WO2023209873A1 - ダイシング装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ - Google Patents

ダイシング装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ Download PDF

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WO2023209873A1
WO2023209873A1 PCT/JP2022/019107 JP2022019107W WO2023209873A1 WO 2023209873 A1 WO2023209873 A1 WO 2023209873A1 JP 2022019107 W JP2022019107 W JP 2022019107W WO 2023209873 A1 WO2023209873 A1 WO 2023209873A1
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dicing
wafer
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PCT/JP2022/019107
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芳邦 鈴木
Original Assignee
ヤマハ発動機株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Definitions

  • the present invention relates to a dicing apparatus, a semiconductor chip manufacturing method, and a semiconductor chip.
  • dicing apparatuses that perform dicing processing to divide a wafer into a plurality of semiconductor chips.
  • a dicing device is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2007-019478.
  • Japanese Patent Application Publication No. 2007-019478 discloses a dicing apparatus equipped with a blade that performs a dicing process to divide a wafer into a plurality of semiconductor chips.
  • multiple setting parameters for dicing processing can be set by the operator inputting multiple setting parameters from the operation panel on the setting screen for setting multiple setting parameters for dicing processing using the blade. Ru.
  • the operator inputs multiple setting parameters from the operation section on the setting screen for setting the plurality of setting parameters for the dicing process using the blade.
  • a plurality of setting parameters for dicing processing are set. Therefore, when changing the setting parameters when the type of wafer changes, etc., it is necessary for the operator to input and change a plurality of setting parameters each time from the operation unit. As a result, the work for setting the dicing process becomes complicated, and a dicing apparatus that can reduce the work load for setting the dicing process is desired.
  • This invention has been made to solve the above-mentioned problems, and one object of the invention is to provide a dicing device and a semiconductor device that can reduce the work load for setting the dicing process.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a chip and a semiconductor chip.
  • the dicing apparatus individually creates conditions for a dicing section that performs dicing processing to divide a wafer into a plurality of semiconductor chips, and for a plurality of setting items for dicing processing by the dicing section. , each setting item is registered in the library, and for multiple setting items, the overall processing conditions for dicing the wafer are set as comprehensive processing information based on the selection of individually created conditions registered in the library. and a control unit that performs control to display a user interface screen for.
  • the control section individually creates conditions for a plurality of setting items for dicing processing by the dicing section, and registers them in the library for each setting item. , controls to display a user interface screen for setting comprehensive processing conditions for wafer dicing as comprehensive processing information based on the selection of individually created conditions registered in the library for multiple setting items. conduct.
  • the created conditions for multiple setting items for dicing processing are registered in the library, so you can set the setting items for dicing processing by selecting them from the library without having to input the setting items each time. can.
  • comprehensive processing conditions for dicing a wafer can be set as comprehensive processing information. As a result, it is possible to reduce the work load for performing the setting process for dicing.
  • the plurality of setting items include a workpiece shape, an alignment mark, a dividing line, and a dicing method.
  • the control unit receives the conditions of the setting items on the user interface screen by at least one of selecting from a plurality of options for each setting item and inputting a numerical value. , create conditions for each setting item, and register the conditions for the created setting item in the library for each setting item. With this configuration, conditions can be created for each setting item by selecting from a plurality of options and/or inputting numerical values, and easily registered in the library.
  • control unit is configured to perform a comprehensive dicing process on the wafer for each setting item on the user interface screen based on the selection of the conditions of the setting item registered in the library.
  • Set machining conditions as comprehensive machining information With this configuration, comprehensive processing conditions for dicing a wafer can be easily set by selecting setting items registered in the library.
  • the user interface screen includes a plurality of setting item selection buttons for selecting one setting item from the plurality of setting items
  • the user interface screen preferably includes a plurality of setting item selection buttons for selecting one setting item from the plurality of setting items
  • the user interface screen preferably includes a plurality of setting item selection buttons for selecting one setting item from the plurality of setting items
  • a corresponding A settings screen will be displayed for configuring the settings.
  • the workpiece shape of the plurality of setting items includes information on the shape of a wafer as a workpiece and information on the size of a wafer. including.
  • the dicing apparatus preferably further includes an imaging unit that images the wafer, and the control unit displays the image of the wafer captured by the imaging unit on the user interface screen, and also displays the image of the wafer based on the image of the wafer. Accept the instructions and set the conditions for the setting items. With this configuration, even if there is no data such as wafer design information, it is possible to visually and easily set the conditions of the setting items based on the image of the actual wafer.
  • control unit receives instruction based on the image of the wafer captured by the imaging unit on the user interface screen, and sets information on alignment marks for adjusting the position of the wafer as a setting item.
  • alignment mark information can be easily set based on an image of an actual wafer.
  • the dicing section includes a laser irradiation section that irradiates the wafer with a laser
  • the user interface screen is configured to set conditions in the laser processing method of the laser irradiation section as setting items.
  • the user interface screen preferably includes a laser irradiation depth display that is displayed when accepting condition settings in the laser processing method of the laser irradiation unit as a setting item. , and a laser irradiation intensity display.
  • the user interface screen preferably includes a figure representing the laser irradiation depth and laser irradiation intensity, which is displayed when accepting the setting of conditions in the laser processing method of the laser irradiation unit as a setting item.
  • the state of the laser irradiation depth and laser irradiation intensity to be set can be easily grasped visually.
  • the control unit sets the dividing route of the scheduled dividing line as a setting item on the user interface screen based on selection from a plurality of options.
  • the user interface screen includes an inspection button for actually performing the wafer dicing process for inspection based on the set comprehensive processing information.
  • a semiconductor chip manufacturing method includes individually creating conditions for a step of performing a dicing process to divide a wafer into a plurality of semiconductor chips and a plurality of setting items for the dicing process.
  • individually creating conditions for a step of performing a dicing process to divide a wafer into a plurality of semiconductor chips and a plurality of setting items for the dicing process.
  • conditions are individually created for a plurality of setting items of dicing processing by the dicing unit, and conditions are registered for each setting item in the library.
  • a user interface screen is displayed for setting comprehensive processing conditions for dicing a wafer as comprehensive processing information based on the selection of individually created conditions registered in the library for a plurality of setting items.
  • conditions are individually created for a dicing section that performs dicing processing to divide a wafer into a plurality of semiconductor chips, and for a plurality of setting items for dicing processing by the dicing section.
  • each setting item is registered in the library, and for multiple setting items, the overall processing conditions for dicing the wafer are set as comprehensive processing information based on the selection of individually created conditions registered in the library.
  • the dicing apparatus is manufactured by a dicing apparatus including a control unit that controls displaying a user interface screen for the dicing process.
  • conditions are individually created for a plurality of setting items for dicing processing by the dicing unit, and conditions are registered for each setting item in the library, and the plurality of settings For each item, a user interface screen for setting comprehensive processing conditions for dicing a wafer as comprehensive processing information is displayed based on the selection of individually created conditions registered in the library.
  • the work load for performing the setting process for dicing processing can be reduced.
  • FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor wafer processing apparatus equipped with a dicing apparatus and an expanding apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing a wafer ring structure processed in a semiconductor wafer processing apparatus according to an embodiment.
  • 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 2.
  • FIG. 2 is a plan view of a dicing device located adjacent to an expanding device according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a side view of a dicing device disposed adjacent to an expanding device according to an embodiment, viewed from the Y2 direction side.
  • FIG. 2 is a plan view of an expanding device according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a side view of the expanding device according to one embodiment as seen from the Y2 direction side.
  • FIG. 2 is a side view of the expanding device according to one embodiment as seen from the X1 direction side.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a control configuration of a semiconductor wafer processing apparatus according to an embodiment.
  • 3 is a flowchart of the first half of the semiconductor chip manufacturing process of the semiconductor wafer processing apparatus according to one embodiment. 7 is a flowchart of the latter half of the semiconductor chip manufacturing process of the semiconductor wafer processing apparatus according to one embodiment.
  • FIG. 3 is a side view showing a state in which the clamp part is disposed at a raised position in the expanding device according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a side view showing a state in which the clamp part is placed in a lowered position in the expanding device according to one embodiment.
  • FIG. 3 is a side view showing a state in which an ultraviolet ray irradiation unit irradiates ultraviolet rays in the expander according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a control configuration of a dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing a first example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a second example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a third example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a fourth example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a fifth example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a sixth example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a seventh example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing an eighth example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram showing a ninth example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing a tenth example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing an eleventh example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing a twelfth example of a user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram showing a thirteenth user interface screen for setting comprehensive processing conditions of the dicing apparatus according to an embodiment.
  • 5 is a flowchart showing a procedure for creating processing conditions for dicing a workpiece in a dicing apparatus according to an embodiment.
  • FIGS. 1 to 29 The configuration of a semiconductor wafer processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 29.
  • a semiconductor wafer processing apparatus 100 is an apparatus that processes a wafer W1 provided in a wafer ring structure W. As shown in FIG. The semiconductor wafer processing apparatus 100 is configured to form a modified layer on the wafer W1 and to divide the wafer W1 along the modified layer to form a plurality of semiconductor chips Ch (see FIG. 8). .
  • the wafer ring structure W includes a wafer W1, a sheet member W2, and a ring-shaped member W3.
  • the wafer W1 is a circular thin plate made of crystalline semiconductor material that is a material for semiconductor integrated circuits.
  • a modified layer is formed inside the wafer W1 by processing the semiconductor wafer in the semiconductor wafer processing apparatus 100 along the dividing line. That is, the wafer W1 is processed so that it can be divided along the dividing line.
  • the sheet member W2 is an elastic adhesive tape.
  • An adhesive layer is provided on the upper surface W21 of the sheet member W2.
  • the wafer W1 is attached to the adhesive layer of the sheet member W2.
  • the ring-shaped member W3 is a ring-shaped metal frame in plan view. The ring-shaped member W3 is attached to the adhesive layer of the sheet member W2 while surrounding the wafer W1.
  • the semiconductor wafer processing apparatus 100 includes a dicing apparatus 1 and an expanding apparatus 2.
  • the vertical direction will be referred to as the Z direction
  • the upper direction will be referred to as the Z1 direction
  • the lower direction will be referred to as the Z2 direction.
  • the direction in which the dicing device 1 and the expanding device 2 are lined up is the X direction
  • the expanding device 2 side in the X direction is the X1 direction
  • the dicing device 1 side in the X direction is the X2 direction. do.
  • the direction perpendicular to the X direction in the horizontal direction is the Y direction
  • one side of the Y direction is the Y1 direction
  • the other side of the Y direction is the Y2 direction.
  • the dicing apparatus 1 forms a modified layer by irradiating the wafer W1 with a laser beam having a transparent wavelength along the dividing line (street). It is configured as follows.
  • the modified layer refers to cracks, voids, etc. formed inside the wafer W1 by the laser.
  • the dicing apparatus 1 includes a base 11, a chuck table section 12, a laser section 13, and an imaging section 14.
  • the base 11 is a base on which the chuck table section 12 is installed.
  • the base 11 has a rectangular shape in plan view.
  • the chuck table section 12 includes a suction section 12a, a clamp section 12b, a rotation mechanism 12c, and a table movement mechanism 12d.
  • the suction portion 12a is configured to suction the wafer ring structure W onto the upper surface on the Z1 direction side.
  • the suction unit 12a is a table provided with a suction hole, a suction conduit, and the like for suctioning the lower surface of the ring-shaped member W3 of the wafer ring structure W on the Z2 direction side.
  • the suction portion 12a is supported by a table moving mechanism 12d via a rotation mechanism 12c.
  • the clamp part 12b is provided at the upper end of the suction part 12a.
  • the clamp part 12b is configured to hold down the wafer ring structure W attracted by the attraction part 12a.
  • the clamp part 12b holds down the ring-shaped member W3 of the wafer ring structure W that is attracted by the attraction part 12a from the Z1 direction side. In this way, the wafer ring structure W is held by the suction part 12a and the clamp part 12b.
  • the rotation mechanism 12c is configured to rotate the suction portion 12a in the circumferential direction around a rotation center axis C extending parallel to the Z direction.
  • the rotation mechanism 12c is attached to the upper end of the table moving mechanism 12d.
  • the table moving mechanism 12d is configured to move the wafer ring structure W in the X direction and the Y direction.
  • the table moving mechanism 12d includes an X-direction moving mechanism 121 and a Y-direction moving mechanism 122.
  • the X-direction moving mechanism 121 is configured to move the rotation mechanism 12c in the X1 direction or the X2 direction.
  • the X-direction movement mechanism 121 includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit having a ball screw and a motor with an encoder.
  • the Y-direction moving mechanism 122 is configured to move the rotation mechanism 12c in the Y1 direction or the Y2 direction.
  • the Y-direction movement mechanism 122 includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit having a ball screw and a motor with an encoder.
  • the laser unit 13 performs a dicing process to divide the wafer W1 into a plurality of semiconductor chips Ch.
  • the laser section 13 is configured to irradiate the wafer W1 of the wafer ring structure W held by the chuck table section 12 with laser light.
  • the laser section 13 is arranged on the Z1 direction side of the chuck table section 12.
  • the laser section 13 includes a laser irradiation section 13a, a mounting member 13b, and a Z-direction moving mechanism 13c.
  • the laser irradiation section 13a is configured to irradiate pulsed laser light.
  • the attachment member 13b is a frame to which the laser section 13 and the imaging section 14 are attached.
  • the Z direction moving mechanism 13c is configured to move the laser section 13 in the Z1 direction or the Z2 direction.
  • the Z-direction movement mechanism 13c includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder.
  • the laser irradiation unit 13a may be a laser irradiation unit that oscillates continuous wave laser light other than pulsed laser light as laser light, as long as it can form a modified layer by multiphoton absorption.
  • the laser section 13 is an example of a "dicing section" in the claims.
  • the imaging unit 14 is configured to take an image of the wafer W1 of the wafer ring structure W held by the chuck table unit 12.
  • the imaging section 14 is arranged on the Z1 direction side of the chuck table section 12.
  • the imaging unit 14 includes a high-resolution camera 14a, a wide-angle camera 14b, a Z-direction moving mechanism 14c, and a Z-direction moving mechanism 14d.
  • the high-resolution camera 14a and wide-angle camera 14b are near-infrared imaging cameras.
  • the high-resolution camera 14a has a narrower viewing angle than the wide-angle camera 14b.
  • the high-resolution camera 14a has higher resolution than the wide-angle camera 14b.
  • the wide-angle camera 14b has a wider viewing angle than the high-resolution camera 14a.
  • the wide-angle camera 14b has lower resolution than the high-resolution camera 14a.
  • the high-resolution camera 14a is arranged on the X1 direction side of the laser irradiation section 13a.
  • the wide-angle camera 14b is arranged on the X2 direction side of the laser irradiation section 13a. In this way, the high-resolution camera 14a, the laser irradiation section 13a, and the wide-angle camera 14b are arranged adjacent to each other in this order from the X1 direction to the X2 direction.
  • the Z direction moving mechanism 14c is configured to move the high resolution camera 14a in the Z1 direction or the Z2 direction.
  • the Z-direction movement mechanism 14c includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder.
  • the Z-direction moving mechanism 14d is configured to move the wide-angle camera 14b in the Z1 direction or the Z2 direction.
  • the Z-direction movement mechanism 14d includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder.
  • the expander 2 is configured to divide the wafer W1 to form a plurality of semiconductor chips Ch (see FIG. 8). Further, the expanding device 2 is configured to form a sufficient gap between the plurality of semiconductor chips Ch.
  • a modified layer is formed on the wafer W1 by irradiating the wafer W1 with a laser having a wavelength that is transparent to the wafer W1 along a dividing line (street) in the dicing apparatus 1.
  • a plurality of semiconductor chips Ch are formed by dividing the wafer W1 along the modified layer formed in advance in the dicing device 1.
  • the wafer W1 is divided along the modified layer by expanding the sheet member W2. Furthermore, by expanding the sheet member W2 in the expanding device 2, the gaps between the plurality of divided semiconductor chips Ch are widened.
  • the expanding device 2 includes a base 201, a cassette section 202, a lift-up hand section 203, a suction hand section 204, a base 205, a cold air supply section 206, a cooling unit 207, an expanding section 208, and a base 209. , an expansion maintenance member 210, a heat shrink section 211, an ultraviolet irradiation section 212, a squeegee section 213, and a clamp section 214.
  • the base 201 is a base on which the cassette section 202 and the lift-up hand section 203 are installed.
  • the base 201 has a rectangular shape in plan view.
  • the cassette section 202 is configured to be able to accommodate a plurality of wafer ring structures W.
  • the cassette section 202 includes a wafer cassette 202a, a Z-direction moving mechanism 202b, and a pair of mounting sections 202c.
  • a plurality (three) of wafer cassettes 202a are arranged in the Z direction.
  • the wafer cassette 202a has an accommodation space that can accommodate a plurality (five) of wafer ring structures W.
  • the wafer ring structure W is manually supplied and placed on the wafer cassette 202a.
  • the wafer cassette 202a may accommodate one to four wafer ring structures W, or may accommodate six or more wafer ring structures W.
  • one, two, four or more wafer cassettes 202a may be arranged in the Z direction.
  • the Z direction moving mechanism 202b is configured to move the wafer cassette 202a in the Z1 direction or the Z2 direction.
  • the Z-direction movement mechanism 202b includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder. Further, the Z-direction moving mechanism 202b includes a mounting table 202d that supports the wafer cassette 202a from below. A plurality (three) of mounting tables 202d are arranged in accordance with the positions of the plurality of wafer cassettes 202a.
  • a plurality (five) of the pair of placement parts 202c are arranged inside the wafer cassette 202a.
  • the ring-shaped member W3 of the wafer ring structure W is placed on the pair of placement parts 202c from the Z1 direction side.
  • One of the pair of placement parts 202c protrudes in the X2 direction from the inner surface of the wafer cassette 202a on the X1 direction.
  • the other of the pair of placement parts 202c protrudes in the X1 direction from the inner surface of the wafer cassette 202a on the X2 direction.
  • the lift-up hand section 203 is configured to be able to take out the wafer ring structure W from the cassette section 202. Further, the lift-up hand section 203 is configured to be able to accommodate the wafer ring structure W in the cassette section 202.
  • the lift-up hand section 203 includes a Y-direction moving mechanism 203a and a lift-up hand 203b.
  • the Y-direction movement mechanism 203a includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder.
  • the lift-up hand 203b is configured to support the ring-shaped member W3 of the wafer ring structure W from the Z2 direction side.
  • the suction hand section 204 is configured to suction the ring-shaped member W3 of the wafer ring structure W from the Z1 direction side.
  • the suction hand section 204 includes an X-direction movement mechanism 204a, a Z-direction movement mechanism 204b, and a suction hand 204c.
  • the X-direction moving mechanism 204a is configured to move the suction hand 204c in the X-direction.
  • the Z direction moving mechanism 204b is configured to move the suction hand 204c in the Z direction.
  • the X-direction movement mechanism 204a and the Z-direction movement mechanism 204b have, for example, a linear conveyor module or a drive unit having a ball screw and a motor with an encoder.
  • the suction hand 204c is configured to suction and support the ring-shaped member W3 of the wafer ring structure W from the Z1 direction side.
  • the ring-shaped member W3 of the wafer ring structure W is supported by the suction hand 204c by generating negative pressure.
  • the base 205 is a base on which the expanding section 208, the cooling unit 207, the ultraviolet irradiation section 212, and the squeegee section 213 are installed.
  • the base 205 has a rectangular shape in plan view.
  • the clamp part 214 disposed at a position in the Z1 direction of the cooling unit 207 is shown by a dotted line.
  • the cold air supply unit 206 is configured to supply cold air to the sheet member W2 from the Z1 direction side when the expanding unit 208 expands the sheet member W2.
  • the cold air supply section 206 includes a supply section main body 206a, a cold air supply port 206b, and a moving mechanism 206c.
  • the cold air supply port 206b is configured to allow the cold air supplied from the cold air supply device to flow out.
  • the cold air supply port 206b is provided at the end of the supply section main body 206a on the Z2 direction side.
  • the cold air supply port 206b is arranged at the center of the end of the supply section main body 206a on the Z2 direction side.
  • the moving mechanism 206c includes, for example, a linear conveyor module or a motor with a ball screw and an encoder.
  • the cold air supply device is a device for generating cold air.
  • the cold air supply device supplies air cooled by, for example, a heat pump.
  • a cold air supply device is installed on the base 205.
  • the cold air supply section 206 and the cooling supply device are connected through a hose (not shown).
  • the cooling unit 207 is configured to cool the sheet member W2 from the Z2 direction side.
  • the cooling unit 207 includes a cooling member 207a having a cooling body 271 and a Peltier element 272, and a Z-direction moving mechanism 207b.
  • the cooling body 271 is made of a member having a large heat capacity and high thermal conductivity. Cooling body 271 is made of metal such as aluminum.
  • the Peltier element 272 is configured to cool the cooling body 271. Note that the cooling body 271 is not limited to aluminum, and may be made of other members having a large heat capacity and high thermal conductivity.
  • the Z direction moving mechanism 207b is a cylinder.
  • the cooling unit 207 is configured to be movable in the Z1 direction or the Z2 direction by a Z direction movement mechanism 207b. Thereby, the cooling unit 207 can be moved to a position where it contacts the sheet member W2 and a position where it is spaced apart from the sheet member W2.
  • the expanding section 208 is configured to expand the sheet member W2 of the wafer ring structure W to divide the wafer W1 along the dividing line.
  • the expander 208 has an expander ring 281.
  • the expand ring 281 is configured to expand the sheet member W2 by supporting the sheet member W2 from the Z2 direction side.
  • the expand ring 281 has a ring shape in plan view. Note that the structure of the expand ring 281 will be explained in detail later.
  • the base 209 is a base material on which the cold air supply section 206, the expansion maintenance member 210, and the heat shrink section 211 are installed.
  • the expansion maintaining member 210 is configured to press the sheet member W2 from the Z1 direction side so that the sheet member W2 near the wafer W1 does not shrink due to heating by the heating ring 211a. .
  • the expansion maintaining member 210 includes a pressing ring portion 210a, a lid portion 210b, and an air intake portion 210c.
  • the pressing ring portion 210a has a ring shape in plan view.
  • the lid portion 210b is provided on the press ring portion 210a so as to close the opening of the press ring portion 210a.
  • the intake portion 210c is an intake ring having a ring shape when viewed from above. A plurality of intake ports are formed on the lower surface of the intake portion 210c on the Z2 direction side.
  • the press ring portion 210a is configured to move in the Z direction by a Z direction moving mechanism 210d.
  • the Z direction moving mechanism 210d is configured to move the pressing ring portion 210a to a position where it presses the sheet member W2 and a position away from the sheet member W2.
  • the Z-direction movement mechanism 210d includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder.
  • the heat shrink section 211 is configured to shrink the sheet member W2 expanded by the expand section 208 by heating while maintaining gaps between the plurality of semiconductor chips Ch.
  • the heat shrink part 211 has a heating ring 211a and a Z-direction moving mechanism 211b.
  • the heating ring 211a has a ring shape in plan view.
  • the heating ring 211a has a sheathed heater that heats the sheet member W2.
  • the Z direction moving mechanism 211b is configured to move the heating ring 211a in the Z direction.
  • the Z-direction movement mechanism 211b includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder.
  • the ultraviolet irradiation unit 212 is configured to irradiate the sheet member W2 with ultraviolet rays Ut in order to reduce the adhesive force of the adhesive layer of the sheet member W2.
  • the ultraviolet irradiation unit 212 includes ultraviolet lighting.
  • the ultraviolet irradiation section 212 is arranged at the end of the pressing section 213a of the squeegee section 213 on the Z1 direction side, which will be described later.
  • the ultraviolet irradiation section 212 is configured to irradiate the sheet member W2 with ultraviolet rays Ut while moving together with the squeegee section 213.
  • the squeegee section 213 is configured to further divide the wafer W1 along the modified layer by locally pressing the wafer W1 from the Z2 direction side after expanding the sheet member W2.
  • the squeegee section 213 includes a pressing section 213a, a Z direction movement mechanism 213b, an X direction movement mechanism 213c, and a rotation mechanism 213d.
  • the pressing section 213a presses the wafer W1 from the Z2 direction side via the sheet member W2 and is moved by the rotating mechanism 213d and the X direction moving mechanism 213c, thereby generating bending stress on the wafer W1 and removing the modified layer.
  • the wafer W1 is configured to be divided along the wafer W1.
  • the pressing portion 213a presses the wafer W1 by being raised to the raised position in the Z1 direction by the Z direction moving mechanism 213b and abutting against the wafer W1 via the sheet member W2.
  • the pressing portion 213a is lowered to the lowered position in the Z2 direction by the Z direction moving mechanism 213b, and is released from contact with the wafer W1, so that it is no longer pressed against the wafer W1.
  • the pressing part 213a is a squeegee.
  • the pressing part 213a is attached to the end of the Z1-direction side of the Z-direction moving mechanism 213b.
  • the Z direction moving mechanism 213b is configured to move the pressing part 213a linearly in the Z1 direction or the Z2 direction.
  • the Z direction moving mechanism 213b is, for example, a cylinder.
  • the Z direction moving mechanism 213b is attached to the end of the X direction moving mechanism 213c on the Z1 direction side.
  • the X-direction moving mechanism 213c is attached to the end of the rotation mechanism 213d on the Z1 direction side.
  • the X-direction moving mechanism 213c is configured to linearly move the pressing portion 213a in one direction.
  • the X-direction movement mechanism 213c includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder.
  • the pressing portion 213a is raised to the raised position by the Z direction moving mechanism 213b.
  • the pressing part 213a locally presses the wafer W1 from the Z2 direction side via the sheet member W2, and the pressing part 213a moves in the Y direction by the X direction moving mechanism 213c, thereby moving the wafer W1. be divided.
  • the pressing portion 213a is lowered to the lowered position by the Z direction moving mechanism 213b.
  • the pressing section 213a is rotated by 90 degrees by the rotation mechanism 213d.
  • the pressing portion 213a is raised to the raised position by the Z direction moving mechanism 213b.
  • the pressing part 213a after the pressing part 213a rotates 90 degrees, the pressing part 213a locally presses the wafer W1 from the Z2 direction side via the sheet member W2, and the pressing part 213a is moved by the X direction moving mechanism 213c. By moving in the X direction, wafer W1 is divided.
  • the clamp portion 214 is configured to grip the ring-shaped member W3 of the wafer ring structure W.
  • the clamp section 214 includes a grip section 214a, a Z direction movement mechanism 214b, and a Y direction movement mechanism 214c.
  • the grip portion 214a supports the ring-shaped member W3 from the Z2 direction side, and holds the ring-shaped member W3 from the Z1 direction side. In this way, the ring-shaped member W3 is held by the gripping portion 214a.
  • the grip portion 214a is attached to a Z-direction moving mechanism 214b.
  • the Z direction moving mechanism 214b is configured to move the clamp portion 214 in the Z direction. Specifically, the Z direction moving mechanism 214b is configured to move the grip portion 214a in the Z1 direction or the Z2 direction.
  • the Z-direction movement mechanism 214b includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder.
  • the Z direction moving mechanism 214b is attached to the Y direction moving mechanism 214c.
  • the Y direction moving mechanism 214c is configured to move the Z direction moving mechanism 214b in the Y1 direction or the Y2 direction.
  • the Y-direction movement mechanism 214c includes, for example, a linear conveyor module or a drive unit including a ball screw and a motor with an encoder.
  • the semiconductor wafer processing apparatus 100 includes a first control section 101, a second control section 102, a third control section 103, a fourth control section 104, a fifth control section 105, It includes a sixth control section 106, a seventh control section 107, an eighth control section 108, an expansion control calculation section 109, a handling control calculation section 110, a dicing control calculation section 111, and a storage section 112. .
  • the first control section 101 is configured to control the squeegee section 213.
  • the first control unit 101 includes a CPU (Central Processing Unit), and a storage unit including a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), and the like.
  • the first control unit 101 may include, as a storage unit, an HDD (Hard Disk Drive) or the like that retains stored information even after the voltage is cut off.
  • the HDD also includes a first control section 101, a second control section 102, a third control section 103, a fourth control section 104, a fifth control section 105, a sixth control section 106, a seventh control section 107, and a third control section 103. It may be provided in common for eight control units 108.
  • the second control section 102 is configured to control the cold air supply section 206 and the cooling unit 207.
  • the second control unit 102 includes a CPU and a storage unit including ROM, RAM, and the like.
  • the third control section 103 is configured to control the heat shrink section 211 and the ultraviolet irradiation section 212.
  • the third control unit 103 includes a CPU and a storage unit including ROM, RAM, and the like. Note that the second control unit 102 and the third control unit 103 may include, as a storage unit, an HDD or the like that retains stored information even after the voltage is cut off.
  • the fourth control section 104 is configured to control the cassette section 202 and the lift-up hand section 203.
  • the fourth control unit 104 includes a CPU and a storage unit including ROM, RAM, and the like.
  • the fifth control section 105 is configured to control the suction hand section 204.
  • the fifth control unit 105 includes a CPU and a storage unit including ROM, RAM, and the like. Note that the fourth control unit 104 and the fifth control unit 105 may include, as a storage unit, an HDD or the like in which stored information is retained even after the voltage is cut off.
  • the sixth control section 106 is configured to control the chuck table section 12.
  • the sixth control unit 106 includes a CPU and a storage unit including ROM, RAM, and the like.
  • the seventh control section 107 is configured to control the laser section 13.
  • the seventh control unit 107 includes a CPU and a storage unit including ROM, RAM, and the like.
  • the eighth control unit 108 is configured to control the imaging unit 14.
  • the eighth control unit 108 includes a CPU and a storage unit including ROM, RAM, and the like. Note that the sixth control unit 106, the seventh control unit 107, and the eighth control unit 108 may include, as a storage unit, an HDD or the like in which stored information is retained even after the voltage is cut off.
  • the expansion control calculation unit 109 is configured to perform calculations related to the expansion process of the sheet member W2 based on the processing results of the first control unit 101, the second control unit 102, and the third control unit 103.
  • the expansion control calculation unit 109 includes a CPU and a storage unit including a ROM, a RAM, and the like.
  • the handling control calculation unit 110 is configured to perform calculations related to the movement process of the wafer ring structure W based on the processing results of the fourth control unit 104 and the fifth control unit 105.
  • Handling control calculation unit 110 includes a CPU and a storage unit including ROM, RAM, and the like.
  • the dicing control calculation unit 111 is configured to perform calculations related to the dicing process of the wafer W1 based on the processing results of the sixth control unit 106, the seventh control unit 107, and the eighth control unit 108.
  • the dicing control calculation unit 111 includes a CPU and a storage unit including a ROM, a RAM, and the like.
  • the storage unit 112 stores programs for operating the dicing device 1 and the expanding device 2.
  • the storage unit 19 includes ROM, RAM, HDD, and the like.
  • step S1 the wafer ring structure W is taken out from the cassette section 202. That is, after the wafer ring structure W accommodated in the cassette part 202 is supported by the lift-up hand 203b, the lift-up hand 203b is moved in the Y1 direction by the Y-direction moving mechanism 31, thereby removing the wafer from the cassette part 202. The ring structure W is taken out.
  • step S2 the wafer ring structure W is transferred to the chuck table section 12 of the dicing apparatus 1 by the suction hand 204c. That is, the wafer ring structure W taken out from the cassette section 202 is moved in the X2 direction by the X direction moving mechanism 204a while being sucked by the suction hand 204c. Then, the wafer ring structure W that has moved in the X2 direction is transferred from the suction hand 204c to the chuck table section 12, and then gripped by the chuck table section 12.
  • step S3 a modified layer is formed on the wafer W1 by the laser unit 13.
  • step S4 the wafer ring structure W having the wafer W1 on which the modified layer has been formed is transferred to the clamp section 214 by the suction hand 204c.
  • step S5 the sheet member W2 is cooled by the cold air supply section 206 and the cooling unit 207. That is, the Z-direction moving mechanism 214b moves (lowers) the wafer ring structure W held by the clamp part 214 in the Z2 direction to contact the cooling unit 207, and the cold air supply part 206 supplies cold air from the Z1 direction side. By doing so, the sheet member W2 is cooled.
  • step S6 the wafer ring structure W is moved to the expanding section 208 by the clamping section 214. That is, the wafer ring structure W, in which the sheet member W2 has been cooled, is moved in the Y1 direction by the Y direction moving mechanism 214c while being held by the clamp part 214.
  • step S7 the expanding section 208 expands the sheet member W2. That is, the wafer ring structure W is moved in the Z2 direction by the Z direction moving mechanism 214b while being held by the clamp part 214. Then, the sheet member W2 contacts the expand ring 281 and is expanded by being pulled by the expand ring 281. Thereby, the wafer W1 is divided along the dividing line (modified layer).
  • step S8 the expanded sheet member W2 is held down by the expansion maintaining member 210 from the Z1 direction side. That is, the press ring portion 210a is moved (downward) in the Z2 direction by the Z direction moving mechanism 210d until it comes into contact with the sheet member W2. Then, the process proceeds from point A in FIG. 10 to point A in FIG. 11 to step S9.
  • step S9 after the sheet member W2 is pressed by the expansion maintaining member 210, the ultraviolet ray irradiation unit 212 irradiates the sheet member W2 with ultraviolet rays Ut while pressing the wafer W1 with the squeegee unit 213. .
  • the wafer W1 is further divided by the squeegee section 213.
  • the adhesive strength of the sheet member W2 is reduced by the ultraviolet rays Ut irradiated from the ultraviolet irradiation section 212.
  • step S10 the heat shrink section 211 heats and shrinks the sheet member W2, and the clamp section 214 rises. At this time, the air intake portion 210c sucks air near the heated sheet member W2.
  • step S11 the wafer ring structure W is transferred from the clamp section 214 to the suction hand 204c. That is, the wafer ring structure W is moved in the Y2 direction by the Y direction moving mechanism 214c while being held by the clamp part 214. Then, after the wafer ring structure W is released from the grip by the clamp part 214 at a position on the Z1 direction side of the cooling unit 207, it is sucked by the suction hand 204c.
  • step S12 the wafer ring structure W is transferred to the lift-up hand 203b by the suction hand 204c.
  • step S13 the wafer ring structure W is accommodated in the cassette section 202. That is, the wafer ring structure W supported by the lift-up hand 203b is moved in the Y1 direction by the Y direction moving mechanism 203a, so that the wafer ring structure W is accommodated in the cassette portion 202.
  • the processing performed on one wafer ring structure W is completed. Then, the process returns to step S1 from point B in FIG. 11 to point B in FIG.
  • FIGS. 12 and 13 Details configuration of expandable section, expansion maintenance member, ultraviolet irradiation section and squeegee section
  • FIGS. 12 and 13 detailed configurations of the expander 208, the expansion maintaining member 210, the ultraviolet irradiator 212, and the squeegee 213 will be described.
  • the heat shrink part 211 of the expanding device 2 is not illustrated for convenience.
  • the expanding device 2 shown in FIG. 12 is shown in a state before the sheet member W2 is expanded by the expand ring 281.
  • the clamp part 214 is arranged at the raised position Up. That is, the grip portion 214a is placed in the raised position Up by the Z direction moving mechanism 214b.
  • the expanding device 2 shown in FIG. 13 is shown in a state where the sheet member W2 is being expanded by the expand ring 281.
  • the clamp portion 214 is arranged at the lowered position Lw. That is, the grip portion 214a is moved in the Z2 direction from the raised position Up toward the lowered position Lw by the Z direction moving mechanism 214b.
  • the sheet member W2 extends by coming into contact with the upper end 281a of the expand ring 281 when the grip portion 214a is moved in the Z2 direction from the raised position Up toward the lowered position Lw. At this time, as the wafer W1 is pulled by the sheet member W2, tensile stress is generated within the wafer W1, so that the wafer W1 is divided along the modified layer formed on the wafer W1. As a result, a plurality of semiconductor chips Ch are formed.
  • the expander 208 is an expander ring that divides the wafer W1 into a plurality of semiconductor chips Ch spaced apart from each other by a distance Mr by expanding the sheet member W2 while the clamp part 214 grips the wafer ring structure W. It has 281. That is, the expand ring 281 is configured to expand the sheet member W2 by the clamp portion 214 that moves in the Z2 direction from the raised position Up toward the lowered position Lw by the Z direction moving mechanism 214b.
  • the expand ring 281 is fixed on the base 205.
  • the upper end portion 281a of the expand ring 281 is arranged at a predetermined height position Hd in the Z direction.
  • the predetermined height position Hd is a height position based on the upper surface of the base 205. In this way, the upper end portion 281a of the expand ring 281 is maintained at the predetermined height position Hd.
  • the expansion maintaining member 210 is configured to maintain the expanded state of the sheet member W2 near the wafer W1.
  • the heat shrink portion 211 of the expanding device 2 is not illustrated for convenience.
  • the expansion maintenance member 210 has a pressing ring portion 210a and a lid portion 210b.
  • the pressing ring portion 210a has a cylindrical shape arranged to surround the wafer W1 in plan view.
  • the lid portion 210b is provided to cover the opening of the press ring portion 210a in the Z1 direction.
  • the lid portion 210b is provided on the inner side 1210a of the press ring portion 210a so as to close the opening of the press ring portion 210a in the Z1 direction.
  • the lid portion 210b is provided at the end of the inner side 1210a of the press ring portion 210a on the Z1 direction side.
  • the inner side 1210a is the inner side in the radial direction of the cylindrical pressing ring portion 210a.
  • the ultraviolet irradiation unit 212 is configured to irradiate the expanded sheet member W2 with ultraviolet rays Ut from the Z2 direction side. Further, the ultraviolet irradiation unit 212 is arranged at a position in the Z2 direction of the wafer W1 of the expanded sheet member W2.
  • the ultraviolet rays Ut irradiated from the ultraviolet ray irradiation unit 212 are prevented from leaking from the expansion maintenance member 210 to the outside by covering the wafer W1 from the Z1 direction side by the cylindrical pressing ring portion 210a and the lid portion 210b. .
  • the expansion maintaining member 210 not only has the function of maintaining the expanded state of the sheet member W2 near the wafer W1, but also has the function of blocking ultraviolet rays Ut.
  • the expansion maintenance member 210 is made of metal such as stainless steel in order to suppress deterioration of the material caused by blocking ultraviolet rays Ut.
  • the dicing control calculation section 111 is connected to the chuck table section 12, the laser section 13, the imaging section 14, the display section 120, and the input section 130 for control, and controls each section. is configured to do so.
  • the dicing control calculation section 111 is an example of a "control section" in the claims.
  • the dicing control calculation unit 111 controls the drive of the chuck table unit 12 to move the wafer W1 held by the chuck table unit 12. Further, the dicing control calculation unit 111 controls laser irradiation by the laser unit 13. Further, the dicing control calculation unit 111 controls the imaging by the imaging unit 14 and acquires the image captured by the imaging unit 14. Further, the dicing control calculation unit 111 generates a screen to be displayed on the display unit 120 and transmits it to the display unit 120. Further, the dicing control calculation unit 111 acquires information input by the operator from the input unit 130.
  • the dicing control calculation unit 111 creates conditions individually for a plurality of setting items for dicing processing by the laser unit 13, and registers them in the libraries 161, 162, 163, and 164 for each setting item.
  • a user interface is provided for setting comprehensive processing conditions for dicing the wafer W1 as comprehensive processing information based on the selection of individually created conditions registered in the libraries 161 to 164 for a plurality of setting items. Controls displaying the screen 140.
  • conditions are individually created for the step of performing dicing to divide the wafer W1 into a plurality of semiconductor chips Ch, and for the multiple setting items of the dicing process.
  • comprehensive processing conditions for dicing the wafer W1 based on the selection of individually created conditions registered in the libraries 161 to 164 for multiple setting items, as well as registering each setting item in the libraries 161 to 164. and a step of displaying a user interface screen 140 for setting the information as comprehensive processing information.
  • the semiconductor chips Ch manufactured by this dicing apparatus 1 include a laser section 13 that performs dicing processing to divide the wafer W1 into a plurality of semiconductor chips Ch, and a plurality of setting items for the dicing processing by the laser section 13. Conditions are created individually and registered in the libraries 161 to 164 for each setting item, and the wafer W1 is diced based on the selection of the individually created conditions registered in the libraries 161 to 164 for multiple setting items.
  • the dicing apparatus 1 is manufactured by the dicing apparatus 1 including a dicing control calculation section 111 that controls displaying a user interface screen 140 for setting comprehensive processing conditions for processing as comprehensive processing information.
  • the plurality of setting items for the dicing process by the laser unit 13 include the workpiece shape, alignment mark, planned dividing line, and dicing process method.
  • the workpiece shape includes information on the shape of the wafer W1 as a workpiece and information on the size of the wafer W1.
  • the dicing control calculation unit 111 accepts the conditions of the setting items on the user interface screen 140 by selecting at least one of a plurality of options for each setting item and inputting a numerical value, and sets the conditions. Conditions for each item are created, and the conditions for the created setting items are registered in libraries 161 to 164 for each setting item.
  • the dicing control calculation unit 111 calculates the overall processing conditions for dicing the wafer W1 for each setting item on the user interface screen 140 based on the selection of the conditions of the setting items registered in the libraries 161 to 164. Set as general processing information.
  • the user interface screen 140 also includes a plurality of setting item selection buttons 141a, 141b, 141c, 141d, and 141e for selecting one setting item from a plurality of setting items, and the operation of the setting item selection buttons 141a to 141e.
  • the settings screen for setting the corresponding setting items will be displayed.
  • the user interface screen 140 includes an inspection button 141f for actually performing the dicing process on the wafer W1 for inspection based on the set comprehensive processing information.
  • the dicing control calculation unit 111 displays the image of the wafer W1 captured by the imaging unit 14 on the user interface screen 140, receives instructions based on the image of the wafer W1, and sets conditions for setting items. For example, the dicing control calculation unit 111 receives instruction based on the image of the wafer W1 captured by the imaging unit 14 on the user interface screen 140, and provides information on alignment marks for adjusting the position of the wafer W1 as a setting item. Set.
  • the dicing control calculation unit 111 sets the dividing route of the scheduled dividing line as a setting item on the user interface screen 140 based on the selection from a plurality of options.
  • the comprehensive processing conditions for dicing are set as comprehensive processing information (recipe).
  • processing conditions for dicing processing are set by creating comprehensive processing information (recipe) that is comprehensive processing conditions from the user interface screen 140, or by selecting the created comprehensive processing information.
  • a plurality of comprehensive processing information (recipes) can be registered in the list 150. Further, comprehensive processing information (recipe) is created and registered in the list 150. Further, the registered comprehensive processing information (recipe) can be selected from the list 150 and used.
  • a list 150 of comprehensive processing information (recipes) and a summary (preview) of the comprehensive processing information (recipe) selected from the list 150 are displayed. Note that the names of recipes registered in the list 150 can be set arbitrarily.
  • the user interface screen 140 includes a button 142a for accepting the workpiece shape as input from the input unit 130. Further, the user interface screen 140 includes a button 142b for receiving information on setting items by teaching. Further, the user interface screen 140 includes a button 142c for performing a simulation based on information on setting items. The user interface screen 140 also includes a button 142d for reading information on setting items registered in advance. The user interface screen 140 also includes a button 142e for saving the information on the setting item under a different name (ID). The user interface screen 140 also includes a button 142f for overwriting and saving setting item information.
  • a screen for setting the shape of the workpiece (wafer W1) as a setting item is displayed. Further, a library 161 of workpiece shapes as setting items is displayed as a list. In the example shown in FIG. 17, a screen for accepting input of the workpiece shape from the input unit 130 is displayed by operating the button 142a.
  • the shape of the workpiece (wafer W1) first, the orientation flat, the presence or absence and position of a notch are selected from a plurality of templates. In other words, the rough shape of the wafer W1 is selected.
  • the method of supplying the workpiece (wafer W1) is input. Specifically, information regarding the supply of wafers W1 from the cassette section 202 is input.
  • information on surface detection of the workpiece is input.
  • data on the workpiece thickness of the workpiece dimensions is used.
  • information on the angle and centering of the workpiece (wafer W1) is input.
  • the information on the angle and centering of the workpiece (wafer W1) includes information on the outer shape of the workpiece, information on the street of the workpiece, and information on the alignment of the workpiece.
  • information on the outer shape of the workpiece information on the workpiece shape of the workpiece dimensions and data on the X position, Y position, and diameter position of the workpiece dimensions are used.
  • street information of the workpiece data of the street width information of the workpiece dimensions and the step size information of the cut line are used.
  • a screen for setting an alignment mark as a setting item is displayed.
  • a library 162 of alignment marks as setting items is displayed as a list.
  • a screen for receiving alignment mark information by teaching is displayed by operating the button 142b. In setting the alignment mark, position information of the mark and parameters for imaging by the imaging unit 14 are input.
  • the position of the alignment mark is input based on the teaching.
  • a screen for setting a scheduled dividing line as a setting item is displayed. Furthermore, a library 163 of planned dividing lines as a setting item is displayed as a list.
  • setting the planned dividing line first, information on the arrangement of the planned dividing lines of the wafer W1 is selected from a plurality of templates. In other words, rough information about the planned dividing line of wafer W1 is selected.
  • the setting item selection button 141d When the setting item selection button 141d is operated, as shown in FIG. 27, a screen for setting the dicing process method as a setting item is displayed. Additionally, a library 164 of dicing processing methods as setting items is displayed as a list. When setting the dicing processing method, the depth of laser irradiation and the output of the laser are input and set. Furthermore, in the present embodiment, the user interface screen 140 includes a display of the energy per unit length of the laser output, which is displayed when accepting the setting of conditions in the laser processing method of the laser unit 13 as a setting item. . That is, it is possible to set the laser output based on energy per unit length rather than power (energy per unit time). Note that the laser output may be set by energy per unit time.
  • the depth of laser irradiation and the output of the laser are displayed by a figure 144.
  • the user interface screen 140 includes a graphic 144 representing the laser irradiation depth and the laser irradiation intensity, which are displayed when accepting the setting of conditions in the laser processing method of the laser unit 13 as setting items.
  • the figure 144 representing the laser irradiation depth and laser irradiation intensity includes a circle that increases in size according to the laser irradiation intensity or a triangle that increases in length according to the laser irradiation intensity at a position corresponding to the laser irradiation depth. .
  • step S21 of FIG. 29 the outer shape of the workpiece (workpiece information) is input by the operator. If the shape of the workpiece is input by teaching based on the actual object, the actual workpiece (wafer W1) is fixed in the dicing apparatus 1 in step S22. Further, when inputting the shape of the workpiece from the input unit 130, in step S23, the operator inputs the XY shape (planar shape) of the workpiece and the shape to be divided. Further, in step S24, the thickness of the workpiece and the material of the workpiece are input by the operator.
  • step S25 information on alignment marks is input by the operator based on the work imaged by the imaging unit 14. At this time, the theoretical position of the alignment mark may be input in advance. Further, as information on the alignment mark, image processing parameters such as the shape of the alignment mark, illumination settings during imaging by the imaging unit 14, and threshold values during image processing are input.
  • step S26 the dicing control calculation unit 111 detects the position of the alignment mark based on the input alignment mark information and the image captured by the imaging unit 14.
  • step S27 the dicing control calculation unit 111 acquires XYZ position information (three-dimensional position information) of the workpiece.
  • step S28 the dicing control calculation unit 111 acquires the XY position information (plane position information) of the planned dividing line.
  • step S29 the operator inputs information on the number of layers to be laser processed, information on the shape of the laser spot, information on the laser output, and information on the processing speed while actually performing the dicing process using the dicing apparatus 1.
  • step S30 the operator inputs information on the N dividing lines and information on the processing order of the M processing layers.
  • step S31 dicing is performed by the dicing device 1 based on the operator's operation.
  • step S32 the operator inputs information on image processing parameters for detecting machining lines and information on determination criteria while viewing the actual machining results. Thereafter, in step S33, a dicing inspection is performed.
  • the dicing control calculation unit 111 creates conditions individually for a plurality of setting items for dicing processing by the laser unit 13, and registers them in the libraries 161 to 164 for each setting item.
  • the created conditions of multiple setting items for dicing processing are registered in the libraries 161 to 164, so you can set the dicing processing by selecting from the libraries 161 to 164 without having to input the setting items each time. Items can be set.
  • the plurality of setting items include the workpiece shape, alignment mark, planned dividing line, and dicing method.
  • the workpiece shape, alignment mark, planned dividing line, and dicing method As a result, it is possible to reduce the work load for performing the dicing process setting process including the workpiece shape, alignment mark, planned dividing line, and dicing process method.
  • the dicing control calculation unit 111 sets the conditions of the setting items on the user interface screen 140 by selecting at least one of a plurality of options for each setting item and inputting a numerical value. , conditions for each setting item are created, and the conditions for the created setting item are registered in the libraries 161 to 164 for each setting item. Thereby, conditions can be created for each setting item by selecting from a plurality of options and/or inputting numerical values, and easily registered in the libraries 161 to 164.
  • the dicing control calculation unit 111 selects the wafer W1 based on the selection of the conditions of the setting items registered in the libraries 161 to 164 for each setting item on the user interface screen 140.
  • the comprehensive processing conditions for dicing are set as comprehensive processing information. Thereby, by selecting the setting items registered in the libraries 161 to 164, it is possible to easily set the overall processing conditions for dicing the wafer W1.
  • the user interface screen 140 includes a plurality of setting item selection buttons 141a to 141e for selecting one setting item from a plurality of setting items, and includes setting item selection buttons 141a to 141e. 141e, a setting screen for setting corresponding setting items is displayed. Thereby, by operating the setting item selection buttons 141a to 141e, it is possible to easily set the conditions of a desired setting item.
  • the workpiece shape of the plurality of setting items includes information on the shape of the wafer W1 as the workpiece and information on the size of the wafer W1.
  • the dicing control calculation unit 111 displays the image of the wafer W1 captured by the imaging unit 14 on the user interface screen 140, and receives instructions based on the image of the wafer W1. , set conditions for setting items. Thereby, even if there is no data such as design information of the wafer W1, the conditions of the setting items can be easily set based on the image of the actual wafer W1.
  • the dicing control calculation unit 111 receives instructions based on the image of the wafer W1 captured by the imaging unit 14 on the user interface screen 140, and receives instructions on the position of the wafer W1 as a setting item. Set alignment mark information for adjusting. Thereby, the alignment mark information can be easily set based on the image of the actual wafer W1.
  • the user interface screen 140 displays the laser output per unit length, which is displayed when accepting the setting of conditions in the laser processing method of the laser unit 13 as a setting item. Includes energy display. This allows the operator to easily grasp the laser energy acting on the wafer W1 per unit length.
  • the laser output can be set in terms of energy per unit length, unlike the case where the laser output is set in terms of energy per unit time, the laser output can be set in terms of energy per unit length, regardless of the laser's moving speed.
  • the energy of the laser acting on the wafer W1 can be set constant. As a result, the laser output and the laser movement speed can be set individually and independently.
  • the user interface screen 140 displays the laser irradiation depth display and the laser irradiation depth displayed when accepting the setting of conditions in the laser processing method of the laser unit 13 as a setting item. irradiation intensity display.
  • the conditions of the laser processing method including the display of the laser irradiation depth and the laser irradiation intensity can be easily set.
  • the user interface screen 140 includes the laser irradiation depth and the laser irradiation depth, which are displayed when accepting the setting of conditions in the laser processing method of the laser unit 13 as setting items. It includes a figure 144 representing the irradiation intensity. Thereby, the state of the laser irradiation depth and laser irradiation intensity to be set can be easily grasped visually.
  • the dicing control calculation unit 111 sets the dividing route of the scheduled dividing line as a setting item on the user interface screen 140 based on the selection from a plurality of options. Thereby, by selecting from a plurality of options, it is possible to easily set the dividing route of the planned dividing line.
  • the user interface screen 140 includes the inspection button 141f for actually performing the dicing process on the wafer W1 for inspection based on the set comprehensive processing information.
  • the inspection button 141f for actually performing the dicing process on the wafer W1 for inspection based on the set comprehensive processing information.
  • an example of a configuration is shown in which an expanding device that expands a sheet member on which a wafer is placed is provided together with a dicing device, but the present invention is not limited to this.
  • the dicing device may be used alone without providing an expanding device together with the dicing device.
  • other devices may be provided in addition to the expanding device.
  • a gliding device for polishing the wafer may be further provided along with the expanding device and the dicing device.
  • a dicing device and a gliding device may be provided without providing an expanding device.
  • the dicing apparatus shows an example of a configuration in which dicing is performed by irradiating a wafer with a laser to generate cracks, but the present invention is not limited to this.
  • the dicing apparatus may cut the wafer by laser irradiation, or may cut the wafer by using a blade.
  • setting items for performing dicing are set by the dicing control calculation unit that controls dicing in the dicing apparatus, but the present invention is not limited to this.
  • a process of setting setting items for performing dicing may be performed by a control unit other than the dicing control calculation unit that controls dicing in the dicing apparatus.
  • setting items for performing dicing processing may be set using an externally provided computer.
  • the expansion maintenance member has a lid portion, but the present invention is not limited to this. In the present invention, the expansion maintaining member does not need to have a lid.
  • the expanding device includes an ultraviolet irradiation section, but the present invention is not limited to this. In the present invention, the expanding device does not need to include an ultraviolet irradiation section.
  • the expanding device includes a squeegee portion, but the present invention is not limited to this.
  • the expanding device does not need to include a squeegee portion.
  • the squeegee portion of the expanding device is arranged inside the expand ring, but the present invention is not limited to this.
  • the squeegee portion of the expanding device may be placed outside the expand ring.
  • the squeegee part may be provided between the expanding part and the cooling part.
  • control processing may be performed by event-driven processing that executes processing on an event-by-event basis. In this case, it may be completely event-driven, or it may be a combination of event-driven and flow-driven.

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Abstract

このダイシング装置は、ウエハを複数の半導体チップに分割するためのダイシング加工を行うレーザ部と、レーザ部によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリに登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する制御を行うダイシング制御演算部と、を備える。

Description

ダイシング装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ
　この発明は、ダイシング装置、半導体チップの製造方法および半導体チップに関する。
　従来、ウエハを複数の半導体チップに分割するためのダイシング加工を行うダイシング装置が知られている。このようなダイシング装置は、たとえば、特開２００７－０１９４７８号公報に開示されている。
　上記特開２００７－０１９４７８号公報には、ウエハを複数の半導体チップに分割するためのダイシング加工を行うブレードを備えるダイシング装置が開示されている。このダイシング装置では、ブレードによるダイシング加工の複数の設定パラメータを設定するための設定画面に対して、作業者が操作部から複数の設定パラメータを入力することによりダイシング加工の複数の設定パラメータが設定される。
特開２００７－０１９４７８号公報
　しかしながら、上記特開２００７－０１９４７８号公報のダイシング装置では、ブレードによるダイシング加工の複数の設定パラメータを設定するための設定画面に対して、作業者が操作部から複数の設定パラメータを入力することによりダイシング加工の複数の設定パラメータが設定される。このため、ウエハの種類が変わった場合などに設定パラメータの変更を行う場合には、作業者が操作部から複数の設定パラメータを毎回入力して変更する必要がある。その結果、ダイシング加工の設定を行うための作業が煩雑になるため、ダイシング加工の設定処理を行うための作業負担を軽減することが可能なダイシング装置が望まれている。
　この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、ダイシング加工の設定処理を行うための作業負担を軽減することが可能なダイシング装置、半導体チップの製造方法および半導体チップを提供することである。
　この発明の第１の局面によるダイシング装置は、ウエハを複数の半導体チップに分割するためのダイシング加工を行うダイシング部と、ダイシング部によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリに登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する制御を行う制御部と、を備える。
　この発明の第１の局面によるダイシング装置では、上記のように、制御部は、ダイシング部によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリに登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する制御を行う。これにより、ダイシング加工の複数の設定項目の作成された条件がライブラリに登録されるので、設定項目を毎回入力しなくても、ライブラリから選択することにより、ダイシング加工の設定項目を設定することができる。また、ライブラリに登録された複数の設定項目の条件を組み合わせることにより、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定することができる。これらの結果、ダイシング加工の設定処理を行うための作業負担を軽減することができる。
　上記第１の局面によるダイシング装置において、好ましくは、複数の設定項目は、ワーク形状、アライメントマーク、分割予定ライン、ダイシング加工手法を含む。このように構成すれば、ワーク形状、アライメントマーク、分割予定ライン、ダイシング加工手法を含むダイシング加工の設定処理を行うための作業負担を軽減することができる。
　上記第１の局面によるダイシング装置において、好ましくは、制御部は、ユーザインターフェース画面において、設定項目の条件を、設定項目毎に複数の選択肢からの選択、および、数値の入力の少なくとも一方により受け付けて、設定項目毎の条件を作成し、作成した設定項目の条件を、設定項目毎にライブラリに登録する。このように構成すれば、複数の選択肢からの選択、および、数値の入力の少なくとも一方により設定項目毎に条件を作成して、ライブラリに容易に登録することができる。
　上記第１の局面によるダイシング装置において、好ましくは、制御部は、ユーザインターフェース画面において、設定項目毎に、ライブラリに登録された設定項目の条件の選択に基づいて、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定する。このように構成すれば、ライブラリに登録された設定項目を選択することにより、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を容易に設定することができる。
　上記第１の局面によるダイシング装置において、好ましくは、ユーザインターフェース画面は、複数の設定項目から一の設定項目を選択するための複数の設定項目選択ボタンを含み、設定項目選択ボタンの操作により、対応する設定項目を設定するための設定画面が表示される。このように構成すれば、設定項目選択ボタンを操作することにより、所望の設定項目の条件の設定を容易に行うことができる。
　上記複数の設定項目がワーク形状、アライメントマーク、分割予定ライン、ダイシング加工手法を含む構成において、好ましくは、複数の設定項目のワーク形状は、ワークとしてのウエハの形の情報およびウエハのサイズの情報を含む。このように構成すれば、ウエハの形およびサイズをワーク形状として設定して設定項目を作成してライブラリに登録することができる。
　上記第１の局面によるダイシング装置において、好ましくは、ウエハを撮像する撮像部をさらに備え、制御部は、ユーザインターフェース画面において、撮像部により撮像したウエハの画像を表示するとともに、ウエハの画像に基づく教示を受け付けて、設定項目の条件を設定する。このように構成すれば、ウエハの設計情報などのデータがない場合でも、実際のウエハの画像に基づいて設定項目の条件を視覚的に容易に設定することができる。
　この場合、好ましくは、制御部は、ユーザインターフェース画面において、撮像部により撮像したウエハの画像に基づく教示を受け付けて、設定項目としてのウエハの位置を調整するためのアライメントマークの情報を設定する。このように構成すれば、実際のウエハの画像に基づいてアライメントマークの情報を容易に設定することができる。
　上記第１の局面によるダイシング装置において、好ましくは、ダイシング部は、ウエハにレーザを照射するレーザ照射部を含み、ユーザインターフェース画面は、設定項目としてのレーザ照射部のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの出力を単位長さ当たりのエネルギー表示を含む。このように構成すれば、作業者が単位長さ当たりのウエハに作用するレーザのエネルギーを容易に把握することができる。また、レーザの出力を単位長さ当たりのエネルギーにより設定を受け付けることができるので、レーザの出力を単位時間当たりのエネルギーにより設定を受け付ける場合と異なり、レーザの移動速度に係らず単位長さ当たりのウエハに作用するレーザのエネルギーを一定に設定することができる。その結果、レーザの出力とレーザの移動速度とを個別に独立して設定することができる。
　上記ダイシング部がレーザ照射部を含む構成において、好ましくは、ユーザインターフェース画面は、設定項目としてのレーザ照射部のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの照射深度表示と、レーザの照射強度表示とを含む。このように構成すれば、レーザの照射深度表示およびレーザの照射強度表示を含むレーザ加工手法の条件を容易に設定することができる。
　この場合、好ましくは、ユーザインターフェース画面は、設定項目としてのレーザ照射部のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの照射深度と、レーザの照射強度と表す図形を含む。このように構成すれば、設定するレーザの照射深度およびレーザの照射強度の状態を視覚的に容易に把握することができる。
　上記第１の局面によるダイシング装置において、好ましくは、制御部は、ユーザインターフェース画面において、複数の選択肢からの選択に基づいて、設定項目としての分割予定ラインの分割経路を設定する。このように構成すれば、複数の選択肢から選択することにより、分割予定ラインの分割経路を容易に設定することができる。
　上記第１の局面によるダイシング装置において、好ましくは、ユーザインターフェース画面は、設定された総合加工情報に基づいてウエハのダイシング加工を検査のために実際に行うための検査ボタンを含む。このように構成すれば、検査ボタンの操作により設定された総合加工情報によるダイシング加工の検査を容易に行うことができる。
　この発明の第２の局面による半導体チップの製造方法は、ウエハを複数の半導体チップに分割するためのダイシング加工を行う工程と、ダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリに登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する工程と、を備える。
　この発明の第２の局面による半導体チップの製造方法では、上記のように、ダイシング部によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリに登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する。これにより、ダイシング加工の複数の設定項目の作成された条件がライブラリに登録されるので、設定項目を毎回入力しなくても、ライブラリから選択することにより、ダイシング加工の設定項目を設定することができる。また、ライブラリに登録された複数の設定項目の条件を組み合わせることにより、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定することができる。これらの結果、ダイシング加工の設定処理を行うための作業負担を軽減することが可能な半導体チップの製造方法を提供することができる。
　この発明の第３の局面による半導体チップは、ウエハを複数の半導体チップに分割するためのダイシング加工を行うダイシング部と、ダイシング部によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリに登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する制御を行う制御部と、を備えるダイシング装置により製造される。
　この発明の第３の局面による半導体チップでは、上記のように、ダイシング部によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリに登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する。これにより、ダイシング加工の複数の設定項目の作成された条件がライブラリに登録されるので、設定項目を毎回入力しなくても、ライブラリから選択することにより、ダイシング加工の設定項目を設定することができる。また、ライブラリに登録された複数の設定項目の条件を組み合わせることにより、ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定することができる。これらの結果、ダイシング加工の設定処理を行うための作業負担を軽減することが可能な半導体チップを提供することができる。
　本発明によれば、上記のように、ダイシング加工の設定処理を行うための作業負担を軽減することができる。
一実施形態によるダイシング装置およびエキスパンド装置が設けられた半導体ウエハの加工装置を示した平面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工装置において加工されるウエハリング構造体を示した平面図である。 図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。 一実施形態によるエキスパンド装置に隣接して配置されたダイシング装置の平面図である。 一実施形態によるエキスパンド装置に隣接して配置されたダイシング装置をＹ２方向側から見た側面図である。 一実施形態によるエキスパンド装置の平面図である。 一実施形態によるエキスパンド装置のＹ２方向側から見た側面図である。 一実施形態によるエキスパンド装置のＸ１方向側から見た側面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工装置の制御的な構成を示したブロック図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工装置の半導体チップ製造処理の前半部分のフローチャートである。 一実施形態による半導体ウエハの加工装置の半導体チップ製造処理の後半部分のフローチャートである。 一実施形態によるエキスパンド装置においてクランプ部が上昇位置に配置された状態を示した側面図である。 一実施形態によるエキスパンド装置においてクランプ部が下降位置に配置された状態を示した側面図である。 一実施形態によるエキスパンド装置において紫外線照射部が紫外線を照射した状態を示した側面図である。 一実施形態によるダイシング装置の制御的な構成を示したブロック図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第１例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第２例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第３例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第４例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第５例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第６例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第７例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第８例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第９例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第１０例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第１１例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第１２例を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置の総合的な加工条件を設定するためのユーザインターフェース画面の第１３を示した図である。 一実施形態によるダイシング装置のワークに対するダイシング加工の加工条件の作成手順を示したフローチャートである。
　以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。
　図１～図２９を参照して、本発明の一実施形態による半導体ウエハの加工装置１００の構成について説明する。
（半導体ウエハの加工装置）
　図１に示すように、半導体ウエハの加工装置１００は、ウエハリング構造体Ｗに設けられたウエハＷ１の加工を行う装置である。半導体ウエハの加工装置１００は、ウエハＷ１に改質層を形成するとともに、ウエハＷ１を改質層に沿って分割して複数の半導体チップＣｈ（図８参照）を形成するように構成されている。
　ここで、図２および図３を参照して、ウエハリング構造体Ｗに関して説明する。ウエハリング構造体Ｗは、ウエハＷ１と、シート部材Ｗ２と、リング状部材Ｗ３とを有している。
　ウエハＷ１は、半導体集積回路の材料となる半導体物質の結晶でできた円形の薄い板である。ウエハＷ１の内部には、半導体ウエハの加工装置１００における加工により、分割ラインに沿って内部を改質させた改質層が形成される。すなわち、ウエハＷ１は、分割ラインに沿って分割可能に加工される。シート部材Ｗ２は、伸縮性を有する粘着テープである。シート部材Ｗ２の上面Ｗ２１には、粘着層が設けられている。シート部材Ｗ２には、粘着層にウエハＷ１が貼り付けられている。リング状部材Ｗ３は、平面視においてリング状の金属製のフレームである。リング状部材Ｗ３は、ウエハＷ１を囲んだ状態でシート部材Ｗ２の粘着層に貼り付けられている。
　また、半導体ウエハの加工装置１００は、ダイシング装置１と、エキスパンド装置２とを備えている。以下では、上下方向をＺ方向とし、上方向をＺ１方向とするとともに、下方向をＺ２方向とする。Ｚ方向に直交する水平方向のうちダイシング装置１とエキスパンド装置２とが並ぶ方向をＸ方向とし、Ｘ方向のうちエキスパンド装置２側をＸ１方向とし、Ｘ方向のうちダイシング装置１側をＸ２方向とする。水平方向のうちＸ方向に直交する方向をＹ方向とし、Ｙ方向のうち一方側をＹ１方向とし、Ｙ方向のうち他方側をＹ２方向とする。
（ダイシング装置）
　図１、図４および図５に示すように、ダイシング装置１は、ウエハＷ１に対して透過性を有する波長のレーザを分割ライン（ストリート）に沿って照射することにより、改質層を形成するように構成されている。改質層とは、レーザによりウエハＷ１の内部に形成された亀裂およびボイドなどを示す。
　具体的には、ダイシング装置１は、ベース１１と、チャックテーブル部１２と、レーザ部１３と、撮像部１４とを含んでいる。
　ベース１１は、チャックテーブル部１２が設置される基台である。ベース１１は、平面視において、矩形形状を有している。
〈チャックテーブル部〉
　チャックテーブル部１２は、吸着部１２ａと、クランプ部１２ｂと、回動機構１２ｃと、テーブル移動機構１２ｄとを有している。吸着部１２ａは、ウエハリング構造体ＷをＺ１方向側の上面に吸着するように構成されている。吸着部１２ａは、ウエハリング構造体Ｗのリング状部材Ｗ３のＺ２方向側の下面を吸着するために吸引孔および吸引管路などが設けられたテーブルである。吸着部１２ａは、回動機構１２ｃを介してテーブル移動機構１２ｄに支持されている。クランプ部１２ｂは、吸着部１２ａの上端部に設けられている。クランプ部１２ｂは、吸着部１２ａにより吸着されたウエハリング構造体Ｗを押さえるように構成されている。クランプ部１２ｂは、吸着部１２ａにより吸着されたウエハリング構造体Ｗのリング状部材Ｗ３をＺ１方向側から押さえている。このように、ウエハリング構造体Ｗは、吸着部１２ａおよびクランプ部１２ｂにより把持されている。
　回動機構１２ｃは、Ｚ方向に平行に延びた回動中心軸線Ｃ回りの周方向に吸着部１２ａを回動させるように構成されている。回動機構１２ｃは、テーブル移動機構１２ｄの上端部に取り付けられている。テーブル移動機構１２ｄは、ウエハリング構造体ＷをＸ方向およびＹ方向に移動させるように構成されている。テーブル移動機構１２ｄは、Ｘ方向移動機構１２１と、Ｙ方向移動機構１２２とを有している。Ｘ方向移動機構１２１は、Ｘ１方向またはＸ２方向に回動機構１２ｃを移動させるように構成されている。Ｘ方向移動機構１２１は、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。Ｙ方向移動機構１２２は、Ｙ１方向またはＹ２方向に回動機構１２ｃを移動させるように構成されている。Ｙ方向移動機構１２２は、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。
〈レーザ部〉
　レーザ部１３は、ウエハＷ１を複数の半導体チップＣｈに分割するためのダイシング加工を行う。レーザ部１３は、チャックテーブル部１２に把持されたウエハリング構造体ＷのウエハＷ１にレーザ光を照射するように構成されている。レーザ部１３は、チャックテーブル部１２のＺ１方向側に配置されている。レーザ部１３は、レーザ照射部１３ａと、取付部材１３ｂと、Ｚ方向移動機構１３ｃとを有している。レーザ照射部１３ａは、パルスレーザ光を照射するように構成されている。取付部材１３ｂは、レーザ部１３および撮像部１４が取り付けられるフレームである。Ｚ方向移動機構１３ｃは、Ｚ１方向またはＺ２方向にレーザ部１３を移動させるように構成されている。Ｚ方向移動機構１３ｃは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。なお、レーザ照射部１３ａは、多光子吸収による改質層を形成できる限り、パルスレーザ光以外の、連続波レーザ光をレーザ光として発振するレーザ照射部であってもよい。なお、レーザ部１３は、請求の範囲の「ダイシング部」の一例である。
〈撮像部〉
　撮像部１４は、チャックテーブル部１２に把持されたウエハリング構造体ＷのウエハＷ１を撮像するように構成されている。撮像部１４は、チャックテーブル部１２のＺ１方向側に配置されている。撮像部１４は、高分解能カメラ１４ａと、広画角カメラ１４ｂと、Ｚ方向移動機構１４ｃと、Ｚ方向移動機構１４ｄとを有している。
　高分解能カメラ１４ａおよび広画角カメラ１４ｂは、近赤外線撮像用カメラである。高分解能カメラ１４ａは、広画角カメラ１４ｂよりも視野角が狭い。高分解能カメラ１４ａは、広画角カメラ１４ｂよりも分解能が高い。広画角カメラ１４ｂは、高分解能カメラ１４ａよりも視野角が広い。広画角カメラ１４ｂは、高分解能カメラ１４ａよりも分解能が低い。高分解能カメラ１４ａは、レーザ照射部１３ａのＸ１方向側に配置されている。広画角カメラ１４ｂは、レーザ照射部１３ａのＸ２方向側に配置されている。このように、高分解能カメラ１４ａ、レーザ照射部１３ａおよび広画角カメラ１４ｂは、Ｘ１方向側からＸ２方向側に向かってこの順序で隣接して配置されている。
　Ｚ方向移動機構１４ｃは、Ｚ１方向またはＺ２方向に高分解能カメラ１４ａを移動させるように構成されている。Ｚ方向移動機構１４ｃは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。Ｚ方向移動機構１４ｄは、Ｚ１方向またはＺ２方向に広画角カメラ１４ｂを移動させるように構成されている。Ｚ方向移動機構１４ｄは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。
（エキスパンド装置）
　図１、図６および図７に示すように、エキスパンド装置２は、ウエハＷ１を分割して複数の半導体チップＣｈ（図８参照）を形成するように構成されている。また、エキスパンド装置２は、複数の半導体チップＣｈ同士の間に十分な隙間を形成するように構成されている。ここで、ウエハＷ１には、ダイシング装置１において、ウエハＷ１に対して透過性を有する波長のレーザが分割ライン（ストリート）に沿って照射されることにより、改質層が形成されている。エキスパンド装置２では、ダイシング装置１において予め形成された改質層に沿ってウエハＷ１を分割することにより、複数の半導体チップＣｈが形成されている。
　したがって、エキスパンド装置２では、シート部材Ｗ２をエキスパンドさせることにより、改質層に沿ってウエハＷ１が分割されることになる。また、エキスパンド装置２において、シート部材Ｗ２をエキスパンドさせることにより、分割されて形成された複数の半導体チップＣｈ同士の隙間が広がることになる。
　エキスパンド装置２は、ベース２０１と、カセット部２０２と、リフトアップハンド部２０３と、吸着ハンド部２０４と、ベース２０５と、冷気供給部２０６と、冷却ユニット２０７と、エキスパンド部２０８と、ベース２０９と、拡張維持部材２１０と、ヒートシュリンク部２１１と、紫外線照射部２１２と、スキージ部２１３と、クランプ部２１４と、を含んでいる。
〈ベース〉
　ベース２０１は、カセット部２０２およびリフトアップハンド部２０３が設置される基台である。ベース２０１は、平面視において、矩形形状を有している。
〈カセット部〉
　カセット部２０２は、複数のウエハリング構造体Ｗを収容可能に構成されている。カセット部２０２は、ウエハカセット２０２ａと、Ｚ方向移動機構２０２ｂと、一対の載置部２０２ｃとを含んでいる。
　ウエハカセット２０２ａは、Ｚ方向に複数（３個）配置されている。ウエハカセット２０２ａは、複数（５個）のウエハリング構造体Ｗを収容可能な収容空間を有している。ウエハカセット２０２ａには、ウエハリング構造体Ｗが手作業によって供給および載置される。なお、ウエハカセット２０２ａは、１～４個のウエハリング構造体Ｗを収容するか、または、６個以上のウエハリング構造体Ｗを収容してもよい。また、ウエハカセット２０２ａは、Ｚ方向に１、２、または、４個以上配置されていてもよい。
　Ｚ方向移動機構２０２ｂは、Ｚ１方向またはＺ２方向にウエハカセット２０２ａを移動させるように構成されている。Ｚ方向移動機構２０２ｂは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。また、Ｚ方向移動機構２０２ｂは、ウエハカセット２０２ａを下側から支持する載置台２０２ｄを有している。載置台２０２ｄは、複数のウエハカセット２０２ａの位置に合わせて複数（３個）配置されている。
　一対の載置部２０２ｃは、ウエハカセット２０２ａの内側に複数（５個）配置されている。一対の載置部２０２ｃには、ウエハリング構造体Ｗのリング状部材Ｗ３がＺ１方向側から載置される。一対の載置部２０２ｃの一方は、ウエハカセット２０２ａのＸ１方向側の内側面からＸ２方向側に突出している。一対の載置部２０２ｃの他方は、ウエハカセット２０２ａのＸ２方向側の内側面からＸ１方向側に突出している。
〈リフトアップハンド部〉
　リフトアップハンド部２０３は、カセット部２０２からウエハリング構造体Ｗを取出可能に構成されている。また、リフトアップハンド部２０３は、カセット部２０２にウエハリング構造体Ｗを収容可能に構成されている。
　具体的には、リフトアップハンド部２０３は、Ｙ方向移動機構２０３ａと、リフトアップハンド２０３ｂとを含んでいる。Ｙ方向移動機構２０３ａは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。リフトアップハンド２０３ｂは、ウエハリング構造体Ｗのリング状部材Ｗ３をＺ２方向側から支持するように構成されている。
〈吸着ハンド部〉
　吸着ハンド部２０４は、ウエハリング構造体Ｗのリング状部材Ｗ３をＺ１方向側から吸着するように構成されている。
　具体的には、吸着ハンド部２０４は、Ｘ方向移動機構２０４ａと、Ｚ方向移動機構２０４ｂと、吸着ハンド２０４ｃとを含んでいる。Ｘ方向移動機構２０４ａは、吸着ハンド２０４ｃをＸ方向に移動させるように構成されている。Ｚ方向移動機構２０４ｂは、吸着ハンド２０４ｃをＺ方向に移動させるように構成されている。Ｘ方向移動機構２０４ａおよびＺ方向移動機構２０４ｂは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。吸着ハンド２０４ｃは、ウエハリング構造体Ｗのリング状部材Ｗ３をＺ１方向側から吸着して支持するように構成されている。ここで、吸着ハンド２０４ｃでは、負圧を発生させることにより、ウエハリング構造体Ｗのリング状部材Ｗ３が支持される。
〈ベース〉
　図７および図８に示すように、ベース２０５は、エキスパンド部２０８、冷却ユニット２０７、紫外線照射部２１２およびスキージ部２１３が設置される基台である。ベース２０５は、平面視において、矩形形状を有している。なお、図８では、冷却ユニット２０７のＺ１方向の位置に配置されたクランプ部２１４が点線で示されている。
〈冷気供給部〉
　冷気供給部２０６は、エキスパンド部２０８によりシート部材Ｗ２をエキスパンドさせる際、シート部材Ｗ２にＺ１方向側から冷気を供給するように構成されている。
　具体的には、冷気供給部２０６は、供給部本体２０６ａと、冷気供給口２０６ｂと、移動機構２０６ｃとを有している。冷気供給口２０６ｂは、冷気供給装置から供給される冷気を流出させるように構成されている。冷気供給口２０６ｂは、供給部本体２０６ａのＺ２方向側の端部に設けられている。冷気供給口２０６ｂは、供給部本体２０６ａのＺ２方向側の端部における中央部に配置されている。移動機構２０６ｃは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有している。
　冷気供給装置は、冷気を生成するための装置である。冷気供給装置は、たとえば、ヒートポンプなどにより冷却された空気を供給する。このような冷気供給装置は、ベース２０５に設置される。冷気供給部２０６と、冷却供給装置とは、ホース（図示せず）により接続されている。
〈冷却ユニット〉
　冷却ユニット２０７は、シート部材Ｗ２をＺ２方向側から冷却するように構成されている。
　冷却ユニット２０７は、冷却体２７１およびペルチェ素子２７２を有する冷却部材２０７ａと、Ｚ方向移動機構２０７ｂとを含んでいる。冷却体２７１は、熱容量が大きく、かつ、熱伝導率が高い部材により構成されている。冷却体２７１は、アルミニウムなどの金属により形成されている。ペルチェ素子２７２は、冷却体２７１を冷却するように構成されている。なお、冷却体２７１は、アルミニウムに限定されず、他の熱容量が大きく、かつ、熱伝導率が高い部材であってもよい。Ｚ方向移動機構２０７ｂは、シリンダである。
　冷却ユニット２０７は、Ｚ方向移動機構２０７ｂにより、Ｚ１方向またはＺ２方向に移動可能に構成されている。これにより、冷却ユニット２０７は、シート部材Ｗ２に接触する位置、および、シート部材Ｗ２から離間した位置に移動することが可能である。
〈エキスパンド部〉
　エキスパンド部２０８は、ウエハリング構造体Ｗのシート部材Ｗ２をエキスパンドすることにより、分割ラインに沿ってウエハＷ１を分割するように構成されている。
　エキスパンド部２０８は、エキスパンドリング２８１を有している。エキスパンドリング２８１は、シート部材Ｗ２をＺ２方向側から支持することにより、シート部材Ｗ２をエキスパンド（拡張）させるように構成されている。エキスパンドリング２８１は、平面視においてリング形状を有している。なお、エキスパンドリング２８１の構造については、後に詳細に説明する。
〈ベース〉
　ベース２０９は、冷気供給部２０６、拡張維持部材２１０およびヒートシュリンク部２１１が設置される基材である。
〈拡張維持部材〉
　図７および図８に示すように、拡張維持部材２１０は、加熱リング２１１ａによる加熱によってウエハＷ１付近のシート部材Ｗ２が収縮しないように、シート部材Ｗ２をＺ１方向側から押さえるように構成されている。
　具体的には、拡張維持部材２１０は、押圧リング部２１０ａと、蓋部２１０ｂと、吸気部２１０ｃとを有している。押圧リング部２１０ａは、平面視においてリング形状を有している。蓋部２１０ｂは、押圧リング部２１０ａの開口を閉塞するように押圧リング部２１０ａに設けられている。吸気部２１０ｃは、平面視において、リング形状を有する吸気リングである。吸気部２１０ｃのＺ２方向側の下面には、複数の吸気口が形成されている。また、押圧リング部２１０ａは、Ｚ方向移動機構２１０ｄによりＺ方向に移動するように構成されている。すなわち、Ｚ方向移動機構２１０ｄは、シート部材Ｗ２を押さえる位置、および、シート部材Ｗ２から離れた位置に押圧リング部２１０ａを移動させるように構成されている。Ｚ方向移動機構２１０ｄは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。
〈ヒートシュリンク部〉
　ヒートシュリンク部２１１は、エキスパンド部２０８によりエキスパンドされたシート部材Ｗ２を、複数の半導体チップＣｈ同士の間の隙間を保持した状態で、加熱により収縮させるように構成されている。
　ヒートシュリンク部２１１は、加熱リング２１１ａと、Ｚ方向移動機構２１１ｂとを有している。加熱リング２１１ａは、平面視において、リング形状を有している。また、加熱リング２１１ａは、シート部材Ｗ２を加熱するシーズヒータを有している。Ｚ方向移動機構２１１ｂは、加熱リング２１１ａをＺ方向に移動させるように構成されている。Ｚ方向移動機構２１１ｂは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。
〈紫外線照射部〉
　紫外線照射部２１２は、シート部材Ｗ２の粘着層の粘着力を低下させるために、シート部材Ｗ２に紫外線Ｕｔを照射するように構成されている。具体的には、紫外線照射部２１２は、紫外線用照明を有している。紫外線照射部２１２は、スキージ部２１３の後述する押圧部２１３ａのＺ１方向側の端部に配置されている。紫外線照射部２１２は、スキージ部２１３とともに移動しながら、シート部材Ｗ２に紫外線Ｕｔを照射するように構成されている。
〈スキージ部〉
　スキージ部２１３は、シート部材Ｗ２をエキスパンドさせた後、ウエハＷ１をＺ２方向側から局所的に押圧することにより、ウエハＷ１を改質層に沿ってさらに分割させるように構成されている。具体的には、スキージ部２１３は、押圧部２１３ａと、Ｚ方向移動機構２１３ｂと、Ｘ方向移動機構２１３ｃと、回動機構２１３ｄとを有している。
　押圧部２１３ａは、シート部材Ｗ２を介してＺ２方向側からウエハＷ１を押圧しつつ、回動機構２１３ｄおよびＸ方向移動機構２１３ｃにより移動することによって、ウエハＷ１に曲げ応力を発生させて改質層に沿ってウエハＷ１を分割するように構成されている。押圧部２１３ａは、Ｚ方向移動機構２１３ｂによりＺ１方向側の上昇位置に上昇することによりシート部材Ｗ２を介してウエハＷ１に当接することによって、ウエハＷ１を押圧する。押圧部２１３ａは、Ｚ方向移動機構２１３ｂによりＺ２方向側に下降位置に下降することによりウエハＷ１との当接が解除されることによって、ウエハＷ１に押圧されなくなる。押圧部２１３ａは、スキージである。
　押圧部２１３ａは、Ｚ方向移動機構２１３ｂのＺ１方向側の端部に取り付けられている。Ｚ方向移動機構２１３ｂは、Ｚ１方向またはＺ２方向に直線的に押圧部２１３ａを移動させるように構成されている。Ｚ方向移動機構２１３ｂは、たとえば、シリンダである。Ｚ方向移動機構２１３ｂは、Ｘ方向移動機構２１３ｃのＺ１方向側の端部に取り付けられている。
　Ｘ方向移動機構２１３ｃは、回動機構２１３ｄのＺ１方向側の端部に取り付けられている。Ｘ方向移動機構２１３ｃは、一方向に直線的に押圧部２１３ａを移動させるように構成されている。Ｘ方向移動機構２１３ｃは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。
　スキージ部２１３では、Ｚ方向移動機構２１３ｂにより押圧部２１３ａが上昇位置まで上昇される。スキージ部２１３では、シート部材Ｗ２を介してＺ２方向側からウエハＷ１を押圧部２１３ａが局所的に押圧しつつ、Ｘ方向移動機構２１３ｃにより押圧部２１３ａがＹ方向に移動することにより、ウエハＷ１が分割される。スキージ部２１３では、Ｚ方向移動機構２１３ｂにより押圧部２１３ａが下降位置まで下降される。スキージ部２１３では、押圧部２１３ａのＹ方向への移動が終了した後、回動機構２１３ｄにより押圧部２１３ａが９０度回動する。
　スキージ部２１３では、Ｚ方向移動機構２１３ｂにより押圧部２１３ａが上昇位置まで上昇される。スキージ部２１３では、押圧部２１３ａが９０度回動した後、シート部材Ｗ２を介してＺ２方向側からウエハＷ１を押圧部２１３ａが局所的に押圧しつつ、Ｘ方向移動機構２１３ｃにより押圧部２１３ａがＸ方向に移動することにより、ウエハＷ１が分割される。
〈クランプ部〉
　クランプ部２１４は、ウエハリング構造体Ｗのリング状部材Ｗ３を把持するように構成されている。具体的には、クランプ部２１４は、把持部２１４ａと、Ｚ方向移動機構２１４ｂと、Ｙ方向移動機構２１４ｃとを有している。把持部２１４ａは、リング状部材Ｗ３をＺ２方向側から支持するとともに、リング状部材Ｗ３をＺ１方向側から押さえる。このように、リング状部材Ｗ３は、把持部２１４ａにより把持される。把持部２１４ａは、Ｚ方向移動機構２１４ｂに取り付けられている。
　Ｚ方向移動機構２１４ｂは、クランプ部２１４をＺ方向に移動させるように構成されている。具体的には、Ｚ方向移動機構２１４ｂは、把持部２１４ａをＺ１方向またはＺ２方向に移動させるように構成されている。Ｚ方向移動機構２１４ｂは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。Ｚ方向移動機構２１４ｂは、Ｙ方向移動機構２１４ｃに取り付けられている。Ｙ方向移動機構２１４ｃは、Ｚ方向移動機構２１４ｂをＹ１方向またはＹ２方向に移動させるように構成されている。Ｙ方向移動機構２１４ｃは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。
（半導体ウエハの加工装置の制御的な構成）
　図９に示すように、半導体ウエハの加工装置１００は、第１制御部１０１と、第２制御部１０２と、第３制御部１０３と、第４制御部１０４と、第５制御部１０５と、第６制御部１０６と、第７制御部１０７と、第８制御部１０８と、エキスパンド制御演算部１０９と、ハンドリング制御演算部１１０と、ダイシング制御演算部１１１と、記憶部１１２とを備えている。
　第１制御部１０１は、スキージ部２１３を制御するように構成されている。第１制御部１０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）およびＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）などを有する記憶部とを含んでいる。なお、第１制御部１０１は、記憶部として、電圧遮断後にも記憶された情報が保持されるＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）などを含んでいてもよい。また、ＨＤＤは、第１制御部１０１、第２制御部１０２、第３制御部１０３、第４制御部１０４、第５制御部１０５、第６制御部１０６、第７制御部１０７、および、第８制御部１０８に対して共通に設けられていてもよい。
　第２制御部１０２は、冷気供給部２０６および冷却ユニット２０７を制御するように構成されている。第２制御部１０２は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。第３制御部１０３は、ヒートシュリンク部２１１および紫外線照射部２１２を制御するように構成されている。第３制御部１０３は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。なお、第２制御部１０２および第３制御部１０３は、記憶部として、電圧遮断後にも記憶された情報が保持されるＨＤＤなどを含んでいてもよい。
　第４制御部１０４は、カセット部２０２およびリフトアップハンド部２０３を制御するように構成されている。第４制御部１０４は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。第５制御部１０５は、吸着ハンド部２０４を制御するように構成されている。第５制御部１０５は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。なお、第４制御部１０４および第５制御部１０５は、記憶部として、電圧遮断後にも記憶された情報が保持されるＨＤＤなどを含んでいてもよい。
　第６制御部１０６は、チャックテーブル部１２を制御するように構成されている。第６制御部１０６は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。第７制御部１０７は、レーザ部１３を制御するように構成されている。第７制御部１０７は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。第８制御部１０８は、撮像部１４を制御するように構成されている。第８制御部１０８は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。なお、第６制御部１０６、第７制御部１０７および第８制御部１０８は、記憶部として、電圧遮断後にも記憶された情報が保持されるＨＤＤなどを含んでいてもよい。
　エキスパンド制御演算部１０９は、第１制御部１０１、第２制御部１０２および第３制御部１０３の処理結果に基づいて、シート部材Ｗ２のエキスパンド処理に関する演算を行うように構成されている。エキスパンド制御演算部１０９は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。
　ハンドリング制御演算部１１０は、第４制御部１０４および第５制御部１０５の処理結果に基づいて、ウエハリング構造体Ｗの移動処理に関する演算を行うように構成されている。ハンドリング制御演算部１１０は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。
　ダイシング制御演算部１１１は、第６制御部１０６、第７制御部１０７および第８制御部１０８の処理結果に基づいて、ウエハＷ１のダイシング処理に関する演算を行うように構成されている。ダイシング制御演算部１１１は、ＣＰＵと、ＲＯＭおよびＲＡＭなどを有する記憶部とを含んでいる。
　記憶部１１２は、ダイシング装置１およびエキスパンド装置２を動作させるためのプログラムが記憶されている。記憶部１９は、ＲＯＭ、ＲＡＭおよびＨＤＤなどを含んでいる。
（半導体チップ製造処理）
　図１０および図１１を参照して、半導体ウエハの加工装置１００の全体的な動作について以下に説明する。
　ステップＳ１において、カセット部２０２からウエハリング構造体Ｗが取り出される。すなわち、カセット部２０２内に収容されたウエハリング構造体Ｗをリフトアップハンド２０３ｂにより支持した後、Ｙ方向移動機構３１によりリフトアップハンド２０３ｂがＹ１方向側に移動することによって、カセット部２０２からウエハリング構造体Ｗが取り出される。ステップＳ２において、吸着ハンド２０４ｃによりウエハリング構造体Ｗが、ダイシング装置１のチャックテーブル部１２に移載される。すなわち、カセット部２０２から取り出されたウエハリング構造体Ｗは、吸着ハンド２０４ｃにより吸着された状態で、Ｘ方向移動機構２０４ａによりＸ２方向側に移動する。そして、Ｘ２方向側に移動したウエハリング構造体Ｗは、吸着ハンド２０４ｃからチャックテーブル部１２に移載された後、チャックテーブル部１２により把持される。
　ステップＳ３において、レーザ部１３によりウエハＷ１に改質層が形成される。ステップＳ４において、吸着ハンド２０４ｃにより改質層が形成されたウエハＷ１を有するウエハリング構造体Ｗがクランプ部２１４に移載される。ステップＳ５において、冷気供給部２０６および冷却ユニット２０７によりシート部材Ｗ２が冷却される。すなわち、Ｚ方向移動機構２１４ｂによりクランプ部２１４に把持されたウエハリング構造体ＷをＺ２方向に移動（下降）させて冷却ユニット２０７に接触させるとともに、冷気供給部２０６によりＺ１方向側から冷気を供給することによって、シート部材Ｗ２が冷却される。
　ステップＳ６において、クランプ部２１４によりエキスパンド部２０８にウエハリング構造体Ｗが移動する。すなわち、シート部材Ｗ２が冷却されたウエハリング構造体Ｗが、クランプ部２１４に把持された状態で、Ｙ方向移動機構２１４ｃによりＹ１方向に移動する。ステップＳ７において、エキスパンド部２０８によりシート部材Ｗ２がエキスパンドされる。すなわち、ウエハリング構造体Ｗが、クランプ部２１４に把持された状態で、Ｚ方向移動機構２１４ｂによりＺ２方向に移動する。そして、シート部材Ｗ２が、エキスパンドリング２８１に当接するとともに、エキスパンドリング２８１により引っ張られることによって、エキスパンドされる。これにより、ウエハＷ１が分割ライン（改質層）に沿って分割される。
　ステップＳ８において、拡張維持部材２１０により、エキスパンドされた状態のシート部材Ｗ２がＺ１方向側から押さえられる。すなわち、押圧リング部２１０ａが、Ｚ方向移動機構２１０ｄによりシート部材Ｗ２に当接するまでＺ２方向に移動（下降）する。そして、図１０のＡ点から図１１のＡ点を介してステップＳ９に進む。
　図１１に示すように、ステップＳ９において、拡張維持部材２１０によりシート部材Ｗ２が押さえられた後、スキージ部２１３によりウエハＷ１を押圧しながら、紫外線照射部２１２によりシート部材Ｗ２に紫外線Ｕｔを照射する。これにより、ウエハＷ１が、スキージ部２１３によりさらに分割される。また、シート部材Ｗ２の粘着力が、紫外線照射部２１２から照射される紫外線Ｕｔにより低下する。
　ステップＳ１０において、ヒートシュリンク部２１１によりシート部材Ｗ２が加熱されて収縮されつつ、クランプ部２１４が上昇する。この際、吸気部２１０ｃが、加熱されているシート部材Ｗ２付近の空気を吸い込む。ステップＳ１１において、ウエハリング構造体Ｗがクランプ部２１４から吸着ハンド２０４ｃに移載される。すなわち、ウエハリング構造体Ｗが、クランプ部２１４に把持された状態で、Ｙ方向移動機構２１４ｃによりＹ２方向に移動する。そして、ウエハリング構造体Ｗが、冷却ユニット２０７のＺ１方向側の位置において、クランプ部２１４による把持が解除された後、吸着ハンド２０４ｃにより吸着される。
　ステップＳ１２において、吸着ハンド２０４ｃによりリフトアップハンド２０３ｂにウエハリング構造体Ｗが移載される。ステップＳ１３において、ウエハリング構造体Ｗが、カセット部２０２に収容される。すなわち、リフトアップハンド２０３ｂにより支持されたウエハリング構造体Ｗは、Ｙ方向移動機構２０３ａによってＹ１方向側に移動させることによって、カセット部２０２にウエハリング構造体Ｗが収容される。これらにより、１枚のウエハリング構造体Ｗに対して行われる処理が終了する。そして、図１１のＢ点から図１０のＢ点を介してステップＳ１に戻る。
（エキスパンド部、拡張維持部材、紫外線照射部およびスキージ部の詳細な構成）
　図１２および図１３を参照して、エキスパンド部２０８、拡張維持部材２１０、紫外線照射部２１２およびスキージ部２１３の詳細な構成について説明する。なお、図１２では、便宜上、エキスパンド装置２のヒートシュリンク部２１１を図示していない。
　図１２に示すエキスパンド装置２では、エキスパンドリング２８１によるシート部材Ｗ２のエキスパンドが行われる前の状態が示されている。ここで、クランプ部２１４は、上昇位置Ｕｐに配置されている。すなわち、把持部２１４ａが、Ｚ方向移動機構２１４ｂにより上昇位置Ｕｐに配置されている。
　図１３に示すエキスパンド装置２では、エキスパンドリング２８１によるシート部材Ｗ２のエキスパンドが行われている状態が示されている。ここで、クランプ部２１４は、下降位置Ｌｗに配置されている。すなわち、把持部２１４ａが、Ｚ方向移動機構２１４ｂにより、上昇位置Ｕｐから下降位置Ｌｗに向かってＺ２方向側に移動されている。
　シート部材Ｗ２は、上昇位置Ｕｐから下降位置Ｌｗに向かって把持部２１４ａがＺ２方向側に移動される際、エキスパンドリング２８１の上端部２８１ａに当接することにより伸びる。この際、ウエハＷ１がシート部材Ｗ２に引っ張られることにより、ウエハＷ１内に引張応力が生じるので、ウエハＷ１に形成された改質層に沿ってウエハＷ１が分割される。これにより、複数の半導体チップＣｈが形成される。
〈エキスパンド部〉
　エキスパンド部２０８は、クランプ部２１４がウエハリング構造体Ｗを把持した状態で、シート部材Ｗ２をエキスパンドさせることによって、互いに間隔Ｍｒを設けた状態の複数の半導体チップＣｈにウエハＷ１を分割するエキスパンドリング２８１を有している。すなわち、エキスパンドリング２８１は、Ｚ方向移動機構２１４ｂにより上昇位置Ｕｐから下降位置Ｌｗに向かってＺ２方向側に移動するクランプ部２１４により、シート部材Ｗ２をエキスパンドするように構成されている。
　エキスパンドリング２８１は、ベース２０５上に固定されている。エキスパンドリング２８１の上端部２８１ａは、Ｚ方向における所定高さ位置Ｈｄに配置されている。所定高さ位置Ｈｄは、ベース２０５の上面を基準とした高さ位置である。このように、エキスパンドリング２８１の上端部２８１ａは、所定高さ位置Ｈｄに配置された状態が保持されている。
　図１４に示すように、拡張維持部材２１０は、ウエハＷ１付近のシート部材Ｗ２のエキスパンド状態を維持するように構成されている。図１４では、便宜上、エキスパンド装置２のヒートシュリンク部２１１を図示していない。
　具体的には、拡張維持部材２１０は、押圧リング部２１０ａと、蓋部２１０ｂとを有している。
　押圧リング部２１０ａは、平面視において、ウエハＷ１を囲むように配置された円筒形状を有している。蓋部２１０ｂは、押圧リング部２１０ａのＺ１方向への開口を覆うように設けられている。蓋部２１０ｂは、押圧リング部２１０ａのＺ１方向への開口を閉塞するように押圧リング部２１０ａの内側１２１０ａに設けられている。蓋部２１０ｂは、押圧リング部２１０ａの内側１２１０ａのＺ１方向側の端部に設けられている。内側１２１０ａは、円筒形状の押圧リング部２１０ａの径方向における内側である。
　紫外線照射部２１２は、エキスパンド状態のシート部材Ｗ２にＺ２方向側から紫外線Ｕｔを照射するように構成されている。また、紫外線照射部２１２は、エキスパンド状態のシート部材Ｗ２のウエハＷ１のＺ２方向の位置に配置されている。
　紫外線照射部２１２から照射された紫外線Ｕｔは、円筒形状の押圧リング部２１０ａと蓋部２１０ｂとによりウエハＷ１をＺ１方向側から覆うことにより、拡張維持部材２１０から外部に漏れないようになっている。このように、拡張維持部材２１０は、ウエハＷ１付近のシート部材Ｗ２のエキスパンド状態を維持する機能だけでなく、紫外線Ｕｔを遮蔽する機能を有している。また、拡張維持部材２１０は、紫外線Ｕｔを遮蔽することに起因する材質の劣化を抑制するためにステンレスなどの金属により形成されている。
（ダイシング装置の加工条件の設定）
　図１５～図２９を参照して、ダイシング装置の加工条件の設定について説明する。
　図１５に示すように、ダイシング制御演算部１１１は、チャックテーブル部１２と、レーザ部１３と、撮像部１４と、表示部１２０と、入力部１３０と制御的に接続されており、各部を制御するように構成されている。なお、ダイシング制御演算部１１１は、請求の範囲の「制御部」の一例である。
　ダイシング制御演算部１１１は、チャックテーブル部１２の駆動を制御して、チャックテーブル部１２に保持されたウエハＷ１を移動させる。また、ダイシング制御演算部１１１は、レーザ部１３によるレーザの照射を制御する。また、ダイシング制御演算部１１１は、撮像部１４による撮像を制御するとともに、撮像部１４により撮像された画像を取得する。また、ダイシング制御演算部１１１は、表示部１２０に表示させる画面を生成して、表示部１２０に送信する。また、ダイシング制御演算部１１１は、入力部１３０から作業者により入力された情報を取得する。
　ここで、本実施形態では、ダイシング制御演算部１１１は、レーザ部１３によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリ１６１、１６２、１６３および１６４に登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリ１６１～１６４に登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハＷ１をダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面１４０を表示する制御を行う。
　つまり、このダイシング装置１による半導体チップの製造方法では、ウエハＷ１を複数の半導体チップＣｈに分割するためのダイシング加工を行う工程と、ダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリ１６１～１６４に登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリ１６１～１６４に登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハＷ１をダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面１４０を表示する工程と、を備える。
　また、このダイシング装置１により製造される半導体チップＣｈは、ウエハＷ１を複数の半導体チップＣｈに分割するためのダイシング加工を行うレーザ部１３と、レーザ部１３によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリ１６１～１６４に登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリ１６１～１６４に登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハＷ１をダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面１４０を表示する制御を行うダイシング制御演算部１１１と、を備えるダイシング装置１により製造される。
　また、レーザ部１３によるダイシング加工の複数の設定項目は、ワーク形状、アライメントマーク、分割予定ライン、ダイシング加工手法を含む。ワーク形状は、ワークとしてのウエハＷ１の形の情報およびウエハＷ１のサイズの情報を含む。
　また、本実施形態では、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、設定項目の条件を、設定項目毎に複数の選択肢からの選択、および、数値の入力の少なくとも一方により受け付けて、設定項目毎の条件を作成し、作成した設定項目の条件を、設定項目毎にライブラリ１６１～１６４に登録する。
　また、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、設定項目毎に、ライブラリ１６１～１６４に登録された設定項目の条件の選択に基づいて、ウエハＷ１をダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定する。
　また、ユーザインターフェース画面１４０は、複数の設定項目から一の設定項目を選択するための複数の設定項目選択ボタン１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ、１４１ｄ、および１４１ｅを含み、設定項目選択ボタン１４１ａ～１４１ｅの操作により、対応する設定項目を設定するための設定画面が表示される。また、ユーザインターフェース画面１４０は、設定された総合加工情報に基づいてウエハＷ１のダイシング加工を検査のために実際に行うための検査ボタン１４１ｆを含む。
　また、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、撮像部１４により撮像したウエハＷ１の画像を表示するとともに、ウエハＷ１の画像に基づく教示を受け付けて、設定項目の条件を設定する。たとえば、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、撮像部１４により撮像したウエハＷ１の画像に基づく教示を受け付けて、設定項目としてのウエハＷ１の位置を調整するためのアライメントマークの情報を設定する。
　また、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、複数の選択肢からの選択に基づいて、設定項目としての分割予定ラインの分割経路を設定する。
　また、本実施形態では、ダイシング装置１のウエハＷ１のダイシング加工の加工条件を作成する際に、ダイシング装置１を使用して、ウエハＷ１の加工を行いながら、作業者により必要な情報が入力されて、ダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報（レシピ）として設定される。
　図１６に示すように、ユーザインターフェース画面１４０から総合的な加工条件である総合加工情報（レシピ）を作成、または、作成した総合加工情報を選択して、ダイシング加工の加工条件が設定される。総合加工情報（レシピ）は、リスト１５０に複数登録可能である。また、総合加工情報（レシピ）は、作成して、リスト１５０に登録される。また、登録された総合加工情報（レシピ）は、リスト１５０から選択されて使用することが可能である。
　ユーザインターフェース画面１４０の設定項目選択ボタン１４１ａは、操作されることにより、総合加工情報（レシピ）のリスト１５０およびリスト１５０から選択された総合加工情報（レシピ）の概要（プレビュー）が表示される。なお、リスト１５０に登録されるレシピの名称は、任意に設定することが可能である。
　図１７～図２２に示すように、ユーザインターフェース画面１４０の設定項目選択ボタン１４１ｂは、操作されることにより、設定項目としてのワーク形状を設定するための画面が表示される。
　図２３～図２４に示すように、ユーザインターフェース画面１４０の設定項目選択ボタン１４１ｃは、操作されることにより、設定項目としてのアライメントマークを設定するための画面が表示される。
　図２７～図２８に示すように、ユーザインターフェース画面１４０の設定項目選択ボタン１４１ｄは、操作されることにより、設定項目としてのダイシング加工手法を設定するための画面が表示される。
　図２５～図２６に示すように、ユーザインターフェース画面１４０の設定項目選択ボタン１４１ｅは、操作されることにより、設定項目としての分割予定ラインを設定するための画面が表示される。
　ユーザインターフェース画面１４０の検査ボタン１４１ｆｃは、操作されることにより、設定された総合加工情報に基づいてウエハＷ１のダイシング加工が検査のために実際に行われる。
　図１６に示すように、ユーザインターフェース画面１４０は、ワーク形状を入力部１３０からの入力により受け付けるためのボタン１４２ａを含む。また、ユーザインターフェース画面１４０は、設定項目の情報を教示により受け付けるためのボタン１４２ｂを含む。また、ユーザインターフェース画面１４０は、設定項目の情報に基づくシミュレーションを行うためのボタン１４２ｃを含む。また、ユーザインターフェース画面１４０は、予め登録された設定項目の情報を読み込むためのボタン１４２ｄを含む。また、ユーザインターフェース画面１４０は、設定項目の情報を別の名称（ＩＤ）により保存するためのボタン１４２ｅを含む。また、ユーザインターフェース画面１４０は、設定項目の情報を上書き保存するためのボタン１４２ｆを含む。
　設定項目選択ボタン１４１ｂが操作されると、図１７に示すように、設定項目としてのワーク（ウエハＷ１）の形状を設定する画面が表示される。また、設定項目としてのワークの形状のライブラリ１６１がリストとして表示される。図１７に示す例では、ボタン１４２ａの操作により、ワーク形状を入力部１３０からの入力により受け付けるための画面が表示されている。ワーク（ウエハＷ１）の形状の設定では、まず、オリエンテーションフラット、ノッチの有無および位置が複数のひな型から選択される。つまり、ウエハＷ１の大まかな形状が選択される。
　ワーク（ウエハＷ１）の形状の設定では、次に、図１８に示すように、ウエハの大きさ（直径）、オリエンテーションフラットの長さ、外縁傾斜部の情報が複数のひな型から選択または数値により入力される。
　ワーク（ウエハＷ１）の形状の設定では、次に、図１９に示すように、ワーク（ウエハＷ１）の詳細な形状のパラメータが数値により入力される。
　ワーク（ウエハＷ１）の形状の設定では、次に、図２０に示すように、ワーク（ウエハＷ１）の供給方法が入力される。具体的にはカセット部２０２からのウエハＷ１の供給の情報が入力される。
　また、図２１に示すように、ワーク（ウエハＷ１）の表面検出の情報が入力される。ワーク（ウエハＷ１）の表面検出には、ワーク寸法のワークの厚みのデータが用いられる。
　また、図２２に示すように、ワーク（ウエハＷ１）の角度および中心合わせの情報が入力される。ワーク（ウエハＷ１）の角度および中心合わせの情報は、ワークの外形の情報、ワークのストリートの情報、ワークのアライメントの情報を含む。ワークの外形の情報は、ワーク寸法のワーク形状の情報と、ワーク寸法のＸ位置、Ｙ位置、直径の位置とのデータが用いられる。ワークのストリートの情報は、ワーク寸法のストリート幅の情報と、カットラインのステップサイズの情報とのデータが用いられる。
　設定項目選択ボタン１４１ｃが操作されると、図２３に示すように、設定項目としてのアライメントマークを設定する画面が表示される。また、設定項目としてのアライメントマークのライブラリ１６２がリストとして表示される。また、図２３に示す例では、ボタン１４２ｂの操作により、アライメントマークの情報を教示により受け付けるための画面が表示されている。アライメントマークの設定では、マークの位置情報、撮像部１４により撮像するためのパラメータが入力される。
　また、図２４に示すように、アライメントマークの設定では、教示に基づいてアライメントマークの位置が入力される。
　設定項目選択ボタン１４１ｅが操作されると、図２５に示すように、設定項目としての分割予定ラインを設定する画面が表示される。また、設定項目としての分割予定ラインのライブラリ１６３がリストとして表示される。分割予定ラインの設定では、まず、ウエハＷ１の分割予定ラインの配列の情報が複数のひな型から選択される。つまり、ウエハＷ１の分割予定ラインの大まかな情報が選択される。
　分割予定ラインの設定では、次に、図２６に示すように、分割予定ラインの詳細なパラメータが数値により入力される。
　設定項目選択ボタン１４１ｄが操作されると、図２７に示すように、設定項目としてのダイシング加工手法を設定する画面が表示される。また、設定項目としてのダイシング加工手法のライブラリ１６４がリストとして表示される。ダイシング加工手法の設定では、レーザを照射する深さおよびレーザの出力が入力されて設定される。また、本実施形態では、ユーザインターフェース画面１４０は、設定項目としてのレーザ部１３のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの出力を単位長さ当たりのエネルギー表示を含む。つまり、レーザの出力を、仕事率（単位時間当たりのエネルギー）ではなく、単位長さ当たりのエネルギーにより設定することが可能である。なお、レーザの出力を単位時間当たりのエネルギーにより設定してもよい。
　また、図２８に示すように、ダイシング加工手法の設定では、レーザを照射する深さおよびレーザの出力が図形１４４により表示される。つまり、ユーザインターフェース画面１４０は、設定項目としてのレーザ部１３のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの照射深度と、レーザの照射強度と表す図形１４４を含む。具体的には、レーザの照射深度と、レーザの照射強度と表す図形１４４は、レーザ照射深度に対応する位置にレーザ照射強度に応じて大きくなる円またはレーザ照射強度に応じて長くなる三角形を含む。
（ワークに対するダイシング加工の加工条件の作成手順）
　図２９を参照して、ワークに対するダイシング加工の加工条件の作成手順について説明する。
　図２９のステップＳ２１において、作業者によりワークの外形形状（ワーク情報）が入力される。ワークの形状を現物に基づく教示により入力される場合、ステップＳ２２において、ワーク（ウエハＷ１）の現物がダイシング装置１内に固定される。また、ワークの形状を入力部１３０から入力する場合、ステップＳ２３において、作業者により、ワークのＸＹ形状（平面形状）と、分割予定の形状とが入力される。また、ステップＳ２４において、作業者により、ワークの厚さと、ワークの材質とが入力される。
　ステップＳ２５において、撮像部１４により撮像されたワークに基づいて、作業者により、アライメントマークの情報が教示により入力される。この際、予め、アライメントマークの理論位置が入力されていてもよい。また、アライメントマークの情報として、アライメントマークの形状、撮像部１４による撮像の際の照明の設定、画像処理の際のしきい値などの画像処理パラメータが入力される。
　ステップＳ２６において、ダイシング制御演算部１１１により、入力されたアライメントマークの情報と、撮像部１４により撮像された画像とに基づいて、アライメントマークの位置が検出される。ステップＳ２７において、ダイシング制御演算部１１１により、ワークのＸＹＺ位置情報（３次元位置情報）が取得される。
　ステップＳ２８において、ダイシング制御演算部１１１により、分割予定ラインのＸＹ位置情報（平面位置情報）が取得される。
　ステップＳ２９において、ダイシング装置１により、実際にダイシング加工をしながら、作業者により、レーザ加工の層数の情報、レーザスポット形状の情報、レーザ出力の情報および加工速度の情報が入力される。ステップＳ３０において、作業者により、Ｎ本の分割予定ラインの情報、およびＭ層の加工層の加工順序の情報が入力される。
　ステップＳ３１において、作業者の操作に基づいて、ダイシング装置１により、ダイシング加工が実施される。ステップＳ３２において、作業者により、実際の加工結果を見ながら、加工ライン検出用画像処理パラメータの情報および判定基準の情報が入力される。その後、ステップＳ３３において、ダイシングの検査が行われる。
（実施形態の効果）
　本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
　本実施形態では、上記のように、ダイシング制御演算部１１１は、レーザ部１３によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、設定項目毎にライブラリ１６１～１６４に登録するとともに、複数の設定項目について、ライブラリ１６１～１６４に登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、ウエハＷ１をダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面１４０を表示する制御を行う。これにより、ダイシング加工の複数の設定項目の作成された条件がライブラリ１６１～１６４に登録されるので、設定項目を毎回入力しなくても、ライブラリ１６１～１６４から選択することにより、ダイシング加工の設定項目を設定することができる。また、ライブラリ１６１～１６４に登録された複数の設定項目の条件を組み合わせることにより、ウエハＷ１をダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定することができる。これらの結果、ダイシング加工の設定処理を行うための作業負担を軽減することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、複数の設定項目は、ワーク形状、アライメントマーク、分割予定ライン、ダイシング加工手法を含む。これにより、ワーク形状、アライメントマーク、分割予定ライン、ダイシング加工手法を含むダイシング加工の設定処理を行うための作業負担を軽減することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、設定項目の条件を、設定項目毎に複数の選択肢からの選択、および、数値の入力の少なくとも一方により受け付けて、設定項目毎の条件を作成し、作成した設定項目の条件を、設定項目毎にライブラリ１６１～１６４に登録する。これにより、複数の選択肢からの選択、および、数値の入力の少なくとも一方により設定項目毎に条件を作成して、ライブラリ１６１～１６４に容易に登録することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、設定項目毎に、ライブラリ１６１～１６４に登録された設定項目の条件の選択に基づいて、ウエハＷ１をダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定する。これにより、ライブラリ１６１～１６４に登録された設定項目を選択することにより、ウエハＷ１をダイシング加工する総合的な加工条件を容易に設定することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ユーザインターフェース画面１４０は、複数の設定項目から一の設定項目を選択するための複数の設定項目選択ボタン１４１ａ～１４１ｅを含み、設定項目選択ボタン１４１ａ～１４１ｅの操作により、対応する設定項目を設定するための設定画面が表示される。これにより、設定項目選択ボタン１４１ａ～１４１ｅを操作することにより、所望の設定項目の条件の設定を容易に行うことができる。
　また、本実施形態では、上記のように、複数の設定項目のワーク形状は、ワークとしてのウエハＷ１の形の情報およびウエハＷ１のサイズの情報を含む。これにより、ウエハＷ１の形およびサイズをワーク形状として設定して設定項目を作成してライブラリ１６１に登録することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、撮像部１４により撮像したウエハＷ１の画像を表示するとともに、ウエハＷ１の画像に基づく教示を受け付けて、設定項目の条件を設定する。これにより、ウエハＷ１の設計情報などのデータがない場合でも、実際のウエハＷ１の画像に基づいて設定項目の条件を容易に設定することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、撮像部１４により撮像したウエハＷ１の画像に基づく教示を受け付けて、設定項目としてのウエハＷ１の位置を調整するためのアライメントマークの情報を設定する。これにより、実際のウエハＷ１の画像に基づいてアライメントマークの情報を容易に設定することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ユーザインターフェース画面１４０は、設定項目としてのレーザ部１３のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの出力を単位長さ当たりのエネルギー表示を含む。これにより、作業者が単位長さ当たりのウエハＷ１に作用するレーザのエネルギーを容易に把握することができる。また、レーザの出力を単位長さ当たりのエネルギーにより設定を受け付けることができるので、レーザの出力を単位時間当たりのエネルギーにより設定を受け付ける場合と異なり、レーザの移動速度に係らず単位長さ当たりのウエハＷ１に作用するレーザのエネルギーを一定に設定することができる。その結果、レーザの出力とレーザの移動速度とを個別に独立して設定することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ユーザインターフェース画面１４０は、設定項目としてのレーザ部１３のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの照射深度表示と、レーザの照射強度表示とを含む。これにより、レーザの照射深度表示およびレーザの照射強度表示を含むレーザ加工手法の条件を容易に設定することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ユーザインターフェース画面１４０は、設定項目としてのレーザ部１３のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの照射深度と、レーザの照射強度と表す図形１４４を含む。これにより、設定するレーザの照射深度およびレーザの照射強度の状態を視覚的に容易に把握することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ダイシング制御演算部１１１は、ユーザインターフェース画面１４０において、複数の選択肢からの選択に基づいて、設定項目としての分割予定ラインの分割経路を設定する。これにより、複数の選択肢から選択することにより、分割予定ラインの分割経路を容易に設定することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、ユーザインターフェース画面１４０は、設定された総合加工情報に基づいてウエハＷ１のダイシング加工を検査のために実際に行うための検査ボタン１４１ｆを含む。これにより、検査ボタン１４１ｆの操作により設定された総合加工情報によるダイシング加工の検査を容易に行うことができる。
［変形例］
　なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく請求の範囲によって示され、さらに請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。
　たとえば、上記実施形態では、ダイシング装置とともに、ウエハが配置されたシート部材のエキスパンドを行うエキスパンド装置が設けられている構成の例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、ダイシング装置とともにエキスパンド装置を設けずに、ダイシング装置を単独で用いてもよい。また、ダイシング装置とともに、エキスパンド装置に加えて他の装置をさらに設けてもよい。たとえば、エキスパンド装置およびダイシング装置とともに、ウエハを研磨するグライディング装置をさらに設けてもよい。また、エキスパンド装置を設けずに、ダイシング装置およびグライディング装置を設けてもよい。
　また、上記実施形態では、ダイシング装置は、ウエハにレーザを照射して亀裂を生成してダイシングを行う構成の例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、ダイシング装置は、レーザの照射によりウエハを切断してもよいし、ブレードによりウエハを切断するようにしてもよい。
　また、上記実施形態では、ダイシング装置においてダイシング加工の制御を行うダイシング制御演算部により、ダイシング加工を行うための設定項目を設定する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、ダイシング装置においてダイシング加工の制御を行うダイシング制御演算部以外の制御部によりダイシング加工を行うための設定項目を設定する処理を行ってもよい。たとえば、外部に設けられたコンピュータによりダイシング加工を行うための設定項目を設定してもよい。
　また、上記実施形態では、拡張維持部材は、蓋部を有している例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、拡張維持部材は、蓋部を有していなくてもよい。
　また、上記実施形態では、エキスパンド装置は、紫外線照射部を含んでいる例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、エキスパンド装置は、紫外線照射部を含んでいなくてもよい。
　また、上記実施形態では、エキスパンド装置は、スキージ部を含んでいる例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、エキスパンド装置は、スキージ部を含んでいなくてもよい。
　また、上記実施形態では、エキスパンド装置のスキージ部がエキスパンドリングの内側に配置されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、エキスパンド装置のスキージ部は、エキスパンドリングの外側に配置されていてもよい。この場合、スキージ部は、エキスパンド部と冷却部との間に設けられていてもよい。
　また、上記実施形態では、説明の便宜上、制御処理を、処理フローに沿って順番に処理を行うフロー駆動型のフローチャートを用いて説明した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、制御処理を、イベント単位で処理を実行するイベント駆動型（イベントドリブン型）の処理により行ってもよい。この場合、完全なイベント駆動型で行ってもよいし、イベント駆動およびフロー駆動を組み合わせて行ってもよい。
　１　ダイシング装置
　１３　レーザ部（ダイシング部）
　１３ａ　レーザ照射部
　１１１　ダイシング制御演算部（制御部）
　１４０　ユーザインターフェース画面
　１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ、１４１ｄ、１４１ｅ　設定項目選択ボタン
　１４１ｆ　検査ボタン
　１６１、１６２、１６３、１６４　ライブラリ
　Ｃｈ　半導体チップ
　Ｗ１　ウエハ

Claims (15)

  1. 　ウエハを複数の半導体チップに分割するためのダイシング加工を行うダイシング部と、
    　前記ダイシング部によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、前記設定項目毎にライブラリに登録するとともに、前記複数の設定項目について、前記ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、前記ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する制御を行う制御部と、を備える、ダイシング装置。
  2. 　前記複数の設定項目は、ワーク形状、アライメントマーク、分割予定ライン、ダイシング加工手法を含む、請求項１に記載のダイシング装置。
  3. 　前記制御部は、前記ユーザインターフェース画面において、前記設定項目の条件を、前記設定項目毎に複数の選択肢からの選択、および、数値の入力の少なくとも一方により受け付けて、前記設定項目毎の条件を作成し、作成した前記設定項目の条件を、前記設定項目毎に前記ライブラリに登録する、請求項１または２に記載のダイシング装置。
  4. 　前記制御部は、前記ユーザインターフェース画面において、前記設定項目毎に、前記ライブラリに登録された前記設定項目の条件の選択に基づいて、前記ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を前記総合加工情報として設定する、請求項１または２に記載のダイシング装置。
  5. 　前記ユーザインターフェース画面は、前記複数の設定項目から一の前記設定項目を選択するための複数の設定項目選択ボタンを含み、前記設定項目選択ボタンの操作により、対応する前記設定項目を設定するための設定画面が表示される、請求項１または２に記載のダイシング装置。
  6. 　前記複数の設定項目の前記ワーク形状は、ワークとしての前記ウエハの形の情報および前記ウエハのサイズの情報を含む、請求項２に記載のダイシング装置。
  7. 　前記ウエハを撮像する撮像部をさらに備え、
    　前記制御部は、前記ユーザインターフェース画面において、前記撮像部により撮像した前記ウエハの画像を表示するとともに、前記ウエハの画像に基づく教示を受け付けて、前記設定項目の条件を設定する、請求項１または２に記載のダイシング装置。
  8. 　前記制御部は、前記ユーザインターフェース画面において、前記撮像部により撮像した前記ウエハの画像に基づく教示を受け付けて、前記設定項目としての前記ウエハの位置を調整するためのアライメントマークの情報を設定する、請求項７に記載のダイシング装置。
  9. 　前記ダイシング部は、前記ウエハにレーザを照射するレーザ照射部を含み、
    　前記ユーザインターフェース画面は、前記設定項目としての前記レーザ照射部のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの出力を単位長さ当たりのエネルギー表示を含む、請求項１または２に記載のダイシング装置。
  10. 　前記ユーザインターフェース画面は、前記設定項目としての前記レーザ照射部のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの照射深度表示と、レーザの照射強度表示とを含む、請求項９に記載のダイシング装置。
  11. 　前記ユーザインターフェース画面は、前記設定項目としての前記レーザ照射部のレーザ加工手法において、条件の設定を受け付ける際に表示される、レーザの照射深度と、レーザの照射強度と表す図形を含む、請求項１０に記載のダイシング装置。
  12. 　前記制御部は、前記ユーザインターフェース画面において、複数の選択肢からの選択に基づいて、前記設定項目としての分割予定ラインの分割経路を設定する、請求項１または２に記載のダイシング装置。
  13. 　前記ユーザインターフェース画面は、設定された前記総合加工情報に基づいて前記ウエハのダイシング加工を検査のために実際に行うための検査ボタンを含む、請求項１または２に記載のダイシング装置。
  14. 　ウエハを複数の半導体チップに分割するためのダイシング加工を行う工程と、
    　ダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、前記設定項目毎にライブラリに登録するとともに、前記複数の設定項目について、前記ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、前記ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する工程と、を備える、半導体チップの製造方法。
  15. 　ウエハを複数の半導体チップに分割するためのダイシング加工を行うダイシング部と、前記ダイシング部によるダイシング加工の複数の設定項目について、個々に条件を作成して、前記設定項目毎にライブラリに登録するとともに、前記複数の設定項目について、前記ライブラリに登録された個々に作成した条件の選択に基づいて、前記ウエハをダイシング加工する総合的な加工条件を総合加工情報として設定するためのユーザインターフェース画面を表示する制御を行う制御部と、を備えるダイシング装置により製造される、半導体チップ。
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