CN113363147A - 分割方法和分割装置 - Google Patents

分割方法和分割装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113363147A
CN113363147A CN202110223522.8A CN202110223522A CN113363147A CN 113363147 A CN113363147 A CN 113363147A CN 202110223522 A CN202110223522 A CN 202110223522A CN 113363147 A CN113363147 A CN 113363147A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dividing
piece
expansion
unit
expanding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110223522.8A
Other languages
English (en)
Inventor
赵金艳
植木笃
政田孝行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN113363147A publication Critical patent/CN113363147A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043Making grooves, e.g. cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Abstract

本发明提供分割方法和分割装置,能够形成期望宽度的分割槽。分割方法是沿着分割预定线形成有改质层并且粘贴在扩展片上的被加工物的分割方法,该分割方法包含如下的步骤:分割步骤,对扩展片进行扩展并沿着改质层对被加工物进行分割,形成沿着分割预定线的分割槽;扩展解除步骤,在实施了分割步骤之后,解除扩展片的扩展;以及槽宽度调整步骤,在实施了扩展解除步骤之后,对扩展片进行扩展而将分割槽形成为期望的宽度。

Description

分割方法和分割装置
技术领域
本发明涉及沿着分割预定线形成有分割起点并且粘贴在扩展片上的被加工物的分割方法和分割装置。
背景技术
在将晶片等被加工物沿着分割预定线分割成各个器件芯片时,使用对粘贴在沿着分割预定线形成有分割起点的被加工物上的扩展片进行扩展(扩展)的分割方法和分割装置(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2010-206136号公报
在像专利文献1所示的分割方法和分割装置那样将扩展片扩展而进行分割的情况下,由于分割起点的状态不均匀,因此裂开的时机产生偏差。而且,在较早裂开的部位形成有较宽的分割槽,在较迟裂开的部位形成有较窄的分割槽,因此在像专利文献1所示的分割方法和分割装置那样将扩展片扩展而进行分割的情况下,分割槽的宽度产生偏差。
当在芯片间未形成足够宽度的分割槽时,相邻的芯片彼此有可能在处理时发生接触而损伤芯片。希望形成比可能接触的宽度宽的期望宽度的分割槽。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供能够形成期望宽度的分割槽的分割方法和分割装置。
根据本发明的一个方面,提供一种分割方法,是沿着分割预定线形成有分割起点并且粘贴在扩展片上的被加工物的分割方法,其中,该分割方法具有如下的步骤:分割步骤,对该扩展片进行扩展而沿着该分割起点对被加工物进行分割,形成沿着该分割预定线的分割槽;扩展解除步骤,在实施了该分割步骤之后,解除该扩展片的扩展;以及槽宽度调整步骤,在实施了该扩展解除步骤之后,对该扩展片进行扩展而将该分割槽形成为期望的宽度。
优选的是,在该分割步骤中,以第1速度对该扩展片进行扩展,在该槽宽度调整步骤中,以比该第1速度低的第2速度对该扩展片进行扩展。
优选的是,分割方法还具有如下的固定步骤:在实施了该槽宽度调整步骤之后,按照该期望的宽度固定该分割槽。
优选的是,被加工物形成为借助该扩展片而安装于具有开口的环状框架上并且配置于该开口内的状态,在该分割步骤和该槽宽度调整步骤中,通过在固定了该环状框架的状态下推压被加工物的外周与该环状框架的内周之间的该扩展片来扩展该扩展片,在该固定步骤中,隔着该扩展片利用吸引保持部件对通过该槽宽度调整步骤而使该分割槽形成为该期望的宽度的被加工物进行吸引保持,并且对被加工物的外周与该环状框架的内周之间的扩展片进行加热而使该扩展片收缩,从而将因扩展而产生的松弛去除。
优选的是,在该固定步骤中,按照将被加工物配置在具有开口的环状框架的该开口内的方式,在通过该槽宽度调整步骤而扩展了该扩展片的状态下将该环状框架粘贴在该扩展片上。
根据本发明的另一方面,提供一种分割装置,其实施所述分割方法,其中,该分割装置具有:扩展单元,其对该扩展片进行扩展;以及控制器,其对该扩展单元进行控制,该控制器包含:分割控制部,其对该扩展片进行扩展并沿着该分割起点对被加工物进行分割,形成沿着该分割预定线的分割槽;扩展解除部,其在被加工物分割后解除该扩展片的扩展;以及槽宽度调整部,其在解除了该扩展片的扩展之后,对该扩展片进行扩展而将该分割槽形成为期望的宽度。
本发明起到能够形成期望宽度的分割槽的效果。
附图说明
图1是示出第1实施方式的分割装置的结构例的立体图。
图2是图1所示的分割装置的加工对象的被加工物的立体图。
图3是示出第1实施方式的分割方法的流程的流程图。
图4是用局部剖面示出在图3所示的分割方法的保持步骤中在框架固定部的框架载置板的上表面上载置有框架的状态的侧视图。
图5是用局部剖面示出在图3所示的分割方法的保持步骤中框架固定部将框架保持、固定的状态的侧视图。
图6是用局部剖面示出图3所示的分割方法的分割步骤的侧视图。
图7是图6所示的被加工物的主要部分的俯视图。
图8是用局部剖面示出图3所示的分割方法的扩展解除步骤的侧视图。
图9是图8所示的被加工物的主要部分的俯视图。
图10是用局部剖面示出图3所示的分割方法的槽宽度调整步骤的侧视图。
图11是图10所示的被加工物的主要部分的俯视图。
图12是用局部剖面示出图3所示的分割方法的固定步骤的侧视图。
图13是示出第2实施方式的分割装置的结构例的立体图。
图14是示意性地示出第2实施方式的分割方法的保持步骤的俯视图。
图15是示意性地示出第2实施方式的分割方法的分割步骤的俯视图。
图16是第2实施方式的分割方法的分割步骤的被加工物的主要部分的俯视图。
图17是第2实施方式的分割方法的扩展解除步骤的被加工物的主要部分的俯视图。
图18是第2实施方式的分割方法的槽宽度调整步骤的被加工物的主要部分的俯视图。
图19是示意性地示出第2实施方式的分割方法的固定步骤的俯视图。
标号说明
1、1-2:分割装置;20:扩展单元;40:卡盘工作台(吸引保持部件);50:控制单元(控制器);51:分割控制部;52:扩展解除部;53:槽宽度调整部;133-1:第一移动单元(扩展单元);133-2:第二移动单元(扩展单元);133-3:第三移动单元(扩展单元);133-4:第四移动单元(扩展单元);200:被加工物;203:分割预定线;206:改质层(分割起点);208:扩展片;209:框架;210:分割槽;211:松弛;212:开口;301:第1速度;302:第2速度;1002:分割步骤;1003:扩展解除步骤;1004:槽宽度调整步骤;1005:固定步骤。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明并不限定于以下的实施方式所记载的内容。另外,在以下所记载的结构要素中包含有本领域技术人员能够容易想到的、实质上相同的结构要素。此外,以下所记载的结构能够适当组合。另外,能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
〔第1实施方式〕
根据附图对本发明的第1实施方式的分割装置进行说明。图1是示出第1实施方式的分割装置的结构例的立体图。图2是图1所示的分割装置的加工对象的被加工物的立体图。
第1实施方式的图1所示的分割装置1是将图2所示的被加工物200分割成各个器件芯片201的分割装置。作为分割装置1的加工对象的被加工物200是具有硅、蓝宝石、砷化镓等基板202的圆板状的半导体晶片或光器件晶片等晶片。
如图2所示,被加工物200在基板202的由呈格子状设定于正面205的多条分割预定线203划分出的多个区域中形成有器件204。器件204例如是IC(Integrated Circuit:集成电路)或LSI(Large Scale Integration:大规模集成电路)等集成电路、CCD(ChargeCoupled Device:电荷耦合器件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:互补金属氧化物半导体)等图像传感器。
在第1实施方式中,被加工物200沿着分割预定线203而按照各个器件204进行分割,从而被分割成各个器件芯片201。器件芯片201具有基板202的一部分和基板202上的器件204。
由图1所示的分割装置1分割成各个器件芯片201的被加工物200在基板202的内部沿着分割预定线203形成有作为分割起点的改质层206。改质层206是将对于被加工物200的基板202具有透过性的波长(在实施方式中为1064nm)的激光光线的聚光点设定在被加工物200的基板202的内部并从正面205的背侧的背面207侧沿着分割预定线203进行照射而形成的。另外,改质层206是指密度、折射率、机械强度以及其他物理特性成为与周围的物理特性不同的状态的区域,能够例示出熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域以及这些区域混在的区域等。另外,改质层206的机械强度等比被加工物200的其他部分低。
另外,在第1实施方式中,被加工物200在背面207侧粘贴有直径比被加工物200大的扩展片208,在扩展片208的外周缘粘贴有环状的框架209,被支承在框架209的开口212内。在第1实施方式中,如图2所示,被加工物200形成为借助扩展片208而安装于具有开口212的框架209上并且配置于框架209的开口212内的状态。
在第1实施方式中,被加工物200在粘贴于背面207侧的扩展片208的外周缘上粘贴有框架209,但在本发明中并不限定于此,例如也可以在被加工物200的背面207与扩展片208之间粘贴有圆板状的DAF(芯片贴装膜)。另外,在本发明中,也可以是粘贴有DAF的被加工物200。另外,扩展片208的外径形成为比被加工物200的外径大,扩展片208具有伸缩性,由被加热时收缩的合成树脂构成。
第1实施方式的分割装置1具有未图示的腔室、框架固定单元10、扩展单元20、作为固定单元的加热单元30、作为吸引保持部件的卡盘工作台40以及作为控制器的控制单元50。
腔室形成为上部开口的箱状。腔室收纳框架固定单元10的框架载置板11、扩展单元20以及卡盘工作台40。
框架固定单元10保持并固定框架209。框架固定单元10具有框架载置板11和框架按压板12。
框架载置板11设置有平面形状为圆形的开口部13,并且上表面18形成为与水平方向平行且平坦地形成的板状。框架载置板11的四角被升降用气缸15的杆16支承。框架载置板11的开口部13的内径形成为与框架209的内径相等。框架载置板11在上表面18上载置有通过未图示的搬送单元对被加工物200进行支承的框架209。
框架按压板12形成为平面形状比框架载置板11大的板状。框架按压板12在中央设置有与开口部13相同尺寸的圆形的开口部17。框架按压板12固定在腔室内,开口部17配置于与框架载置板11的开口部13同轴的位置。框架固定单元10将框架209夹在通过升降用气缸15上升的框架载置板11与框架按压板12之间来进行保持、固定。
扩展单元20是如下的单元:其相对于框架固定单元10将扩展片208顶起,沿着与粘贴于扩展片208上的被加工物200的正面205垂直的方向移动规定的距离,从而对扩展片208进行扩展。扩展单元20也是如下的单元:其通过对粘贴在框架固定单元10所保持的框架209上的扩展片208进行扩展,沿着分割预定线203将背面207上粘贴有扩展片208的被加工物200分割成器件芯片201。
扩展单元20具有扩展滚筒21和滚筒用升降单元22。扩展滚筒21形成为圆筒状,外径形成为比载置于框架载置板11的上表面18的框架209的内径小。扩展滚筒21形成为内径比粘贴于扩展片208的被加工物200的外径大。扩展滚筒21配置于框架载置板11的开口部13的内侧,并配置于与框架载置板11的开口部13和框架按压板12的开口部17同轴的位置。
在扩展滚筒21的上端以旋转自如的方式安装有滚子部件23(图4等所示)。滚子部件23在扩展滚筒21顶起扩展片208时缓和与扩展片208的摩擦。在第1实施方式中,扩展滚筒21通过滚筒用升降单元22进行升降。
卡盘工作台40对扩展后的扩展片208进行吸引保持,隔着扩展片208利用保持面41对分割成一个一个的多个器件芯片201进行吸引保持。卡盘工作台40是圆板形状。卡盘工作台40的上表面由多孔陶瓷等多孔质材料构成,是与吸引源43(图4等所示)连接的保持面41。
卡盘工作台40配置于扩展滚筒21的内侧,并配置于与开口部13、17和扩展滚筒21同轴的位置。卡盘工作台40隔着扩展片208而将被加工物200的背面207侧载置于保持面41。卡盘工作台40通过吸引源43对保持面41进行吸引,从而将被加工物200的背面207侧吸引保持于保持面41。另外,卡盘工作台40通过图4等所示的工作台用升降单元42(图4等所示)进行升降。
加热单元30将被加工物200的周围的扩展片208加热到规定的温度以上。加热单元30具有圆板状的单元主体31、安装于单元主体31的多个热源部32、旋转单元33以及升降单元34。
单元主体31在卡盘工作台40的上方且与卡盘工作台40同轴地配置。单元主体31通过旋转单元33绕与铅垂方向平行的轴心旋转地设置。单元主体31通过升降单元34升降自如地设置。
热源部32沿周向等间隔地配置于单元主体31的下表面的外缘部。热源部32配置于在铅垂方向上与卡盘工作台40和框架固定单元10所保持的扩展片208的框架209的内缘与被加工物200的外缘之间对置的位置。热源部32对扩展片208的框架209的内缘与被加工物200的外缘之间进行加热。在实施方式中,热源部32设置有四个,但在本发明中并不限定于四个。热源部32是向下方照射红外线而对被加工物200的外周与框架209的内周之间的扩展片208进行加热的形式的部件,例如是当施加电压时被加热而放射红外线的红外线陶瓷加热器,但在本发明中并不限定于此。
旋转单元33使单元主体31绕轴心进行旋转,使热源部32在被加工物200的外周沿着周向移动。升降单元34使单元主体31沿着铅垂方向升降,从而调整加热单元30的热源部32与扩展片208之间的距离。
控制单元80分别控制分割装置1的上述结构要素、即扩展单元20和加热单元30等,使分割装置1实施对被加工物200的加工动作。控制单元50例如是计算机,该计算机具有:运算处理装置,其具有CPU(central processing unit:中央处理单元)等微处理器;存储装置,其具有ROM(read only memory:只读存储器)或RAM(random access memory:随机存取存储器)等存储器;以及输入输出接口装置。控制单元80与未图示的显示单元和未图示的输入单元连接,该显示单元由显示加工动作的状态和图像等的液晶显示装置等构成,该输入单元在操作者登记加工内容信息等时使用。输入单元由设置于显示单元的触摸面板和键盘等外部输入装置中的至少一个构成。
另外,如图1所示,控制单元50具有分割控制部51、扩展解除部52以及槽宽度调整部53。
分割控制部51使在开口212内支承着被加工物200的框架209保持、固定在框架固定单元10上,对粘贴在保持、固定于框架固定单元10的框架209上的扩展片208进行扩展而沿着改质层206将被加工物200分割,形成沿着分割预定线203的分割槽210(图7所示)。扩展解除部52在分割控制部51对被加工物200的分割后解除扩展片208的扩展。槽宽度调整部53在通过扩展解除部52解除了扩展片208的扩展之后,再次将扩展片208扩展,将分割槽210形成为期望的宽度。另外,分割控制部51、扩展解除部52以及槽宽度调整部53的功能通过运算处理装置执行存储在存储装置中的计算机程序来实现。
接着,对第1实施方式的分割方法进行说明。图3是示出第1实施方式的分割方法的流程的流程图。第1实施方式的分割方法是将粘贴在扩展片208上的被加工物200分割成各个器件芯片201的被加工物200的分割方法。第1实施方式的分割方法通过图1所示的分割装置1来实施。即,图1所示的分割装置1是实施第1实施方式的分割方法的装置。
如图3所示,第1实施方式的分割方法具有保持步骤1001、分割步骤1002、扩展解除步骤1003、槽宽度调整步骤1004以及固定步骤1005。
(保持步骤)
图4是用局部剖面示出在图3所示的分割方法的保持步骤中在框架固定部的框架载置板的上表面上载置有框架的状态的侧视图。图5是用局部剖面示出在图3所示的分割方法的保持步骤中框架固定部将框架保持、固定的状态的侧视图。
保持步骤1001是框架固定单元10对在开口212内支承着被加工物200的框架209进行保持、固定的步骤。在第1实施方式中,在保持步骤1001中,分割装置1的控制单元50的分割控制部51对升降用气缸15、滚筒用升降单元22、工作台用升降单元42进行控制,使框架载置板11、扩展滚筒21以及卡盘工作台40下降,对升降单元34进行控制而使加热单元30的单元主体31上升,使吸引源43和热源部32停止。在第1实施方式中,在保持步骤1001中,如图4所示,分割装置1通过未图示的搬送单元将在开口212内支承着被加工物200的框架209载置于框架载置板11的上表面18。
在第1实施方式中,在保持步骤1001中,分割装置1的控制单元50的分割控制部51对升降用气缸15进行控制而使框架载置板11上升,如图5所示,在框架载置板11与框架按压板12之间夹着框架209,框架固定单元10对框架209进行保持、固定。分割方法进入分割步骤1002。
(分割步骤)
图6是用局部剖面示出图3所示的分割方法的分割步骤的侧视图。图7是图6所示的被加工物的主要部分的俯视图。分割步骤1002是对扩展片208进行扩展而沿着改质层206将被加工物200分割而在被加工物200上形成沿着分割预定线203的分割槽210的步骤。
在第1实施方式中,在分割步骤1002中,分割装置1的控制单元50的分割控制部51对滚筒用升降单元22进行控制,按照使滚子部件23位于比框架载置板11的上表面18靠上方的位置的方式使扩展滚筒21上升。于是,如图6所示,安装于扩展滚筒21的上端的滚子部件23在与被加工物200的外周和框架209的内周之间的扩展片208抵接之后,朝向上方推压扩展片208,扩展片208沿面方向扩展。在分割步骤1002中,扩展的结果为,放射状的拉伸力作用于扩展片208。
这样,当拉伸力呈放射状作用于粘贴在被加工物200的基板202的背面207侧的扩展片208时,由于被加工物200形成有沿着分割预定线203的改质层206,因此以改质层206为分割起点而按照各个器件204进行分割,如图7所示,按照各个器件芯片201进行单片化,形成沿着分割预定线203的分割槽210。另外,由于改质层206不均匀地形成,因此在分割步骤1002中,在扩展片208的扩展时,断裂的时机产生偏差。即,在分割步骤1002中,几乎不存在所有改质层206同时断裂的情况。因此,如图7所示,分割步骤1002后的分割槽210在宽度上产生偏差。分割方法进入扩展解除步骤1003。
(扩展解除步骤)
图8是用局部剖面示出图3所示的分割方法的扩展解除步骤的侧视图。图9是图8所示的被加工物的主要部分的俯视图。扩展解除步骤1003是在实施了分割步骤1002之后解除扩展片208的扩展的步骤。
在第1实施方式中,在扩展解除步骤1003中,分割装置1的控制单元50的扩展解除部52对滚筒用升降单元22进行控制,使扩展滚筒21下降。于是,如图8所示,安装于扩展滚筒21的上端的滚子部件23从被加工物200的外周与框架209的内周之间的扩展片208分离,不再朝向上方推压扩展片208,从而解除扩展片208的面方向的扩展。于是,如图9所示,分割槽210的宽度比分割步骤1002后的宽度缩小,从而抑制偏差。分割方法进入槽宽度调整步骤1004。
(槽宽度调整步骤)
图10是用局部剖面示出图3所示的分割方法的槽宽度调整步骤的侧视图。图11是图10所示的被加工物的主要部分的俯视图。槽宽度调整步骤1004是在实施了扩展解除步骤1003之后对扩展片208进行扩展而将分割槽210形成为期望的宽度的步骤。
在第1实施方式中,在槽宽度调整步骤1004中,分割装置1的控制单元50的槽宽度调整部53对滚筒用升降单元22进行控制,按照使滚子部件23位于比框架载置板11的上表面18靠上方的位置的方式使扩展滚筒21上升。于是,如图10所示,在安装于扩展滚筒21的上端的滚子部件23与被加工物200的外周和框架209的内周之间的扩展片208抵接之后,朝向上方推压扩展片208,扩展片208沿面方向扩展。在槽宽度调整步骤1004中,扩展的结果为,放射状的拉伸力作用于扩展片208。
这样,当拉伸力呈放射状作用于粘贴在被加工物200的基板202的背面207侧的扩展片208时,由于被加工物200在分割步骤1002中已经以沿着分割预定线203的改质层206为分割起点被分割,按照各个器件芯片201进行单片化,形成沿着分割预定线203的分割槽210,因此仅扩展片208扩展,分割槽210的宽度比扩展解除步骤1003后扩大。在槽宽度调整步骤1004中,由于仅扩展片208扩展,因此如图11所示,与分割步骤1002后的偏差相比,分割槽210的宽度的偏差被抑制。
另外,在第1实施方式中,在槽宽度调整步骤1004中,分割装置1的控制单元50的槽宽度调整部53对滚筒用升降单元22进行控制,使扩展滚筒21的上升速度比分割步骤1002时慢。因此,在分割步骤1002中,在分割装置1以第1速度301(在图6和图7中用箭头表示)对扩展片208进行扩展的情况下,在槽宽度调整步骤1004中,分割装置1以比第1速度301低的第2速度302(在图10和图11中用箭头表示)对扩展片208进行扩展。
这样,在第1实施方式中,在槽宽度调整步骤1004中,分割装置1以比第1速度301低的第2速度302对扩展片208进行扩展,因此与分割步骤1002后的偏差相比,能够抑制分割槽210的宽度的偏差。另外,在第1实施方式中,在槽宽度调整步骤1004中,分割装置1以比第1速度301低的第2速度302对扩展片208进行了扩展,但在本发明中,分割装置1可以以与第1速度301相同的速度对扩展片208进行扩展,也可以以比第1速度301高的速度对扩展片208进行扩展。
另外,在第1实施方式中,在分割步骤1002和槽宽度调整步骤1004中,在分割装置1对框架209进行固定的状态下,通过推压被加工物200的外周与框架209的内周之间的扩展片208来扩展扩展片。另外,在第1实施方式中,在分割步骤1002和槽宽度调整步骤1004中,使扩展滚筒21上升而对扩展片208进行了扩展,但本发明并不限定于此,也可以使保持、固定框架209的框架固定单元10下降,总之,只要使扩展滚筒21相对于框架固定单元10相对地上升,使框架固定单元10相对于扩展滚筒21相对地下降即可。分割方法进入固定步骤1005。
(固定步骤)
图12是用局部剖面示出图3所示的分割方法的固定步骤的侧视图。固定步骤1005是如下的步骤:在实施了槽宽度调整步骤1004之后,将分割槽210固定为通过槽宽度调整步骤1004进行了调整的期望的宽度。
在第1实施方式中,在固定步骤1005中,分割装置1的控制单元50的分割控制部51对工作台用升降单元42进行控制,使卡盘工作台40上升,直至保持面41与框架载置板11的上表面18位于同一平面上。在固定步骤1005中,分割装置1的控制单元50的分割控制部51使吸引源43进行动作,在保持面41上隔着扩展片208对从被加工物200分割并调整了分割槽210的宽度的多个器件芯片201的背面207侧进行吸引保持。
在第1实施方式中,在固定步骤1005中,分割装置1的控制单元50的分割控制部51对滚筒用升降单元22进行控制,使扩展滚筒21下降。于是,扩展后的扩展片208要收缩,但器件芯片201的背面207侧隔着扩展片208而被吸引保持于保持面41,因此保持面41上的扩展片208的收缩被限制。因此,分割槽210的宽度被维持为通过槽宽度调整步骤1004进行了调整的宽度,如图12所示,在被加工物200的外周和框架209的内周的扩展片208上形成产生了松弛的松弛211。
在第1实施方式中,在固定步骤1005中,分割装置1的控制单元50的分割控制部51对升降单元34进行控制,使加热单元30的单元主体31下降而使热源部32接近扩展片208的松弛211,使热源部32沿着铅垂方向与松弛211对置。在第1实施方式中,在固定步骤1005中,分割装置1的控制单元50的分割控制部51使热源部32进行动作,并且如图12所示,对旋转单元33进行控制而使单元主体31绕轴心进行旋转,利用热源部32在整周范围内对扩展片208的松弛211进行加热。
在第1实施方式中,在固定步骤1005中,分割装置1使松弛211收缩。在固定步骤1005中,当分割装置1的控制单元50的分割控制部51利用热源部32按照预先确定的规定的时间对松弛211进行加热时,停止热源部32,使加热单元30的单元主体31上升,并停止吸引源43,对升降用气缸15和工作台用升降单元42进行控制,使框架载置板11和卡盘工作台40下降,在第1实施方式中,在固定步骤1005中,分割装置1通过未图示的搬送单元将在开口212内支承着被加工物200的框架209从框架载置板11的上表面18搬出,结束分割方法。另外,在固定步骤1005中,即使停止吸引源43,由于扩展片208的松弛211收缩,因此分割槽210的宽度也被固定为在槽宽度调整步骤1004中调整后的期望的宽度。
这样,在第1实施方式中,在固定步骤1005中,隔着扩展片208利用卡盘工作台40对在槽宽度调整步骤1004中分割槽210的宽度形成为期望的宽度的被加工物200进行吸引保持,并且对被加工物200的外周与框架209的内周之间的扩展片208进行加热而使扩展片208收缩,去除因扩展而产生的松弛211。
另外,分割成一个一个的器件芯片201被未图示的拾取装置从扩展片208剥离并取下。
如以上说明的那样,在第1实施方式的分割方法中,在分割步骤1002中将被加工物200分割之后,在扩展解除步骤1003中解除扩展片208的扩展。在分割方法中,通过在扩展解除步骤1003中一次解除扩展片208的扩展,扩展后的扩展片208收缩而使分割槽210的宽度缩小。在分割方法中,在实施了扩展解除步骤1003之后,实施槽宽度调整步骤1004,再次将扩展片208扩展,在槽宽度调整步骤1004中仅使扩展片208扩展,因此能够形成期望宽度的分割槽210,抑制分割槽210的宽度的偏差。其结果为,分割方法起到能够形成期望宽度的分割槽210的效果。因此,分割方法能够抑制分割后的器件芯片201彼此接触,从而能够抑制分割后的器件芯片201的损伤。
另外,为了以改质层206为分割起点对被加工物200进行分割,需要高速地将扩展片208扩展,但由于滚子部件23的旋转赶不上扩展片208的扩展,因此当高速地将扩展片208扩展时,仅被加工物200的外周部分被扩展,被加工物200的中心侧不能充分地延伸,被加工物200的中心部的器件芯片201的间隔与外周部相比变窄。
但是,在分割方法中,在槽宽度调整步骤1004中,以比分割步骤1002的第1速度301低的第2速度302对扩展片208进行扩展,因此在槽宽度调整步骤1004中能够均匀地扩展扩展片208,从而能够抑制分割槽210的宽度的偏差。
第1实施方式的分割装置1的控制单元50具有:分割控制部51,其对扩展片208进行扩展而形成分割槽210;以及扩展解除部52,其在被加工物200的分割后解除扩展片208的扩展。分割装置1通过扩展解除部52一次解除扩展片208的扩展,扩展后的扩展片208收缩而使分割槽210的宽度缩小。另外,第1实施方式的分割装置1的控制单元50具有槽宽度调整部53,该槽宽度调整部53在解除了扩展片208的扩展之后对扩展片208进行扩展,因此在解除了扩展之后,仅使扩展片208再次扩展,因此能够形成期望宽度的分割槽210,从而抑制分割槽210的宽度的偏差。其结果为,分割装置1起到能够形成期望宽度的分割槽210的效果。
〔第2实施方式〕
根据附图对本发明的第2实施方式的分割装置和分割方法进行说明。图13是示出第2实施方式的分割装置的结构例的立体图。图14是示意性地示出第2实施方式的分割方法的保持步骤的俯视图。图15是示意性地示出第2实施方式的分割方法的分割步骤的俯视图。图16是第2实施方式的分割方法的分割步骤的被加工物的主要部分的俯视图。图17是第2实施方式的分割方法的扩展解除步骤的被加工物的主要部分的俯视图。图18是第2实施方式的分割方法的槽宽度调整步骤的被加工物的主要部分的俯视图。图19是示意性地示出第2实施方式的分割方法的固定步骤的俯视图。另外,在图13、图14、图15、图16、图17、图18以及图19中,对与第1实施方式相同的部分标注相同的标号而省略说明。
如图13所示,第2实施方式的分割装置1-2具有固定基台150、设置于固定基台150的中央的卡盘工作台40、作为第一保持单元的第一保持单元131-1、作为第二保持单元的第二保持单元131-2、作为第三保持单元的第三保持单元131-3、作为第四保持单元的第四保持单元131-4、作为移动单元的第一移动单元133-1、作为移动单元的第二移动单元133-2、作为移动单元的第三移动单元133-3以及作为移动单元的第四移动单元133-4。
卡盘工作台40在保持面41上载置扩展片208。第一保持单元131-1和第二保持单元131-2在与水平方向平行的第一方向111上隔着载置扩展片208的卡盘工作台40而相互对置地配设。即,第一保持单元131-1和第二保持单元131-2沿着第一方向111相互对置,将卡盘工作台40定位于彼此之间。
第三保持单元131-3和第四保持单元131-4在与水平方向平行且与第一方向111垂直的第二方向112上隔着载置扩展片208的卡盘工作台40而相互对置地配设。即,第三保持单元131-3和第四保持单元131-4沿着第二方向112相互对置,将卡盘工作台40定位于彼此之间。
第一保持单元131-1、第二保持单元131-2、第三保持单元131-3以及第四保持单元131-4分别隔着扩展片208的比被加工物200靠外周侧的位置进行保持。第一保持单元131-1、第二保持单元131-2、第三保持单元131-3以及第四保持单元131-4的结构彼此大致相等,因此对相同的部分标注相同的标号来进行说明。
第一保持单元131-1、第二保持单元131-2、第三保持单元131-3以及第四保持单元131-4具有:一对夹持部件154,它们沿铅垂方向移动自如地设置于柱状的移动基台153,该移动基台153设置在固定基台150上;以及移动机构155,其沿使一对夹持部件154相互接近的方向和相互远离的方向移动。一对夹持部件154彼此沿铅垂方向隔开间隔地配置,通过移动机构155而相互接近,在彼此之间夹持并保持扩展片208。移动机构155设置于移动基台153。另外,各保持单元131-1、131-2、131-3、131-4的设置有一对夹持部件154和移动机构155的移动基台153沿第一方向111或第二方向112移动自如地设置于固定基台150。
第一移动单元133-1和第二移动单元133-2能够使第一保持单元131-1和第二保持单元131-2在第一方向111上向相互分离的方向移动。在第2实施方式中,第一移动单元133-1使设置有第一保持单元131-1的移动基台153相对于固定基台150沿第一方向111移动。在第1实施方式中,第二移动单元133-2使设置有第二保持单元131-2的移动基台153相对于固定基台150沿第一方向111移动。
第三移动单元133-3和第四移动单元133-4能够使第三保持单元131-3和第四保持单元131-4在第二方向112上向相互分离的方向移动。在第2实施方式中,第三移动单元133-3使设置有第三保持单元131-3的移动基台153相对于固定基台150沿第二方向112移动。在第2实施方式中,第四移动单元133-4使设置有第四保持单元131-4的移动基台153相对于固定基台150沿第二方向112移动。
第一移动单元133-1、第二移动单元133-2、第三移动单元133-3以及第四移动单元133-4是对第一保持单元131-1、第二保持单元131-2、第三保持单元131-3以及第四保持单元131-4所保持的扩展片208进行扩展的扩展单元。第一移动单元133-1、第二移动单元133-2、第三移动单元133-3以及第四移动单元133-4的结构彼此大致相等,因此对相同的部分标注相同的标号来进行说明。
第一移动单元133-1、第二移动单元133-2、第三移动单元133-3以及第四移动单元133-4具有:电动机137-2,其能够使保持单元131-1、131-2、131-3、131-4沿第一方向111或第二方向112移动;以及滚珠丝杠138-2,其通过电动机137-2绕轴心进行旋转,使移动基台153沿第一方向111或第二方向112移动。
另外,分割装置1-2具有:未图示的框架粘贴单元,其对框架209进行保持,将框架209粘贴于卡盘工作台40所保持的扩展片208;以及刀具,其将粘贴于框架209的扩展片208的剩余部分切断。另外,剩余部分是扩展片208的框架209的外周侧的部分。
与第1实施方式相同,第2实施方式的分割方法具有保持步骤1001、分割步骤1002、扩展解除步骤1003、槽宽度调整步骤1004以及固定步骤1005。
第2实施方式的分割方法的保持步骤1001是如下的步骤:在扩展片208上粘贴被加工物200,对粘贴有被加工物200的扩展片208的比被加工物200靠外周侧的位置进行保持。在第2实施方式的分割方法的保持步骤1001中,将被加工物200粘贴在卷绕于未图示的辊的外周的长条的扩展片208上,并且如图14所示,在粘贴被加工物200的前后将长条的扩展片208切成矩形。另外,在第2实施方式中,将被加工物200的背面207侧粘贴在切成矩形的扩展片208的中央。图14省略了器件204和改质层206。另外,在第1实施方式的分割方法的保持步骤1001中,在本发明中,在被加工物200上粘贴有未图示的正面保护带的情况下,期望在扩展片208上粘贴被加工物200之后剥离正面保护带,降低被加工物200的破损风险。
另外,在第1实施方式的分割方法的保持步骤1001中,分割装置1-2的控制单元50的分割控制部51对各保持单元131-1、131-2、131-3、131-4进行控制,将切成矩形并在中央粘贴有被加工物200的扩展片208的比被加工物200靠外周侧的位置夹持并固定在各保持单元131-1、131-2、131-3、131-4的一对夹持部件154之间。
在第2实施方式的分割方法的分割步骤1002中,分割装置1-2的控制单元50的分割控制部51对各移动单元133-1、133-2、133-3、133-4进行控制,使第一保持单元131-1和第二保持单元131-2以第1速度301向相互分离的方向移动,并且使第三保持单元131-3和第四保持单元131-4以第1速度301向相互分离的方向,如图15所示,将扩展片208沿第一方向111和第二方向112同时扩展。与第1实施方式相同,被加工物200以沿着分割预定线203的改质层206为分割起点而按照各个器件204被分割,如图16所示,按照各个器件芯片201被单片化,形成沿着分割预定线203的分割槽210。
另外,由于改质层206未均匀地形成,因此在分割步骤1002中,在扩展片208扩展时断裂的时机产生偏差。即,在分割步骤1002中,几乎不存在所有改质层206同时断裂的情况。因此,与第1实施方式相同,如图16所示,分割步骤1002后的分割槽210的宽度产生偏差。
另外,在第2实施方式中,在分割步骤1002中,分割装置1-2使各保持单元131-1、131-2、131-3、131-4以第1速度301(例如200mm/sec)移动,将扩展片208扩展例如10mm。另外,在第1实施方式中,将沿第一方向111和第二方向112同时扩展,但在本发明中并不限定于此,例如也可以在将扩展片208沿第一方向111扩展而分割之后,沿第二方向112扩展而分割。另外,在本发明中,在分割步骤1002中,也可以使扩展量和第1速度301在第一方向111和第二方向112上不同。
在第2实施方式的分割方法的扩展解除步骤1003中,分割装置1-2的控制单元50的扩展解除部52对各移动单元133-1、133-2、133-3、133-4进行控制,使第一保持单元131-1和第二保持单元131-2相互接近至保持步骤1001的位置,并且使第三保持单元131-3和第四保持单元131-4相互接近至保持步骤1001的位置,解除扩展片208的面方向的扩展。于是,如图17所示,与第1实施方式相同,与分割步骤1002后相比,分割槽210的宽度缩小,从而偏差被抑制。
在第2实施方式的分割方法的槽宽度调整步骤1004中,分割装置1-2的控制单元50的槽宽度调整部53对各移动单元133-1、133-2、133-3、133-4进行控制,使第一保持单元131-1和第二保持单元131-2以比第1速度301低的第2速度302向相互分离的方向移动,并且使第三保持单元131-3和第四保持单元131-4以比第1速度301低的第2速度302向相互分离的方向移动,如图15所示,沿第一方向111和第二方向112同时将扩展片208扩展。
被加工物200在分割步骤1002中已经以沿着分割预定线203的改质层206为分割起点被分割,按照各个器件芯片201进行单片化,形成有沿着分割预定线203的分割槽210,因此仅扩展片208扩展,与扩展解除步骤1003后相比,分割槽210的宽度扩大。在槽宽度调整步骤1004中,由于仅扩展片208扩展,因此如图18所示,与分割步骤1002后的偏差相比,分割槽210的宽度的偏差被抑制。
在第2实施方式的分割方法的固定步骤1005中,在将扩展片208夹在各保持单元131-1、131-2、131-3、131-4的一对夹持部件154之间并将分割槽210形成为期望的宽度的状态下,如图19所示,分割装置1-2的控制单元50的分割控制部51对框架粘贴单元进行控制,将框架209粘贴在扩展片208的被加工物200的周围。在第2实施方式的分割方法的固定步骤1005中,分割装置1-2的控制单元50的分割控制部51对刀具进行控制,将粘贴于框架209的扩展片208的剩余部分切断,在被加工物200的分割槽210的宽度保持为期望的宽度的状态下,隔着扩展片208将被加工物200固定于框架209。
这样,在第2实施方式中,在固定步骤1005中,按照将被加工物200配置在具有开口212的框架209的开口212内的方式,在通过槽宽度调整步骤1004而扩展了扩展片208的状态下将框架209粘贴在扩展片208上,并按照期望的宽度固定分割槽210。
第2实施方式的分割方法和分割装置1-2在分割被加工物200之后解除扩展片208的扩展,使分割槽210的宽度暂时缩小,仅将扩展片208再次扩展,由此能够形成期望宽度的分割槽210,从而抑制分割槽210的宽度的偏差。其结果为,与第1实施方式相同,分割方法和分割装置1-2实现能够形成期望宽度的分割槽210的效果。
另外,本发明并不限定于上述实施方式。即,能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形来实施。在第1实施方式和第2实施方式中,使用改质层206作为分割起点,但在本发明中,分割起点并不限定于改质层206。在本发明中,分割起点也可以是从被加工物200的基板202的背面207凹陷的切削槽或激光加工槽。

Claims (6)

1.一种分割方法,是沿着分割预定线形成有分割起点并且粘贴在扩展片上的被加工物的分割方法,其中,
该分割方法具有如下的步骤:
分割步骤,对该扩展片进行扩展而沿着该分割起点对被加工物进行分割,形成沿着该分割预定线的分割槽;
扩展解除步骤,在实施了该分割步骤之后,解除该扩展片的扩展;以及
槽宽度调整步骤,在实施了该扩展解除步骤之后,对该扩展片进行扩展而将该分割槽形成为期望的宽度。
2.根据权利要求1所述的分割方法,其中,
在该分割步骤中,以第1速度对该扩展片进行扩展,
在该槽宽度调整步骤中,以比该第1速度低的第2速度对该扩展片进行扩展。
3.根据权利要求1或2所述的分割方法,其中,
该分割方法还具有如下的固定步骤:在实施了该槽宽度调整步骤之后,按照该期望的宽度固定该分割槽。
4.根据权利要求3所述的分割方法,其中,
被加工物形成为借助该扩展片而安装于具有开口的环状框架上并且配置于该开口内的状态,
在该分割步骤和该槽宽度调整步骤中,通过在固定了该环状框架的状态下推压被加工物的外周与该环状框架的内周之间的该扩展片来扩展该扩展片,
在该固定步骤中,隔着该扩展片利用吸引保持部件对通过该槽宽度调整步骤而使该分割槽形成为该期望的宽度的被加工物进行吸引保持,并且对被加工物的外周与该环状框架的内周之间的扩展片进行加热而使该扩展片收缩,从而将因扩展而产生的松弛去除。
5.根据权利要求3所述的分割方法,其中,
在该固定步骤中,按照将被加工物配置在具有开口的环状框架的该开口内的方式,在通过该槽宽度调整步骤而扩展了该扩展片的状态下将该环状框架粘贴在该扩展片上。
6.一种分割装置,其实施权利要求1至5中的任意一项所述的分割方法,其中,
该分割装置具有:
扩展单元,其对该扩展片进行扩展;以及
控制器,其对该扩展单元进行控制,
该控制器包含:
分割控制部,其对该扩展片进行扩展并沿着该分割起点对被加工物进行分割,形成沿着该分割预定线的分割槽;
扩展解除部,其在被加工物分割后解除该扩展片的扩展;以及
槽宽度调整部,其在解除了该扩展片的扩展之后,对该扩展片进行扩展而将该分割槽形成为期望的宽度。
CN202110223522.8A 2020-03-03 2021-03-01 分割方法和分割装置 Pending CN113363147A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-036301 2020-03-03
JP2020036301A JP2021141145A (ja) 2020-03-03 2020-03-03 分割方法及び分割装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113363147A true CN113363147A (zh) 2021-09-07

Family

ID=77524740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110223522.8A Pending CN113363147A (zh) 2020-03-03 2021-03-01 分割方法和分割装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2021141145A (zh)
KR (1) KR20210111696A (zh)
CN (1) CN113363147A (zh)
TW (1) TW202135149A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5791866B2 (ja) 2009-03-06 2015-10-07 株式会社ディスコ ワーク分割装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202135149A (zh) 2021-09-16
JP2021141145A (ja) 2021-09-16
KR20210111696A (ko) 2021-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102249339B1 (ko) 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법
KR20150118530A (ko) 칩 간격 유지 방법
JP6844992B2 (ja) ウェーハの加工方法
CN105280543B (zh) 晶片的加工方法
TW201903866A (zh) 晶圓的分割方法及分割裝置
JP2013191718A (ja) 被加工物の分割装置及び分割方法
CN113363147A (zh) 分割方法和分割装置
CN110620076B (zh) 带扩展装置
JP7105058B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP7313219B2 (ja) エキスパンド方法及びエキスパンド装置
US10103055B2 (en) Expansion sheet, expansion sheet manufacturing method, and expansion sheet expanding method
JP7386649B2 (ja) テープ拡張装置
JP7345328B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP2019117896A (ja) 被加工物の分割方法及び分割装置
TW201906060A (zh) 剝離裝置
CN118016542A (zh) 扩展方法和扩展装置
JP6633447B2 (ja) ウエーハの加工方法
CN117716470A (zh) 扩张装置及扩张方法
JP2024061394A (ja) 拡張方法及び拡張装置
JP2024062595A (ja) ウエーハの加工方法
JP2023000270A (ja) ウェーハの加工方法及び拡張装置
JP2023170987A (ja) チップの製造方法
CN117716471A (zh) 扩张装置
JP2023091350A (ja) テープ貼着装置およびテープ貼着方法
KR20230136532A (ko) 확장 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination