TWI824409B - 擴展裝置及擴展方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之擴展裝置具備：熱收縮部，其將因擴展部之擴展而產生之片狀構件的晶圓周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮；及紫外線照射部，其藉由熱收縮部加熱片狀構件時，並行地對片狀構件照射紫外線，使片狀構件之黏著力降低。

Description

擴展裝置及擴展方法
本發明係關於一種擴展裝置及擴展方法，尤其關於一種具備使貼附有晶圓之片狀構件之黏著力降低之紫外線照射部之擴展裝置及擴展方法。
先前，已知一種具備使貼附有晶圓之片狀構件之黏著力降低之紫外線照射部的擴展裝置。此種擴展裝置例如於日本專利特開2018-050010號公報中有所揭示。
上述日本專利特開2018-050010號公報中揭示了一種擴展裝置，其具備：紫外線照射部，其使貼附有晶圓之片狀構件之黏著力降低；及擴展部，其將貼附有可沿著分割線分割之晶圓且具有伸縮性之熱收縮性之片狀構件擴展，而沿著分割線分割晶圓。於該擴展裝置中，以藉由紫外線照射部對片狀構件照射紫外線，使片狀構件之黏著力降低後，再藉由擴展部擴展片狀構件之方式構成。又，日本專利特開2018-050010號公報中雖未明記，但需要將因擴展部之擴展而產生之片狀構件的晶圓周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮，因此於先前之擴展裝置中，設置有加熱片狀構件使之收縮之熱收縮部。
然而，於如上述日本專利特開2018-050010號公報所記載之先前之擴展裝置中，藉由紫外線照射部對片狀構件照射紫外線，使片狀構件之黏著力降低後，再藉由擴展部擴展片狀構件，其後藉由熱收縮部加熱片狀構件，使片狀構件之晶圓周圍之部分之鬆弛部收縮。因此，需要依序進行對片狀構件照射紫外線之步驟、擴展片狀構件之步驟、及加熱片狀構件使之收縮之步驟，難以抑制處理時間之增加。因此，期望抑制擴展貼附有晶圓之片狀構件、實施加熱收縮、及使黏著力降低之處理之時間增加。
本發明係為解決如上所述之問題而完成，本發明之目的之一在於，提供一種能抑制擴展貼附有晶圓之片狀構件、實施加熱收縮、及使黏著力降低之處理之時間增加之擴展裝置及擴展方法。 [解決問題之技術手段]
本發明之第1形態之擴展裝置具備：擴展部，其將貼附有可沿著分割線分割之晶圓且具有伸縮性之熱收縮性之片狀構件擴展，而沿著分割線分割晶圓；熱收縮部，其將因擴展部之擴展而產生之片狀構件的晶圓周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮；及紫外線照射部，其於藉由熱收縮部加熱片狀構件時，並行地對片狀構件照射紫外線，使片狀構件之黏著力降低。
於本發明之第1形態之擴展裝置中，如上所述，設置紫外線照射部，該紫外線照射部於藉由熱收縮部加熱片狀構件時，並行地對片狀構件照射紫外線，使片狀構件之黏著力降低。藉此，能一面藉由熱收縮部將片狀構件之晶圓周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮，一面藉由紫外線照射部使片狀構件之黏著力降低。其結果，與依序進行藉由熱收縮部對片狀構件實施之收縮處理、及藉由紫外線照射部使片狀構件之黏著力降低之處理之情形相比，能減少處理之時間。藉此，能抑制擴展貼附有晶圓之片狀構件、實施加熱收縮、及使黏著力降低之處理之時間增加。
於上述第1形態之擴展裝置中，較佳為進而具備紫外線遮蔽部，該紫外線遮蔽部係以覆蓋片狀構件之一側之方式配置，遮蔽自紫外線照射部照射之紫外線，且紫外線照射部係以自片狀構件之另一側對片狀構件照射紫外線之方式構成。採用此種構成，能利用紫外線遮蔽部抑制自紫外線照射部照射之紫外線洩漏至外部。
該情形時，較佳為紫外線遮蔽部包含以包圍片狀構件之晶圓之方式呈環狀形成之側面部、及與片狀構件之相反側之側面部連接之底面部。採用此種構成，能利用紫外線遮蔽部之側面部遮蔽向片狀構件之側方出射之紫外線，並且能利用紫外線遮蔽部之底面部遮蔽向與片狀構件之面垂直之方向出射之紫外線。藉此，能更確實地抑制向片狀構件照射之紫外線洩漏至外部。
於具備上述紫外線遮蔽部之構成之擴展裝置中，較佳為進而具備支持環，該支持環係以藉由紫外線照射部對片狀構件照射紫外線時，抵接於片狀構件之另一側而支持片狀構件，並且包圍紫外線照射部之方式配置，由遮蔽紫外線之材料形成。採用此種構成，能利用支持片狀構件之支持環遮蔽自紫外線照射部向四周出射之紫外線，因此與分別設置支持片狀構件之構件、及遮蔽紫外線之構件之情形相比，能減少零件個數，並且能簡化裝置構成。
該情形時，較佳為紫外線遮蔽部及支持環係以如下方式構成：於藉由紫外線照射部對片狀構件照射紫外線時，並行地藉由熱收縮部使片狀構件收縮之情形下，夾持片狀構件加以保持，藉此維持配置有晶圓之部分之片狀構件之擴張。採用此種構成，能利用遮蔽由紫外線照射部照射之紫外線之紫外線遮蔽部，於藉由熱收縮部使片狀構件收縮時維持配置有晶圓之部分之片狀構件之擴張，因此與另行設置維持片狀構件之擴張之構件之情形相比，能減少零件個數，並且能簡化裝置構成。
於上述第1形態之擴展裝置中，較佳為紫外線照射部係以可於沿著與片狀構件之面交叉之方向配置之紫外線照射位置與退避位置之間移動之方式構成。採用此種構成，於對片狀構件照射紫外線之情形時，能使紫外線照射部移動至紫外線照射位置，於不對片狀構件照射紫外線之情形時，能使紫外線照射部退避至退避位置。藉此，於已使紫外線照射部退避之情形時，能對片狀構件進而實施其他處理，因此能對相同位置之片狀構件實施複數種處理。
於上述第1形態之擴展裝置中，較佳為紫外線照射部對所照射之紫外線之強度進行調整，以於藉由熱收縮部加熱片狀構件使之收縮時之作業時間內，結束使片狀構件之黏著力降低之紫外線之照射處理。採用此種構成，能於加熱片狀構件使之收縮之作業內，結束照射紫外線以使片狀構件之黏著力降低之處理，因此能抑制產生等待照射紫外線以使片狀構件之黏著力降低之處理結束的待機時間。其結果，能有效地抑制擴展貼附有晶圓之片狀構件、實施加熱收縮、及使黏著力降低之處理之時間增加。
本發明之第2形態之擴展方法係將貼附有可沿著分割線分割之晶圓且具有伸縮性之熱收縮性之片狀構件擴展，而沿著分割線分割晶圓；其後，將因擴展片狀構件而產生之片狀構件的晶圓周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮；加熱片狀構件使之收縮時，並行地對片狀構件照射紫外線，使片狀構件之黏著力降低。
於本發明之第2形態之擴展方法中，如上所述，加熱片狀構件使之收縮時，並行地對片狀構件照射紫外線，使片狀構件之黏著力降低。藉此，能一面加熱片狀構件之晶圓周圍之部分之鬆弛部，使之收縮，一面藉由照射紫外線而使片狀構件之黏著力降低。其結果，與依序進行片狀構件之收縮處理、及藉由照射紫外線而使片狀構件之黏著力降低之處理之情形相比，能減少處理之時間。藉此，可提供一種能抑制擴展貼附有晶圓之片狀構件、實施加熱收縮、及使黏著力降低之處理之時間增加之擴展方法。
以下，基於圖式對將本發明具體化之實施方式進行說明。
參照圖1～圖21，對本發明之一實施方式之擴展裝置100之構成進行說明。
(擴展裝置之構成) 如圖1及圖2所示，擴展裝置100係以分割晶圓210而形成複數個半導體晶片之方式構成。又，擴展裝置100係以於複數個半導體晶片彼此之間形成充足之間隙之方式構成。此處，晶圓210上已藉由沿著分割線(切割道，Street)對晶圓210照射具有透過性之波長之雷射而預先形成了改質層。所謂改質層，表示藉由雷射而形成於晶圓210之內部之龜裂及孔隙等。將以此方式於晶圓210形成改質層之方法稱為隱形切割加工。
因此，於擴展裝置100中，藉由擴展片狀構件220，可沿著改質層分割晶圓210。又，於擴展裝置100中，藉由擴展片狀構件220，分割而形成之複數個半導體晶片彼此之間隙會擴大。
擴展裝置100具備底板1、盒部2、提昇手部3、吸附手部4、基座5、擴展部6、冷氣供給部7、冷卻單元8、碎片清潔器9、熱收縮部10、紫外線照射部11。
此處，將水平方向中之盒部2與熱收縮部10之排列方向設為X方向，將X方向中之盒部2側設為X1方向，將X方向中之熱收縮部10側設為X2方向。又，將水平方向中之與X方向正交之方向設為Y方向，將Y方向中之盒部2側設為Y1方向，將與Y1方向相反之方向設為Y2方向。又，將上下方向設為Z方向，將上方向設為Z1方向，將下方向設為Z2方向。
〈底板〉 底板1係供設置盒部2及吸附手部4之基台。底板1俯視下具有Y方向上較長之矩形形狀。
〈盒部〉 盒部2係以可收容複數個(5個)晶圓環構造200之方式構成。此處，如圖3及圖4所示，晶圓環構造200具有晶圓210、片狀構件220、環狀構件230。
晶圓210係由作為半導體積體電路之材料的半導體物質之晶體製成之圓形薄板。如上所述，晶圓210之內部已形成了沿著分割線使內部改質之改質層。即，晶圓210係以可沿著分割線分割之方式構成。片狀構件220係具有伸縮性之黏著帶。於片狀構件220之上表面220a設置有黏著層。晶圓210貼附於片狀構件220之黏著層。環狀構件230係俯視下呈環狀之金屬製框架。於環狀構件230之外側面230a形成有缺口240及缺口250。環狀構件230以包圍晶圓210之狀態貼附於片狀構件220之黏著層。
如圖1及圖2所示，盒部2包含Z方向移動機構21、晶圓盒22、一對載置部23。Z方向移動機構21係以將馬達21a作為驅動源而使晶圓盒22於Z方向上移動之方式構成。又，Z方向移動機構21具有自下側支持晶圓盒22之載置台21b。藉由人工作業向載置台21b供給及載置晶圓盒22。晶圓盒22具有可收容複數個晶圓環構造200之收容空間。於晶圓盒22之內側配置有複數對(5對)載置部23。自Z1方向側於一對載置部23載置有晶圓環構造200之環狀構件230。一對載置部23之一者自晶圓盒22之X1方向側之內側面向X2方向側突出。一對載置部23之另一者自晶圓盒22之X2方向側之內側面向X1方向側突出。
〈提昇手部〉 提昇手部3係以可自盒部2取出晶圓環構造200之方式構成。又，提昇手部3係以可將晶圓環構造200收容至盒部2之方式構成。
具體而言，提昇手部3包含Y方向移動機構31、提昇手32。Y方向移動機構31係以將馬達31a作為驅動源而使提昇手32於Y方向上移動之方式構成。提昇手32係以自Z2方向側支持晶圓環構造200之環狀構件230之方式構成。
〈吸附手部〉 吸附手部4係以自Z1方向側吸附晶圓環構造200之環狀構件230之方式構成。
具體而言，吸附手部4包含X方向移動機構41、Z方向移動機構42、吸附手43。X方向移動機構41係以將馬達41a作為驅動源而使吸附手43於X方向上移動之方式構成。Z方向移動機構42係以將馬達42a作為驅動源而使吸附手43於Z方向上移動之方式構成。吸附手43係以自Z1方向側支持晶圓環構造200之環狀構件230之方式構成。
〈基座〉 基座5係供設置擴展部6、冷卻單元8及紫外線照射部11之基台。基座5俯視下具有Y方向上較長之矩形形狀。基座5之Z1方向側之上端面配置於較底板1之Z1方向側之上端面靠Z1方向側之位置。
〈擴展部〉 擴展部6係以藉由擴展晶圓環構造200之片狀構件220，而沿著分割線分割晶圓210之方式構成。
具體而言，擴展部6包含Z方向移動機構61、Y方向移動機構62、夾持部63、擴展環64。Z方向移動機構61係以將馬達61a作為驅動源而使夾持部63於Z方向上移動之方式構成。Y方向移動機構62係以將馬達62a作為驅動源而使Z方向移動機構61、夾持部63及擴展環64於Y方向上移動之方式構成。再者，擴展環64係申請專利範圍之「支持環」之一例。
夾持部63係以固持晶圓環構造200之環狀構件230之方式構成。夾持部63具有下側固持部63a、上側固持部63b。下側固持部63a自Z2方向側支持環狀構件230。上側固持部63b自Z1方向側按壓由下側固持部63a支持之狀態之環狀構件230。如此，環狀構件230由下側固持部63a及上側固持部63b固持。
擴展環64係以藉由自Z2方向側支持片狀構件220，而擴展(擴張，expand)片狀構件220之方式構成。擴展環64俯視下具有環形形狀。
〈冷氣供給部〉 冷氣供給部7係以藉由擴展部6擴展片狀構件220時，自Z1方向側向片狀構件220供給冷氣之方式構成。
具體而言，冷氣供給部7具有複數個噴嘴71。噴嘴71具有使自冷氣供給源(未圖示)供給之冷氣流出之冷氣供給口71a(參照圖5)。噴嘴71安裝於碎片清潔器9。冷氣供給源係用以產生冷氣之冷卻裝置。冷氣供給源例如供給已藉由設置有熱泵等之冷卻裝置等加以冷卻後之空氣。此種冷氣供給源設置於基座5。冷氣供給源與複數個噴嘴71分別藉由軟管(未圖示)而連接。
〈冷卻單元〉 冷卻單元8係以藉由擴展部6擴展片狀構件220時，自Z2方向側冷卻片狀構件220之方式構成。
具體而言，冷卻單元8包含具有冷卻體81a及珀爾帖元件81b之冷卻構件81、動力缸82。冷卻體81a由熱容量大且熱導率高之構件構成。冷卻體81a由鋁等金屬形成。珀爾帖元件81b係以將冷卻體81a冷卻之方式構成。再者，冷卻體81a並不限定於鋁，亦可為其他熱容量大且熱導率高之構件。
冷卻單元8係以藉由動力缸82可於Z方向上移動之方式構成。藉此，冷卻單元8可移動至與片狀構件220接觸之位置、及與片狀構件220分離之位置。
〈碎片清潔器〉 碎片清潔器9係以藉由擴展部6擴展片狀構件220時，抽吸晶圓210之碎片等之方式構成。
如圖5所示，碎片清潔器9包含環狀構件91、複數個抽吸口92。環狀構件91係自Z1方向側觀察具有環形形狀之構件。複數個抽吸口92係用以抽吸晶圓210之碎片等之開口。複數個抽吸口92形成於環狀構件91之Z2方向側之下表面。
如圖2所示，碎片清潔器9係以藉由動力缸(未圖示)可於Z方向上移動之方式構成。藉此，碎片清潔器9可移動至與晶圓210接近之位置、及能避開於X方向上移動之吸附手43之位置。
〈熱收縮部〉 熱收縮部10係以於保持複數個半導體晶片彼此之間之間隙之狀態下，藉由加熱使由擴展部6擴展後之片狀構件220收縮之方式構成。
如圖1所示，熱收縮部10包含Z方向移動機構110、加熱環111、吸氣環112、擴張維持環113。Z方向移動機構110係以將馬達110a作為驅動源而使加熱環111及吸氣環112於Z方向上移動之方式構成。又擴張維持環113係申請專利範圍之「紫外線遮蔽部」之一例。
如圖6所示，加熱環111俯視下具有環形形狀。又，加熱環111具有加熱片狀構件220之封裝加熱器。吸氣環112與加熱環111一體地構成。吸氣環112俯視下具有環形形狀。於吸氣環112之Z2方向側之下表面形成有複數個吸氣口112a。擴張維持環113係以自Z1方向側按壓晶圓210附近之片狀構件220，以免片狀構件220因加熱環111之加熱而收縮之方式構成。
擴張維持環113俯視下具有環形形狀。擴張維持環113係以藉由動力缸(未圖示)可於Z方向上移動之方式構成。藉此，擴張維持環113可移動至按壓片狀構件220之位置、及離開片狀構件220之位置。
〈紫外線照射部〉 紫外線照射部11係以對片狀構件220照射紫外線，以降低片狀構件220之黏著層之黏著力之方式構成。具體而言，紫外線照射部11具有紫外線用照明部。
(擴展裝置之控制構成) 如圖7所示，擴展裝置100具備第1控制部12、第2控制部13、第3控制部14、第4控制部15、第5控制部16、擴展控制運算部17、操作控制運算部18、記憶部19。
第1控制部12係以控制熱收縮部10之方式構成。第1控制部12包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、具有ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)及RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)等之記憶部。再者，第1控制部12亦可包含供保存阻斷電壓後亦被記憶之資訊之HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)等作為記憶部。又，HDD亦可為相對於第1控制部12、第2控制部13、第3控制部14、第4控制部15及第5控制部16而共通地設置。
第2控制部13係以控制冷氣供給部7、冷卻單元8及碎片清潔器9之方式構成。第2控制部13包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。第3控制部14係以控制擴展部6之方式構成。第3控制部14包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。再者，第2控制部13及第3控制部14亦可包含供保存阻斷電壓後亦被記憶之資訊之HDD等作為記憶部。
第4控制部15係以控制盒部2及提昇手部3之方式構成。第4控制部15包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。第5控制部16係以控制吸附手部4之方式構成。第5控制部16包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。再者，第4控制部15及第5控制部16亦可包含供保存阻斷電壓後亦被記憶之資訊之HDD等作為記憶部。
擴展控制運算部17係以基於第1控制部12、第2控制部13及第3控制部14之處理結果，進行片狀構件220之擴展處理之相關運算之方式構成。擴展控制運算部17包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。
操作控制運算部18係以基於第4控制部15及第5控制部16之處理結果，進行晶圓環構造200之移動處理之相關運算之方式構成。操作控制運算部18包含CPU、具有ROM及RAM等之記憶部。
記憶部19記憶有用以使擴展裝置100動作之程式。記憶部19包含ROM及RAM等。
(藉由擴展裝置實施之半導體晶片製造處理) 以下，對擴展裝置100之整體動作進行說明。
於步驟S1中，自盒部2取出晶圓環構造200。即，藉由提昇手32支持盒部2內收容之晶圓環構造200後，藉由Y方向移動機構31使提昇手32向Y2方向側移動，藉此自盒部2取出晶圓環構造200。於步驟S2中，藉由吸附手43將晶圓環構造200移載至擴展部6。即，藉由X方向移動機構41使自盒部2取出之晶圓環構造200以由吸附手43吸附之狀態向X2方向側移動。然後，將向X2方向側移動後之晶圓環構造200自吸附手43移載至夾持部63後，藉由夾持部63對其加以固持。
於步驟S3中，藉由擴展部6擴展片狀構件220。此時，要藉由冷卻單元8冷卻由夾持部63固持之晶圓環構造200之片狀構件220。又，若有必要，需藉由冷氣供給部7冷卻片狀構件220。藉由Z方向移動機構61使已被冷卻至特定溫度之晶圓環構造200以由夾持部63固持之狀態下降。然後，藉由擴展環64擴展片狀構件220，藉此沿著分割線分割晶圓210。此時，要一面藉由碎片清潔器9進行碎片之抽吸，一面進行晶圓210之分割。
於步驟S4中，維持片狀構件220之擴展狀態不變地，使擴展部6向熱收縮部10之Z2方向側移動。即，進行晶圓210之分割後，藉由Y方向移動機構62使片狀構件220已被擴展之狀態之晶圓環構造200沿著Y1方向移動。於步驟S5中，藉由熱收縮部10加熱片狀構件220，使之收縮。此時，要藉由加熱環111對沿著Y1方向移動後之晶圓環構造200以被擴張維持環113及擴展環64夾持之狀態進行加熱。此時，要藉由吸氣環112進行吸氣，並藉由紫外線照射部11進行紫外線之照射。
於步驟S6中，使擴展部6返回至原來之位置。即，藉由Y方向移動機構31使片狀構件220收縮後之晶圓環構造200向Y2方向側移動。於步驟S7中，在已藉由吸附手43將晶圓環構造200自擴展部6移載至提昇手部3之狀態下，藉由X方向移動機構41使其向X1方向側移動，並遞交至提昇手32。於步驟S8中，將晶圓環構造200收容至盒部2。即，藉由Y方向移動機構31使由提昇手32支持之晶圓環構造200向Y1方向側移動，藉此將晶圓環構造200收容至盒部2。至此，對1片晶圓環構造200進行之處理完成。
(擴展及熱收縮之相關構成) 參照圖1及圖9～圖14，詳細地對擴展及熱收縮之相關構成進行說明。
如圖1及圖9～圖14所示，擴展部6係以於第1位置P1將具有伸縮性之熱收縮性之片狀構件220擴展之方式構成。又，Y方向移動機構62係以於已藉由擴展部6擴展了片狀構件220之狀態下，使擴展部6之Z方向移動機構61、夾持部63及擴展環64沿著水平方向(Y1方向)自第1位置P1移動至俯視下於水平方向(Y1方向)上與第1位置P1分離之第2位置P2之方式構成。又，熱收縮部10係以於第2位置P2，將因擴展部6之擴展而產生之片狀構件220的晶圓210周圍之部分220b之鬆弛部加熱，使之收縮(使之熱收縮)之方式構成。
〈擴展之相關構成〉 如圖9～圖11所示，擴展部6係以擴展片狀構件220時，藉由夾持部63於上下方向(Z方向)上固持環狀構件230之方式構成。具體而言，夾持部63之上側固持部63b具備以包圍晶圓環構造200之方式配置之複數個(4個)滑行移動體63ba。複數個滑行移動體63ba係以固持環狀構件230時，於水平方向上向晶圓210側滑行移動之方式構成。又，夾持部63之下側固持部63a係以藉由氣缸等動力缸之驅動力，朝已滑行移動至晶圓210側之上側固持部63b(複數個滑行移動體63ba)向Z1方向側上升之方式構成。藉此，環狀構件230被固持於夾持部63之上側固持部63b與下側固持部63a之間加以固定。
又，夾持部63係以在將環狀構件230固持於上側固持部63b與下側固持部63a之間之狀態下，藉由Z方向移動機構61之馬達61a之驅動力，朝擴展環64向Z2方向側下降之方式構成。藉此，片狀構件220被壓抵於擴展環64，並且片狀構件220被擴展。再者，擴展環64相對片狀構件220配置於Z2方向側。又，擴展環64在水平方向上配置於晶圓210與環狀構件230之間。又，擴展環64以包圍晶圓210之方式形成為圓形環狀。
於作為擴展位置之第1位置P1，相對晶圓環構造200於Z1方向側配置有碎片清潔器9，該碎片清潔器9抽吸因擴展片狀構件220而產自晶圓環構造200之飛散物，將其去除。飛散物例如為晶圓210之碎片等。又，於晶圓210與片狀構件220之間存在晶粒黏著膜之情形時，亦有晶粒黏著膜成為飛散物之情形。又，因於晶圓210之外緣210a(參照圖12)附近，晶圓210之碎片較小，故於擴展片狀構件220時，其位置不穩，容易成為飛散物。碎片清潔器9係以藉由自負壓發生裝置供給之負壓，抽吸飛散物，將其去除之方式構成。
如圖5及圖12所示，碎片清潔器9之抽吸口92以抽吸飛散物(晶圓210之碎片及晶粒黏著膜之碎片等)時與圓形環狀之晶圓210之外緣210a對向之方式，形成為圓形環狀。具體而言，圓形環狀之抽吸口92由隔開特定間隔呈圓形環狀配置之複數個抽吸口92構成。碎片清潔器9係以藉由圓形環狀之抽吸口92，向與晶圓210之中心分離之方向抽吸飛散物之方式構成。
如圖9～圖11所示，碎片清潔器9係以藉由氣缸等動力缸之驅動力，於作為擴展位置之第1位置P1，可沿著上下方向(Z方向)於抽吸飛散物之下方位置與不抽吸飛散物之上方位置之間移動之方式構成。下方位置係晶圓210附近之位置。又，上方位置係能避開於X方向上移動之吸附手43之退避位置。碎片清潔器9係以擴展片狀構件220時，自上方位置向Z2方向側下降至下方位置之方式構成。又，碎片清潔器9係以將片狀構件220壓抵於擴展環64前開始抽吸動作，且至少持續進行抽吸動作至將片狀構件220壓抵於擴展環64之動作完成為止之方式構成。
於作為擴展位置之第1位置P1配置有冷氣供給部7及冷卻單元8，其等係於藉由擴展部6擴展片狀構件220時，冷卻片狀構件220者。冷氣供給部7係與碎片清潔器9一體地相對晶圓環構造200設置於Z1方向側。因此，冷氣供給部7係以於第1位置P1，可與碎片清潔器9一體地沿著上下方向(Z方向)於供給冷氣之下方位置與不供給冷氣之上方位置之間移動之方式構成。冷氣供給部7係以擴展片狀構件220時，自上方位置向Z2方向側下降至下方位置之方式構成。又，冷氣供給部7係以將片狀構件220壓抵於擴展環64前開始冷氣供給動作，且至少持續進行冷氣供給動作至將片狀構件220壓抵於擴展環64為止之方式構成。
又，冷卻單元8相對晶圓環構造200配置於Z2方向側。又，冷卻單元8係以於第1位置P1，藉由氣缸等動力缸82之驅動力，可沿著上下方向(Z方向)於冷卻片狀構件220之上方位置與不冷卻片狀構件220之下方位置之間移動之方式構成。冷卻單元8係以擴展片狀構件220時，自下方位置向Z1方向側上升至上方位置之方式構成。又，冷卻單元8係以將片狀構件220壓抵於擴展環64前開始並完成冷卻動作之方式構成。又，冷卻單元8係以將片狀構件220壓抵於擴展環64前退避至下方位置之方式構成。
又，Y方向移動機構62係以如下方式構成：於藉由擴展部6擴展片狀構件220之動作(將片狀構件220壓抵於擴展環64之動作)完成後，一面維持已藉由擴展部6擴展了片狀構件220之狀態，一面使擴展部6(Z方向移動機構61、夾持部63及擴展環64)沿著Y1方向自剛才進行片狀構件220之擴展之第1位置P1移動至即將進行片狀構件220之熱收縮之第2位置P2。此時，Y方向移動機構62係以不使碎片清潔器9、冷氣供給部7及冷卻單元8自第1位置P1移動，而是獨立於碎片清潔器9、冷氣供給部7及冷卻單元8地，使擴展部6沿著Y1方向自第1位置P1移動至第2位置P2之方式構成。此時，碎片清潔器9及冷氣供給部7已退避至上方位置，冷卻單元8已退避至下方位置。
Y方向移動機構62除了馬達62a以外，進而具有載置部62b、軌道部62c。載置部62b係以上表面供載置Z方向移動機構61、夾持部63及擴展環64之方式構成。又，載置部62b形成為俯視下呈大致矩形形狀之平板狀。又，載置部62b以可移動之方式設置於軌道部62c上。軌道部62c於X方向上分開而成對地設置。一對軌道部62c係以沿著Y方向於第1位置P1與第2位置P2之間延伸之方式設置。Y方向移動機構62係以藉由馬達62a之驅動力，可使載置部62b沿著一對軌道部62c於Y方向上移動，藉此使Z方向移動機構61、夾持部63及擴展環64沿著Y方向於第1位置P1與第2位置P2之間移動之方式構成。
又，於載置部62b，設置有沿著上下方向(Z方向)貫通載置部62b之孔部62ba。孔部62ba俯視下形成為圓形形狀。又，孔部62ba於第1位置P1具有可使冷卻單元8通過之大小。藉此，可使冷卻單元8經由孔部62ba於上方位置與下方位置之間移動。又，孔部62ba於第2位置P2具有可使紫外線照射部11通過之大小。藉此，可使紫外線照射部11經由孔部62ba於上方位置與下方位置之間移動。又，孔部62ba設置於擴展環64之內側。冷卻單元8及紫外線照射部11係以經由孔部62ba向擴展環64之內側移動之方式構成。
〈熱收縮之相關構成〉 如圖13及圖14所示，熱收縮部10於作為熱收縮位置之第2位置P2，配置在藉由Y方向移動機構62移動後之擴展部6之Z1方向側。又，熱收縮部10之加熱環111及吸氣環112係以藉由Z方向移動機構110之馬達110a之驅動力，於第2位置P2，可沿著上下方向(Z方向)於不加熱片狀構件220之上方位置與加熱片狀構件220之下方位置之間移動之方式構成。又，熱收縮部10之擴張維持環113係以藉由氣缸等動力缸之驅動力，於第2位置P2，可沿著上下方向於不按壓片狀構件220之上方位置與按壓片狀構件220之下方位置之間移動之方式構成。又，上方位置係能避開於Y1方向上移動之擴展部6及晶圓環構造200之退避位置。又，下方位置係片狀構件220附近之位置。
又，熱收縮部10(加熱環111、吸氣環112及擴張維持環113)係以使片狀構件220熱收縮時，自上方位置向Z2方向側下降至下方位置之方式構成。再者，加熱環111及吸氣環112用之上下機構(Z方向移動機構110)與擴張維持環113用之上下機構(動力缸)為不同機構。因此，加熱環111及吸氣環112與擴張維持環113可相互獨立地上下移動。擴張維持環113係以於上下方向(Z方向)上將片狀構件220夾在自己與擴展環64之間之方式構成。藉此，擴張維持環113以維持片狀構件220之與晶圓210對應之部分之擴展狀態之方式構成。又，加熱環111係以於藉由擴張維持環113維持片狀構件220之擴展狀態之狀態下，藉由作為加熱機構之封裝加熱器，將片狀構件220之晶圓210周圍之部分220b(擴張維持環113之外側之部分)加熱之方式構成。又，吸氣環112係以於藉由加熱環111加熱片狀構件220之期間內，吸收因加熱而產自片狀構件220之氣體之方式構成。
此處，本實施方式中，如圖14所示，紫外線照射部11係以於藉由熱收縮部10加熱片狀構件220時，並行地對片狀構件220照射紫外線，使片狀構件220之黏著力降低之方式構成。具體而言，於作為熱收縮位置之第2位置P2配置有紫外線照射部11，其係於藉由熱收縮部10使片狀構件220熱收縮時，對片狀構件220照射紫外線者。
即，加熱片狀構件220使之收縮時，並行地對片狀構件220照射紫外線，使片狀構件220之黏著力降低。
紫外線照射部11相對晶圓環構造200配置於Z2方向側。又，紫外線照射部11係以可於沿著與片狀構件220之面交叉之方向(Z方向)配置之紫外線照射位置P3與退避位置P4之間移動之方式構成。具體而言，紫外線照射部11係以於第2位置P2，藉由氣缸等動力缸121之驅動力，可沿著上下方向(Z方向)於照射紫外線之上方之紫外線照射位置P3(參照圖14)與不照射紫外線之下方之退避位置(參照圖13)之間移動之方式構成。紫外線照射部11係以使片狀構件220熱收縮時，自下方之退避位置P4至上方之紫外線照射位置P3地向Z1方向側上升之方式構成。
又，Y方向移動機構62係以如下方式構成：於藉由熱收縮部10使片狀構件220熱收縮之動作完成後，使擴展部6(Z方向移動機構61、夾持部63及擴展環64)沿著Y2方向自剛才進行熱收縮之第2位置P2移動至剛才進行擴展之第1位置P1。此時，Y方向移動機構62係以不使熱收縮部10及紫外線照射部11自第2位置P2移動，而是獨立於熱收縮部10及紫外線照射部11地，使擴展部6沿著Y2方向自第2位置P2移動至第1位置P1之方式構成。此時，熱收縮部10已退避至上方位置，紫外線照射部11已退避至下方之退避位置P4。
擴張維持環113於藉由熱收縮部10使片狀構件220收縮時，呈周狀抵接於片狀構件220之一側(Z1方向側)之面之晶圓210周邊，與擴展環64一併夾住片狀構件220加以保持，藉此維持配置有晶圓210之部分之片狀構件220之擴張。
即，擴張維持環113及擴展環64係以如下方式構成：於藉由紫外線照射部11對片狀構件220照射紫外線時，並行地藉由熱收縮部10使片狀構件220收縮之情形下，夾持片狀構件220加以保持，藉此維持配置有晶圓210之部分之片狀構件220之擴張。
又，擴張維持環113係以覆蓋片狀構件220之一側(Z1方向側)而配置，遮蔽自紫外線照射部11照射之紫外線之方式構成。又，紫外線照射部11係以自片狀構件220之另一側(Z2方向側)向片狀構件220照射紫外線之方式構成。
如圖14所示，擴張維持環113包含底面部113a、側面部113b。底面部113a係以覆蓋上方側(Z1方向側)之方式配置。又，側面部113b以包圍片狀構件220之晶圓210之方式形成為環狀。底面部113a連接於片狀構件220之相反側(Z1方向側)之側面部113b。底面部113a形成為圓形形狀。
又，擴張維持環113由遮蔽紫外線之構件形成。例如，擴張維持環113由有色樹脂形成。或者，擴張維持環113由不鏽鋼材、鋁材等金屬形成。
擴展環64係以藉由紫外線照射部11對片狀構件220照射紫外線時，抵接於片狀構件220之另一側(Z2方向側)而支持片狀構件220，並且包圍紫外線照射部11之方式配置。即，如圖14所示，紫外線照射部11在配置於紫外線照射位置P3之情形時，周圍被擴展環64包圍。又，擴展環64由遮蔽紫外線之材料形成。擴展環64例如由不鏽鋼材、鋁材等金屬形成。或者，擴展環64由有色樹脂形成。
紫外線照射部11對所照射之紫外線之強度進行調整，以於藉由熱收縮部10加熱片狀構件220使之收縮時之作業時間內，結束使片狀構件220之黏著力降低之紫外線之照射處理。
具體而言，紫外線照射部11係以要縮短照射紫外線之時間之情形時，使所照射之紫外線之強度變大之方式設定。另一方面，紫外線照射部11係以要延長射紫外線之時間之情形時，使所照射之紫外線之強度變小之方式設定。
〈盒部及提昇手部之相關構成〉 如圖1所示，盒部2俯視下配置於與第1位置P1及第2位置P2不同之位置。又，提昇手部3俯視下配置於與第1位置P1及第2位置P2不同之位置。又，提昇手部3自盒部2取出晶圓環構造200之方向(Y2方向)與Y方向移動機構62移動擴展部6之方向(Y1方向)大致平行。即，提昇手部3插拔晶圓環構造200之插拔方向(Y方向)與Y方向移動機構62移動擴展部6之移動方向(Y方向)彼此大致平行。又，盒部2係於X方向上與作為熱收縮位置之第2位置P2並排而配置。又，提昇手部3取出晶圓環構造200之取出位置係於X方向上與作為擴展位置之第1位置P1並排而配置。
(取出處理) 參照圖15，對擴展裝置100中之取出處理進行說明。取出處理係於上述半導體晶片製造處理之步驟S1中進行之處理。
如圖15所示，於步驟S101中，判斷提昇手部3之提昇手32是否空閒。於提昇手32不空閒之情形時，結束取出處理。又，於提昇手32空閒之情形時，進入步驟S102。
然後，於步驟S102中，判斷盒部2之晶圓盒22內是否存在提昇手32。於晶圓盒22內不存在提昇手32之情形時，進入步驟S104。又，於晶圓盒22內存在提昇手32之情形時，進入步驟S103。
然後，於步驟S103中，藉由Y方向移動機構31使提昇手32沿著Y2方向自晶圓盒22內移動至晶圓盒22外。
然後，於步驟S104中，藉由Z方向移動機構21使晶圓盒22於Z方向上移動，以可藉由提昇手32取出晶圓盒22內之作為取出對象之晶圓環構造200。具體而言，於步驟S104中，藉由Z方向移動機構21使晶圓盒22於Z方向上移動，以使提昇手32之上表面位於晶圓盒22內之作為取出對象之晶圓環構造200的環狀構件230之下表面之略偏Z2方向側之高度。
然後，於步驟S105中，藉由Y方向移動機構31使提昇手32於Y1方向上移動，以使其位於晶圓盒22內之作為取出對象之晶圓環構造200的環狀構件230之正下方。
然後，於步驟S106中，將晶圓盒22內之作為取出對象之晶圓環構造200遞交至提昇手32。具體而言，於步驟S106中，藉由Z方向移動機構21使晶圓盒22於Z2方向上移動，以使晶圓盒22內之作為取出對象之晶圓環構造200之環狀構件230之下表面藉由提昇手32自一對載置部23之上表面略微上浮。
然後，於步驟S107中，在藉由提昇手32之上表面支持作為取出對象之晶圓環構造200之環狀構件230之下表面的狀態下，藉由Y方向移動機構31使提昇手32於Y2方向上移動。藉此，作為取出對象之晶圓環構造200被提昇手32自晶圓盒22內取出。然後，結束取出處理。
(移載處理) 參照圖16，對擴展裝置100中之移載處理進行說明。移載處理係於上述半導體晶片製造處理之步驟S2或S7中進行之處理。
如圖16所示，於步驟S201中，藉由Z方向移動機構42使吸附手部4之吸附手43上升。
然後，於步驟S202中，藉由X方向移動機構41使吸附手43移動至晶圓環構造200之上方。具體而言，於上述半導體晶片製造處理之步驟S2之情形時，使吸附手43移動至由提昇手32支持之晶圓環構造200之上方。又，於上述半導體晶片製造處理之步驟S7之情形時，使吸附手43移動至由擴展部6支持之晶圓環構造200之上方。
然後，於步驟S203中，藉由Z方向移動機構42使吸附手43向晶圓環構造200下降。
然後，於步驟S204中，吸附手43藉由自負壓發生裝置供給之負壓吸附晶圓環構造200之環狀構件230。
然後，於步驟S205中，藉由Z方向移動機構42使吸附手43上升。
然後，於步驟S206中，藉由X方向移動機構41使吸附手43移動至移載目的地之上方。具體而言，於上述半導體晶片製造處理之步驟S2之情形時，使吸附手43移動至第1位置P1之擴展部6之上方。又，於上述半導體晶片製造處理之步驟S7之情形時，使吸附手43移動至提昇手32之上方。
然後，於步驟S207中，藉由Z方向移動機構42使吸附手43向移載目的地(擴展部6或提昇手32)下降。
然後，於步驟S208中，解除吸附手43對晶圓環構造200之環狀構件230之吸附。至此，將晶圓環構造200移載至移載目的地之動作完成。然後，結束移載處理。
(擴展處理) 參照圖17及圖18，對擴展裝置100中之擴展處理進行說明。擴展處理係於上述半導體晶片製造處理之步驟S3中進行之處理。擴展處理於第1位置P1進行。
如圖17所示，於步驟S301中，藉由Z方向移動機構42使吸附手43上升。此時，晶圓環構造200之環狀構件230由夾持部63之下側固持部63a支持。
然後，於步驟S302中，使上側固持部63b之複數個滑行移動體63ba向晶圓210側於水平方向上滑行移動。
然後，於步驟S303中，在支持晶圓環構造200之環狀構件230之狀態下，使下側固持部63a上升。藉此，環狀構件230被固持於上側固持部63b與下側固持部63a之間加以固定。
然後，於步驟S304中，藉由動力缸使碎片清潔器9與冷氣供給部7一併向晶圓環構造200下降。
然後，於步驟S305中，判斷是否需要藉由冷氣供給部7向片狀構件220供給冷氣以實施冷卻。於需要藉由冷氣供給部7向片狀構件220供給冷氣以實施冷卻之情形時，進入步驟S305a。然後，於步驟S305a中，使冷氣供給部7開始向片狀構件220供給冷氣。然後，進入步驟S306。又，於無需藉由冷氣供給部7向片狀構件220供給冷氣以實施冷卻之情形時，不進行步驟S305a之處理，而是進入步驟S306。
然後，於步驟S306中，判斷是否需要藉由冷卻單元8冷卻片狀構件220。於需要藉由冷卻單元8冷卻片狀構件220之情形時，進入步驟S307。然後，於步驟S307中，除了藉由冷氣供給部7冷卻片狀構件220以外，進而藉由冷卻單元8冷卻片狀構件220。然後，進入步驟S308。又，於無需藉由冷卻單元8冷卻片狀構件220之情形時，不進行步驟S307之處理，而是進入步驟S308。
然後，如圖18所示，於步驟S308中，使碎片清潔器9開始抽吸飛散物。
然後，於步驟S309中，藉由Z方向移動機構61使夾持部63急速下降而將片狀構件220壓抵於擴展環64，藉此執行片狀構件220之擴展。由此，片狀構件220上之晶圓210被分割成矩陣狀之複數個半導體晶片，並且複數個半導體晶片之間之間隙擴大。又，於步驟S309中，使夾持部63自擴展開始位置下降至擴展完成位置。
然後，於步驟S310中，使冷氣供給部7停止向片狀構件220供給冷氣。再者，當於步驟305中判斷為無需藉由冷氣供給部7向片狀構件220供給冷氣以實施冷卻之情形時，不進行步驟S310之處理，而是進入步驟S311。
然後，於步驟S311中，使碎片清潔器9停止抽吸飛散物。
然後，於步驟S312中，藉由動力缸使碎片清潔器9與冷氣供給部7一併上升。然後，結束擴展處理。然後，一面維持已擴展了片狀構件220之狀態，一面藉由Y方向移動機構62使擴展部6(Z方向移動機構61、夾持部63及擴展環64)自第1位置P1移動至第2位置P2。
(熱收縮處理) 參照圖19及圖20，對擴展裝置100中之熱收縮處理進行說明。熱收縮處理係於上述半導體晶片製造處理之步驟S5中進行之處理。
如圖19所示，於步驟S401中，藉由動力缸121使紫外線照射部11上升。
然後，於步驟S402中，藉由動力缸使擴張維持環113下降。藉此，片狀構件220被夾在擴張維持環113與擴展環64之間。
然後，於步驟S403中，藉由Z方向移動機構110使加熱環111與吸氣環112下降。再者，加熱環111及吸氣環112用之上下機構(Z方向移動機構110)與擴張維持環113用之上下機構(動力缸)為不同機構。
然後，於步驟S404中，使吸氣環112開始吸氣。
然後，於步驟S405中，使加熱環111開始加熱片狀構件220，並使紫外線照射部11開始對片狀構件220照射紫外線。藉由使加熱環111加熱片狀構件220，片狀構件220之晶圓210周圍之部分220b之鬆弛部收縮而被去除。又，藉由使紫外線照射部11對片狀構件220照射紫外線，片狀構件220之黏著層之黏著力降低。
然後，於步驟S406中，判斷加熱環111加熱片狀構件220之加熱時間是否達到設定時間。於加熱環111加熱片狀構件220之加熱時間未達到設定時間之情形時，重複步驟S406之處理。又，於加熱環111加熱片狀構件220之加熱時間達到設定時間之情形時，進入步驟S407。
然後，於步驟S407中，使加熱環111停止加熱片狀構件220。
然後，於步驟S408中，藉由Z方向移動機構61使夾持部63低速上升。
然後，於步驟S409中，判斷夾持部63是否已上升至擴展開始位置。於夾持部63未上升至擴展開始位置之情形時，重複步驟S409之處理。又，於夾持部63已上升至擴展開始位置之情形時，進入步驟S410。
再者，於步驟S406～S409之處理中，展示了以1次執行藉由加熱環111加熱片狀構件220之動作、及藉由Z方向移動機構61使夾持部63上升之動作之例，但熱收縮之構成並不限於此。例如，亦可分成複數次執行藉由加熱環111加熱片狀構件220之動作、及藉由Z方向移動機構61使夾持部63上升之動作。即，亦可一面重複藉由加熱環111加熱片狀構件220之動作、及藉由Z方向移動機構61使夾持部63上升之動作，一面使夾持部63上升至擴展開始位置。
然後，於步驟S410中，使吸氣環112停止吸氣，並使紫外線照射部11停止對片狀構件220照射紫外線。
然後，於步驟S411中，藉由Z方向移動機構110使加熱環111與吸氣環112上升。
然後，於步驟S412中，藉由動力缸使擴張維持環113上升。
然後，於步驟S413中，藉由動力缸121使紫外線照射部11下降。然後，結束熱收縮處理。然後，藉由Y方向移動機構62使擴展部6(Z方向移動機構61、夾持部63及擴展環64)自第2位置P2移動至第1位置P1。然後，藉由吸附手43將擴展及熱收縮完成後之晶圓環構造200自第1位置P1之擴展部6移載至提昇手32。
(收容處理) 參照圖21，對擴展裝置100中之收容處理進行說明。收容處理係於上述半導體晶片製造處理之步驟S8中進行之處理。
如圖21所示，於步驟S501中，判斷提昇手部3之提昇手32是否空閒。於提昇手32不空閒之情形時，結束收容處理。又，於提昇手32空閒之情形時，進入步驟S502。
然後，於步驟S502中，判斷盒部2之晶圓盒22內是否存在提昇手32。於晶圓盒22內不存在提昇手32之情形時，進入步驟S504。又，於晶圓盒22內存在提昇手32之情形時，進入步驟S503。
然後，於步驟S503中，藉由Y方向移動機構31使提昇手32沿著Y2方向自晶圓盒22內移動至晶圓盒22外。
然後，於步驟S504中，藉由Z方向移動機構21使晶圓盒22於Z方向上移動，以可將提昇手32上之作為收容對象之晶圓環構造200收容至晶圓盒22。具體而言，於步驟S504中，藉由Z方向移動機構21使晶圓盒22於Z方向上移動，以使提昇手32上之作為收容對象之晶圓環構造200的環狀構件230之下表面位於晶圓盒22內之一對載置部23之上表面之略偏Z1方向側之高度。
然後，於步驟S505中，藉由Y方向移動機構31使提昇手32於Y1方向上移動，以使提昇手32上之作為收容對象之晶圓環構造200的環狀構件230之下表面位於晶圓盒22內之收容位置(一對載置部23之正上方)。
然後，於步驟S506中，將提昇手32上之作為收容對象之晶圓環構造200遞交至晶圓盒22內之一對載置部23。具體而言，於步驟S506中，藉由Z方向移動機構21使晶圓盒22於Z1方向上移動，以使提昇手32之上表面位於較一對載置部23之上表面略靠下之位置。
然後，於步驟S508中，在藉由一對載置部23之上表面支持作為收容對象之晶圓環構造200之環狀構件230之下表面的狀態下，藉由Y方向移動機構31使提昇手32於Y2方向上移動。藉此，在作為收容對象之晶圓環構造200收容於晶圓盒22內之狀態下，將提昇手32取出。然後，結束收容處理。
(本實施方式之效果) 本實施方式中，可獲得如下所述之效果。
本實施方式中，如上所述，設置紫外線照射部11，該紫外線照射部11於藉由熱收縮部10加熱片狀構件220時，並行地對片狀構件220照射紫外線，使片狀構件220之黏著力降低。藉此，能一面藉由熱收縮部10將片狀構件220之晶圓210周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮，一面藉由紫外線照射部11使片狀構件220之黏著力降低。其結果，與依序進行藉由熱收縮部10對片狀構件220實施之收縮處理、及藉由紫外線照射部11使片狀構件220之黏著力降低之處理之情形相比，能減少處理之時間。藉此，能抑制擴展貼附有晶圓210之片狀構件220、實施加熱收縮、及使黏著力降低之處理之時間增加。
又，本實施方式中，如上所述，具備擴張維持環113，該擴張維持環113係以覆蓋片狀構件220之一側之方式配置，遮蔽自紫外線照射部11照射之紫外線，且紫外線照射部11係以自片狀構件220之另一側對片狀構件220照射紫外線之方式構成。藉此，能利用擴張維持環113抑制自紫外線照射部11照射之紫外線洩漏至外部。
又，本實施方式中，如上所述，擴張維持環113包含以包圍片狀構件220之晶圓210之方式呈環狀形成之側面部113b、及與片狀構件220之相反側之側面部連接之底面部113a。藉此，能利用擴張維持環113之側面部113b遮蔽向片狀構件220之側方出射之紫外線，並且能利用擴張維持環113之底面部113a遮蔽向與片狀構件220之面垂直之方向出射之紫外線。藉此，能更確實地抑制向片狀構件220照射之紫外線洩漏至外部。
又，本實施方式中，如上所述，具備擴展環64，該擴展環64係以藉由紫外線照射部11對片狀構件220照射紫外線時，抵接於片狀構件220之另一側而支持片狀構件220，並且包圍紫外線照射部11之方式配置，由遮蔽紫外線之材料形成。藉此，能利用支持片狀構件220之擴展環64遮蔽自紫外線照射部11向四周出射之紫外線，因此與分別設置支持片狀構件220之構件、及遮蔽紫外線之構件之情形相比，能減少零件個數，並且能簡化裝置構成。
又，本實施方式中，如上所述，擴張維持環113及擴展環64係以如下方式構成：於藉由紫外線照射部11對片狀構件220照射紫外線時，並行地藉由熱收縮部10使片狀構件220收縮之情形下，夾持片狀構件220加以保持，藉此維持配置有晶圓210之部分之片狀構件220之擴張。藉此，能利用遮蔽由紫外線照射部11照射之紫外線之擴張維持環113，於藉由熱收縮部10使片狀構件220收縮時維持配置有晶圓210之部分之片狀構件220之擴張，因此與另行設置維持片狀構件220之擴張之構件之情形相比，能減少零件個數，並且能簡化裝置構成。
又，本實施方式中，如上所述，紫外線照射部11係以可於沿著與片狀構件220之面交叉之方向配置之紫外線照射位置P3與退避位置P4之間移動之方式構成。藉此，於對片狀構件220照射紫外線之情形時，能使紫外線照射部11移動至紫外線照射位置P3，於不對片狀構件220照射紫外線之情形時，能使紫外線照射部11退避至退避位置P4。藉此，於已使紫外線照射部11退避之情形時，能對片狀構件220進而實施其他處理，因此能對相同位置之片狀構件220實施複數種處理。
又，本實施方式中，如上所述，紫外線照射部11對所照射之紫外線之強度進行調整，以於藉由熱收縮部10加熱片狀構件220使之收縮時之作業時間內，結束使片狀構件220之黏著力降低之紫外線之照射處理。藉此，能於加熱片狀構件220使之收縮之作業內，結束照射紫外線以使片狀構件220之黏著力降低之處理，因此能抑制產生等待照射紫外線以使片狀構件220之黏著力降低之處理結束的待機時間。其結果，能有效地抑制擴展貼附有晶圓210之片狀構件220、實施加熱收縮、及使黏著力降低之處理之時間增加。
[變化例] 再者，關於此次所揭示之實施方式，應認為所有點皆為例示而非具有限制性者。本發明之範圍並非由上述實施方式之說明表示，而是由申請專利範圍表示，進而包含與申請專利範圍均等之含義及範圍內之所有變更(變化例)。
例如，於上述實施方式中，示出了相對於片狀構件自一側藉由熱收縮部加熱片狀構件，相對於片狀構件自另一側藉由紫外線照射部向片狀構件照射紫外線之構成之例，但本發明並不限於此。於本發明中，亦可為相對於片狀構件自同一側藉由熱收縮部加熱片狀構件，並藉由紫外線照射部向片狀構件照射紫外線之構成。
又，於上述實施方式中，示出了擴張維持環(紫外線遮蔽部)設置於片狀構件之上方，擴展環(支持環)設置於片狀構件之下方之構成之例，但本發明並不限於此。於本發明中，亦可為紫外線遮蔽部設置於片狀構件之下方，支持環設置於片狀構件之上方。又，紫外線遮蔽部及支持環還可隔著片狀構件而於水平方向上對向地配置。
又，於上述實施方式中，示出了擴張維持環(紫外線遮蔽部)以具有圓筒形狀之方式形成之構成之例，但本發明並不限於此。於本發明中，紫外線遮蔽部亦可形成為剖面具有多角形形狀之筒狀。
又，於上述實施方式中，示出了熱收縮部之加熱環將片狀構件之晶圓周圍之部分遍及全周地加熱之構成之例，但本發明並不限於此。於本發明中，熱收縮部亦可為將晶圓之周邊逐個部分地依序加熱之構成。
又，於上述實施方式中，示出了於藉由熱收縮部對片狀構件進行加熱收縮處理時，藉由維持配置有晶圓之部分之片狀構件之擴張的擴張維持環，遮蔽自紫外線照射部照射之紫外線之構成之例，但本發明並不限於此。於本發明中，亦可為藉由與擴張維持環分開設置之遮蔽紫外線之構件，遮蔽自紫外線照射部照射之紫外線之構成。
又，於上述實施方式中，為便於說明，示出了使用按照處理流程依序進行處理之流程驅動型之流程圖說明第2控制部13(控制部)之控制處理之例，但本發明並不限於此。於本發明中，亦可藉由以事件為單位而執行處理之事件驅動型(event driven型)之處理進行控制部之控制處理。該情形時，可採用完全事件驅動型進行處理，亦可將事件驅動及流程驅動組合而進行處理。
1:底板 2:盒部 3:提昇手部 4:吸附手部 5:基座 6:擴展部 7:冷氣供給部 8:冷卻單元 9:碎片清潔器 10:熱收縮部 11:紫外線照射部 12:第1控制部 13:第2控制部 14:第3控制部 15:第4控制部 16:第5控制部 17:擴展控制運算部 18:操作控制運算部 19:記憶部 21:Z方向移動機構 21a:馬達 22:晶圓盒 23:一對載置部 31:Y方向移動機構 31a:馬達 32:提昇手 41:X方向移動機構 41a:馬達 42:Z方向移動機構 42a:馬達 43:吸附手 61:Z方向移動機構 61a:馬達 62:Y方向移動機構 62a:馬達 62b:載置部 62ba:孔部 62c:軌道部 63:夾持部 63a:下側固持部 63b:上側固持部 63ba:滑行移動體 64:擴展環 71:噴嘴 71a:冷氣供給口 81:冷卻構件 81a:冷卻體 81b:珀爾帖元件 82:動力缸 91:環狀構件 92:抽吸口 100:擴展裝置 110:Z方向移動機構 110a:馬達 111:加熱環 112:吸氣環 112a:吸氣口 113:擴張維持環 113a:底面部 113b:側面部 121:動力缸 200:晶圓環構造 210:晶圓 210a:晶圓之外緣 220:片狀構件 220a:片狀構件之上表面 220b:片狀構件之晶圓周圍之部分 230:環狀構件 230a:環狀構件之外側面 240:缺口 250:缺口 P1:第1位置 P2:第2位置 P3:紫外線照射位置 P4:退避位置
圖1係一實施方式之擴展裝置之俯視圖。 圖2係一實施方式之擴展裝置之側視圖。 圖3係一實施方式之擴展裝置之晶圓環構造之俯視圖。 圖4係沿著圖3之101-101線之剖視圖。 圖5係一實施方式之擴展裝置之碎片清潔器之仰視圖。 圖6係一實施方式之擴展裝置之熱收縮部之仰視圖。 圖7係表示一實施方式之擴展裝置之控制類構成之方塊圖。 圖8係表示一實施方式之擴展裝置之半導體晶片製造處理之流程圖。 圖9係表示一實施方式之擴展裝置之夾持晶圓環構造前之狀態的側視圖。 圖10係表示一實施方式之擴展裝置之夾持晶圓環構造之狀態的側視圖。 圖11係表示一實施方式之擴展裝置之擴展片狀構件之狀態的側視圖。 圖12係表示一實施方式之擴展裝置之晶圓環構造、碎片清潔器及擴展環之側視圖。 圖13係表示一實施方式之擴展裝置之使片狀構件熱收縮前之狀態的側視圖。 圖14係表示一實施方式之擴展裝置之使片狀構件熱收縮時之狀態的側視圖。 圖15係表示一實施方式之擴展裝置之取出處理之流程圖。 圖16係表示一實施方式之擴展裝置之移載處理之流程圖。 圖17係表示一實施方式之擴展裝置之擴展處理之流程圖。 圖18係圖17之流程圖之後續步驟之流程圖。 圖19係表示一實施方式之擴展裝置之熱收縮處理之流程圖。 圖20係圖19之流程圖之後續步驟之流程圖。 圖21係表示一實施方式之擴展裝置之收容處理之流程圖。
10:熱收縮部
11:紫外線照射部
61:Z方向移動機構
61a:馬達
62:Y方向移動機構
62a:馬達
62b:載置部
62ba:孔部
62c:軌道部
63a:下側固持部
63b:上側固持部
63ba:滑行移動體
64:擴展環
111:加熱環
112:吸氣環
113:擴張維持環
113a:底面部
113b:側面部
121:動力缸
200:晶圓環構造
210:晶圓
220:片狀構件
220b:片狀構件之晶圓周圍之部分
230:環狀構件
P2:第2位置
P3:紫外線照射位置

Claims (10)

  1. 一種擴展裝置，其具備：擴展部，其將貼附有可沿著分割線分割之晶圓且具有伸縮性之熱收縮性之片狀構件擴展，而沿著上述分割線分割上述晶圓；熱收縮部，其將因上述擴展部之擴展而產生之上述片狀構件的上述晶圓周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮；及紫外線照射部，其於藉由上述熱收縮部加熱上述片狀構件時，並行地對上述片狀構件照射紫外線，使上述片狀構件之黏著力降低。
  2. 一種擴展裝置，其具備：擴展部，其將貼附有可沿著分割線分割之晶圓且具有伸縮性之熱收縮性之片狀構件擴展，而沿著上述分割線分割上述晶圓；熱收縮部，其將因上述擴展部之擴展而產生之上述片狀構件的上述晶圓周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮；紫外線照射部，其於藉由上述熱收縮部加熱上述片狀構件時，並行地對上述片狀構件照射紫外線，使上述片狀構件之黏著力降低；及紫外線遮蔽部，其係以覆蓋上述片狀構件之一側之方式配置，遮蔽自上述紫外線照射部照射之紫外線，且上述紫外線照射部係以自上述片狀構件之另一側對上述片狀構件照射紫外線之方式構成。
  3. 如請求項2之擴展裝置，其中上述紫外線遮蔽部包含以包圍上述片狀 構件之上述晶圓之方式呈環狀形成之側面部、及與上述片狀構件之相反側之上述側面部連接之底面部。
  4. 如請求項2之擴展裝置，其進而具備支持環，該支持環係以藉由上述紫外線照射部對上述片狀構件照射紫外線時，抵接於上述片狀構件之另一側而支持上述片狀構件，並且包圍上述紫外線照射部之方式配置，由遮蔽紫外線之材料形成。
  5. 如請求項3之擴展裝置，其進而具備支持環，該支持環係以藉由上述紫外線照射部對上述片狀構件照射紫外線時，抵接於上述片狀構件之另一側而支持上述片狀構件，並且包圍上述紫外線照射部之方式配置，由遮蔽紫外線之材料形成。
  6. 如請求項4或5之擴展裝置，其中上述紫外線遮蔽部及上述支持環係以如下方式構成：於藉由上述紫外線照射部對上述片狀構件照射紫外線時，並行地藉由上述熱收縮部使上述片狀構件收縮之情形下，夾持上述片狀構件加以保持，藉此維持配置有上述晶圓之部分之上述片狀構件之擴張。
  7. 如請求項1至5中任一項之擴展裝置，其中上述紫外線照射部係以可於沿著與上述片狀構件之面交叉之方向配置之紫外線照射位置與退避位置之間移動之方式構成。
  8. 如請求項6之擴展裝置，其中上述紫外線照射部係以可於沿著與上述片狀構件之面交叉之方向配置之紫外線照射位置與退避位置之間移動之方式構成。
  9. 一種擴展裝置，其具備：擴展部，其將貼附有可沿著分割線分割之晶圓且具有伸縮性之熱收縮性之片狀構件擴展，而沿著上述分割線分割上述晶圓；熱收縮部，其將因上述擴展部之擴展而產生之上述片狀構件的上述晶圓周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮；及紫外線照射部，其於藉由上述熱收縮部加熱上述片狀構件時，並行地對上述片狀構件照射紫外線，使上述片狀構件之黏著力降低；且上述紫外線照射部對所照射之紫外線之強度進行調整，以於藉由上述熱收縮部加熱上述片狀構件使之收縮時之作業時間內，結束使上述片狀構件之黏著力降低之紫外線之照射處理。
  10. 一種擴展方法，其將貼附有可沿著分割線分割之晶圓且具有伸縮性之熱收縮性之片狀構件擴展，而沿著上述分割線分割上述晶圓；其後，將因擴展上述片狀構件而產生之上述片狀構件的上述晶圓周圍之部分之鬆弛部加熱，使之收縮；加熱上述片狀構件使之收縮時，並行地對上述片狀構件照射紫外線，使上述片狀構件之黏著力降低。
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