CN117716471A - 扩张装置 - Google Patents

扩张装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117716471A
CN117716471A CN202180101115.8A CN202180101115A CN117716471A CN 117716471 A CN117716471 A CN 117716471A CN 202180101115 A CN202180101115 A CN 202180101115A CN 117716471 A CN117716471 A CN 117716471A
Authority
CN
China
Prior art keywords
expansion
sheet member
wafer
ring
suction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180101115.8A
Other languages
English (en)
Inventor
铃木芳邦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Motor Co Ltd
Original Assignee
Yamaha Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Motor Co Ltd filed Critical Yamaha Motor Co Ltd
Publication of CN117716471A publication Critical patent/CN117716471A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Flexible Shafts (AREA)
  • Massaging Devices (AREA)
  • Vehicle Body Suspensions (AREA)

Abstract

该扩张装置(100)具备在第一位置(P1)处扩张片部件(220)的扩张部(6)、在利用扩张部扩张了片部件的状态下使扩张部在水平方向上从第一位置向第二位置(P2)移动的移动机构(62)及在第二位置处加热片部件的晶片的周围的部分(220b)的松弛而使该松弛收缩的热缩部(10)。

Description

扩张装置
技术领域
本发明涉及扩张装置，尤其涉及对粘贴有晶片及环状部件的片部件进行扩张的扩张装置。
背景技术
以往，已知有对粘贴有晶片及环状部件的片部件进行扩张的扩张装置。这样的扩张装置例如公开于日本专利第4288392号公报。
在上述日本专利第4288392号公报中公开了对粘贴有晶片及包围晶片的环状的框架(环状部件)的粘着片(片部件)进行扩张的扩张装置。该扩张装置具备用于扩张粘着片的伸缩台及框架卡盘。在该扩张装置中，在利用框架卡盘固定了框架的状态下，利用伸缩台将粘着片的粘贴有晶片的部分向上方抬起，由此，粘着片被延展而粘着片被扩张。另外，该扩张装置还具备用于使因扩张而在粘着片产生的粘着片的松弛热缩(加热收缩)的喷射管。在该扩张装置中，通过从喷射管向粘着片的松弛喷射热风来使粘着片的松弛热缩。另外，在该扩张装置中，粘着片的扩张和粘着片的热缩在相同的位置进行。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4288392号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在上述日本专利第4288392号公报所记载的扩张装置中，由于将粘着片的扩张和粘着片的热缩在相同的位置进行，所以存在难以容易地确保配置喷射管等与热缩相关的构造的空间这一问题点。
本发明为了解决如上所述的课题而完成，本发明的1个目的在于提供在将片部件扩张并热缩的情况下也能够容易地确保配置与热缩相关的构造的空间的扩张装置。
用于解决课题的手段
为了达成上述目的，本发明的一个方面的扩张装置具备：扩张部，在第一位置处扩张晶片环构造的片部件，所述晶片环构造包含晶片、包围晶片的环状部件及粘贴有晶片及环状部件的具有伸缩性的热收缩性的片部件；移动机构，在利用扩张部扩张了片部件的状态下，使扩张部在水平方向上从第一位置向在俯视下与第一位置在水平方向上分离的第二位置移动；及热缩部，在第二位置处加热通过扩张部的扩张而产生的片部件的晶片的周围的部分的松弛而使该松弛收缩。
在本发明的一个方面的扩张装置中，如上所述，设置：扩张部，在第一位置处扩张粘贴有晶片及环状部件的具有伸缩性的热收缩性的片部件；移动机构，在利用扩张部扩张了片部件的状态下，使扩张部在水平方向上向在俯视下与第一位置在水平方向上分离的第二位置移动；及热缩部，在第二位置处加热片部件的晶片的周围的部分的松弛而使该松弛收缩。由此，能够将片部件的扩张在第一位置进行且将片部件的热缩在从第一位置在水平方向上分离的第二位置进行，因此能够将片部件的扩张和片部件的热缩在独立的位置进行。其结果，在将片部件扩张并热缩的情况下，也能够在第二位置处容易地确保配置与片部件的热缩相关的构造的空间。另外，能够在第二位置处容易地配置高品质的达成所需的构造，因此能够容易地达成更高品质的片部件的热缩。
另外，通过将片部件的扩张和片部件的热缩在独立的位置进行，在存在在扩张时将片部件冷却的冷却构造及除去在扩张时产生的飞散物的除去构造等的情况下，也能够在第一位置处确保配置冷却构造及除去构造等的空间。由此，在存在冷却构造及除去构造等的情况下，能够在第一位置处配置高品质的达成所需的冷却构造及除去构造等，因此能够达成更高品质的片部件的扩张。
在上述一个方面的扩张装置中，优选的是，热缩部在第二位置处配置于通过移动机构而移动后的扩张部的上方。若这样构成，则能够在第二位置处在能够比较容易地确保空间的扩张部的上方配置热缩部。其结果，能够在第二位置处更容易地配置高品质的达成所需的构造，因此能够更容易地达成高品质的片部件的热缩。
在该情况下，优选的是，热缩部构成为能够在第二位置处在不加热片部件的上方位置与加热片部件的下方位置之间在上下方向上移动。若这样构成，则通过使热缩部向上方位置移动，能够以不干涉扩张部的移动的方式使热缩部退避，因此能够容易地进行扩张部的移动。另外，通过使热缩部向下方位置移动，在扩张部向第二位置移动后，能够容易地进行片部件的热缩。
在上述一个方面的扩张装置中，优选的是，还具备吸引部，该吸引部配置于第一位置，在利用扩张部扩张片部件时，将因片部件的扩张而从晶片环构造产生的飞散物吸引并除去。若这样构成，则能够将飞散物吸引并除去，因此能够抑制因飞散物向晶片上飞散而产生品质不良。另外，与将飞散物在扩张装置内吹动(吹走)而除去的情况不同，能够抑制飞散物在扩张装置内残留，因此能够抑制因残留于扩张装置内的飞散物再飞散而飞散物向晶片上飞散从而产生品质不良。另外，如上所述，由于能够将片部件的扩张和片部件的热缩在独立的位置进行，所以能够确保配置作为扩张时的除去构造的吸引部的空间。
在该情况下，优选的是，吸引部包含环状的吸引部主体和设置于吸引部主体且在飞散物的吸引时与晶片的外缘相向的环状的吸引口。若这样构成，则由于以与容易产生飞散物的晶片的外缘相向的方式设置有吸引部的吸引口，所以能够利用吸引部有效地吸引飞散物。
在上述吸引部包含环状的吸引口的结构中，优选的是，环状的吸引口由隔开预定的间隔而配置成环状的多个吸引口构成。若这样构成，则与环状的吸引口由单个吸引口构成的情况相比，能够增大每个吸引口的吸引力，因此能够利用吸引部更有效地吸引飞散物。
在还具备上述吸引部的结构中，优选的是，吸引部构成为能够在吸引飞散物的下方位置与不吸引飞散物的上方位置之间在上下方向上移动。若这样构成，则通过使吸引部向上方位置移动，能够以不干涉扩张部的移动的方式使吸引部退避，因此能够容易地进行扩张部的移动。另外，通过使吸引部向下方位置移动，在片部件的扩张时，能够容易地进行飞散物的吸引。
在上述一个方面的扩张装置中，优选的是，还具备冷却部，该冷却部配置于第一位置，在利用扩张部扩张片部件时，对片部件进行冷却。若这样构成，则能够在扩张时将片部件冷却而硬化，因此能够抑制由于片部件软所以仅片部件的外周部分伸展、相对于晶片不产生充分的分割力而晶片无法分割。另外，在晶片具有软的薄的膜层(Low-K膜及DAF(DieAttached Film：裸片黏结膜)等)的情况下，由于膜层软，所以即使晶片的硅部分通过扩张而被分割，有时膜层也会破裂残留，但若如上述那样构成，则能够在扩张时将膜层冷却而硬化，因此能够抑制膜层破裂残留。另外，如上所述，由于将片部件的扩张和片部件的热缩在独立的位置进行，所以能够确保配置作为扩张时的冷却构造的冷却部的空间。
在该情况下，优选的是，移动机构构成为，在不使冷却部从第一位置移动的情况下，与冷却部相独立地使扩张部在水平方向上从第一位置向第二位置移动。若这样构成，则与移动机构构成为使扩张部与冷却部一起移动的情况相比，能够减小移动机构所需的驱动力。其结果，能够将移动机构小型化。
在上述一个方面的扩张装置中，优选的是，还具备：收容部，在俯视下配置于与第一位置及第二位置不同的位置，收容多个晶片环构造；及取出部，在俯视下配置于与第一位置及第二位置不同的位置，从收容部取出晶片环构造，取出部从收容部取出晶片环构造的方向与移动机构使扩张部移动的方向大致平行。若这样构成，则与取出部从收容部取出晶片环构造的方向与移动机构使扩张部移动的方向大致正交的情况不同，能够抑制在与取出部从收容部取出晶片环构造的方向及移动机构使扩张部移动的方向大致正交的方向上扩张装置大型化。
发明效果
根据本发明，如上所述，能够提供在将片部件扩张并热缩的情况下也能够容易地确保配置与片部件的热缩相关的构造的空间的扩张装置。
附图说明
图1是一实施方式的扩张装置的俯视图。
图2是一实施方式的扩张装置的侧视图。
图3是一实施方式的扩张装置的晶片环构造的俯视图。
图4是沿着图3的101-101线的剖视图。
图5是一实施方式的扩张装置的碎片清理器的仰视图。
图6是一实施方式的扩张装置的热缩部的仰视图。
图7是示出了一实施方式的扩张装置的控制结构的框图。
图8是示出了一实施方式的扩张装置的半导体芯片制造处理的流程图。
图9是示出了一实施方式的扩张装置的夹持晶片环构造前的状态的侧视图。
图10是示出了一实施方式的扩张装置的夹持了晶片环构造的状态的侧视图。
图11是示出了一实施方式的扩张装置的扩张了片部件的状态的侧视图。
图12是示出了一实施方式的扩张装置的晶片环构造、碎片清理器及扩张环的侧视图。
图13是示出了一实施方式的扩张装置的将片部件热缩前的状态的侧视图。
图14是示出了一实施方式的扩张装置的将片部件热缩时的状态的侧视图。
图15是示出了一实施方式的扩张装置的取出处理的流程图。
图16是示出了一实施方式的扩张装置的移载处理的流程图。
图17是示出了一实施方式的扩张装置的扩张处理的流程图。
图18是接在图17的流程图之后的流程图。
图19是示出了一实施方式的扩张装置的热缩处理的流程图。
图20是接在图19的流程图之后的流程图。
图21是示出了一实施方式的扩张装置的收容处理的流程图。
具体实施方式
以下，基于附图来说明将本发明具体化的实施方式。
参照图1～图21，对本发明的一实施方式的扩张装置100的结构进行说明。
(扩张装置的结构)
如图1及图2所示，扩张装置100构成为将晶片210分割而形成多个半导体芯片。另外，扩张装置100构成为在多个半导体芯片彼此之间形成充分的间隙。在此，在晶片210中，通过对晶片210沿着分割线(划切道)照射具有透射性的波长的激光而预先形成有改质层。改质层表示通过激光而在晶片210的内部形成的龟裂及空洞等。将这样在晶片210形成改质层的手法称作隐形式切片加工。
因此，在扩张装置100中，通过使片部件220扩张，晶片210沿着改质层被分割。另外，在扩张装置100中，通过使片部件220扩张，分割而形成的多个半导体芯片彼此的间隙扩宽。
扩张装置100具备底板1、盒部2、举起手部3、吸附手部4、底座5、扩张部6、冷气供给部7、冷却单元8、碎片清理器9、热缩部10及紫外线照射部11。需要说明的是，盒部2是技术方案的“收容部”的一例。另外，举起手部3是技术方案的“取出部”的一例。另外，冷气供给部7及冷却单元8是技术方案的“冷却部”的一例。另外，碎片清理器9是技术方案的“吸引部”的一例。
在此，将水平方向中的盒部2和热缩部10排列的方向设为X方向，将X方向中的盒部2侧设为X1方向，将X方向中的热缩部10侧设为X2方向。另外，将水平方向中的与X方向正交的方向设为Y方向，将Y方向中的盒部2侧设为Y1方向，将与Y1方向相反的方向设为Y2方向。另外，将上下方向设为Z方向，将上方向设为Z1方向，将下方向设为Z2方向。
<底板>
底板1是设置盒部2及吸附手部4的基台。底板1在俯视下具有在Y方向上长的矩形形状。
<盒部>
盒部2构成为能够收容多个(5个)晶片环构造200。在此，如图3及图4所示，晶片环构造200具有晶片210、片部件220及环状部件230。
晶片210是由成为半导体集成电路的材料的半导体物质的晶体形成的圆形的薄板。如上所述，在晶片210的内部形成有沿着分割线使内部改质而得到的改质层。即，晶片210构成为能够沿着分割线分割。片部件220是具有伸缩性的粘着带。在片部件220的上表面220a设置有粘着层。在片部件220的粘着层粘贴有晶片210。环状部件230是在俯视下为环状的金属制的框架。在环状部件230的外侧面230a形成有切口240及切口250。环状部件230以包围晶片210的状态粘贴于片部件220的粘着层。
如图1及图2所示，盒部2包含Z方向移动机构21、晶片盒22及一对载置部23。Z方向移动机构21构成为以电动机21a为驱动源而使晶片盒22在Z方向上移动。另外，Z方向移动机构21具有将晶片盒22从下侧支撑的载置台21b。在载置台21b上，通过手工作业而供给并载置晶片盒22。晶片盒22具有能够收容多个晶片环构造200的收容空间。一对载置部23在晶片盒22的内侧配置有多个(5个)。在一对载置部23上，从Z1方向侧载置晶片环构造200的环状部件230。一对载置部23的一方从晶片盒22的X1方向侧的内侧面向X2方向侧突出。一对载置部23的另一方从晶片盒22的X2方向侧的内侧面向X1方向侧突出。
<举起手部>
举起手部3构成为能够从盒部2取出晶片环构造200。另外，举起手部3构成为能够向盒部2收容晶片环构造200。
具体而言，举起手部3包含Y方向移动机构31和举起手32。Y方向移动机构31构成为以电动机31a为驱动源而使举起手32在Y方向上移动。举起手32构成为将晶片环构造200的环状部件230从Z2方向侧支撑。
<吸附手部>
吸附手部4构成为将晶片环构造200的环状部件230从Z1方向侧吸附。
具体而言，吸附手部4包含X方向移动机构41、Z方向移动机构42及吸附手43。X方向移动机构41构成为以电动机41a为驱动源而使吸附手43在X方向上移动。Z方向移动机构42构成为以电动机42a为驱动源而使吸附手43在Z方向上移动。吸附手43构成为将晶片环构造200的环状部件230从Z1方向侧支撑。
<底座>
底座5是设置扩张部6、冷却单元8及紫外线照射部11的基台。底座5在俯视下具有在Y方向上长的矩形形状。
<扩张部>
扩张部6构成为通过将晶片环构造200的片部件220扩张而沿着分割线分割晶片210。
具体而言，扩张部6包含Z方向移动机构61、Y方向移动机构62、夹持部63及扩张环64。Z方向移动机构61构成为以电动机61a为驱动源而使夹持部63在Z方向上移动。Y方向移动机构62构成为以电动机62a为驱动源而使Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64在Y方向上移动。需要说明的是，Y方向移动机构62是技术方案的“移动机构”的一例。
夹持部63构成为把持晶片环构造200的环状部件230。夹持部63具有下侧把持部63a和上侧把持部63b。下侧把持部63a将环状部件230从Z2方向侧支撑。上侧把持部63b将由下侧把持部63a支撑的状态的环状部件230从Z1方向侧压住。这样，环状部件230由下侧把持部63a及上侧把持部63b把持。
扩张环64构成为通过将片部件220从Z2方向侧支撑而使片部件220扩张(扩张)。扩张环64在俯视下具有环形状。
<冷气供给部>
冷气供给部7构成为在利用扩张部6使片部件220扩张时从Z1方向侧向片部件220供给冷气。
具体而言，冷气供给部7具有多个喷嘴71。喷嘴71具有使从冷气供给源(未图示)供给的冷气流出的冷气供给口71a(参照图5)。喷嘴71安装于碎片清理器9。冷气供给源是用于生成冷气的冷却装置。冷气供给源例如供给由设置有热泵等的冷却装置等冷却后的空气。这样的冷气供给源设置于底座5。冷气供给源和多个喷嘴71分别通过软管(未图示)而连接。
<冷却单元>
冷却单元8构成为在利用扩张部6使片部件220扩张时将片部件220从Z2方向侧冷却。
具体而言，冷却单元8包含具有冷却体81a及珀尔帖元件81b的冷却部件81和缸体82。冷却体81a由热容大且热传导率高的部件构成。冷却体81a由铝等金属形成。珀尔帖元件81b构成为将冷却体81a冷却。需要说明的是，冷却体81a不限定于铝，也可以是其他的热容大且热传导率高的部件。
冷却单元8构成为能够通过缸体82而在Z方向上移动。由此，冷却单元8能够向与片部件220接触的位置及从片部件220分离的位置移动。
<碎片清理器>
碎片清理器9构成为在利用扩张部6使片部件220扩张时吸引晶片210的碎片等。
如图5所示，碎片清理器9包含环状部件91和多个吸引口92。环状部件91是从Z1方向侧观察时具有环形状的部件。多个吸引口92是用于吸引晶片210的碎片等的开口。多个吸引口92形成于环状部件91的Z2方向侧的下表面。需要说明的是，环状部件91是技术方案的“吸引部主体”的一例。
如图2所示，碎片清理器9构成为能够通过缸体(未图示)而在Z方向上移动。由此，碎片清理器9能够向接近了晶片210的位置及能够避开在X方向上移动的吸附手43的位置移动。
<热缩部>
热缩部10构成为使由扩张部6扩张后的片部件220在保持多个半导体芯片彼此之间的间隙的状态下通过加热而收缩。
如图1所示，热缩部10包含Z方向移动机构110、加热环111、吸气环112及扩张维持环113。Z方向移动机构110构成为以电动机110a为驱动源而使加热环111及吸气环112在Z方向上移动。
如图6所示，加热环111在俯视下具有环形状。另外，加热环111具有将片部件220加热的护套加热器。吸气环112与加热环111一体地构成。吸气环112在俯视下具有环形状。在吸气环112的Z2方向侧的下表面形成有多个吸气口112a。扩张维持环113构成为以使晶片210附近的片部件220不因加热环111的加热而收缩的方式将片部件220从Z1方向侧压住。
扩张维持环113在俯视下具有环形状。扩张维持环113构成为能够通过缸体(未图示)而在Z方向上移动。由此，扩张维持环113能够向将片部件220压住的位置及从片部件220离开的位置移动。
<紫外线照射部>
紫外线照射部11构成为为了使片部件220的粘着层的粘着力下降而向片部件220照射紫外线。具体而言，紫外线照射部11具有紫外线用照明。
(扩张装置的控制结构)
如图7所示，扩张装置100具备第一控制部12、第二控制部13、第三控制部14、第四控制部15、第五控制部16、扩张控制运算部17、处理控制运算部18及存储部19。
第一控制部12构成为控制热缩部10。第一控制部12包含CPU(Central ProcessingUnit：中央处理单元)和具有ROM(Read Only Memory：只读存储器)及RAM(Random AccessMemory：随机存取存储器)等的存储部。需要说明的是，第一控制部12也可以作为存储部而包含在电压切断后也保持所存储的信息的HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等。另外，HDD也可以相对于第一控制部12、第二控制部13、第三控制部14、第四控制部15及第五控制部16共用地设置。
第二控制部13构成为控制冷气供给部7、冷却单元8及碎片清理器9。第二控制部13包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。第三控制部14构成为控制扩张部6。第三控制部14包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。需要说明的是，第二控制部13及第三控制部14也可以作为存储部而包含在电压切断后也保持所存储的信息的HDD等。
第四控制部15构成为控制盒部2及举起手部3。第四控制部15包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。第五控制部16构成为控制吸附手部4。第五控制部16包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。需要说明的是，第四控制部15及第五控制部16也可以作为存储部而包含在电压切断后也保持所存储的信息的HDD等。
扩张控制运算部17构成为基于第一控制部12、第二控制部13及第三控制部14的处理结果来进行与片部件220的扩张处理相关的运算。扩张控制运算部17包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。
处理控制运算部18构成为基于第四控制部15及第五控制部16的处理结果来进行与晶片环构造200的移动处理相关的运算。处理控制运算部18包含CPU和具有ROM及RAM等的存储部。
存储部19存储有用于使扩张装置100进行动作的程序。存储部19包含ROM及RAM等。
(由扩张装置进行的半导体芯片制造处理)
以下对扩张装置100的整体的动作进行说明。
在步骤S1中，从盒部2取出晶片环构造200。即，将收容于盒部2内的晶片环构造200利用举起手32支撑后，举起手32通过Y方向移动机构31而向Y2方向侧移动，由此从盒部2取出晶片环构造200。在步骤S2中，由吸附手43向扩张部6移载晶片环构造200。即，从盒部2取出的晶片环构造200在由吸附手43吸附的状态下通过X方向移动机构41而向X2方向侧移动。然后，向X2方向侧移动后的晶片环构造200从吸附手43向夹持部63移载后，由夹持部63把持。
在步骤S3中，由扩张部6扩张片部件220。此时，由夹持部63把持的晶片环构造200的片部件220由冷却单元8冷却。另外，若有需要，则进行冷气供给部7对片部件220的冷却。被冷却至预定温度的晶片环构造200在由夹持部63把持的状态下通过Z方向移动机构61而下降。然后，通过由扩张环64扩张片部件220，晶片210沿着分割线被分割。此时，一边进行碎片清理器9对碎片的吸引一边进行晶片210的分割。
在步骤S4中，在维持片部件220的扩张状态的状态下将扩张部6向热缩部10的Z2方向侧移动。即，在进行晶片210的分割后，片部件220被扩张的状态的晶片环构造200通过Y方向移动机构62而向Y1方向移动。在步骤S5中，利用热缩部10将片部件220加热而使其收缩。此时，向Y1方向移动后的晶片环构造200在由扩张维持环113及扩张环64夹入的状态下，由加热环111进行加热。此时，进行吸气环112的吸气和紫外线照射部11的紫外线的照射。
在步骤S6中，使扩张部6返回原来的位置。即，使片部件220收缩后的晶片环构造200通过Y方向移动机构31而向Y2方向侧移动。在步骤S7中，在由吸附手43从扩张部6向举起手部3移载了晶片环构造200的状态下，通过X方向移动机构41而向X1方向侧移动，向举起手32移交。在步骤S8中，晶片环构造200向盒部2收容。并且，通过利用Y方向移动机构31使由举起手32支撑的晶片环构造200向Y1方向侧移动而向盒部2收容晶片环构造200。由此，对1张晶片环构造200进行的处理完成。
(与扩张及热缩相关的结构)
