TW202347463A - 擴展裝置、半導體晶片之製造方法及半導體晶片 - Google Patents

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Abstract

本發明之擴展裝置具備：冷卻部，其將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件、及設置於晶圓之膜冷卻至使膜變得較片狀構件硬之冷卻溫度；及擴展部，其拉伸已被冷卻部冷卻至冷卻溫度之片狀構件，而將晶圓分割成複數個半導體晶片。

Description

擴展裝置、半導體晶片之製造方法及半導體晶片
本發明係關於一種擴展裝置、半導體晶片之製造方法及半導體晶片。
先前，已知有一種擴展裝置，該擴展裝置使配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件冷卻並加以擴展。此種擴展裝置例如於日本專利特開2021-082648號公報中有所揭示。
上述日本專利特開2021-082648號公報中揭示有一種擴展裝置，該擴展裝置將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件冷卻至規定之冷卻溫度，並將冷卻後之片狀構件擴展而分割晶圓。又，晶圓經由接著劑層接著於片狀構件，藉由片狀構件之擴展使接著劑層與晶圓一併被分割，藉此分割出複數個半導體晶片。
但上述日本專利特開2021-082648號公報之擴展裝置中，將片狀構件冷卻至規定之冷卻溫度並加以擴展時，若冷卻溫度較高，則接著劑層不會變硬，因此難以確實地分割接著劑層。另一方面，若冷卻溫度較低，則片狀構件會變得過硬，從而難以擴展片狀構件。因此，期望一種能確實地擴展配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件，並且能確實地分割設置於晶圓之接著劑層等膜之擴展裝置。
本發明係為了解決如上所述之問題而研究獲得，本發明之1個目的在於，提供一種能確實地擴展配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件，並且能確實地分割設置於晶圓之膜之擴展裝置、半導體晶片之製造方法及半導體晶片。
本發明之第1態樣之擴展裝置具備：冷卻部，其將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件、及設置於晶圓之膜冷卻至使膜變得較片狀構件硬之冷卻溫度；及擴展部，其拉伸已被冷卻部冷卻至冷卻溫度之片狀構件，而將晶圓分割成複數個半導體晶片。
本發明之第1態樣之擴展裝置中，如上所述，冷卻部將片狀構件及設置於晶圓之膜冷卻至使膜變得較片狀構件硬之冷卻溫度。藉此，能將膜與晶圓一併分割，並且能抑制片狀構件破斷。其結果，能確實地擴展配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件，並且能確實地分割設置於晶圓之膜。藉此，能進一步提高藉由擴展來分割晶圓之良率。
上述第1態樣之擴展裝置中，較佳為：片狀構件及膜之相對溫度之硬度於規定溫度下，大小關係反轉，且冷卻部將其等冷卻至比使膜變得較片狀構件硬之規定溫度低之溫度。若如此構成，則片狀構件之硬度與膜之硬度反轉，從而能於膜變得較片狀構件硬之狀態下進行擴展，因此能更確實地分割膜。
上述第1態樣之擴展裝置中，較佳為：冷卻部將片狀構件及膜冷卻至使膜變得較片狀構件硬且使片狀構件之硬度小於規定之值的冷卻溫度範圍內之冷卻溫度。若如此構成，則能於冷卻至不使片狀構件變得過硬且使膜變得較硬之冷卻溫度之狀態下，擴展片狀構件。
該情形時，較佳為：在關於相對溫度之硬度，片狀構件中之不均大於膜中之不均之情形時，冷卻部將片狀構件及膜冷卻至冷卻溫度範圍內較高一側之溫度。若如此構成，即便關於相對溫度之硬度，片狀構件中之不均較大時，亦能冷卻至不達片狀構件破斷之溫度之冷卻溫度。
冷卻部將片狀構件及膜冷卻至於使膜變得較上述片狀構件硬且使片狀構件之硬度小於規定之值的冷卻溫度範圍內決定之冷卻溫度之構成中，較佳為：在關於相對溫度之硬度，片狀構件中之不均小於膜中之不均之情形時，冷卻部將片狀構件及膜冷卻至冷卻溫度範圍內較低一側之溫度。若如此構成，即便關於相對溫度之硬度，膜中之不均較大時，亦能冷卻至使膜可確實地分割之冷卻溫度。
本發明之第2態樣之半導體晶片之製造方法包含如下工序：將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件、及設置於晶圓之膜冷卻至使膜變得較片狀構件硬之冷卻溫度；及拉伸已被冷卻至冷卻溫度之片狀構件，而將晶圓分割成複數個半導體晶片。
本發明之第2態樣之半導體晶片之製造方法中，如上所述，將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件、及設置於晶圓之膜冷卻至使膜變得較片狀構件硬之冷卻溫度。藉此，能將膜與晶圓一併分割，並且能抑制片狀構件破斷。其結果，可提供一種能確實地擴展配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件，並且能確實地分割設置於晶圓之膜之半導體晶片之製造方法。藉此，能進一步提高藉由擴展來分割晶圓之良率。
上述第2態樣之半導體晶片之製造方法中，較佳為：片狀構件及膜之相對溫度之硬度於規定溫度下，大小關係反轉，且冷卻膜之工序中，冷卻至比使膜變得較片狀構件硬之規定溫度低之溫度。若如此構成，則片狀構件之硬度與膜之硬度反轉，從而能於膜變得較片狀構件硬之狀態下進行擴展，因此能更確實地分割膜。
上述第2態樣之半導體晶片之製造方法中，較佳為：進而包含如下工序：測定片狀構件及膜之相對溫度之硬度；及基於測定所得之結果，決定冷卻溫度。若如此構成，則能基於片狀構件及膜之相對溫度之硬度之測定結果，精度良好地決定能將膜分割且不會使片狀構件破斷之冷卻溫度。
該情形時，較佳為：將片狀構件及膜冷卻至冷卻溫度之工序中，將片狀構件及膜冷卻至於使膜變得較片狀構件硬且使片狀構件之硬度小於規定之值的冷卻溫度範圍內決定之冷卻溫度。若如此構成，則能於冷卻至不使片狀構件變得過硬且使膜變得較硬之冷卻溫度之狀態下，擴展片狀構件。
將片狀構件及膜冷卻至於使膜變得較上述片狀構件硬且使片狀構件之硬度小於規定之值的冷卻溫度範圍內決定之冷卻溫度之構成中，較佳為：將片狀構件及膜冷卻至冷卻溫度之工序中，在關於相對溫度之硬度，片狀構件中之不均大於膜中之不均之情形時，將片狀構件及膜冷卻至被決定為冷卻溫度範圍內較高一側之溫度的冷卻溫度。若如此構成，即便關於相對溫度之硬度，片狀構件中之不均較大時，亦能冷卻至不達片狀構件破斷之溫度之冷卻溫度。
將片狀構件及膜冷卻至於使膜變得較上述片狀構件硬且使片狀構件之硬度小於規定之值的冷卻溫度範圍內決定之冷卻溫度之構成中，較佳為：將片狀構件及膜冷卻至冷卻溫度之工序中，在關於相對溫度之硬度，片狀構件中之不均小於膜中之不均之情形時，將片狀構件及膜冷卻至被決定為冷卻溫度範圍內較低一側之溫度的冷卻溫度。若如此構成，即便關於相對溫度之硬度，膜中之不均較大時，亦能冷卻至使膜可確實地分割之冷卻溫度。
本發明之第3態樣之半導體晶片係由擴展裝置製造而成，上述擴展裝置具備：冷卻部，其將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件、及設置於晶圓之膜冷卻至使膜變得較片狀構件硬之冷卻溫度；及擴展部，其拉伸已被冷卻部冷卻至冷卻溫度之片狀構件，而將晶圓分割成複數個半導體晶片。
本發明之第3態樣之半導體晶片中，如上所述，將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件、及設置於晶圓之膜冷卻至使膜變得較片狀構件硬之冷卻溫度。藉此，能將膜與晶圓一併分割，並且能抑制片狀構件破斷。其結果，可提供一種能確實地擴展配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件，並且能確實地分割設置於晶圓之膜之半導體晶片。藉此，能進一步提高藉由擴展來分割晶圓之良率。
以下，基於圖式對將本發明具體化之實施方式進行說明。
參照圖1～圖19，對本發明之一實施方式的半導體晶圓之加工裝置100之構成進行說明。
(半導體晶圓之加工裝置) 如圖1所示，半導體晶圓之加工裝置100係對設置於晶圓環構造體W之晶圓W1進行加工之裝置。半導體晶圓之加工裝置100係以於晶圓W1形成改質層，並且將晶圓W1沿著改質層分割而形成複數個半導體晶片Ch(參照圖8)之方式構成。
此處，參照圖2及圖3對晶圓環構造體W進行說明。晶圓環構造體W具有晶圓W1、片狀構件W2及環狀構件W3。
晶圓W1係由作為半導體積體電路之材料之半導體物質之晶體形成的圓形薄板。於晶圓W1之內部，藉由在半導體晶圓之加工裝置100中之加工，沿著分割線形成使內部改質所得之改質層。即，晶圓W1將被加工成可沿著分割線加以分割。片狀構件W2係具有伸縮性之黏著帶。於片狀構件W2之上表面W21設置有黏著層。於片狀構件W2之黏著層貼附有晶圓W1。環狀構件W3係俯視下呈環狀之金屬製之框架。環狀構件W3以包圍晶圓W1之狀態貼附於片狀構件W2之黏著層。
又，半導體晶圓之加工裝置100具備切割裝置1及擴展裝置2。以下，將上下方向設為Z方向，將上方向設為Z1方向，並且將下方向設為Z2方向。將與Z方向正交之水平方向中之切割裝置1與擴展裝置2排列之方向設為X方向，將X方向中之擴展裝置2側設為X1方向，將X方向中之切割裝置1側設為X2方向。將水平方向中之與X方向正交之方向設為Y方向，將Y方向中之一側設為Y1方向，將Y方向中之另一側設為Y2方向。
(切割裝置) 如圖1、圖4及圖5所示，切割裝置1係以藉由沿著分割線(切割道)對晶圓W1照射具有透過性之波長之雷射，而形成改質層之方式構成。所謂改質層，表示藉由雷射而形成於晶圓W1之內部之龜裂及孔隙等。
具體而言，切割裝置1包含基底11、卡盤工作台部12、雷射部13及攝像部14。
基底11係供設置卡盤工作台部12之基台。基底11俯視下具有矩形形狀。
〈卡盤工作台部〉 卡盤工作台部12具有吸附部12a、夾持部12b、旋動機構12c及工作台移動機構12d。吸附部12a係以將晶圓環構造體W吸附於Z1方向側之上表面之方式構成。吸附部12a係設置有抽吸孔及抽吸管路等，以吸附晶圓環構造體W之環狀構件W3之Z2方向側之下表面的工作台。吸附部12a經由旋動機構12c支持於工作台移動機構12d。夾持部12b設置於吸附部12a之上端部。夾持部12b係以壓住被吸附部12a吸附之晶圓環構造體W之方式構成。夾持部12b自Z1方向側壓住被吸附部12a吸附之晶圓環構造體W之環狀構件W3。如此，晶圓環構造體W由吸附部12a及夾持部12b固持。
旋動機構12c係以使吸附部12a於環繞與Z方向平行地延伸之旋動中心軸線C之圓周方向上旋動之方式構成。旋動機構12c安裝於工作台移動機構12d之上端部。工作台移動機構12d係以使晶圓環構造體W於X方向及Y方向上移動之方式構成。工作台移動機構12d具有X方向移動機構121及Y方向移動機構122。X方向移動機構121係以使旋動機構12c於X1方向或X2方向上移動之方式構成。X方向移動機構121例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。Y方向移動機構122係以使旋動機構12c於Y1方向或Y2方向上移動之方式構成。Y方向移動機構122例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。
〈雷射部〉 雷射部13係以對固持於卡盤工作台部12之晶圓環構造體W之晶圓W1照射雷射光之方式構成。雷射部13配置於卡盤工作台部12之Z1方向側。雷射部13具有雷射照射部13a、安裝構件13b及Z方向移動機構13c。雷射照射部13a係以照射脈衝雷射光之方式構成。安裝構件13b係供安裝雷射部13及攝像部14之框架。Z方向移動機構13c係以使雷射部13於Z1方向或Z2方向上移動之方式構成。Z方向移動機構13c例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。再者，雷射照射部13a只要能形成藉由多光子吸收而實現之改質層，亦可為將除了脈衝雷射光以外之連續波雷射光作為雷射光進行振盪之雷射照射部。
〈攝像部〉 攝像部14係以拍攝固持於卡盤工作台部12之晶圓環構造體W之晶圓W1之方式構成。攝像部14配置於卡盤工作台部12之Z1方向側。攝像部14具有高解析度相機14a、廣角相機14b、Z方向移動機構14c及Z方向移動機構14d。
高解析度相機14a及廣角相機14b為近紅外線攝像用相機。高解析度相機14a之視野角較廣角相機14b窄。高解析度相機14a之解析度較廣角相機14b高。廣角相機14b之視野角較高解析度相機14a寬。廣角相機14b之解析度較高解析度相機14a低。高解析度相機14a配置於雷射照射部13a之X1方向側。廣角相機14b配置於雷射照射部13a之X2方向側。如此，高解析度相機14a、雷射照射部13a及廣角相機14b自X1方向側向X2方向側依序鄰接而配置。
Z方向移動機構14c係以使高解析度相機14a於Z1方向或Z2方向上移動之方式構成。Z方向移動機構14c例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。Z方向移動機構14d係以使廣角相機14b於Z1方向或Z2方向上移動之方式構成。Z方向移動機構14d例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。
(擴展裝置) 如圖1、圖6及圖7所示，擴展裝置2係以將晶圓W1分割而形成複數個半導體晶片Ch(參照圖8)之方式構成。又，擴展裝置2係以使複數個半導體晶片Ch彼此之間形成充足之間隙之方式構成。此處，於晶圓W1，藉由在切割裝置1中沿著分割線(切割道)對晶圓W1照射具有透過性之波長之雷射，而形成有改質層。擴展裝置2中，藉由沿著於切割裝置1中已預先形成之改質層分割晶圓W1，而形成複數個半導體晶片Ch。
從而，擴展裝置2中，藉由使片狀構件W2擴展，會沿著改質層分割晶圓W1。又，擴展裝置2中，藉由使片狀構件W2擴展，會使分割而形成之複數個半導體晶片Ch彼此之間隙擴大。
擴展裝置2包含基底201、晶圓盒部202、提昇手部203、吸附手部204、基底205、冷氣供給部206、冷卻單元207、擴展部208、基底209、擴張維持構件210、熱收縮部211、紫外線照射部212、施壓部213及夾持部214。再者，冷氣供給部206及冷卻單元207係申請專利範圍中之「冷卻部」之一例。
〈基底〉 基底201係供設置晶圓盒部202及提昇手部203之基台。基底201俯視下具有矩形形狀。
〈晶圓盒部〉 晶圓盒部202係以可收容複數個晶圓環構造體W之方式構成。晶圓盒部202包含晶圓盒202a、Z方向移動機構202b及一對載置部202c。
晶圓盒202a於Z方向上配置有複數個(3個)。晶圓盒202a具有可收容複數個(5個)晶圓環構造體W之收容空間。晶圓環構造體W以手動作業方式供給及載置於晶圓盒202a。再者，晶圓盒202a亦可收容1～4個晶圓環構造體W，或收容6個以上晶圓環構造體W。又，晶圓盒202a亦可於Z方向上配置有1、2或4個以上。
Z方向移動機構202b係以使晶圓盒202a於Z1方向或Z2方向上移動之方式構成。Z方向移動機構202b例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。又，Z方向移動機構202b具有自下側支持晶圓盒202a之載置台202d。載置台202d根據複數個晶圓盒202a之位置而配置有複數個(3個)。
一對載置部202c於晶圓盒202a之內側配置有複數個(5個)。晶圓環構造體W之環狀構件W3自Z1方向側載置於一對載置部202c。一對載置部202c中之一者自晶圓盒202a之X1方向側之內側面向X2方向側突出。一對載置部202c中之另一者自晶圓盒202a之X2方向側之內側面向X1方向側突出。
〈提昇手部〉 提昇手部203係以可自晶圓盒部202取出晶圓環構造體W之方式構成。又，提昇手部203係以可將晶圓環構造體W收容至晶圓盒部202之方式構成。
具體而言，提昇手部203包含Y方向移動機構203a及提昇手203b。Y方向移動機構203a例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。提昇手203b係以自Z2方向側支持晶圓環構造體W之環狀構件W3之方式構成。
〈吸附手部〉 吸附手部204係以自Z1方向側吸附晶圓環構造體W之環狀構件W3之方式構成。
具體而言，吸附手部204包含X方向移動機構204a、Z方向移動機構204b及吸附手204c。X方向移動機構204a係以使吸附手204c於X方向上移動之方式構成。Z方向移動機構204b係以使吸附手204c於Z方向上移動之方式構成。X方向移動機構204a及Z方向移動機構204b例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。吸附手204c係以自Z1方向側吸附晶圓環構造體W之環狀構件W3而加以支持之方式構成。此處，吸附手204c中，藉由產生負壓，而支持晶圓環構造體W之環狀構件W3。
〈基底〉 如圖7及圖8所示，基底205係供設置擴展部208、冷卻單元207、紫外線照射部212及施壓部213之基台。基底205俯視下具有矩形形狀。再者，圖8中以虛線表示配置於冷卻單元207之Z1方向之位置之夾持部214。
〈冷氣供給部〉 冷氣供給部206係以於藉由擴展部208使片狀構件W2擴展時，自Z1方向側向片狀構件W2供給冷氣之方式構成。
具體而言，冷氣供給部206具有供給部本體206a、冷氣供給口206b及移動機構206c。冷氣供給口206b係以使自冷氣供給裝置供給之冷氣流出之方式構成。冷氣供給口206b設置於供給部本體206a之Z2方向側之端部。冷氣供給口206b配置於供給部本體206a之Z2方向側之端部之中央部。移動機構206c例如具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達。
冷氣供給裝置係用以產生冷氣之裝置。冷氣供給裝置例如供給經熱泵等加以冷卻後之空氣。此種冷氣供給裝置設置於基底205。冷氣供給部206與冷卻供給裝置藉由軟管(未圖示)而連接。
〈冷卻單元〉 冷卻單元207係以自Z2方向側冷卻片狀構件W2之方式構成。
冷卻單元207包含具有冷卻體271及珀爾帖元件272之冷卻構件207a、Z方向移動機構207b。冷卻體271由熱容量大且熱導率高之構件構成。冷卻體271由鋁等金屬形成。珀爾帖元件272係以使冷卻體271冷卻之方式構成。再者，冷卻體271並不限定於鋁，亦可為其他熱容量大且熱導率高之構件。Z方向移動機構207b為汽缸。
冷卻單元207係以可藉由Z方向移動機構207b於Z1方向或Z2方向上移動之方式構成。藉此，冷卻單元207可移動至與片狀構件W2接觸之位置、及與片狀構件W2分隔之位置。
〈擴展部〉 擴展部208係以藉由擴展晶圓環構造體W之片狀構件W2，而沿著分割線分割晶圓W1之方式構成。
擴展部208具有擴展環281。擴展環281係以藉由自Z2方向側支持片狀構件W2，而使片狀構件W2擴展(擴張)之方式構成。擴展環281俯視下具有環狀形狀。再者，關於擴展環281之構造，將於後文詳細地進行說明。
〈基底〉 基底209係供設置冷氣供給部206、擴張維持構件210及熱收縮部211之基材。
〈擴張維持構件〉 如圖7及圖8所示，擴張維持構件210係以自Z1方向側壓住片狀構件W2，避免晶圓W1附近之片狀構件W2因加熱環211a所實施之加熱而發生收縮之方式構成。
具體而言，擴張維持構件210具有擠壓環部210a、蓋部210b及吸氣部210c。擠壓環部210a俯視下具有環狀形狀。蓋部210b以堵住擠壓環部210a之開口之方式設置於擠壓環部210a。吸氣部210c係俯視下具有環狀形狀之吸氣環。於吸氣部210c之Z2方向側之下表面形成有複數個吸氣口。又，擠壓環部210a係以藉由Z方向移動機構210d於Z方向上移動之方式構成。即，Z方向移動機構210d係以使擠壓環部210a向壓住片狀構件W2之位置、及離開片狀構件W2之位置移動之方式構成。Z方向移動機構210d例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。
〈熱收縮部〉 熱收縮部211係以使藉由擴展部208而擴展後之片狀構件W2以保持著複數個半導體晶片Ch彼此之間之間隙之狀態藉由加熱而收縮之方式構成。
熱收縮部211具有加熱環211a及Z方向移動機構211b。加熱環211a俯視下具有環狀形狀。又，加熱環211a具有加熱片狀構件W2之封裝加熱器。Z方向移動機構211b係以使加熱環211a於Z方向上移動之方式構成。Z方向移動機構211b例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。
〈紫外線照射部〉 紫外線照射部212係以對片狀構件W2照射紫外線Ut，以使片狀構件W2之黏著層之黏著力降低之方式構成。具體而言，紫外線照射部212具有紫外線用照明。紫外線照射部212配置於施壓部213之下述擠壓部213a之Z1方向側之端部。紫外線照射部212係以一面與施壓部213一併移動，一面對片狀構件W2照射紫外線Ut之方式構成。
〈施壓部〉 施壓部213係以於使片狀構件W2擴展後，自Z2方向側局部擠壓晶圓W1，藉此沿著改質層進而分割晶圓W1之方式構成。具體而言，施壓部213具有擠壓部213a、Z方向移動機構213b、X方向移動機構213c及旋動機構213d。
擠壓部213a係以經由片狀構件W2自Z2方向側擠壓晶圓W1，同時藉由旋動機構213d及X方向移動機構213c移動，藉此使晶圓W1產生彎曲應力而沿著改質層分割晶圓W1之方式構成。擠壓部213a藉由Z方向移動機構213b向Z1方向側之上升位置上升，藉此經由片狀構件W2抵接於晶圓W1，從而擠壓晶圓W1。擠壓部213a藉由Z方向移動機構213b向Z2方向側之下降位置下降，藉此解除與晶圓W1之抵接，從而不再擠壓晶圓W1。擠壓部213a為施壓器。
擠壓部213a安裝於Z方向移動機構213b之Z1方向側之端部。Z方向移動機構213b係以使擠壓部213a於Z1方向或Z2方向上直線移動之方式構成。Z方向移動機構213b例如為汽缸。Z方向移動機構213b安裝於X方向移動機構213c之Z1方向側之端部。
X方向移動機構213c安裝於旋動機構213d之Z1方向側之端部。X方向移動機構213c係以使擠壓部213a於一方向上直線移動之方式構成。X方向移動機構213c例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。
施壓部213中，使擠壓部213a藉由Z方向移動機構213b上升至上升位置。施壓部213中，使擠壓部213a經由片狀構件W2自Z2方向側局部擠壓晶圓W1，同時使擠壓部213a藉由X方向移動機構213c於Y方向上移動，藉此分割晶圓W1。施壓部213中，使擠壓部213a藉由Z方向移動機構213b下降至下降位置。施壓部213中，於擠壓部213a之Y方向上之移動結束後，使擠壓部213a藉由旋動機構213d旋動90度。
施壓部213中，使擠壓部213a藉由Z方向移動機構213b上升至上升位置。施壓部213中，於擠壓部213a旋動90度後，使擠壓部213a經由片狀構件W2自Z2方向側局部擠壓晶圓W1，同時使擠壓部213a藉由X方向移動機構213c於X方向上移動，藉此分割晶圓W1。
〈夾持部〉 夾持部214係以固持晶圓環構造體W之環狀構件W3之方式構成。具體而言，夾持部214具有固持部214a、Z方向移動機構214b及Y方向移動機構214c。固持部214a自Z2方向側支持環狀構件W3，並且自Z1方向側壓住環狀構件W3。如此，環狀構件W3由固持部214a固持。固持部214a安裝於Z方向移動機構214b。
Z方向移動機構214b係以使夾持部214於Z方向上移動之方式構成。具體而言，Z方向移動機構214b係以使固持部214a於Z1方向或Z2方向上移動之方式構成。Z方向移動機構214b例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。Z方向移動機構214b安裝於Y方向移動機構214c。Y方向移動機構214c係以使Z方向移動機構214b於Y1方向或Y2方向上移動之方式構成。Y方向移動機構214c例如包含具有線性輸送器模組、或附滾珠螺桿及編碼器之馬達之驅動部。
(半導體晶圓之加工裝置之控制體系之構成) 如圖9所示，半導體晶圓之加工裝置100具備第1控制部101、第2控制部102、第3控制部103、第4控制部104、第5控制部105、第6控制部106、第7控制部107、第8控制部108、擴展控制運算部109、處理控制運算部110、切割控制運算部111及記憶部112。
第1控制部101係以控制施壓部213之方式構成。第1控制部101包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、具有ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)及RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)等之記憶部。再者，第1控制部101亦可包含電壓被阻斷後依然保持所記憶之資訊之HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)等作為記憶部。又，HDD亦可為相對於第1控制部101、第2控制部102、第3控制部103、第4控制部104、第5控制部105、第6控制部106、第7控制部107及第8控制部108而共通設置。
第2控制部102係以控制冷氣供給部206及冷卻單元207之方式構成。第2控制部102包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。第3控制部103係以控制熱收縮部211及紫外線照射部212之方式構成。第3控制部103包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。再者，第2控制部102及第3控制部103亦可包含電壓被阻斷後依然保持所記憶之資訊之HDD等作為記憶部。
第4控制部104係以控制晶圓盒部202及提昇手部203之方式構成。第4控制部104包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。第5控制部105係以控制吸附手部204之方式構成。第5控制部105包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。再者，第4控制部104及第5控制部105亦可包含電壓被阻斷後依然保持所記憶之資訊之HDD等作為記憶部。
第6控制部106係以控制卡盤工作台部12之方式構成。第6控制部106包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。第7控制部107係以控制雷射部13之方式構成。第7控制部107包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。第8控制部108係以控制攝像部14之方式構成。第8控制部108包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。再者，第6控制部106、第7控制部107及第8控制部108亦可包含電壓被阻斷後依然保持所記憶之資訊之HDD等作為記憶部。
擴展控制運算部109係以基於第1控制部101、第2控制部102及第3控制部103之處理結果，而進行與片狀構件W2之擴展處理相關之運算之方式構成。擴展控制運算部109包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。
處理控制運算部110係以基於第4控制部104及第5控制部105之處理結果，而進行與晶圓環構造體W之移動處理相關之運算之方式構成。處理控制運算部110包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。
切割控制運算部111係以基於第6控制部106、第7控制部107及第8控制部108之處理結果，而進行與晶圓W1之切割處理相關之運算之方式構成。切割控制運算部111包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。
記憶部112記憶有用以使切割裝置1及擴展裝置2動作之程式。記憶部19包含ROM、RAM及HDD等。
(半導體晶片製造處理) 以下，參照圖10及圖11，對半導體晶圓之加工裝置100之整體動作進行說明。
步驟S1中，自晶圓盒部202取出晶圓環構造體W。即，藉由提昇手203b支持被收容於晶圓盒部202內之晶圓環構造體W後，使提昇手203b藉由Y方向移動機構31向Y1方向側移動，藉此自晶圓盒部202取出晶圓環構造體W。步驟S2中，藉由吸附手204c將晶圓環構造體W移載至切割裝置1之卡盤工作台部12。即，使自晶圓盒部202取出之晶圓環構造體W以被吸附手204c吸附之狀態，藉由X方向移動機構204a向X2方向側移動。然後，使移動至X2方向側之晶圓環構造體W於自吸附手204c移載至卡盤工作台部12後，由卡盤工作台部12固持。
步驟S3中，藉由雷射部13於晶圓W1形成改質層。步驟S4中，藉由吸附手204c將具有已形成改質層之晶圓W1之晶圓環構造體W移載至夾持部214。步驟S5中，藉由冷氣供給部206及冷卻單元207冷卻片狀構件W2。即，藉由Z方向移動機構214b使固持於夾持部214之晶圓環構造體W於Z2方向上移動(下降)而與冷卻單元207接觸，並且藉由冷氣供給部206自Z1方向側供給冷氣，藉此冷卻片狀構件W2。
步驟S6中，使晶圓環構造體W藉由夾持部214移動至擴展部208。即，使片狀構件W2已被冷卻之晶圓環構造體W以固持於夾持部214之狀態，藉由Y方向移動機構214c於Y1方向上移動。步驟S7中，藉由擴展部208擴展片狀構件W2。即，使晶圓環構造體W以固持於夾持部214之狀態，藉由Z方向移動機構214b於Z2方向上移動。然後，使片狀構件W2抵接於擴展環281，並且藉由擴展環281加以拉伸，藉此使之擴展。從而，將晶圓W1沿著分割線(改質層)分割。
步驟S8中，藉由擴張維持構件210自Z1方向側壓住已被擴展狀態之片狀構件W2。即，使擠壓環部210a藉由Z方向移動機構210d於Z2方向上移動(下降)直至與片狀構件W2抵接為止。然後，經由圖10之A點至圖11之A點進入步驟S9。
如圖11所示，步驟S9中，藉由擴張維持構件210壓住片狀構件W2後，一面藉由施壓部213擠壓晶圓W1，一面藉由紫外線照射部212對片狀構件W2照射紫外線Ut。藉此，晶圓W1被施壓部213進而分割。又，片狀構件W2之黏著力藉由自紫外線照射部212照射之紫外線Ut而降低。
步驟S10中，藉由熱收縮部211加熱片狀構件W2，使之收縮，同時使夾持部214上升。此時，吸氣部210c被加熱而吸入片狀構件W2附近之空氣。步驟S11中，將晶圓環構造體W自夾持部214移載至吸附手204c。即，使晶圓環構造體W以固持於夾持部214之狀態，藉由Y方向移動機構214c於Y2方向上移動。然後，於冷卻單元207之Z1方向側之位置處，解除夾持部214對晶圓環構造體W之固持，其後藉由吸附手204c吸附該晶圓環構造體W。
步驟S12中，藉由吸附手204c將晶圓環構造體W移載至提昇手203b。步驟S13中，將晶圓環構造體W收容至晶圓盒部202。即，使由提昇手203b支持之晶圓環構造體W藉由Y方向移動機構203a向Y1方向側移動，藉此將晶圓環構造體W收容至晶圓盒部202。藉由上述步驟，對1片晶圓環構造體W所進行之處理結束。然後，經由圖11之B點至圖10之B點返回步驟S1。
(擴展部、擴張維持構件、紫外線照射部及施壓部之詳細構成) 參照圖12及圖13，對擴展部208、擴張維持構件210、紫外線照射部212及施壓部213之詳細構成進行說明。再者，圖12中未圖示擴展裝置2之熱收縮部211以便說明。
圖12所示之擴展裝置2中，示出了進行擴展環281對片狀構件W2之擴展前之狀態。此處，夾持部214配置於上升位置Up。即，固持部214a藉由Z方向移動機構214b配置於上升位置Up。
圖13所示之擴展裝置2中，示出了正進行擴展環281對片狀構件W2之擴展之狀態。此處，夾持部214配置於下降位置Lw。即，固持部214a正藉由Z方向移動機構214b自上升位置Up向下降位置Lw朝Z2方向側移動。
片狀構件W2於固持部214a自上升位置Up向下降位置Lw朝Z2方向側移動時，藉由與擴展環281之上端部281a抵接而延展。此時，晶圓W1被片狀構件W2拉伸，藉此於晶圓W1內產生拉伸應力，因此沿著形成於晶圓W1之改質層分割晶圓W1。藉此，形成複數個半導體晶片Ch。
〈擴展部〉 擴展部208具有擴展環281，該擴展環281於夾持部214固持著晶圓環構造體W之狀態下，使片狀構件W2擴展，藉此將晶圓W1分割成相互設置有間隔Mr之狀態之複數個半導體晶片Ch。即，擴展環281係以利用藉由Z方向移動機構214b自上升位置Up向下降位置Lw朝Z2方向側移動之夾持部214而擴展片狀構件W2之方式構成。
擴展環281固定於基底205上。擴展環281之上端部281a配置於Z方向上之規定高度位置Hd。規定高度位置Hd係以基底205之上表面為基準之高度位置。如此，擴展環281之上端部281a保持配置於規定高度位置Hd之狀態。
如圖14所示，擴張維持構件210係以維持晶圓W1附近之片狀構件W2之擴展狀態之方式構成。圖14中未圖示擴展裝置2之熱收縮部211以便說明。
具體而言，擴張維持構件210具有擠壓環部210a及蓋部210b。
擠壓環部210a俯視下具有以包圍晶圓W1之方式配置之圓筒形狀。蓋部210b係以覆蓋擠壓環部210a之向Z1方向敞開之開口之方式設置。蓋部210b以堵住擠壓環部210a之向Z1方向敞開之開口之方式設置於擠壓環部210a之內側1210a。蓋部210b設置於擠壓環部210a之內側1210a之Z1方向側之端部。內側1210a係圓筒形狀之擠壓環部210a之徑向上之內側。
紫外線照射部212係以自Z2方向側對擴展狀態之片狀構件W2照射紫外線Ut之方式構成。又，紫外線照射部212配置於擴展狀態之片狀構件W2之晶圓W1之Z2方向之位置。
藉由圓筒形狀之擠壓環部210a與蓋部210b自Z1方向側覆蓋晶圓W1，藉此避免自紫外線照射部212照射之紫外線Ut從擴張維持構件210向外部洩漏。如此，擴張維持構件210不僅具有維持晶圓W1附近之片狀構件W2之擴展狀態之功能，還具有遮蔽紫外線Ut之功能。又，擴張維持構件210為了抑制因遮蔽紫外線Ut而導致之材質之劣化，而由不鏽鋼等金屬形成。
如圖15及圖16所示，於晶圓W1設置有膜W4。圖15所示之例中，膜W4設置於晶圓W1與片狀構件W2之間。又，圖16所示之例中，膜W4相對於晶圓W1而設置於與片狀構件W2相反之側。膜W4例如為DAF(Die Attachment Film，晶粒黏著膜)等接著劑層或Low-k(低介電常數)膜等絕緣膜。
如圖17所示，片狀構件W2及膜W4藉由冷卻而變硬。此處，若如冷卻至溫度t1之情形般，片狀構件W2不變硬，則進行擴展後，僅晶圓W1之外側部分之片狀構件W2延展，且晶圓W1未被分割。另一方面，若如冷卻至溫度t3之情形般，片狀構件W2變得過硬，則進行擴展後，片狀構件W2破斷。又，若如冷卻至溫度t1之情形般，膜W4不變硬，則進行擴展後，膜W4延展，且與晶圓W1一併未被分割。又，若如冷卻至溫度t4之情形般，將片狀構件W2及膜W4極度冷卻，則片狀構件W2及膜W4會固體化。因此，進行擴展時，需將片狀構件W2及膜W4冷卻至合適之冷卻溫度。
此處，本實施方式中，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及設置於晶圓W1之膜W4冷卻至使膜W4變得較片狀構件W2硬之冷卻溫度。具體而言，冷氣供給部206及冷卻單元207將其等冷卻至較使片狀構件W2之硬度小於膜W4之硬度之溫度t2小，且較不使片狀構件W2變得過硬之溫度t3大之範圍內之冷卻溫度。
即，由該擴展裝置2實施之半導體晶片之製造方法中，包含如下工序：將配置有包含複數個半導體晶片Ch之晶圓W1且可延展之片狀構件W2、及設置於晶圓W1之膜W4冷卻至使膜W4變得較片狀構件W2硬之冷卻溫度；及拉伸已被冷卻至冷卻溫度之片狀構件W2，而將晶圓W1分割成複數個半導體晶片Ch。
又，使用該擴展裝置2製造所得之半導體晶片Ch係由擴展裝置2製造而成，上述擴展裝置2具備：冷氣供給部206及冷卻單元207，其等將配置有包含複數個半導體晶片Ch之晶圓W1且可延展之片狀構件W2、及設置於晶圓W1之膜W4冷卻至使膜W4變得較片狀構件W2硬之冷卻溫度；及擴展部208，其拉伸已被冷氣供給部206及冷卻單元207冷卻至冷卻溫度之片狀構件W2，而將晶圓W1分割成複數個半導體晶片Ch。
又，本實施方式中，片狀構件W2及膜W4之相對溫度之硬度於規定溫度下，大小關係反轉，且冷氣供給部206及冷卻單元207將其等冷卻至比使膜W4變得較片狀構件W2硬之規定溫度低之溫度。圖17所示之例中，片狀構件W2及膜W4之相對溫度之硬度於溫度t2下，大小關係反轉。
又，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及膜W4冷卻至使膜W4變得較片狀構件W2硬且使片狀構件W2之硬度小於規定之值的冷卻溫度範圍內之冷卻溫度。圖17所示之例中，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及膜W4冷卻至較溫度t3大且較溫度t2小之冷卻溫度範圍內之冷卻溫度。
如圖18所示，在關於相對溫度之硬度，片狀構件W2中之不均大於膜W4中之不均之情形時，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及膜W4冷卻至冷卻溫度範圍內較高一側之溫度。圖18所示之例中，在關於相對溫度之硬度，片狀構件W2中之不均較大之情形時，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及膜W4冷卻至冷卻溫度範圍(較溫度t2大且較溫度t3小之溫度範圍)內之較中央之溫度ta高之溫度tb。即，片狀構件W2之相對溫度之硬度不均之情形時，為免片狀構件W2變得過硬，冷卻溫度設定為冷卻溫度範圍內之較中央之溫度ta高之溫度tb。
如圖19所示，在關於相對溫度之硬度，片狀構件W2中之不均小於膜W4中之不均之情形時，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及膜W4冷卻至冷卻溫度範圍內較低一側之溫度。圖19所示之例中，在關於相對溫度之硬度，膜W4中之不均較大之情形時，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及膜W4冷卻至冷卻溫度範圍(較溫度t2大且較溫度t3小之溫度範圍)內之較中央之溫度ta低之溫度tc。即，膜W4之相對溫度之硬度不均之情形時，為了使膜W4確實地變硬，冷卻溫度設定為冷卻溫度範圍內之較中央之溫度ta低之溫度tc。
又，冷氣供給部206及冷卻單元207之冷卻溫度預先由作業人員設定(決定)。具體而言，測定片狀構件W2及膜W4之相對溫度之硬度，基於測定所得之結果，決定冷卻溫度。
(實施方式之效果) 本實施方式中，能獲得如下所述之效果。
本實施方式中，如上所述，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及設置於晶圓W1之膜W4冷卻至使膜W4變得較片狀構件W2硬之冷卻溫度。藉此，能將膜W4與晶圓W1一併分割，並且能抑制片狀構件W2破斷。其結果，能確實地擴展配置有包含複數個半導體晶片Ch之晶圓W1且可延展之片狀構件W2，並且能確實地分割設置於晶圓W1之膜W4。藉此，能進一步提高藉由擴展來分割晶圓之良率。
又，本實施方式中，如上所述，片狀構件W2及膜W4之相對溫度之硬度於規定溫度下，大小關係反轉，且冷氣供給部206及冷卻單元207將其等冷卻至比使膜W4變得較片狀構件W2硬之規定溫度低之溫度。藉此，片狀構件W2之硬度與膜W4之硬度反轉，從而能於膜W4變得較片狀構件W2硬之狀態下進行擴展，因此能更確實地分割膜W4。
又，本實施方式中，如上所述，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及膜W4冷卻至使膜W4變得較片狀構件W2硬且使片狀構件W2之硬度小於規定之值的冷卻溫度範圍內之冷卻溫度。藉此，能於冷卻至不使片狀構件W2變得過硬且使膜W4變得較硬之冷卻溫度之狀態下，擴展片狀構件W2。
又，本實施方式中，如上所述，在關於相對溫度之硬度，片狀構件W2中之不均大於膜W4中之不均之情形時，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及膜W4冷卻至冷卻溫度範圍內較高一側之溫度。藉此，即便關於相對溫度之硬度，片狀構件W2中之不均較大時，亦能冷卻至不達片狀構件W2破斷之溫度之冷卻溫度。
又，本實施方式中，如上所述，在關於相對溫度之硬度，片狀構件W2中之不均小於膜W4中之不均之情形時，冷氣供給部206及冷卻單元207將片狀構件W2及膜W4冷卻至冷卻溫度範圍內較低一側之溫度。藉此，即便關於相對溫度之硬度，膜W4中之不均較大時，亦能冷卻至使膜W4可確實地分割之冷卻溫度。
又，本實施方式中，如上所述，測定片狀構件W2及膜W4之相對溫度之硬度，並基於測定所得之結果，決定冷卻溫度。藉此，能基於片狀構件W2及膜W4之相對溫度之硬度之測定結果，精度良好地決定能將膜W4分割且不會使片狀構件W2破斷之冷卻溫度。
[變化例] 再者，此次所揭示之實施方式所有方面皆為例示，不應認為其具有限制性。本發明之範圍不由上述實施方式之說明提示，而由申請專利範圍提示，進而包含與申請專利範圍等同之含義及範圍內之所有變更(變化例)。
例如，上述實施方式中，示出了設置有擴展裝置、及對晶圓進行切割之切割裝置之構成之例，但本發明並不限於此。於本發明中，亦可不同時設置擴展裝置及切割裝置，而僅單獨使用擴展裝置。又，除了擴展裝置及切割裝置以外，亦可進而設置其他裝置。例如，亦可除了擴展裝置及切割裝置以外，進而設置研磨晶圓之研磨裝置。
又，上述實施方式中，示出了利用由作為冷卻部之冷氣供給部所得之冷氣、及冷卻單元之珀爾帖元件兩者來冷卻片狀構件及膜之構成之例，但本發明並不限於此。於本發明中，亦可利用由冷氣供給部所得之冷氣、及珀爾帖元件中之任一者來冷卻片狀構件及膜。
又，上述實子形態中，示出了冷卻部冷卻片狀構件及膜之位置與擴展部擴展片狀構件之位置互不相同之構成之例，但本發明並不限於此。於本發明中，冷卻部冷卻片狀構件及膜之位置與擴展部擴展片狀構件之位置亦可為相同位置。
又，上述實施方式中，示出了切割裝置對晶圓照射雷射，使之產生龜裂而進行切割之構成之例，但本發明並不限於此。於本發明中，切割裝置可藉由雷射之照射切斷晶圓，亦可藉由刀片切斷晶圓。
又，上述實施方式中，示出了擴張維持構件具有蓋部之例，但本發明並不限於此。於本發明中，擴張維持構件亦可不具有蓋部。
又，上述實施方式中，示出了擴展裝置包含紫外線照射部之例，但本發明並不限於此。於本發明中，擴展裝置亦可不包含紫外線照射部。
又，上述實施方式中，示出了擴展裝置包含施壓部之例，但本發明並不限於此。於本發明中，擴展裝置亦可不包含施壓部。
又，上述實施方式中，示出了擴展裝置之施壓部配置於擴展環之內側之例，但本發明並不限於此。於本發明中，擴展裝置之施壓部亦可配置於擴展環之外側。該情形時，施壓部亦可設置於擴展部與冷卻部之間。
又，上述實施方式中，為便於說明，所示之例為：使用按照處理流程依序進行處理之流程驅動型之流程圖，來說明控制處理；但本發明並不限於此。於本發明中，亦可藉由以事件為單位執行處理之事件驅動型(事件從動型)之處理，來進行擴展控制運算部之控制處理。該情形時，可採用完全事件驅動型來進行處理，亦可將事件驅動與流程驅動組合來進行處理。
1:切割裝置 2:擴展裝置 11:基底 12:卡盤工作台部 12a:吸附部 12b:夾持部 12c:旋動機構 12d:工作台移動機構 13:雷射部 13a:雷射照射部 13b:安裝構件 13c:Z方向移動機構 14:攝像部 14a:高解析度相機 14b:廣角相機 14c:Z方向移動機構 14d:Z方向移動機構 100:半導體晶圓之加工裝置 101:第1控制部 102:第2控制部 103:第3控制部 104:第4控制部 105:第5控制部 106:第6控制部 107:第7控制部 108:第8控制部 109:擴展控制運算部 110:處理控制運算部 111:切割控制運算部 112:記憶部 121:X方向移動機構 122:Y方向移動機構 201:基底 202:晶圓盒部 202a:晶圓盒 202b:Z方向移動機構 202c:載置部 203:提昇手部 203a:Y方向移動機構 203b:提昇手 204:吸附手部 204a:X方向移動機構 204b:Z方向移動機構 204c:吸附手 205:基底 206:冷氣供給部 206a:供給部本體 206b:冷氣供給口 206c:移動機構 207:冷卻單元 207a:冷卻構件 207b:Z方向移動機構 208:擴展部 209:基底 210:擴張維持構件 210a:擠壓環部 210b:蓋部 210c:吸氣部 210d:Z方向移動機構 211:熱收縮部 211a:加熱環 211b:Z方向移動機構 212:紫外線照射部 213:施壓部 213a:擠壓部 213b:Z方向移動機構 213c:X方向移動機構 213d:旋動機構 214:夾持部 214a:固持部 214b:Z方向移動機構 214c:Y方向移動機構 271:冷卻體 272:珀爾帖元件 281:擴展環 Ch:半導體晶片 Ut:紫外線 W:晶圓環構造體 W1:晶圓 W2:片狀構件 W3:環狀構件 W21:片狀構件之上表面
圖1係表示一實施方式之設置有切割裝置及擴展裝置的半導體晶圓之加工裝置之俯視圖。 圖2係表示於一實施方式之半導體晶圓之加工裝置中施以加工之晶圓環構造體之俯視圖。 圖3係沿著圖2之III-III線之剖視圖。 圖4係一實施方式之與擴展裝置鄰接而配置之切割裝置之俯視圖。 圖5係一實施方式之與擴展裝置鄰接而配置之切割裝置的自Y2方向側觀察之側視圖。 圖6係一實施方式之擴展裝置之俯視圖。 圖7係一實施方式之擴展裝置之自Y2方向側觀察之側視圖。 圖8係一實施方式之擴展裝置之自X1方向側觀察之側視圖。 圖9係表示一實施方式之半導體晶圓之加工裝置的控制體系之構成之方塊圖。 圖10係一實施方式之半導體晶圓之加工裝置的半導體晶片製造處理之前半部分之流程圖。 圖11係一實施方式之半導體晶圓之加工裝置的半導體晶片製造處理之後半部分之流程圖。 圖12係表示一實施方式之擴展裝置中夾持部配置於上升位置之狀態之側視圖。 圖13係表示一實施方式之擴展裝置中夾持部配置於下降位置之狀態之側視圖。 圖14係表示一實施方式之擴展裝置中紫外線照射部照射了紫外線之狀態之側視圖。 圖15係表示一實施方式之晶圓環構造體之第1例之側面剖視圖。 圖16係表示一實施方式之晶圓環構造體之第2例之側面剖視圖。 圖17係表示一實施方式之晶圓環構造體之片狀構件及膜的冷卻溫度與硬度之關係之圖。 圖18係表示一實施方式之晶圓環構造體之片狀構件之硬度存在不均時片狀構件及膜之冷卻溫度與硬度之關係之圖。 圖19係表示一實施方式之晶圓環構造體之膜之硬度存在不均時片狀構件及膜之冷卻溫度與硬度之關係之圖。

Claims (12)

  1. 一種擴展裝置，其具備： 冷卻部，其將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件、及設置於上述晶圓之膜冷卻至使上述膜變得較上述片狀構件硬之冷卻溫度；及 擴展部，其拉伸已被上述冷卻部冷卻至上述冷卻溫度之上述片狀構件，而將上述晶圓分割成複數個上述半導體晶片。
  2. 如請求項1之擴展裝置，其中上述片狀構件及上述膜之相對溫度之硬度於規定溫度下，大小關係反轉，且 上述冷卻部將其等冷卻至比使上述膜變得較上述片狀構件硬之上述規定溫度低之溫度。
  3. 如請求項1或2之擴展裝置，其中上述冷卻部將上述片狀構件及上述膜冷卻至使上述膜變得較上述片狀構件硬且使上述片狀構件之硬度小於規定之值的冷卻溫度範圍內之上述冷卻溫度。
  4. 如請求項3之擴展裝置，其中在關於相對溫度之硬度，上述片狀構件中之不均大於上述膜中之不均之情形時，上述冷卻部將上述片狀構件及上述膜冷卻至上述冷卻溫度範圍內較高一側之溫度。
  5. 如請求項3之擴展裝置，其中在關於相對溫度之硬度，上述片狀構件中之不均小於上述膜中之不均之情形時，上述冷卻部將上述片狀構件及上述膜冷卻至上述冷卻溫度範圍內較低一側之溫度。
  6. 一種半導體晶片之製造方法，其包含如下工序： 將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件、及設置於上述晶圓之膜冷卻至使上述膜變得較上述片狀構件硬之冷卻溫度；及 拉伸已被冷卻至上述冷卻溫度之上述片狀構件，而將上述晶圓分割成複數個上述半導體晶片。
  7. 如請求項6之半導體晶片之製造方法，其中上述片狀構件及上述膜之相對溫度之硬度於規定溫度下，大小關係反轉，且 冷卻上述膜之工序中，冷卻至比使上述膜變得較上述片狀構件硬之上述規定溫度低之溫度。
  8. 如請求項6或7之半導體晶片之製造方法，其進而包含如下工序： 測定上述片狀構件及上述膜之相對溫度之硬度；及 基於測定所得之結果，決定上述冷卻溫度。
  9. 如請求項8之半導體晶片之製造方法，其中將上述片狀構件及上述膜冷卻至上述冷卻溫度之工序中，將上述片狀構件及上述膜冷卻至於使上述膜變得較上述片狀構件硬且使上述片狀構件之硬度小於規定之值的冷卻溫度範圍內決定之上述冷卻溫度。
  10. 如請求項9之半導體晶片之製造方法，其中將上述片狀構件及上述膜冷卻至上述冷卻溫度之工序中，在關於相對溫度之硬度，上述片狀構件中之不均大於上述膜中之不均之情形時，將上述片狀構件及上述膜冷卻至被決定為上述冷卻溫度範圍內較高一側之溫度的上述冷卻溫度。
  11. 如請求項9之半導體晶片之製造方法，其中將上述片狀構件及上述膜冷卻至上述冷卻溫度之工序中，在關於相對溫度之硬度，上述片狀構件中之不均小於上述膜中之不均之情形時，將上述片狀構件及上述膜冷卻至被決定為上述冷卻溫度範圍內較低一側之溫度的上述冷卻溫度。
  12. 一種半導體晶片，其係由擴展裝置製造而成，上述擴展裝置具備：冷卻部，其將配置有包含複數個半導體晶片之晶圓且可延展之片狀構件、及設置於上述晶圓之膜冷卻至使上述膜變得較上述片狀構件硬之冷卻溫度；及擴展部，其拉伸已被上述冷卻部冷卻至上述冷卻溫度之上述片狀構件，而將上述晶圓分割成複數個上述半導體晶片。
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