CN110527443A - 切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切割芯片接合薄膜，其具备适合于确保扩展工序中的割断性并实现对环形框等框构件的良好的贴合性的粘合粘接剂层。本发明的切割芯片接合薄膜X具备切割带(10)和粘合粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘合粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。粘合粘接剂层(20)针对宽度10mm且厚度160μm的粘合粘接剂层试样片以规定条件测定的25℃下的拉伸储能模量为5～120MPa。并且，粘合粘接剂层(20)针对宽度5mm且厚度80μm的粘合粘接剂层试样片以规定条件测定的‑15℃下的拉伸储能模量为3000～6000MPa。

Description

切割芯片接合薄膜
技术领域
本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割芯片接合薄膜。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，为了获得带有尺寸与芯片接合用芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带芯片接合薄膜的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆相应的尺寸，例如具有由基材和粘合剂层构成的切割带、以及在其粘合剂层侧可剥离地密合的芯片接合薄膜(粘接剂层)。
作为使用切割芯片接合薄膜而得到带芯片接合薄膜的半导体芯片的方法之一，已知有历经用于将切割芯片接合薄膜中的切割带扩展并割断芯片接合薄膜的工序的方法。在该方法中，首先，使半导体晶圆贴合在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上。该半导体晶圆以例如之后与芯片接合薄膜一同被割断从而能够单片化成多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了将该芯片接合薄膜割断而使得由切割带上的芯片接合薄膜生成分别密合于半导体芯片的多个芯片接合薄膜小片，使用扩展装置使切割芯片接合薄膜的切割带扩展。在该扩展工序中，在与芯片接合薄膜中的割断部位相当的部位处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜和/或切割带上，半导体晶圆被单片化为多个半导体芯片。接着，针对切割带上的割断后的多个带芯片接合薄膜的半导体芯片，为了扩宽隔开的距离而再次进行扩展工序。接着，在例如历经清洗工序后，各半导体芯片同与它们所密合的芯片尺寸相当的芯片接合薄膜一起，被拾取机构的顶针构件自切割带的下侧顶起，在此基础上自切割带上被拾取。如此，可得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。该带芯片接合薄膜的半导体芯片夹着该芯片接合薄膜通过芯片接合而被固定于安装基板等被粘物。例如，针对以如上方式使用的切割芯片接合薄膜的相关技术，例如在下述专利文献1～3中有所记载。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2010-177401号公报
专利文献3：日本特开2012-23161号公报
发明内容
发明要解决的问题
图15是通过其截面示意图来表示以往类型的切割芯片接合薄膜Y的一例。切割芯片接合薄膜Y由切割带60和芯片接合薄膜70构成。切割带60采用基材61与用于发挥粘合力的粘合剂层62的层叠结构。芯片接合薄膜70依靠粘合剂层62的粘合力而密合于粘合剂层62。这样的切割芯片接合薄膜Y具有与半导体装置的制造过程中的加工对象和/或作为工件的半导体晶圆相对应尺寸的圆盘形状，可在上述扩展工序中使用。例如，如图16所示，可在半导体晶圆81贴合于芯片接合薄膜70、且环形框82贴附于粘合剂层62的状态下实施上述扩展工序。半导体晶圆81可以进行加工而使得例如能够单片化成多个半导体芯片。
环形框82是在贴附于切割芯片接合薄膜Y的状态下、在扩展装置所具备的搬送臂等搬送机构搬送工件时与其机械地抵接的框构件。以往类型的切割芯片接合薄膜Y是以这样的环形框82可依靠切割带60的粘合剂层62的粘合力而固定于该薄膜的方式设计的。即，以往类型的切割芯片接合薄膜Y所具有的是在切割带60的粘合剂层62中、在芯片接合薄膜70的周围确保环形框贴合用区域的设计。在这样的设计中，粘合剂层62的外周端62e与芯片接合薄膜70的外周端70e之间的薄膜面内方向的距离为10～30mm左右。
本发明是鉴于以上所述的情况而作出的，其目的在于，提供一种切割芯片接合薄膜，其具备作为适合于确保扩展工序中的割断性并实现对环形框等框构件的良好贴合性的芯片接合薄膜的粘合粘接剂层。
用于解决问题的方案
由本发明提供的切割芯片接合薄膜具备切割带和作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。粘合粘接剂层与切割带中的粘合剂层可剥离地密合。粘合粘接剂层针对宽度10mm且厚度160μm的粘合粘接剂层试样片以初始卡盘间距22.5mm、频率1Hz、动态应变0.005％、和升温速度10℃/分钟的条件测定的、25℃下的拉伸储能模量(第一拉伸储能模量)为5～120MPa。并且，粘合粘接剂层针对宽度5mm且厚度80μm的粘合粘接剂层试样片以初始卡盘间距10mm、频率900Hz、动态应变0.005％、和升温速度5℃/分钟的条件测定的、-15℃下的拉伸储能模量(第二拉伸储能模量)为3000～6000MPa。这样的构成的切割芯片接合薄膜能够在半导体装置的制造过程中用于得到带芯片接合薄膜的半导体芯片。
在半导体装置的制造过程中，如上所述，在得到带芯片接合薄膜的半导体芯片的方面，有时会实施使用切割芯片接合薄膜而进行的扩展工序、即用于割断的扩展工序。该扩展工序中，需要能够在使半导体晶圆等工件与环形框等框构件一起保持于切割芯片接合薄膜的同时，通过切割带的扩展将芯片接合薄膜割断。
作为本切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜的粘合粘接剂层如上所述，在25℃下的上述第一拉伸储能模量为5～120MPa。这样的构成对于在切割芯片接合薄膜和/或其粘合粘接剂层中确保对环形框等框构件的常温下的贴合力而言是适宜的。具体而言，该构成对于在常温下使框构件适当地贴附于切割芯片接合薄膜和/或其粘合粘接剂层而言是适宜的。另外，该构成对于在扩展工序前后处于常温的粘合粘接剂层中实现良好的粘合力而言是适宜的。切割芯片接合薄膜要求自贴附于其上的框构件剥离时不会在该框构件上产生残胶(防止剥离时残渣)，从在本切割芯片接合薄膜的粘合粘接剂层中防止常温下的剥离时残渣的观点出发，25℃下的第一拉伸储能模量优选为6MPa以上、更优选为7MPa以上。从在粘合粘接剂层中实现对框构件的常温下的高贴合力的观点出发，25℃下的第一拉伸储能模量优选为110MPa以下、更优选为100MPa以下。
并且，本切割芯片接合薄膜的粘合粘接剂层如上所述，在-15℃下的第二拉伸储能模量为3000～6000MPa。这样的构成对于在-15℃及其附近的低温下实施的扩展工序中割断粘合粘接剂层而言是适宜的，并且对于在粘合粘接剂层中确保对框构件的低温下的贴合力而言是适宜的。从在粘合粘接剂层中实现低温下的良好割断性的观点出发，-15℃下的第二拉伸储能模量优选为3200MPa以上、更优选为3500MPa以上。从在粘合粘接剂层中实现低温下的高贴合力的观点出发，-15℃下的第二拉伸储能模量优选为5800MPa以下、更优选为5500MPa以下。存在扩展工序实施温度下对框构件的贴合力越高、则该扩展工序中的粘合粘接剂层和/或切割芯片接合薄膜自框构件的剥离越受到抑制的倾向。
如以上所述，本切割芯片接合薄膜适合于在其粘合粘接剂层中确保扩展工序中的割断性并且实现对环形框等框构件的良好的贴合性。
这样的本切割芯片接合薄膜可以在薄膜面内方向上以实质相同的尺寸设计切割带和/或其粘合剂层以及其上的粘合粘接剂层，使得其粘合粘接剂层在工件贴合用区域的基础上还包含框贴合用区域。例如可以采用如下的设计：在切割芯片接合薄膜的面内方向，粘合粘接剂层的外周端处于距切割带的基材、粘合剂层的各外周端1000μm以内的距离。这样的本切割芯片接合薄膜适合于通过一次冲裁加工等加工一次性地实施用于形成具有基材与粘合剂层的层叠结构的一个切割带的加工、和用于形成一个粘合粘接剂层和/或芯片接合薄膜的加工。
在上述以往类型的切割芯片接合薄膜Y的制造过程中，用于形成规定的尺寸和形状的切割带60的加工工序(第一加工工序)与用于形成规定的尺寸和形状的芯片接合薄膜70的加工工序(第二加工工序)需要采用分别的工序。在第一加工工序中，例如实施如下的加工：对于具有规定的隔膜、用于形成基材61的基材层、以及位于它们之间并用于形成粘合剂层62的粘合剂层的层叠结构的层叠片体，使加工刃从基材层一侧突入至隔膜为止。由此，在隔膜上形成具有隔膜上的粘合剂层62与基材61的层叠结构的切割带60。在第二加工工序中，例如实施如下的加工：对于具有规定的隔膜和用于形成芯片接合薄膜70的芯片接合薄膜的层叠结构的层叠片体，使加工刃从芯片接合薄膜一侧突入至隔膜为止。由此，在隔膜上形成芯片接合薄膜70。这样通过分别的工序而形成的切割带60与芯片接合薄膜70在其后一边进行位置对准一边贴合。图17中示出带有覆盖芯片接合薄膜70的表面和粘合剂层62表面的隔膜83的、以往类型的切割芯片接合薄膜Y。
与此相对，切割带和/或其粘合剂层与其上的粘合粘接剂层在薄膜面内方向上具有实质相同的设计尺寸时的本发明的切割芯片接合薄膜适合于通过一次冲裁加工等加工一次性地实施用于形成具有基材与粘合剂层的层叠结构的一个切割带的加工、和用于形成一个粘合粘接剂层的加工。这样的本切割芯片接合薄膜适合于在粘合粘接剂层中确保扩展工序中的割断性并且实现对框构件的良好粘合力，而且在减少制造工序数、抑制制造成本的方面等适合于高效地制造。
本切割芯片接合薄膜的粘合粘接剂层的相对于SUS平面的-15℃下的剪切粘合力优选为66N/cm2以上、更优选为68N/cm2以上、更优选为70N/cm2以上。剪切粘合力采用通过后述在实施例中说明的剪切粘合力测定方法而测定的值。与剪切粘合力相关的该构成对于确保在-15℃及其附近的低温下利用本切割芯片接合薄膜保持框构件而言是适宜的。
本切割芯片接合薄膜的粘合粘接剂层优选包含重均分子量为800000～2000000且玻璃化转变温度为-10～3℃的聚合物成分。这样的构成对于实现粘合粘接剂层在低温下的割断性、粘合粘接剂层对框构件的贴合力、以及防止粘合粘接剂层的剥离时残渣的平衡而言是适宜的。从确保粘合粘接剂层在低温下的割断性的观点、防止剥离时残渣的观点出发，该聚合物的重均分子量更优选为900000以上、更优选为1000000以上。从确保粘合粘接剂层的对框构件贴合力的观点出发，该聚合物的重均分子量更优选为1800000以下、更优选为1500000以下。从确保粘合粘接剂层在低温下的割断性的观点出发，该聚合物的玻璃化转变温度更优选为-8℃以上、更优选为-6.5℃以上。从确保粘合粘接剂层在低温下的对框构件粘合力的观点出发，该聚合物的玻璃化转变温度更优选为0℃以下、更优选为-1.5℃以下。
粘合粘接剂层中的聚合物成分优选包含源自丙烯腈的结构单元。这样的构成对于通过粘合粘接剂层中聚合物成分的该单元内的腈基为高极性而在粘合粘接剂层中实现对SUS制环形框等金属制框构件的高密合性而言是优选的。
本切割芯片接合薄膜的粘合粘接剂层优选以10～40质量％的比率含有二氧化硅填料。粘合粘接剂层中的二氧化硅填料的含量为10质量％以上这一构成对于在粘合粘接剂层中确保扩展工序中的割断性而言是优选的，另外，对于在粘合粘接剂层中确保内聚力而实现防止上述剥离时残渣而言是优选的。对于在粘合粘接剂层中确保对框构件的低温下的贴合力而言，粘合粘接剂层的二氧化硅填料含量优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下、更优选为25质量％以下。
本切割芯片接合薄膜的切割带的粘合剂层优选为辐射线固化型粘合剂层。切割带粘合剂层为辐射线固化型粘合剂层时，在本切割芯片接合薄膜中，以23℃且剥离速度300mm/分钟的条件进行的T型剥离试验中的、辐射线固化前的粘合剂层与粘合粘接剂层之间的剥离力优选为0.5N/20mm以上。与剥离粘合力相关的这样的构成对于在粘合粘接剂层中确保对框构件贴合力而言是优选的。
本切割芯片接合薄膜中的粘合粘接剂层的厚度优选为7～30μm。粘合粘接剂层的厚度为7μm以上这一构成对于贴附有框构件的粘合粘接剂层追随该框构件表面的微细凹凸而发挥良好的框构件贴合性而言是优选的。粘合粘接剂层的厚度为30μm以下这一构成对于在粘合粘接剂层中确保扩展工序中的割断性而言是优选的。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的截面示意图。
图2表示图1所示的切割芯片接合薄膜带有隔膜的情况的一例。
图3表示图1所示的切割芯片接合薄膜的制造方法的一例中的一部分工序。
图4表示图3所示工序的后续工序。
图5表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图6表示图5所示工序的后续工序。
图7表示图6所示工序的后续工序。
图8表示图7所示工序的后续工序。
图9表示图8所示工序的后续工序。
图10表示图9所示工序的后续工序。
图11表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图12表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图13表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图14表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图15为以往的切割芯片接合薄膜的截面示意图。
图16表示图15所示的切割芯片接合薄膜的使用方式。
图17表示图15所示的切割芯片接合薄膜的一个供给方式。
附图标记说明
X 切割芯片接合薄膜
10 切割带
11 基材
11e 外周端
12 粘合剂层
12e 外周端
20、21 粘合粘接剂层
20e 外周端
W、30A、30C 半导体晶圆
30B 半导体晶圆分割体
30a 分割槽
30b 改性区域
31 半导体芯片
具体实施方式
图1为本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜X的截面示意图。切割芯片接合薄膜X具有包含切割带10与粘合粘接剂层20的层叠结构。切割带10具有包含基材11与粘合剂层12的层叠结构。粘合剂层12在粘合粘接剂层20侧具有粘合面12a。粘合粘接剂层20包含工件贴合用区域和框贴合用区域，并且与切割带10的粘合剂层12和/或其粘合面12a可剥离地密合。切割芯片接合薄膜X能够在半导体装置的制造中用于在得到带芯片接合薄膜的半导体芯片的过程中的、例如后述那样的扩展工序。另外，切割芯片接合薄膜X具有尺寸与半导体装置的制造过程中的加工对象的半导体晶圆相对应的圆盘形状，其直径例如处于345～380mm的范围内(12英寸晶圆对应型)、245～280mm的范围内(8英寸晶圆对应型)、195～230mm的范围内(6英寸晶圆对应型)、或495～530mm的范围内(18英寸晶圆对应型)。
切割带10的基材11是在切割带10和/或切割芯片接合薄膜X中作为支承体发挥作用的要素。基材11例如为塑料基材，作为该塑料基材，可适宜地使用塑料薄膜。作为该塑料基材的构成材料，例如可列举出：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳纶、氟树脂、纤维素系树脂、以及硅树脂。作为聚烯烃，例如可列举出：低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、以及乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，例如可列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、以及聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)。基材11可以由一种材料形成，也可以由两种以上的材料形成。基材11可以具有单层结构，也可以具有多层结构。另外，基材11由塑料薄膜形成时，可以为未拉伸薄膜，也可以为单向拉伸薄膜，还可以为双向拉伸薄膜。基材11上的粘合剂层12如后所述地具有紫外线固化性的情况下，基材11优选具有紫外线透射性。
在切割芯片接合薄膜X的使用过程中，例如在通过局部加热而使切割带10和/或基材11收缩的情况下，基材11优选具有热收缩性。从在基材11中确保良好的热收缩性的观点出发，基材11优选包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作为主成分。基材11的主成分是指在基材构成成分中占据最大质量比例的成分。另外，基材11由塑料薄膜形成时，针对切割带10和/或基材11，在实现各向同性的热收缩性的方面，基材11优选为双向拉伸薄膜。切割带10和/或基材11在加热温度为100℃且加热处理时间为60秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率例如为2～30％。
基材11中的粘合剂层12侧的表面可以实施用于提高其与粘合剂层12的密合性的物理处理、化学处理或底涂处理。作为物理处理，例如可列举出：电晕处理、等离子体处理、磨砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、以及离子化辐射线处理。作为化学处理，例如可列举出铬酸处理。用于提高密合性的该处理优选对基材11中的粘合剂层12侧的表面整体实施。
从确保基材11用于作为切割带10和/或切割芯片接合薄膜X中的支承体而发挥作用的强度的观点出发，基材11的厚度优选为40μm以上、更优选为50μm以上、更优选为55μm以上、更优选为60μm以上。另外，从在切割带10和/或切割芯片接合薄膜X中实现适度的挠性的观点出发，基材11的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下、更优选为150μm以下。
切割带10的粘合剂层12含有粘合剂。粘合剂可以是能够通过辐射线照射、加热等来自外部的作用而有意地使粘合力降低的粘合剂(粘合力降低型粘合剂)，也可以是粘合力几乎或完全不会因来自外部的作用而降低的粘合剂(粘合力非降低型粘合剂)。关于使用粘合力降低型粘合剂还是使用粘合力非降低型粘合剂作为粘合剂层12中的粘合剂，可根据使用切割芯片接合薄膜X进行单片化的半导体芯片的单片化的方法、条件等切割芯片接合薄膜X的使用方式来适当选择。
使用粘合力降低型粘合剂作为粘合剂层12中的粘合剂时，在切割芯片接合薄膜X的使用过程中，可分开使用粘合剂层12显示出相对较高的粘合力的状态和显示出相对较低的粘合力的状态。例如，在切割芯片接合薄膜X用于后述扩展工序时，为了抑制/防止粘合粘接剂层20从粘合剂层12浮起、剥离而利用粘合剂层12的高粘合力状态，另一方面，其后在用于从切割芯片接合薄膜X的切割带10拾取带粘合粘接剂层的半导体芯片的后述拾取工序中，为了易于从粘合剂层12拾取带粘合粘接剂层的半导体芯片，可以利用粘合剂层12的低粘合力状态。
作为这样的粘合力降低型粘合剂，例如可列举出：具有辐射线固化性的粘合剂(辐射线固化性粘合剂)、加热发泡型粘合剂等。本实施方式的粘合剂层12中，可以使用一种粘合力降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力降低型粘合剂。另外，可以是粘合剂层12整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12的一部分由粘合力降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层12具有单层结构时，可以是粘合剂层12整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12中的规定部位由粘合力降低型粘合剂形成，其他部位由粘合力非降低型粘合剂形成。另外，粘合剂层12具有层叠结构时，可以是构成层叠结构的所有层由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是层叠结构中的一部分层由粘合力降低型粘合剂形成。
作为粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂，例如可以使用通过电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线或X射线的照射而固化的类型的粘合剂，可特别适宜地使用通过紫外线照射而固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。
作为粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂，例如可列举出添加型的辐射线固化性粘合剂，其含有作为丙烯酸系粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物，以及具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分。
上述丙烯酸系聚合物优选包含源自丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯的单体单元作为以质量比率计最多的单体单元。以下，用“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”，用“(甲基)丙烯酸酯”表示“丙烯酸酯”和/或“甲基丙烯酸酯”。
作为用于形成丙烯酸系聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含烃基的(甲基)丙烯酸酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸的甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁基酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯和、以及二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸的环戊酯和环己酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸苯酯和(甲基)丙烯酸苄酯。作为用于形成丙烯酸系聚合物的单体单元的单体成分，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成丙烯酸系聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯，优选烷基的碳数为10以上的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选为丙烯酸十二烷基酯。另外，在通过粘合剂层12适当地表现出基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的(甲基)丙烯酸酯的比率优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。
为了对其内聚力、耐热性等进行改性，丙烯酸系聚合物也可以包含源自能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其他单体的单体单元。作为这样的其他单体，例如可列举出：含羧基的单体、酸酐单体、含羟基的单体、含缩水甘油基的单体、含磺酸基的单体、含磷酸基的单体、丙烯酰胺、以及丙烯腈等含官能团的单体。作为含羧基的单体，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯、(甲基)丙烯酸5-羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、以及巴豆酸。作为酸酐单体，例如可列举出马来酸酐和衣康酸酐。作为含羟基的单体，例如可列举出：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基十二烷基酯和(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含缩水甘油基的单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基的单体，例如可列举出：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、以及(甲基)丙烯酸磺丙酯。作为含磷酸基的单体，例如可列举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。作为用于丙烯酸系聚合物的该其它共聚性单体，可以使用一种单体，也可以使用两种以上的单体。
丙烯酸系聚合物为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以包含源自能够与(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，例如可列举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、以及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。作为用于丙烯酸系聚合物的单体成分，可以使用一种多官能性单体，也可以使用两种以上的多官能性单体。在通过粘合剂层12适当地表现出基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的多官能性单体的比率优选为40质量％以下、优选为30质量％以下。
丙烯酸系聚合物可通过将用于形成其的原料单体进行聚合来获得。作为聚合方法，例如可列举出：溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合。从使用切割带10和/或切割芯片接合薄膜X的半导体装置制造方法中的高度清洁性的观点出发，优选切割带10和/或切割芯片接合薄膜X中的粘合剂层12中的低分子量物质较少，丙烯酸系聚合物的重均分子量优选为100000以上、更优选为200000～3000000。
为了提高丙烯酸系聚合物等基础聚合物的重均分子量，粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂例如可以含有外部交联剂。作为用于与丙烯酸系聚合物等基础聚合物发生反应而形成交联结构的外部交联剂，可列举出多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、以及三聚氰胺系交联剂。粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂中的外部交联剂的含量相对于基础聚合物100质量份优选为6质量份以下、更优选为0.1～5质量份。
作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性单体成分，例如可列举出：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、以及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性低聚物成分，例如可列举出：氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量为100～30000左右的成分是适宜的。辐射线固化性粘合剂中的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量在能够通过辐射线照射而使所形成的粘合剂层12的粘合力适当降低的范围内确定，相对于丙烯酸系聚合物等基础聚合物100质量份，例如为5～500质量份，优选为40～150质量份。另外，作为添加型的辐射线固化性粘合剂，例如可以使用日本特开昭60-196956号公报中公开的粘合剂。
作为粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂，例如还可列举出内在型辐射线固化性粘合剂，其含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物。这样的内在型辐射线固化性粘合剂对于抑制所形成的粘合剂层12内的低分子量成分移动所引起的粘合特性的非计划性经时变化而言是适宜的。
作为内在型辐射线固化性粘合剂中含有的基础聚合物，优选以丙烯酸系聚合物作为基本骨架。作为形成这种基本骨架的丙烯酸系聚合物，可以采用作为添加型辐射线固化性粘合剂中的丙烯酸系聚合物而如上所述的聚合物。作为向丙烯酸系聚合物中导入辐射线聚合性碳-碳双键的方法，例如可列举出如下方法：使包含具有规定官能团(第一官能团)的单体的原料单体进行共聚而得到丙烯酸系聚合物后，使具有能够在第一官能团之间发生反应而键合的规定官能团(第二官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸系聚合物发生缩合反应或加成反应。
作为第一官能团与第二官能团的组合，例如可列举出：羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基。这些组合中，从反应追踪的容易度的观点出发，羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合是适宜的。另外，由于制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物的技术难度较高，因此，从丙烯酸系聚合物的制作或获取的容易度的观点出发，更适宜为丙烯酸系聚合物侧的上述第一官能团为羟基且上述第二官能团为异氰酸酯基的情况。此时，作为同时具有辐射线聚合性碳-碳双键和作为第二官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物、即含有辐射线聚合性不饱和官能团的异氰酸酯化合物，例如可列举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、以及间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。
粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、以及酰基膦酸盐。作为α-酮醇系化合物，例如可列举出：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、以及1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，例如可列举出：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、以及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮。作为苯偶姻醚系化合物，例如可列举出：苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、以及茴香偶姻甲醚。作为缩酮系化合物，例如可列举出苯偶酰二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，例如可列举出2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，例如可列举出1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，例如可列举出：二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、以及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，例如可列举出：噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、以及2,4-二异丙基噻吨酮。粘合剂层12中的辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量相对于丙烯酸系聚合物等基础聚合物100质量份例如为0.05～20质量份。
粘合剂层12中的上述加热发泡型粘合剂是含有因加热而发泡、膨胀的成分的粘合剂。作为因加热而发泡、膨胀的成分，例如可列举出发泡剂和热膨胀性微球。
作为加热发泡型粘合剂用的发泡剂，可列举出各种无机系发泡剂和有机系发泡剂。作为无机系发泡剂，例如可列举出：碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、以及叠氮类。作为有机系发泡剂，例如可列举出：三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟烷烃；偶氮二异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二羧酸钡等偶氮系化合物；对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3'-二磺酰肼、4,4'-氧基双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物；对甲苯磺酰氨基脲、4,4'-氧基双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物；5-吗啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；以及N,N'-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物。
作为加热发泡型粘合剂用的热膨胀性微球，例如可列举出在壳内封入有因加热而容易地气化并膨胀的物质这一构成的微球。作为因加热而容易地气化并膨胀的物质，例如可列举出：异丁烷、丙烷、以及戊烷。通过将因加热而容易地气化并膨胀的物质利用凝聚法、界面聚合法等而封入形成壳的物质内，能够制作热膨胀性微球。作为形成壳的物质，可以使用显示热熔性的物质、能够通过封入物质的热膨胀作用而破裂的物质。作为这样的物质，例如可列举出：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、以及聚砜。
作为粘合剂层12中的上述粘合力非降低型粘合剂，例如可列举出压敏性粘合剂。作为该压敏性粘合剂，例如可以使用以丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂。在粘合剂层12含有丙烯酸系粘合剂作为压敏性粘合剂的情况下，作为该丙烯酸系粘合剂的基础聚合物的丙烯酸系聚合物，优选包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比率计最多的单体单元。作为这样的丙烯酸系聚合物，例如可列举出关于辐射线固化性粘合剂而如上所述的丙烯酸系聚合物。
作为粘合剂层12中的压敏性粘合剂，可以利用使关于粘合力降低型粘合剂而如上所述的辐射线固化性粘合剂通过辐射线照射而发生了固化的形态的粘合剂。这种已固化的辐射线固化类的粘合剂即使粘合力因辐射线照射而降低，也可通过聚合物成分的含量而显示出源自该聚合物成分的粘合性，能够在规定的使用方式中发挥出可用于粘合保持被粘物的粘合力。
本实施方式的粘合剂层12中，可以使用一种粘合力非降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力非降低型粘合剂。另外，可以是粘合剂层12整体由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12的一部分由粘合力非降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层12具有单层结构时，可以是粘合剂层12整体由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12中的规定部位由粘合力非降低型粘合剂形成，其它部位由粘合力降低型粘合剂形成。另外，在粘合剂层12具有层叠结构的情况下，可以是构成层叠结构的所有层由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是层叠结构中的一部分层由粘合力非降低型粘合剂形成。
粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂中，在含有上述各成分的基础上，可以含有交联促进剂、增粘剂、防老剂、着色剂等。作为着色剂，可列举出颜料和染料。另外，着色剂可以是受到辐射线照射而着色的化合物。作为这样的化合物，例如可列举出隐色染料。
粘合剂层12的厚度优选为1～50μm、更优选为2～30μm、更优选为5～25μm。这样的构成例如在粘合剂层12包含辐射线固化性粘合剂的情况下，在使该粘合剂层12在辐射线固化前后对粘合粘接剂层20的粘接力取得平衡的方面是适宜的。
切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20兼具作为显示出芯片接合用的热固性的粘接剂的功能、以及用于保持半导体晶圆等工件和后述环形框等框构件的粘合功能。在本实施方式中，用于形成粘合粘接剂层20的粘合粘接剂可以具有包含热固性树脂和例如作为粘结剂成分的热塑性树脂的组成，也可以具有包含如下的热塑性树脂的组成，所述热塑性树脂带有能够与固化剂发生反应而产生键合的热固性官能团。用于形成粘合粘接剂层20的粘合粘接剂具有包含带有热固性官能团的热塑性树脂的组成时，该粘合粘接剂不需要进一步包含热固性树脂(环氧树脂等)。这样的粘合粘接剂层20可以具有单层结构，也可以具有多层结构。
粘合粘接剂层20在同时包含热固性树脂和热塑性树脂的情况下，作为该热固性树脂，例如可列举出：环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、以及热固性聚酰亚胺树脂。作为粘合粘接剂层20中的热固性树脂，可以使用一种树脂，也可以使用两种以上的树脂。从存在可成为芯片接合对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的含量少的倾向的理由出发，作为粘合粘接剂层20中包含的热固性树脂，优选为环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选为酚醛树脂。
作为环氧树脂，例如可列举出：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四苯氧基乙烷型、乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型、以及缩水甘油胺型的环氧树脂。酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、以及四苯氧基乙烷型环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性且耐热性优异，因此作为粘合粘接剂层20中包含的环氧树脂是优选的。
作为可用作环氧树脂的固化剂的酚醛树脂，例如可列举出：酚醛清漆型酚醛树脂、甲基酚醛型酚醛树脂、以及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。作为酚醛清漆型酚醛树脂，例如可列举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、以及壬基苯酚酚醛清漆树脂。作为可用作环氧树脂的固化剂的酚醛树脂，可以使用一种酚醛树脂，也可以使用两种以上的酚醛树脂。在苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂被用作作为芯片接合用粘接剂的环氧树脂的固化剂的情况下，由于存在能够提高该粘接剂的连接可靠性的倾向，因此作为粘合粘接剂层20中包含的环氧树脂的固化剂是优选的。
从使粘合粘接剂层20中的环氧树脂与酚醛树脂的固化反应充分进行的观点出发，酚醛树脂以该酚醛树脂中的羟基相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量达到优选0.5～2.0当量、更优选0.8～1.2当量的量包含在粘合粘接剂层20中。
从在粘合粘接剂层20中适当地表现出作为热固化型粘接剂的功能的观点出发，粘合粘接剂层20中的热固性树脂的含有比率优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。
作为粘合粘接剂层20中包含的热塑性树脂，例如可列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、以及氟树脂。作为粘合粘接剂层20中的热塑性树脂，可以使用一种树脂，也可以使用两种以上的树脂。作为粘合粘接剂层20中包含的热塑性树脂，从因离子性杂质少且耐热性高而容易确保由粘合粘接剂层20实现的接合可靠性这一理由出发，优选为丙烯酸类树脂。
粘合粘接剂层20优选包含重均分子量为800000～2000000且玻璃化转变温度为-10～3℃的聚合物成分作为热塑性树脂的主成分。热塑性树脂的主成分是指在热塑性树脂成分中占据最大的质量比率的树脂成分。这样的构成在实现粘合粘接剂层20在低温下的割断性、粘合粘接剂层20对框构件的贴合力、以及防止粘合粘接剂层20的剥离时残渣的平衡的方面是适宜的。从确保粘合粘接剂层20在低温下的割断性的观点、防止剥离时残渣的观点出发，该聚合物的重均分子量更优选为900000以上、更优选为1000000以上。从确保粘合粘接剂层20的对框构件贴合力的观点出发，该聚合物的重均分子量更优选为1800000以下、更优选为1500000以下。从确保粘合粘接剂层20在低温下的割断性的观点出发，该聚合物的玻璃化转变温度更优选为-8℃以上、更优选为-6.5℃以上。从确保粘合粘接剂层20在低温下的对框构件粘合力的观点出发，该聚合物的玻璃化转变温度更优选为0℃以下、更优选为-1.5℃以下。
关于聚合物的玻璃化转变温度，可以使用基于下述Fox公式而求出的玻璃化转变温度(理论值)。Fox公式是聚合物的玻璃化转变温度Tg与该聚合物中的每种构成单体的均聚物的玻璃化转变温度Tgi的关系式。下述Fox公式中，Tg表示聚合物的玻璃化转变温度(℃)，Wi表示构成该聚合物的单体i的重量分数，Tgi表示单体i的均聚物的玻璃化转变温度(℃)。关于均聚物的玻璃化转变温度，可以使用文献值。例如，“新高分子文库7涂料用合成树脂入门”(北冈协三著，高分子刊行会，1995年)、“丙烯酸酯目录(1997年度版)”(三菱丽阳株式会社)中列举了各种均聚物的玻璃化转变温度。另一方面，关于单体的均聚物的玻璃化转变温度，也可通过日本特开2007-51271号公报中具体记载的方法来求出。
Fox公式1/(273+Tg)＝Σ[Wi/(273+Tgi)]
粘合粘接剂层20中作为热塑性树脂而包含的丙烯酸类树脂优选包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比率计最多的主要单体单元。作为这种(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用与关于作为粘合剂层12形成用的辐射线固化性粘合剂的一种成分的丙烯酸系聚合物而如上所述的物质相同的(甲基)丙烯酸酯。粘合粘接剂层20中作为热塑性树脂而包含的丙烯酸类树脂可以包含源自能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的单体单元。作为这种其它单体成分，例如可列举出：含羧基的单体、酸酐单体、含羟基的单体、含缩水甘油基的单体、含磺酸基的单体、含磷酸基的单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团的单体、各种多官能性单体，具体而言，可以使用与在涉及作为粘合剂层12形成用的辐射线固化性粘合剂的一种成分的丙烯酸系聚合物中作为能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体而如上所述的物质相同的物质。从在粘合粘接剂层20中实现高内聚力的观点出发，粘合粘接剂层20中包含的该丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸酯、含羧基的单体、含氮原子的单体与多官能性单体的共聚物。作为该(甲基)丙烯酸酯，优选烷基碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯。作为该多官能性单体，优选为聚缩水甘油基系多官能单体。粘合粘接剂层20中包含的该丙烯酸类树脂更优选为丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈与聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯形成的共聚物。
对于粘合粘接剂层20中的丙烯酸系聚合物等聚合物成分包含源自丙烯腈的结构单元这一构成，粘合粘接剂层20中的该聚合物成分的源自丙烯腈的结构单元内的腈基为高极性，由此，对于在粘合粘接剂层20中实现对SUS制环形框等金属制框构件的高密合性而言是优选的。
粘合粘接剂层20包含带热固性官能团的热塑性树脂时，作为该热塑性树脂，例如可以使用含有热固性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比率计最多的主要单体单元。作为这种(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用与关于作为粘合剂层12形成用的辐射线固化性粘合剂的一种成分的丙烯酸系聚合物而如上所述的物质相同的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作为用于形成含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团，例如可列举出：缩水甘油基、羧基、羟基、以及异氰酸酯基。这些之中，可适宜地使用缩水甘油基和羧基。即，作为含有热固性官能团的丙烯酸类树脂，可适宜地使用含有缩水甘油基的丙烯酸类树脂、含有羧基的丙烯酸类树脂。另外，作为含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的固化剂，例如可以使用有时被当做粘合剂层12形成用的辐射线固化性粘合剂的一种成分的外部交联剂而如上所述的固化剂。含有热固性官能团的丙烯酸类树脂中的热固性官能团为缩水甘油基时，作为固化剂可适宜地使用多酚系化合物，例如可以使用上述各种酚醛树脂。
针对为了进行芯片接合而固化之前的粘合粘接剂层20，为了实现某种程度的交联度，例如优选将能够与粘合粘接剂层20所含的上述树脂的分子链末端的官能团等发生反应而键合的多官能性化合物作为交联剂而预先配混在粘合粘接剂层形成用树脂组合物中。这种构成对于提高粘合粘接剂层20在高温下的粘接特性的方面、另外实现耐热性的改善的方面是适宜的。作为这种交联剂，例如可列举出多异氰酸酯化合物。作为多异氰酸酯化合物，例如可列举出：甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、以及多元醇与二异氰酸酯的加成物。关于粘合粘接剂层形成用树脂组合物中的交联剂的含量，相对于具有能够与该交联剂发生反应而键合的上述官能团的树脂100质量份，从提高所形成的粘合粘接剂层20的内聚力的观点出发，优选为0.05质量份以上，从提高所形成的粘合粘接剂层20的粘接力的观点出发，优选为7质量份以下。另外，作为粘合粘接剂层20中的交联剂，可以将环氧树脂等其它多官能性化合物与多异氰酸酯化合物组合使用。
粘合粘接剂层20中的上述那样的高分子量成分的含有比率优选为50～100质量％、更优选为50～80质量％。高分子量成分是指重均分子量10000以上的成分。这种构成在兼顾粘合粘接剂层20对后述环形框等框构件在室温及其附近温度下的贴合性和防止剥离时残渣的方面是优选的。另外，粘合粘接剂层20可以包含在23℃下为液态的液态树脂。粘合粘接剂层20包含这种液态树脂时，粘合粘接剂层20中的该液态树脂的含有比率优选为1～10质量％、更优选为1～5质量％。这种构成在兼顾粘合粘接剂层20对后述环形框等框构件在室温及其附近温度下的贴合性和防止剥离时残渣的方面是优选的。
粘合粘接剂层20可以含有填料。通过向粘合粘接剂层20中配混填料，能够调整粘合粘接剂层20的拉伸储能模量等弹性模量、导电性、导热性等物性。作为填料，可列举出无机填料和有机填料，特别优选无机填料。作为无机填料，例如可列举出：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅、以及铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金、无定形炭黑、石墨。填料可以具有球状、针状、鳞片状等各种形状。粘合粘接剂层20可以配混有一种填料，也可以配混有两种以上的填料。对于在粘合粘接剂层20中确保后述扩展工序中的割断性而言，粘合粘接剂层20的二氧化硅填料含量优选为10质量％以上。对于在粘合粘接剂层20中确保内聚力并防止从框构件剥离时的残渣而言，粘合粘接剂层20的二氧化硅填料含有比率优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下、更优选为25质量％以下。
粘合粘接剂层20含有填料时的该填料的平均粒径优选为0.005～10μm、更优选为0.005～1μm。该填料的平均粒径为0.005μm以上的构成对于在粘合粘接剂层20中实现对半导体晶圆等被粘物的高润湿性、粘接性而言是适宜的。该填料的平均粒径为10μm以下的构成对于在粘合粘接剂层20中享受充分的填料添加效果且确保耐热性而言是适宜的。填料的平均粒径例如可以使用光度式粒度分布计(商品名“LA-910”，株式会社堀场制作所制)来求出。
粘合粘接剂层20可以根据需要而包含一种或两种以上的其他成分。作为该其他成分，例如可列举出：阻燃剂、硅烷偶联剂、以及离子捕获剂。作为阻燃剂，例如可列举出：三氧化锑、五氧化锑、以及溴化环氧树脂。作为硅烷偶联剂，例如可列举出：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、以及γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。作为离子捕获剂，例如可列举出：水滑石类、氢氧化铋、含水氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“IXE-300”)、特定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“IXE-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的“Kyoward600”)、以及硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的“Kyoward 700”)。能够在金属离子之间形成络合物的化合物也可以作为离子捕获剂使用。作为这样的化合物，例如可列举出：三唑系化合物、四唑系化合物、以及联吡啶系化合物。这些之中，从在金属离子之间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选为三唑系化合物。作为这样的三唑系化合物，例如可列举出：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-t-辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-叔辛基-6'-叔丁基-4'-甲基-2,2'-亚甲基双酚、1-(2,3-二羟基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并三唑、2,4-二叔戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并三唑、辛基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-t-辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亚甲基双[6-(2H-苯并三唑-2-基]-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、以及甲基-3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯。另外，对苯二酚化合物、羟基蒽醌化合物、多酚化合物等规定的含羟基化合物也可作为离子捕获剂使用。作为这样的含羟基化合物，例如可列举出：1,2-苯二醇、茜素、蒽绛酚、丹宁、没食子酸、没食子酸甲酯、以及邻苯三酚。
粘合粘接剂层20的厚度例如处于1～200μm的范围，优选为7～30μm。粘合粘接剂层20的厚度为7μm以上这一构成对于贴附有框构件的粘合粘接剂层20追随该框构件表面的微细凹凸而发挥良好的框构件贴合性而言是优选的。粘合粘接剂层20的厚度为30μm以下这一构成对于在粘合粘接剂层20中确保后述扩展工序中的割断性而言是优选的。
粘合粘接剂层20的针对宽度10mm且厚度160μm的粘合粘接剂层试样片以初始卡盘间距22.5mm、频率1Hz、动态应变0.005％和升温速度10℃/分钟的条件测定的25℃下的拉伸储能模量(第一拉伸储能模量)为5～120MPa。该第一拉伸储能模量优选为6MPa以上、更优选为7MPa以上，并且优选为110MPa以下、更优选为100MPa以下。
粘合粘接剂层20的针对宽度5mm且厚度80μm的粘合粘接剂层试样片以初始卡盘间距10mm、频率900Hz、动态应变0.005％和升温速度5℃/分钟的条件测定的-15℃下的拉伸储能模量(第二拉伸储能模量)为3000～6000MPa。该第二拉伸储能模量优选为3200MPa以上、更优选为3500MPa以上，并且优选为5800MPa以下、更优选为5500MPa以下。
粘合粘接剂层20相对于SUS平面的-15℃下的剪切粘合力优选为66N/cm2以上、更优选为68N/cm2以上、更优选为70N/cm2以上。剪切粘合力采用通过后述在实施例中说明的剪切粘合力测定方法而测定的值。与剪切粘合力相关的该构成对于确保在-15℃及其附近的低温下利用切割芯片接合薄膜X保持框构件而言是适宜的。
本实施方式中，在切割芯片接合薄膜X的面内方向D上，粘合粘接剂层20的外周端20e处于距离切割带10中的基材11的外周端11e和粘合剂层12的外周端12e为1000μm以内、优选为700μm以内、更优选为500μm以内、更优选为300μm以内的距离。即，粘合粘接剂层20的外周端20e的整个圆周在薄膜面内方向D上相对于基材11和粘合剂层12的外周端11e、12e处于内侧1000μm～外侧1000μm之间、优选处于内侧700μm～外侧700μm之间、更优选处于内侧500μm～外侧500μm之间、更优选处于内侧300μm～外侧300μm之间。切割带10和/或其粘合剂层12与其上的粘合粘接剂层20在面内方向D上具有实质上相同的尺寸的该构成中，如上所述，在面20a侧，粘合粘接剂层20在包含工件贴合用区域的基础上还包含框构件贴合用区域。
在切割芯片接合薄膜X中，切割带10的粘合剂层12为辐射线固化型粘合剂层时，以23℃且剥离速度300mm/分钟的条件进行的T型剥离试验中的、辐射线固化前的粘合剂层12与粘合粘接剂层20之间的剥离力优选为0.5N/20mm以上、更优选为0.6N/20mm以上。这样的T型剥离试验可以使用拉伸试验机(商品名“Autograph AGS-J”，株式会社岛津制作所制)来进行。供于该试验的试样片例如可通过在切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20侧贴合衬里带(商品名“BT-315”，日东电工株式会社制)后切出宽度50mm×长度120mm尺寸的试样片来制作。
切割芯片接合薄膜X也可以如图2所示那样地带有隔膜S。具体而言，可以采用每个切割芯片接合薄膜X带有隔膜S的片状的形态，也可以采用隔膜S为长条状、在其上配置多个切割芯片接合薄膜X且该隔膜S被卷绕成卷的形态。隔膜S是用于覆盖切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20的表面而进行保护的要素，在使用切割芯片接合薄膜X时从该薄膜剥离。作为隔膜S，例如可列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、利用氟系剥离剂或长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。隔膜S的厚度例如为5～200μm。
具有如上所述的构成的切割芯片接合薄膜X例如可以如以下那样地制造。
首先，如图3的(a)所示，在长条状的隔膜S上形成粘合粘接剂组合物层C1。粘合粘接剂组合物层C1可通过将为了形成粘合粘接剂层20而制备的粘合粘接剂组合物涂覆在隔膜S上来形成。作为粘合粘接剂组合物的涂覆方法，例如可列举出：辊涂覆、丝网涂覆、以及凹版涂覆。
接着，如图3的(b)所示，在粘合粘接剂组合物层C1上形成粘合剂组合物层C2。粘合剂组合物层C2可通过将为了形成粘合剂层12而制备的粘合剂组合物涂覆在粘合粘接剂组合物层C1上来形成。作为粘合剂组合物的涂覆方法，例如可列举出：辊涂覆、丝网涂覆、以及凹版涂覆。
接着，通过历经隔膜S上的粘合粘接剂组合物层C1和粘合剂组合物层C2的一并加热处理，从而如图3的(c)所示那样地形成粘合粘接剂层20'和粘合剂层12'。在该加热处理中，根据需要使两层干燥，另外，在两层中根据需要使其发生交联反应。加热温度例如为60～175℃，加热时间例如为0.5～5分钟。粘合粘接剂层20'要加工形成为上述粘合粘接剂层20。粘合剂层12'要加工形成为上述粘合剂层12。
接着，如图3的(d)所示，在粘合剂层12'上压接基材11'并使其贴合。基材11'要加工形成为上述基材11。树脂制的基材11'可通过压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜方法来制作。根据需要对制膜后的薄膜和/或基材11'实施规定的表面处理。在本工序中，贴合温度例如为30～50℃、优选为35～45℃。贴合压力(线压力)例如为0.1～20kgf/cm、优选为1～10kgf/cm。通过本工序，能够得到具有隔膜S、粘合粘接剂层20'、粘合剂层12'和基材11'的层叠结构的长条状的层叠片体。
接着，如图4的(a)所示，对上述层叠片体实施使加工刃从基材11'一侧突入至隔膜S为止的加工(图4的(a)中，用粗线示意性地表示切断部位)。例如，使层叠片体沿着一个方向F以恒定速度传送，同时，使以能够沿着与该方向F正交的轴心旋转的方式配置且在辊表面带有冲裁加工用加工刃的带加工刃的旋转辊(省略图示)的带加工刃的表面伴随着规定的按压力而抵接于层叠片体的基材11'侧。由此，一次性加工形成切割带10(基材11、粘合剂层12)和粘合粘接剂层20。如此操作在隔膜S上加工形成分别包含切割带10和粘合粘接剂层20的多个层叠体后，如图4的(b)所示，从隔膜S上去除各层叠体(切割带10、粘合粘接剂层20)周围的材料层叠部。
如上操作，能够制造切割芯片接合薄膜X。
在半导体装置的制造过程中，如上所述，对于得到带芯片接合薄膜的半导体芯片而言，有时会实施使用切割芯片接合薄膜来进行的扩展工序、即用于割断的扩展工序。该扩展工序中，需要能够在半导体晶圆等工件与环形框等框构件一同被保持于切割芯片接合薄膜的同时利用切割带10的扩展将芯片接合薄膜割断。
上述实施方式的切割芯片接合薄膜X的作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层20如上所述，在25℃下的上述第一拉伸储能模量为5～120MPa。这样的构成对于在切割芯片接合薄膜X和/或其粘合粘接剂层20中确保对环形框等框构件的常温下的贴合力而言是适宜的。具体而言，该构成对于在常温下使框构件适当地贴附于切割芯片接合薄膜X和/或其粘合粘接剂层20而言是适宜的。另外，该构成对于在扩展工序的前后处于常温的粘合粘接剂层20中实现良好的粘合力而言是适宜的。切割芯片接合薄膜X要求自贴附于其上的框构件剥离时不会在该框构件上产生残胶(防止剥离时残渣)，从在切割芯片接合薄膜X中的粘合粘接剂层20中防止常温下的剥离时残渣的观点出发，25℃下的第一拉伸储能模量优选为6MPa以上、更优选为7MPa以上。从在粘合粘接剂层20中实现对框构件的常温下的高贴合力的观点出发，25℃下的第一拉伸储能模量优选为110MPa以下、更优选为100MPa以下。
并且，切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20如上所述，在-15℃下的第二拉伸储能模量为3000～6000MPa。这样的构成对于在-15℃及其附近的低温下实施的扩展工序中割断粘合粘接剂层20而言是适宜的，并且对于在粘合粘接剂层20中确保对框构件的低温下的贴合力而言是适宜的。从在粘合粘接剂层20中实现低温下的良好割断性的观点出发，-15℃下的第二拉伸储能模量优选为3200MPa以上、更优选为3500MPa以上。从在粘合粘接剂层20中实现低温下的高贴合力的观点出发，-15℃下的第二拉伸储能模量优选为5800MPa以下、更优选为5500MPa以下。存在扩展工序实施温度下的对框构件贴合力越高、则该扩展工序中的粘合粘接剂层20和/或切割芯片接合薄膜X自框构件的剥离越受到抑制的倾向。
如以上所述，切割芯片接合薄膜X适合于在其粘合粘接剂层20中确保扩展工序中的割断性并且实现对环形框等框构件的良好贴合性。
另外，切割带10和/或其粘合剂层12与其上的粘合粘接剂层20在薄膜面内方向上具有实质相同的设计尺寸的切割芯片接合薄膜X如上所述，适合于通过一次冲裁加工等加工一次性地实施用于形成具有基材11和粘合剂层12的层叠结构的一个切割带10的加工、和用于形成一个粘合粘接剂层20的加工。这样的切割芯片接合薄膜X适合于在粘合粘接剂层20中确保扩展工序中的割断性并且实现对框构件的良好粘合力，而且在减少制造工序数、抑制制造成本的方面等适合于高效地制造。
切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20相对于SUS平面的-15℃下的剪切粘合力如上所述，优选为66N/cm2以上、更优选为68N/cm2以上、更优选为70N/cm2以上。与剪切粘合力相关的上述构成对于确保在-15℃及其附近的低温下利用切割芯片接合薄膜X保持框构件而言是适宜的。
切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20如上所述，优选包含重均分子量为800000～2000000且玻璃化转变温度为-10～3℃的聚合物成分。这样的构成对于实现粘合粘接剂层20在低温下的割断性、粘合粘接剂层20对框构件的贴合力、以及防止粘合粘接剂层20的剥离时残渣的平衡而言是适宜的。如上所述，从确保粘合粘接剂层20在低温下的割断性的观点、防止剥离时残渣的观点出发，该聚合物的重均分子量更优选为900000以上、更优选为1000000以上。如上所述，从确保粘合粘接剂层20的对框构件贴合力的观点出发，该聚合物的重均分子量更优选为1800000以下、更优选为1500000以下。如上所述，从确保粘合粘接剂层20的低温下的割断性的观点出发，该聚合物的玻璃化转变温度更优选为-8℃以上、更优选为-6.5℃以上。如上所述，从确保粘合粘接剂层20的低温下的对框构件粘合力的观点出发，该聚合物的玻璃化转变温度更优选为0℃以下、更优选为-1.5℃以下。
切割芯片接合薄膜X的切割带10的粘合剂层12优选为辐射线固化型粘合剂层。切割带10的粘合剂层12为辐射线固化型粘合剂层时，在切割芯片接合薄膜X中，以23℃且剥离速度300mm/分钟的条件进行的T型剥离试验中的、辐射线固化前的粘合剂层12与粘合粘接剂层20之间的剥离力如上所述优选为0.5N/20mm以上、更优选为0.6N/20mm以上。与剥离粘合力相关的上述构成对于在粘合粘接剂层20中确保对框构件贴合力而言是优选的。
图5～图10表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法。
本半导体装置制造方法中，首先，如图5的(a)以及图5的(b)所示，对半导体晶圆W形成分割槽30a(分割槽形成工序)。半导体晶圆W具有第一面Wa和第二面Wb。在半导体晶圆W的第一面Wa一侧，已经制作有各种半导体元件(省略图示)，且在第一面Wa上已经形成有该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。本工序中，具有粘合面T1a的晶圆加工用带T1被贴合至半导体晶圆W的第二面Wb侧后，在晶圆加工用带T1保持有半导体晶圆W的状态下，使用切割装置等的旋转刀片在半导体晶圆W的第一面Wa侧形成规定深度的分割槽30a。分割槽30a是为了使半导体晶圆W分离成半导体芯片单元的空隙(图5～图7中，用粗线示意性地表示分割槽30a)。
接着，如图5的(c)所示，进行具有粘合面T2a的晶圆加工用带T2向半导体晶圆W的第一面Wa侧的贴合、以及晶圆加工用带T1自半导体晶圆W的剥离。
接着，如图5的(d)所示，在晶圆加工用带T2保持有半导体晶圆W的状态下，通过从第二面Wb进行研削加工而使半导体晶圆W薄化至规定的厚度(晶圆薄化工序)。研削加工可使用具备研削磨石的研削加工装置来进行。通过该晶圆薄化工序，在本实施方式中，形成能够单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30A。具体而言，半导体晶圆30A在该晶圆中具有在第二面Wb侧将要单片化为多个半导体芯片31的部位连结的部位(连结部)。半导体晶圆30A中的连结部的厚度、即半导体晶圆30A的第二面Wb与分割槽30a的第二面Wb侧前端之间的距离例如为1～30μm、优选为3～20μm。
接着，如图6的(a)所示，将保持于晶圆加工用带T2的半导体晶圆30A对切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20进行贴合。其后，如图6的(b)所示，从半导体晶圆30A剥去晶圆加工用带T2。在切割芯片接合薄膜X中的粘合剂层12为辐射线固化性粘合剂层时，可以在半导体晶圆30A贴合于粘合粘接剂层20后，从基材11侧对粘合剂层12照射紫外线等辐射线，用以代替切割芯片接合薄膜X的制造过程中的上述辐射线照射。照射量例如为50～500mJ/cm2、优选为100～300mJ/cm2。在切割芯片接合薄膜X中，要进行作为降低粘合剂层12的粘合力的措施的照射的区域(图1所示的照射区域R)是例如将粘合剂层12中的粘合粘接剂层20贴合区域内的其周边部去除的区域。
接着，在切割芯片接合薄膜X中的粘合粘接剂层20上贴附环形框41后，如图7的(a)所示，带有半导体晶圆30A的该切割芯片接合薄膜X被固定于扩展装置的保持装置42。
接着，如图7的(b)所示那样地进行相对低温的条件下的第一扩展工序(冷扩展工序)，半导体晶圆30A被单片化为多个半导体芯片31，同时，切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20被割断成小片的粘合粘接剂层21，得到带粘合粘接剂层的半导体芯片31。在本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧与切割带10抵接并上升，贴合有半导体晶圆30A的切割芯片接合薄膜X的切割带10被扩展，使得其沿着包含半导体晶圆30A的径向和圆周方向在内的二维方向被拉伸。该扩展在切割带10中以产生优选为15～32MPa、更优选为20～32MPa的范围内的拉伸应力的条件进行。冷扩展工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。冷扩展工序中的扩展速度(顶起构件43的上升速度)优选为0.1～100mm/秒。另外，冷扩展工序中的扩展量优选为3～16mm。
本工序中，在半导体晶圆30A中于厚度薄而容易断裂的部位发生割断，从而单片化成半导体芯片31。与此同时，本工序中，切割带10中产生的拉伸应力以如下状态发挥作用：在与要扩展的切割带10的粘合剂层12密合的粘合粘接剂层20中，与各半导体芯片31密合的各区域的变形受到抑制，另一方面，与半导体芯片31间的分割槽相对的部位不产生这种抗变形作用。其结果，在粘合粘接剂层20中，与半导体芯片31间的分割槽相对的部位会被割断。在本工序之后，如图7的(c)所示，顶起构件43下降，切割带10的扩展状态解除。
接着，如图8的(a)所示那样地进行相对高温的条件下的第二扩展工序，带粘合粘接剂层的半导体芯片31之间的距离(分隔距离)被扩大。在本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43再次上升，切割芯片接合薄膜X的切割带10被扩展。第二扩展工序中的温度条件例如为10℃以上，优选为15～30℃。第二扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为0.1～10mm/秒，优选为0.3～1mm/秒。另外，第二扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。本工序中，带粘合粘接剂层的半导体芯片31的分隔距离被扩展至能够利用后述拾取工序从切割带10适当地拾取带粘合粘接剂层的半导体芯片31的程度。本工序之后，如图8的(b)所示，顶起构件43下降，切割带10的扩展状态被解除。从抑制切割带10上的带粘合粘接剂层的半导体芯片31的分隔距离在扩展状态解除后变狭窄的方面出发，优选在解除扩展状态之前将切割带10中的比半导体芯片31保持区域更靠外侧的部分加热而使其收缩。
接着，根据需要而历经使用水等清洗液对带有带粘合粘接剂层的半导体芯片31的切割带10中的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序后，如图9所示，从切割带10拾取带粘合粘接剂层的半导体芯片31(拾取工序)。例如，针对作为拾取对象的带粘合粘接剂层的半导体芯片31，在切割带10的图中下侧使拾取机构的顶针构件44上升而隔着切割带10将其顶起后，利用吸附夹具45进行吸附保持。在拾取工序中，顶针构件44的顶起速度例如为1～100mm/秒，顶针构件44的顶起量例如为50～3000μm。
接着，如图10的(a)所示，被拾取的带粘合粘接剂层的半导体芯片31借助粘合粘接剂层21而预固定于规定的被粘物51。作为被粘物51，例如可列举出：引线框、TAB(TapeAutomated Bonding，磁带自动连接)薄膜、布线基板、以及另行制作的半导体芯片。粘合粘接剂层21的预固定时的25℃下的剪切粘接力相对于被粘物51优选为0.2MPa以上、更优选为0.2～10MPa。粘合粘接剂层21的该剪切粘接力为0.2MPa以上的构成对于在后述引线键合工序中抑制因超声波振动、加热而在粘合粘接剂层21与半导体芯片31或被粘物51的粘接面产生剪切变形从而适当地进行引线键合而言是适宜的。
接着，如图10的(b)所示，借助键合引线52使半导体芯片31的电极焊垫(省略图示)与被粘物51所具有的端子部(省略图示)电连接(引线键合工序)。半导体芯片31的电极焊垫、被粘物51的端子部与键合引线52的接线通过伴有加热的超声波焊接来实现，以不使粘合粘接剂层21发生热固化的方式进行。作为键合引线52，可以使用例如金线、铝线或铜线。引线键合中的引线加热温度例如为80～250℃，优选为80～220℃。另外，其加热时间为数秒～数分钟。
接着，如图10的(c)所示，通过用于保护被粘物51上的半导体芯片31、键合引线52的密封树脂53将半导体芯片31密封(密封工序)。本工序中，粘合粘接剂层21的热固化推进。本工序中，例如通过使用模具进行的传递模塑技术来形成密封树脂53。作为密封树脂53的构成材料，例如可以使用环氧系树脂。本工序中，用于形成密封树脂53的加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为60秒～几分钟。本工序(密封工序)中，在密封树脂53的固化未充分进行的情况下，在本工序之后进行用于使密封树脂53完全固化的后固化工序。密封工序中，即使在粘合粘接剂层21未完全热固化的情况下，在后固化工序中也能够与密封树脂53一起使粘合粘接剂层21完全热固化。在后固化工序中，加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为0.5～8小时。
如上操作，能够制造半导体装置。
本实施方式中，如上所述，在带粘合粘接剂层的半导体芯片31被预固定于被粘物51后，进行引线键合工序而不使粘合粘接剂层21达到完全的热固化。也可以代替这种构成，在带粘合粘接剂层的半导体芯片31被预固定于被粘物51后，在粘合粘接剂层21被热固化后再进行引线键合工序。
在半导体装置制造方法中，历经参照图5的(c)在上述说明的过程后，可以进行图11所示的晶圆薄化工序来代替参照图5的(d)在上述说明的晶圆薄化工序。在图11所示的晶圆薄化工序中，在晶圆加工用带T2保持有半导体晶圆W的状态下，通过从第二面Wb进行研削加工而薄化至该晶圆达到规定厚度为止，形成包含多个半导体芯片31且保持于晶圆加工用带T2的半导体晶圆分割体30B。本工序中，可以采用将晶圆研削至分割槽30a自身在第二面Wb侧露出为止的方法(第一方法)，也可以采用将晶圆从第二面Wb侧研削至到达分割槽30a之前，其后，通过由旋转磨石向晶圆的按压力作用使分割槽30a与第二面Wb之间产生裂纹而形成半导体晶圆分割体30B的方法(第二方法)。根据所采用的方法，参照图5的(a)和图5的(b)而如上所述地形成的分割槽30a的、自第一面Wa起的深度被适当确定。图11中，针对历经第一方法的分割槽30a或历经第二方法的分割槽30a以及与其相连的裂纹，用粗线示意性地表示。本实施方式中，在对切割芯片接合薄膜X贴合如上制作的半导体晶圆分割体30B来代替上述半导体晶圆30A的基础上，可以参照图6～图10来进行上述的各工序。
图12的(a)和图12的(b)表示对切割芯片接合薄膜X贴合半导体晶圆分割体30B后进行的第一扩展工序(冷扩展工序)。本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧与切割带10抵接并上升，贴合有半导体晶圆分割体30B的切割芯片接合薄膜X的切割带10被扩展，使得其沿着包括半导体晶圆分割体30B的径向和圆周方向在内的二维方向被拉伸。该扩展以在切割带10中产生例如1～100MPa、优选为5～40MPa的范围内的拉伸应力的条件进行。本工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)优选为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量优选为50～200mm。通过这样的冷扩展工序，切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20被割断成小片的粘合粘接剂层21，从而得到带粘合粘接剂层的半导体芯片31。具体而言，本工序中，切割带10中产生的拉伸应力以如下状态发挥作用：在与要扩展的切割带10的粘合剂层12密合的粘合粘接剂层20中，与半导体晶圆分割体30B的各半导体芯片31密合的各区域的变形受到抑制，另一方面，与半导体芯片31间的分割槽30a相对的部位不产生这种抗变形作用。其结果，在粘合粘接剂层20中，与半导体芯片31间的分割槽30a相对的部位会被割断。
在本实施方式的半导体装置制造方法中，还可以对切割芯片接合薄膜X贴合如下制作的半导体晶圆30C，用以代替对切割芯片接合薄膜X贴合半导体晶圆30A或半导体晶圆分割体30B的上述构成。
如图13的(a)和图13的(b)所示，首先，在半导体晶圆W上形成改性区域30b。半导体晶圆W具有第一面Wa和第二面Wb。在半导体晶圆W的第一面Wa一侧已经制作有各种半导体元件(省略图示)，且在第一面Wa上已经形成有该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。本工序中，具有粘合面T3a的晶圆加工用带T3被贴合于半导体晶圆W的第一面Wa侧后，在晶圆加工用带T3保持有半导体晶圆W的状态下，从晶圆加工用带T3的相反侧对半导体晶圆W沿着其分割预定线照射聚光点对准晶圆内部的激光，通过基于多光子吸收的磨蚀而在半导体晶圆W内形成改性区域30b。改性区域30b是用于将半导体晶圆W分离成半导体芯片单元的脆弱化区域。关于在半导体晶圆中通过激光光线照射而在分割预定线上形成改性区域30b的方法，例如在日本特开2002-192370号公报中有详细记载。该方法中，本实施方式中的激光照射条件例如在下述条件的范围内适当调整。
<激光照射条件>
(A)激光
激光源：半导体激光激发Nd：YAG激光
波长：1064nm
激光光点截面积：3.14×10-8cm2
振荡形态：Q开关脉冲
重复频率：100kHz以下
脉冲宽度：1μs以下
输出功率：1mJ以下
激光品质：TEM00
偏光特性：直线偏光
(B)集光用透镜
倍率：100倍以下
NA：0.55
对激光波长的透射率：100％以下
(C)载置半导体基板的载置台的移动速度：280mm/秒以下
接着，在晶圆加工用带T3保持有半导体晶圆W的状态下，通过从第二面Wb进行的研削加工而薄化至半导体晶圆W达到规定厚度为止，如图13的(c)所示，形成能够单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30C(晶圆薄化工序)。本实施方式中，在对切割芯片接合薄膜X贴合如上制作的半导体晶圆30C来代替半导体晶圆30A的基础上，可以参照图6～图10来进行上述的各工序。
图14的(a)和图14的(b)表示对切割芯片接合薄膜X贴合半导体晶圆30C后进行的第一扩展工序(冷扩展工序)。本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧与切割带10抵接并上升，贴合有半导体晶圆30C的切割芯片接合薄膜X的切割带10被扩展，使得其沿着包括半导体晶圆30C的径向和圆周方向在内的二维方向被拉伸。该扩展以在切割带10中产生例如1～100MPa、优选为5～40MPa的范围内的拉伸应力的条件进行。本工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)优选为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量优选为50～200mm。通过这样的冷扩展工序，切割芯片接合薄膜X的粘合粘接剂层20被割断成小片的粘合粘接剂层21，从而得到带粘合粘接剂层的半导体芯片31。具体而言，本工序中，在半导体晶圆30C中的脆弱的改性区域30b处形成裂纹，从而单片化成半导体芯片31。与此同时，本工序中，切割带10中产生的拉伸应力以如下状态发挥作用：在与要扩展的切割带10的粘合剂层12密合的粘合粘接剂层20中，与半导体晶圆30C的各半导体芯片31密合的各区域中的变形受到抑制，另一方面，在与晶圆的裂纹形成部位相对的部位不产生这种抗变形作用。其结果，在粘合粘接剂层20中，与半导体芯片31间的裂纹形成部位相对的部位会被割断。
如上所述，切割芯片接合薄膜X可以在得到带粘合粘接剂层的半导体芯片的方面使用。另外，切割芯片接合薄膜X也可以在得到将多个半导体芯片层叠而进行三维安装时的带粘合粘接剂层的半导体芯片的方面使用。这种三维安装中的半导体芯片31之间可以与粘合粘接剂层21一起夹设间隔物，也可以不夹设间隔物。
实施例
〈切割带的制作〉
在具备冷却管、氮气导入管、温度计、搅拌装置的反应容器内，将包含丙烯酸十二烷基酯100摩尔份、丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)20摩尔份、相对于单体成分100质量份为0.2质量份的作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰、以及作为聚合溶剂的甲苯的混合物在60℃下、氮气气氛中搅拌10小时(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液。该聚合物溶液中的丙烯酸系聚合物P1的重均分子量(Mw)为450000。接着，将包含含有该丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在室温下、空气气氛中搅拌48小时(加成反应)。该反应溶液中，MOI配混量相对于丙烯酸系聚合物P1中的源自2HEA的单元和/或其羟基的总量的摩尔比率为0.2。另外，该反应溶液中，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸系聚合物P1100质量份为0.03质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链中具有甲基丙烯酰基的丙烯酸系聚合物P2的聚合物溶液。接着，在该聚合物溶液中添加相对于丙烯酸系聚合物P2100质量份为0.75质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”，东曹株式会社制)和2质量份的光聚合引发剂(商品名“Irgacure 184”，BASF公司制)并混合，且以该混合物在室温下的粘度为500mPa·s的方式对该混合物添加甲苯而进行稀释，得到粘合剂溶液。接着，在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔膜(厚度38μm)的有机硅脱模处理面上，使用涂膜器涂布粘合剂溶液而形成涂膜，对该涂膜进行130℃下、2分钟的加热干燥，在PET隔膜上形成厚度10μm的粘合剂层。接着，使用层压机，在室温下对该粘合剂层的露出面贴合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)制的基材(商品名“RB-0103”，厚度125μm，仓敷纺绩株式会社制)。如上所述地制作切割带。
〈粘合粘接剂层的形成〉
将丙烯酸系树脂A1(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯腈以及甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物，重均分子量为1000000，玻璃化转变温度为-1.5℃)60质量份、固态酚醛树脂(商品名“MEH-7851SS”，23℃下为固态，明和化成株式会社制)15质量份、二氧化硅填料(商品名“SO-E2”，平均粒径为0.5μm，ADMATECS公司制)25质量份加入甲乙酮中进行混合，以室温下的粘度为1000mPa·s的方式调整浓度，得到粘合粘接剂组合物。接着，在具有实施了脱模处理的面的PET隔膜(厚度38μm)的脱模处理面上，使用涂膜器涂布粘合粘接剂组合物而形成涂膜，对该涂膜进行130℃下、2分钟的加热干燥，在PET隔膜上形成厚度10μm的作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层。
〈切割芯片接合薄膜的制作〉
从上述切割带将PET隔膜剥离后，使用层压机，在室温下将切割带中露出的粘合剂层与带有PET隔膜的上述粘合粘接剂层贴合，得到层叠片体。接着，对于该层叠片体，进行使加工刃从切割带的EVA基材一侧突入至隔膜为止的冲裁加工。具体而言，将层叠片体沿着一个方向以10m/分钟的速度进行传送，同时，使以能够沿着与该方向正交的轴心旋转的方式配置且在辊表面卷绕有圆形冲裁加工用尖刀的带加工刃的旋转辊的带加工刃的表面伴随规定的按压力抵接于层叠片体的EVA基材侧，进行冲裁加工。该冲裁加工所使用的旋转辊的圆周长度、即周围长度为378.9mm。另外，卷绕于旋转辊表面的尖刀为SUS制，以能够冲裁加工直径370mm的圆的方式配置在辊表面，刃的高度为0.3mm，刀尖所成的刃角为50°。通过这样的冲裁加工，切割带与粘合粘接剂层被一并加工形成为圆盘形状，在隔膜上形成切割芯片接合薄膜。其后，从隔膜上去除所形成的切割芯片接合薄膜周围的材料层叠部。如上所述地制作具有包含切割带和作为芯片接合薄膜的粘合粘接剂层的层叠结构的实施例1的切割芯片接合薄膜。实施例1中的粘合粘接剂层的组成与其他实施例和比较例的粘合粘接剂层组成一同示于表1(表1中，关于粘合粘接剂层组成的各数值的单位为该层内的相对的“质量份”)。
〔实施例2〕
将丙烯酸系树脂A1的配混量设为48质量份来代替60质量份，将固态酚醛树脂(商品名“MEH-78511SS”，明和化成株式会社制)的配混量设为12质量份来代替15质量份，以及将二氧化硅填料(商品名“SO-E2”，ADMATECS公司制)的配混量设为40质量份来代替25质量份，除此以外与实施例1的粘合粘接剂层同样，在PET隔膜上制作实施例2的粘合粘接剂层(厚度10μm)。然后，使用实施例2的该粘合粘接剂层代替实施例1的粘合粘接剂层，除此以外与实施例1的切割芯片接合薄膜同样，制作实施例2的切割芯片接合薄膜。
〔实施例3〕
使用丙烯酸系树脂A2(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯腈、以及甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物，重均分子量为1000000，玻璃化转变温度为-6.5℃)60质量份来代替丙烯酸系树脂A160质量份，除此以外与实施例1的粘合粘接剂层同样，在PET隔膜上制作实施例3的粘合粘接剂层(厚度10μm)。然后，使用实施例3的该粘合粘接剂层代替实施例1的粘合粘接剂层，除此以外与实施例1的切割芯片接合薄膜同样，制作实施例3的切割芯片接合薄膜。
〔实施例4〕
使用丙烯酸系树脂A2(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯腈、以及甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物，重均分子量为1000000，玻璃化转变温度为-6.5℃)48质量份来代替丙烯酸系树脂A160质量份，将固态酚醛树脂(商品名“MEH-78511SS”，明和化成株式会社制)的配混量设为12质量份来代替15质量份，以及将二氧化硅填料(商品名“SO-E2”，ADMATECS公司制)的配混量设为40质量份来代替25质量份，除此以外与实施例1的粘合粘接剂层同样，在PET隔膜上制作实施例4的粘合粘接剂层(厚度10μm)。然后，使用实施例4的该粘合粘接剂层代替实施例1的粘合粘接剂层，除此以外与实施例1的切割芯片接合薄膜同样，制作实施例4的切割芯片接合薄膜。
〔比较例1〕
使用丙烯酸系树脂A3(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯腈、以及甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物，重均分子量为1000000，玻璃化转变温度为4℃)42.4质量份来代替丙烯酸系树脂A160质量份，将固态酚醛树脂(商品名“MEH-78511SS”，明和化成株式会社制)的配混量设为10.6质量份来代替15质量份，以及将二氧化硅填料(商品名“SO-E2”，ADMATECS公司制)的配混量设为47质量份来代替25质量份，除此以外与实施例1的粘合粘接剂层同样，在PET隔膜上制作比较例1的粘合粘接剂层(厚度10μm)。然后，使用比较例1的该粘合粘接剂层代替实施例1的粘合粘接剂层，除此以外与实施例1的切割芯片接合薄膜同样，制作比较例1的切割芯片接合薄膜。
〔比较例2〕
使用丙烯酸系树脂A2(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯腈、以及甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物，重均分子量为1000000，玻璃化转变温度为-6.5℃)80质量份来代替丙烯酸系树脂A160质量份，将固态酚醛树脂(商品名“MEH-78511SS”，明和化成株式会社制)的配混量设为20质量份来代替15质量份，以及不使用二氧化硅填料，除此以外与实施例1的粘合粘接剂层同样，在PET隔膜上制作比较例2的粘合粘接剂层(厚度10μm)。然后，使用比较例2的该粘合粘接剂层代替实施例1的粘合粘接剂层，除此以外与实施例1的切割芯片接合薄膜同样，制作比较例2的切割芯片接合薄膜。
〔第一拉伸储能模量(25℃)〕
针对实施例1～4和比较例1、2的各粘合粘接剂层，基于使用动态粘弹性测定装置(商品名“RSAIII”，TA Instruments制)进行的动态粘弹性测定，研究25℃下的拉伸储能模量(第一拉伸储能模量)。关于供于动态粘弹性测定的试样片，形成将各粘合粘接剂层层叠成厚度160μm而得到的层叠体后，从该层叠体以宽度10mm×长度30mm的尺寸切出而准备。另外，本测定中，将试样片保持用卡盘的初始卡盘间距设为22.5mm、将测定模式设为拉伸模式、将测定温度范围设为-30℃～100℃、将频率设为1Hz、将动态应变设为0.005％、将升温速度设为10℃/分钟。求得的25℃下的拉伸储能模量(MPa)示于表1。
〔第二拉伸储能模量(-15℃)〕
针对实施例1～4和比较例1、2的各粘合粘接剂层，基于使用动态粘弹性测定装置(商品名“Rheogel-E4000”，UBM公司制)进行的动态粘弹性测定，研究-15℃下的拉伸储能模量(第二拉伸储能模量)。关于供于动态粘弹性测定的试样片，形成将各粘合粘接剂层层叠成厚度80μm而成的层叠体后，从该层叠体以宽度5mm×长度25mm的尺寸切出而准备。另外，本测定中，将试样片保持用卡盘的初始卡盘间距设为10mm、将测定模式设为拉伸模式、将测定温度范围设为-30℃～100℃、将频率设为900Hz、将动态应变设为0.005％、将升温速度设为5℃/分钟。求得的-15℃下的第二拉伸储能模量(MPa)示于表1。
〈剪切粘合力〉
针对实施例1～4和比较例1、2的各切割芯片接合薄膜，测定相对于SUS板的-15℃下的剪切粘合力。供于本测定的试样片如下所述地制作。首先，在切割芯片接合薄膜中，从切割带剥离粘合粘接剂层。接着，对该粘合粘接剂层中的贴合切割带一侧的面贴合衬里带(商品名“BT-315”，日东电工株式会社制)。然后，从得到的衬里粘合粘接剂层切出宽度10mm×长度100mm的尺寸的试样片。
将制作的试样片在室温下贴合于SUS板。该SUS板经历了基于利用浸渗有甲苯的无纺布擦拭物进行的擦拭、以及利用浸渍有甲醇的无纺布擦拭物进行的擦拭的表面洁净化处理。在贴合操作中，以基于2kg辊的一次往返的载荷，使试样片端部的10mm×10mm的区域压接于SUS板的端部。然后，将该试样片和SUS板在室温下放置30分钟后，使用拉伸试验机(商品名“AutographAGS-J”，岛津制作所制)测定剪切粘合力。本测定中，测定温度为-15℃，拉伸速度为1000mm/分钟，将得到的最大应力值作为剪切粘合力(N/cm2)。
〈23℃下的框保持性〉
针对实施例1～4和比较例1、2的各切割芯片接合薄膜，如下所述地研究对环形框的贴合性和/或保持性。首先，使用贴合装置(MA-3000II，日东精机株式会社制)，将直径12英寸的SUS制环形框(DISCO Corporation制)贴合在切割芯片接合薄膜的粘合粘接剂层侧。该贴合在贴合速度10mm/秒且温度60℃的条件下进行。然后，以水平状态保管在外壳内，在室温下进行1周的放置。然后，确认有无环形框自粘合粘接剂层的剥离。将未产生环形框自切割芯片接合薄膜和/或其粘合粘接剂层的剥离的情况评价为“良”，将产生了环形框的剥离的情况评价为“不良”。该评价结果示于表1。
〔冷扩展工序(-15℃)中的割断性〕
使用实施例1～4和比较例1、4的各切割芯片接合薄膜，进行如下所述的贴合工序、用于割断的第一扩展工序(冷扩展工序)、以及用于分开距离的第二扩展工序(常温扩展工序)。
贴合工序中，将保持于晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)的半导体晶圆分割体对切割芯片接合薄膜的粘合粘接剂层进行贴合，然后从半导体晶圆分割体剥离晶圆加工用带。在贴合中，使用层压机，将贴合速度设为10mm/秒、温度条件设为60℃、压力条件设为0.15MPa。另外，半导体晶圆分割体是如下所述地形成而准备的。首先，针对处于与环形框一同被保持于晶圆加工用带(商品名“V12S-R2-P”，日东电工株式会社制)的状态的裸晶圆(直径12英寸，厚度780μm，东京化工株式会社制)，从其一个面侧，使用切割装置(商品名“DFD6260”，DISCO Corporation制)，通过其旋转刀片形成单片化用的分割槽(宽度25μm，深度50μm，呈每块6mm×12mm的格子状)。接着，在分割槽形成面贴合晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)后，将上述晶圆加工用带(商品名“V12S-R2-P”)从晶圆剥离。然后，使用背面磨削装置(商品名“DGP8760”，DISCO Corporation制)，从晶圆的另一面(未形成分割槽的面)侧通过研削而将该晶圆薄化至厚度20μm，接着，通过使用该装置进行的干式抛光而对该研削面实施镜面精加工。如上所述地操作而形成半导体晶圆分割体(处于保持于晶圆加工用带的状态)。该半导体晶圆分割体包含多个半导体芯片(6mm×12mm)。
冷扩展工序使用模具分离装置(商品名“Die Separator DDS3200”，DISCOCorporation制)，通过其冷扩展单元来进行。具体而言，首先，在带有半导体晶圆分割体的上述切割芯片接合薄膜的粘合粘接剂层的框贴合用区域(工件贴合用区域的周围)，在室温下贴附直径12英寸的SUS制环形框(DISCO Corporation制)。接着，将该切割芯片接合薄膜安装在装置内，利用该装置的冷扩展单元对带有半导体晶圆分割体的切割芯片接合薄膜的切割带进行扩展。该冷扩展工序中，温度为-15℃，扩展速度为300mm/秒，扩展量为15mm。
常温扩展工序使用分割机装置(商品名“Die Separator DDS3200”，DISCOCorporation制)，通过其常温扩展单元来进行。具体而言，对于经历了上述冷扩展工序的带有半导体晶圆分割体的切割芯片接合薄膜的切割带，利用该装置的常温扩展单元进行扩展。该常温扩展工序中，温度为23℃、扩展速度为1mm/秒、扩展量为10mm。然后，对经历了常温扩展的切割芯片接合薄膜实施加热收缩处理。该处理温度为200℃、处理时间为20秒。
在经历了使用实施例1～4和比较例1、2的各切割芯片接合薄膜进行的如上所述的过程的阶段当中，研究了被割断的带有粘合粘接剂层的半导体芯片的总数相对于半导体晶圆分割体所含的半导体芯片的总数的比率。并且，针对粘合粘接剂层的割断性，将该比率为80％以上的情况评价为“良”，将该比率低于80％的情况评价为“不良”。该评价结果示于表1。
[评价]
实施例1～4的切割芯片接合薄膜的框保持性、以及冷扩展工序(-15℃)中的割断性均得到了良好的结果。与此相对，比较例1的切割芯片接合薄膜的粘合粘接剂层的拉伸储能模量过高，因此无法利用该粘合粘接剂层保持环形框。因此，无法实施使用比较例1的切割芯片接合薄膜的冷扩展工序。另外，对于比较例2的切割芯片接合薄膜，其粘合粘接剂层的拉伸储能模量过低，因此在冷扩展工序中无法将该粘合粘接剂层充分地割断。
[表1]

Claims (10)

1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；以及，
粘合粘接剂层，其与所述切割带中的所述粘合剂层可剥离地密合，
所述粘合粘接剂层针对宽度10mm且厚度160μm的粘合粘接剂层试样片以初始卡盘间距22.5mm、频率1Hz、动态应变0.005％和升温速度10℃/分钟的条件测定的、25℃下的拉伸储能模量为5～120MPa，并且，
所述粘合粘接剂层针对宽度5mm且厚度80μm的粘合粘接剂层试样片以初始卡盘间距10mm、频率900Hz、动态应变0.005％和升温速度5℃/分钟的条件测定的、-15℃下的拉伸储能模量为3000～6000MPa。
2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接剂层的外周端在薄膜面内方向距所述粘合剂层的外周端的距离为1000μm以内。
3.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接剂层相对于SUS平面的-15℃下的剪切粘合力为66N/cm2以上。
4.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接剂层相对于SUS平面的-15℃下的剪切粘合力为66N/cm2以上。
5.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合剂层为辐射线固化型粘合剂层，
在以23℃和剥离速度300mm/分钟的条件进行的T型剥离试验中，辐射线固化前的所述粘合剂层与所述粘合粘接剂层之间的剥离力为0.5N/20mm以上。
6.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接剂层具有7～30μm的厚度。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接剂层含有重均分子量为800000～2000000且玻璃化转变温度为-10～3℃的聚合物成分。
8.根据权利要求7所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述聚合物成分包含源自丙烯腈的结构单元。
9.根据权利要求1～6中的任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接剂层以10～40质量％的比率含有二氧化硅填料。
10.根据权利要求7所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接剂层以10～40质量％的比率含有二氧化硅填料。
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