CN105647405B - 导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法 - Google Patents

导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105647405B
CN105647405B CN201510836522.XA CN201510836522A CN105647405B CN 105647405 B CN105647405 B CN 105647405B CN 201510836522 A CN201510836522 A CN 201510836522A CN 105647405 B CN105647405 B CN 105647405B
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesive
film
dicing tape
conductive film
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510836522.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105647405A (zh
Inventor
菅生悠树
木村雄大
襖田光昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN105647405A publication Critical patent/CN105647405A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105647405B publication Critical patent/CN105647405B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

本发明提供固化后散热性高于固化前散热性的导电性膜状胶粘剂和带膜状胶粘剂的切割带。本发明涉及一种导电性膜状胶粘剂，其通过加热进行固化而得到的固化物的第1热导率相对于加热前的第2热导率之比的值(第1热导率/第2热导率)为2.0以上。

Description

导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的 制造方法
技术领域
本发明涉及导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法。
背景技术
在半导体装置的制造中，将半导体元件粘接于金属引线框等被粘物的方法(即所谓的芯片接合(die bonding)法)从以往的金－硅共晶开始逐渐过渡至利用焊料、树脂糊料的方法。现在有时使用导电性的树脂糊料。
然而，在使用树脂糊料的方法中，存在空孔导致导电性下降、或者树脂糊料的厚度不均匀、或者树脂糊料溢出导致焊盘被污染这样的问题。为了解决这些问题，有时使用含有聚酰亚胺树脂的膜状胶粘剂代替树脂糊料(例如参见专利文献1)。
也已知包含丙烯酸系树脂的膜状胶粘剂。例如在专利文献2中记载了通过使用玻璃化转变温度－10℃～50℃的丙烯酸类共聚物，来提高挠性、降低引线框等的热损伤的技术。
近年，进行电能的控制和供给的功率半导体装置正在明显普及。功率半导体装置中始终有电流流通，因此发热量大。因此，期望在功率半导体装置中使用的导电性的胶粘剂具有高散热性和低电阻率。
关于使用膜状胶粘剂的芯片接合法，如图10所示，已知包含将具备膜状胶粘剂503和半导体芯片505的芯片接合用芯片541压接至约100℃～约150℃的被粘物506的工序的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平6－145639号公报
专利文献2：日本专利4137827号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，本发明人进行了深入研究，结果发现，若膜状胶粘剂503的散热性高，则有时难以使膜状胶粘剂503软化至能够粘接于被粘物506的程度。
本发明的目的在于解决上述课题，提供固化后散热性高于固化前散热性的导电性膜状胶粘剂和带膜状胶粘剂的切割带。
用于解决问题的手段
本发明涉及第1热导率相对于第2热导率之比的值(第1热导率/第2热导率)为2.0以上的导电性膜状胶粘剂。第1热导率是通过加热使本发明的导电性膜状胶粘剂固化而得到的固化物的热导率。第2热导率为加热前的热导率。
第1热导率优选为1.7W/m·K以上。
本发明的导电性膜状胶粘剂优选包含导电性粒子。导电性粒子优选包含薄片状金属粒子和在200℃至少一部分会烧结的烧结性金属粒子。因此，通过使本发明的膜状胶粘剂固化，能够使热传导路径变宽，能够提高散热性。导电性粒子100重量％中的烧结性金属粒子的含量优选为5重量％～50重量％。
本发明的导电性膜状胶粘剂包含树脂成分。树脂成分优选包含热塑性树脂、热固性树脂。本发明的导电性膜状胶粘剂优选还包含固化剂。
本发明的导电性膜状胶粘剂的用途优选为芯片接合用途。
本发明还涉及具备切割带和在切割带上配置的导电性膜状胶粘剂的带膜状胶粘剂的切割带。切割带具备基材和在基材上配置的粘合剂层。
本发明还涉及半导体装置的制造方法，其包含将具备导电性膜状胶粘剂和在导电性膜状胶粘剂上配置的半导体芯片的芯片接合用芯片压接于被粘物的工序。
附图说明
图1为膜状胶粘剂的示意性截面图。
图2为带膜状胶粘剂的切割带的示意性截面图。
图3为变形例涉及的带膜状胶粘剂的切割带的示意性截面图。
图4为示意性表示在带膜状胶粘剂的切割带上配置有半导体晶片的状态的截面图。
图5为芯片接合用芯片等的示意性截面图。
图6为带半导体芯片的被粘物的示意性截面图。
图7为半导体装置的示意性截面图。
图8为评价基板的俯视图。
图9为试验基板的俯视图。
图10为芯片接合工序的示意性截面图。
具体实施方式
以下举出实施方式，详细说明本发明，但是本发明不仅限于这些实施方式。
[膜状胶粘剂3]
如图1所示，膜状胶粘剂3呈膜状。膜状胶粘剂3具备导电性和热固性。
膜状胶粘剂3还具备如下性质。即，通过加热进行固化而得到的固化物的第1热导率相对于加热前的第2热导率之比的值(第1热导率/第2热导率)为2.0以上。优选为2.5以上。第1热导率相对于第2热导率之比的值的上限没有特别限定，例如为5.0等。
第1热导率优选为1.7W/m·K以上、更优选为2.0W/m·K以上、进一步优选为2.5W/m·K以上、特别优选为3.0W/m·K以上。第1热导率的上限例如为20W/m·K、30W/m·K等。
第2热导率优选为0.3W/m·K以上、更优选为0.5W/m·K以上。另一方面，第2热导率优选为15W/m·K以下、更优选为10W/m·K以下。
第1热导率、第2热导率用实施例所述的方法进行测定。
优选膜状胶粘剂3还具备如下性质。即，通过加热进行固化而得到的固化物的第1电阻率相对于加热前的第2电阻率之比的值(第1电阻率/第2电阻率)优选为0.01以上、更优选为0.015以上。第1电阻率相对于第2电阻率之比的值的上限例如为0.95、0.9等。
第1电阻率优选为5×10－5Ω·m以下、更优选为3×10－5Ω·m以下。第1电阻率的下限例如为1×10－7Ω·m等。
第2电阻率优选为5×10－5Ω·m以下、更优选为4×10－5Ω·m以下。第2电阻率的下限例如为3×10－7Ω·m等。
第1电阻率、第2电阻率用实施例所述的方法进行测定。
优选膜状胶粘剂3还具备如下性质。即，固化物的175℃的储存弹性模量优选为50MPa以上。另一方面，固化物的175℃的储存弹性模量优选为1500MPa以下。
优选膜状胶粘剂3还具备如下性质。在40℃将膜状胶粘剂3粘贴于镜面硅晶片后，在25℃测定的密合力优选为1N/10mm以上、更优选为4N/10mm以上。若为1N/10mm以上，则膜状胶粘剂3可以在40℃左右的低温粘贴至半导体晶片。密合力的上限没有特别限定，例如为10N/10mm。
本说明书中，密合力是指从镜面硅晶片剥离膜状胶粘剂3时的剥离力，用如下方法测定。
使用2kg辊将40℃的镜面硅晶片粘贴至膜状胶粘剂3后，在40℃放置2分钟。之后，在常温(25℃)放置20分钟，得到具备膜状胶粘剂3和粘贴于膜状胶粘剂3的镜面硅晶片的样品。对于样品，使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所制的AGS－J)在剥离角度180度、剥离温度25℃、剥离速度300mm/分钟的条件下测定从镜面硅晶片剥离膜状胶粘剂3时的剥离力。
膜状胶粘剂3包含树脂成分。作为树脂成分，可以举出例如热塑性树脂、热固性树脂等。
作为热塑性树脂，可以举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸类共聚物、乙烯－丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂；6－尼龙、6,6－尼龙等聚酰胺树脂；苯氧基树脂、丙烯酸系树脂；PET、PBT等饱和聚酯树脂；聚酰胺酰亚胺树脂、或者氟树脂等。这些热塑性树脂之中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、可确保半导体元件的可靠性的丙烯酸系树脂。
作为丙烯酸系树脂，没有特别限定，可以举出以具备碳数为30以下、特别是碳数为4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物(丙烯酸系共聚物)等。作为上述烷基，可以举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2－乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二烷基等。
另外，作为形成聚合物(丙烯酸系共聚物)的其它单体，没有特别限定，可以举出例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；(甲基)丙烯酸2－羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4－羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6－羟基己酯、(甲基)丙烯酸8－羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10－羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12－羟基月桂酯或丙烯酸(4－羟甲基环己基)甲酯等各种含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体；或者2－羟基乙基丙烯酰磷酸酯等各种含磷酸基单体。
丙烯酸系树脂之中，优选重均分子量为10万以上的丙烯酸系树脂、更优选重均分子量为30万～300万的丙烯酸系树脂、进一步优选重均分子量为50万～200万的丙烯酸系树脂。这是因为，若为上述数值范围内，则粘接性和耐热性优异。需要说明的是，重均分子量是通过GPC(凝胶渗透色谱)测定并根据聚苯乙烯换算而算出的值。
丙烯酸系树脂优选包含可与环氧基反应的官能团。由此，可以使丙烯酸系树脂与环氧树脂交联。
作为可与环氧基反应的官能团，可以举出例如羧基、羟基等。其中，出于与环氧基的反应性高这样的理由，优选为羧基。
丙烯酸系树脂的酸值优选为1mgKOH/g以上、更优选为3mgKOH/g以上。若为1mgKOH/g以上，可以得到良好的凝聚力。另一方面，丙烯酸系树脂的酸值优选为20mgKOH/g以下、更优选为10mgKOH/g以下。
需要说明的是，酸值可以用JIS K 0070－1992中规定的中和滴定法进行测定。
热塑性树脂的玻璃化转变温度优选为－40℃以上、更优选为－35℃以上、进一步优选为－25℃以上。若低于－40℃，则膜状胶粘剂3有变得发粘从而拾取性变差的趋势。另外，热塑性树脂的玻璃化转变温度优选为－5℃以下、更优选为－10℃以下、进一步优选为－11℃以下。
树脂成分100重量％中的热塑性树脂的含量优选为5重量％以上、更优选为10重量％以上。另外，树脂成分100重量％中的热塑性树脂的含量优选为70重量％以下、更优选为50重量％以下、进一步优选为25重量％以下。
作为热固性树脂，可以举出酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂或热固性聚酰亚胺树脂等。尤其优选为使半导体元件腐蚀的离子性杂质等的含量少的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。
作为环氧树脂，没有特别限定，可以使用例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚线性酚醛型、邻甲酚线性酚醛型、三羟苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂；或者乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型或缩水甘油基胺型等环氧树脂。这些环氧树脂之中，特别优选线性酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲烷型树脂或四羟苯基乙烷型环氧树脂。这是因为，这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，且耐热性等优异。
作为环氧树脂，可以使用在25℃为固态的环氧树脂、在25℃为液态的环氧树脂等。
本说明书中，在25℃为液态是指，在25℃时粘度小于5000Pa·s。另一方面，在25℃为固态是指，在25℃时粘度为5000Pa·s以上。粘度可以通过Thermo Scientific公司制的型号HAAKE Roto VISCO1进行测定。
环氧树脂100重量％中的在25℃为固态的环氧树脂的含量优选为10重量％以上、更优选为30重量％以上。若小于10重量％，则膜状胶粘剂3有变得发粘从而拾取性变差的趋势。环氧树脂100重量％中的在25℃为固态的环氧树脂的含量优选为80重量％以下、更优选为70重量％以下。
在25℃为固态的环氧树脂的环氧当量优选为100g/eq.以上、更优选为110g/eq.以上。另一方面，在25℃为固态的环氧树脂的环氧当量优选为2000g/eq.以下、更优选为1500g/eq.以下。
环氧树脂的环氧当量可以用JIS K 7236－2009中规定方法进行测定。
在25℃为液态的环氧树脂的环氧当量优选为100g/eq.以上、更优选为110g/eq.以上。另一方面，在25℃为液态的环氧树脂的环氧当量优选为2000g/eq.以下、更优选为1500g/eq.以下。
酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂发挥作用，可以举出例如苯酚线性酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚线性酚醛树脂、叔丁基苯酚线性酚醛树脂、壬基苯酚线性酚醛树脂等线性酚醛型酚醛树脂、甲阶酚醛型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。这些酚醛树脂之中，特别优选苯酚线性酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为可以提高半导体装置的连接可靠性。
酚醛树脂的羟基当量优选为80g/eq.以上、更优选为85g/eq.以上。另一方面，酚醛树脂的羟基当量优选为1000g/eq.以下、更优选为900g/eq.以下。
环氧树脂与酚醛树脂的配合比例例如适合按照相对于环氧树脂成分中的环氧基每1当量，酚醛树脂中的羟基为0.5～2.0当量的方式配合。更适合的为0.8～1.2当量。即这是因为，若两者的配合比例在上述范围外，则不能进行充分的固化反应，固化物的特性容易劣化。
树脂成分100重量％中的热固性树脂的含量优选为30重量％以上、更优选为50重量％以上、进一步优选为75重量％以上。树脂成分100重量％中的热固性树脂的含量优选为95重量％以下、更优选为90重量％以下。
膜状胶粘剂3包含导电性粒子。
作为导电性粒子，可以适当使用烧结性金属粒子、薄片状金属粒子等。
烧结性金属粒子具有在200℃至少一部分会烧结的性质。因此，在标准的固化条件下烧结性金属粒子会发生烧结。因此，通过使膜状胶粘剂3固化，能够使热传导路径变宽，可以提高散热性。另外，可以降低电阻率。
作为烧结性金属粒子，可以适当使用金属微粒的凝聚体。作为金属微粒，可以举出包含金属的微粒、被覆微粒等。被覆微粒具备核微粒和被覆核微粒的被覆膜。作为核微粒的材料，可以举出玻璃等。作为被覆膜的材料，可以举出金属。作为金属，可以举出金、银、铜等。
烧结性金属粒子的平均粒径优选为0.005μm以上、更优选为0.01μm以上。作为平均粒径的下限，还可以例示出0.1μm、0.5μm、1μm。另一方面，烧结性金属粒子的平均粒径优选为30μm以下、更优选为25μm以下。作为平均粒径的上限，还可以例示出20μm、15μm、10μm、5μm。
烧结性金属粒子的平均粒径用如下方法测定。即，使用粒度分布测定装置(日机装制的MICROTRAC HRA)以标准模式进行测定，将由此所求出的D50数据作为粒径。
烧结性金属粒子的形状没有特别限定，例如为无定形。
薄片状金属粒子的平均长径优选为0.5μm以上、更优选为1.0μm以上。若为0.5μm以上，则可以有效地降低电阻率。另一方面，薄片状金属粒子的平均长径优选为50μm以下、更优选为30μm以下。
薄片状金属粒子的纵横比优选为5以上、优选为8以上、更优选为10以上。若为5以上，可以有效地降低电阻率。另一方面，薄片状金属粒子的纵横比优选为10000以下、更优选为100以下、进一步优选为70以下、特别优选为50以下。
薄片状金属粒子的纵横比是平均长径相对于平均厚度之比的值(平均长径/平均厚度)。本说明书中，薄片状粒子的平均长径是，利用扫描电子显微镜(SEM)观察膜状胶粘剂3的截面，测定随机选出的100个薄片状金属粒子的长径，从而得到的平均值。薄片状金属粒子的平均厚度是，利用扫描电子显微镜(SEM)观察膜状胶粘剂3的截面，测定随机选出的100个薄片状金属粒子的厚度，从而得到的平均值。
作为薄片状金属粒子的材料，可以举出金、银、铜等。作为薄片状金属粒子，可以举出包含金属的薄片状的粒子、薄片状的被覆粒子等。被覆粒子具备核粒子和被覆核粒子的被覆膜。作为核粒子的材料，可以举出玻璃等。作为被覆膜的材料，可以举出金属。作为金属，可以举出金、银、铜等。
导电性粒子100重量％中的烧结性金属粒子的含量优选为5重量％以上、更优选为10重量％以上、进一步优选为15重量％以上。导电性粒子100重量％中的烧结性金属粒子的含量优选为50重量％以下、更优选为40重量％以下、进一步优选为35重量％以下。若大于50重量％，则有不易膜化的趋势。
膜状胶粘剂3中的导电性粒子的含量优选为50重量％以上、更优选为60重量％以上、进一步优选为70重量％以上、特别优选为75重量％以上。膜状胶粘剂3中的导电性粒子的含量优选为95重量％以下、更优选为90重量％以下。若大于95重量％，则有不易膜化的趋势。
膜状胶粘剂3在上述成分以外还可以适当含有通常用于膜制造的配合剂、例如交联剂等。
膜状胶粘剂3可以用通常的方法制造。例如，制造含有上述各成分的胶粘剂组合物溶液，将胶粘剂组合物溶液以达到规定厚度的方式涂布在基材隔膜上从而形成涂布膜后，使该涂布膜干燥，由此可以制造膜状胶粘剂3。
作为用于胶粘剂组合物溶液的溶剂没有特别限定，优选可以将上述各成分均匀溶解、混炼或分散的有机溶剂。可以举出例如：二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、环己酮等酮系溶剂；甲苯、二甲苯等。涂布方法没有特别限定。作为溶剂涂敷的方法，可以举出例如：模涂机、凹版涂布机、辊涂机、反转涂布机、逗号涂布机、管刀涂布机、丝网印刷等。其中，从涂布厚度的均匀性高的方面出发，优选模涂机。
作为基材隔膜，能够使用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯；利用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行表面涂布后的塑料膜或纸等。作为胶粘剂组合物溶液的涂布方法，可以举出例如：辊涂、丝网涂敷、凹版涂敷等。另外，涂布膜的干燥条件没有特别限定，例如可以以干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟的条件进行。
作为膜状胶粘剂3的制造方法，例如还优选：将上述各成分用混合器混合，对所得到的混合物进行压制成形而制造膜状胶粘剂3的方法等。作为混合器，可以举出行星式混合器等。
膜状胶粘剂3的厚度没有特别限定，优选为5μm以上、更优选为15μm以上。若小于5μm，则有时与半导体晶片、半导体芯片接触的面积不稳定。另外，膜状胶粘剂3的厚度优选为100μm以下、更优选为50μm以下。若超过100μm，则有可能由于芯片贴装的载重而使膜状胶粘剂3过度溢出。
膜状胶粘剂3用于制造半导体装置。其中，可以适合地用于制造功率半导体装置。具体来说，用作将引线框等被粘物与半导体芯片粘接的(进行芯片贴装)芯片贴装膜。作为被粘物，可以举出引线框、内插器、半导体芯片等。
膜状胶粘剂3优选以带膜状胶粘剂的切割带的形态使用。
[带膜状胶粘剂的切割带10]
如图2所示，带膜状胶粘剂的切割带10具备切割带1、和在切割带1上配置的膜状胶粘剂3。切割带1具备基材11和在基材11上配置的粘合剂层12。膜状胶粘剂3被配置在粘合剂层12上。
如图3所示，带膜状胶粘剂的切割带10也可以是仅在工件(半导体晶片4等)粘贴部分形成有膜状胶粘剂3的构成。
基材11成为带膜状胶粘剂的切割带10的强度母体，优选具有紫外线透射性的基材。作为基材11，可以举出例如：低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃；乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯－(甲基)丙烯酸类共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯－丁烯共聚物、乙烯－己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(纸)、玻璃、玻璃纤维布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纤维素系树脂、硅树脂、金属(箔)、纸等。
为了提高与相邻的层的密合性、保持性等，基材11的表面可以实施惯用的表面处理，例如：铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子射线处理等化学性或物理性处理、利用底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂布处理。
基材11的厚度没有特别限制，可以适当确定，一般为5～200μm左右。
作为用于形成粘合剂层12的粘合剂，没有特别限制，可以使用例如丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等通常的压敏性胶粘剂。从半导体晶片、玻璃等忌讳污染的电子部件的利用超纯水、醇等有机溶剂的清洁清洗性等方面出发，作为压敏性胶粘剂，优选以丙烯酸系聚合物为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂。
作为丙烯酸系聚合物，可以举出例如将(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一酯、十二酯、十三酯、十四酯、十六酯、十八酯、二十酯等烷基的碳数为1～30、特别是碳数为4～18的直链状或支链状的烷基酯等)和(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)中的1种或2种以上用作单体成分的丙烯酸系聚合物等。需要说明的是，所谓的(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的所有(甲基)为同样的意思。
以凝聚力、耐热性等的改善为目的，丙烯酸系聚合物可以根据需要含有能够与上述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其他单体成分所对应的单元。作为这种单体成分，可以举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基的单体；2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基的单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些可共聚的单体成分可以使用1种或2种以上。这些可共聚的单体的使用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
此外，为了发生交联，丙烯酸系聚合物还可以根据需要含有多官能性单体等作为共聚用单体成分。作为这种多官能性单体，可以举出例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。从粘合特性等方面出发，多官能性单体的使用量优选为全部单体成分的30重量％以下。
丙烯酸系聚合物是通过将单一单体或2种以上单体的混合物进行聚合来获得的。聚合还可以以溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任一方式进行。从防止对清洁的被粘物的汚染等方面出发，优选低分子量物质的含量小。从此方面出发，丙烯酸系聚合物的数均分子量优选为30万以上，进一步优选为40万～300万左右。
另外，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸系聚合物等的数均分子量，上述粘合剂也可以适当采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可以举出添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交联剂等所谓的交联剂使之反应的方法。使用外部交联剂的情况下，其使用量可以根据与要进行交联的基础聚合物的均衡、以及根据作为粘合剂的使用用途来适当确定。通常，相对于上述基础聚合物100重量份，外部交联剂优选配合5重量份左右以下，进一步优选配合0.1～5重量份。此外，粘合剂中除了上述成分以外还可以根据需要使用以往公知的各种增粘剂、抗老化剂等添加剂。
粘合剂层12可以利用放射线固化型粘合剂来形成。对于放射线固化型粘合剂，可以利用紫外线等放射线的照射来增大交联度，从而容易地使其粘合力下降。
通过仅对图2所示的粘合剂层12的工件粘贴部分所对应的部分12a进行放射线照射，能够设置与其他部分12b之间的粘合力差。该情况下，利用未固化的放射线固化型粘合剂形成的上述部分12b与膜状胶粘剂3粘合，能够确保切割时的保持力。
另外，通过与图3所示的膜状胶粘剂3对应地使放射线固化型的粘合剂层12发生固化，能够形成粘合力显著下降的上述部分12a。该情况下，能够将晶片环固定在利用未固化的放射线固化型粘合剂形成的上述部分12b上。
即，利用放射线固化型粘合剂形成粘合剂层12的情况下，优选对上述部分12a进行放射线照射使得粘合剂层12中的上述部分12a的粘合力＜其他部分12b的粘合力。
放射线固化型粘合剂可以没有特别限定地使用具有碳-碳双键等放射线固化性的官能团且示出粘合性的物质。作为放射线固化型粘合剂，可以示例例如在上述丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等通常的压敏性粘合剂中配合放射线固化性的单体成分或低聚物成分的添加型的放射线固化型粘合剂。
作为所配合的放射线固化性的单体成分，可以举出例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，放射线固化性的低聚物成分可以举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量为100～30000的程度范围的低聚物是适当的。放射线固化性的单体成分、低聚物成分的配合量可以根据上述粘合剂层的种类，适当确定能够使粘合剂层的粘合力降低的量。通常，相对于构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物100重量份，为例如5～500重量份、优选为40～150重量份左右。
另外，作为放射线固化型粘合剂，除上述说明的添加型的放射线固化型粘合剂之外，还可以举出使用在聚合物侧链或者主链中或主链末端具有碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型的放射线固化型粘合剂。由于内在型的放射线固化型粘合剂无需含有作为低分子成分的低聚物成分等、或者不大量含有作为低分子成分的低聚物成分等，因而低聚物成分等不会随着时间的推移在粘合剂层中发生移动，能够形成稳定的层结构的粘合剂层，因此内在型的放射线固化型粘合剂是优选的。
具有上述碳-碳双键的基础聚合物可以没有特别限定地使用具有碳-碳双键且具有粘合性的聚合物。作为这种基础聚合物，优选以丙烯酸系聚合物作为基础骨架的聚合物。作为丙烯酸系聚合物的基础骨架，可以举出上述示例的丙烯酸系聚合物。
对于将碳-碳双键导入上述丙烯酸系聚合物中的导入方法没有特别限制，可以采用各种方法，但碳-碳双键导入聚合物侧链中的情况容易进行分子设计。例如可以举出如下方法：预先使丙烯酸系聚合物与具有官能团的单体共聚后，在维持碳-碳双键的放射线固化性的状态下使具有能够与该官能团发生反应的官能团和碳-碳双键的化合物进行缩合或加成反应。
作为这些官能团的组合的例子，可以举出羧酸基和环氧基、羧酸基和氮丙啶基、羟基和异氰酸酯基等。从反应追踪的容易性出发，这些官能团的组合中，羟基和异氰酸酯基的组合是适宜的。另外，只要是可利用这些官能团的组合生成上述具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物的组合，则官能团就可以位于丙烯酸系聚合物和上述化合物中的任一侧，但在上述优选的组合中，优选丙烯酸系聚合物具有羟基、上述化合物具有异氰酸酯基的情况。该情况下，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，可以举出例如甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸系聚合物，可以使用共聚有上述示例的含羟基的单体、2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚的醚系化合物等的丙烯酸系聚合物。
上述内在型的放射线固化型粘合剂可以单独使用具有上述碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸系聚合物)，在不使特性变差的程度上，也可以配合上述放射线固化性的单体成分、低聚物成分。相对于基础聚合物100重量份，放射线固化性的低聚物成分等通常为30重量份的范围内，优选为0～10重量份的范围。
对于上述放射线固化型粘合剂，利用紫外线等使其发生固化的情况下，使其含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可以举出例如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代-1-丙酮等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚系化合物；苯偶酰二甲基缩酮等缩酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯甲酮-1,1―丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。相对于构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物100重量份，光聚合引发剂的配合量为例如0.05～20重量份左右。
另外，作为放射线固化型粘合剂，可以举出例如日本特开昭60-196956号公报中公开的橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂等，所述橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂中含有具有2个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物、以及羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐系化合物等光聚合引发剂。
上述放射线固化型的粘合剂层12中，可以根据需要含有利用放射线照射发生着色的化合物。通过使粘合剂层12中含有利用放射线照射发生着色的化合物，能够仅对经放射线照射的部分进行着色。利用放射线照射发生着色的化合物为在放射线照射前为无色或淡色，利用放射线照射变为有色的化合物，可以举出例如隐色体染料等。利用放射线照射发生着色的化合物的使用比例可以适当设定。
对于粘合剂层12的厚度没有特别限定，从兼顾芯片切割面缺口的防止和膜状胶粘剂3的固定保持等方面出发，其优选为1～50μm的程度。优选为2～30μm，进一步优选为5～25μm。
优选用隔膜对带膜状胶粘剂的切割带10的膜状胶粘剂3进行了保护(未图示)。隔膜具有在供于实用之前作为保护膜状胶粘剂3的保护材料的功能。隔膜在要往膜状胶粘剂3上贴合工件时被剥离。作为隔膜，也能够使用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯；利用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行表面涂布后的塑料膜或纸等。
带膜状胶粘剂的切割带10可以用通常的方法制造。例如，通过将切割带1的粘合剂层12与膜状胶粘剂3贴合，可以制造带膜状胶粘剂的切割带10。
在剥离温度25℃、剥离速度300mm/分钟的条件下将膜状胶粘剂3从切割带1剥离时的剥离力优选为0.01～3.00N/20mm。若小于0.01N/20mm，则在切割时有可能发生芯片飞散。另一方面，若大于3.00N/20mm，则有拾取变得困难的趋势。
[半导体装置的制造方法]
对半导体装置的制造方法进行说明。
如图4所示，将带膜状胶粘剂的切割带10压接于半导体晶片4。作为半导体晶片4，可以举出硅晶片、碳化硅晶片、化合物半导体晶片等。作为化合物半导体晶片，可以举出氮化镓晶片等。
作为压接方法，可以举出例如利用压接辊等按压装置进行按压的方法等。
压接温度(粘贴温度)优选为35℃以上，更优选为37℃以上。优选压接温度的上限低，优选为50℃以下，更优选为45℃以下。通过在低温下进行压接，能够抑制半导体晶片4的翘曲。
另外，压力优选为1×105Pa～1×107Pa，更优选为2×105Pa～8×106Pa。
如图5所示，通过切割半导体晶片4，形成芯片接合用芯片41。芯片接合用芯片41具备膜状胶粘剂3和在膜状胶粘剂3上配置的半导体芯片5。在本工序中，例如可以采用切入至带膜状胶粘剂的切割带10为止的被称作全切的切割方式等。作为本工序中使用切割装置，没有特别限定，可以使用以往公知的装置。另外，半导体晶片4利用带膜状胶粘剂的切割带10进行粘接固定，因而能够抑制芯片缺口、芯片飞散，并且也能够抑制半导体晶片4的破损。
对芯片接合用芯片41进行拾取。作为拾取的方法，没有特别限定，可以采用以往公知的各种方法。可以举出例如将芯片接合用芯片41从切割带1侧起利用针上顶，接着利用拾取装置对被顶上来的芯片接合用芯片41进行拾取的方法等。
粘合剂层12为紫外线固化型的情况下，在对粘合剂层12进行紫外线照射后进行拾取。由此，粘合剂层12的对芯片接合用芯片41的粘合力下降，因而能够容易地拾取芯片接合用芯片41。对于紫外线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限定，根据需要适当设定即可。
如图6所示，通过将芯片接合用芯片41压接于被粘物6，得到带半导体芯片的被粘物61。带半导体芯片的被粘物61具备被粘物6、在被粘物6上配置的膜状胶粘剂3、和在膜状胶粘剂3上配置的半导体芯片5。
将芯片接合用芯片41压接于被粘物6的温度(以下称为“芯片贴装温度”)优选为80℃以上、更优选为90℃以上。另外，芯片贴装温度优选为150℃以下、更优选为130℃以下。
通过将带半导体芯片的被粘物61在加压下进行加热，从而使膜状胶粘剂3固化。通过在加压下使膜状胶粘剂3热固化，能够消灭在膜状胶粘剂3与被粘物6之间存在的空孔，并且可以确保膜状胶粘剂3与被粘物6接触的面积。
作为在加压下进行加热的方法，可以举出例如对在填充有不活泼气体的腔内配置的带半导体芯片的被粘物61进行加热的方法等。加压气氛的压力优选为0.5kg/cm2(4.9×10－2MPa)以上、更优选为1kg/cm2(9.8×10－2MPa)以上、进一步优选为5kg/cm2(4.9×10－ 1MPa)以上。若为0.5kg/cm2以上，则可以容易地消灭在膜状胶粘剂3与被粘物6之间存在的空孔。加压气氛的压力优选为20kg/cm2(1.96MPa)以下、更优选为18kg/cm2(1.77MPa)以下、进一步优选为15kg/cm2(1.47MPa)以下。若为20kg/cm2以下，则可以抑制过度加压导致的膜状胶粘剂3的溢出。
加热温度优选为80℃以上、更优选为100℃以上、进一步优选为120℃以上、特别优选为170℃以上。若为80℃以上，则能够使膜状胶粘剂3为适度的硬度，并且可以通过加压固化有效地使空孔消失。加热温度优选为260℃以下、更优选为220℃以下、进一步优选为200℃以下、特别优选为180℃以下。若为260℃以下，则可以防止固化前的膜状胶粘剂3的分解。
加热时间优选为0.1小时以上、更优选为0.2小时以上、进一步优选为0.5小时以上。若为0.1小时以上，可以充分地得到加压的效果。加热时间优选为24小时以下、更优选为3小时以下、进一步优选为1小时以下。
如图7所示，进行用焊线7将被粘物6的端子部(内部引线)的前端与半导体芯片5上的电极焊盘(未图示)进行电连接的丝焊工序。作为焊线7，可以使用例如金线、铝线或铜线等。进行丝焊时的温度优选为80℃以上、更优选为120℃以上、该温度优选为250℃以下、更优选为175℃以下。另外，以其加热时间为几秒～几分钟(例如1秒～1分钟)的条件进行。接线是在加热达到上述温度范围内的状态下通过合用超声波带来的振动能量和加压带来的压接能量而进行的。
接下来，进行利用密封树脂8将半导体芯片5密封的密封工序。本工序是为了保护搭载于被粘物6的半导体芯片5和焊线7而进行的。本工序通过用模具对密封用树脂进行成形来进行。作为密封树脂8，例如可以举出环氧系的树脂。树脂密封时的加热温度优选为165℃以上、更优选为170℃以上，加热温度优选为185℃以下、更优选为180℃以下。
可以根据需要进一步对密封物进行加热(后固化工序)。由此，可以使在密封工序中固化不足的密封树脂8完全固化。加热温度可以适当设定。
如上所述，通过包含将具备膜状胶粘剂3和在膜状胶粘剂3上配置的半导体芯片5的芯片接合用芯片41压接至被粘物6的工序的方法，可以制造半导体装置。该方法还包括：对通过将芯片接合用芯片41压接于被粘物6的工序得到的带半导体芯片的被粘物61进行加热，由此使膜状胶粘剂3固化的工序。
更详细而言，实施方式1的方法包含：准备带膜状胶粘剂的切割带10的工序；将半导体晶片4压接于膜状胶粘剂3的工序；通过对在膜状胶粘剂3上配置的半导体晶片4进行切割来形成芯片接合用芯片41的工序；将芯片接合用芯片41压接于被粘物6的工序；对通过将芯片接合用芯片41压接于被粘物6的工序得到的带半导体芯片的被粘物61进行加热，从而使膜状胶粘剂3固化的工序。
实施例
以下，对于本发明，使用实施例详细进行说明，但本发明在不超出其主旨构成的情况下不限于以下的实施例。
对在实施例中使用的成分进行说明。
热塑性树脂：Nagase Chemtex株式会社制的Teisan Resin SG－70L(具备羧基和羟基的丙烯酸系共聚物、Mw：90万、酸值：5mgKOH/g、玻璃化转变温度：－13℃)
环氧树脂1：日本化药株式会社制的EOCN－1020－4(环氧当量198g/eq.、在25℃为固态的环氧树脂)
环氧树脂2：三菱化学株式会社制的JER828(具有双酚型骨架的在25℃为液态的环氧树脂、环氧当量184g/eq.～194g/eq.)
环氧树脂3：DIC株式会社制的EPICLON EXA－4816(环氧当量403g/eq.、在25℃为液态的环氧树脂)
酚醛树脂1：明和化成株式会社制的MEH－8000H(羟基当量139g/eq.～143g/eq.的酚醛树脂)
酚醛树脂2：明和化成株式会社制的MEH－8005(羟基当量133g/eq.～138g/eq.的酚醛树脂)
导电性粒子1：三井金属矿业株式会社制的1200YP(薄片状铜粉、平均粒径3.5μm、纵横比：10)
导电性粒子2：三井金属矿业株式会社制的1400YP(薄片状铜粉、平均粒径7.0μm、纵横比：25)
导电性粒子3：三井金属矿业株式会社制的SPH02J(银微粒的凝聚体、凝聚体的平均粒径1.8μm、无定形)
催化剂：北兴化学株式会社制的TPP－K(四苯基磷鎓四苯基硼酸盐)
[膜状胶粘剂的制作]
根据表1中记载的配比，将表1中记载的各成分和溶剂(甲乙酮)加入混合动力混合器(KEYENCE制HM－500)的搅拌釜中，在搅拌模式搅拌混合3分钟。将所得到的清漆用模涂机涂布于脱模处理膜(三菱树脂株式会社制的MRA50)后，进行干燥，制作了厚度30μm的膜状胶粘剂。
[固化物的制作]
使用干燥机将膜状胶粘剂在140℃加热1小时，接着在200℃加热2小时，由此得到了固化物。
[评价1]
对于所得到的膜状胶粘剂、固化物进行了以下的评价。将结果示于表1中。
(热导率)
通过使用株式会社ai-phase制的ai-Phase Mobile的温度波热分析法(TWA法)，测定了热扩散系数α(m2/s)。使用SII Nanotechnology株式会社制的DSC6220，在升温速度10℃/分钟、温度20℃～300℃的条件下进行DSC测定，用在JIS手册(比热容测定方法K－71231987)中记载的方法求出比热容Cp(J/g·℃)。测定了比重。然后，通过下式求出热导率。
λ＝α×ρ×Cp
λ：热导率(W/m·K)
α：热扩散系数α(m2/s_
ρ：密度(kg/m3)
Cp：比热容(kJ/(kg·K))
(电阻率)
如图8所示，准备基板101和在基板101上配置的具有布线宽度2mm、布线厚度10μm的铜布线102a、102b、102c、102d的评价基板100。铜布线102a与铜布线102b的间隔、铜布线102b与铜布线102c的间隔、铜布线102c与铜布线102d的间隔为15mm。从膜状胶粘剂切取10mm×50mm×30μm的试验膜200。如图9所示，在70℃、0.5MPa、10mm/s的条件下将试验膜200压接于铜布线102a、102b、102c、102d，制作了试验基板300。将试验基板300在氮气氛中于140℃加热1小时，接着在200℃加热2小时，从而使试验膜200固化。使用毫欧计测定了铜布线102a与铜布线102b间的电阻值、铜布线102a与铜布线102c间的电阻值、铜布线102a与铜布线102d间的电阻值。根据各电阻值算出铜布线102a与铜布线102b间的体积电阻值、铜布线102b与铜布线102c间的体积电阻值、铜布线102c与铜布线102d间的体积电阻值。进而，算出三个体积电阻值的平均值。然后，通过下式算出电阻率。
ρ＝RxA/L
ρ：电阻率
R：电阻
A：截面积
L：导体的长度
[评价2]
对导电性粒子1～3进行了以下的评价。
(烧结)
将在玻璃板上配置的导电性粒子1～3在140℃加热1小时，接着在200℃加热2小时。在加热前后，利用扫描电子显微镜(SEM)观察了导电性粒子1～3。对于导电性粒子3而言，在加热前未确认到烧结(熔接现象)，但在加热后确认到烧结。另一方面，对于导电性粒子1～2而言，在加热前后未确认到烧结。
表1
Figure BDA0000858648660000221
符号说明
10 带膜状胶粘剂的切割带
1 切割带
11 基材
12 粘合剂层
3 膜状胶粘剂
4 半导体晶片
5 半导体芯片
41 芯片接合用芯片
6 被粘物
61 带半导体芯片的被粘物
7 焊线
8 密封树脂
100 评价基板
101 基板
102a、102b、102c、102d 铜布线
200 试验膜
300 试验基板
503 膜状胶粘剂
505 半导体芯片
541 芯片接合用芯片
506 被粘物

Claims (8)

1.一种带膜状胶粘剂的切割带，其具备：
切割带、和
配置在所述切割带上的导电性膜状胶粘剂，
所述导电性膜状胶粘剂含有导电性颗粒，
所述导电性颗粒含有薄片状金属颗粒和在200℃至少一部分会烧结的烧结性金属颗粒，
所述导电性膜状胶粘剂中，所述导电性颗粒100重量％中的所述烧结性金属颗粒的含量为10重量％以上，
所述导电性膜状胶粘剂的通过加热进行固化得到的固化物的第1热导率相对于所述加热前的第2热导率之比的值即所述第1热导率/所述第2热导率为2.0以上。
2.如权利要求1所述的带膜状胶粘剂的切割带，所述第1热导率为1.7W/m·K以上。
3.如权利要求1所述的带膜状胶粘剂的切割带，所述导电性膜状胶粘剂中，所述导电性颗粒100重量％中的所述烧结性金属颗粒的含量为10重量％～50重量％。
4.如权利要求1所述的带膜状胶粘剂的切割带，所述导电性膜状胶粘剂中含有树脂成分，
所述树脂成分含有热塑性树脂、热固性树脂。
5.如权利要求4所述的带膜状胶粘剂的切割带，所述导电性膜状胶粘剂中还含有固化剂。
6.如权利要求1所述的带膜状胶粘剂的切割带，所述导电性膜状胶粘剂用于芯片接合。
7.如权利要求1所述的带膜状胶粘剂的切割带，其中，
所述切割带具备基材和配置在所述基材上的粘合剂层。
8.一种半导体装置的制造方法，其包括：
准备权利要求1～7中任一项所述的带膜状胶粘剂的切割带的工序；
将半导体晶片压接于所述导电性膜状胶粘剂的工序；
通过对在所述导电性膜状胶粘剂上配置的所述半导体晶片进行切割来形成芯片接合用芯片的工序，所述芯片接合用芯片具备所述导电性膜状胶粘剂以及配置在所述导电性膜状胶粘剂上的半导体芯片；
将所述芯片接合用芯片压接于被粘物的工序；
对通过将所述芯片接合用芯片压接于所述被粘物的工序得到的带所述半导体芯片的所述被粘物进行加热，从而使所述导电性膜状胶粘剂固化的工序。
CN201510836522.XA 2014-11-27 2015-11-26 导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法 Active CN105647405B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-240028 2014-11-27
JP2014240028A JP6396189B2 (ja) 2014-11-27 2014-11-27 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105647405A CN105647405A (zh) 2016-06-08
CN105647405B true CN105647405B (zh) 2021-08-24

Family

ID=56089152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510836522.XA Active CN105647405B (zh) 2014-11-27 2015-11-26 导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6396189B2 (zh)
KR (1) KR102321864B1 (zh)
CN (1) CN105647405B (zh)
TW (1) TWI714540B (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6815132B2 (ja) * 2016-08-31 2021-01-20 日東電工株式会社 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート
JP6877982B2 (ja) * 2016-12-08 2021-05-26 日東電工株式会社 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
US11168235B2 (en) * 2017-05-09 2021-11-09 3M Innovative Properties Company Electrically conductive adhesive
US20210174984A1 (en) * 2017-11-13 2021-06-10 Nitto Denko Corporation Sinter-bonding composition, sinter-bonding sheet and dicing tape with sinter-bonding sheet
JP7250468B6 (ja) * 2018-10-12 2023-04-25 三井化学株式会社 電子装置の製造方法および粘着性フィルム
JP2020084159A (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 京セラ株式会社 導電性接着用シート、その製造方法及び半導体装置
KR20200117497A (ko) 2019-04-04 2020-10-14 주식회사 케이씨씨 반도체용 접착제 조성물 및 이를 포함하는 반도체용 접착 필름
JP7137895B2 (ja) * 2019-04-24 2022-09-15 京セラ株式会社 導電性接着用シート、導電性接着用シートの製造方法及び半導体装置
WO2021005661A1 (ja) 2019-07-05 2021-01-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法
EP4008549A4 (en) * 2019-08-01 2023-12-06 Lintec Corporation COOKING MATERIAL IN FILM FORM WITH CARRIER SHEET, ROLL, LAMINATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE
JP7287477B2 (ja) * 2019-09-12 2023-06-06 株式会社レゾナック 半導体装置の製造方法、接着剤層の選定方法、並びに、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法
JP7210421B2 (ja) * 2019-11-08 2023-01-23 日東電工株式会社 熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルム
JP7190418B2 (ja) * 2019-11-08 2022-12-15 日東電工株式会社 熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルム
CN113831865A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 日东电工株式会社 热固性片及切割芯片接合薄膜
JP2022015188A (ja) 2020-07-08 2022-01-21 昭和電工マテリアルズ株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法
JP2022015193A (ja) 2020-07-08 2022-01-21 昭和電工マテリアルズ株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法
WO2022138455A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 フィルム状接着剤及びその製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2022137551A1 (ja) 2020-12-25 2022-06-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
CN116686071A (zh) 2020-12-25 2023-09-01 株式会社力森诺科 膜状黏合剂及其制造方法、切割晶粒接合一体型膜及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法
CN117321744A (zh) * 2021-06-16 2023-12-29 日东电工株式会社 导电性片材和切割芯片接合薄膜
WO2023106177A1 (ja) * 2021-12-06 2023-06-15 東レ株式会社 Ｌｅｄ実装基板の製造方法
WO2023190950A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 リンテック株式会社 積層体の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010131669A (ja) * 2008-10-29 2010-06-17 Nippon Handa Kk 金属製部材用接合剤、金属製部材接合体の製造方法、金属製部材接合体および電気回路接続用バンプの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3288146B2 (ja) 1992-09-16 2002-06-04 日立化成工業株式会社 導電性接着フィルム、接着法、導電性接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP4137827B2 (ja) 2004-03-23 2008-08-20 住友ベークライト株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
CN1737072B (zh) * 2004-08-18 2011-06-08 播磨化成株式会社 导电粘合剂及使用该导电粘合剂制造物件的方法
US7326369B2 (en) * 2005-03-07 2008-02-05 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Low stress conductive adhesive
US20100001237A1 (en) * 2007-03-26 2010-01-07 Fornes Timothy D Method for producing heterogeneous composites
JP4810565B2 (ja) * 2008-11-26 2011-11-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP6179520B2 (ja) * 2012-09-05 2017-08-16 日立化成株式会社 銀ペースト組成物及びそれを用いた半導体装置
JP5642147B2 (ja) * 2012-12-27 2014-12-17 学校法人 関西大学 熱伝導性導電性接着剤組成物
JP6033734B2 (ja) * 2013-04-30 2016-11-30 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、ダイシングテープ一体型フィルム状接着剤、及び、半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010131669A (ja) * 2008-10-29 2010-06-17 Nippon Handa Kk 金属製部材用接合剤、金属製部材接合体の製造方法、金属製部材接合体および電気回路接続用バンプの製造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Highly conductive polymer-decorated Cu electrode films printed on glass substrates with novel precursor-based inks and pastes;Mou, Y等;《JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY》;20121231;第22卷(第8期);第3624-3631页 *
电子封装技术和封装材料;田民波，梁彤翔，何卫;《半导体情报》;19950828(第04期);第42-61页 *
纳米金属粉的制备及在导电糊中的应用;李健民;《粘接》;20090310(第03期);第79-82页 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160063985A (ko) 2016-06-07
JP6396189B2 (ja) 2018-09-26
TW201631674A (zh) 2016-09-01
JP2016103524A (ja) 2016-06-02
TWI714540B (zh) 2021-01-01
CN105647405A (zh) 2016-06-08
KR102321864B1 (ko) 2021-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105647405B (zh) 导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法
KR102062409B1 (ko) 필름형 접착제, 필름형 접착제를 지닌 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR102212774B1 (ko) 필름형 접착제, 다이싱 테이프 일체형 필름형 접착제 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2015105028A1 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
CN105623533B (zh) 粘接片、带切割片的粘接片、层叠片以及半导体装置的制造方法
JP6289104B2 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
KR102267657B1 (ko) 접착 시트, 및 다이싱·다이 본딩 필름
KR102467131B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
CN104946146B (zh) 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法
JP6356582B2 (ja) 接着シート、ダイシングシート付き接着シート及び半導体装置の製造方法
WO2015104988A1 (ja) 導電性フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付きダイシングテープ
JP2015130420A (ja) 導電性フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2017092365A (ja) ダイシングテープ一体型接着シート、及び、半導体装置の製造方法
JP6259665B2 (ja) フィルム状接着剤、及びフィルム状接着剤付きダイシングテープ
JP2015129225A (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
WO2015104987A1 (ja) 導電性フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2017098316A (ja) ダイシングテープ一体型接着シート
WO2015104986A1 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
CN111748290A (zh) 带粘接薄膜的切割带
JP2015130418A (ja) 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant