JP2023170987A - チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】多角形状のデバイスチップの端材を確実に分割しつつ、デバイスを破損するリスクを低減することができるチップの製造方法を提供すること。【解決手段】チップの製造方法は、第一の分割予定ラインと、第一の分割予定ラインと直交する第二の分割予定ラインと、第一の分割予定ラインおよび第二の分割予定ラインによって区画される四角形状の中間チップから第一の角部を切り取るための第三の分割予定ラインと、隣り合う中間チップの第一の角部に隣接する第二の角部を中間チップから切り取るための第四の分割予定ラインと、を備える被加工物を準備する準備ステップ１と、第一の角部と第二の角部との間に存在する第一の分割予定ラインまたは第二の分割予定ラインを除いて各々の分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射するレーザービーム照射ステップ２と、各々の分割予定ラインに沿って分割し最終チップを製造する分割ステップ３と、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、チップの製造方法に関する。

半導体デバイスは、従来、デバイスが形成されたウエーハを、格子状に設定された分割予定ラインに沿って縦方向および横方向に切断することで、正方形または長方形のチップに切り取られることが一般的であった。しかしながら、近年では、半導体デバイスの小型化や高性能化等の目的で、外形が多角形状であるデバイスチップの開発が進められている（特許文献１、２参照）。

例えば、製品に組み込む際に隣接する部品の邪魔にならないように、正方形または長方形のチップの角部を切り取って五角形や六角形のデバイスチップが形成される場合がある。ウエーハに対して加工を施しデバイスチップを製造する際には、一方の面にテープが貼り付けられ保持テーブルに保持されたウエーハに対して、レーザービームの集光点を相対移動させながら分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射するレーザー加工装置が用いられる（特許文献３参照）。レーザー加工装置は、レーザービームの照射と非照射を容易に切り替えることが可能であるため、上述したデバイスチップのように分割予定ラインが非連続に形成されている場合にも好適に加工が可能である。

特開２００１－０２１８３９号公報 特開２０１０－０４０６４８号公報 特開２０１７－１６２９８１号公報

ところが、こうしたウエーハの全ての分割予定ラインに対して加工を施すと、多くの端材が発生する。この端材のサイズが小さい場合、うまく分割できずデバイスにくっついた状態になったり、うまく分割できたとしても、テープとの接触面積が小さいためテープから剥がれ落ちてデバイスに傷を付けたりする可能性がある。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、多角形状のデバイスチップの端材を確実に分割しつつ、デバイスを破損するリスクを低減することができるチップの製造方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチップの製造方法は、被加工物を加工して最終チップを製造するチップの製造方法であって、分割予定ラインが形成された被加工物を準備する準備ステップと、該被加工物に形成された分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して加工を施すレーザービーム照射ステップと、該レーザービーム照射ステップで加工された該被加工物に対して外力を付与して該分割予定ラインに沿って分割し最終チップを製造する分割ステップと、を有し、該分割予定ラインは、第一の分割予定ラインと、該第一の分割予定ラインと直交する第二の分割予定ラインと、該第一の分割予定ラインおよび該第二の分割予定ラインによって区画される四角形状の中間チップから第一の角部を切り取るための第三の分割予定ラインと、該第三の分割予定ラインによって切り取られる該第一の角部とは異なる第二の角部を該中間チップから切り取るための第四の分割予定ラインと、を含み、該中間チップに形成される第一の角部と、該中間チップと隣り合う中間チップに形成される第二の角部とは、該第一の分割予定ラインまたは該第二の分割予定ラインを挟んで隣接して形成され、該レーザービーム照射ステップでは、該第一の角部と、該第一の角部と隣接して形成される該第二の角部と、の間に存在する該第一の分割予定ラインまたは該第二の分割予定ラインに対してはレーザービームを照射しないように設定することで、該第一の角部と該第二の角部とを分離せず一体化して切り出すことを特徴とする。