参照图1及图9～图14，对与扩张及热缩相关的结构详细地说明。
在此，在本实施方式中，如图1及图9～图14所示，扩张部6构成为在第一位置P1处扩张具有伸缩性的热收缩性的片部件220。另外，Y方向移动机构62构成为在利用扩张部6扩张了片部件220的状态下使扩张部6的Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64在水平方向(Y1方向)上从第一位置P1向在俯视下与第一位置P1在水平方向(Y1方向)上分离的第二位置P2移动。另外，热缩部10构成为在第二位置P2处加热因扩张部6的扩张而产生的片部件220的晶片210的周围的部分220b的松弛而使其收缩(热缩)。
<与扩张相关的结构>
如图9～图11所示，扩张部6构成为在扩张片部件220时利用夹持部63将环状部件230在上下方向(Z方向)上把持。具体而言，夹持部63的上侧把持部63b由以包围晶片环构造200的方式配置的多个(4个)滑动移动体63ba构成。多个滑动移动体63ba构成为在把持环状部件230时朝向晶片210侧而在水平方向上滑动移动。另外，夹持部63的下侧把持部63a构成为通过气缸等缸体的驱动力而朝着向晶片210侧滑动移动后的上侧把持部63b(多个滑动移动体63ba)向Z1方向侧上升。由此，在夹持部63的上侧把持部63b与下侧把持部63a之间把持并固定环状部件230。
另外，夹持部63构成为在上侧把持部63b与下侧把持部63a之间把持了环状部件230的状态下通过Z方向移动机构61的电动机61a的驱动力而朝着扩张环64向Z2方向侧下降。由此，片部件220被向扩张环64压靠，并且片部件220被扩张。需要说明的是，扩张环64相对于片部件220配置于Z2方向侧。另外，扩张环64以包围晶片210的方式形成为与环状部件230同轴且圆形的环状。另外，扩张环64的直径比晶片210的直径大且比环状部件230的直径(内径)小。即，扩张环64在水平方向上配置于晶片210与环状部件230之间。
另外，在本实施方式中，在作为扩张位置的第一位置P1处，相对于晶片环构造200在Z1方向侧配置有将因片部件220的扩张而从晶片环构造200产生的飞散物吸引并除去的碎片清理器9。飞散物例如是晶片210的碎片等，在晶片210的外缘210a(参照图12)的附近，晶片210等的碎片小，因此在片部件220的扩张时位置变得不稳定，容易成为飞散物。另外，在晶片210与片部件220之间存在裸片黏结膜的情况下，也存在裸片黏结膜成为飞散物的情况。碎片清理器9构成为利用从负压产生装置供给的负压来将飞散物吸引并除去。
另外，在本实施方式中，如图5及图12所示，碎片清理器9的吸引口92以在飞散物(晶片210的碎片及裸片黏结膜的碎片等)的吸引时与圆形的环状的晶片210的外缘210a相向的方式形成为圆形的环状。具体而言，圆形的环状的吸引口92由隔开预定的间隔而配置成圆形的环状的多个吸引口92构成。碎片清理器9构成为利用圆形的环状的吸引口92向从晶片210的中心离开的方向吸引飞散物。
另外，在本实施方式中，如图9～图11所示，碎片清理器9构成为能够通过气缸等缸体的驱动力而在作为扩张位置的第一位置P1处在吸引飞散物的下方位置与不吸引飞散物的上方位置之间在上下方向(Z方向)上移动。下方位置是晶片210的附近的位置。另外，上方位置是能够避开在X方向上移动的吸附手43的退避位置。碎片清理器9构成为在扩张片部件220时从上方位置向Z2方向侧下降至下方位置。另外，碎片清理器9构成为，在将片部件220向扩张环64压靠前开始吸引动作，将吸引动作至少持续至片部件220向扩张环64的压靠完成(基于Z方向移动机构61的向Z2方向侧的移动完成的时间点)为止。
另外，在本实施方式中，在作为扩张位置的第一位置P1配置有在利用扩张部6扩张片部件220时将片部件220冷却的冷气供给部7及冷却单元8。冷气供给部7相对于晶片环构造200在Z1方向侧与碎片清理器9一体地设置。因而，冷气供给部7构成为能够在第一位置P1处在供给冷气的下方位置与不供给冷气的上方位置之间与碎片清理器9一体地在上下方向(Z方向)上移动。冷气供给部7构成为在扩张片部件220时从上方位置向Z2方向侧下降至下方位置。另外，冷气供给部7构成为，在将片部件220向扩张环64压靠前开始冷气供给动作，将冷气供给动作至少持续至将片部件220向扩张环64完全压靠为止。
另外，冷却单元8相对于晶片环构造200配置于Z2方向侧。另外，冷却单元8构成为能够在第一位置P1处通过气缸等缸体82的驱动力而在将片部件220冷却的上方位置与不将片部件220冷却的下方位置之间在上下方向(Z方向)上移动。冷却单元8构成为在扩张片部件220时从下方位置向Z1方向侧上升至上方位置。另外，冷却单元8构成为在将片部件220向扩张环64压靠前开始并完成冷却动作。另外，冷却单元8构成为在将片部件220向扩张环64压靠前向下方位置退避。
另外，若扩张部6对片部件220的扩张(片部件220向扩张环64的压靠)完成，则Y方向移动机构62构成为一边维持利用扩张部6扩张了片部件220的状态一边从进行了片部件220的扩张的第一位置P1向进行片部件220的热缩的第二位置P2使扩张部6(Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64)在Y1方向上移动。此时，Y方向移动机构62构成为，在不使碎片清理器9、冷气供给部7及冷却单元8从第一位置P1移动的情况下，与碎片清理器9、冷气供给部7及冷却单元8相独立地使扩张部6在Y1方向上从第一位置P1向第二位置P2移动。此时，碎片清理器9及冷气供给部7退避于上方位置，冷却单元8退避于下方位置。
Y方向移动机构62除了电动机62a之外还具有载置部62b和轨道部62c。载置部62b构成为在上表面载置Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64。另外，载置部62b在俯视下形成为大致矩形形状的板状。另外，载置部62b以能够向轨道部62c上移动的方式设置。轨道部62c在X方向上分离地设置有一对。一对轨道部62c以在第一位置P1与第二位置P2之间在Y方向上延伸的方式设置。Y方向移动机构62构成为能够通过利用电动机62a的驱动力沿着一对轨道部62c使载置部62b在Y方向上移动而使Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64在第一位置P1与第二位置P2之间在Y方向上移动。
另外，在载置部62b设置有在上下方向(Z方向)上贯通载置部62b的孔部62ba。孔部62ba在俯视下形成为圆形状。另外，孔部62ba具有在第一位置P1处能够使冷却单元8通过的大小。由此，能够经由孔部62ba而使冷却单元8在上方位置与下方位置之间移动。另外，孔部62ba具有在第二位置P2处能够使紫外线照射部11通过的大小。由此，能够经由孔部62ba而使紫外线照射部11在上方位置与下方位置之间移动。另外，孔部62ba设置于扩张环64的内侧。冷却单元8及紫外线照射部11构成为经由孔部62ba而向扩张环64的内侧移动。
<与热缩相关的结构>
另外，在本实施方式中，如图13及图14所示，热缩部10在作为热缩位置的第二位置P2处配置于通过Y方向移动机构62而移动后的扩张部6的Z1方向侧。另外，热缩部10的加热环111及吸气环112构成为能够通过Z方向移动机构110的电动机110a的驱动力而在第二位置P2处在不加热片部件220的上方位置与加热片部件220的下方位置之间在上下方向(Z方向)上移动。另外，热缩部10的扩张维持环113构成为能够通过气缸等缸体的驱动力而在第二位置P2处在不将片部件220压住的上方位置与将片部件220压住的下方位置之间在上下方向上移动。另外，上方位置是能够避开向Y1方向移动的扩张部6及晶片环构造200的退避位置。另外，下方位置是片部件220的附近的位置。
另外，热缩部10(加热环111、吸气环112及扩张维持环113)构成为在将片部件220热缩时从上方位置向Z2方向侧下降至下方位置。需要说明的是，加热环111及吸气环112用的上下机构(Z方向移动机构110)和扩张维持环113用的上下机构(缸体)是独立的机构。因而，加热环111及吸气环112和扩张维持环113能够互相独立地上下移动。扩张维持环113构成为与扩张环64之间在上下方向(Z方向)上将片部件220夹入。由此，扩张维持环113构成为维持片部件220的与晶片210对应的部分的扩张状态。另外，加热环111构成为在利用扩张维持环113维持着片部件220的扩张状态的状态下利用作为加热机构的护套加热器将片部件220的晶片210的周围的部分220b(扩张维持环113的外侧的部分)加热。另外，吸气环112构成为在加热环111对片部件220的加热的期间将因加热而从片部件220产生的气体吸入。
另外，在本实施方式中，在作为热缩位置的第二位置P2配置有在利用热缩部10将片部件220热缩时向片部件220照射紫外线的紫外线照射部11。紫外线照射部11相对于晶片环构造200配置于Z2方向侧。另外，紫外线照射部11构成为能够在第二位置P2处通过气缸等的缸体121的驱动力而在照射紫外线的上方位置与不照射紫外线的下方位置之间在上下方向(Z方向)上移动。紫外线照射部11构成为在将片部件220热缩时从下方位置向Z1方向侧上升至上方位置。
另外，若热缩部10对片部件220的热缩完成，则Y方向移动机构62构成为使扩张部6(Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64)在Y2方向上从进行了热缩的第二位置P2向进行了扩张的第一位置P1移动。此时，Y方向移动机构62构成为，在不使热缩部10及紫外线照射部11从第二位置P2移动的情况下，与热缩部10及紫外线照射部11相独立地使扩张部6在Y2方向上从第二位置P2向第一位置P1移动。此时，热缩部10退避于上方位置，紫外线照射部11退避于下方位置。
<与盒部及举起手部相关的结构>
另外，在本实施方式中，如图1所示，盒部2在俯视下配置于与第一位置P1及第二位置P2不同的位置。另外，举起手部3在俯视下配置于与第一位置P1及第二位置P2不同的位置。另外，举起手部3从盒部2取出晶片环构造200的方向(Y2方向)与Y方向移动机构62使扩张部6移动的方向(Y1方向)大致平行。即，举起手部3对晶片环构造200的插拔方向(Y方向)和Y方向移动机构62对扩张部6的移动方向(Y方向)互相大致平行。另外，盒部2与作为热缩位置的第二位置P2在X方向上排列配置。另外，举起手部3对晶片环构造200的取出位置与作为扩张位置的第一位置P1在X方向上排列配置。
(取出处理)
参照图15，对扩张装置100中的取出处理进行说明。取出处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S1中进行的处理。
如图15所示，在步骤S101中，判断举起手部3的举起手32是否空闲。在举起手32不空闲的情况下，取出处理结束。另外，在举起手32空闲的情况下，进入步骤S102。
然后，在步骤S102中，判断举起手32是否存在于盒部2的晶片盒22内。在举起手32不存在于晶片盒22内的情况下，进入步骤S104。另外，在举起手32存在于晶片盒22内的情况下，进入步骤S103。
然后，在步骤S103中，举起手32由Y方向移动机构31从晶片盒22内向晶片盒22外向Y2方向移动。
然后，在步骤S104中，以能够利用举起手32将晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200取出的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21在Z方向上移动。具体而言，在步骤S104中，以使举起手32的上表面位于晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200的环状部件的230的下表面的稍靠Z2方向侧的高度的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21在Z方向上移动。
然后，在步骤S105中，以位于晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200的环状部件230的正下方的方式，举起手32由Y方向移动机构31向Y1方向移动。
然后，在步骤S106中，晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200向举起手32移交。具体而言，在步骤S106中，以使晶片盒22内的取出对象的晶片环构造200的环状部件230的下表面通过举起手32而从一对载置部23的上表面稍微浮起的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21向Z2方向移动。
然后，在步骤S107中，在利用举起手32的上表面支撑了取出对象的晶片环构造200的环状部件230的下表面的状态下，举起手32由Y方向移动机构31向Y2方向移动。由此，取出对象的晶片环构造200由举起手32从晶片盒22内取出。然后，取出处理结束。
(移载处理)
参照图16，对扩张装置100中的移载处理进行说明。移载处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S2或S7中进行的处理。
如图16所示，在步骤S201中，吸附手部4的吸附手43由Z方向移动机构42上升。
然后，在步骤S202中，吸附手43由X方向移动机构41向晶片环构造200的上方移动。具体而言，在上述半导体芯片制造处理中的步骤S2的情况下，吸附手43向由举起手32支撑的晶片环构造200的上方移动。另外，在上述半导体芯片制造处理中的步骤S7的情况下，吸附手43向由扩张部6支撑的晶片环构造200的上方移动。
然后，在步骤S203中，吸附手43由Z方向移动机构42朝向晶片环构造200下降。
然后，在步骤S204中，吸附手43利用从负压产生装置供给的负压来吸附晶片环构造200的环状部件230。
然后，在步骤S205中，吸附手43由Z方向移动机构42上升。
然后，在步骤S206中，吸附手43由X方向移动机构41向移载目的地的上方移动。具体而言，在上述半导体芯片制造处理中的步骤S2的情况下，吸附手43向第一位置P1的扩张部6的上方移动。另外，在上述半导体芯片制造处理中的步骤S7的情况下，吸附手43向举起手32的上方移动。
然后，在步骤S207中，吸附手43由Z方向移动机构42朝向移载目的地(扩张部6或举起手32)下降。
然后，在步骤S208中，吸附手43对晶片环构造200的环状部件230的吸附被解除。由此，晶片环构造200向移载目的地的移载完成。然后，移载处理结束。
(扩张处理)
参照图17及图18，对扩张装置100中的扩张处理进行说明。扩张处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S3中进行的处理。扩张处理在第一位置P1处进行。
如图17所示，在步骤S301中，吸附手43由Z方向移动机构42上升。此时，晶片环构造200的环状部件230由夹持部63的下侧把持部63a支撑。
然后，在步骤S302中，上侧把持部63b的多个滑动移动体63ba朝向晶片210侧而在水平方向上滑动移动。
然后，在步骤S303中，在支撑了晶片环构造200的环状部件230的状态下，下侧把持部63a上升。由此，在上侧把持部63b与下侧把持部63a之间把持并固定环状部件230。
然后，在步骤S304中，碎片清理器9与冷气供给部7一起由缸体朝向晶片环构造200下降。
然后，在步骤S305中，判断是否需要基于冷气供给部7向片部件220的冷气的供给的冷却。在需要基于冷气供给部7向片部件220的冷气的供给的冷却的情况下，进入步骤S305a。然后，在步骤S305a中，冷气供给部7向片部件220的冷气的供给开始。需要说明的是，在由冷气供给部7进行冷却的情况下，在后述的步骤S307中也由冷却单元8进行冷却。然后，进入步骤S306。另外，在不需要基于冷气供给部7向片部件220的冷气的供给的冷却的情况下，不进行步骤S305a的处理，进入步骤S306。
然后，在步骤S306中，判断是否需要冷却单元8对片部件220的冷却。在需要冷却单元8对片部件220的冷却的情况下，进入步骤S307。然后，在步骤S307中，除了冷气供给部7对片部件220的冷却之外，也进行冷却单元8对片部件220的冷却。然后，进入步骤S308。另外，在不需要冷却单元8对片部件220的冷却的情况下，不进行步骤S307的处理，进入步骤S308。
然后，如图18所示，在步骤S308中，碎片清理器9对飞散物的吸引开始。
然后，在步骤S309中，通过夹持部63由Z方向移动机构61快速下降而片部件220被向扩张环64压靠，执行片部件220的扩张。由此，片部件220上的晶片210被分割成矩阵状的多个半导体芯片，并且多个半导体芯片之间的间隙被扩宽。另外，在步骤S309中，夹持部63从扩张开始位置下降至扩张完成位置。
然后，在步骤S310中，冷气供给部7向片部件220的冷气的供给停止。需要说明的是，在步骤305中判断为不需要基于冷气供给部7向片部件220的冷气的供给的冷却的情况下，不进行步骤S310的处理，进入步骤S311。
然后，在步骤S311中，碎片清理器9对飞散物的吸引停止。
然后，在步骤S312中，碎片清理器9与冷气供给部7一起由缸体上升。然后，扩张处理结束。然后，一边维持扩张了片部件220的状态，一边从第一位置P1向第二位置P2由Y方向移动机构62移动扩张部6(Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64)。
(热缩处理)
参照图19及图20，对扩张装置100中的热缩处理进行说明。热缩处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S5中进行的处理。
如图19所示，在步骤S401中，紫外线照射部11由缸体121上升。
然后，在步骤S402中，扩张维持环113由缸体下降。由此，在扩张维持环113与扩张环64之间夹入片部件220。
然后，在步骤S403中，加热环111和吸气环112由Z方向移动机构110下降。需要说明的是，加热环111及吸气环112用的上下机构(Z方向移动机构110)和扩张维持环113用的上下机构(缸体)是独立的机构。
然后，在步骤S404中，吸气环112的吸气开始。
然后，在步骤S405中，片部件220对加热环111的加热和紫外线照射部11向片部件220的紫外线的照射开始。通过加热环111对片部件220的加热，片部件220的晶片210的周围的部分220b的松弛收缩而被除去。另外，通过紫外线照射部11向片部件220的紫外线的照射，片部件220的粘着层的粘着力下降。
然后，在步骤S406中，判断加热环111对片部件220的加热时间是否到达了设定时间。在加热环111对片部件220的加热时间未到达设定时间的情况下，反复进行步骤S406的处理。另外，在加热环111对片部件220的加热时间到达了设定时间的情况下，进入步骤S407。
然后，在步骤S407中，加热环111对片部件220的加热停止。
然后，在步骤S408中，夹持部63由Z方向移动机构61低速上升。
然后，在步骤S409中，判断夹持部63是否上升至扩张开始位置。在夹持部63未上升至扩张开始位置的情况下，反复进行步骤S409的处理。另外，在夹持部63上升至扩张开始位置的情况下，进入步骤S410。
需要说明的是，在步骤S406～S409的处理中，示出了将加热环111对片部件220的加热和Z方向移动机构61对夹持部63的上升以1次进行的例子，但热缩的结构不限于此。例如，也可以将加热环111对片部件220的加热和Z方向移动机构61对夹持部63的上升分割为多次来进行。即，也可以一边反复进行加热环111对片部件220的加热和Z方向移动机构61对夹持部63的上升一边使夹持部63上升至扩张开始位置。
然后，在步骤S410中，吸气环112的吸气和紫外线照射部11向片部件220的紫外线的照射停止。
然后，在步骤S411中，加热环111和吸气环112由Z方向移动机构110上升。
然后，在步骤S412中，扩张维持环113由缸体上升。
然后，在步骤S413中，紫外线照射部11由缸体121下降。然后，热缩处理结束。然后，从第二位置P2向第一位置P1由Y方向移动机构62移动扩张部6(Z方向移动机构61、夹持部63及扩张环64)。然后，从第一位置P1的扩张部6向举起手32由吸附手43移载扩张及热缩完成后的晶片环构造200。
(收容处理)
参照图21，对扩张装置100中的收容处理进行说明。收容处理是在上述半导体芯片制造处理中的步骤S8中进行的处理。
如图21所示，在步骤S501中，判断举起手部3的举起手32是否空闲。在举起手32不空闲的情况下，收容处理结束。另外，在举起手32空闲的情况下，进入步骤S502。
然后，在步骤S502中，判断举起手32是否存在于盒部2的晶片盒22内。在举起手32不存在于晶片盒22内的情况下，进入步骤S504。另外，在举起手32存在于晶片盒22内的情况下，进入步骤S503。
然后，在步骤S503中，举起手32由Y方向移动机构31从晶片盒22内向晶片盒22外向Y2方向移动。
然后，在步骤S504中，以能够向晶片盒22收容举起手32上的收容对象的晶片环构造200的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21在Z方向上移动。具体而言，在步骤S504中，以使举起手32上的收容对象的晶片环构造200的环状部件的230的下表面位于晶片盒22内的一对载置部23的上表面的稍靠Z1方向侧的高度的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21在Z方向上移动。
然后，在步骤S505中，以使举起手32上的收容对象的晶片环构造200的环状部件的230的下表面位于晶片盒22内的收容位置(一对载置部23的正上方)的方式，举起手32由Y方向移动机构31向Y1方向移动。
然后，在步骤S506中，举起手32上的收容对象的晶片环构造200向晶片盒22内的一对载置部23移交。具体而言，在步骤S506中，以使举起手32的上表面比一对载置部23的上表面稍微靠下的方式，晶片盒22由Z方向移动机构21向Z1方向移动。
然后，在步骤S508中，在利用一对载置部23的上表面支撑了收容对象的晶片环构造200的环状部件230的下表面的状态下，举起手32由Y方向移动机构31向Y2方向移动。由此，在收容对象的晶片环构造200收容于晶片盒22内的状态下，举起手32被取出。然后，收容处理结束。
(本实施方式的效果)
在本实施方式中，能够得到以下这样的效果。
在本实施方式中，如上所述，设置：扩张部6，在第一位置P1处扩张粘贴有晶片210及环状部件230的具有伸缩性的热收缩性的片部件220；Y方向移动机构62，在利用扩张部6扩张了片部件220的状态下，使扩张部6在水平方向上向在俯视下与第一位置P1在水平方向上分离的第二位置P2移动；及热缩部10，在第二位置P2处加热片部件220的晶片210的周围的部分220b的松弛而使其收缩。由此，能够将片部件220的扩张在第一位置P1进行且将片部件220的热缩在从第一位置P1在水平方向上分离的第二位置P2进行，因此能够将片部件220的扩张和片部件220的热缩在独立的位置进行。其结果，在将片部件220扩张并热缩的情况下，也能够在第二位置P2处容易地确保配置与片部件220的热缩相关的构造的空间。另外，由于能够在第二位置P2处容易地配置高品质的达成所需的构造，所以能够容易地达成更高品质的片部件220的热缩。
另外，通过将片部件220的扩张和片部件220的热缩在独立的位置进行，在存在在扩张时将片部件220冷却的冷却构造及除去在扩张时产生的飞散物的除去构造等的情况下，也能够在第一位置P1处确保配置冷却构造及除去构造等的空间。由此，在存在冷却构造及除去构造等的情况下，能够在第一位置P1处配置高品质的达成所需的冷却构造及除去构造等，因此能够达成更高品质的片部件220的扩张。
另外，在本实施方式中，如上所述，热缩部10在第二位置P2处配置于通过Y方向移动机构62而移动后的扩张部6的上方。由此，能够在第二位置P2处在能够比较容易地确保空间的扩张部6的上方配置热缩部10。其结果，能够在第二位置P2处更容易地配置高品质的达成所需的构造，因此能够更容易地达成高品质的片部件220的热缩。
另外，在本实施方式中，如上所述，热缩部10构成为能够在第二位置P2处在不加热片部件220的上方位置与加热片部件220的下方位置之间在上下方向上移动。由此，通过使热缩部10向上方位置移动，能够以不干涉扩张部6的移动的方式使热缩部10退避，因此能够容易地进行扩张部6的移动。另外，通过使热缩部10向下方位置移动，在扩张部6向第二位置P2移动后，能够容易地进行片部件220的热缩。
另外，在本实施方式中，如上所述，扩张装置100具备碎片清理器9，该碎片清理器9配置于第一位置P1，在利用扩张部6扩张片部件220时，将因片部件220的扩张而从晶片环构造200产生的飞散物吸引并除去。由此，能够将飞散物吸引并除去，因此能够抑制因飞散物向晶片210上飞散而产生品质不良。另外，与将飞散物在扩张装置100内吹动(吹走)而除去的情况不同，能够抑制飞散物在扩张装置100内残留，因此能够抑制因残留于扩张装置100内的飞散物再飞散而飞散物向晶片210上飞散从而产生品质不良。另外，如上所述，由于将片部件220的扩张和片部件220的热缩在独立的位置进行，所以能够确保配置作为扩张时的除去构造的碎片清理器9的空间。
另外，在本实施方式中，如上所述，碎片清理器9包含环状的环状部件91和设置于环状部件91且在飞散物的吸引时与晶片210的外缘相向的环状的吸引口92。由此，由于以与容易产生飞散物的晶片210的外缘相向的方式设置有碎片清理器9的吸引口92，所以能够利用碎片清理器9有效地吸引飞散物。
另外，在本实施方式中，如上所述，环状的吸引口92由隔开预定的间隔而配置成环状的多个吸引口92构成。由此，与环状的吸引口92由单个吸引口92构成的情况相比，能够增大每个吸引口92的吸引力，因此能够利用碎片清理器9更有效地吸引飞散物。
另外，在本实施方式中，如上所述，碎片清理器9构成为能够在吸引飞散物的下方位置与不吸引飞散物的上方位置之间在上下方向上移动。由此，通过使碎片清理器9向上方位置移动，能够以不干涉扩张部6的移动的方式使碎片清理器9退避，因此能够容易地进行扩张部6的移动。另外，通过使碎片清理器9向下方位置移动，在片部件220的扩张时，能够容易地进行飞散物的吸引。
另外，在本实施方式中，如上所述，扩张装置100具备配置于第一位置P1且在利用扩张部6扩张片部件220时对片部件220进行冷却的冷气供给部7及冷却单元8。由此，能够在扩张时将片部件220冷却而硬化，因此能够抑制由于片部件220软所以仅片部件220的外周部分伸展、相对于晶片210不产生充分的分割力而晶片210无法分割。另外，在晶片210具有软的薄的膜层(Low-K膜及DAF(Die Attached Film：裸片黏结膜)等)的情况下，由于膜层软，所以即使晶片210的硅部分通过扩张而被分割，有时膜层也会破裂残留，但若为如上所述那样构成，则能够在扩张时将膜层冷却而硬化，因此能够抑制膜层破裂残留。另外，如上所述，由于将片部件220的扩张和片部件220的热缩在独立的位置进行，所以能够确保配置作为扩张时的冷却构造的冷气供给部7及冷却单元8的空间。
另外，在本实施方式中，如上所述，Y方向移动机构62构成为，在不使冷气供给部7及冷却单元8从第一位置P1移动的情况下，与冷气供给部7及冷却单元8相独立地使扩张部6在水平方向上从第一位置P1向第二位置P2移动。由此，与Y方向移动机构62构成为使扩张部6与冷气供给部7及冷却单元8一起移动的情况相比，能够减小Y方向移动机构62所需的驱动力。其结果，能够将Y方向移动机构62小型化。
另外，在本实施方式中，如上所述，扩张装置100具备：盒部2，在俯视下配置于与第一位置P1及第二位置P2不同的位置，收容多个晶片环构造200；及举起手部3，在俯视下配置于与第一位置P1及第二位置P2不同的位置，从盒部2取出晶片环构造200。另外，举起手部3从盒部2取出晶片环构造200的方向与Y方向移动机构62使扩张部6移动的方向大致平行。由此，与举起手部3从盒部2取出晶片环构造200的方向与Y方向移动机构62使扩张部6移动的方向大致正交的情况不同，能够抑制在与举起手部3从盒部2取出晶片环构造200的方向及Y方向移动机构62使扩张部6移动的方向大致正交的方向上扩张装置100大型化。
[变形例]
需要说明的是，应该认为，本次公开的实施方式在所有方面都是例示而非限制性的内容。本发明的范围不是由上述的实施方式的说明表示而是由权利要求书表示，还包含与权利要求书等同的含义及范围内的所有变更(变形例)。
例如，在上述实施方式中，示出了热缩部在第二位置处配置于扩张部的上方的例子，但本发明不限于此。在本发明中，热缩部也可以在第二位置处配置于扩张部的下方。
另外，在上述实施方式中，示出了热缩部具有加热环的例子，但本发明不限于此。在本发明中，只要能够将片部件加热，则热缩部也可以具有加热环以外的加热部。
另外，在上述实施方式中，示出了热缩部具有吸气环和扩张维持环的例子，但本发明不限于此。在本发明中，热缩部也可以不具有吸气环和扩张维持环。
另外，在上述实施方式中，示出了扩张装置具备碎片清理器(吸引部)的例子，但本发明不限于此。在本发明中，扩张装置也可以不具备吸引部。
另外，在上述实施方式中，示出了碎片清理器(吸引部)具有与晶片的外缘相向的环状的吸引口的例子，但本发明不限于此。在本发明中，只要能够吸引飞散物，则吸引部的吸引口的形状不管是什么样的形状都行。
另外，在上述实施方式中，示出了环状的吸引口由多个吸引口构成的例子，但本发明不限于此。在本发明中，环状的吸引口也可以由单个吸引口构成。
另外，在上述实施方式中，示出了扩张装置具备冷气供给部及冷却单元(冷却部)的例子，但本发明不限于此。在本发明中，扩张装置也可以仅具备冷气供给部及冷却单元中的任一方作为冷却部。另外，扩张装置还可以不具备冷却部。
另外，在上述实施方式中，示出了举起手部(取出部)从盒部(收容部)取出晶片环构造的方向与Y方向移动机构(移动机构)使扩张部移动的方向大致平行的例子，但本发明不限于此。在本发明中，取出部从收容部取出晶片环构造的方向也可以与移动机构使扩张部移动的方向交叉。
另外，在上述实施方式中，为了便于说明，示出了将控制处理使用顺着处理流程依次进行处理的流程驱动型的流程图来说明的例子，但本发明不限于此。在本发明中，控制处理也可以通过以事件单位执行处理的事件驱动型的处理来进行。在该情况下，可以以完全的事件驱动型进行，也可以将事件驱动及流程驱动组合而进行。
附图标记说明
2盒部(收容部)
3举起手部(取出部)
6扩张部
7冷气供给部(冷却部)
8冷却单元(冷却部)
9碎片清理器(吸引部)
10热缩部
62Y方向移动机构(移动机构)
91环状部件(吸引部主体)
92吸引口
100扩张装置
200晶片环构造
210晶片
220片部件
220b片部件的晶片的周围的部分
230环状部件
P1第一位置
P2第二位置

Claims (10)

1.一种扩张装置，具备：
扩张部，在第一位置处扩张晶片环构造的片部件，所述晶片环构造包含晶片、包围所述晶片的环状部件及粘贴有所述晶片和所述环状部件的具有伸缩性的热收缩性的所述片部件；
移动机构，在利用所述扩张部扩张了所述片部件的状态下，使所述扩张部在水平方向上从所述第一位置向在俯视下与所述第一位置在水平方向上分离的第二位置移动；及
热缩部，在所述第二位置处加热通过所述扩张部的扩张而产生的所述片部件的所述晶片的周围的部分的松弛而使该松弛收缩。
2.根据权利要求1所述的扩张装置，其中，
所述热缩部在所述第二位置处配置于通过所述移动机构而移动后的所述扩张部的上方。
3.根据权利要求2所述的扩张装置，其中，
所述热缩部构成为能够在所述第二位置处在不加热所述片部件的上方位置与加热所述片部件的下方位置之间在上下方向上移动。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的扩张装置，其中，
所述扩张装置还具备吸引部，所述吸引部配置于所述第一位置，在利用所述扩张部扩张所述片部件时，将因所述片部件的扩张而从所述晶片环构造产生的飞散物吸引并除去。
5.根据权利要求4所述的扩张装置，其中，
所述吸引部包含：环状的吸引部主体；及环状的吸引口，设置于所述吸引部主体且在所述飞散物的吸引时与所述晶片的外缘相向。
6.根据权利要求5所述的扩张装置，其中，
环状的所述吸引口由隔开预定的间隔而配置成环状的多个吸引口构成。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的扩张装置，其中，
所述吸引部构成为，能够在吸引所述飞散物的下方位置与不吸引所述飞散物的上方位置之间在上下方向上移动。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的扩张装置，其中，
所述扩张装置还具备冷却部，所述冷却部配置于所述第一位置，在利用所述扩张部扩张所述片部件时，对所述片部件进行冷却。
9.根据权利要求8所述的扩张装置，其中，
所述移动机构构成为，在不使所述冷却部从所述第一位置移动的情况下，与所述冷却部相独立地使所述扩张部在水平方向上从所述第一位置向所述第二位置移动。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的扩张装置，其中，
所述扩张装置还具备：
收容部，在俯视下配置于与所述第一位置及所述第二位置不同的位置，收容多个所述晶片环构造；及
取出部，在俯视下配置于与所述第一位置及所述第二位置不同的位置，从所述收容部取出所述晶片环构造，
所述取出部从所述收容部取出所述晶片环构造的方向与所述移动机构使所述扩张部移动的方向大致平行。
CN202180101115.8A 2021-09-14 2021-09-14 扩张装置 Pending CN117716471A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/033734 WO2023042259A1 (ja) 2021-09-14 2021-09-14 エキスパンド装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117716471A true CN117716471A (zh) 2024-03-15

Family

ID=85601988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180101115.8A Pending CN117716471A (zh) 2021-09-14 2021-09-14 扩张装置

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPWO2023042259A1 (zh)
KR (1) KR20240021246A (zh)
CN (1) CN117716471A (zh)
DE (1) DE112021007867T5 (zh)
TW (1) TWI788222B (zh)
WO (1) WO2023042259A1 (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000211993A (ja) * 1999-01-22 2000-08-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウェハの製造方法、半導体製造装置、および、半導体装置
JP4288392B2 (ja) 2003-09-29 2009-07-01 株式会社東京精密 エキスパンド方法
CN100470729C (zh) * 2004-05-24 2009-03-18 松下电器产业株式会社 晶片扩展装置、部件供给装置及晶片带的扩展方法
JP5706235B2 (ja) * 2011-05-26 2015-04-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6004675B2 (ja) * 2012-03-07 2016-10-12 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6901909B2 (ja) * 2017-06-05 2021-07-14 株式会社ディスコ エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP3222036U (ja) * 2019-04-23 2019-07-04 株式会社ディスコ 紫外線照射装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2023042259A1 (zh) 2023-03-23
TWI788222B (zh) 2022-12-21
DE112021007867T5 (de) 2024-04-04
KR20240021246A (ko) 2024-02-16
WO2023042259A1 (ja) 2023-03-23
TW202312252A (zh) 2023-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5409280B2 (ja) チップ間隔拡張方法
JP2009064905A (ja) 拡張方法および拡張装置
KR20150118530A (ko) 칩 간격 유지 방법
TW201515076A (zh) 晶圓之分割方法
KR20150128579A (ko) 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법
JP4772559B2 (ja) チップ間隔維持方法及びチップ間隔維持装置
JP4744742B2 (ja) 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
JP2001196443A (ja) 半導体チップのピックアップ装置およびピックアップ方法
CN117716471A (zh) 扩张装置
JP7154687B2 (ja) テープ拡張装置
JP2018067668A (ja) シート拡張装置
CN117716470A (zh) 扩张装置及扩张方法
CN117957637A (zh) 扩展装置
JP2002353296A (ja) ウェハの保護テープ剥離装置およびウェハのマウント装置
WO2023042263A1 (ja) エキスパンド装置
JP2020126960A (ja) エキスパンド装置
JP2005045134A (ja) 半導体ウエーハの加工装置
US20230298925A1 (en) Expansion method
JP6242163B2 (ja) テープ拡張装置
WO2023209872A1 (ja) エキスパンド装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ
JP6893736B2 (ja) テープ拡張装置
TW202347483A (zh) 晶圓加工裝置、半導體晶片之製造方法及半導體晶片
CN113363147A (zh) 分割方法和分割装置
CN118016542A (zh) 扩展方法和扩展装置
JP2023162982A (ja) ウエハ加工装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination