CN117716470A - 扩张装置及扩张方法 - Google Patents

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Abstract

该扩张装置(100)具备：热缩部(10)，对通过扩张部(6)的扩张而产生的片部件(220)的晶片(210)的周围的部分的松弛进行加热而使该松弛收缩；及紫外线照射部(11)，在利用热缩部对片部件进行加热时，并行地向片部件照射紫外线而降低片部件的粘着力。

Description

扩张装置及扩张方法
技术领域
本发明涉及扩张装置及扩张方法，尤其涉及具备使粘贴有晶片的片部件的粘着力降低的紫外线照射部的扩张装置及扩张方法。
背景技术
以往，已知有具备使粘贴有晶片的片部件的粘着力降低的紫外线照射部的扩张装置。这样的扩张装置例如公开于日本特开2018-050010号公报。
在上述日本特开2018-050010号公报中公开了一种扩张装置，具备：紫外线照射部，使粘贴有晶片的片部件的粘着力降低；及扩张部，对粘贴有能够沿着分割线分割的晶片且具有伸缩性的热收缩性的片部件进行扩张，沿着分割线分割晶片。在该扩张装置中，构成为：利用紫外线照射部向片部件照射紫外线而使片部件的粘着力降低后，利用扩张部扩张片部件。另外，虽然在日本特开2018-050010号公报中未写明，但由于需要对通过扩张部的扩张而产生的片部件的晶片的周围的部分的松弛进行加热而使其收缩，所以在以往的扩张装置中，设置有对片部件进行加热而使其收缩的热缩部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-050010号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在上述日本特开2018-050010号公报所记载的以往的扩张装置中，利用紫外线照射部向片部件照射紫外线而降低片部件的粘着力后，利用扩张部扩张片部件，之后，利用热缩部对片部件进行加热而使片部件的晶片的周围的部分的松弛收缩。因而，需要依次进行向片部件照射紫外线的工序、扩张片部件的工序及对片部件进行加热而使其收缩的工序，难以抑制处理时间增加。因此，希望抑制粘贴有晶片的片部件的扩张、加热收缩及降低粘着力的处理的时间增加。
本发明为了解决如上所述的课题而完成，本发明的1个目的在于提供能够抑制粘贴有晶片的片部件的扩张、加热收缩及降低粘着力的处理的时间增加的扩张装置及扩张方法。
用于解决课题的手段
本发明的第一方面的扩张装置具备：扩张部，对粘贴有能够沿着分割线分割的晶片且具有伸缩性的热收缩性的片部件进行扩张，沿着分割线分割晶片；热缩部，对通过扩张部的扩张而产生的片部件的晶片的周围的部分的松弛进行加热而使该松弛收缩；及紫外线照射部，在利用热缩部对片部件进行加热时，并行地向片部件照射紫外线而降低片部件的粘着力。
在本发明的第一方面的扩张装置中，如上所述，设置在利用热缩部对片部件进行加热时并行地向片部件照射紫外线而降低片部件的粘着力的紫外线照射部。由此，能够一边利用热缩部对片部件的晶片的周围的部分的松弛进行加热而使其收缩，一边利用紫外线照射部使片部件的粘着力降低。其结果，与依次进行热缩部对片部件的收缩处理和紫外线照射部的使片部件的粘着力降低的处理的情况相比，能够使处理的时间减少。由此，能够抑制粘贴有晶片的片部件的扩张、加热收缩及使粘着力降低的处理的时间增加。
在上述第一方面的扩张装置中，优选的是，还具备以覆盖片部件的一侧的方式配置且遮蔽从紫外线照射部照射的紫外线的紫外线遮蔽部，紫外线照射部构成为从片部件的另一侧向片部件照射紫外线。若这样构成，则能够利用紫外线遮蔽部来抑制从紫外线照射部照射的紫外线向外部泄漏。
在该情况下，优选的是，紫外线遮蔽部包含以包围片部件的晶片的方式形成为环状的侧面部和连接于与片部件相反一侧的侧面部的底面部。若这样构成，则能够将向片部件的侧方出射的紫外线利用紫外线遮蔽部的侧面部来遮蔽，并且能够将向与片部件的面垂直的方向出射的紫外线利用紫外线遮蔽部的底面部来遮蔽。由此，能够更可靠地抑制向片部件照射的紫外线向外部泄漏。
在具备上述紫外线遮蔽部的结构的扩张装置中，优选的是，还具备支撑环，该支撑环以在利用紫外线照射部向片部件照射紫外线时与片部件的另一侧抵接而支撑片部件并且包围紫外线照射部的方式配置，由遮蔽紫外线的材料形成。若这样构成，则能够利用支撑片部件的支撑环来遮蔽从紫外线照射部向周围出射的紫外线，因此与独立地设置支撑片部件的部件和遮蔽紫外线的部件的情况相比，能够使零件数减少，并且能够将装置结构简化。
在该情况下，优选的是，紫外线遮蔽部及支撑环构成为，在利用紫外线照射部向片部件照射紫外线时并行地利用热缩部使片部件收缩之时，通过以夹入片部件的方式保持该片部件而维持配置晶片的部分的片部件的扩张。若这样构成，则能够利用遮蔽由紫外线照射部照射的紫外线的紫外线遮蔽部在利用热缩部使片部件收缩时维持配置晶片的部分的片部件的扩张，因此与另外设置维持片部件的扩张的部件的情况相比，能够使零件数减少，并且能够将装置结构简化。
在上述第一方面的扩张装置中，优选的是，紫外线照射部构成为，能够在沿着与片部件的面相交的方向配置的紫外线照射位置与退避位置之间移动。若这样构成，则能够在向片部件照射紫外线的情况下使紫外线照射部向紫外线照射位置移动，在不向片部件照射紫外线的情况下使紫外线照射部向退避位置退避。由此，在使紫外线照射部退避了的情况下能够对片部件进一步进行其他的处理，因此能够对相同位置的片部件进行多个种类的处理。
在上述第一方面的扩张装置中，优选的是，紫外线照射部调整所照射的紫外线的强度，以使降低片部件的粘着力的紫外线的照射处理在利用热缩部对片部件进行加热而使其收缩时的作业时间内结束。若这样构成，则照射紫外线而降低片部件的粘着力的处理能够在对片部件进行加热而使其收缩的作业内结束，因此能够抑制等待照射紫外线而降低片部件的粘着力的处理的结束的等待时间产生。其结果，能够有效地抑制粘贴有晶片的片部件的扩张、加热收缩及降低粘着力的处理的时间增加。
本发明的第二方面的扩张方法包括如下步骤：对粘贴有能够沿着分割线分割的晶片且具有伸缩性的热收缩性的片部件进行扩张，沿着分割线分割晶片；之后，对通过片部件的扩张而产生而片部件的晶片的周围的部分的松弛进行加热而使该松弛收缩；及在对片部件进行加热而使该片部件收缩时，并行地向片部件照射紫外线而降低片部件的粘着力。
在本发明的第二方面的扩张方法中，如上所述，在对片部件进行加热而使其收缩时，并行地向片部件照射紫外线而降低片部件的粘着力。由此，能够一边对片部件的晶片的周围的部分的松弛进行加热而使其收缩，一边通过紫外线的照射来降低片部件的粘着力。其结果，与依次进行片部件的收缩处理和基于紫外线的照射的使片部件的粘着力降低的处理的情况相比，能够使处理的时间减少。由此，能够提供能够抑制粘贴有晶片的片部件的扩张、加热收缩及降低粘着力的处理的时间增加的扩张方法。
发明效果
根据本发明，如上所述，能够抑制粘贴有晶片的片部件的扩张、加热收缩及降低粘着力的处理的时间增加。
附图说明
图1是一实施方式的扩张装置的俯视图。
图2是一实施方式的扩张装置的侧视图。
图3是一实施方式的扩张装置的晶片环构造的俯视图。
图4是沿着图3的101-101线的剖视图。
图5是一实施方式的扩张装置的碎片清理器的仰视图。
图6是一实施方式的扩张装置的热缩部的仰视图。
图7是示出了一实施方式的扩张装置的控制结构的框图。
图8是示出了一实施方式的扩张装置的半导体芯片制造处理的流程图。
图9是示出了一实施方式的扩张装置的夹持晶片环构造前的状态的侧视图。
图10是示出了一实施方式的扩张装置的夹持了晶片环构造的状态的侧视图。
图11是示出了一实施方式的扩张装置的扩张了片部件的状态的侧视图。
图12是示出了一实施方式的扩张装置的晶片环构造、碎片清理器及扩张环的侧视图。
图13是示出了一实施方式的扩张装置的将片部件热缩前的状态的侧视图。
图14是示出了一实施方式的扩张装置的将片部件热缩时的状态的侧视图。
图15是示出了一实施方式的扩张装置的取出处理的流程图。
图16是示出了一实施方式的扩张装置的移载处理的流程图。
图17是示出了一实施方式的扩张装置的扩张处理的流程图。
图18是接在图17的流程图之后的流程图。
图19是示出了一实施方式的扩张装置的热缩处理的流程图。
图20是接在图19的流程图之后的流程图。
图21是示出了一实施方式的扩张装置的收容处理的流程图。
具体实施方式
以下，基于附图来说明将本发明具体化的实施方式。
参照图1～图21，关于本发明的一实施方式的扩张装置100的结构进行说明。
(扩张装置的结构)
如图1及图2所示，扩张装置100构成为将晶片210分割而形成多个半导体芯片。另外，扩张装置100构成为在多个半导体芯片彼此之间形成充分的间隙。在此，在晶片210中，通过对晶片210沿着分割线(划切道)照射具有透射性的波长的激光而预先形成有改质层。改质层表示通过激光而在晶片210的内部形成的龟裂及空洞等。将这样在晶片210形成改质层的手法称作隐形式切片加工。
因此，在扩张装置100中，通过使片部件220扩张，晶片210沿着改质层被分割。另外，在扩张装置100中，通过使片部件220扩张，分割而形成的多个半导体芯片彼此的间隙扩宽。
扩张装置100具备底板1、盒部2、举起手部3、吸附手部4、底座5、扩张部6、冷气供给部7、冷却单元8、碎片清理器9、热缩部10及紫外线照射部11。
在此，将水平方向中的盒部2和热缩部10排列的方向设为X方向，将X方向中的盒部2侧设为X1方向，将X方向中的热缩部10侧设为X2方向。另外，将水平方向中的与X方向正交的方向设为Y方向，将Y方向中的盒部2侧设为Y1方向，将与Y1方向相反的方向设为Y2方向。另外，将上下方向设为Z方向，将上方向设为Z1方向，将下方向设为Z2方向。
<底板>
底板1是设置盒部2及吸附手部4的基台。底板1在俯视下具有在Y方向上长的矩形形状。
<盒部>
盒部2构成为能够收容多个(5个)晶片环构造200。在此，如图3及图4所示，晶片环构造200具有晶片210、片部件220及环状部件230。
晶片210是由成为半导体集成电路的材料的半导体物质的晶体形成的圆形的薄板。如上所述，在晶片210的内部形成有沿着分割线使内部改质而得到的改质层。即，晶片210构成为能够沿着分割线分割。片部件220是具有伸缩性的粘着带。在片部件220的上表面220a设置有粘着层。在片部件220的粘着层粘贴有晶片210。环状部件230是在俯视下为环状的金属制的框架。在环状部件230的外侧面230a形成有切口240及切口250。环状部件230以包围晶片210的状态粘贴于片部件220的粘着层。
如图1及图2所示，盒部2包含Z方向移动机构21、晶片盒22及一对载置部23。Z方向移动机构21构成为以电动机21a为驱动源而使晶片盒22在Z方向上移动。另外，Z方向移动机构21具有将晶片盒22从下侧支撑的载置台21b。在载置台21b上，通过手工作业而供给并载置晶片盒22。晶片盒22具有能够收容多个晶片环构造200的收容空间。一对载置部23在晶片盒22的内侧配置有多个(5个)。在一对载置部23上，从Z1方向侧载置晶片环构造200的环状部件230。一对载置部23的一方从晶片盒22的X1方向侧的内侧面向X2方向侧突出。一对载置部23的另一方从晶片盒22的X2方向侧的内侧面向X1方向侧突出。
<举起手部>
举起手部3构成为能够从盒部2取出晶片环构造200。另外，举起手部3构成为能够向盒部2收容晶片环构造200。
具体而言，举起手部3包含Y方向移动机构31和举起手32。Y方向移动机构31构成为以电动机31a为驱动源而使举起手32在Y方向上移动。举起手32构成为将晶片环构造200的环状部件230从Z2方向侧支撑。
<吸附手部>
吸附手部4构成为将晶片环构造200的环状部件230从Z1方向侧吸附。
具体而言，吸附手部4包含X方向移动机构41、Z方向移动机构42及吸附手43。X方向移动机构41构成为以电动机41a为驱动源而使吸附手43在X方向上移动。Z方向移动机构42构成为以电动机42a为驱动源而使吸附手43在Z方向上移动。吸附手43构成为将晶片环构造200的环状部件230从Z1方向侧支撑。
<底座>
底座5是设置扩张部6、冷却单元8及紫外线照射部11的基台。底座5在俯视下具有在Y方向上长的矩形形状。底座5的Z1方向侧的上端面配置于比底板1的Z1方向侧的上端面靠Z1方向侧处。
<扩张部>
扩张部6构成为通过将晶片环构造200的片部件220扩张而沿着分割线分割晶片210。
具体而言，扩张部6包含Z方向移动机构61、Y方向移动机构62、夹持部63及扩张环64。Z方向移动机构61构成为以电动机61a为驱动源而使夹持部63在Z方向上移动。Y方向移动机构62构成为以电动机62a为驱动源而使Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64在Y方向上移动。需要说明的是，扩张环64是技术方案的“支撑环”的一例。
夹持部63构成为把持晶片环构造200的环状部件230。夹持部63具有下侧把持部63a和上侧把持部63b。下侧把持部63a将环状部件230从Z2方向侧支撑。上侧把持部63b将由下侧把持部63a支撑的状态的环状部件230从Z1方向侧压住。这样，环状部件230由下侧把持部63a及上侧把持部63b把持。
扩张环64构成为通过将片部件220从Z2方向侧支撑而使片部件220扩张(扩张)。扩张环64在俯视下具有环形状。
<冷气供给部>
冷气供给部7构成为在利用扩张部6使片部件220扩张时从Z1方向侧向片部件220供给冷气。
具体而言，冷气供给部7具有多个喷嘴71。喷嘴71具有使从冷气供给源(未图示)供给的冷气流出的冷气供给口71a(参照图5)。喷嘴71安装于碎片清理器9。冷气供给源是用于生成冷气的冷却装置。冷气供给源例如供给由设置有热泵等的冷却装置等冷却后的空气。这样的冷气供给源设置于底座5。冷气供给源和多个喷嘴71分别通过软管(未图示)而连接。
<冷却单元>
冷却单元8构成为在利用扩张部6使片部件220扩张时将片部件220从Z2方向侧冷却。
具体而言，冷却单元8包含具有冷却体81a及珀尔帖元件81b的冷却部件81和缸体82。冷却体81a由热容大且热传导率高的部件构成。冷却体81a由铝等金属形成。珀尔帖元件81b构成为将冷却体81a冷却。需要说明的是，冷却体81a不限定于铝，也可以是其他的热容大且热传导率高的部件。
冷却单元8构成为能够通过缸体82而在Z方向上移动。由此，冷却单元8能够向与片部件220接触的位置及从片部件220分离的位置移动。
<碎片清理器>
碎片清理器9构成为在利用扩张部6使片部件220扩张时吸引晶片210的碎片等。
如图5所示，碎片清理器9包含环状部件91和多个吸引口92。环状部件91是从Z1方向侧观察时具有环形状的部件。多个吸引口92是用于吸引晶片210的碎片等的开口。多个吸引口92形成于环状部件91的Z2方向侧的下表面。
如图2所示，碎片清理器9构成为能够通过缸体(未图示)而在Z方向上移动。由此，碎片清理器9能够向接近了晶片210的位置及能够避开在X方向上移动的吸附手43的位置移动。
<热缩部>
热缩部10构成为使由扩张部6扩张后的片部件220在保持多个半导体芯片彼此之间的间隙的状态下通过加热而收缩。
如图1所示，热缩部10包含Z方向移动机构110、加热环111、吸气环112及扩张维持环113。Z方向移动机构110构成为以电动机110a为驱动源而使加热环111及吸气环112在Z方向上移动。需要说明的是，扩张维持环113是技术方案的“紫外线遮蔽部”的一例。
如图6所示，加热环111在俯视下具有环形状。另外，加热环111具有将片部件220加热的护套加热器。吸气环112与加热环111一体地构成。吸气环112在俯视下具有环形状。在吸气环112的Z2方向侧的下表面形成有多个吸气口112a。扩张维持环113构成为以使晶片210附近的片部件220不因加热环111的加热而收缩的方式将片部件220从Z1方向侧压住。
扩张维持环113在俯视下具有环形状。扩张维持环113构成为能够通过缸体(未图示)而在Z方向上移动。由此，扩张维持环113能够向将片部件220压住的位置及从片部件220离开的位置移动。
<紫外线照射部>
紫外线照射部11构成为为了使片部件220的粘着层的粘着力下降而向片部件220照射紫外线。具体而言，紫外线照射部11具有紫外线用照明。
(扩张装置的控制结构)
如图7所示，扩张装置100具备第一控制部12、第二控制部13、第三控制部14、第四控制部15、第五控制部16、扩张控制运算部17、处理控制运算部18及存储部19。
第一控制部12构成为控制热缩部10。第一控制部12包含CPU(Central ProcessingUnit：中央处理单元)和具有ROM(Read Only Memory：只读存储器)及RAM(Random AccessMemory：随机存取存储器)等的存储部。需要说明的是，第一控制部12也可以作为存储部而包含在电压切断后也保持所存储的信息的HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等。另外，HDD也可以相对于第一控制部12、第二控制部13、第三控制部14、第四控制部15及第五控制部16共用地设置。
第二控制部13构成为控制冷气供给部7、冷却单元8及碎片清理器9。第二控制部13包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。第三控制部14构成为控制扩张部6。第三控制部14包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。需要说明的是，第二控制部13及第三控制部14也可以作为存储部而包含在电压切断后也保持所存储的信息的HDD等。
第四控制部15构成为控制盒部2及举起手部3。第四控制部15包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。第五控制部16构成为控制吸附手部4。第五控制部16包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。需要说明的是，第四控制部15及第五控制部16也可以作为存储部而包含在电压切断后也保持所存储的信息的HDD等。
扩张控制运算部17构成为基于第一控制部12、第二控制部13及第三控制部14的处理结果来进行与片部件220的扩张处理相关的运算。扩张控制运算部17包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。
处理控制运算部18构成为基于第四控制部15及第五控制部16的处理结果来进行与晶片环构造200的移动处理相关的运算。处理控制运算部18包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。
存储部19存储有用于使扩张装置100进行动作的程序。存储部19包含ROM及RAM等。
(由扩张装置进行的半导体芯片制造处理)
以下对扩张装置100的整体的动作进行说明。
在步骤S1中，从盒部2取出晶片环构造200。即，将收容于盒部2内的晶片环构造200利用举起手32支撑后，举起手32通过Y方向移动机构31而向Y2方向侧移动，由此从盒部2取出晶片环构造200。在步骤S2中，由吸附手43向扩张部6移载晶片环构造200。即，从盒部2取出的晶片环构造200在由吸附手43吸附的状态下通过X方向移动机构41而向X2方向侧移动。然后，向X2方向侧移动后的晶片环构造200从吸附手43向夹持部63移载后，由夹持部63把持。
在步骤S3中，由扩张部6扩张片部件220。此时，由夹持部63把持的晶片环构造200的片部件220由冷却单元8冷却。另外，若有需要，则进行冷气供给部7对片部件220的冷却。被冷却至预定温度的晶片环构造200在由夹持部63把持的状态下通过Z方向移动机构61而下降。然后，通过由扩张环64扩张片部件220，晶片210沿着分割线被分割。此时，一边进行碎片清理器9对碎片的吸引一边进行晶片210的分割。
在步骤S4中，在维持片部件220的扩张状态的状态下将扩张部6向热缩部10的Z2方向侧移动。即，在进行晶片210的分割后，片部件220被扩张的状态的晶片环构造200通过Y方向移动机构62而向Y1方向移动。在步骤S5中，利用热缩部10对片部件220进行加热而使其收缩。此时，向Y1方向移动后的晶片环构造200在由扩张维持环113及扩张环64夹入的状态下，由加热环111进行加热。此时，进行吸气环112的吸气和紫外线照射部11的紫外线的照射。
在步骤S6中，使扩张部6返回原来的位置。即，使片部件220收缩后的晶片环构造200通过Y方向移动机构31而向Y2方向侧移动。在步骤S7中，在由吸附手43从扩张部6向举起手部3移载了晶片环构造200的状态下，通过X方向移动机构41而向X1方向侧移动，向举起手32移交。在步骤S8中，晶片环构造200向盒部2收容。并且，通过利用Y方向移动机构31使由举起手32支撑的晶片环构造200向Y1方向侧移动而向盒部2收容晶片环构造200。由此，对1张晶片环构造200进行的处理完成。
(与扩张及热缩相关的结构)
参照图1及图9～图14，对与扩张及热缩相关的结构详细地说明。
如图1及图9～图14所示，扩张部6构成为在第一位置P1处扩张具有伸缩性的热收缩性的片部件220。另外，Y方向移动机构62构成为在利用扩张部6扩张了片部件220的状态下使扩张部6的Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64在水平方向(Y1方向)上从第一位置P1向在俯视下与第一位置P1在水平方向(Y1方向)上分离的第二位置P2移动。另外，热缩部10构成为在第二位置P2处加热通过扩张部6的扩张而产生的片部件220的晶片210的周围的部分220b的松弛而使该松弛收缩(热缩)。
<与扩张相关的结构>
如图9～图11所示，扩张部6构成为在扩张片部件220时利用夹持部63将环状部件230在上下方向(Z方向)上把持。具体而言，夹持部63的上侧把持部63b由以包围晶片环构造200的方式配置的多个(4个)滑动移动体63ba构成。多个滑动移动体63ba构成为在把持环状部件230时朝向晶片210侧而在水平方向上滑动移动。另外，夹持部63的下侧把持部63a构成为通过气缸等缸体的驱动力而朝着向晶片210侧滑动移动后的上侧把持部63b(多个滑动移动体63ba)向Z1方向侧上升。由此，在夹持部63的上侧把持部63b与下侧把持部63a之间把持并固定环状部件230。
另外，夹持部63构成为在上侧把持部63b与下侧把持部63a之间把持了环状部件230的状态下通过Z方向移动机构61的电动机61a的驱动力而朝着扩张环64向Z2方向侧下降。由此，片部件220被向扩张环64压靠，并且片部件220被扩张。需要说明的是，扩张环64相对于片部件220配置于Z2方向侧。另外，扩张环64在水平方向上配置于晶片210与环状部件230之间。另外，扩张环64以包围晶片210的方式形成为圆形的环状。
在作为扩张位置的第一位置P1处，相对于晶片环构造200在Z1方向侧配置有将通过片部件220的扩张而从晶片环构造200产生的飞散物吸引并除去的碎片清理器9。飞散物例如是晶片210的碎片等。另外，在晶片210与片部件220之间存在裸片黏结膜的情况下，有时裸片黏结膜也会成为飞散物。另外，在晶片210的外缘210a(参照图12)的附近，晶片210的碎片小，因此在片部件220的扩张时位置变得不稳定，容易成为飞散物。碎片清理器9构成为利用从负压产生装置供给的负压来将飞散物吸引并除去。
如图5及图12所示，碎片清理器9的吸引口92以在飞散物(晶片210的碎片及裸片黏结膜的碎片等)的吸引时与圆形的环状的晶片210的外缘210a相向的方式形成为圆形的环状。具体而言，圆形的环状的吸引口92由隔开预定的间隔而配置成圆形的环状的多个吸引口92构成。碎片清理器9构成为利用圆形的环状的吸引口92向从晶片210的中心离开的方向吸引飞散物。
如图9～图11所示，碎片清理器9构成为能够通过气缸等缸体的驱动力而在作为扩张位置的第一位置P1处在吸引飞散物的下方位置与不吸引飞散物的上方位置之间在上下方向(Z方向)上移动。下方位置是晶片210的附近的位置。另外，上方位置是能够避开在X方向上移动的吸附手43的退避位置。碎片清理器9构成为在扩张片部件220时从上方位置向Z2方向侧下降至下方位置。另外，碎片清理器9构成为，在将片部件220向扩张环64压靠前开始吸引动作，将吸引动作至少持续至将片部件220向扩张环64压靠完成为止。
在作为扩张位置的第一位置P1配置有在利用扩张部6扩张片部件220时对片部件220进行冷却的冷气供给部7及冷却单元8。冷气供给部7相对于晶片环构造200在Z1方向侧与碎片清理器9一体地设置。因而，冷气供给部7构成为能够在第一位置P1处在供给冷气的下方位置与不供给冷气的上方位置之间与碎片清理器9一体地在上下方向(Z方向)上移动。冷气供给部7构成为在扩张片部件220时从上方位置向Z2方向侧下降至下方位置。另外，冷气供给部7构成为，在将片部件220向扩张环64压靠前开始冷气供给动作，将冷气供给动作至少持续至将片部件220向扩张环64完全压靠为止。
另外，冷却单元8相对于晶片环构造200配置于Z2方向侧。另外，冷却单元8构成为能够在第一位置P1处通过气缸等缸体82的驱动力而在冷却片部件220的上方位置与不冷却片部件220的下方位置之间在上下方向(Z方向)上移动。冷却单元8构成为在扩张片部件220时从下方位置向Z1方向侧上升至上方位置。另外，冷却单元8构成为在将片部件220向扩张环64压靠前开始并完成冷却动作。另外，冷却单元8构成为在将片部件220向扩张环64压靠前向下方位置退避。
另外，若扩张部6对片部件220的扩张(片部件220向扩张环64的压靠)完成，则Y方向移动机构62构成为一边维持利用扩张部6扩张了片部件220的状态一边使扩张部6(Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64)在Y1方向上从进行了片部件220的扩张的第一位置P1向进行片部件220的热缩的第二位置P2移动。此时，Y方向移动机构62构成为，不使碎片清理器9、冷气供给部7及冷却单元8从第一位置P1移动，与碎片清理器9、冷气供给部7及冷却单元8相独立地使扩张部6在Y1方向上从第一位置P1向第二位置P2移动。此时，碎片清理器9及冷气供给部7退避于上方位置，冷却单元8退避于下方位置。
Y方向移动机构62除了电动机62a之外还具有载置部62b和轨道部62c。载置部62b构成为在上表面载置Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64。另外，载置部62b在俯视下形成为大致矩形形状的板状。另外，载置部62b以能够向轨道部62c上移动的方式设置。轨道部62c在X方向上分离地设置有一对。一对轨道部62c以在第一位置P1与第二位置P2之间在Y方向上延伸的方式设置。Y方向移动机构62构成为能够通过利用电动机62a的驱动力沿着一对轨道部62c使载置部62b在Y方向上移动而使Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64在第一位置P1与第二位置P2之间在Y方向上移动。
另外，在载置部62b设置有在上下方向(Z方向)上贯通载置部62b的孔部62ba。孔部62ba在俯视下形成为圆形状。另外，孔部62ba具有在第一位置P1处能够使冷却单元8通过的大小。由此，能够经由孔部62ba而使冷却单元8在上方位置与下方位置之间移动。另外，孔部62ba具有在第二位置P2处能够使紫外线照射部11通过的大小。由此，能够经由孔部62ba而使紫外线照射部11在上方位置与下方位置之间移动。另外，孔部62ba设置于扩张环64的内侧。冷却单元8及紫外线照射部11构成为经由孔部62ba而向扩张环64的内侧移动。
<与热缩相关的结构>
如图13及图14所示，热缩部10在作为热缩位置的第二位置P2处配置于通过Y方向移动机构62而移动后的扩张部6的Z1方向侧。另外，热缩部10的加热环111及吸气环112构成为能够通过Z方向移动机构110的电动机110a的驱动力而在第二位置P2处在不加热片部件220的上方位置与加热片部件220的下方位置之间在上下方向(Z方向)上移动。另外，热缩部10的扩张维持环113构成为能够通过气缸等缸体的驱动力而在第二位置P2处在不将片部件220压住的上方位置与将片部件220压住的下方位置之间在上下方向上移动。另外，上方位置是能够避开向Y1方向移动的扩张部6及晶片环构造200的退避位置。另外，下方位置是片部件220的附近的位置。
另外，热缩部10(加热环111、吸气环112及扩张维持环113)构成为在将片部件220热缩时从上方位置向Z2方向侧下降至下方位置。需要说明的是，加热环111及吸气环112用的上下机构(Z方向移动机构110)和扩张维持环113用的上下机构(缸体)是独立的机构。因而，加热环111及吸气环112和扩张维持环113能够互相独立地上下移动。扩张维持环113构成为与扩张环64之间在上下方向(Z方向)上将片部件220夹入。由此，扩张维持环113构成为维持片部件220的与晶片210对应的部分的扩张状态。另外，加热环111构成为在利用扩张维持环113维持着片部件220的扩张状态的状态下利用作为加热机构的护套加热器对片部件220的晶片210的周围的部分220b(扩张维持环113的外侧的部分)进行加热。另外，吸气环112构成为在加热环111对片部件220的加热的期间将通过加热而从片部件220产生的气体吸入。
在此，在本实施方式中，如图14所示，紫外线照射部11构成为，在利用热缩部10对片部件220进行加热时，并行地向片部件220照射紫外线而使片部件220的粘着力降低。具体而言，在作为热缩位置的第二位置P2配置有在利用热缩部10将片部件220热缩时向片部件220照射紫外线的紫外线照射部11。
也就是说，在对片部件220进行加热而使其收缩时，并行地向片部件220照射紫外线而使片部件220的粘着力降低。
紫外线照射部11相对于晶片环构造200配置于Z2方向侧。另外，紫外线照射部11构成为能够在沿着与片部件220的面相交的方向(Z方向)配置的紫外线照射位置P3与退避位置P4之间移动。具体而言，紫外线照射部11构成为能够在第二位置P2处通过气缸等缸体121的驱动力而在照射紫外线的上方的紫外线照射位置P3(参照图14)与不照射紫外线的下方的退避位置(参照图13)之间在上下方向(Z方向)上移动。紫外线照射部11构成为在将片部件220热缩时从下方的退避位置P4向Z1方向侧上升至上方的紫外线照射位置P3。
另外，若热缩部10对片部件220的热缩完成，则Y方向移动机构62构成为使扩张部6(Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64)在Y2方向上从进行了热缩的第二位置P2向进行了扩张的第一位置P1移动。此时，Y方向移动机构62构成为，不使热缩部10及紫外线照射部11从第二位置P2移动，与热缩部10及紫外线照射部11相独立地使扩张部6在Y2方向上从第二位置P2向第一位置P1移动。此时，热缩部10退避于上方位置，紫外线照射部11退避于下方的退避位置P4。
扩张维持环113在利用热缩部10使片部件220收缩时，与片部件220的一侧(Z1方向侧)的面的晶片210周边呈周状地抵接，与扩张环64一起将片部件220夹入而保持，由此维持配置晶片210的部分的片部件220的扩张。
也就是说，扩张维持环113及扩张环64构成为，在利用紫外线照射部11向片部件220照射紫外线时并行地利用热缩部10使片部件220收缩之时，通过以夹入片部件220的方式保持片部件220而维持配置晶片210的部分的片部件220的扩张。
另外，扩张维持环113以覆盖片部件220的一侧(Z1方向侧)的方式配置，构成为遮蔽从紫外线照射部11照射的紫外线。另外，紫外线照射部11构成为从片部件220的另一侧(Z2方向侧)向片部件220照射紫外线。
如图14所示，扩张维持环113包含底面部113a和侧面部113b。底面部113a以覆盖上方侧(Z1方向侧)的方式配置。另外，侧面部113b以包围片部件220的晶片210的方式形成为环状。底面部113a连接于与片部件220相反一侧(Z1方向侧)的侧面部113b。底面部113a形成为圆形形状。
另外，扩张维持环113由遮蔽紫外线的部件形成。例如，扩张维持环113由有色的树脂形成。或者，扩张维持环113由不锈钢材、铝材等金属形成。
扩张环64以在利用紫外线照射部11向片部件220照射紫外线时与片部件220的另一侧(Z2方向侧)抵接而支撑片部件220并且包围紫外线照射部11的方式配置。也就是说，如图14所示，紫外线照射部11在配置于紫外线照射位置P3的情况下，周围由扩张环64包围。另外，扩张环64由遮蔽紫外线的材料形成。扩张环64例如由不锈钢材、铝材等金属形成。或者，扩张环64由有色的树脂形成。
紫外线照射部11调整所照射的紫外线的强度，以使降低片部件220的粘着力的紫外线的照射处理在利用热缩部10对片部件220进行加热而使其收缩时的作业时间内结束。
具体而言，紫外线照射部11在缩短照射紫外线的时间的情况下被设定成所照射的紫外线的强度变大。另一方面，紫外线照射部11在延长照射紫外线的时间的情况下被设定成照射的紫外线的强度变小。
<与盒部及举起手部相关的结构>
如图1所示，盒部2在俯视下配置于与第一位置P1及第二位置P2不同的位置。另外，举起手部3在俯视下配置于与第一位置P1及第二位置P2不同的位置。另外，举起手部3从盒部2取出晶片环构造200的方向(Y2方向)与Y方向移动机构62使扩张部6移动的方向(Y1方向)大致平行。即，举起手部3对晶片环构造200的插拔方向(Y方向)和Y方向移动机构62对扩张部6的移动方向(Y方向)互相大致平行。另外，盒部2与作为热缩位置的第二位置P2在X方向上排列配置。另外，举起手部3对晶片环构造200的取出位置与作为扩张位置的第一位置P1在X方向上排列配置。
(取出处理)
参照图15，对扩张装置100中的取出处理进行说明。取出处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S1中进行的处理。
如图15所示，在步骤S101中，判断举起手部3的举起手32是否空闲。在举起手32不空闲的情况下，取出处理结束。另外，在举起手32空闲的情况下，进入步骤S102。
然后，在步骤S102中，判断举起手32是否存在于盒部2的晶片盒22内。在举起手32不存在于晶片盒22内的情况下，进入步骤S104。另外，在举起手32存在于晶片盒22内的情况下，进入步骤S103。
然后，在步骤S103中，举起手32由Y方向移动机构31从晶片盒22内向晶片盒22外向Y2方向移动。
然后，在步骤S104中，以能够利用举起手32将晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200取出的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21在Z方向上移动。具体而言，在步骤S104中，以使举起手32的上表面位于晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200的环状部件的230的下表面的稍靠Z2方向侧的高度的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21在Z方向上移动。
然后，在步骤S105中，以位于晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200的环状部件230的正下方的方式，举起手32由Y方向移动机构31向Y1方向移动。
然后，在步骤S106中，晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200向举起手32移交。具体而言，在步骤S106中，以使晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200的环状部件230的下表面通过举起手32而从一对载置部23的上表面稍微浮起的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21向Z2方向移动。
然后，在步骤S107中，在利用举起手32的上表面支撑了取出对象的晶片环构造200的环状部件230的下表面的状态下，举起手32由Y方向移动机构31向Y2方向移动。由此，取出对象的晶片环构造200由举起手32从晶片盒22内取出。然后，取出处理结束。
(移载处理)
参照图16，对扩张装置100中的移载处理进行说明。移载处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S2或S7中进行的处理。
如图16所示，在步骤S201中，吸附手部4的吸附手43由Z方向移动机构42上升。
然后，在步骤S202中，吸附手43由X方向移动机构41向晶片环构造200的上方移动。具体而言，在上述半导体芯片制造处理中的步骤S2的情况下，吸附手43向由举起手32支撑的晶片环构造200的上方移动。另外，在上述半导体芯片制造处理中的步骤S7的情况下，吸附手43向由扩张部6支撑的晶片环构造200的上方移动。
然后，在步骤S203中，吸附手43由Z方向移动机构42朝向晶片环构造200下降。
然后，在步骤S204中，吸附手43利用从负压产生装置供给的负压来吸附晶片环构造200的环状部件230。
然后，在步骤S205中，吸附手43由Z方向移动机构42上升。
然后，在步骤S206中，吸附手43由X方向移动机构41向移载目的地的上方移动。具体而言，在上述半导体芯片制造处理中的步骤S2的情况下，吸附手43向第一位置P1的扩张部6的上方移动。另外，在上述半导体芯片制造处理中的步骤S7的情况下，吸附手43向举起手32的上方移动。
然后，在步骤S207中，吸附手43由Z方向移动机构42朝向移载目的地(扩张部6或举起手32)下降。
然后，在步骤S208中，吸附手43对晶片环构造200的环状部件230的吸附被解除。由此，晶片环构造200向移载目的地的移载完成。然后，移载处理结束。
(扩张处理)
参照图17及图18，对扩张装置100中的扩张处理进行说明。扩张处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S3中进行的处理。扩张处理在第一位置P1处进行。
如图17所示，在步骤S301中，吸附手43由Z方向移动机构42上升。此时，晶片环构造200的环状部件230由夹持部63的下侧把持部63a支撑。
然后，在步骤S302中，上侧把持部63b的多个滑动移动体63ba朝向晶片210侧而在水平方向上滑动移动。
然后，在步骤S303中，在支撑了晶片环构造200的环状部件230的状态下，下侧把持部63a上升。由此，在上侧把持部63b与下侧把持部63a之间把持并固定环状部件230。
然后，在步骤S304中，碎片清理器9与冷气供给部7一起由缸体朝向晶片环构造200下降。
然后，在步骤S305中，判断是否需要基于冷气供给部7向片部件220的冷气的供给的冷却。在需要基于冷气供给部7向片部件220的冷气的供给的冷却的情况下，进入步骤S305a。然后，在步骤S305a中，冷气供给部7向片部件220的冷气的供给开始。然后，进入步骤S306。另外，在不需要基于冷气供给部7向片部件220的冷气的供给的冷却的情况下，不进行步骤S305a的处理，进入步骤S306。
然后，在步骤S306中，判断是否需要冷却单元8对片部件220的冷却。在需要冷却单元8对片部件220的冷却的情况下，进入步骤S307。然后，在步骤S307中，除了冷气供给部7对片部件220的冷却之外，也进行冷却单元8对片部件220的冷却。然后，进入步骤S308。另外，在不需要冷却单元8对片部件220的冷却的情况下，不进行步骤S307的处理，进入步骤S308。
然后，如图18所示，在步骤S308中，碎片清理器9对飞散物的吸引开始。
然后，在步骤S309中，通过夹持部63由Z方向移动机构61快速下降而片部件220被向扩张环64压靠，执行片部件220的扩张。由此，片部件220上的晶片210被分割成矩阵状的多个半导体芯片，并且多个半导体芯片之间的间隙被扩宽。另外，在步骤S309中，夹持部63从扩张开始位置下降至扩张完成位置。
然后，在步骤S310中，冷气供给部7向片部件220的冷气的供给停止。需要说明的是，在步骤305中判断为不需要基于冷气供给部7向片部件220的冷气的供给的冷却的情况下，不进行步骤S310的处理，进入步骤S311。
然后，在步骤S311中，碎片清理器9对飞散物的吸引停止。
然后，在步骤S312中，碎片清理器9与冷气供给部7一起由缸体上升。然后，扩张处理结束。然后，一边维持扩张了片部件220的状态，一边由Y方向移动机构62从第一位置P1向第二位置P2移动扩张部6(Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64)。
(热缩处理)
参照图19及图20，对扩张装置100中的热缩处理进行说明。热缩处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S5中进行的处理。
如图19所示，在步骤S401中，紫外线照射部11由缸体121上升。
然后，在步骤S402中，扩张维持环113由缸体下降。由此，在扩张维持环113与扩张环64之间夹入片部件220。
然后，在步骤S403中，加热环111和吸气环112由Z方向移动机构110下降。需要说明的是，加热环111及吸气环112用的上下机构(Z方向移动机构110)和扩张维持环113用的上下机构(缸体)是独立的机构。
然后，在步骤S404中，吸气环112的吸气开始。
然后，在步骤S405中，片部件220对加热环111的加热和紫外线照射部11向片部件220的紫外线的照射开始。通过加热环111对片部件220的加热，片部件220的晶片210的周围的部分220b的松弛收缩而被除去。另外，通过紫外线照射部11向片部件220的紫外线的照射，片部件220的粘着层的粘着力下降。
然后，在步骤S406中，判断加热环111对片部件220的加热时间是否到达了设定时间。在加热环111对片部件220的加热时间未到达设定时间的情况下，反复进行步骤S406的处理。另外，在加热环111对片部件220的加热时间到达了设定时间的情况下，进入步骤S407。
然后，在步骤S407中，加热环111对片部件220的加热停止。
然后，在步骤S408中，夹持部63由Z方向移动机构61低速上升。
然后，在步骤S409中，判断夹持部63是否上升至扩张开始位置。在夹持部63未上升至扩张开始位置的情况下，反复进行步骤S409的处理。另外，在夹持部63上升至扩张开始位置的情况下，进入步骤S410。
需要说明的是，在步骤S406～S409的处理中，示出了将加热环111对片部件220的加热和Z方向移动机构61对夹持部63的上升以1次进行的例子，但热缩的结构不限于此。例如，也可以将加热环111对片部件220的加热和Z方向移动机构61对夹持部63的上升分割为多次来进行。即，也可以一边反复进行加热环111对片部件220的加热和Z方向移动机构61对夹持部63的上升一边使夹持部63上升至扩张开始位置。
然后，在步骤S410中，吸气环112的吸气和紫外线照射部11向片部件220的紫外线的照射停止。
然后，在步骤S411中，加热环111和吸气环112由Z方向移动机构110上升。
然后，在步骤S412中，扩张维持环113由缸体上升。
然后，在步骤S413中，紫外线照射部11由缸体121下降。然后，热缩处理结束。然后，由Y方向移动机构62从第二位置P2向第一位置P1移动扩张部6(Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64)。然后，由吸附手43从第一位置P1的扩张部6向举起手32移载扩张及热缩完成后的晶片环构造200。
(收容处理)
参照图21，对扩张装置100中的收容处理进行说明。收容处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S8中进行的处理。
如图21所示，在步骤S501中，判断举起手部3的举起手32是否空闲。在举起手32不空闲的情况下，收容处理结束。另外，在举起手32空闲的情况下，进入步骤S502。
然后，在步骤S502中，判断举起手32是否存在于盒部2的晶片盒22内。在举起手32不存在于晶片盒22内的情况下，进入步骤S504。另外，在举起手32存在于晶片盒22内的情况下，进入步骤S503。
然后，在步骤S503中，举起手32由Y方向移动机构31从晶片盒22内向晶片盒22外向Y2方向移动。
然后，在步骤S504中，以能够向晶片盒22收容举起手32上的收容对象的晶片环构造200的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21在Z方向上移动。具体而言，在步骤S504中，以使举起手32上的收容对象的晶片环构造200的环状部件的230的下表面位于晶片盒22内的一对载置部23的上表面的稍靠Z1方向侧的高度的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21在Z方向上移动。
然后，在步骤S505中，以使举起手32上的收容对象的晶片环构造200的环状部件的230的下表面位于晶片盒22内的收容位置(一对载置部23的正上方)的方式，举起手32由Y方向移动机构31向Y1方向移动。
然后，在步骤S506中，举起手32上的收容对象的晶片环构造200向晶片盒22内的一对载置部23移交。具体而言，在步骤S506中，以使举起手32的上表面比一对载置部23的上表面稍微靠下的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21向Z1方向移动。
然后，在步骤S508中，在利用一对载置部23的上表面支撑了收容对象的晶片环构造200的环状部件230的下表面的状态下，举起手32由Y方向移动机构31向Y2方向移动。由此，在收容对象的晶片环构造200收容于晶片盒22内的状态下，举起手32被取出。然后，收容处理结束。
(本实施方式的效果)
在本实施方式中，能够得到以下这样的效果。
在本实施方式中，如上所述，设置在利用热缩部10对片部件220进行加热时并行地向片部件220照射紫外线而使片部件220的粘着力降低的紫外线照射部11。由此，能够一边利用热缩部10对片部件220的晶片210的周围的部分的松弛进行加热而使其收缩，一边利用紫外线照射部11使片部件220的粘着力降低。其结果，与依次进行热缩部10对片部件220的收缩处理和紫外线照射部11的使片部件220的粘着力降低的处理的情况相比，能够使处理的时间减少。由此，能够抑制粘贴有晶片210的片部件220的扩张、加热收缩及使粘着力降低的处理的时间增加。
另外，在本实施方式中，如上所述，具备以覆盖片部件220的一侧的方式配置且遮蔽从紫外线照射部11照射的紫外线的扩张维持环113，紫外线照射部11构成为从片部件220的另一侧向片部件220照射紫外线。由此，能够利用扩张维持环113来抑制从紫外线照射部11照射的紫外线向外部泄漏。
另外，在本实施方式中，如上所述，扩张维持环113包含以包围片部件220的晶片210的方式形成为环状的侧面部113b和连接于与片部件220相反一侧的侧面部的底面部113a。由此，能够将向片部件220的侧方出射的紫外线利用扩张维持环113的侧面部113b来遮蔽，并且能够将向与片部件220的面垂直的方向出射的紫外线利用扩张维持环113的底面部113a来遮蔽。由此，能够更可靠地抑制向片部件220照射的紫外线向外部泄漏。
另外，在本实施方式中，如上所述，具备扩张环64，该扩张环64以在利用紫外线照射部11向片部件220照射紫外线时与片部件220的另一侧抵接而支撑片部件220并且包围紫外线照射部11的方式配置，由遮蔽紫外线的材料形成。由此，能够利用支撑片部件220的扩张环64来遮蔽从紫外线照射部11向周围出射的紫外线，因此与独立地设置支撑片部件220的部件和遮蔽紫外线的部件的情况相比，能够使零件数减少，并且能够将装置结构简化。
另外，在本实施方式中，如上所述，扩张维持环113及扩张环64构成为，在利用紫外线照射部11向片部件220照射紫外线时并行地利用热缩部10使片部件220收缩之时，通过以夹入片部件220的方式保持片部件220而维持配置晶片210的部分的片部件220的扩张。由此，能够利用遮蔽由紫外线照射部11照射的紫外线的扩张维持环113在利用热缩部10使片部件220收缩时维持配置晶片210的部分的片部件220的扩张，因此与另外设置维持片部件220的扩张的部件的情况相比，能够使零件数减少，并且能够将装置结构简化。
另外，在本实施方式中，如上所述，紫外线照射部11构成为，能够在沿着与片部件220的面相交的方向配置的紫外线照射位置P3与退避位置P4之间移动。由此，能够在向片部件220照射紫外线的情况下，使紫外线照射部11向紫外线照射位置P3移动，在不向片部件220照射紫外线的情况下，使紫外线照射部11向退避位置P4退避。由此，在使紫外线照射部11退避了的情况下能够对片部件220进一步进行其他的处理，因此能够对相同位置的片部件220进行多个种类的处理。
另外，在本实施方式中，如上所述，紫外线照射部11调整所照射的紫外线的强度，以使降低片部件220的粘着力的紫外线的照射处理在利用热缩部10对片部件220进行加热而使其收缩时的作业时间内结束。由此，能够使照射紫外线而降低片部件220的粘着力的处理在对片部件220进行加热而使其收缩的作业内结束，因此能够抑制等待照射紫外线而降低片部件220的粘着力的处理的结束的等待时间产生。其结果，能够有效地抑制粘贴有晶片210的片部件220的扩张、加热收缩及使粘着力降低的处理的时间增加。
[变形例]
需要说明的是，应该认为，本次公开的实施方式在所有方面都是例示而非限制性的内容。本发明的范围不是由上述的实施方式的说明表示而是由权利要求书表示，还包含与权利要求书等同的含义及范围内的所有变更(变形例)。
例如，在上述实施方式中，示出了相对于片部件从一侧利用热缩部将片部件加热、相对于片部件从另一侧利用紫外线照射部向片部件照射紫外线的结构的例子，但本发明不限于此。在本发明中，也可以是相对于片部件从相同侧利用热缩部将片部件加热且利用紫外线照射部向片部件照射紫外线的结构。
另外，在上述实施方式中，示出了扩张维持环(紫外线遮蔽部)设置于片部件的上方且扩张环(支撑环)设置于片部件的下方的结构的例子，但本发明不限于此。在本发明中，也可以是，紫外线遮蔽部设置于片部件的下方，支撑环设置于片部件的上方。另外，还可以是，紫外线遮蔽部及支撑环以夹着片部件而在水平方向上相向的方式配置。
另外，在上述实施方式中，示出了扩张维持环(紫外线遮蔽部)以具有圆筒形状的方式形成的结构的例子，但本发明不限于此。在本发明中，紫外线遮蔽部也可以形成为截面具有多边形形状的筒状。
另外，在上述实施方式中，示出了热缩部的加热环将片部件的晶片的周围的部分遍及整周地加热的结构的例子，但本发明不限于此。在本发明中，热缩部也可以是将晶片的周边针对每个部分依次加热的结构。
另外，在上述实施方式中，示出了利用在热缩部对片部件的加热收缩的处理时维持配置晶片的部分的片部件的扩张的扩张维持环来遮蔽从紫外线照射部照射的紫外线的结构的例子，但本发明不限于此。在本发明中，也可以是利用相对于扩张维持环另外设置的遮蔽紫外线的部件来遮蔽从紫外线照射部照射的紫外线的结构。
另外，在上述实施方式中，为了便于说明，示出了将第二控制部13(控制部)的控制处理使用顺着处理流程依次进行处理的流程驱动型的流程图来说明的例子，但本发明不限于此。在本发明中，也可以将控制部的控制处理通过以事件单位执行处理的事件驱动型的处理来进行。在该情况下，可以是完全的事件驱动型，也可以将事件驱动及流程驱动组合而进行。
附图标记说明
6扩张部
10热缩部
11紫外线照射部
64扩张环(支撑环)
100扩张装置
113扩张维持环(紫外线遮蔽部)
113a底面部
113b侧面部
210晶片
220片部件

Claims (8)

1.一种扩张装置，具备：
扩张部，对粘贴有能够沿着分割线分割的晶片且具有伸缩性的热收缩性的片部件进行扩张，沿着所述分割线而分割所述晶片；
热缩部，对通过所述扩张部的扩张而产生的所述片部件的所述晶片的周围的部分的松弛进行加热而使该松弛收缩；及
紫外线照射部，在利用所述热缩部对所述片部件进行加热时，并行地向所述片部件照射紫外线而降低所述片部件的粘着力。
2.根据权利要求1所述的扩张装置，其中，
所述扩张装置还具备紫外线遮蔽部，所述紫外线遮蔽部以覆盖所述片部件的一侧的方式配置且遮蔽从所述紫外线照射部照射的紫外线，
所述紫外线照射部构成为从所述片部件的另一侧向所述片部件照射紫外线。
3.根据权利要求2所述的扩张装置，其中，
所述紫外线遮蔽部包含：侧面部，以包围所述片部件的所述晶片的方式形成为环状；及底面部，连接于与所述片部件相反一侧的所述侧面部。
4.根据权利要求2或3所述的扩张装置，其中，
所述扩张装置还具备支撑环，所述支撑环以在利用所述紫外线照射部向所述片部件照射紫外线时与所述片部件的另一侧抵接而支撑所述片部件并且包围所述紫外线照射部的方式配置，由遮蔽紫外线的材料形成。
5.根据权利要求4所述的扩张装置，其中，
所述紫外线遮蔽部及所述支撑环构成为，在利用所述紫外线照射部向所述片部件照射紫外线时并行地利用所述热缩部使所述片部件收缩之时，通过以夹入所述片部件的方式保持该片部件而维持配置所述晶片的部分的所述片部件的扩张。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的扩张装置，其中，
所述紫外线照射部构成为，能够在沿着与所述片部件的面相交的方向配置的紫外线照射位置与退避位置之间移动。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的扩张装置，其中，
所述紫外线照射部调整所照射的紫外线的强度，以使降低所述片部件的粘着力的紫外线的照射处理在利用所述热缩部对所述片部件进行加热而使该片部件收缩时的作业时间内结束。
8.一种扩张方法，包括如下步骤：
对粘贴有能够沿着分割线分割的晶片且具有伸缩性的热收缩性的片部件进行扩张，沿着所述分割线分割所述晶片；
之后，对通过所述片部件的扩张而产生的所述片部件的所述晶片的周围的部分的松弛进行加热而使该松弛收缩；及
在对所述片部件进行加热而使该片部件收缩时，并行地向所述片部件照射紫外线而降低所述片部件的粘着力。
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