는 확장 유지 부재는 뚜껑부를 갖지 않고 있어도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는 익스팬드 장치는 자외선 조사부를 포함하고 있는 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는 익스팬드 장치는 자외선 조사부를 포함하지 않고 있어도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는 익스팬드 장치는 스퀴지부를 포함하고 있는 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는 익스팬드 장치는 스퀴지부를 포함하지 않고 있어도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는 익스팬드 장치의 스퀴지부가 익스팬드 링의 내측에 배치되어 있는 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는 익스팬드 장치의 스퀴지부는 익스팬드 링의 외측에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 스퀴지부는 익스팬드부와 냉각부 사이에 설치되어 있어도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는 설명의 편의 상, 제어 처리를 처리 플로우를 따라 순번으로 처리를 행하는 플로우 구동형의 플로우 차트를 사용해서 설명한 예에 대해서 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는 제어 처리를, 이벤트 단위로 처리를 실행하는 이벤트 구동형(이벤트 드리븐형)의 처리에 의해 행해도 된다. 이 경우, 완전한 이벤트 구동형으로 행해도 되고, 이벤트 구동 및 플로우 구동을 조합시켜 행해도 된다.
2 익스팬드 장치
206 냉기 공급부
207 냉각 유닛(냉각부)
208 익스팬드부
Ch 반도체 칩
W1 웨이퍼
W2 시트 부재
W4 필름

Claims (12)

  1. 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재보다 상기 웨이퍼에 설치되어 있는 필름쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는 냉각부와,
    상기 냉각부에 의해 상기 냉각 온도로 냉각된 상기 시트 부재를 익스팬딩하여 상기 웨이퍼를 복수의 상기 반도체 칩으로 분할하는 익스팬드부를 구비하는, 익스팬드 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 시트 부재 및 상기 필름의 온도에 대한 경도는 소정 온도에 있어서 대소 관계가 역전하고,
    상기 냉각부는 상기 시트 부재보다 상기 필름쪽이 단단하게 되는 상기 소정 온도보다 낮은 온도로 냉각하는, 익스팬드 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각부는 상기 시트 부재보다 상기 필름쪽이 단단하게 되고, 또한 상기 시트 부재의 경도가 소정의 값보다 작게 되는 냉각 온도 범위의 상기 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는, 익스팬드 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    온도에 대한 경도에 대해서 상기 시트 부재에 있어서의 편차가 상기 필름의 편차보다 큰 경우에, 상기 냉각부는 상기 냉각 온도 범위 중 높은 측의 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는, 익스팬드 장치.
  5. 제 3 항에 잇어서,
    온도에 대한 경도에 대해서 상기 시트 부재에 있어서의 편차가 상기 필름의 편차보다 작은 경우에, 상기 냉각부는 상기 냉각 온도 범위 중 낮은 측의 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는, 익스팬드 장치.
  6. 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재보다 상기 웨이퍼에 설치되어 있는 필름쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는 공정과,
    상기 냉각 온도로 냉각된 상기 시트 부재를 익스팬딩하여 상기 웨이퍼를 복수의 상기 반도체 칩으로 분할하는 공정을 구비하는, 반도체 칩의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 시트 부재 및 상기 필름의 온도에 대한 경도는, 소정 온도에 있어서 대소 관계가 역전하고,
    상기 필름을 냉각하는 공정에서는 상기 시트 부재보다 상기 필름쪽이 단단하게 되는 상기 소정 온도보다 낮은 온도로 냉각하는, 반도체 칩의 제조 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 시트 부재 및 상기 필름의 온도에 대한 경도를 측정하는 공정과,
    측정한 결과에 근거하여 상기 냉각 온도를 결정하는 공정을 더 구비하는, 반도체 칩의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는 공정에서는 상기 시트 부재보다 상기 필름쪽이 단단하게 되고, 또한 상기 시트 부재의 경도가 소정의 값보다 작게 되는 냉각 온도 범위로 결정된 상기 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는, 반도체 칩의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는 공정에서는 온도에 대한 경도에 대해서 상기 시트 부재에 있어서의 편차가 상기 필름의 편차보다 큰 경우에, 상기 냉각 온도 범위 중 높은 측의 온도로 결정된 상기 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는, 반도체 칩의 제조 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는 공정에서는, 온도에 대한 경도에 대해서 상기 시트 부재에 있어서의 편차가 상기 필름의 편차보다 작은 경우에, 상기 냉각 온도 범위 중 낮은 측의 온도로 결정된 상기 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는, 반도체 칩의 제조 방법.
  12. 복수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼가 배치되어 있는 신장 가능한 시트 부재보다 상기 웨이퍼에 설치되어 있는 필름쪽이 단단하게 되는 냉각 온도로 상기 시트 부재 및 상기 필름을 냉각하는 냉각부와, 상기 냉각부에 의해 상기 냉각 온도로 냉각된 상기 시트 부재를 익스팬딩하여 상기 웨이퍼를 복수의 상기 반도체 칩으로 분할하는 익스팬드부를 구비하는 익스팬드 장치에 의해 제조되는, 반도체 칩.
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