CN104212375A - 粘接片、及切割/芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供可靠性高且凹凸填埋性优异的粘接片、及切割/芯片接合薄膜。本发明涉及一种粘接片，其包含球状氧化铝填料和树脂成分，所述树脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)，相对于100重量份粘接片，前述球状氧化铝填料的含量为78～88重量份，前述球状氧化铝填料的平均粒径为2～9μm，比表面积为0.8～8.0m2/g，由前述高分子量成分(A)的重量/前述高分子量成分(A)和前述低分子量成分(B)的总重量表示的重量比为0.03～0.25。

Description

粘接片、及切割/芯片接合薄膜
技术领域
本发明涉及粘接片、及切割/芯片接合薄膜。
背景技术
出于半导体元件的应用方面的需求，高容量化、数据处理速度的高速化推进，因而自半导体元件的发热量增大。因此，迫切需要应对发热量增大的对策。
作为半导体封装体的散热方法，有：将密封树脂薄型化或高导热系数化来进行散热的方法；嵌入散热器等散热材料而介由其进行散热的方法；自介由粘接剂与半导体芯片粘接的基板、引线框等进行散热的方法等。
自密封树脂进行散热的方法由于密封树脂层较厚而难以高效地散热。另外，嵌入散热器的方法不利于小型化(高集成化)，能够使用的封装体有限。另一方面，通过将用于粘接半导体芯片和基板的粘接剂高导热化，自半导体芯片产生的热释放至基板，从而能够高效地散热。
作为将粘接剂高导热化的方法，已知有配混高导热性的填料的方法。作为高导热性的填料，有多种多样的填料，例如有氧化铝填料、氢氧化铝、氮化铝等。其中，氧化铝填料由于较廉价且化学稳定性高、导热系数高，因而经常被使用。
另一方面，氢氧化铝由于导热性比氧化铝填料低，会因加热而形成铝并产生水，因此存在导致可靠性降低的担心。
另外，氮化铝的化学稳定性低，与空气中的水反应而产生氢氧化铝并生成氨。粘接剂有时在切割工序中被暴露于大量水中，而且常常长时间地放置于常规气氛下，因此需要对水、空气稳定，但氮化铝从上述特性来看很难说适用于粘接剂。
关于粘接剂的形状，一直以来，使用银浆等液态的粘接剂。但是，将比50μm薄的由半导体晶圆得到的半导体芯片介由糊状的粘接剂粘接于基板时，有时发生半导体芯片的倾斜、或突出、粘接剂向芯片上部环抱等。因此，糊状的粘接剂不利于高集成化的半导体元件的制造。另外，糊状的粘接剂在固化时容易产生空隙，容易产生由空隙导致的可靠性降低、散热性降低等问题。
在这种背景下，例如，专利文献1～3中提出了配混有氧化铝填料的高导热性的片状粘接剂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-186360号公报
专利文献2：日本特开2012-186361号公报
专利文献3：日本特开2011-23607号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，专利文献1～3的片状粘接剂仅能够粘接于较平坦的被粘物，用途受到限定。换言之，对凹凸的追随性(凹凸填埋性)尚有改善的余地。另外，近年来，粘接剂所需的可靠性的水平日益增高，因此也需要对可靠性进行研究。
本发明的目的在于，解决前述问题，提供可靠性高且凹凸填埋性优异的粘接片、及切割/芯片接合薄膜。
用于解决问题的方案
本发明涉及一种粘接片，其包含球状氧化铝填料和树脂成分，所述树脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)，相对于100重量份粘接片，前述球状氧化铝填料的含量为78～88重量份，前述球状氧化铝填料的平均粒径为2～9μm，比表面积为0.8～8.0m2/g，由前述高分子量成分(A)的重量/前述高分子量成分(A)和前述低分子量成分(B)的总重量表示的重量比为0.03～0.25。
若仅仅将球状氧化铝填料高填充化，则无法充分提高耐湿回流焊性，而且会降低填埋性。另一方面，本发明的粘接片通过使用满足特定的平均粒径且满足特定的比表面积的球状氧化铝填料，并将由高分子量成分(A)的重量/高分子量成分(A)和低分子量成分(B)的总重量表示的重量比调整为特定范围，从而良好地得到高温下的流动性，得到优异的凹凸填埋性。另外，也得到优异的耐湿回流焊性。
优选的是，在前述球状氧化铝填料的粒度分布中，存在2个以上的峰，第一峰存在于0.2～0.8μm的粒径范围，第二峰存在于3～15μm的粒径范围，第二峰的粒径/第一峰的粒径为7～15。由此，能够将球状氧化铝填料高填充化，并进一步提高填埋性。
优选的是，前述球状氧化铝填料用硅烷偶联剂进行了处理。由此，球状氧化铝填料的分散性变得良好，球状氧化铝填料的高填充化成为可能。另外，能够进一步提高填埋性。
优选的是，前述低分子量成分(B)至少包含环氧树脂和酚醛树脂。
优选的是，前述环氧树脂包含液态的双酚型环氧树脂，由前述液态的双酚型环氧树脂的重量/前述低分子量成分(B)的重量表示的重量比为0.1～0.6。由此，能够进一步提高填埋性。
优选的是，前述高分子量成分(A)为丙烯酸类橡胶。
优选的是，前述高分子量成分(A)的玻璃化转变温度为0℃以下。
优选的是，前述球状氧化铝填料的最大粒径为20μm以下。由此，能够得到良好的填埋性。
优选的是，前述粘接片在固化前的130℃下的熔融粘度为5～5000Pa·s。
优选的是，前述粘接片在固化后的玻璃化转变温度为100℃以上，固化后的260℃下的拉伸储能模量为10～1000MPa。
优选的是，前述粘接片在固化前的拉伸试验时的断裂伸长率为10～200％。优选的是，前述粘接片的厚度为30μm以下。
优选的是，前述粘接片用作芯片接合薄膜。
本发明还涉及一种切割/芯片接合薄膜，其在带粘合剂层的基材的前述粘合剂层上层叠有前述粘接片。
发明的效果
根据本发明，能够提供可靠性高且凹凸填埋性优异的粘接片、及切割/芯片接合薄膜。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的截面示意图。
图2为本发明的另一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的截面示意图。
图3为示出半导体装置的一种制造工序的图。
附图标记说明
1 基材
2 粘合剂层
3、3’ 粘接片
4 半导体晶圆
5 半导体芯片
6 被粘物
7 接合线
8 密封树脂
10、12 切割/芯片接合薄膜
11 切割薄膜
具体实施方式
[粘接片]
本发明的粘接片包含球状氧化铝填料。
球状氧化铝填料的平均粒径为2μm以上、优选为3μm以上。通过为2μm以上，可良好地得到高温下的流动性，可得到优异的填埋性。另外，球状氧化铝填料的平均粒径为9μm以下、优选为8μm以下。通过为9μm以下，可得到优异的耐湿回流焊性。
需要说明的是，球状氧化铝填料的平均粒径可以通过实施例中记载的方法测定。
球状氧化铝填料的最大粒径优选为20μm以下。为20μm以下时，粘接片的薄膜化成为可能，散热效果也提高。
在球状氧化铝填料的粒度分布中，优选存在2个以上的峰。具体而言，优选的是，第一峰存在于0.2～0.8μm的粒径范围，第二峰存在于3～15μm的粒径范围。由此，可以在形成第二峰的球状氧化铝填料之间(间隙中)填充形成第一峰的球状氧化铝填料，因此能够将球状氧化铝填料高填充。
第一峰的粒径不足0.2μm时，存在粘接片的粘度变得过高而无法追随被粘物的凹凸的倾向。第一峰的粒径超过0.8μm时，球状氧化铝填料的高填充化困难。
另外，第二峰的粒径不足3μm时，球状氧化铝填料的高填充化困难。另外，存在粘接片的粘度变得过高而无法追随被粘物的凹凸的倾向。第二峰的粒径超过15μm时，粘接片的薄膜化变得困难。需要说明的是，球状氧化铝填料的粒度分布可以通过实施例中记载的方法测定。
第二峰的粒径/第一峰的粒径优选为7～15。第一峰的粒径与第二峰的粒径相近时，无法充分得到高填充效果，而第二峰的粒径/第一峰的粒径的值为上述范围时，能够充分得到高填充效果。另外，粘接片对被粘物的凹凸追随性变得良好。
需要说明的是，为了使球状氧化铝填料的粒度分布中存在2个以上的峰，配混平均粒径不同的2种以上球状氧化铝填料即可。
球状氧化铝填料的比表面积为0.8m2/g以上、优选为0.9m2/g以上。通过为0.8m2/g以上，可得到良好的凹凸追随性。另外，球状氧化铝填料的比表面积为8.0m2/g以下、优选为7.5m2/g以下。通过为8.0m2/g以下，粘接片的薄膜化成为可能。
需要说明的是，球状氧化铝填料的比表面积可以通过实施例中记载的方法测定。
球状氧化铝填料优选用硅烷偶联剂进行了处理(前处理)。由此，球状氧化铝填料的分散性变得良好，球状氧化铝填料的高填充化成为可能。
作为硅烷偶联剂，没有特别限定，从能够将球状氧化铝填料高填充化并进一步提高填埋性的理由出发，能够适宜地使用环氧硅烷系硅烷偶联剂、二甲基硅烷系硅烷偶联剂、甲基系硅烷偶联剂、苯基系硅烷偶联剂、苯胺系硅烷偶联剂、甲基丙烯酰基硅烷系硅烷偶联剂。其中，从提高球状氧化铝填料的分散性并提高粘接片的流动性的理由出发，优选环氧硅烷系硅烷偶联剂、甲基丙烯酰基硅烷系硅烷偶联剂。
作为环氧硅烷系硅烷偶联剂，可列举出2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。作为二甲基硅烷系硅烷偶联剂，可列举出二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷等。作为甲基系硅烷偶联剂，可列举出甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷等。作为苯基系硅烷偶联剂，可列举出苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷等。
作为苯胺系硅烷偶联剂，可列举出N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等。作为甲基丙烯酰基硅烷系硅烷偶联剂，可列举出3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷等。
作为用硅烷偶联剂处理球状氧化铝填料的方法，没有特别限定，可列举出：在溶剂中将球状氧化铝填料与硅烷偶联剂混合的湿式法；在气相中将球状氧化铝填料和硅烷偶联剂进行处理的干式法等。
对硅烷偶联剂的处理量没有特别限定，相对于100重量份球状氧化铝填料，优选用0.05～5重量份硅烷偶联剂进行处理。
相对于100重量份粘接片，球状氧化铝填料的含量为78重量份以上、优选为80重量份以上。通过为78重量份以上，可得到良好的导热性。另外，球状氧化铝填料的含量为88重量份以下、优选为84重量份以下。通过为88重量份以下，可得到良好的填埋性。
本发明的粘接片包含树脂成分，该树脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)。
高分子量成分(A)的重均分子量(Mw)优选为10000以上、更优选为200000以上。为10000以上时，可得到挠性。另外，高分子量成分(A)的重均分子量优选为2000000以下、更优选为1500000以下、进一步优选为1000000以下。为2000000以下时，能够将粘接片在高温下低粘度化，可得到良好的凹凸填埋性。
需要说明的是，重均分子量是利用GPC(凝胶渗透色谱法)测定并以聚苯乙烯换算而算出的值。
作为高分子量成分(A)，没有特别限定，从玻璃化转变温度的调整、官能团的控制容易，通常广泛使用的观点出发，优选丙烯酸类橡胶。
作为丙烯酸类橡胶，没有特别限定，可列举出将具有碳数30以下、特别是碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的1种或2种以上作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为前述烷基，例如可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
另外，作为形成聚合物(丙烯酸类共聚物)的其它单体，没有特别限定，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等各种含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体；或2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基单体。
高分子量成分(A)的玻璃化转变温度优选为0℃以下、更优选为-5℃以下、进一步优选为-20℃以下。为0℃以下时，能够在40～70℃这样较低的温度下贴附至被粘物，可容易地进行晶圆安装。需要说明的是，在高温下贴附至被粘物时，切割薄膜由于热而变形，因此晶圆安装困难。高分子量成分(A)的玻璃化转变温度例如为-40℃以上。
高分子量成分(A)的玻璃化转变温度由利用差示扫描量热计(DSC)测定的最大吸热峰时的温度得到。具体而言，对于要测定的试样，使用差示扫描量热计(TA Instruments公司制造的“Q-2000”)，在比预测的试样的玻璃化转变温度(预测温度)高约50℃的温度下加热10分钟后，冷却至比预测温度低50℃的温度，从而进行前处理，然后，在氮气气氛下以升温速度5℃/分钟进行升温并测定吸热起点温度，将其作为玻璃化转变温度。
低分子量成分(B)的重均分子量优选为5000以下、更优选为3000以下。为5000以下时，在高温下低粘度化，可得到良好的凹凸填埋性。低分子量成分(B)的重均分子量优选为200以上、更优选为300以上。为200以上时，可得到常温下的稳定性。
作为低分子量成分(B)，没有特别限定，可列举出酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。特别优选较少地含有腐蚀半导体元件的离子性杂质等的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。
作为环氧树脂，没有特别限定，例如可使用双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型或缩水甘油胺型等环氧树脂。其中，从在室温下为液态且能够赋予挠性的理由出发，优选包含液态的双酚型环氧树脂。另外，从为多官能的固化树脂，固化后的交联密度高，能够对粘接片赋予良好的耐回流焊性的理由出发，优选邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂。
由液态的双酚型环氧树脂的重量/低分子量成分(B)的重量表示的重量比优选为0.1以上。为0.1以上时，能够赋予在切割时或拾取时粘接片不会破裂的水平的柔软性。另外，可得到优异的填埋性。另外，该重量比优选为0.6以下。为0.6以下时，能够将粘接片从切割薄膜良好地剥离，能够良好地拾取。
本说明书中，液态是指在25℃下粘度低于5000Pa·s。需要说明的是，粘度可以使用Thermo Scientific公司制造的型号HAAKE Roto VISCO1来测定。
酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂发挥作用，例如可列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。这些酚醛树脂当中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为能够提高半导体装置的连接可靠性。
关于环氧树脂与酚醛树脂的配混比例，例如，以相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量，酚醛树脂中的羟基为0.5～2.0当量的方式进行配混是优选的。更适宜为0.8～1.2当量。即，这是因为，两者的配混比例偏离前述范围时，无法进行充分的固化反应，固化物的特性容易劣化。
由高分子量成分(A)的重量/高分子量成分(A)和低分子量成分(B)的总重量表示的重量比为0.03以上。通过为0.03以上，能够赋予柔软且不易破裂的性质。另外，该重量比为0.25以下、优选为0.22以下。通过为0.25以下，可良好地得到高温下的流动性，可得到优异的凹凸填埋性。
相对于100重量份粘接片，树脂成分的含量优选为10重量份以上、更优选为12重量份以上、进一步优选为16重量份以上。为10重量份以上时，可得到良好的粘接片的成型性、填埋性、回流焊可靠性。另外，树脂成分的含量优选为22重量份以下、更优选为21重量份以下、进一步优选为20重量份以下。为22重量份以下时，球状氧化铝填料的含量相对增多，可得到高导热性。
本发明的粘接片优选包含固化催化剂。由此，能够促进环氧树脂与酚醛树脂等固化剂的热固化。作为固化催化剂，没有特别限定，例如可列举出四苯基鏻四苯基硼酸盐(商品名；TPP-K)、四苯基鏻四对甲苯基硼酸盐(商品名；TPP-MK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名；TPP-S)等磷-硼系固化催化剂(均为HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)。
固化催化剂的含量可以适当设定，相对于100重量份树脂成分，优选为0.1～3重量份。
本发明的粘接片除前述成分以外还可以适当含有粘接片制造中通常使用的配混剂，例如交联剂等。
对粘接片的制造方法没有特别限定，优选包括以下工序的方法：制作粘接剂组合物溶液的工序，该粘接剂组合物溶液含有球状氧化铝填料、树脂成分、及根据需要的其它配混剂，所述树脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)；过滤粘接剂组合物溶液，得到滤液的工序；以及将滤液涂布到基材隔离膜上而形成涂布膜后，将涂布膜干燥的工序。
作为粘接剂组合物溶液中使用的溶剂，没有特别限定，优选能够使前述各成分均匀溶解、混炼或分散的有机溶剂。例如，可列举出二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、环己酮等酮系溶剂、甲苯、二甲苯等。
过滤中使用的过滤材料的孔隙优选为20μm以下。由此，能够使球状氧化铝填料的最大粒径为20μm以下，能够使粘接片的厚度为30μm以下。
作为基材隔离膜，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯；利用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜或纸等。作为粘接剂组合物溶液的涂布方法，例如可列举出辊涂、丝网涂覆、凹版涂覆等。另外，对涂布膜的干燥条件没有特别限定，例如，可以在干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟的条件下进行。
对粘接片的厚度没有特别限定，优选为5μm以上、更优选为15μm以上。不足5μm时，产生未与发生了翘曲的半导体晶圆或半导体芯片粘接的位置，有时粘接面积会不稳定。另外，粘接片的厚度优选为100μm以下。超过100μm时，由于芯片贴装的载荷而使粘接片过度突出，有时污染焊盘。
从半导体装置的高集成化、和散热性提高的观点出发，优选粘接片的厚度薄。具体而言，粘接片的厚度更优选为30μm以下、进一步优选为20μm以下。
本发明的粘接片中，固化前的130℃的熔融粘度优选为5Pa·s以上。为5Pa·s以上时，能够抑制热固化时的发泡。另外，固化前的130℃的熔融粘度优选为5000Pa·s以下。为5000Pa·s以下时，可得到良好的凹凸追随性。
熔融粘度可以通过以下方法测定。
即，使用流变仪(HAAKE公司制造，商品名：RS-1)，利用平行板法测定熔融粘度。具体而言，在加热至130℃的板上放置0.1g的粘接片，开始测定。将自测定开始起240秒后的值的平均值作为熔融粘度。其中，板间的间隙设为0.1mm。
固化前的拉伸试验时的断裂伸长率优选为10％以上。为10％以上时，可得到良好的挠性，能够防止粘接片使用时的裂纹、缺口。固化前的拉伸试验时的断裂伸长率优选为200％以下。为200％以下时，能够将粘接片适宜地用于隐形切割工艺。隐形切割是如下的工艺：在切割带(切割薄膜)和粘接片的层叠物的粘接片侧粘贴晶圆，利用激光照射在晶圆内部制作缺陷，将切割带伸展，从而将晶圆和粘接片切断。断裂伸长率大时，无法顺利地切断粘接片。
断裂伸长率可以通过以下方法测定。
即，用切割刀将粘接片切出宽度10mm、长度30mm、厚度40μm的长条状，使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所制造，商品名：TENSILON)，以卡盘间距离20mm、拉伸速度0.5m/min进行拉伸试验。然后，利用下述式求出断裂伸长率。
断裂伸长率(％)＝(((断裂时的卡盘间距离(mm))-20)/20)×100
本发明的粘接片在固化后的玻璃化转变温度优选为100℃以上。为100℃以上时，由半导体装置的使用温度区域内的温度变化造成的应力、翘曲受到抑制，因此能够得到可靠性高的半导体装置。另外，对固化后的玻璃化转变温度的上限没有特别限定，例如为200℃以下。
固化后的260℃下的拉伸储能模量优选为10MPa以上。为10MPa以上时，可得到良好的耐回流焊性。另外，对固化后的260℃下的拉伸储能模量没有特别限定，例如为10000MPa以下。
玻璃化转变温度和拉伸储能模量可以通过以下方法测定。
即，将粘接片在175℃下通过1小时的加热处理进行热固化，然后用切割刀切出厚度200μm、长度400mm(测定长度)、宽度10mm的长条状，使用固体粘弹性测定装置(RSAIII，Rheometric Scientific Inc.制造)，测定-50～300℃下的储能模量。测定条件设为：频率1Hz、升温速度10℃/min。进而，通过算出tanδ(G”(损耗弹性模量)/G’(储能模量))的值，得到玻璃化转变温度。
本发明的粘接片可以用于半导体装置的制造。尤其可以适宜地作为粘接被粘物与半导体芯片的芯片接合薄膜来使用。作为被粘物，可列举出引线框、中介层(interposer)、半导体芯片等。
本发明的粘接片优选与切割薄膜一体地使用。换言之，优选以带粘接片的切割薄膜(切割/芯片接合薄膜)的形态来使用。
[切割/芯片接合薄膜]
以下，对本发明的切割/芯片接合薄膜进行说明。图1为本发明的一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的截面示意图。图2为本发明的另一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的截面示意图。
如图1所示，切割/芯片接合薄膜10具有在切割薄膜11上层叠有粘接片3的结构。切割薄膜11是在基材1上层叠粘合剂层2而构成的，粘接片3设置在该粘合剂层2上。另外，本发明也可以为如下的结构：像图2中示出的切割/芯片接合薄膜12那样，仅在工件(半导体晶圆等)贴附部分形成有粘接片3’。
基材1作为切割/芯片接合薄膜10、12的强度基体，优选具有紫外线透过性。作为基材1，例如可列举出低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子键树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳纶(纸)、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素系树脂、有机硅树脂、金属(箔)、纸等。
基材1的表面可以为了提高与邻接的层的密合性、保持性等而实施常用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化辐射线处理等化学或物理的处理、利用底涂剂(例如后述粘合物质)的涂布处理。
对基材1的厚度没有特别限制，可适当确定，通常为5～200μm左右。
作为用于形成粘合剂层2的粘合剂没有特别限制，例如可以使用丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂等常用的压敏性粘接剂。作为压敏性粘接剂，从忌讳半导体晶圆或玻璃等的污染的电子部件的利用超纯水、醇等有机溶剂的清洁清洗性等的观点出发，优选以丙烯酸类聚合物为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。
作为丙烯酸类聚合物，例如可列举出使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳数1～30、特别是碳数4～18的直链状或支链状的烷基酯等)和(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如，环戊酯、环己酯等)中的1种或2种以上作为单体成分的丙烯酸类聚合物等。需要说明的是，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的(甲基)全部都是指同样的含义。
丙烯酸类聚合物出于内聚力、耐热性等的改善的目的，也可以根据需要包含与能跟前述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其它单体成分相对应的单元。作为这种单体成分，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些能共聚的单体成分可以使用1种或2种以上。这些能共聚的单体的用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
进而，丙烯酸类聚合物也可以为了进行交联而根据需要包含多官能性单体等作为共聚用单体成分。作为这种多官能性单体，例如可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。多官能性单体的用量从粘合特性等的观点出发优选为全部单体成分的30重量％以下。
丙烯酸类聚合物通过将单一单体或2种以上的单体混合物用于聚合而得到。聚合可以通过溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等中的任意方式进行。从防止对干净的被粘物污染等的观点出发，优选低分子量物质的含量小。从该观点出发，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为30万以上、进一步优选为40万～300万左右。
另外，前述粘合剂中，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分子量，也可以适当采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可列举出添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交联剂等所谓交联剂使其反应的方法。使用外部交联剂时，其用量通过与要进行交联的基础聚合物的平衡、进而作为粘合剂的使用用途而适当确定。通常，相对于100重量份前述基础聚合物，优选配混5重量份左右以下、进一步优选配混0.1～5重量份。进而，粘合剂中，根据需要，除了前述成分之外，也可以使用现有公知的各种增粘剂、抗老化剂等添加剂。
粘合剂层2可以利用辐射线固化型粘合剂而形成。辐射线固化型粘合剂能够利用紫外线等辐射线的照射而使交联度增大，容易地降低其粘合力。
通过仅对与图1中示出的粘合剂层2的工件贴附部分相对应的部分2a进行辐射线照射，能够设置与其它部分2b的粘合力的差异。此时，利用未固化的辐射线固化型粘合剂而形成的前述部分2b与粘接片3粘合，能够确保切割时的保持力。
另外，通过与图2中示出的粘接片3’相对应地将辐射线固化型的粘合剂层2固化，能够形成粘合力明显降低的前述部分2a。此时，可以在由未固化的辐射线固化型粘合剂形成的前述部分2b上固定晶圆环。
即，利用辐射线固化型粘合剂形成粘合剂层2时，优选对前述部分2a进行辐射线照射，使得粘合剂层2的前述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。
辐射线固化型粘合剂可以没有特别限制地使用具有碳碳双键等辐射线固化性的官能团且表现出粘合性的物质。作为辐射线固化型粘合剂，例如，可例示出在前述丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂等常用的压敏性粘合剂中配混辐射线固化性的单体成分、低聚物成分而成的添加型的辐射线固化型粘合剂。
作为配混的辐射线固化性的单体成分，例如可列举出氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，辐射线固化性的低聚物成分可列举出聚氨酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，其分子量为100～30000左右的范围是适当的。辐射线固化性的单体成分、低聚物成分的配混量可以根据前述粘合剂层的种类适当确定能够降低粘合剂层的粘合力的量。通常，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为5～500重量份、优选为40～150重量份左右。
另外，作为辐射线固化型粘合剂，除了前述说明过的添加型的辐射线固化型粘合剂之外，可列举出：使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有碳碳双键的物质作为基础聚合物的内在型的辐射线固化型粘合剂。内在型的辐射线固化型粘合剂不需要含有作为低分子成分的低聚物成分等或含有得不多，因此低聚物成分等不会经时地在粘合剂中移动，能够形成稳定的层结构的粘合剂层，故而优选。
前述具有碳碳双键的基础聚合物可以没有特别限制地使用具有碳碳双键且具有粘合性的物质。作为这种基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物为基本骨架的聚合物。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可列举出前述例示的丙烯酸类聚合物。
对向前述丙烯酸类聚合物中导入碳碳双键的方法没有特别限制，可以采用各种方法，碳碳双键从聚合物侧链导入时，分子设计容易。例如，可列举出如下的方法：预先使丙烯酸类聚合物与具有官能团的单体共聚，然后将具有能与该官能团反应的官能团和碳碳双键的化合物在维持碳碳双键的辐射线固化性的状态下进行缩合或加成反应的方法。
作为这些官能团的组合的例子，可列举出羧酸基团和环氧基、羧酸基团和氮丙啶基、羟基和异氰酸酯基等。这些官能团的组合当中，从反应追踪的容易性出发，羟基和异氰酸酯基的组合是适宜的。另外，只要是能利用这些官能团的组合生成具有前述碳碳双键的丙烯酸类聚合物那样的组合，则官能团可以位于丙烯酸类聚合物和前述化合物中的任意侧，在前述优选的组合中，丙烯酸类聚合物具有羟基、前述化合物具有异氰酸酯基的情况是适宜的。此时，作为具有碳碳双键的异氰酸酯化合物，例如可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸类聚合物，可以使用将前述例示的含羟基单体、2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚这样的醚系化合物等共聚而成的物质。
前述内在型的辐射线固化型粘合剂可以单独使用前述具有碳碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，也可以以不使特性恶化的水平配混前述辐射线固化性的单体成分、低聚物成分。辐射线固化性的低聚物成分等相对于100重量份基础聚合物，通常为30重量份的范围内、优选为0～10重量份的范围。
前述辐射线固化型粘合剂中，在利用紫外线等进行固化的情况下含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯甲酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚系化合物；苯偶酰二甲基缩酮等缩酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯基-1,1-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配混量相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为0.05～20重量份左右。
另外，作为辐射线固化型粘合剂，例如可列举出日本特开昭60-196956号公报中公开的橡胶系粘合剂或丙烯酸类粘合剂等，所述橡胶系粘合剂或丙烯酸类粘合剂含有：具有2个以上不饱和键的加聚性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物、以及羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐系化合物等光聚合引发剂。
前述辐射线固化型的粘合剂层2中，也可以根据需要含有利用辐射线照射而着色的化合物。通过在粘合剂层2中含有利用辐射线照射而着色的化合物，能够仅使经辐射线照射的部分着色。利用辐射线照射而着色的化合物是在辐射线照射前为无色或浅色，利用辐射线照射而变为有色的化合物，例如，可列举出隐色染料等。利用辐射线照射而着色的化合物的使用比例可以适当设定。
对粘合剂层2的厚度没有特别限定，从防止芯片切截面的缺口、兼顾粘接层的固定保持等观点出发，优选为1～50μm左右。优选为2～30μm、进一步优选为5～25μm。
切割/芯片接合薄膜10、12的粘接片3、3’优选用隔离膜保护(未图示)。隔离膜具有作为保护粘接片3、3’直至供于实用的保护材料的功能。隔离膜在要将工件贴合于切割/芯片接合薄膜的粘接片3、3’上时被剥离。作为隔离膜，也可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯；用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜或纸等。
切割/芯片接合薄膜10、12可以通过通常的方法制造。例如，通过将切割薄膜11的粘合剂层2与粘接片3、3’粘贴，从而能够制造切割/芯片接合薄膜10、12。
[半导体装置的制造方法]
一边参照图3一边对使用切割/芯片接合薄膜10的半导体装置的制造方法进行说明。图3为示出半导体装置的一种制造工序的图。
首先，在切割/芯片接合薄膜10的粘接片3的半导体晶圆贴附部分3a上压接半导体晶圆4，将其粘接保持并固定(贴附工序)。本工序利用压接辊等按压手段边按压边进行。
接着，进行半导体晶圆4的切割。由此，将半导体晶圆4切断成规定的尺寸使其单片化，制造半导体芯片5。切割例如自半导体晶圆4的电路面侧根据常法进行。另外，本工序中，例如可以采用将切割进行至切割/芯片接合薄膜10为止的、被称为全切割(full cut)的切断方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别限定，可以使用现有公知的装置。
为了将粘接固定于切割/芯片接合薄膜10的半导体芯片5剥离，而进行半导体芯片5的拾取。作为拾取的方法，没有特别限定，可以采用现有公知的各种方法。例如，可列举出：将各个半导体芯片5自切割/芯片接合薄膜10侧用针形件(needle)顶起，利用拾取装置拾取被顶起的半导体芯片5的方法等。
此处，关于拾取，在粘合剂层2为紫外线固化型的情况下，在对该粘合剂层2照射紫外线后进行。由此，粘合剂层2对粘接片3的粘合力降低，半导体芯片5的剥离变得容易。其结果，能够无损伤地拾取半导体芯片5。对紫外线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限定，根据需要适当设定即可。
拾取的半导体芯片5介由粘接片3粘接固定于被粘物6(芯片接合)。芯片接合温度优选为80～150℃。
接着，通过对粘接片3进行加热处理，从而将半导体芯片5与被粘物6粘接。加热处理的温度优选为80℃以上、更优选为170℃以上。加热处理的温度优选为200℃以下、更优选为180℃以下。加热处理的温度为上述范围时，能够良好地粘接。另外，加热处理的时间可以适当设定。
接着，进行将被粘物6的端子部(内部引线)的前端与半导体芯片5上的电极焊盘(未图示)利用接合线7电连接的引线接合工序。作为接合线7，例如可以使用金线、铝线或铜线等。进行引线接合时的温度优选为80℃以上、更优选为120℃以上，该温度优选为250℃以下、更优选为175℃以下。另外，其加热时间进行几秒～几分钟(例如，1秒～1分钟)。线连接通过在加热至前述温度范围内的状态下、组合使用由超声波得到的振动能量和由施加压力得到的压接能量而进行。
接着，进行利用密封树脂8将半导体芯片5密封的密封工序。本工序是为了保护搭载于被粘物6的半导体芯片5、接合线7而进行的。本工序通过将密封用的树脂在模具内成型而进行。作为密封树脂8，例如使用环氧系的树脂。树脂密封时的加热温度优选为165℃以上、更优选为170℃以上，该加热温度优选为185℃以下、更优选为180℃以下。
根据需要，也可以进一步对密封物进行加热(后固化工序)。由此，能将密封工序中固化不足的密封树脂8完全固化。加热温度可以适当设定。
如上所述，通过如下的方法，能够制造半导体装置。即，所述方法具有：工序(I)，将切割/芯片接合薄膜的粘接片和半导体晶圆粘贴；工序(II)，切割半导体晶圆，形成半导体芯片；工序(III)，将由工序(II)形成的半导体芯片与粘接片一起拾取；以及工序(IV)，将由工序(III)拾取的半导体芯片介由粘接片芯片接合到被粘物上。
实施例
以下，使用实施例对本发明进行详细说明，但本发明在不超出其要旨的前提下，不限定于以下实施例。
对实施例中使用的成分进行说明。
丙烯酸类橡胶：Nagase ChemteX Corporation制造的Teisanresin SG-790(丙烯酸酯共聚物、Mw：50万、玻璃化转变温度：-32℃)
固态环氧树脂：日本化药株式会社制造的KI-3000-4(邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、Mw：1250)
酚醛树脂：明和化成株式会社制造的MEH-7851H(酚醛树脂、Mw：1580)
液态环氧树脂：三菱化学株式会社制造的JER827(双酚A型环氧树脂、Mw：370)
催化剂：HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造的TPP-MK(四苯基鏻四对甲苯基硼酸盐)
填料1：株式会社Admatechs制造的AO802(球状氧化铝填料、平均粒径：0.7μm、比表面积：7.5m2/g)
填料2：电气化学工业株式会社制造的ASFP-20(球状氧化铝填料、平均粒径：0.3μm、比表面积：12.5m2/g)
填料3：株式会社Admatechs制造的AO809(球状氧化铝填料、平均粒径：10μm、比表面积：1m2/g)
填料4：电气化学工业株式会社制造的DAW-07(球状氧化铝填料、平均粒径：8.1μm、比表面积：0.4m2/g)
填料5：电气化学工业株式会社制造的DAW-03(球状氧化铝填料、平均粒径：5.1μm、比表面积：0.5m2/g)
硅烷偶联剂：信越化学工业株式会社制造的KBM-403(3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷)。
对填料的表面处理方法进行说明。
将填料1～5用硅烷偶联剂进行表面处理，得到表面处理填料1～5。表面处理通过干式法进行，利用下述式所示的量的硅烷偶联剂进行处理。
硅烷偶联剂处理量＝(填料的重量(g)×填料的比表面积(m2/g))/硅烷偶联剂的最小覆盖面积(m2/g)
硅烷偶联剂的最小覆盖面积(m2/g)＝6.02×1023×13×10-20/硅烷偶联剂的分子量
[实施例和比较例]
粘接片的制作
按照表1和表2中记载的配混比，将丙烯酸类橡胶、固态环氧树脂、酚醛树脂、液态环氧树脂、催化剂和表面处理填料溶解于甲乙酮(MEK)，使其分散，得到适于涂覆的粘度的粘接剂组合物溶液。然后，使用635目(孔隙20μm)的斜纹SUS网过滤粘接剂组合物溶液，将滤液涂布到进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后，在130℃下干燥2分钟，得到粘接片(厚度25μm)。
切割/芯片接合薄膜的制作
将粘接片在25℃下贴附到切割薄膜(日东电工株式会社制造的P2130G)的粘合剂层上，制作切割/芯片接合薄膜。
使用得到的粘接片和切割/芯片接合薄膜进行以下的评价。将结果示于表1。
(填料的粒度分布和平均粒径的测定)
将粘接片放入坩埚中，在大气气氛下、700℃下加强热2小时，使其灰化。将得到的灰分分散在纯水中，进行10分钟超声波处理，使用激光衍射散射式粒度分布测定装置(贝克曼库尔特公司制造，“LS13320”；湿式法)求出粒度分布(体积基准)和平均粒径。需要说明的是，作为粘接片的组成，除填料以外为有机成分，通过上述强热处理，实质上全部有机成分被烧掉，因此将得到的灰分视为填料进行测定。
(填料的BET比表面积的测定)
BET比表面积通过BET吸附法(多点法)测定。具体而言，使用Quantachrome制造的四联式比表面积·微孔分布测定装置“NOVA-4200e型”，将根据上述“填料的粒度分布和平均粒径的测定”一项而得到的灰分在110℃下真空脱气6小时以上，然后在氮气中、在77.35K的温度下进行测定。
(填埋性试验)
使用磨削装置(株式会社DISCO制造的DGP-8760)，磨削裸硅晶圆(8英寸直径、厚度750μm)的背面，得到厚度100μm的硅晶圆。在切割/芯片接合薄膜的粘接片上粘贴硅晶圆。粘贴条件如下所述。
<粘贴条件＞
贴附装置：日东精机株式会社制造、DR-3000II
贴附速度计：100mm/min
贴附压力：0.3MPa
贴附时的载台温度：23℃
接着，切割硅晶圆，形成半导体芯片。切割以成为10mm×10mm(10mm见方)的芯片尺寸的方式进行切割。切割条件如下所述。
<切割条件＞
切割环装置：DISCO株式会社制造，Dicer(DFD6760)
切割方式：分步切割(step cut)
Z1刀片：DISCO株式会社制造，203O‐SE27HCDD
Z2刀片：DISCO株式会社制造，203O-SE27HCBB
Z1刀片高度：切入至晶圆的一半
Z2刀片高度：在切割薄膜中切入20μm
Z1切割速度：30mm/sec
Z2切割速度：30mm/sec
Z1转速：40000rpm
Z2转速：45000rpm
使用新川株式会社制造的芯片接合机SPA-300，在130℃、1kg、1sec的条件下在AUS308的BGA基板上将带粘接片(厚度25μm)的半导体芯片(10mm×10mm×厚度100μm)芯片接合。作为BGA基板，使用在芯片接合前在150℃下加热2小时而去除了水分的基板。然后，将芯片贴装有半导体芯片的BGA基板在130℃下加热处理1小时，用超声波显微镜(SAT试验)观察空隙，求出空隙的面积。将空隙的面积为20％以下的情况设为○，将超过20％的情况设为×。
(可靠性试验：耐湿回流焊性)
将粘接片(厚度20μm)分别在温度40℃的条件下贴附于10mm见方的半导体芯片后，介由粘接片将半导体芯片安装于BGA基板。安装条件设为：温度120℃、压力0.1MPa、1sec。接着，将安装有半导体芯片的BGA基板用干燥机在130℃下热处理1小时，然后用密封树脂(日东电工株式会社制造，GE-100)封装。密封条件设为：加热温度175℃、90秒。然后，在85℃、60％Rh、168小时的条件下进行吸湿，进而在设定为可在260℃以上保持10秒的IR回流焊炉中载置半导体封装体。然后，用玻璃刀切断半导体封装体，用超声波显微镜观察其截面，确认粘接片与BGA基板的边界有无剥离。确认对9个半导体芯片进行，将发生剥离的半导体芯片为0个的情况设为○，将1个以上的情况设为×。
表1
表2

Claims (14)

1.一种粘接片，其包含球状氧化铝填料和树脂成分，所述树脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)，相对于100重量份粘接片，所述球状氧化铝填料的含量为78～88重量份，所述球状氧化铝填料的平均粒径为2～9μm、比表面积为0.8～8.0m2/g，由所述高分子量成分(A)的重量/所述高分子量成分(A)和所述低分子量成分(B)的总重量表示的重量比为0.03～0.25。
2.根据权利要求1所述的粘接片，其中，在所述球状氧化铝填料的粒度分布中，存在2个以上的峰，第一峰存在于0.2～0.8μm的粒径范围，第二峰存在于3～15μm的粒径范围，第二峰的粒径/第一峰的粒径为7～15。
3.根据权利要求1所述的粘接片，其中，所述球状氧化铝填料用硅烷偶联剂进行了处理。
4.根据权利要求1所述的粘接片，其中，所述低分子量成分(B)至少包含环氧树脂和酚醛树脂。
5.根据权利要求4所述的粘接片，其中，所述环氧树脂包含液态的双酚型环氧树脂，由所述液态的双酚型环氧树脂的重量/所述低分子量成分(B)的重量表示的重量比为0.1～0.6。
6.根据权利要求1所述的粘接片，其中，所述高分子量成分(A)为丙烯酸类橡胶。
7.根据权利要求1所述的粘接片，其中，所述高分子量成分(A)的玻璃化转变温度为0℃以下。
8.根据权利要求1所述的粘接片，其中，所述球状氧化铝填料的最大粒径为20μm以下。
9.根据权利要求1所述的粘接片，其中，固化前的130℃下的熔融粘度为5～5000Pa·s。
10.根据权利要求1所述的粘接片，其中，固化后的玻璃化转变温度为100℃以上，固化后的260℃下的拉伸储能模量为10～1000MPa。
11.根据权利要求1所述的粘接片，其中，固化前的拉伸试验时的断裂伸长率为10～200％。
12.根据权利要求1所述的粘接片，其厚度为30μm以下。
13.根据权利要求1所述的粘接片，其用作芯片接合薄膜。
14.一种切割/芯片接合薄膜，其在带粘合剂层的基材的所述粘合剂层上层叠有权利要求1～13中任一项所述的粘接片。
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