該チップの製造方法において、該レーザービーム照射ステップは、該中間チップに形成された第一の角部と、該中間チップと隣り合う中間チップに形成された第二の角部と、の間に存在する第一の分割予定ラインまたは第二の分割予定ラインを除いて、第一の分割予定ラインおよび第二の分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射することで、該第一の分割予定ラインおよび該第二の分割予定ラインに対して加工を施す第一のレーザービーム照射ステップと、非連続に設定された該第三の分割予定ラインおよび該第四の分割予定ラインに沿って間欠的にレーザービームを照射することで、該第三の分割予定ラインおよび該第四の分割予定ラインに対して加工を施す第二のレーザービーム照射ステップと、を含んでもよい。

該チップの製造方法において、該第一のレーザービーム照射ステップおよび該第二のレーザービーム照射ステップは、該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを照射することで該被加工物の内部に改質層を形成する改質層形成ステップを含んでもよい。

該チップの製造方法において、該第一のレーザービーム照射ステップおよび該第二のレーザービーム照射ステップは、該被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射することで該被加工物の表面に加工溝を形成する加工溝形成ステップを含んでもよい。

本発明は、多角形状のデバイスチップの端材を確実に分割しつつ、デバイスを破損するリスクを低減することができる。

図１は、実施形態に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。 図２は、図１に示す準備ステップで準備する被加工物の一例を示す斜視図である。 図３は、図２に示す被加工物の一部を拡大して示す平面図である。 図４は、図１に示すレーザービーム照射ステップの一状態を示す斜視図である。 図５は、図１に示すレーザービーム照射ステップにおける被加工物の分割予定ラインを示す平面図である。 図６は、図１に示す分割ステップの一状態を一部断面で示す側面図である。 図７は、図６の後の一状態を一部断面で示す側面図である。 図８は、図７における被加工物の一部を拡大して示す平面図である。 図９は、比較例のチップの製造方法における分割予定ラインを示す平面図である。 図１０は、比較例のチップの製造方法における分割ステップ後の被加工物の一部を拡大して示す平面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るチップの製造方法について、図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。チップの製造方法は、図１に示すように、準備ステップ１と、レーザービーム照射ステップ２と、分割ステップ３と、を含む。

（準備ステップ１）
図２は、図１に示す準備ステップ１で準備する被加工物１０の一例を示す斜視図である。図３は、図２に示す被加工物１０の一部を拡大して示す平面図である。被加工物１０は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＯ）等を基板とする円板状の半導体ウエーハ、光デバイスウエーハ等のウエーハである。

図２に示すように、被加工物１０は、基板の表面に複数の分割予定ライン２０が形成される。分割予定ライン２０は、第一の分割予定ライン２１と、第二の分割予定ライン２２と、第三の分割予定ライン２３と、第四の分割予定ライン２４と、を含む。第二の分割予定ライン２２は、第一の分割予定ライン２１と直交する。格子状に形成される第一の分割予定ライン２１および第二の分割予定ライン２２によって、四角形状の中間チップ１１が区画される。

第三の分割予定ライン２３は、中間チップ１１から第一の角部１２を切り取るための分割予定ライン２０である。第一の角部１２は、第一の分割予定ライン２１と第二の分割予定ライン２２とが交差する中間チップ１１の角部のうち、いずれか１つの角部を含む直角三角形状である。第四の分割予定ライン２４は、中間チップ１１から第二の角部１３を切り取るための分割予定ライン２０である。第二の角部１３は、中間チップ１１の角部のうち、第三の分割予定ライン２３によって切り取られる第一の角部１２とは異なる角部を含む直角三角形状である。

中間チップ１１に形成される第一の角部１２と、当該中間チップ１１と隣り合う中間チップ１１に形成される第二の角部１３とは、第一の分割予定ライン２１または第二の分割予定ライン２２を挟んで隣接して形成される。実施形態では、第二の分割予定ライン２２を挟んで隣接して形成される。

被加工物１０は、各々の分割予定ライン２０によって区画された領域にデバイスが形成されている。デバイスは、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、またはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサである。

実施形態において、被加工物１０は、分割予定ライン２０に沿って内部に改質層１５（図６等参照）が形成される。改質層１５とは、密度、屈折率、機械的強度またはその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味する。改質層１５は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、およびこれらの領域が混在した領域等である。改質層１５は、被加工物１０の他の部分よりも機械的な強度等が低い。

被加工物１０は、分割予定ライン２０に形成された改質層１５に沿って個々のデバイスに分割されて、最終チップ１４に製造される。最終チップ１４は、正方形状である中間チップ１１の隣接する二つの角部を切り取られた六角形状である。

（レーザービーム照射ステップ２）
図４は、図１に示すレーザービーム照射ステップ２の一状態を示す斜視図である。図５は、図１に示すレーザービーム照射ステップ２における被加工物１０の分割予定ライン２０を示す平面図である。レーザービーム照射ステップ２は、被加工物１０に形成された各々の分割予定ライン２０に沿ってレーザービーム４５を照射して加工を施すステップである。

図４に示すように、実施形態のレーザービーム照射ステップ２では、レーザー加工装置４０によるステルスダイシング加工によって、被加工物１０の表面（上面）側から分割予定ライン２０に沿ってレーザービーム４５を内部に照射して改質層１５（図６参照）を形成する。実施形態のレーザービーム４５は、被加工物１０に対して透過性を有する波長のレーザービームである。レーザー加工装置４０は、チャックテーブル４１と、レーザービーム照射ユニット４２と、撮像ユニット４３と、チャックテーブル４１とレーザービーム照射ユニット４２とを相対的に移動させる不図示の移動ユニットと、を備える。

実施形態のレーザービーム照射ステップ２では、被加工物１０を環状のフレーム３０およびテープ３１に支持した状態でレーザー加工装置４０に固定させる。フレーム３０は、金属または樹脂で形成され、被加工物１０の外径より大きな開口を有する環状の板状である。テープ３１は、エキスパンド性を有し、フレーム３０の開口より外径が大きなシート状である。テープ３１は、例えば、エキスパンド性を有する合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつエキスパンド性および粘着性を有する合成樹脂で構成された糊層と、を含む。

テープ３１は、フレーム３０の開口を覆うように、フレーム３０の裏面側に貼着される。被加工物１０は、フレーム３０の開口の所定の位置に位置決めされて裏面（下面）側がテープ３１に貼着することによって、フレーム３０およびテープ３１に固定される。レーザービーム照射ステップ２では、テープ３１を介して被加工物１０の裏面側をチャックテーブル４１に吸引保持する。

レーザービーム照射ステップ２では、次に、移動ユニットによってチャックテーブル４１を加工位置まで移動させる。次に、撮像ユニット４３で被加工物１０を撮像することによって、分割予定ライン２０を検出する。分割予定ライン２０が検出されたら、被加工物１０の分割予定ライン２０と、レーザービーム照射ユニット４２の照射部との位置合わせを行うアライメントを遂行する。

レーザービーム照射ステップ２では、次に、第一のレーザービーム照射ステップとして、第一の分割予定ライン２１および第二の分割予定ライン２２に対して加工を施す。具体的には、被加工物１０の表面側から、第一の分割予定ライン２１および第二の分割予定ライン２２に沿ってレーザービーム４５が照射されるよう、レーザービーム４５を照射しながら、レーザービーム照射ユニット４２に対してチャックテーブル４１を相対的に移動させる。

この際、第一のレーザービーム照射ステップでは、被加工物１０の第一の角部１２と、この第一の角部１２と隣接して形成される第二の角部１３と、の間に存在する第一の分割予定ライン２１または第二の分割予定ライン２２（実施形態では、第二の分割予定ライン２２）である非照射部２２－１に対してはレーザービーム４５を照射しないように予め設定している。非照射部２２－１に対してレーザービーム４５を照射しないとは、チャックテーブル４１とレーザービーム照射ユニット４２の照射部とを相対的に移動させる際、レーザービーム照射ユニット４２の照射部が非照射部２２－１に向いている間はレーザービーム４５の照射を規制し、非照射部２２－１にレーザービーム４５が照射されるのを避けることである。

レーザービーム照射ステップ２では、次に、第二のレーザービーム照射ステップとして、第三の分割予定ライン２３および第四の分割予定ライン２４に対して加工を施す。具体的には、被加工物１０の表面から、非連続に設定された第三の分割予定ライン２３および第四の分割予定ライン２４に沿って間欠的にレーザービーム４５が照射されるよう、レーザービーム４５を照射しながら、レーザービーム照射ユニット４２に対してチャックテーブル４１を相対的に移動させる。

すなわち、第二のレーザービーム照射ステップでは、第三の分割予定ライン２３が延びる方向にレーザービーム照射ユニット４２に対してチャックテーブル４１を相対的に移動させながら、レーザービーム４５を照射する。この際、第一の角部１２を切り取るための第三の分割予定ライン２３の延長部分である非照射部２３－１に対してはレーザービーム４５を照射せず、第三の分割予定ライン２３に対してはレーザービーム４５を照射するように、レーザービーム４５を間欠的に照射する。

また、第二のレーザービーム照射ステップでは、第四の分割予定ライン２４が延びる方向にレーザービーム照射ユニット４２に対してチャックテーブル４１を相対的に移動させながら、レーザービーム４５を照射する。この際、第二の角部１３を切り取るための第四の分割予定ライン２４の延長部分である非照射部２４－１に対してはレーザービーム４５を照射せず、第四の分割予定ライン２４に対してはレーザービーム４５を照射するように、レーザービーム４５を間欠的に照射する。

実施形態の第一のレーザービーム照射ステップおよび第二のレーザービーム照射ステップを含むレーザービーム照射ステップ２では、被加工物１０に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザービーム４５を、被加工物１０の内部に集光点を位置付けて照射する。これにより、被加工物１０の内部に分割予定ライン２０に沿った改質層１５が形成される。

（分割ステップ３）
図６は、図１に示す分割ステップ３の一状態を一部断面で示す側面図である。図７は、図６の後の一状態を一部断面で示す側面図である。図８は、図７における被加工物１０の一部を拡大して示す平面図である。分割ステップ３は、レーザービーム照射ステップ２で加工された被加工物１０に対して外力を付与して各々の分割予定ライン２０に沿って分割し最終チップ１４を製造するステップである。

図６および図７に示すように、実施形態の分割ステップ３では、拡張装置５０がテープ３１に放射方向に外力を与えることによって被加工物１０を分割する。拡張装置５０は、チャックテーブル５１と、クランプ部材５２と、昇降ユニット５３と、突き上げ部材５４と、コロ部材５５と、を備える。突き上げ部材５４は、チャックテーブル５１の外周かつ同軸に設けられる円筒形状である。コロ部材５５は、チャックテーブル５１の保持面と同一平面上または僅かに上方、かつ突き上げ部材５４の上端に、回転自在に設けられる。

図６に示すように、分割ステップ３では、まず、テープ３１を介して被加工物１０の裏面側をチャックテーブル５１の保持面に載置し、フレーム３０の外周部をクランプ部材５２で固定する。この際、コロ部材５５は、フレーム３０の内縁と被加工物１０の外縁との間のテープ３１に当接する。

図７に示すように、分割ステップ３では、次に、昇降ユニット５３によって、チャックテーブル５１および突き上げ部材５４を一体的に上昇させる。この際、テープ３１は、外周部がフレーム３０を介してクランプ部材５２で固定されているため、フレーム３０の内縁と被加工物１０の外縁との間の部分が面方向に拡張される。さらに、突き上げ部材５４の上端に設けられたコロ部材５５がテープ３１との摩擦を緩和する。

分割ステップ３では、テープ３１の拡張の結果、テープ３１に放射状に引張力が作用する。テープ３１に放射状の引張力が作用すると、図７および図８に示すように、テープ３１が貼着された被加工物１０が、分割予定ライン２０に沿った改質層１５を破断起点にして分割されて、最終チップ１４および端材１６に個片化される。端材１６は、図８に示すように、第一の角部１２と第二の角部１３とが分離せず一体化した状態で切り出される。被加工物１０が最終チップ１４に分割された後は、例えば、ピックアップ工程において、周知のピッカーでテープ３１から最終チップ１４がピックアップされる。

〔比較例〕
図９は、比較例のチップの製造方法における分割予定ライン２０－１を示す平面図である。図１０は、比較例のチップの製造方法における分割ステップ３後の被加工物１０の一部を拡大して示す平面図である。

比較例の分割予定ライン２０－１は、第一の分割予定ライン２１と、第二の分割予定ライン２２－２と、第三の分割予定ライン２３と、第四の分割予定ライン２４と、を含む。比較例の第一の分割予定ライン２１、第三の分割予定ライン２３、および第四の分割予定ライン２４は、実施形態の第一の分割予定ライン２１、第三の分割予定ライン２３、および第四の分割予定ライン２４と同様である。比較例の第二の分割予定ライン２２－２は、実施形態の第二の分割予定ライン２２と比較して、非照射部２２－１（図５参照）を有さない点で異なる。

すなわち、比較例のレーザービーム照射ステップ２では、第一のレーザービーム照射ステップでは、被加工物１０の第一の角部１２と、この第一の角部１２と隣接して形成される第二の角部１３と、の間に存在する第二の分割予定ライン２２－２にも、レーザービーム４５を照射する。これにより、被加工物１０の第一の角部１２と、この第一の角部１２と隣接して形成される第二の角部１３と、の間に存在する第二の分割予定ライン２２－２に相当する被加工物１０の内部にも改質層１５が形成される。

比較例の被加工物１０は、図１０に示すように、分割ステップ３で個々の最終チップ１４に分割される際、第一の角部１２と、第一の角部１２と隣接して形成される第二の角部１３と、の間も改質層１５に沿って破断される。このように、比較例の端材は、第一の角部１２と第二の角部１３とが互いに分離した状態で切り出されるため、第一の角部１２および第二の角部１３が分離せず一体で切り出される実施形態の端材１６より小さい。

以上説明したように、実施形態に係るチップの製造方法は、端材となる中間チップ１１の第一の角部１２および第二の角部１３について、隣接する第一の角部１２および第二の角部１３の間に設定された分割予定ライン２０（第一の分割予定ライン２１または第二の分割予定ライン２２）にはレーザービーム４５を照射しない。このように、隣接する第一の角部１２および第二の角部１３を分離せず一体化した状態になるように最終チップ１４を切り出すことにより、全ての分割予定ライン２０に対してレーザービーム４５を照射して加工を施した場合と比較して、端材１６のサイズを大きくすることが可能となる。したがって、レーザー加工後のエキスパンド時の分割性が向上するだけでなく、テープ３１との接触面積を増やすことが可能となるため、多角形状のデバイスチップの端材１６を確実に分割しつつ、デバイスを破損するリスクを低減するという効果を奏する。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、レーザービーム照射ステップ２では、改質層１５の代わりにシールドトンネルを形成してもよい。

また、本発明では、改質層１５の代わりに、分割予定ライン２０に沿って表面に分割溝を形成してもよい。この場合、第一のレーザービーム照射ステップおよび第二のレーザービーム照射ステップを含むレーザービーム照射ステップ２において、被加工物１０に対して吸収性を有する波長のパルス状のレーザービーム４５を、被加工物１０の表面に集光点を位置付けて照射する。これにより、被加工物１０の表面に分割予定ライン２０に沿った加工溝が形成される。レーザービーム照射ステップ２で分割溝を形成した場合、分割ステップ３では、被加工物１０が分割予定ライン２０に沿った分割溝を破断起点にして分割されて、最終チップ１４および端材１６に個片化される。

また、第三の分割予定ライン２３および第四の分割予定ライン２４にレーザービーム４５を照射する際は、実施形態のように間欠的にレーザービーム４５を照射する所謂ＨＡＳＥＮ加工に限定されず、本発明では、最終チップ１４を囲むようにレーザービーム４５を照射してもよい。

また、分割ステップ３は、実施形態ではテープ３１を拡張することで被加工物１０に外力を付与したが、本発明では、例えば、ブレーキング装置が分割予定ライン２０に沿って被加工物１０の厚み方向に押圧力を付与するものでもよい。

また、実施形態の第一の角部１２および第二の角部１３は、同一の中間チップ１１内において隣接する角部に位置するが、本発明は、第二の角部１３の一部の辺が、第一の分割予定ライン２１または第二の分割予定ライン２２を挟んで隣接する中間チップ１１の第一の角部１２の一部の辺と接する場合、第一の角部１２および第二の角部１３が同一の中間チップ１１内で対角配置されていても、適用可能である。

１０ 被加工物
１１ 中間チップ
１２ 第一の角部
１３ 第二の角部
１４ 最終チップ
１５ 改質層
１６ 端材
２０ 分割予定ライン
２１ 第一の分割予定ライン
２２ 第二の分割予定ライン
２３ 第三の分割予定ライン
２４ 第四の分割予定ライン
４５ レーザービーム

Claims (4)

1. 被加工物を加工して最終チップを製造するチップの製造方法であって、
   分割予定ラインが形成された被加工物を準備する準備ステップと、
   該被加工物に形成された分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して加工を施すレーザービーム照射ステップと、
   該レーザービーム照射ステップで加工された該被加工物に対して外力を付与して該分割予定ラインに沿って分割し最終チップを製造する分割ステップと、
   を有し、
   該分割予定ラインは、
   第一の分割予定ラインと、
   該第一の分割予定ラインと直交する第二の分割予定ラインと、
   該第一の分割予定ラインおよび該第二の分割予定ラインによって区画される四角形状の中間チップから第一の角部を切り取るための第三の分割予定ラインと、
   該第三の分割予定ラインによって切り取られる該第一の角部とは異なる第二の角部を該中間チップから切り取るための第四の分割予定ラインと、
   を含み、
   該中間チップに形成される第一の角部と、該中間チップと隣り合う中間チップに形成される第二の角部とは、該第一の分割予定ラインまたは該第二の分割予定ラインを挟んで隣接して形成され、
   該レーザービーム照射ステップでは、
   該第一の角部と、該第一の角部と隣接して形成される該第二の角部と、の間に存在する該第一の分割予定ラインまたは該第二の分割予定ラインに対してはレーザービームを照射しないように設定することで、該第一の角部と該第二の角部とを分離せず一体化して切り出すことを特徴とする、
   チップの製造方法。
2. 該レーザービーム照射ステップは、
   該中間チップに形成された第一の角部と、該中間チップと隣り合う中間チップに形成された第二の角部と、の間に存在する第一の分割予定ラインまたは第二の分割予定ラインを除いて、第一の分割予定ラインおよび第二の分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射することで、該第一の分割予定ラインおよび該第二の分割予定ラインに対して加工を施す第一のレーザービーム照射ステップと、
   非連続に設定された該第三の分割予定ラインおよび該第四の分割予定ラインに沿って間欠的にレーザービームを照射することで、該第三の分割予定ラインおよび該第四の分割予定ラインに対して加工を施す第二のレーザービーム照射ステップと、
   を含むことを特徴とする、
   請求項１に記載のチップの製造方法。
3. 該第一のレーザービーム照射ステップおよび該第二のレーザービーム照射ステップは、該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを照射することで該被加工物の内部に改質層を形成する改質層形成ステップを含むことを特徴とする、
   請求項２に記載のチップの製造方法。
4. 該第一のレーザービーム照射ステップおよび該第二のレーザービーム照射ステップは、該被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射することで該被加工物の表面に加工溝を形成する加工溝形成ステップを含むことを特徴とする、
   請求項２に記載のチップの製造方法。

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