KR20230123490A - 전사용 양면 점착 시트 - Google Patents

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KR20230123490A
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겐키 오치
나츠코 오키타
히로시 노로
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 반도체 칩 등의 미세한 전자 부품을 손상시키지 않고, 효율적으로 실장 기판 상에 실장하기에 적합한 전사용 양면 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 전사용 양면 점착 시트(1)는, 제1 점착제층(11)과, 기재(10)와, 제2 점착제층(12)이 이 순서대로 적층된 적층 구조를 갖는다. 제1 점착제층(11)은, 저점착성 점착제층으로 이루어지고, 제2 점착제층(12)은, 박리성 점착제층으로 이루어진다.

Description

전사용 양면 점착 시트
본 발명은, 전사용 양면 점착 시트에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 반도체 칩 등의 미세한 전자 부품의 전사에 적합하게 사용할 수 있는 전사용 양면 점착 시트에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 일반적으로, 다이싱 테이프 상에 임시 고정한 상태에서 반도체 웨이퍼를 다이싱에 의해 개편화하고, 개편화된 반도체 칩은 웨이퍼 이면의 다이싱 테이프 측으로부터 핀 부재에 의해 찔러 눌러서, 콜릿이라고 불리는 흡착 지그에 의해 픽업하고, 회로 기판 등의 실장 기판에 실장되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1).
일본 특허 공개 제2019-9203호 공보
그러나, 미세 가공 기술의 진보에 의해 반도체 칩의 미소화, 박형화가 진행되고 있고, 콜릿으로 픽업할 때에 반도체 칩이 손상되는 경우가 있었다. 그 때문에, 이러한 미소화, 박형화된 반도체 칩의 실장은, 약한 접촉 또는 비접촉으로 행할 필요가 있다.
또한, 반도체 장치의 소형화, 다층화도 진행되고 있고, 다수의 미세한 반도체 칩을 실장 기판 상에 조밀하게 다층 실장하는 것이 요구되어 오고 있으며, 콜릿에 의해 개별로 실장하는 것은 효율이 나쁘다는 문제도 있었다.
본 발명은 상기의 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 반도체 칩 등의 미세한 전자 부품을 손상시키지 않고, 효율적으로 실장 기판 상에 실장하기에 적합한 전사용 양면 점착 시트를 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토한 결과, 반도체 칩 등의 미세한 전자 부품을 수취하기 위한 제1 점착제층을 저점착성 점착제층으로 구성하고, 캐리어 기판에 임시 고정하기 위한 제2 점착제층을 박리성 점착제층으로 구성한 양면 점착 시트에 의하면, 반도체 칩 등의 미세한 전자 부품을 손상시키지 않고, 효율적으로 실장 기판 상에 실장하는 것이 가능한 것을 발견하였다. 본 발명은, 이들의 지견에 기초하여 완성된 것이다.
즉, 본 발명의 제1 측면은, 제1 점착제층과, 기재와, 제2 점착제층이 이 순서대로 적층된 전사용 양면 점착 시트를 제공한다. 본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트는, 반도체 칩 등의 미세하고 박형의 전자 부품을 회로 기판 등의 실장 기판에 실장할 때에 콜릿 등으로 개별로 픽업하는 대신, 상기 제1 점착제층이 전자 부품을 수취하는 것이다. 본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트를 전자 부품의 실장에 사용함으로써, 다이싱에 의해 개편화된 복수의 전자 부품을 일괄하여 상기 제1 점착제층이 수취하는 것이 가능하게 되고, 개별로 픽업할 필요가 없고, 또한, 상기 제1 점착제층이 수취한 전자 부품은, 대면적의 실장 기판에 일괄하여 전사함으로써 실장할 수 있으므로, 제조 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 제2 점착제층은, 본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트를 토대가 되는 기판(캐리어 기판)에 임시 고정하기 위한 점착제층이다.
본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층은, 전자 부품을 수취하여 보유 지지하기 위한 점착제층이고, 저점착성 점착제층으로 이루어지는 것인 것이 바람직하다. 상기 제1 점착제층이 저점착성 점착제층으로 이루어진다고 하는 구성은, 수취할 때에 전자 부품에 가해지는 힘을 저감할 수 있고, 전자 부품의 손상을 억제할 수 있는 점에서 적합하다. 또한, 전자 부품을 비접촉으로 제1 점착제층이 수취할 때에는, 예를 들어 전자 부품을 다이싱 테이프로부터 핀 부재로 누르거나 하여 박리시켜, 제1 점착제층 상에 낙하시킨다. 그러나, 낙하한 전자 부품을 제1 점착제층이 수취할 때에 튀어 올라서 고정밀도로 수취할 수 없는 경우가 있다. 당해 현상이 발생한 경우에는, 전자 제품의 위치 정밀도가 저하되고, 접촉 불량이 발생하는 경우가 있다. 상기 제1 점착제층이 저점착성 점착제층으로 이루어진다고 하는 구성은, 전자 부품을 비접촉으로 제1 점착제층이 수취할 때에, 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서도 적합하다. 나아가, 본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트가 수취한 전자 부품을 실장 기판에 실장할 때에 제1 점착제층으로부터 전자 부품을 용이하게 박리할 수 있는 점에서도 바람직하다.
또한, 본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제2 점착제층은, 캐리어 기판에 임시 고정하기 위한 점착제층이고, 박리성 점착제층으로 이루어지는 것인 것이 바람직하다. 상기 제2 점착제층이 박리성 점착제층으로 이루어진다고 하는 구성은, 당해 제2 점착제층을 캐리어 기판으로부터 접착제 잔여물 등의 오염이 없이 박리할 수 있고, 리워크성을 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다.
본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 저장 탄성률(이하, 본 명세서에 있어서, 「E'1a」라고 칭하는 경우가 있음)은 50MPa 이하인 것이 바람직하다. 당해 구성은, 상기 제1 점착제층이 수취한 전자 부품을 확실하게 접착함에 있어서 바람직하다. 상기 E'1a가 너무 높으면, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 저하되고, 전자 부품의 위치 어긋남이나 낙하 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성의 관점에서, E'1a는 40MPa 이하가 바람직하고, 30MPa 이하가 보다 바람직하다. 또한, 20MPa 이하, 10MPa 이하여도 된다. 한편, 상기 제1 점착제층으로부터 회로 기판에 대한 전사성의 관점에서, E'1a는, 0.1MPa 이상인 것이 바람직하다. 상기 E'1a가 너무 낮은 경우에는, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 너무 높아지고, 실장 기판에 실장할 때의 전사성이 손상될 경우가 있다. 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, E'1a는 0.2MPa 이상이 바람직하고, 0.5MPa 이상이 보다 바람직하다.
본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1kHz, 25℃에서의 저장 탄성률(이하, 본 명세서에 있어서, 「E'1b」라고 칭하는 경우가 있음)은 100MPa 이하인 것이 바람직하다. 당해 구성은, 상기 제1 점착제층이 전자 부품을 비접촉으로 수취하는 경우에, 제1 점착제층의 표면에서 전자 부품이 튀겨지지 않고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 E'1b가 너무 높으면, 상기 제1 점착제층의 표면에 전자 부품을 접촉시키지 않고 떨어뜨려서 수취할 때에, 전자 부품이 튀겨져서 소정의 위치에서 어긋나거나, 뒤집히는 하거나 하여 위치 정밀도가 저하되기 쉬워진다. 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 위치 정밀도의 관점에서, E'1b는 90MPa 이하가 바람직하고, 80MPa 이하가 보다 바람직하다. 또한, 70MPa 이하, 60MPa 이하, 50MPa 이하, 40MPa 이하, 30MPa 이하여도 되고, 특히 20MPa 이하여도 된다. 한편, 상기 제1 점착제층으로부터 회로 기판에 대한 전사성의 관점에서, E'1b는, 0.5MPa 이상인 것이 바람직하다. 상기 E'1b가 너무 낮은 경우에는, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 높아지고, 또한, 전자 부품이 낙하할 때에 제1 점착제층에 메워지거나 하여, 실장 기판에 실장할 때의 전사성이 손상되는 경우가 있다. 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, E'1b는 0.7MPa 이상이 바람직하고, 1MPa 이상이 보다 바람직하다.
본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 저장 탄성률(E'1a)에 대한 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1kHz, 25℃에서의 저장 탄성률(E'1b)의 비율(E'1b/E'1a)이 1보다도 큰 것이 바람직하다. 당해 구성은, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성, 위치 정밀도, 실장 기판에 대한 전사성 등의 밸런스가 좋아지는 점에서 바람직하다. 전자 부품의 접착성, 위치 정밀도, 실장 기판에 대한 전사성 등의 밸런스의 관점에서, E'1b/E'1a는, 1.05 이상이 바람직하고, 1.1 이상이 보다 바람직하다. E'1b/E'1a의 상한은 특별히 한정되지는 않지만, 상기 밸런스의 관점에서 3 이하가 바람직하다.
본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 손실 탄성률(이하, 본 명세서에 있어서, 「E"1a」라고 칭하는 경우가 있음)은 7MPa 이하인 것이 바람직하다. 당해 구성은, 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성이 우수한 관점에서, 바람직하다. 상기 E"1a가 너무 높은 경우에는, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 너무 높아지고, 실장 기판에 실장할 때의 전사성이 손상되는 경우가 있다. 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, E"1a는 5MPa 이하가 바람직하고, 3MPa 이하가 보다 바람직하다. 상기 E"1a가 너무 낮으면, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 저하되고, 전자 부품의 위치 어긋남이나 낙하 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성의 관점에서, E"1a는 0.01MPa 이상이 바람직하고, 0.03MPa 이상이 보다 바람직하다.
본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 스테인리스판(직경 5mm)에 대한 태크력이, 10 내지 250gf/Φ5mmSUS인 것이 바람직하다. 상기 태크력이 10gf/Φ5mmSUS 이상이라고 하는 구성은, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성, 위치 정밀도의 관점에서 바람직하고, 20gf/Φ5mmSUS 이상이 보다 바람직하다. 한편, 상기 태크력이 250gf/Φ5mmSUS 이하라고 하는 구성은, 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서 바람직하고, 200gf/Φ5mmSUS 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 기재는, 내열성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 당해 구성은, 본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트가 수취한 전자 부품을 실장 기판 상에 열압착으로 전사하여 실장할 때에, 기재의 열팽창 등에 의한 전사 불량을 방지할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 내열성 수지로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리아미드(PA), 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제2 측면은, 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장 방법을 제공한다. 본 발명의 제2 측면의 방법은, 다이싱된 전자 부품을, 본 발명의 제1 측면의 전사용 양면 점착 시트의 제1 점착제층이 수취하는 공정(제1 공정)을 포함한다. 상기 제1 공정에 있어서, 상기 제1 점착제층이 저점착성 점착제층으로 구성되어 있기 때문에, 전자 부품에 가해지는 힘을 저감할 수 있고, 전자 부품의 손상을 억제할 수 있는 점에서 적합하다. 또한, 전자 부품을 비접촉으로 제1 점착제층이 수취할 때에, 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서도 적합하다.
또한, 본 발명의 제2 측면의 방법은, 상기 제1 점착제층이 수취한 전자 부품을 실장 기판에 전사하는 공정(제2 공정)을 포함한다. 상기 제2 공정에 있어서, 상기 제1 점착제층이 저점착성 점착제층으로 구성되어 있기 때문에, 전자 부품을 실장 기판에 전사할 때에, 제1 점착제층으로부터 전자 부품을 용이하게 박리할 수 있는 점에서 바람직하다.
본 발명의 제2 측면의 방법에 있어서, 전자 부품으로서는, 반도체 칩을 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트는, 다이싱에 의해 개편화된 복수의 전자 부품을 일괄하여 제1 점착제층을 수취하는 것이 가능하게 되고, 개별로 픽업할 필요가 없고, 또한, 제1 점착제층이 수취한 전자 부품은, 대면적의 회로 기판에 일괄하여 전사함으로써 실장할 수 있으므로, 제조 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 점착제층이 바람직하게는 저점착성 점착제층으로 구성되어 있기 때문에, 전자 부품에 가해지는 힘을 저감할 수 있고, 전자 부품의 손상을 억제할 수 있는 점에서 적합하다. 또한, 전자 부품을 비접촉으로 제1 점착제층을 수취할 때에, 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서도 적합하다. 또한, 상기 제1 점착제층이 저점착성 점착제층으로 구성되어 있기 때문에, 전자 부품을 실장 기판에 전사할 때에, 제1 점착제층으로부터 전자 부품을 용이하게 박리할 수 있는 점에서 바람직하다.
또한, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제2 점착제층이 바람직하게는 박리성 점착제층으로 구성되어 있기 때문에, 당해 제2 점착제층을 캐리어 기판으로부터 접착제 잔여물 등의 오염이 없이 박리할 수 있고, 리워크성을 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다.
따라서, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트를 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장에 사용함으로써, 전자 부품을 실장 기판 상에 고정밀도로, 효율적으로 실장할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 일 실시 형태를 도시하는 단면 모식도이다.
도 2는, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 다른 실시 형태를 도시하는 단면 모식도이다.
도 3은, 도 1에 도시하는 전사용 양면 점착 시트를 사용한 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장 방법에 있어서의 제1 공정의 일 실시 형태를 나타내는 단면 모식도이다.
도 4는, 도 1에 도시하는 전사용 양면 점착 시트를 사용한 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장 방법에 있어서의 제2 공정의 일 실시 형태를 나타내는 단면 모식도이다.
[전사용 양면 점착 시트]
본 발명의 전사용 양면 점착 시트는, 제1 점착제층과, 기재와, 제2 점착제층이 이 순서대로 적층된 적층 구조를 갖는다. 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 일 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여, 이하에 설명하는 경우가 있지만, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트는 당해 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 도 1은, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 일 실시 형태를 도시하는 단면 모식도이고, 1은 전사용 양면 점착 시트, 10은 기재, 11은 제1 점착제층, 12는 제2 점착제층을 나타낸다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 전사용 양면 점착 시트(1)는, 제1 점착제층(11)과, 기재(10)와, 제2 점착제층(12)이 이 순서대로 적층된 적층 구조를 갖고, 반도체 칩 등의 미세하고 박형의 전자 부품을 회로 기판 등의 실장 기판에 실장할 때에 제1 점착제층(11)이 전자 부품을 수취하는 것이다. 전사용 양면 점착 시트(1)를 전자 부품의 실장에 사용함으로써, 다이싱에 의해 개편화된 복수의 전자 부품을 일괄하여 제1 점착제층(11)이 수취하는 것이 가능하게 되고, 개별로 픽업할 필요가 없고, 또한, 제1 점착제층(11)이 수취한 전자 부품은, 대면적의 실장 기판에 일괄하여 전사함으로써 실장할 수 있으므로, 제조 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.
(제1 점착제층)
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 제1 점착제층은, 전자 부품을 수취하여 보유 지지하기 위한 점착제층이고, 저점착성 점착제층으로 이루어지는 것인 것이 바람직하다. 제1 점착제층이 저점착성 점착제층으로 이루어진다고 하는 구성은, 수취할 때에 전자 부품에 가해지는 힘을 저감할 수 있고, 전자 부품의 손상을 억제할 수 있는 점에서 적합하다. 또한, 전자 부품을 비접촉으로 제1 점착제층이 수취할 때에는, 예를 들어 전자 부품을 다이싱 테이프로부터 핀 부재로 누르거나 하여 박리시켜, 제1 점착제층 상에 낙하시킨다. 그러나, 낙하한 전자 부품을 제1 점착제층이 수취할 때에 튀어 올라서 고정밀도로 수취할 수 없는 경우가 있다. 당해 현상이 발생한 경우에는, 전자 제품의 위치 정밀도가 저하되고, 접촉 불량이 발생하는 경우가 있다. 상기 제1 점착제층이 저점착성 점착제층으로 이루어진다고 하는 구성은, 전자 부품을 비접촉으로 제1 점착제층이 수취할 때에, 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서도 적합하다. 나아가, 전사용 양면 점착 시트가 수취한 전자 부품을 실장 기판에 실장할 때에, 제1 점착제층으로부터 전자 부품을 용이하게 박리할 수 있는 점에서도 바람직하다.
상기 제1 점착제층은, 구성하는 점착제의 종류나 조성, 가교도 등을 조정하는 것이나, 경박리화제나 가소제의 배합에 의한 WBL(Weak Boundary Layer)의 형성에 의해, 저점착성 점착제층으로 할 수 있다.
제1 점착제층의 PET 필름에 대한 25℃에서의 180° 박리 점착력은, 특별히 한정되지는 않지만, 전자 부품이 손상되지 않고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있고, 또한 실장 기판에 대한 양호한 전사성의 관점에서, 100mN/25mm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50mN/25mm 이하이고, 더욱 바람직하게는 10mN/25mm 이하이다. 또한, 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성의 관점에서, 제1 점착제층의 PET 필름에 대한 25℃에서의 180° 박리 점착력은, 0.1mN/25mm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1mN/25mm 이상이다.
제1 점착제층의 PET 필름에 대한 25℃에서의 180° 박리 점착력(이하, 본 명세서에 있어서, 「P1a」라고 칭하는 경우가 있음)에 대한, 전사용 양면 점착 시트를 160℃에서 5분간 유지한 후의 제1 점착제층의 PET 필름에 대한 25℃에서의 180° 박리 점착력(이하, 본 명세서에 있어서, 「P1b」라고 칭하는 경우가 있음)의 비(P1b/P1a)는, 특별히 한정되지는 않지만, 3 이하가 바람직하고, 2.5 이하가 보다 바람직하다. P1b/P1a가 3 이하라고 하는 구성은, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트가 수취한 전자 부품을 실장 기판 상에 열압착으로 전사하여 실장할 때에, 전자 부품에 대한 제1 점착제층의 점착력이 상승하지 않고, 양호하게 박리하여 실장 기판에 전사할 수 있는 점에서 바람직하다.
상기 25℃에서의 180° 박리 점착력은, 전사용 양면 점착 시트의 제2 점착제층을 유리판에 접합하고, 제1 점착제층의 점착면에 PET 필름을 접합하여, 2kg 롤러, 1왕복의 압착 조건에서 압착하고, 23℃, 50％ RH의 분위기 하에서 30분간 에이징한다. 에이징 후, JIS Z 0237에 준거하여, 25℃, 50％ RH의 분위기 하에서, 인장 속도 300mm/분, 박리 각도 180°의 조건에서, 피착체로부터 전사용 양면 점착 시트를 박리하여, 180° 박리 점착력(mN/25mm)을 측정한다. 상기 PET 필름으로서는, 미처리 PET라면 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 상품명 「루미러 ＃25-S10 두께 23㎛」(도레이 가부시키가이샤제)를 들 수 있다.
상기 제1 점착제층의 상기 점착력은, 구성하는 점착제의 종류나 조성, 가교도 등을 조정하는 것이나, 경박리화제나 가소제의 배합에 의한 WBL(Weak Boundary Layer)의 형성에 의해, 조정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 저장 탄성률(E'1a)은 50MPa 이하인 것이 바람직하다. 당해 구성은, 상기 제1 점착제층이 수취한 전자 부품을 확실하게 접착함에 있어서 바람직하다. 상기 E'1a가 너무 높으면, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 저하되고, 전자 부품의 위치 어긋남이나 낙하 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성의 관점에서, E'1a는 40MPa 이하가 바람직하고, 30MPa 이하가 보다 바람직하다. 또한, 20MPa 이하, 10MPa 이하여도 된다. 한편, 상기 제1 점착제층으로부터 회로 기판에 대한 전사성의 관점에서, E'1a는, 0.1MPa 이상인 것이 바람직하다. 상기 E'1a가 너무 낮은 경우에는, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 너무 높아지고, 실장 기판에 실장할 때의 전사성이 손상되는 경우가 있다. 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, E'1a는 0.2MPa 이상이 바람직하고, 0.5MPa 이상이 보다 바람직하다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1kHz, 25℃에서의 저장 탄성률(E'1b)은 100MPa 이하인 것이 바람직하다. 당해 구성은, 상기 제1 점착제층이 전자 부품을 비접촉으로 수취하는 경우에, 제1 점착제층의 표면에서 전자 부품이 튀겨지지 않고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 E'1b가 너무 높으면, 상기 제1 점착제층의 표면에 전자 부품을 접촉시키지 않고 떨어뜨려서 수취할 때에, 전자 부품이 튀겨져서 소정의 위치에서 어긋나거나, 뒤집히거나 하여 위치 정밀도가 저하되기 쉬워진다. 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 위치 정밀도의 관점에서, E'1b는 90MPa 이하가 바람직하고, 80MPa 이하가 보다 바람직하다. 또한, 70MPa 이하, 60MPa 이하, 50MPa 이하, 40MPa 이하, 30MPa 이하여도 되고, 특히 20MPa 이하여도 된다. 한편, 상기 제1 점착제층으로부터 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, E'1b는, 0.5MPa 이상인 것이 바람직하다. 상기 E'1b가 너무 낮은 경우에는, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 높아지고, 또한, 전자 부품이 낙하할 때에 제1 점착제층에 메워지거나 하여, 실장 기판에 실장할 때의 전사성이 손상되는 경우가 있다. 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, E'1b는 0.7MPa 이상이 바람직하고, 1MPa 이상이 보다 바람직하다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 저장 탄성률(E'1a)에 대한 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1kHz, 25℃에서의 저장 탄성률(E'1b)의 비율(E'1b/E'1a)이 1보다도 큰 것이 바람직하다. 당해 구성은, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성, 위치 정밀도, 실장 기판에 대한 전사성 등의 밸런스가 좋아지는 점에서 바람직하다. 전자 부품의 접착성, 위치 정밀도, 실장 기판에 대한 전사성 등의 밸런스의 관점에서, E'1b/E'1a는, 1.05 이상이 바람직하고, 1.1 이상이 보다 바람직하다. E'1b/E'1a의 상한은 특별히 한정되지는 않지만, 상기 밸런스의 관점에서 3 이하가 바람직하다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 손실 탄성률(E"1a)은 7MPa 이하인 것이 바람직하다. 당해 구성은, 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성이 우수한 관점에서, 바람직하다. 상기 E"1a가 너무 높은 경우에는, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 너무 높아지고, 실장 기판에 실장할 때의 전사성이 손상되는 경우가 있다. 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, E"1a는 5MPa 이하가 바람직하고, 3MPa 이하가 보다 바람직하다. 상기 E"1a가 너무 낮으면, 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성이 저하되고, 전자 부품의 위치 어긋남이나 낙하 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 상기 제1 점착제층에 대한 전자 부품의 접착성의 관점에서, E"1a는 0.01MPa 이상이 바람직하고, 0.03MPa 이상이 보다 바람직하다.
상기 제1 점착제층의 AFM-DMA(원자간력 현미경(AFM: Atomic Force Microscope)의 동적 점탄성 측정(nDMA: nano Dynamic Mechanical Analysis))에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 저장 탄성률(E'1a), 주파수 1kHz, 25℃에서의 저장 탄성률(E'1b) 및 주파수 1Hz, 25℃에서의 손실 탄성률(E"1a)은, 구성하는 점착제의 종류나 조성, 가교도 등에 의해 조정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 스테인리스판(직경 5mm)에 대한 태크력이, 10 내지 250gf/Φ5mmSUS인 것이 바람직하다. 상기 태크력이 10gf/Φ5mmSUS 이상이라고 하는 구성은, 상기 제1 점착제층에 전자 부품의 접착성, 위치 정밀도의 관점에서 바람직하고, 20gf/Φ5mmSUS 이상이 보다 바람직하다. 한편, 상기 태크력이 250gf/Φ5mmSUS 이하라고 하는 구성은, 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서 바람직하고, 200gf/Φ5mmSUS 이하가 보다 바람직하다.
상기 제1 점착제층의 스테인리스판(직경 5mm)에 대한 태크력은, 구성하는 점착제의 종류나 조성, 가교도, 지방산에스테르나 불소계 계면활성제 등의 첨가제 등에 의해 조정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 표면력이, -500 내지 -100μN인 것이 바람직하다. 상기 표면력이 -500μN 이상이라고 하는 구성은, 상기 제1 점착제층에 전자 부품의 접착성, 위치 정밀도의 관점에서 바람직하고, -400μN 이상이 보다 바람직하다. 한편, 상기 표면력이 -100μN 이하라고 하는 구성은, 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서 바람직하고, -150μN 이하가 보다 바람직하다.
상기 제1 점착제층의 표면력은, 구성하는 점착제의 종류나 조성, 가교도, 지방산에스테르나 불소계 계면활성제 등의 첨가제 등에 의해 조정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 산술 평균 조도 Ra는, 2nm 이하인 것이 바람직하다. 상기 산술 평균 조도 Ra가 2nm 이하라고 하는 구성은, 전자 부품을 비접촉으로 제1 점착제층이 수취할 때에, 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서 적합하다. 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서, 상기 산술 평균 조도 Ra는, 1.8nm 이하가 바람직하고, 1.5nm 이하가 보다 바람직하고, 1.2nm 이하, 1nm 이하, 또는 0.8nm 이하여도 된다. 상기 산술 평균 조도 Ra의 하한값은, 특별히 한정되지는 않지만, 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, 0.1nm 이상이 바람직하고, 0.2nm 이상, 또는 0.3nm 이상이어도 된다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 산술 평균 조도 Ra(nm)에 대한 표면력(μN)의 비율의 절댓값(|표면력/Ra; μN/nm|)은, 200 이상이 바람직하다. 상기 비율의 절댓값이 200 이상이라고 하는 구성은, 전자 부품을 비접촉으로 제1 점착제층이 수취할 때에, 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서 적합하다. 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서, 상기 비율의 절댓값은, 225 이상이 바람직하고, 250 이상이 보다 바람직하고, 275 이상, 또는 300 이상이어도 된다. 상기 비율의 절댓값의 상한값은, 특별히 한정되지는 않지만, 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, 550 이하가 바람직하고, 525 이하, 또는 500 이하여도 된다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 10점 평균 조도 Rz는, 15nm 이하인 것이 바람직하다. 상기 10점 평균 조도 Rz가 15nm 이하라고 하는 구성은, 전자 부품을 비접촉에서 제1 점착제층이 수취할 때에, 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서 적합하다. 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서, 상기 10점 평균 조도 Rz는, 7nm 이하가 바람직하고, 6.8nm 이하가 보다 바람직하고, 6.5nm 이하, 5.5nm 이하, 또는 5nm 이하여도 된다. 상기 10점 평균 조도 Rz의 하한값은, 특별히 한정되지는 않지만, 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, 1nm 이상이 바람직하고, 2nm 이상, 또는 3nm 이상이어도 된다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 상기 제1 점착제층의 제곱 평균 평방근 조도 Rms는, 3nm 이하인 것이 바람직하다. 상기 제곱 평균 평방근 조도 Rms가 3nm 이하라고 하는 구성은, 전자 부품을 비접촉으로 제1 점착제층이 수취할 때에, 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서 적합하다. 전자 부품이 튀어 오르지 않고 제1 점착제층에 캐치되기 쉽고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있는 점에서, 상기 제곱 평균 평방근 조도 Rms는, 1.5nm 이하가 바람직하고, 1.4nm 이하가 보다 바람직하고, 1.35nm 이하, 1.3nm 이하, 또는 1.2nm 이하여도 된다. 상기 제곱 평균 평방근 조도 Rms의 하한값은, 특별히 한정되지는 않지만, 전자 부품의 실장 기판에 대한 전사성의 관점에서, 0.3nm 이상이 바람직하고, 0.4nm 이상, 또는 0.5nm 이상이어도 된다.
상기 제1 점착제층의 표면력, 산술 평균 조도 Ra, 10점 평균 조도 Rz 및 제곱 평균 평방근 조도 Rms는, 후에 게시한 실시예에 기재된 방법에 의해, 측정할 수 있다. 상기 제1 점착제층의 산술 평균 조도 Ra, 산술 평균 조도 Ra에 대한 표면력의 비율, 산술 평균 조도 Ra, 10점 평균 조도 Rz 및 제곱 평균 평방근 조도 Rms는, 구성하는 점착제의 종류나 조성, 가교도, 지방산에스테르나 불소계 계면활성제 등의 첨가제 등에 의해 조정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 제1 점착제층의 두께는, 특별히 한정되지는 않지만, 1㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상이다. 두께가 일정 이상이면, 제1 점착제층이 전자 부품을 고정밀도로 수취하기 쉬워져, 바람직하다. 또한, 제1 점착제층의 두께의 상한값은, 특별히 한정되지는 않지만, 100㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 75㎛ 이하이다. 두께가 일정 이하이면, 전자 부품을 고정밀도로 실장 기판에 전사하기 쉬워져, 바람직하다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 제1 점착제층의 헤이즈(JIS K7136에 준함)는, 특별히 한정되지는 않지만, 10％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5.0％ 이하이다. 헤이즈가 10％ 이하이면, 우수한 투명성이 얻어져, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 캐리어 기판에 첩부한 때에, 캐리어 기판 상에 부착된 패턴(예를 들어, 전자 부품의 전사 위치를 나타내는 마커)을 시인할 수 있어서, 바람직하다. 또한, 상기 헤이즈는, 예를 들어 제1 점착제층을 세퍼레이터 상에 형성하여 상태(23℃, 50％ RH)에 적어도 24시간 정치한 후, 세퍼레이터를 박리하고, 슬라이드 글라스(예를 들어, 전광선 투과율 91.8％, 헤이즈 0.4％의 것)에 접합한 것을 시료로 하고, 헤이즈 미터(가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠제, 상품명 「HM-150」)를 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 제1 점착제층의 가시광 파장 영역에 있어서의 전광선 투과율(JIS K7361-1에 준함)은 특별히 한정되지는 않지만, 85％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 88％ 이상이다. 전광선 투과율이 85％ 이상이면, 우수한 투명성이 얻어져, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 캐리어 기판에 첩부한 때에, 캐리어 기판 상에 부착된 패턴(예를 들어, 전자 부품의 전사 위치를 나타내는 마커)을 시인할 수 있어서, 바람직하다. 또한, 상기 전광선 투과율은, 예를 들어 제1 점착제층을 세퍼레이터 상에 형성하여 상태(23℃, 50％ RH)에 적어도 24시간 정치한 후, 세퍼레이터를 박리하고, 슬라이드 글라스(예를 들어, 전광선 투과율 91.8％, 헤이즈 0.4％의 것)에 접합한 것을 시료로 하고, 헤이즈 미터(가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠제, 상품명 「HM-150」)를 사용하여 측정할 수 있다.
상기 제1 점착제층을 구성하는 점착제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 에폭시계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 불소계 점착제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 전자 부품이 손상되지 않고, 위치 고정밀도로 수취할 수 있고, 또한 실장 기판에 대한 양호한 전사성의 관점에서, 저점착성, 저태크성으로 제어하기 쉬운 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 아크릴계 점착제가 바람직하고, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제가 보다 바람직하고, 실리콘계 점착제가 더욱 바람직하다.
(실리콘계 점착제)
실리콘계 점착제로서는, 특별히 제한되지는 않고, 공지 내지 관용의 실리콘계 점착제를 사용할 수 있고, 예를 들어 부가형 실리콘계 점착제, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제, 축합형 실리콘계 점착제 등을 사용할 수 있다. 실리콘계 점착제는 1액형, 2액형의 어느 것이어도 된다. 실리콘계 점착제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 부가형 실리콘계 점착제는, 일반적으로, 규소 원자에 비닐기 등의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산과 히드로실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산을, 염화백금산 등의 백금 화합물 촉매를 사용하여 부가 반응(히드로실릴화 반응)시킴으로써 실리콘계 폴리머를 생성시키는 점착제이다. 과산화물 경화형 실리콘계 점착제는, 일반적으로, 오르가노폴리실록산을 과산화물에 의해 경화(가교)시켜서 실리콘계 폴리머를 생성시키는 점착제이다. 또한, 축합형 실리콘계 점착제는, 일반적으로, 말단에 실라놀기 또는 알콕시실릴기 등의 가수 분해성 실릴기를 갖는 폴리오르가노실록산간의 탈수 또는 탈알코올 반응에 의해 실리콘계 폴리머를 생성시키는 점착제이다.
실리콘계 점착제로서는, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉬운 점에서, 예를 들어 실리콘 고무와 실리콘 레진을 함유하는 실리콘계 점착제 조성물을 들 수 있다.
상기 실리콘 고무로서는, 실리콘계의 고무 성분이라면 특별히 제한되지는 않지만, 예를 들어 디메틸실록산, 메틸페닐실록산 등을 주된 구성 단위로 하는 오르가노폴리실록산을 사용할 수 있다. 또한, 반응의 형에 따라, 규소 원자에 결합한 알케닐기를 갖는 실리콘계 고무(알케닐기 함유 오르가노폴리실록산; 부가 반응형의 경우), 메틸기를 적어도 갖는 실리콘계 고무(과산화물 경화형의 경우), 말단에 실라놀기 또는 가수 분해성의 알콕시실릴기를 갖는 실리콘계 고무(축합형의 경우) 등을 사용할 수 있다. 또한, 실리콘 고무에 있어서의 오르가노폴리실록산의 중량 평균 분자량은, 통상 15만 이상이지만, 바람직하게는 28만 내지 100만이고, 특히 50만 내지 90만이 적합하다.
또한, 상기 실리콘 레진으로서는, 실리콘계 점착제에 사용되고 있는 실리콘계의 레진이라면 특별히 제한되지는 않지만, 예를 들어 구성 단위 「R3Si1/2」로 이루어지는 M 단위, 구성 단위 「SiO2」로 이루어지는 Q 단위, 구성 단위 「RSiO3/2」로 이루어지는 T 단위 및 구성 단위 「R2SiO」로 이루어지는 D 단위에서 선택되는 적어도 1종의 단위를 갖는 (공)중합체로 이루어지는 오르가노폴리실록산으로 이루어지는 실리콘 레진 등을 들 수 있다. 또한, 상기 구성 단위에 있어서의 R은 탄화수소기 또는 히드록실기를 나타낸다. 상기 탄화수소기로서는, 예를 들어 지방족 탄화수소기(메틸기, 에틸기 등의 알킬기 등), 지환식 탄화수소기(시클로헥실기 등의 시클로알킬기 등), 방향족 탄화수소기(페닐기, 나프틸기 등의 아릴기 등) 등을 들 수 있다. 상기 M 단위와, Q 단위, T 단위 및 D 단위에서 선택된 적어도 1종의 단위의 비율(비)로서는, 예를 들어 전자/후자(몰비)=0.3/1 내지 1.5/1(바람직하게는 0.5/1 내지 1.3/1) 정도인 것이 바람직하다. 이러한 실리콘 레진에 있어서의 오르가노폴리실록산에는, 필요에 따라, 비닐기 등의 각종 관능기가 도입되어 있어도 된다. 또한, 도입되는 관능기는, 가교 반응을 발생하는 것이 가능한 관능기여도 된다. 실리콘 레진으로서는, M 단위와 Q 단위로 이루어지는 MQ 레진이 바람직하다. 실리콘 레진에 있어서의 오르가노폴리실록산의 중량 평균 분자량은, 통상 1000 이상이지만, 바람직하게는 1000 내지 20000이고, 특히 1500 내지 10000이 적합하다.
실리콘 고무와 실리콘 레진의 배합 비율로서는, 특별히 제한되지는 않지만, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉬운 점에서, 예를 들어 실리콘 고무 100중량부에 대하여, 실리콘 레진이 100 내지 220중량부(특히, 120 내지 180중량부)인 것이 바람직하다.
또한, 실리콘 고무와 실리콘 레진을 함유하는 실리콘계 점착제 조성물에 있어서, 실리콘 고무와 실리콘 레진은, 단순히 혼합되어 있는 혼합 상태여도 되고, 서로 반응하여, 축합물(특히 부분 축합물), 가교 반응물, 부가 반응 생성물 등으로 되어 있어도 된다.
또한, 실리콘 고무와 실리콘 레진을 함유하는 실리콘계 점착제 조성물에서는, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉬운 점에서, 가교 구조체로 하기 위해서, 통상, 가교제를 포함하고 있다. 이러한 가교제로서는, 특별히 제한되지는 않지만, 실록산계 가교제(실리콘계 가교제), 과산화물계 가교제를 적합하게 사용할 수 있다. 가교제는 1종 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 실록산계 가교제로서는, 예를 들어 분자 중에 규소 원자에 결합하고 있는 수소 원자를 2개 이상 갖는 폴리오르가노히드로겐실록산을 적합하게 사용할 수 있다. 이러한 폴리오르가노히드로겐실록산에 있어서, 수소 원자가 결합하고 있는 규소 원자에는, 수소 원자 이외에 각종 유기기가 결합하고 있어도 된다. 해당 유기기로서는, 메틸기, 에틸기 등의 알킬기; 페닐기 등의 아릴기 외에, 할로겐화 알킬기 등을 들 수 있지만, 합성이나 취급의 관점에서, 메틸기가 바람직하다. 또한, 폴리오르가노히드로겐실록산의 골격 구조는, 직쇄상, 분지상, 환상의 어느 골격 구조를 갖고 있어도 되지만, 직쇄상이 적합하다.
상기 과산화물계 가교제로서는, 예를 들어 디아실퍼옥사이드, 알킬퍼옥시에스테르, 퍼옥시디카르보네이트, 모노퍼옥시카르보네이트, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥사이드, 하이드로퍼옥사이드, 케톤퍼옥사이드 등을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 과산화벤조일, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디쿠밀퍼옥사이드, t-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산, 2,4-디클로로-벤조일퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥시-디이소프로필벤젠, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥신-3 등 를 들 수 있다.
부가형 실리콘계 점착제로서, 예를 들어 상품명 「KR-3700」, 상품명 「KR-3701」, 상품명 「X-40-3237-1」, 상품명 「X-40-3240」, 상품명 「X-40-3291-1」, 상품명 「X-40-3306」(이상, 신에쓰 가가꾸사제)이 시판되고 있다. 또한, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제로서, 예를 들어 상품명 「KR-100」, 상품명 「KR-101-10」, 상품명 「KR-130」(이상, 신에쓰 가가꾸사제) 등이 시판되고 있다.
상기 부가형 실리콘계 점착제 조성물에는, 백금 촉매 등의 경화 촉매를 포함하는 것이 바람직하다. 백금 촉매로서, 예를 들어 상품명 「CAT-PL-50T」(신에쓰 가가꾸사제), 「DOWSIL NC-25 Catalyst」 또는 「DOWSIL SRX212 Catalyst」(이상, 다우 도레이사제) 등이 시판되고 있다. 제1 점착제층의 전자 부품의 수취성, 위치 정밀도, 실장 기판에 대한 전사성이나 태크력 등의 밸런스의 관점에서, 경화 촉매의 함유량은, 베이스 폴리머로서의 실리콘계 폴리머(실리콘 고무, 실리콘 레진 등을 포함함) 100중량부에 대하여, 0.1 내지 10중량부 정도가 바람직하다.
(우레탄계 점착제)
우레탄계 점착제로서는, 특별히 제한되지는 않고, 공지 내지 관용의 우레탄계 점착제를 사용할 수 있고, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉬운 점에서, 폴리올, 다관능 이소시아네이트계 화합물 및 촉매를 함유하는 우레탄계 점착제 조성물이 바람직하다.
상기 폴리올로서는, 히드록실기를 2개 이상 갖는 폴리올이라면, 임의의 적절한 폴리올을 채용할 수 있다. 이러한 폴리올로서는, 예를 들어 히드록실기를 2개 갖는 폴리올(디올), 히드록실기를 3개 갖는 폴리올(트리올), 히드록실기를 4개 갖는 폴리올(테트라올), 히드록실기를 5개 갖는 폴리올(펜타올), 히드록실기를 6개 갖는 폴리올(헥산올) 등을 들 수 있다. 폴리올로서는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
상기 폴리올로서는, 바람직하게는 수 평균 분자량(Mn)이 400 내지 20000의 폴리올을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 폴리올 전량 중의, 수 평균 분자량(Mn)이 400 내지 20000의 폴리올 함유 비율은, 바람직하게는 50 내지 100중량％이고, 보다 바람직하게는 70 내지 100중량％이고, 더욱 바람직하게는 90 내지 100중량％이고, 특히 바람직하게는 95 내지 100중량％이고, 가장 바람직하게는 실질적으로 100중량％이다. 폴리올중의, 수 평균 분자량(Mn)이 400 내지 20000의 폴리올 함유 비율을, 상기 범위 내로 조정함으로써, 예를 들어 저점착성, 저태크성으로 컨트롤된 우레탄계 점착제를 제공할 수 있다.
상기 폴리올로서는, 예를 들어 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리카프로락톤폴리올, 폴리카르보네이트폴리올, 피마자유계 폴리올 등을 들 수 있다.
상기 폴리에스테르폴리올로서는, 예를 들어 폴리올 성분과 산 성분의 에스테르화 반응에 의해 얻을 수 있다.
상기 폴리올 성분으로서는, 예를 들어 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 네오펜틸글리콜, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 2,4-디에틸-1,5-펜탄디올, 1,2-헥산디올, 1,6-헥산디올, 1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올, 2-메틸-1,8-옥탄디올, 1,8-데칸디올, 옥타데칸디올, 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 헥산트리올, 폴리프로필렌글리콜 등을 들 수 있다.
상기 산 성분으로서는, 예를 들어 숙신산, 메틸숙신산, 아디프산, 피메릭산, 아젤라산, 세바스산, 1,12-도데칸이산, 1,14-테트라데칸이산, 다이머산, 2-메틸-1,4-시클로헥산디카르복실산, 2-에틸-1,4-시클로헥산디카르복실산, 테레프탈산, 이소프탈산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-비페닐디카르복실산, 이들의 산 무수물 등을 들 수 있다.
상기 폴리에테르폴리올로서는, 예를 들어 물, 저분자 폴리올(프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜, 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨 등), 비스페놀류(비스페놀 A 등), 디히드록시벤젠(카테콜, 레조르신, 히드로퀴논 등) 등을 개시제로 하여, 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드, 부틸렌옥사이드 등의 알킬렌옥사이드를 부가 중합시킴으로써 얻어지는 폴리에테르폴리올을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜 등을 들 수 있다.
상기 폴리카프로락톤폴리올로서는, 예를 들어 ε-카프로락톤, σ-발레로락톤 등의 환상 에스테르 모노머의 개환 중합에 의해 얻어지는 카프로락톤계 폴리에스테르디올 등을 들 수 있다.
상기 폴리카르보네이트폴리올로서는, 예를 들어 상기 폴리올 성분과 포스겐을 중축합 반응시켜서 얻어지는 폴리카르보네이트폴리올; 상기 폴리올 성분과, 탄산디메틸, 탄산디에틸, 탄산디프로필, 탄산디이소프로필, 탄산디부틸, 에틸부틸탄산, 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트, 탄산디페닐, 탄산디벤질 등의 탄산디에스테르류를에스테르 교환 축합시켜서 얻어지는 폴리카르보네이트폴리올; 상기 폴리올 성분을 2종 이상 병용하여 얻어지는 공중합 폴리카르보네이트폴리올; 상기 각종 폴리카르보네이트폴리올과 카르복실기 함유 화합물을 에스테르화 반응시켜서 얻어지는 폴리카르보네이트폴리올; 상기 각종 폴리카르보네이트폴리올과 히드록실기 함유 화합물을 에테르화 반응시켜서 얻어지는 폴리카르보네이트폴리올; 상기 각종 폴리카르보네이트폴리올과 에스테르 화합물을 에스테르 교환 반응시켜서 얻어지는 폴리카르보네이트폴리올; 상기 각종 폴리카르보네이트폴리올과 히드록실기 함유 화합물을 에스테르 교환 반응시켜서 얻어지는 폴리카르보네이트폴리올; 상기 각종 폴리카르보네이트폴리올과 디카르복실산 화합물을 중축합 반응시켜서 얻어지는 폴리에스테르계 폴리카르보네이트폴리올; 상기 각종 폴리카르보네이트폴리올과 알킬렌옥사이드를 공중합시켜서 얻어지는 공중합 폴리에테르계 폴리카르보네이트폴리올; 등을 들 수 있다.
상기 피마자유계 폴리올로서는, 예를 들어 피마자유 지방산과 상기 폴리올 성분을 반응시켜서 얻어지는 피마자유계 폴리올을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 피마자유 지방산과 폴리프로필렌글리콜을 반응시켜서 얻어지는 피마자유계 폴리올을 들 수 있다.
상기 폴리올로서는, 제1 점착제층체의 전자 부품에 대한 저점착성, 저태크성, 습윤성 등의 관점에서, 히드록실기를 3개 갖는 폴리올(트리올)을 필수 성분으로서 사용하는 것이 바람직하다. 히드록실기를 3개 갖는 폴리올(트리올)은, 상기 폴리올을 구성하는 성분 전량에 대하여, 50 내지 100중량％ 함량하는 것이 바람직하고, 70 내지 100중량％ 함량하는 것이 보다 바람직하다.
상기 다관능 이소시아네이트계 화합물로서는, 예를 들어 지방족계 폴리이소시아네이트, 지환족계 폴리이소시아네이트, 방향족계 폴리이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다.
상기 지방족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들어 트리메틸렌디이소시아네이트, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 펜타메틸렌디이소시아네이트, 1,2-프로필렌디이소시아네이트, 1,3-부틸렌디이소시아네이트, 도데카메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
상기 지환족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들어 1,3-시클로펜텐디이소시아네이트, 1,3-시클로헥산디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트, 수소 첨가 크실릴렌디이소시아네이트, 수소 첨가 톨릴렌디이소시아네이트, 수소 첨가 테트라메틸크실릴렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
상기 방향족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들어 페닐렌디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 2,2'-디페닐메탄디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 4,4'-톨루이딘디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-디페닐디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 지방족 폴리이소시아네이트 및 그 변성체가 바람직하다. 지방족 폴리이소시아네이트 및 그 변성체는, 다른 이소시아네이트계 가교제에 비하여, 가교 구조가 유연성이 풍부하고, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉽다. 지방족 폴리이소시아네이트 및 그 변성체로서는, 특히 헥사메틸렌디이소시아네이트 및 그 변성체가 바람직하다.
상기 다관능 이소시아네이트계 화합물 및 상기 폴리올은, 제1 점착제층체의 전자 부품에 대한 저점착성, 저태크성, 습윤성의 관점에서, 상기 다관능 이소시아네이트계 화합물의 이소시아네이트기 및 상기 폴리올의 히드록실기의 당량비(NCO/OH)가 1 내지 5인 것이 바람직하고, 1.1 내지 3인 것이 보다 바람직하고, 1.2 내지 2인 것이 더욱 바람직하다.
상기 우레탄계 점착제 조성물에는, 철계 화합물, 및/또는 주석계 화합물 등의 촉매를 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 디라우르산디부틸주석, 디라우르산디옥틸주석 등의 주석계 촉매, 트리스(아세틸아세토나토)철, 트리스(헥산-2,4-디오나토)철, 트리스(헵탄-2,4-디오나토)철, 트리스(헵탄-3,5-디오나토)철, 트리스(5-메틸헥산-2,4-디오나토)철, 트리스(옥탄-2,4-디오나토)철, 트리스(6-메틸헵탄-2,4-디오나토)철, 트리스(2,6-디메틸헵탄-3,5-디오나토)철, 트리스(노난-2,4-디오나토)철, 트리스(노난-4,6-디오나토)철, 트리스(2,2,6,6-테트라메틸헵탄-3,5-디오나토)철, 트리스(트리데칸-6,8-디오나토)철, 트리스(1-페닐부탄-1,3-디오나토)철, 트리스(헥사플루오로아세틸아세토나토)철, 트리스(아세토아세트산에틸)철, 트리스(아세토아세트산-n-프로필)철, 트리스(아세토아세트산이소프로필)철, 트리스(아세토아세트산-n-부틸)철, 트리스(아세토아세트산-sec-부틸)철, 트리스(아세토아세트산-tert-부틸)철, 트리스(프로피오닐아세트산메틸)철, 트리스(프로피오닐아세트산에틸)철, 트리스(프로피오닐아세트산-n-프로필)철, 트리스(프로피오닐아세트산이소프로필)철, 트리스(프로피오닐아세트산-n-부틸)철, 트리스(프로피오닐아세트산-sec-부틸)철, 트리스(프로피오닐아세트산-tert-부틸)철, 트리스(아세토아세트산벤질)철, 트리스(말론산디메틸)철, 트리스(말론산디에틸)철, 트리메톡시철, 트리에톡시철, 트리이소프로폭시철, 염화제2철 등의 철계 촉매를 들 수 있다.
상기 우레탄계 점착제 조성물에 함유하는 촉매의 함유량(사용량)은, 폴리올 100중량부에 대하여, 0.002 내지 0.5중량부가 바람직하고, 0.005 내지 0.3중량부가 보다 바람직하고, 0.01 내지 0.1중량부가 더욱 바람직하다. 이 범위 내에 있으면, 점착제층을 형성한 때에 가교 반응의 속도가 빠르고, 점착제 조성물의 가용 시간도 길어져, 바람직한 양태가 된다.
또한, 우레탄계 점착제로서는, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉬운 점에서, 우레탄 프리폴리머를 함유하는 우레탄계 점착제 조성물도 바람직하다.
우레탄 프리폴리머를 함유하는 우레탄계 점착제 조성물은, 예를 들어 우레탄 프리폴리머로서의 폴리우레탄폴리올과 다관능 이소시아네이트계 화합물을 함유하는 점착제 조성물을 들 수 있다. 우레탄 프리폴리머는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 다관능 이소시아네이트계 화합물은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
우레탄 프리폴리머로서의 폴리우레탄폴리올은, 바람직하게는 폴리에스테르 폴리올과, 폴리에테르폴리올을, 촉매 존재 하 또는 무촉매 하에서, 유기 폴리이소시아네이트 화합물과 반응시켜서 이루어지는 것이다.
폴리에스테르폴리올로서는, 임의의 적절한 폴리에스테르폴리올을 사용할 수 있다. 이러한 폴리에스테르폴리올로서, 예를 들어 산 성분과 글리콜 성분을 반응시켜서 얻어지는 폴리에스테르폴리올을 들 수 있다. 산 성분으로서는, 예를 들어 테레프탈산, 아디프산, 아젤라산, 세바스산, 무수 프탈산, 이소프탈산, 트리멜리트산 등을 들 수 있다. 글리콜 성분으로서는, 예를 들어 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜, 1,6-헥산글리콜, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 3,3'-디메틸올헵탄, 폴리옥시에틸렌글리콜, 폴리옥시프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 네오펜틸글리콜, 부틸에틸펜탄디올, 폴리올 성분으로서 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨 등을 들 수 있다. 폴리에스테르폴리올로서는, 그 밖에, 폴리카프로락톤, 폴리(β-메틸-γ-발레로락톤), 폴리발레로락톤 등의 락톤류를 개환 중합하여 얻어지는 폴리에스테르폴리올 등도 들 수 있다.
폴리에스테르폴리올의 분자량으로서는, 저분자량으로부터 고분자량까지 사용 가능하다. 폴리에스테르폴리올의 분자량으로서는, 수 평균 분자량이, 바람직하게는 500 내지 5000이다. 수 평균 분자량이 500 미만이면, 반응성이 높아지고, 겔화되기 쉬워질 우려가 있다. 수 평균 분자량이 5000을 초과하면, 반응성이 낮아지고, 나아가 폴리우레탄폴리올 자체의 응집력이 작아질 우려가 있다. 폴리에스테르폴리올의 사용량은, 폴리우레탄폴리올을 구성하는 폴리올 중, 바람직하게는 10 내지 90몰％이다.
폴리에테르폴리올로서는, 임의의 적절한 폴리에테르폴리올을 사용할 수 있다. 이러한 폴리에테르폴리올로서는, 예를 들어 물, 프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜, 글리세린, 트리메틸올프로판 등의 저분자량 폴리올을 개시제로서 사용하여, 에틸렌옥시드, 프로필렌옥시드, 부틸렌옥시드, 테트라히드로푸란 등의 옥시란 화합물을 중합시킴으로써 얻어지는 폴리에테르폴리올을 들 수 있다. 이러한 폴리에테르폴리올로서는, 구체적으로는, 예를 들어 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜 등의 관능기 수가 2 이상의 폴리에테르폴리올을 들 수 있다.
폴리에테르폴리올의 분자량으로서는, 저분자량으로부터 고분자량까지 사용 가능하다. 폴리에테르폴리올의 분자량으로서는, 수 평균 분자량이, 바람직하게는 1000 내지 5000이다. 수 평균 분자량이 1000 미만이면, 반응성이 높아지고, 겔화되기 쉬워질 우려가 있다. 수 평균 분자량이 5000을 초과하면, 반응성이 낮아지고, 나아가 폴리우레탄폴리올 자체의 응집력이 작아질 우려가 있다. 폴리에테르폴리올의 사용량은, 폴리우레탄폴리올을 구성하는 폴리올 중, 바람직하게는 20 내지 80몰％이다.
폴리에테르폴리올은, 필요에 따라서 그 일부를, 에틸렌글리콜, 1,4-부탄디올, 네오펜틸글리콜, 부틸에틸펜탄디올, 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨 등의 글리콜류나, 에틸렌디아민, N-아미노에틸에탄올아민, 이소포론디아민, 크실릴렌디아민 등의 다가 아민류 등으로 치환하여 병용할 수 있다.
폴리에테르폴리올로서는, 2관능성의 폴리에테르폴리올만을 사용해도 되고, 수 평균 분자량이 1000 내지 5000이고, 또한 1분자 중에 적어도 3개 이상의 수산기를 갖는 폴리에테르폴리올을 일부 또는 전부 사용해도 된다. 폴리에테르폴리올로서, 평균 분자량이 1000 내지 5000이고, 또한, 1분자 중에 적어도 3개 이상의 수산기를 갖는 폴리에테르폴리올을 일부 혹은 전부 사용하면, 점착력과 재박리성의 밸런스가 양호해질 수 있다. 이러한 폴리에테르폴리올에 있어서는, 수 평균 분자량이 1000 미만이면, 반응성이 높아지고, 겔화되기 쉬워질 우려가 있다. 또한, 이러한 폴리에테르폴리올에 있어서는, 수 평균 분자량이 5000을 초과하면, 반응성이 낮아지고, 나아가 폴리우레탄폴리올 자체의 응집력이 작아질 우려가 있다. 이러한 폴리에테르폴리올의 수 평균 분자량은, 보다 바람직하게는 2500 내지 3500이다.
유기 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 임의의 적절한 유기 폴리이소시아네이트 화합물을 사용할 수 있다. 이러한 유기 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 방향족 폴리이소시아네이트, 지방족 폴리이소시아네이트, 방향 지방족 폴리이소시아네이트, 지환족 폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다.
방향족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들어 1,3-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐디이소시아네이트, 1,4-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-톨루이딘디이소시아네이트, 2,4,6-트리이소시아네이트톨루엔, 1,3,5-트리이소시아네이트벤젠, 디아니시딘디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4',4"-트리페닐메탄트리이소시아네이트 등을 들 수 있다.
지방족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들어 트리메틸렌디이소시아네이트, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 펜타메틸렌디이소시아네이트, 1,2-프로필렌디이소시아네이트, 2,3-부틸렌디이소시아네이트, 1,3-부틸렌디이소시아네이트, 도데카메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
방향 지방족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들어 ω,ω'-디이소시아네이트-1,3-디메틸벤젠, ω,ω'-디이소시아네이트-1,4-디메틸벤젠, ω,ω'-디이소시아네이트-1,4-디에틸벤젠, 1,4-테트라메틸크실릴렌디이소시아네이트, 1,3-테트라메틸크실릴렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
지환족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들어 3-이소시아네이토메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥실이소시아네이트, 1,3-시클로펜탄디이소시아네이트, 1,3-시클로헥산디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 메틸-2,4-시클로헥산디이소시아네이트, 메틸-2,6-시클로헥산디이소시아네이트, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 1,4-비스(이소시아네이토메틸)시클로헥산, 1,4-비스(이소시아네이토메틸)시클로헥산 등을 들 수 있다.
유기 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 트리메틸올프로판 어덕트체, 물과 반응한 뷰렛체, 이소시아누레이트환을 갖는 3량체 등도 병용할 수 있다.
폴리우레탄폴리올을 얻을 때에 사용할 수 있는 촉매로서는, 임의의 적절한 촉매를 사용할 수 있다. 이러한 촉매로서는, 예를 들어 3급 아민계 화합물, 유기 금속계 화합물 등을 들 수 있다.
3급 아민계 화합물로서는, 예를 들어 트리에틸아민, 트리에틸렌디아민, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)-운데센-7(DBU) 등을 들 수 있다.
유기 금속계 화합물로서는, 예를 들어 주석계 화합물, 비주석계 화합물 등을 들 수 있다.
주석계 화합물로서는, 예를 들어 디부틸주석디클로라이드, 디부틸주석옥사이드, 디부틸주석디브로마이드, 디부틸주석디말레에이트, 디부틸주석디라우레이트(DBTDL), 디부틸주석디아세테이트, 디부틸주석술파이드, 트리부틸주석술파이드, 트리부틸주석옥사이드, 트리부틸주석아세테이트, 트리에틸주석에톡사이드, 트리부틸주석에톡사이드, 디옥틸주석옥사이드, 트리부틸주석클로라이드, 트리부틸주석트리클로로아세테이트, 2-에틸헥산산주석 등을 들 수 있다.
비주석계 화합물로서는, 예를 들어 디부틸티타늄디클로라이드, 테트라부틸티타네이트, 부톡시티타늄트리클로라이드 등의 티타늄계 화합물; 올레산납, 2-에틸헥산산납, 벤조산납, 나프텐산납 등의 납계 화합물; 2-에틸헥산산철, 철아세틸아세토네이트 등의 철계 화합물; 벤조산코발트, 2-에틸헥산산코발트 등의 코발트계 화합물; 나프텐산아연, 2-에틸헥산산아연 등의 아연계 화합물; 나프텐산 지르코늄 등의 지르코늄계 화합물; 등을 들 수 있다.
폴리우레탄폴리올을 얻을 때에 촉매를 사용하는 경우, 폴리에스테르폴리올과 폴리에테르폴리올의 2종류의 폴리올이 존재하는 계에서는, 그 반응성의 상이 때문에, 단독의 촉매계에서는, 겔화하거나 반응 용액이 흐려지거나 한다고 하는 문제가 발생하기 쉽다. 그래서, 폴리우레탄폴리올을 얻을 때에 2종류의 촉매를 사용함으로써, 반응 속도, 촉매의 선택성 등을 제어하기 쉬워져, 이들의 문제를 해결할 수 있다. 이러한 2종류의 촉매의 조합으로서는, 예를 들어 3급 아민/유기 금속계, 주석계/비주석계, 주석계/주석계를 들 수 있고, 바람직하게는 주석계/주석계이고, 보다 바람직하게는 디부틸주석디라우레이트와 2-에틸헥산산주석의 조합이다. 그 배합비는, 중량비로, 2-에틸헥산산주석/디부틸주석디라우레이트가, 바람직하게는 1 미만이고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 0.6이다. 배합비가 1 이상이면, 촉매 활성의 밸런스에 의해 겔화되기 쉬워질 우려가 있다.
폴리우레탄폴리올을 얻을 때에 촉매를 사용하는 경우, 촉매의 사용량은, 폴리에스테르폴리올과 폴리에테르폴리올과 유기 폴리이소시아네이트 화합물의 총량에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 1.0중량％이다.
폴리우레탄폴리올을 얻을 때에 촉매를 사용하는 경우, 반응 온도는, 바람직하게는 100℃ 미만이고, 보다 바람직하게는 85℃ 내지 95℃이다. 100℃ 이상이 되면 반응 속도, 가교 구조의 제어가 곤란해질 우려가 있고, 소정의 분자량을 갖는 폴리우레탄폴리올이 얻기 어려워질 우려가 있다.
폴리우레탄폴리올을 얻을 때에는, 촉매를 사용하지 않아도 된다. 그 경우에는, 반응 온도가, 바람직하게는 100℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 110℃ 이상이다. 또한, 무촉매 하에서 폴리우레탄폴리올을 얻을 때는, 3시간 이상 반응시키는 것이 바람직하다.
폴리우레탄폴리올을 얻는 방법으로서는, 예를 들어 1) 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올, 촉매, 유기 폴리이소시아네이트를 전량 플라스크에 투입하는 방법, 2) 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올, 촉매를 플라스크에 투입하여 유기 폴리이소시아네이트를 적하하는 첨가하는 방법을 들 수 있다. 폴리우레탄폴리올을 얻는 방법으로서, 반응을 제어함에 있어서는, 2)의 방법이 바람직하다.
폴리우레탄폴리올을 얻을 때에는, 임의의 적절한 용제를 사용할 수 있다. 이러한 용제로서는, 예를 들어 메틸에틸케톤, 아세트산에틸, 톨루엔, 크실렌, 아세톤 등을 들 수 있다. 이들의 용제 중에서도, 바람직하게는 톨루엔이다.
다관능 이소시아네이트계 화합물로서는, 전술한 것을 원용할 수 있다.
우레탄 프리폴리머를 함유하는 조성물로부터 얻어지는 폴리우레탄계 조성물을 제조하는 방법으로서는, 소위 「우레탄 프리폴리머」를 원료로서 사용하여 폴리우레탄계 수지 조성물을 제조하는 방법이라면, 임의의 적절한 제조 방법을 채용할 수 있다.
(아크릴계 점착제)
아크릴계 점착제로서는, 특별히 제한되지는 않고, 공지 내지 관용의 아크릴계 점착제를 사용할 수 있고, 예를 들어 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉬운 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로서 함유하는 아크릴계 점착제 조성물을 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머는, 폴리머의 구성 단위로서, 아크릴계 모노머(분자 중에 (메트)아크릴로일기를 갖는 모노머 성분)에서 유래되는 구성 단위를 포함하는 폴리머이다. 상기 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많이 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴계 폴리머는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」(「아크릴」 및 「메타크릴」 중, 어느 한쪽 또는 양쪽)을 나타내고, 기타도 마찬가지이다.
상기 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르(라우릴에스테르), 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 페닐에스테르, 벤질에스테르를 들 수 있다.
상기 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 제1 점착제층에 있어서 적절하게 발현시켜서, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉬운 점에서, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의, 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르의 비율은, 40질량％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.
상기 아크릴계 폴리머는 응집력, 내열성, 점착성, 태크성 등의 개질을 목적으로서, 상기 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에서 유래되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 기타의 모노머 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 모노머, 비닐에스테르계 모노머 등을 들 수 있다. 상기 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등을 들 수 있다. 상기 산 무수물 모노머로서는, 예를 들어 무수 말레산, 무수 이타콘산 등을 들 수 있다. 상기 히드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 글리시딜기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산메틸글리시딜 등을 들 수 있다. 상기 술폰산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등을 들 수 있다. 상기 인산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등을 들 수 있다. 상기 비닐에스테르계 모노머로서는, 예를 들어 아세트산비닐, 프로피온산비닐, 부티르산비닐, 피발산비닐, 시클로헥산카르복실산비닐, 벤조산비닐을 들 수 있다. 상기 기타의 모노머 성분은, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 제1 점착제층에 있어서 적절하게 발현시켜서, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉬운 점에서, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의, 상기 기타의 모노머 성분의 합계 비율은, 60질량％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다.
상기 아크릴계 폴리머는, 그 폴리머 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해서, 아크릴계 폴리머를 형성하는 모노머 성분과 공중합 가능한 다관능성 모노머에서 유래되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다관능성 모노머로서는, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트(예를 들어, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트), 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등의 분자 내에 (메트)아크릴로일기와 다른 반응성 관능기를 갖는 단량체 등을 들 수 있다. 상기 다관능성 모노머는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 제1 점착제층에 있어서 적절하게 발현시켜서, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤하기 쉬운 점에서, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 상기 다관능성 모노머의 비율은, 40질량％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30질량％ 이하이다.
아크릴계 폴리머는, 아크릴계 모노머를 포함하는 1종 이상의 모노머 성분을 중합에 부침으로써 얻어진다. 중합 방법으로서는, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등을 들 수 있다.
아크릴계 폴리머의 질량 평균 분자량은, 10만 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다. 질량 평균 분자량이 10만 이상이면, 점착제층 중의 저분자량 물질이 적은 경향이 있고, 전자 부품 등에의 오염을 보다 억제할 수 있다.
제1 점착제층을 형성하는 아크릴계 점착제 조성물은, 가교제를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 아크릴계 폴리머를 가교시켜서, 제1 점착제층 중의 저분자량 물질을 보다 저감시킬 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머의 질량 평균 분자량을 높여, 저점착성, 저태크성으로 컨트롤할 수 있다. 상기 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물(폴리페놀계 화합물 등), 아지리딘 화합물, 멜라민 화합물 등을 들 수 있고, 이소시아네이트계 가교제 및/또는 에폭시계 가교제가 바람직하다. 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 아크릴계 폴리머 100질량부에 대하여, 10질량부 정도 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10질량부이다.
이소시아네이트계 가교제로서는, 예를 들어 지방족 이소시아네이트류, 지환식 이소시아네이트류 및 방향족 이소시아네이트류를 들 수 있다. 지방족 이소시아네이트류로서는, 예를 들어 트리메틸렌디이소시아네이트, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 및 다이머산디이소시아네이트를 들 수 있다. 지환식 이소시아네이트류로서는, 예를 들어 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 및 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산을 들 수 있다. 방향족 이소시아네이트류로서는, 예를 들어 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트 및 크실릴렌디이소시아네이트를 들 수 있다. 또한, 이소시아네이트계 가교제로서는, 톨릴렌디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 부가물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤제)이나 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누르체(상품명 「코로네이트 HX」, 도소 가부시키가이샤제)도 들 수 있다.
에폭시계 가교제(다관능 에폭시 화합물)로서는, 예를 들어 N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 디글리시딜아닐린, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 소르비탄폴리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르, 아디프산디글리시딜에스테르, o-프탈산디글리시딜에스테르, 트리글리시딜-트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트, 레조르신디글리시딜에테르 및 비스페놀-S-디글리시딜에테르를 들 수 있고, 또한, 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시계 수지도 들 수 있다. 시판하고 있는 에폭시계 가교제로서는, 예를 들어 미쯔비시 가스 가가꾸 가부시키가이샤제의 「테트래드 C」를 들 수 있다.
제1 점착제층을 구성하는 점착제 조성물에는, 경박리화제를 포함하는 것이 바람직하다. 경박리화제를 포함함으로써, 제1 점착제층의 표면에 WBL(Weak Boundary Layer; 약경계층)이 형성되고, 저점착성, 저태크성으로 제어하기 쉬워진다.
경박리화제로서는, 특별히 한정되지는 않고, 공지된 경박리화제를 제한 없이 사용할 수 있고, 예를 들어 실리콘계 박리제, 불소계 계면활성제, 지방족 에스테르 등을 들 수 있고, 이들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 실리콘계 박리제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 열경화성 실리콘계 박리제, 전리성 방사선 경화성 실리콘계 박리제 등을 들 수 있다. 또한, 실리콘계 박리제는, 용제를 포함하지 않는 무용제형, 유기 용제에 용해 또는 분산한 용제형의 어느 것이어도 된다. 또한, 실리콘계 박리제는, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 열경화성 실리콘계 박리제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 오르가노히드로겐폴리실록산과 지방족 불포화기를 갖는 오르가노폴리실록산을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 실리콘계 박리제는, 열 부가 반응에 의한 가교가 일어나서 경화하는 열 부가 반응 경화성 실리콘계 박리제인 것이 바람직하다.
상기 열 부가 반응 경화성 실리콘계 박리제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 분자 중에 규소 원자(Si)에 결합한 수소 원자(H)를 갖는 폴리실록산(Si-H기 함유 폴리실록산)과, 분자 중에 Si-H 결합(Si와 H의 공유 결합)에 대하여 반응성을 갖는 관능기(Si-H기 반응성 관능기)를 포함하는 폴리실록산(Si-H기 반응성 폴리실록산)을 포함하는 박리제를 바람직하게 들 수 있다. 또한, 이 박리제는, Si-H기와 Si-H기 반응성 관능기가 부가 반응하여 가교함으로써 경화한다.
상기 Si-H기 함유 폴리실록산에 있어서, H가 결합한 Si는, 주쇄 중의 Si 및 측쇄 중의 Si의 어느 것이어도 된다. 상기 Si-H기 함유 폴리실록산은, 분자 중에 Si-H기를 2개 이상 포함하는 폴리실록산이 바람직하다. 2개 이상의 Si-H기를 함유하는 폴리실록산으로서는, 폴리(디메틸실록산-메틸실록산) 등의 디메틸히드로겐실록산계 폴리머를 바람직하게 들 수 있다.
또한, 상기 Si-H기 반응성 폴리실록산으로서는, Si-H기 반응성 관능기 또는 이러한 관능기를 포함하는 측쇄가, 실록산계 폴리머의 주쇄(골격)를 형성하는 Si(예를 들어, 주쇄 말단의 Si, 주쇄 내부의 Si)에 결합한 양태의 폴리실록산를 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, Si-H기 반응성 관능기가 주쇄 중의 Si에 직접 결합한 폴리실록산이 바람직하다. 나아가, 상기 Si-H기 반응성 폴리실록산으로서는, 분자 중에 Si-H기 반응성 관능기를 2개 이상 포함하는 폴리실록산도 바람직하게 들 수 있다.
상기 Si-H기 반응성 폴리실록산에 있어서의 Si-H기 반응성 관능기로서는, 예를 들어 비닐기, 헥세닐기 등의 알케닐기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 Si-H기 반응성 폴리실록산에 있어서의 주쇄 부분을 형성하는 실록산계 폴리머로서는, 예를 들어 폴리디메틸실록산, 폴리디에틸실록산, 폴리메틸에틸실록산 등의 폴리디알킬실록산(2개의 알킬기는 동일해도, 달라도 됨); 폴리알킬아릴실록산; 폴리(디메틸실록산메틸실록산), 복수의 Si 함유 모노머를 중합하여 이루어지는 폴리머 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 주쇄 부분을 형성하는 실록산계 폴리머로서는, 폴리디메틸실록산이 바람직하다.
특히, 상기 열 부가 반응 경화성 실리콘계 박리제는, 분자 중에 Si-H기를 2개 이상 포함하는 폴리실록산과, 분자 중에 Si-H기 반응성 관능기를 2개 이상 포함하는 폴리실록산을 함유하는 열 부가 반응 경화성 실리콘계 박리제인 것이 바람직하다.
또한, 상기 전리성 방사선 경화성 실리콘계 박리제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 자외선(UV) 조사에 의해 가교 반응이 일어나서 경화하는 UV 경화성 실리콘계 박리제를 바람직하게 들 수 있다.
상기 UV 경화성 실리콘계 박리제는, UV 조사에 의해, 양이온 중합, 라디칼 중합, 라디칼 부가 중합, 히드로실릴화 반응 등의 화학 반응이 일어나서 경화하는 박리제이다. 상기 UV 경화성 실리콘계 박리제는, 양이온 중합에 의해 경화하는 UV 경화성 실리콘계 박리제가 특히 바람직하다.
양이온 중합형의 UV 경화성 실리콘계 박리제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 적어도 2개의 에폭시기가, 실록산계 폴리머의 주쇄(골격)를 형성하는 Si(예를 들어, 주쇄 말단의 Si, 주쇄 내부의 Si) 및/또는 측쇄에 포함되는 Si에, 각각 직접 또는 2가의 기(메틸렌기, 에틸렌기 등의 알킬렌기; 에틸렌옥시기, 프로필렌옥시기 등의 알킬렌옥시기 등)를 통해 결합한 에폭시기 함유 폴리실록산을 포함하는 박리제를 바람직하게 들 수 있다. 이들 적어도 2개의 에폭시기의 Si로의 결합 양태는, 동일해도 되고 달라도 된다. 즉, 1종 또는 2종 이상의 에폭시기 함유 측쇄를 2개 이상 포함하는 폴리실록산을 포함하는 박리제를 바람직하게 들 수 있다. 에폭시기 함유 측쇄로서는, 글리시딜기, 글리시독시기(글리시딜옥시기), 3,4-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로펜틸기 등을 들 수 있다. 에폭시기 함유 폴리실록산은, 직쇄상, 분지쇄상 또는 그것들의 혼합물의 어느 것이어도 된다.
특히, 본 발명의 전사용 양면 점착 테이프에서는, 제1 점착제층을 저점착성, 저태크성으로 제어하기 쉽다고 하는 관점에서, 실리콘계 점착제에 열경화성 실리콘계 박리제를 포함하는 것이 바람직하고, 열 부가 반응 경화성 실리콘계 박리제를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 전사용 양면 점착 테이프에서의 제1 점착제층이 실리콘계 점착제를 포함하는 경우, 상기 실리콘계 박리제의 함유량은, 특별히 한정되지는 않지만, 베이스 폴리머인 실리콘계 폴리머 100중량부에 대하여, 0.5중량부 이상 100중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 함유량이 0.5중량부 이상이면, 제1 점착제층을 저점착성, 저태크성으로 제어하기 쉽다고 하는 효과를 얻기 쉬워지고, 보다 바람직하게는 1중량부 이상이고, 더욱 보다 바람직하게는 3중량부 이상이다. 또한, 상기 함유량이 100중량부 이하이면, 충분한 점착성이 얻어지지 않고, 전자 부품의 수취가 어려워진다는 문제를 억제하기 쉬워지고, 보다 바람직하게는 30중량부 이하이고, 더욱 보다 바람직하게는 25중량부 이하이다.
상기 불소계 계면활성제를 경박리화제로서 사용함으로써, 불소 부위의 저표면 자유 에너지에 의한 경박리 효과를 발휘할 수 있다.
상기 불소계 계면활성제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 불소계 올리고머, 퍼플루오로부탄술폰산염, 퍼플루오로알킬기 함유 카르복실산염, 헥사플루오로펜탄트리머 유도체 함유 술폰산염, 헥사플루오로펜탄트리머 유도체 함유 카르복실산염, 헥사플루오로펜탄트리머 유도체 함유 4급 암모늄염, 헥사플루오로펜탄트리머 유도체 함유 베타인, 헥사플루오로펜탄트리머 유도체 함유 폴리옥시에틸렌에테르 등 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 불소계 올리고머가 바람직하다. 또한, 불소계 계면활성제는, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 불소계 계면활성제의 구체예로서는, 예를 들어 시판품으로서, 상품명이, 메가팍 F-114, F-410(이상, DIC사제), 서플론 S-211, S-221, S-231, S-232, S-233, S-241, S-242, S-243, S-420(이상, AGC 세이미 케미칼사제), 프터젠트 100, 100C, 110, 150, 150CH, 300, 310, 320, 400SW, 251, 212M, 215M, 250, 209F, 222F, 245F, 208G, 218GL, 240G, 212P, 220P, 228P, FTX-218, DFX-18(이상 네오스사제) 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
상기 불소계 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 3500 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5000 이상, 더욱 바람직하게는 10000 이상, 특히 바람직하게는 20000 이상이다. 상기 불소계 올리고머의 중량 평균 분자량이 3500 이상이면, 저점착성, 저태크성으로 제어하기 쉬워진다. 또한, 중량 평균 분자량이 20000 이상이면, 점착제(조성물)의 배합 시의 거품 일기를 억제할 수 있고, 점착제 도포 시공 후의 외관이 우수하기 때문에, 바람직하다. 또한, 상기 불소계 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)의 상한으로서는, 20만 이하가 바람직하고, 10만 이하가 보다 바람직하다. 20만 이하로 함으로써, 불소계 올리고머가 표면에 편재되기 쉽고, 경박리 효과를 보다 발휘하기 쉬워져, 바람직하다.
또한, 상기 불소계 올리고머로서는, 예를 들어 시판품으로서, 상품명이 메가팍 F-251, F-253, F-281, F-410, F-430, F-444, F-477, F-510, F-511, F-551, F-552, F-553, F-554, F-555, F-556, F-557, F-558, F-559, F-560, F-561, F-562, F-563, F-565, F-568, F-569, F-570, F-571, F-572(이상, DIC사제), 서플론 S-611, S-651, S-386(이상, AGC 세이미 케미칼사제), 프터젠트 610FM, 710FL, 710FM, 710FS, 730FL, 730LM(이상 네오스사제) 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
본 발명의 전사용 양면 점착 테이프에서의 제1 점착제층이 불소계 계면활성제를 포함하는 경우, 상기 불소계 계면활성제의 함유량은, 특별히 한정되지는 않지만, 베이스 폴리머인 실리콘계 폴리머 100중량부에 대하여, 0.01중량부 이상 5중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 함유량이 0.01중량부 이상이면, 제1 점착제층을 저점착성, 저태크성으로 제어하기 쉽다고 하는 효과를 얻기 쉬워지고, 보다 바람직하게는 0.05중량부 이상이고, 더욱 보다 바람직하게는 0.1중량부 이상이다. 또한, 상기 함유량이 5중량부 이하이면, 충분한 점착성이 얻어지지 않고, 전자 부품의 수취가 어려워진다는 문제를 억제하기 쉬워지고, 또한, 투명성의 저하를 억제하는 관점에서, 보다 바람직하게는 3중량부 이하이고, 더욱 보다 바람직하게는 2중량부 이하이다.
제1 점착제층을 구성하는 점착제 조성물이 지방산에스테르를 포함함으로써, 제1 점착제층체의 전자 부품에 대한 저점착성, 저태크성, 습윤성을 기대할 수 있다.
상기 지방산에스테르로서는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌 비스페놀 A 라우르산에스테르, 스테아르산부틸, 팔미트산2-에틸헥실, 스테아르산2-에틸헥실, 베헤닌산모노글리세라이드, 2-에틸헥산산세틸, 미리스트산이소프로필, 팔미트산이소프로필, 이소스테아르산콜레스테릴, 메타크릴산라우릴, 야자 지방산메틸, 라우르산메틸, 올레산메틸, 스테아르산메틸, 미리스트산미리스틸, 미리스트산옥틸도데실, 펜타에리트리톨모노올레에이트, 펜타에리트리톨모노스테아레이트, 펜타에리트리톨테트라팔미테이트, 스테아르산스테아릴, 스테아르산이소트리데실, 2-에틸헥산산트리글리세라이드, 라우르산부틸, 올레산옥틸, 이소노난산트리데실 등을 들 수 있다. 지방산에스테르는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
상기 우레탄계 점착제 조성물에 함유하는 지방산에스테르의 함유량은, 제1 점착제층체의 전자 부품에 대한 저점착성, 저태크성, 습윤성이나 피착체에 대한 오염성의 관점에서, 예를 들어 폴리올 100중량부에 대하여, 1 내지 50중량부가 바람직하고, 2 내지 40중량부가 보다 바람직하고, 3 내지 30중량부가 더욱 바람직하다.
제1 점착제층을 구성하는 점착제 조성물이 경박리화제를 포함하는 경우, 그 함유량(총량)은, 제1 점착제층체의 전자 부품에 대한 저점착성, 저태크성, 습윤성이나 전자 부품에 대한 오염성의 관점에서, 예를 들어 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 0.1중량부 이상이 바람직하고, 1중량부 이상이 보다 바람직하고, 3중량부 이상이 더욱 바람직하다. 제1 점착제층의 착색을 방지하는 관점에서, 50중량부 이하가 바람직하고, 30중량부 이하가 보다 바람직하고, 10중량부 이하가 더욱 바람직하다.
제1 점착제층을 구성하는 점착제 조성물에는, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등의 열화 방지제를 포함하는 것이 바람직하다. 열화 방지제를 포함함으로써, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 보관 시의 변색 등의 열화를 억제할 수 있고, 또한, 전사용 양면 점착 시트를 절단하기 쉬워지는 등 가공성을 향상시킬 수 있다.
상기 자외선 흡수제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 트리아진계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 벤조페논계 자외선 흡수제, 옥시벤조페논계 자외선 흡수제, 살리실산에스테르계 자외선 흡수제, 시아노아크릴레이트계 자외선 흡수제 등을 들 수 있고, 이들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 트리아진계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제가 바람직하고, 1분자 중에 히드록실기를 2개 이하 갖는 트리아진계 자외선 흡수제 및 1분자 중에 벤조트리아졸 골격을 1개 갖는 벤조트리아졸계 자외선 흡수제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 자외선 흡수제인 것이, 아크릴계 점착제 조성물의 형성에 사용되는 모노머에 대한 용해성이 양호하고, 또한, 파장 380nm 부근에서의 자외선 흡수 능력이 높기 때문에 바람직하다.
1분자 중에 히드록실기를 2개 이하 갖는 트리아진계 자외선 흡수제로서는, 구체적으로는 2,4-비스-[{4-(4-에틸헥실옥시)-4-히드록시}-페닐]-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진(Tinosorb S, BASF제), 2,4-비스[2-히드록시-4-부톡시페닐]-6-(2,4-디부톡시페닐)-1,3,5-트리아진(TINUVIN460, BASF제), 2-(4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일)-5-히드록시페닐과 [(C10-C16(주로 C12-C13)알킬옥시)메틸]옥시란의 반응 생성물(TINUVIN400, BASF제), 2-[4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일]-5-[3-(도데실옥시)-2-히드록시프로폭시]페놀), 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스-(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진과(2-에틸헥실)-글리시드산에스테르의 반응 생성물(TINUVIN405, BASF제), 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-[(헥실)옥시]-페놀(TINUVIN1577, BASF제), 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-[2-(2-에틸헥사노일옥시)에톡시]-페놀(ADK STAB LA46, ADEKA제), 2-(2-히드록시-4-[1-옥틸옥시카르보닐에톡시]페닐)-4,6-비스(4-페닐페닐)-1,3,5-트리아진(TINUVIN479, BASF사제) 등을 들 수 있다.
또한, 1분자 중에 벤조트리아졸 골격을 1개 갖는 벤조트리아졸계 자외선 흡수제로서는, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀(TINUVIN 928, BASF제), 2-(2-히드록시-5-tert-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸(TINUVIN PS, BASF제), 벤젠프로판산 및 3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시(C7-9측쇄 및 직쇄 알킬)의 에스테르 화합물(TINUVIN384-2, BASF제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀(TINUVIN900, BASF제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀(TINUVIN928, BASF제), 메틸-3-(3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트/폴리에틸렌글리콜 300의 반응 생성물(TINUVIN1130, BASF제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-p-크레졸(TINUVIN P, BASF제), 2(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀(TINUVIN234, BASF제), 2-〔5-클로로(2H)-벤조트리아졸-2-일〕-4-메틸-6-(tert-부틸)페놀(TINUVIN326, BASF제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-tert-펜틸페놀(TINUVIN328, BASF제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀(TINUVIN329, BASF제), 메틸3-(3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트와 폴리에틸렌글리콜 300의 반응 생성물(TINUVIN213, BASF제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-도데실-4-메틸페놀(TINUVIN571, BASF제), 2-[2-히드록시-3-(3,4,5,6-테트라히드로프탈이미드메틸)-5-메틸페닐]벤조트리아졸(Sumisorb250, 스미또모 가가꾸 고교(주)제) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 벤조페논계 자외선 흡수제(벤조페논계 화합물), 옥시벤조페논계 자외선 흡수제(옥시벤조페논계 화합물)로서는, 예를 들어 2,4-디히드록시벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시벤조페논-5-술폰산(무수 및 3수염), 2-히드록시-4-옥틸옥시벤조페논, 4-도데실옥시-2-히드록시벤조페논, 4-벤질옥시-2-히드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,2'-디히드록시-4,4-디메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.
또한 상기 살리실산에스테르계 자외선 흡수제(살리실산에스테르계 화합물)로서는, 예를 들어 페닐-2-아크릴로일옥시벤조에이트, 페닐-2-아크릴로일옥시-3-메틸벤조에이트, 페닐-2-아크릴로일옥시-4-메틸벤조에이트, 페닐-2-아크릴로일옥시-5-메틸벤조에이트, 페닐-2-아크릴로일옥시-3-메톡시벤조에이트, 페닐-2-히드록시벤조에이트, 페닐-2-히드록시-3-메틸벤조에이트, 페닐-2-히드록시-4메틸벤조에이트, 페닐-2-히드록시-5-메틸벤조에이트, 페닐2-히드록시-3-메톡시벤조에이트, 2,4-디-tert-부틸페닐-3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤조에이트(TINUVIN120, BASF제) 등을 들 수 있다.
상기 시아노아크릴레이트계 자외선 흡수제(시아노아크릴레이트계 화합물)로서는, 예를 들어 알킬-2-시아노아크릴레이트, 시클로알킬-2-시아노아크릴레이트, 알콕시알킬-2-시아노아크릴레이트, 알케닐-2-시아노아크릴레이트, 알키닐-2-시아노아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 자외선 흡수제의 흡수 스펙트럼 최대 흡수 파장은, 300 내지 400nm의 파장 영역에 존재하는 것이 바람직하고, 320 내지 380nm의 파장 영역에 존재하는 것이 보다 바람직하다.
상기 산화 방지제로서는, 예를 들어 페놀계, 인계, 황계 및 아민계의 산화 방지제를 들 수 있고, 이들에서 선택되는 어느 적어도 1종을 사용한다. 이들 중에서도, 페놀계 산화 방지제가 바람직하고, 특히 힌더드 페놀계 산화 방지제가 바람직하다.
페놀계 산화 방지제의 구체예로서는, 단환 페놀 화합물로서, 2,6-디-t-부틸-p-크레졸, 2,6-디-t-부틸-4-에틸페놀, 2,6-디시클로헥실-4-메틸페놀, 2,6-디이소프로필-4-에틸페놀, 2,6-디-t-아밀-4-메틸페놀, 2,6-디-t-옥틸-4-n-프로필페놀, 2,6-디시클로헥실-4-n-옥틸페놀, 2-이소프로필-4-메틸-6-t-부틸페놀, 2-t-부틸-4-에틸-6-t-옥틸페놀, 2-이소부틸-4-에틸-6-t-헥실페놀, 2-시클로헥실-4-n-부틸-6-이소프로필페놀, 스티렌화 혼합 크레졸, DL-α-토코페롤, 스테아릴β-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트 등을, 2환 페놀 화합물로서, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 4,4'-티오비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-티오비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스[6-(1-메틸시클로헥실)-p-크레졸], 2,2'-에틸리덴비스(4,6-디-t-부틸페놀), 2,2'-부틸리덴비스(2-t-부틸-4-메틸페놀), 3,6-디옥사옥타메틸렌비스[3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트], 트리에틸렌글리콜비스[3-(3-t-부틸-5-메틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,6-헥산디올비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 2,2'-티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트] 등을, 3환 페놀 화합물로서, 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-t-부틸페닐)부탄, 1,3,5-트리스(2,6-디메틸-3-히드록시-4-t-부틸벤질)이소시아누레이트, 1,3,5-트리스[(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오닐옥시에틸]이소시아누레이트, 트리스(4-t-부틸-2,6-디메틸-3-히드록시벤질)이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠 등을, 4환 페놀 화합물로서, 테트라키스[메틸렌-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄 등을, 인 함유 페놀 화합물로서, 비스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질포스폰산에틸)칼슘, 비스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질포스폰산에틸)니켈 등을 들 수 있다.
상기 열화 방지제는, 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 점착제 조성물에 함유하는 열화 방지제의 함유량은, 보관 시의 변색 등의 열화 억제, 전사용 양면 점착 시트의 가공성의 관점에서, 예를 들어 점착 조성물 100중량부에 대하여, 0.01 내지 10중량부가 바람직하고, 0.03 내지 5중량부가 보다 바람직하고, 0.1 내지 3중량부가 더욱 바람직하다.
제1 점착제층을 구성하는 점착제 조성물에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 기타의 성분을 포함할 수 있다. 이러한 기타의 성분으로서는, 예를 들어 점착 부여제, 무기 충전제, 유기 충전제, 금속 분말, 안료, 박상물, 연화제, 가소제, 도전제, 표면 윤활제, 레벨링제, 내열 안정제, 중합 금지제, 활제, 용제 등을 들 수 있다.
(제2 점착제층)
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 제2 점착제층은, 캐리어 기판에 임시 고정하기 위한 점착제층이고, 박리성 점착제층으로 이루어지는 것인 것이 바람직하다. 상기 제2 점착제층이 박리성 점착제층으로 이루어진다고 하는 구성은, 당해 제2 점착제층을 캐리어 기판으로부터 접착제 잔여물 등의 오염이 없이 박리할 수 있고, 리워크성을 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다.
상기 제2 점착제층은, 점착제의 종류나 조성, 가교도 등에 의한 점착성의 조정이나, 열, 자외선 등의 전자파 등의 물리적 자극에 의해 점착력을 저하시킴으로써, 박리성 점착제층으로 할 수 있다.
제2 점착제층의 유리판에 대한 25℃에서의 180° 박리 점착력은, 특별히 한정되지는 않지만, 캐리어 기판으로부터 접착제 잔여물 등의 오염이 없이 박리할 수 있고, 리워크성 향상의 관점에서, 5000mN/25mm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3000mN/25mm 이하이고, 더욱 바람직하게는 1000mN/25mm 이하이다. 또한, 제2 점착제층에 대한 캐리어 기판의 접착성의 관점에서, 제2 점착제층의 유리판에 대한 25℃에서의 180° 박리 점착력은, 1mN/25mm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5mN/25mm 이상이다.
제2 점착제층의 유리판에 대한 25℃에서의 180° 박리 점착력(이하, 본 명세서에 있어서, 「P2a」라고 칭하는 경우가 있음)에 대한, 전사용 양면 점착 시트를 160℃에서 5분간 유지한 후의 제2 점착제층의 유리판에 대한 25℃에서의 180° 박리 점착력(이하, 본 명세서에 있어서, 「P2b」라고 칭하는 경우가 있음)의 비(P2b/P2a)는, 특별히 한정되지는 않지만, 2 이하가 바람직하고, 2.5 이하가 보다 바람직하다. P2b/P2a가 3 이하라고 하는 구성은, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트가 수취한 전자 부품을 실장 기판 상에 열압착으로 전사하여 실장할 때에 캐리어 기판에 대한 제2 점착제층의 점착력이 상승되지 않고, 양호하게 박리하여 리워크 성이 우수한 점에서 바람직하다.
상기 제2 점착제층의 25℃에서의 180° 박리 점착력은, 제1 점착제층과 마찬가지로 측정할 수 있다.
상기 제2 점착제층의 상기 점착력은, 구성하는 점착제의 종류나 조성, 가교도 등을 조정하는 것이나, 경박리화제나 가소제의 배합에 의한 WBL(Weak Boundary Layer)의 형성에 의해, 조정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 제2 점착제층의 두께는, 특별히 한정되지는 않지만, 1㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상이다. 두께가 일정 이상이면 제2 점착제층이 캐리어 기판에 안정적으로 고정하기 쉬워져, 바람직하다. 또한, 제2 점착제층의 두께의 상한값은, 특별히 한정되지는 않지만, 30㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 두께가 일정 이하이면, 제2 점착제층을 캐리어 기판으로부터 박리하기 쉬워져, 리워크성이 향상되어, 바람직하다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 제2 점착제층의 헤이즈(JIS K7136에 준함)는 특별히 한정되지는 않지만, 10％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5％ 이하이다. 헤이즈가 10％ 이하이면, 우수한 투명성이 얻어지고, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 캐리어 기판에 첩부한 때에, 캐리어 기판 상에 부착된 패턴(예를 들어, 전자 부품의 수취 위치를 나타내는 마커)을 시인할 수 있어서, 바람직하다. 또한, 상기 헤이즈는, 예를 들어 제2 점착제층을 세퍼레이터 상에 형성하여 상태(23℃, 50％ RH)에 적어도 24시간 정치한 후, 세퍼레이터를 박리하고, 슬라이드 글라스(예를 들어, 전광선 투과율 91.8％, 헤이즈 0.4％의 것)에 접합한 것을 시료로 하고, 헤이즈 미터(가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠제, 상품명 「HM-150」)를 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 제2 점착제층의 가시광 파장 영역에 있어서의 전광선 투과율(JIS K7361-1에 준함)은 특별히 한정되지는 않지만, 85％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 88％ 이상이다. 전광선 투과율이 85％ 이상이면 우수한 투명성이 얻어지고, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 캐리어 기판에 첩부한 때에, 캐리어 기판 상에 부착된 패턴(예를 들어, 전자 부품의 수취 위치를 나타내는 마커)을 시인할 수 있어서, 바람직하다. 또한, 상기 전광선 투과율은, 예를 들어 제2 점착제층을 세퍼레이터 상에 형성하여 상태(23℃, 50％ RH)에 적어도 24시간 정치한 후, 세퍼레이터를 박리하고, 슬라이드 글라스(예를 들어, 전광선 투과율 91.8％, 헤이즈 0.4％의 것)에 접합한 것을 시료로 하고, 헤이즈 미터(가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠제, 상품명 「HM-150」)를 사용하여 측정할 수 있다.
상기 제2 점착제층을 구성하는 점착제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 상기에서 제1 점착제층에서 사용되는 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 에폭시계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 불소계 점착제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 캐리어 기판으로부터 접착제 잔여물 등의 오염이 없이 박리할 수 있고, 리워크성 향상의 관점에서, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 아크릴계 점착제가 바람직하고, 우레탄계 점착제, 아크릴계 점착제가 보다 바람직하고, 아크릴계 점착제가 더욱 바람직하다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서의 제2 점착제층은, 전사용 양면 점착 시트의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제층(점착력 저감 가능형 점착제층)이어도 되고, 전사용 양면 점착 시트의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 거의 또는 전혀 저감되지 않는 점착제층(점착력 비저감형 점착제층)이어도 되고, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트를 사용하여 전자 부품을 전사하는 방법이나 조건 등에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
제2 점착제층이 점착력 저감 가능형 점착제층인 경우, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 제조 과정이나 사용 과정에 있어서, 제2 점착제층이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를 구분지어 사용하는 것이 가능하게 된다. 예를 들어, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 사용 과정에서 제1 점착제층이 전자 부품을 수취하는 공정에서는, 제2 점착제층이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태를 이용하여, 캐리어 기판으로부터의 전사용 양면 점착 시트의 들뜸을 억제·방지하는 것이 가능하게 된다. 한편으로, 그 후, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트를 캐리어 기판으로부터 박리 과정에서는, 제2 점착제층의 점착력을 저감시킴으로써, 리워크성을 향상시킬 수 있다.
이러한 점착력 저감 가능형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 예를 들어 방사선 경화성 점착제, 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 점착력 저감 가능형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착제를 사용해도 된다.
상기 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제를 사용할 수 있고, 자외선 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제(자외선 경화성 점착제)를 특히 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 함유하는 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.
베이스 폴리머로서는, 제1 점착제층과 마찬가지의 아크릴계 폴리머를 사용할 수 있다. 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 제2 점착제층에 있어서 적절하게 발현시켜서, 점착성, 박리성을 컨트롤하기 쉬운 점에서, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의, 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르의 비율은, 40질량％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.
상기 아크릴계 폴리머는, 히드록시기 함유 모노머를 포함해도 된다. 제2 점착제층 내의 아크릴계 폴리머가 히드록시기 함유 모노머를 포함하는 경우, 제2 점착제층에 있어서 적당한 응집력이 얻어지기 쉽다. 제2 점착제층에 있어서 적당한 접착성이나 응집력을 실현한다는 관점에서는, 상기 아크릴계 폴리머에 있어서의, 히드록시기 함유 모노머의 비율은, 예를 들어 0.1 내지 30질량％이고, 바람직하게는 0.5 내지 20질량％이다.
상기 아크릴계 폴리머는, 카르복시기 함유 모노머를 포함해도 된다. 제2 점착제층 내의 아크릴계 폴리머가 카르복시기 함유 모노머를 포함하는 경우, 제2 점착제층에 있어서 적당한 접착 신뢰성이 얻어지기 쉽다. 제2 점착제층에 있어서 적당한 접착 신뢰성을 실현한다는 관점에서는, 상기 아크릴계 폴리머에 있어서의, 카르복시기 함유 모노머의 비율은, 예를 들어 0.1 내지 30질량％이고, 바람직하게는 0.5 내지 20질량％이다.
상기 아크릴계 폴리머는, 비닐에스테르계 모노머를 포함해도 된다. 제2 점착제층 내의 아크릴계 폴리머가 비닐에스테르계 모노머를 포함하는 경우, 제2 점착제층에 있어서 적당한 응집력이 얻어지기 쉽다. 제2 점착제층에 있어서 적당한 응집력을 실현한다는 관점에서는, 상기 아크릴계 폴리머에 있어서의, 비닐에스테르계 모노머의 비율은, 예를 들어 0.1 내지 60질량％이고, 바람직하게는 0.5 내지 50질량％이다.
제2 점착제층을 형성하는 아크릴계 점착제 조성물은, 가교제를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 아크릴계 폴리머를 가교시켜, 제2 점착제층 중의 저분자량 물질을 보다 저감시킬 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머의 질량 평균 분자량을 높여, 저점착성, 박리성으로 컨트롤할 수 있다. 상기 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물(폴리페놀계 화합물 등), 아지리딘 화합물, 멜라민 화합물 등을 들 수 있고, 이소시아네이트계 가교제 및/또는 에폭시계 가교제가 바람직한 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 아크릴계 폴리머 100질량부에 대하여, 10질량부 정도 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10질량부이다.
제2 점착제층을 형성하는 아크릴계 점착제 조성물은, 가교 촉진제가 사용되고 있어도 된다. 가교 촉진제의 종류는, 사용하는 가교제의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 가교 촉진제란, 가교제에 의한 가교 반응의 속도를 높이는 촉매를 가리킨다. 이러한 가교 촉진제로서는, 디옥틸주석디라우레이트, 디부틸주석디라우레이트, 디부틸주석디아세테이트, 디부틸주석디아세틸아세토네이트, 테트라-n-부틸주석, 트리메틸주석히드록시드 등의 주석(Sn) 함유 화합물; N,N,N',N'-테트라메틸헥산디아민이나 트리에틸아민 등의 아민류, 이미다졸류 등의 N 함유 화합물; 등이 예시된다. 그 중에서도, Sn 함유 화합물이 바람직하다. 이들 가교 촉진제의 사용은, 상기 부모노머로서 히드록실기 함유 모노머를 사용하고, 또한 가교제로서 이소시아네이트계 가교제를 사용한 경우에 특히 효과적이다. 상기 점착제 조성물에 포함되는 가교 촉진제의 양은, 상기 아크릴계 폴리머 100질량부에 대하여, 예를 들어 0.001 내지 0.5질량부 정도(바람직하게는 0.001 내지 0.1질량부 정도)로 할 수 있다.
상기 방사선 중합성의 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등 들 수 있다. 상기 방사선 중합성의 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등의 다양한 올리고머를 들 수 있고, 분자량이 100 내지 30000 정도인 것이 바람직하다. 제2 점착제층을 형성하는 방사선 경화성 점착제 중의 상기 방사선 경화성의 모노머 성분 및 올리고머 성분의 함유량은, 상기 베이스 폴리머 100질량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500질량부, 바람직하게는 40 내지 150질량부 정도이다. 또한, 첨가형의 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.
상기 방사선 경화성 점착제로서는, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 폴리머 측쇄나, 폴리머 주쇄 중, 폴리머 주쇄 말단에 갖는 베이스 폴리머를 함유하는 내재형의 방사선 경화성 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형의 방사선 경화성 점착제를 사용하면, 형성된 제2 점착제층 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도하지 않는 경시적 변화를 억제할 수 있는 경향이 있다.
상기 내재형의 방사선 경화성 점착제에 함유되는 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머가 바람직하다. 아크릴계 폴리머에 대한 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 제1 관능기를 갖는 모노머 성분을 포함하는 원료 모노머를 중합(공중합)시켜서 아크릴계 폴리머를 얻은 후, 상기 제1 관능기와 반응할 수 있는 제2 관능기 및 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 폴리머에 대하여 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
상기 제1 관능기와 상기 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 반응 추적의 용이함의 관점에서, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 바람직하다. 그 중에서도, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 폴리머를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높고, 한편으로 히드록시기를 갖는 아크릴계 폴리머의 제작 및 입수의 용이성의 관점에서, 상기 제1 관능기가 히드록시기이고, 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 조합이 바람직하다. 이소시아네이트기 및 방사성 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물, 즉, 방사선 중합성의 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 히드록시기를 갖는 아크릴계 폴리머로서는, 상술한 히드록시기 함유 모노머나, 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.
상기 방사선 경화성 점착제는, 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화케톤, 아실포스핀옥시드, 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 상기 α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다. 상기 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등을 들 수 있다. 상기 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등을 들 수 있다. 상기 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다. 상기 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등을 들 수 있다. 상기 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등을 들 수 있다. 상기 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다. 상기 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등을 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.
상기 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제, 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제이다. 상기 발포제로서는, 여러 가지의 무기계 발포제나 유기계 발포제를 들 수 있다. 상기 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 아지드류 등을 들 수 있다. 상기 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄, 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화알칸; 아조비스이소부티로니트릴, 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물; 파라톨루엔술포닐히드라지드, 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물; p-톨루일렌술포닐세미카르바지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물; 5-모르폴릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물; N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민, N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질이 껍데기 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 상기 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판, 펜탄 등을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 껍데기 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 상기 껍데기 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그러한 물질로서는, 예를 들어 염화비닐리덴·아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리술폰 등을 들 수 있다.
상기 점착력 비저감형 점착제층으로서는, 예를 들어 감압형 점착제층을 들 수 있다. 또한, 감압형 점착제층에는, 점착력 저감 가능형 점착제층에 대하여 상술한 방사선 경화성 점착제로 형성된 점착제층을 미리 방사선 조사에 의해 경화시키면서도 일정한 점착력을 갖는 형태의 점착제층이 포함된다. 점착력 비저감형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착제를 사용해도 된다. 또한, 제2 점착제층의 전체가 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 일부가 점착력 비저감형 점착제층이어도 된다. 예를 들어, 제2 점착제층이 단층 구조를 갖는 경우, 제2 점착제층의 전체가 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 제2 점착제층에 있어서의 특정한 부위가 점착력 비저감형 점착제층이고, 다른 부위가 점착력 저감 가능형 점착제층이어도 된다. 또한, 제2 점착제층이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조에 있어서의 모든 점착제층이 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 적층 구조 중의 일부의 점착제층이 점착력 비저감형 점착제층이어도 된다.
방사선 경화성 점착제로 형성된 점착제층(방사선 미조사 방사선 경화형 점착제층)을 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제층(방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층)은, 방사선 조사에 의해 점착력이 저감되어 있다고 해도, 함유하는 폴리머 성분에 기인하는 점착성을 나타내고, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 최저한 필요한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층을 사용하는 경우, 제2 점착제층의 면 확대 방향에 있어서, 제2 점착제층의 전체가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층이어도 되고, 제2 점착제층의 일부가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층이고 또한 다른 부분이 방사선 미조사의 방사선 경화형 점착제층이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「방사선 경화형 점착제층」이란, 방사선 경화성 점착제로 형성된 점착제층을 말하고, 방사선 경화성을 갖는 방사선 미조사 방사선 경화형 점착제층 및 당해 점착제층이 방사선 조사에 의해 경화한 후의 방사선 경화 완료 방사선 경화형 점착제층의 양쪽을 포함한다.
상기 감압형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 공지 내지 관용의 감압형의 점착제를 사용할 수 있고, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제를 바람직하게 사용할 수 있다. 제2 점착제층이 감압형의 점착제로서 아크릴계 폴리머를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 상술한 첨가형의 방사선 경화성 점착제에 포함될 수 있는 아크릴계 폴리머로서 설명된 아크릴계 폴리머를 채용할 수 있다.
(기재)
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서의 기재는, 제1 점착제층이나 제2 점착제층에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재로서는, 예를 들어 플라스틱 기재(특히 플라스틱 필름)를 들 수 있다. 상기 기재는, 단층이어도 되고, 동종 또는 이종의 기재 적층체여도 된다.
상기 플라스틱 기재를 구성하는 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 아이오노머, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교호) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체 등의 폴리올레핀 수지; 폴리우레탄; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리카르보네이트; 폴리이미드; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르이미드; 아라미드, 전방향족 폴리아미드 등의 폴리아미드; 폴리페닐술피드; 불소 수지; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 셀룰로오스 수지; 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 본 발명의 전사용 양면 점착 시트가 수취한 전자 부품을 실장 기판 상에 열압착(예를 들어, 150℃)하여 전사하여 실장할 때에 열에 의한 팽창이나 수축을 일으키기 어려운 양호한 내열성을 나타내고, 고정밀도로 실장할 수 있다는 관점에서, 기재는, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리아미드(PA), 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등의 내열성 수지를 주성분으로서 포함하는 것이 바람직하고, 폴리이미드를 주성분으로서 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 기재의 주성분이란, 구성 성분 중에서 가장 큰 질량 비율을 차지하는 성분으로 한다. 상기 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 제2 점착제층이 전술한 바와 같이 방사선 경화형 점착제층인 경우, 기재는 방사선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
기재가 플라스틱 필름인 경우, 상기 플라스틱 필름은, 무배향이어도 되고, 적어도 일방향(1축 방향, 2축 방향 등)으로 배향되어 있어도 되지만, 무배향이 열수축성을 나타내기 어려운 점에서 바람직하다.
기재의 제1 점착제층 및/또는 제2 점착제층 측 표면은, 점착제층과의 밀착성, 보유 지지성 등을 높이는 목적으로, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 샌드 매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 이온화 방사선 처리 등의 물리적 처리; 크롬산 처리 등의 화학적 처리; 코팅제(하도제); 실리콘 프라이머 처리에 의한 접착 용이화 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 대전 방지 능을 부여하기 위해서, 금속, 합금, 이들의 산화물 등을 포함하는 도전성의 증착층을 기재 표면에 마련하는 것 이외에, PEDOT-PSS 등의 도전성 고분자를 코팅해도 된다. 밀착성을 높이기 위한 표면 처리는, 기재에 있어서의 점착제층 측의 표면 전체에 실시되어 있는 것이 바람직하다.
기재의 두께는, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서의 지지체로서 기재가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 5㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 15㎛ 이상, 특히 바람직하게는 20㎛ 이상이다. 또한, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재의 두께는 200㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 150㎛ 이하이다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 기재의 헤이즈(JIS K7136에 준함)는, 특별히 한정되지는 않지만, 10％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5.0％ 이하이다. 헤이즈가 10％ 이하이면, 우수한 투명성이 얻어지고, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 캐리어 기판에 첩부한 때에, 캐리어 기판 상에 부착된 패턴(예를 들어, 전자 부품의 수취 위치를 나타내는 마커)을 시인할 수 있어서, 바람직하다. 또한, 상기 헤이즈는, 헤이즈 미터(가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠제, 상품명 「HM-150」)를 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트에 있어서, 기재의 가시광 파장 영역에 있어서의 전광선 투과율(JIS K7361-1에 준함)은 특별히 한정되지는 않지만, 85％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 88％ 이상이다. 전광선 투과율이 85％ 이상이면, 우수한 투명성이 얻어지고, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 캐리어 기판에 첩부한 때에, 캐리어 기판 상에 부착된 패턴(예를 들어, 전자 부품의 수취 위치를 나타내는 마커)을 시인할 수 있어서, 바람직하다. 또한, 상기 전광선 투과율은, 헤이즈 미터(가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠제, 상품명 「HM-150」)를 사용하여 측정할 수 있다.
(세퍼레이터)
본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 점착제층 표면(제1 점착제층 및/또는 제2 점착제층의 점착면)은, 사용 시까지는 세퍼레이터에 의해 보호되어 있어도 된다. 세퍼레이터는 점착제층의 보호재로서 사용되고 있고, 점착 시트를 피착체에 첩부할 때에 박리된다. 도 2는, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 일 실시 형태를 도시하는 단면 모식도이고, 1은 전사용 양면 점착 시트, 10은 기재, 11은 제1 점착제층, 12는 제2 점착제층, 110, 120은 세퍼레이터를 나타낸다. 또한, 세퍼레이터는, 반드시 마련되어 있지 않아도 된다.
상기 세퍼레이터로서는, 관용의 박리지 등을 이용할 수 있고, 구체적으로는, 예를 들어 박리 처리제에 의한 박리 처리층을 적어도 한쪽의 표면에 갖는 기재 외에, 불소계 폴리머(예를 들어, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐, 폴리불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체, 클로로플루오로에틸렌-불화비닐리덴 공중합체 등)로 이루어지는 저접착성 기재나, 무극성 폴리머(예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 올레핀계 수지 등)로 이루어지는 저접착성 기재 등을 사용할 수 있다.
상기 세퍼레이터로서는, 예를 들어 세퍼레이터용 기재의 적어도 한쪽 면에 박리 처리층이 형성되어 있는 세퍼레이터를 적합하게 사용할 수 있다. 이러한 세퍼레이터용 기재로서는, 폴리에스테르 필름(폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등), 올레핀계 수지 필름(폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등), 폴리염화비닐 필름, 폴리이미드 필름, 폴리아미드 필름(나일론 필름), 레이온 필름 등의 플라스틱계 기재 필름(합성 수지 필름)이나 종이류(상질지, 일본 종이, 크라프트지, 글라신지, 합성지, 톱 코팅지 등) 외에, 이들을, 라미네이트나 공압출 등에 의해, 복층화한 것(2 내지 3층의 복합체) 등을 들 수 있다.
상기 박리 처리층을 구성하는 박리 처리제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 실리콘계 박리 처리제, 불소계 박리 처리제, 장쇄 알킬계 박리 처리제 등을 사용할 수 있다. 박리 처리제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 제1 점착제층은, 저점착성 점착제층으로 구성되어 있기 때문에, 박리 처리제로 처리되어 있지 않은 기재를 세퍼레이터로서 사용하는 것도 가능하다.
상기 세퍼레이터는, 전자 부품에 대한 악영향을 방지하기 위해서, 세퍼레이터용 기재의 적어도 한쪽 면에 대전 방지층이 형성되어 있어도 된다. 대전 방지층은 세퍼레이터의 한쪽 면(박리 처리면 또는 미처리면)에 형성되어 있어도 되고, 세퍼레이터의 양면(박리 처리면 및 미처리면)에 형성되어 있어도 된다.
상기 대전 방지층을 형성하는 대전 방지성 수지에 함유되는 대전 방지제로서는, 제4급 암모늄염, 피리디늄염, 제1, 제2, 제3 아미노기 등의 양이온성 관능기를 갖는 양이온형 대전 방지제, 술폰산염이나 황산에스테르염, 포스폰산염, 인산에스테르염 등의 음이온성 관능기를 갖는 음이온형 대전 방지제, 알킬베타인 및 그의 유도체, 이미다졸린 및 그의 유도체, 알라닌 및 그의 유도체 등의 양성형 대전 방지제, 아미노알코올 및 그의 유도체, 글리세린 및 그의 유도체, 폴리에틸렌글리콜 및 그의 유도체 등의 비이온형 대전 방지제, 나아가, 상기 양이온형, 음이온형, 양성 이온형의 이온 도전성 기를 갖는 단량체를 중합 혹은 공중합하여 얻어진 이온 도전성 중합체를 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
세퍼레이터의 두께는, 특별히 한정되지는 않고, 5 내지 100㎛의 범위에서 적절히 선택하면 된다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 제조 방법은, 상기 점착제 조성물의 조성 등에 따라 다르고, 특별히 한정되지는 않고, 공지된 형성 방법을 이용할 수 있지만, 예를 들어 이하의 (1) 내지 (4) 등의 방법을 들 수 있다.
(1) 상기 점착제 조성물을 기재 상에 도포(도공)하여 조성물층을 형성하고, 해당 조성물층을 경화(예를 들어, 열경화나 자외선 등의 활성 에너지선 조사에 의한 경화)시켜서 점착제층을 형성하여 점착 시트를 제조하는 방법
(2) 상기 점착제 조성물을, 세퍼레이터 상에 도포(도공)하여 조성물층을 형성하고, 해당 조성물층을 경화(예를 들어, 열경화나 자외선 등의 활성 에너지선 조사에 의한 경화)시켜서 점착제층을 형성한 후, 해당 점착제층을 기재 상에 전사하여 점착 시트를 제조하는 방법
(3) 상기 점착제 조성물을, 기재 상에 도포(도공)하고, 건조시켜서 점착제층을 형성하여 점착 시트를 제조하는 방법
(4) 상기 점착제 조성물을, 세퍼레이터 상에 도포(도공)하고, 건조시켜서 점착제층을 형성한 후, 해당 점착제층을 기재 상에 전사하여 점착 시트를 제조하는 방법
상기 (1) 내지 (4)에 있어서의 경화 방법으로서는, 생산성이 우수하다는 점에서, 균질하고 표면 평활한 점착제층을 형성할 수 있는 점에서, 열경화시키는 방법이 바람직하다.
상기 점착제 조성물을 소정의 면 상에 도포(도공)하는 방법으로서는, 공지된 코팅 방법을 채용할 수 있고, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 롤 코팅, 키스 롤 코팅, 그라비아 코팅, 리버스 코팅, 롤 브러시, 스프레이 코팅, 딥 롤 코팅, 바 코팅, 나이프 코팅, 에어나이프 코팅, 커튼 코팅, 립 코팅, 다이 코터 등에 의한 압출 코팅법 등을 들 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 두께(총 두께)는, 특별히 한정되지는 않지만, 10㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15㎛ 이상이다. 두께가 일정 이상이면, 제1 점착제층이 전자 부품을 고정밀도로 수취하기 쉬워져, 바람직하다. 또한, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 두께(총 두께)의 상한값은, 특별히 한정되지는 않지만, 500㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 300㎛ 이하이다. 두께가 일정 이하이면, 전자 부품을 고정밀도로 실장 기판에 전사하기 쉬워져, 바람직하다. 또한, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 두께에는, 세퍼레이터의 두께는 포함하지 않는 것으로 한다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 헤이즈(JIS K7136에 준함)는 특별히 한정되지는 않지만, 10％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5.0％ 이하이다. 헤이즈가 10％ 이하이면, 우수한 투명성이 얻어지고, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 캐리어 기판에 첩부한 때에, 캐리어 기판 상에 부착된 패턴(예를 들어, 전자 부품의 수취 위치를 나타내는 마커)을 시인할 수 있어서, 바람직하다. 또한, 상기 헤이즈는, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 상태(23℃, 50％ RH)에 적어도 24시간 정치한 후, 세퍼레이터를 갖는 경우에는 이것을 박리하고, 슬라이드 글라스(예를 들어, 전광선 투과율 91.8％, 헤이즈 0.4％의 것)에 접합한 것을 시료로 하고, 헤이즈 미터(가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠제, 상품명 「HM-150」)를 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 가시광 파장 영역에 있어서의 전광선 투과율(JIS K7361-1에 준함)은 특별히 한정되지는 않지만, 85％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 88％ 이상이다. 전광선 투과율이 85％ 이상이면, 우수한 투명성이 얻어지고, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 캐리어 기판에 첩부한 때에, 캐리어 기판 상에 부착된 패턴(예를 들어, 전자 부품의 수취 위치를 나타내는 마커)을 시인할 수 있어서, 바람직하다. 또한, 상기 전광선 투과율은, 예를 들어 전사용 양면 점착 시트를 상태(23℃, 50％ RH)에 적어도 24시간 정치한 후, 세퍼레이터를 갖는 경우에는 이것을 박리하고, 슬라이드 글라스(예를 들어, 전광선 투과율 91.8％, 헤이즈 0.4％의 것)에 접합한 것을 시료로 하고, 헤이즈 미터(가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠제, 상품명 「HM-150」)를 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 전사용 양면 점착 시트는, 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장 방법에 적합하게 사용되는 것이다. 본 발명의 전사용 양면 점착 시트를 사용한 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장 방법은, 바람직하게는 이하의 공정을 포함한다.
다이싱된 전자 부품을, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트의 제1 점착제층이 수취하는 공정(제1 공정)
상기 제1 점착제층이 수취한 전자 부품을 실장 기판에 전사하는 공정(제2 공정)
도 3은, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트를 사용한 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장 방법에 있어서의 제1 공정의 일 실시 형태를 도시하는 단면 모식도이다.
도 3의 (a)에 있어서, 전사용 양면 점착 시트(1)는, 제2 점착제층(12)의 점착면에서 캐리어 기판(22)에 접착하고 있다. 캐리어 기판(22)의 제2 점착제층(12)과 접착하고 있는 면에는, 전자 부품을 배치하기 위한 마킹 패턴이 구비되어 있어도 된다. 전사용 양면 점착 시트(1)는 투명성이 높기 때문에, 캐리어 기판(22)에 부착된 마킹 패턴을 시인할 수 있다.
전사용 양면 점착 시트(1)의 제1 점착제층(11)의 점착면의 상부에는, 다이싱에 의해 개편화된 복수의 전자 부품(21)이 다이싱 테이프(20)에 접착된 상태에서, 제1 점착제층(11)의 점착면에 대향하여, 이격하여 배치되어 있다.
도 3의 (b)에 있어서, 다이싱 테이프(20)의 전자 부품(21)이 접착되어 있지 않은 면으로부터 핀 부재(23)로 전자 부품(21)을 찔러 누르고, 전자 부품(21)을 제1 점착제층(11)의 점착면에 근접시켜서, 제1 점착제층(11)의 점착면이 수취한다. 수취는, 전자 부품(21)을 제1 점착제층(11)을 접촉시켜서 행해도 되고, 또한, 비접촉으로 행해도 된다. 비접촉으로 수취하는 경우에는, 전자 부품(21)이 다이싱 테이프(20)로부터 박리될 때까지 전자 부품(21)을 찔러 눌러서, 전자 부품(21)을 점착면에 낙하시킨다. 접촉시켜서 수취하는 경우, 제1 점착제층(11)의 점착면은 저점착성 때문에, 전자 부품(21)이 수취될 때에 걸리는 응력은 약하기 때문에, 전자 부품(21)의 손상을 억제할 수 있다. 비접촉으로 수취하는 경우에는, 제1 점착제층(11)의 점착면은 저점착성이기 때문에, 낙하한 전자 부품(21)을 위치 고정밀도로 캐치할 수 있다. 또한, 핀 부재(23) 대신에 자외선, 레이저 광선 등의 방사선을 조사함으로써, 전자 부품(21)을 다이싱 테이프(20)로부터 박리시켜도 된다.
전자 부품(21)의 제1 점착제층(11)으로의 수취는 개별로 행해도 되고, 복수개를 일괄하여 행해도 된다. 도 3의 (c)는, 다이싱 테이프(20)의 모든 전자 부품(21)이, 전사용 양면 점착 시트(1)의 제1 점착제층(11)의 점착면 상에 수취된 형태를 도시하는 단면 모식도이다.
도 4는, 본 발명의 전사용 양면 점착 시트를 사용한 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장 방법에 있어서의 제2 공정을 나타내는 단면 모식도이다.
도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 실장 기판(30)의 회로면(31)(회로 패턴은 도시 생략)에 대향, 이격하여, 전사용 양면 점착 시트(1)의 제1 점착제층(11)의 점착면 상에 배열된 전자 부품(21)을 배치한다. 다음으로, 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 실장 기판(30)의 회로면(31)과 전사용 양면 점착 시트(1)의 제1 점착제층(11)의 점착면 상에 배열된 전자 부품(21)을 근접시켜서, 전자 부품(21)과 실장 기판(30)의 회로면(31)을 접촉시킨다.
전자 부품(21)의 실장 기판(30)의 회로면(31)에의 전사는, 열압착(예를 들어, 150℃, 1분간)으로 행해도 된다. 전사용 양면 점착 시트(1)를 구성하는 기재(10), 제1 점착제층(11), 및/또는 제2 점착제층(12)은 내열성이 우수하므로, 열압착에 의해, 팽창하거나, 수축하거나, 점착력이 변화되기 어려우므로, 고정밀도로, 전자 부품(21)의 실장 기판(30)의 회로면(31)으로 전사할 수 있다.
다음으로, 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이, 전사용 양면 점착 시트(1)와 실장 기판(30)을 이격시킴으로써, 제1 점착제층(11)으로부터 전자 부품(21)이 박리되고, 실장 기판(30)의 회로면(31)에 전사된다. 제1 점착제층(11)은 저점착성 점착제층으로 구성되어 있기 때문에, 전자 부품(21)이 용이하게 박리되고, 전자 부품(21)이 손상되지 않고, 효율적으로 실장 기판(30)에 실장할 수 있다.
전자 부품(21)이 실장 기판(30)에 실장된 후의 도 4의 (c)의 전사용 양면 점착 시트(1)는, 캐리어 기판(22)으로부터 박리해도 된다(도시 생략). 제2 점착제층(12)은 박리성 점착제층으로 구성되어 있기 때문에, 접착제 잔여물 없이 박리할 수 있고, 리워크성이 우수하기 때문에, 캐리어 기판(22)을 용이하게 재이용할 수 있다.
실장 기판 상에의 실장하는 전자 부품으로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 미세하고 박형의 반도체 칩이나 LED 칩에 적합하게 사용할 수 있다.
실시예
이하에 실시예를 들어서 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
〔제조예 1〕: 아크릴계 공중합체(1)의 제조
교반 블레이드, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA)(닛폰 쇼쿠바이사제): 100중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)(도아 고세사제): 4중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(와코 쥰야꾸 고교사제): 0.02중량부, 아세트산에틸: 180중량부를 투입하고, 완만하게 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액온을 65℃ 부근으로 유지해서 6시간 중합 반응을 행하여, 중량 평균 분자량 56만의 아크릴계 공중합체(1)의 용액(고형분: 35중량％)을 조제하였다.
〔제조예 2〕: 아크릴계 공중합체(2)의 제조
교반 블레이드, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 부틸아크릴레이트(닛폰 쇼쿠바이사제): 95중량부, 아크릴산(도아 고세사제): 5중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(와코 쥰야꾸 고교사제): 0.2중량부, 아세트산에틸: 156중량부를 투입하고, 완만하게 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액온을 63℃ 부근에 유지하여 10시간 중합 반응을 행하여, 중량 평균 분자량 70만의 아크릴계 공중합체(2)의 용액(고형분: 40중량％)을 조제하였다.
〔제조예 3〕: 아크릴계 공중합체(3)의 제조
교반 블레이드, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 80％ 아크릴산(AA)(오사까 유끼 가가꾸 고교사제): 2.8중량부, 2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA)(닛폰 쇼쿠바이사제): 44중량부, 아세트산비닐: 35.2중량부(덴카사제), 톨루엔: 20중량부를 투입하여 완만하게 교반하면서 질소 가스를 도입하고 1시간 교반하였다. 그 후, 톨루엔: 96중량부로 희석한 중합 개시제로서 나이퍼 BW: 0.2중량부(니치유사제)를 적하하고, 플라스크 내의 액온을 40℃ 부근에 유지하였다. 그 후 플라스크 내의 액온을 60℃로 승온하여 8시간 중합 반응을 행하고, 이어서 95℃로 승온하여 4시간 교반하고, 중량 평균 분자량 56만의 아크릴계 공중합체(3)의 용액(고형분: 35중량％)을 조제하였다.
〔제조예 4〕: 우레탄계 점착제 조성물(2)의 제조
폴리올로서, OH기를 3개 갖는 폴리올인 프레미놀 S3011(아사히 가라스 가부시키가이샤제, Mn=10000) 85중량부, OH기를 3개 갖는 폴리올인 산닉스 GP-3000(산요 가세이 가부시키가이샤제, Mn=3000) 13중량부, OH기를 3개 갖는 폴리올인 산닉스 GP-1000(산요 가세이 가부시키가이샤제, Mn=1000) 2중량부, 다관능 이소시아네이트계 화합물로 하여 다관능 지환족계 이소시아네이트 화합물인 코로네이트 HX(닛본 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제) 18중량부, 촉매(니혼 가가쿠 산교 가부시키가이샤제, 상품명: 나셈 제2철) 0.1중량부, 열화 방지제로서 Irganox1010(BASF제) 0.5중량부, 지방산에스테르로서 2-에틸헥산산세틸(닛신 오일리오 그룹 가부시키가이샤제, 상품명: 사라코스 816T, Mn=368) 5중량부, 불소계 계면활성제로서 메가팍 F-571(DIC사제) 0.2중량부를 배합하고, 희석 용제로서 아세트산에틸을 첨가하여 혼합 교반을 행하여, 우레탄계 점착제 조성물(2)을 제조하였다.
〔실시예 1〕
(전사용 양면 점착 시트의 제작)
실리콘계 점착제 1(부가 반응형 실리콘계 점착제, 상품명 「X-40-3306」, 신에쯔 가가꾸 고교 가부시키가이샤제): 100중량부, 백금계 촉매 1(상품명 「CAT-PL-50T」, 신에쯔 가가꾸 고교 가부시키가이샤제): 1.4중량부, 실리콘계 박리제 1(디메틸폴리실록산을 주성분으로 한 부가 반응형의 실리콘계 박리제, 상품명 「KS-776A」, 신에쯔 가가꾸 고교 가부시키가이샤제): 5중량부를 첨가하여, 전체의 고형분이 25중량％가 되도록 톨루엔으로 희석하고, 디스퍼로 혼합하여 실리콘계 점착제 조성물(실리콘계 점착제 조성물 1)을 조제하였다.
기재 필름(1)(한쪽 면이 실리콘 프라이머 처리된 폴리에스테르 필름, 두께 75㎛, 상품명 「다이어포일 MRF#75」, 미쓰비시 쥬시 가부시키가이샤제)의 실리콘 프라이머 처리된 면에, 실리콘계 점착제 조성물(1)을 건조 후의 풀 두께가 10㎛가 되도록 도포하고, 건조 온도 120℃, 건조 시간 5분의 조건에서 큐어하여 건조시켰다. 이와 같이 하여 기재 필름(1)의 실리콘 프라이머 처리층 상에 실리콘계 점착제층(1)을 갖는 필름을 얻었다.
또한, 실리콘계 점착 필름의 점착면 상에는, 세퍼레이터(1)(박리 처리되어 있지 않은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 25㎛, 상품명 「루미러 S10#25」, 도레이사제)를 접합하여, 실리콘계 점착제층을 보호하고, 〔세퍼레이터(1)층〕/〔실리콘계 점착제(1)층〕/〔기재 필름(1)층〕〕의 적층 구조를 갖는 적층체(1)을 얻었다.
이어서, 제조예 1에서 얻어진 아크릴계 공중합체(1)의 용액에, 그 고형분 100중량부에 대하여, 가교제로서 코로네이트 HX(도소사제)를 고형분 환산으로 4.0중량부, 가교 촉매로서 엔비라이저 OL-1(도쿄 파인 케미컬사제)을 고형분 환산으로 0.02중량부를 첨가하여, 전체의 고형분이 25중량％가 되도록 톨루엔으로 희석하고, 디스퍼로 교반한 아크릴계 점착제 조성물을 세퍼레이터(2)(박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 38㎛, 상품명 「MRF#38」, 미쓰비시 케미컬사제)의 박리 처리층 측에 파운틴 롤로 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도포하고, 건조 온도 130℃, 건조 시간 30초의 조건에서 큐어하여 건조시켰다. 이와 같이 하여, 세퍼레이터(2) 상에 아크릴계 점착제층(1)을 형성하였다.
이어서, 아크릴계 점착제층(1)의 표면에, 상기에서 얻어진 적층체(1)의 기재 필름(1)측(실리콘 프라이머 비처리면)을 접합하여, 〔세퍼레이터(1)층〕/〔실리콘계 점착제(1)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(1)층〕/〔아크릴계 점착제(1)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 점착 시트를 얻었다.
〔실시예 2〕
제조예 2에서 얻어진 아크릴계 공중합체(2)의 고형분 100중량부에 대하여, 가교제로서 TETRAD-C(미쓰비시 가스 가가꾸사제)를 고형분 환산으로 6중량부를 첨가하여, 전체의 고형분이 25중량％가 되도록 아세트산에틸로 희석하고, 디스퍼로 교반하고, 얻어진 아크릴계 점착제 조성물을 세퍼레이터(2)에 도공한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(1)층〕/〔실리콘계 점착제(1)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(1)층〕/〔아크릴계 점착제(2)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 점착 시트를 얻었다.
〔실시예 3〕
제조예 1에서 얻어진 아크릴계 공중합체(1)의 용액에, 그 고형분 100중량부에 대하여, 가교제로서 코로네이트 HX 대신에 코로네이트 L(도소사제)을 고형분 환산으로 4.0중량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(1)층〕/〔실리콘계 점착제(1)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(1)층〕/〔아크릴계 점착제(3)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 점착 시트를 얻었다.
〔실시예 4〕
제조예 3에서 얻어진 아크릴계 공중합체(3)의 용액에, 그 고형분 100중량부에 대하여, 가교제로서 TETRAD-C(미쓰비시 가스 가가꾸사제)를 고형분 환산으로 2.0중량부를 첨가하여 전체의 고형분이 25중량％가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석하고, 디스퍼로 교반하여, 얻어진 아크릴계 점착제 조성물을 세퍼레이터(2)에 도공한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(1)층〕/〔실리콘계 점착제(1)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(1)층〕/〔아크릴계 점착제(4)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 점착 시트를 얻었다.
〔실시예 5〕
프리폴리머 타입의 우레탄계 점착제 조성물(1)로서, 사이아바인 SH-109(도요켐 가부시키가이샤제)의 용액에, 그 고형분 100중량부에 대하여, 가교제로서 코로네이트 HX(도소사제)를 고형분 환산으로 4.0중량부, 경박리화제로서 사라코스 913(닛신 오일리오사제)을 고형분 환산으로 10중량부, 불소계 계면활성제 메가팍 F-571(DIC사제) 1중량부, 열화 방지제로서 Irgacure1010(BASF사제) 0.5중량부 첨가하여 전체의 고형분은 20중량％가 되도록 아세트산에틸로 희석하고 디즈아로 교반하여, 얻어진 프리폴리머 타입의 우레탄 점착제 용액을 기재 필름(2)(미처리 PET 필름, 두께 75㎛, 상품명 「루미러 S10#75」, 도레이사제)에, 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도포하고, 건조 온도 130℃, 건조 시간 30초의 조건에서 큐어하여 건조하여, 얻어진 우레탄계 점착 필름의 점착면 상에 세퍼레이터(2)(박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 38㎛, 상품명 「MRF#38」, 미쓰비시 케미컬사제)를 접합하고, 우레탄계 점착제층을 보호한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(2)층〕/〔우레탄계 점착제(1)층(제1 점착제층)〕/(기재 필름(2)층〕/〔아크릴계 점착제(1)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 점착 시트를 얻었다.
〔비교예 1〕
제조예 2에서 얻어진 아크릴계 공중합체(2)의 고형분 100중량부에 대하여, 가교제로서 TETRAD-C(미쓰비시 가스 가가꾸사제)를 고형분 환산으로 0.01중량부를 첨가하여, 전체의 고형분이 25중량％가 되도록 아세트산에틸로 희석하고, 디스퍼로 교반하여, 얻어진 아크릴계 점착제 조성물을 세퍼레이터(2)에 도공한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(1)층〕/〔실리콘계 점착제(1)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(1)층〕/〔아크릴계 점착제(5)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 점착 시트를 얻었다.
〔비교예 2〕
적층체(1) 대신으로서, 열경화성 폴리우레탄 수지 필름(도레이사제, 두께 100㎛의 폴리우레탄 수지 필름(100％ 모듈러스=32MPa)이 두께 50㎛의 표면 보호 필름으로 보호된 것)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔표면 보호 필름층〕/〔폴리우레탄 수지 필름층〕/〔아크릴계 점착제(1)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 시트를 얻었다.
〔비교예 3〕
실리콘계 점착제 조성물 1 대신으로서, 실시예 1에서 사용한 아크릴계 점착제 조성물을, 기재 필름(2)(미처리 PET 필름, 두께 75㎛, 상품명 「루미러 S10#75」, 도레이사제)에, 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도포하고, 건조 온도 130℃, 건조 시간 30초의 조건에서 큐어하여 건조하여, 얻어진 아크릴계 점착 필름의 점착면 상에 세퍼레이터(2)(박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 38㎛, 상품명 「MRF#38」, 미쓰비시 케미컬사제)를 접합하고, 아크릴계 점착제층을 보호한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(2)층〕/〔아크릴계 점착제(1)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(2)층〕/〔아크릴계 점착제(1)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 점착 시트를 얻었다.
〔비교예 4〕
실리콘계 점착제 조성물 1 대신으로서, 실시예 2에서 사용한 아크릴계 점착제 조성물을, 기재 필름(2)(미처리 PET 필름, 두께 75㎛, 상품명 「루미러 S10#75」, 도레이사제)에, 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도포하고, 건조 온도 130℃, 건조 시간 30초의 조건에서 큐어하여 건조하여, 얻어진 아크릴계 점착 필름의 점착면 상에 세퍼레이터(2)(박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 38㎛, 상품명 「MRF#38」, 미쓰비시 케미컬사제)를 접합하고, 아크릴계 점착제층을 보호한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(2)층〕/〔아크릴계 점착제(2)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(2)층〕/〔아크릴계 점착제(1)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 점착 시트를 얻었다.
〔비교예 5〕
실리콘계 점착제 조성물 1 대신으로서, 실시예 3에서 사용한 아크릴계 점착제 조성물을, 기재 필름(2)(미처리 PET 필름, 두께 75㎛, 상품명 「루미러 S10#75」, 도레이사제)에, 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도포하고, 건조 온도 130℃, 건조 시간 30초의 조건에서 큐어하여 건조하여, 얻어진 아크릴계 점착 필름의 점착면 상에 세퍼레이터(2)(박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 38㎛, 상품명 「MRF#38」, 미쓰비시 케미컬사제)를 접합하고, 아크릴계 점착제층을 보호한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(2)층〕/〔아크릴계 점착제(3)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(2)층〕/〔아크릴계 점착제(1)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 시트를 얻었다.
〔비교예 6〕
실리콘계 점착제 조성물 1 대신으로서, 실시예 4에서 사용한 아크릴계 점착제 조성물을, 기재 필름(2)(미처리 PET 필름, 두께 75㎛, 상품명 「루미러 S10#75」, 도레이사제)에, 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도포하고, 건조 온도 130℃, 건조 시간 30초의 조건에서 큐어하여 건조하여, 얻어진 아크릴계 점착 필름의 점착면 상에 세퍼레이터(2)(박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 38㎛, 상품명 「MRF#38」, 미쓰비시 케미컬사제)를 접합하고, 아크릴계 점착제층을 보호한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(2)층〕/〔아크릴계 점착제(4)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(2)층〕/〔아크릴계 점착제(1)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 시트를 얻었다.
〔비교예 7〕
제조예 4에서 얻어진 우레탄계 점착제 조성물(2)을, 기재 필름(2)(미처리 PET 필름, 두께 75㎛, 상품명 「루미러 S10#75」, 도레이사제)에, 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도포하고, 건조 온도 130℃, 건조 시간 30초의 조건에서 큐어하여 건조하여, 얻어진 우레탄계 점착 필름의 점착면 상에 세퍼레이터(2)(박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 38㎛, 상품명 「MRF#38」, 미쓰비시 케미컬사제)를 접합하고, 우레탄계 점착제층을 보호한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 〔세퍼레이터(2)층〕/〔우레탄계 점착제(2)층(제1 점착제층)〕/〔기재 필름(1)층〕/〔아크릴계 점착제(1)층(제2 점착제층)〕/〔세퍼레이터(2)층〕의 적층 구조를 갖는 전사용 양면 점착 시트를 얻었다.
<평가>
실시예 및 비교예에서 얻어진 전사용 양면 점착 시트에 대해서, 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 3, 4에 나타낸다.
(캐치 특성)
실리콘베어 웨이퍼 제법; CZ, 전도형; P, 불순물; B, 두께; 750㎛, 저항률; 1Ωcm 내지 50Ωcm, 표면; 미러, 이면; 미러, 결정 방위(100), 표면 불순물 Fe, Ni, Cu, Zn, Cr, Al, Na<1.0(×1010atoms/㎠))을 하기 표 1에 나타내는 조건에서 두께가 500㎛가 되도록 백그라인드하고, 백그라인드 후의 웨이퍼 표면에 마스킹재를 핸드 롤러를 사용하여 기포를 말려들게 하는 일 없이 첩부하였다. 또한, Si 웨이퍼의 전체를 마스킹재로 덮는 형으로 첩부를 행하였다.
이어서, 마스킹재의 기재측으로부터 상기 자외선 조사 조건에서 자외선을 조사하고, 마스킹재의 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 웨이퍼 이면측에 다이싱·다이 본드 필름(DU2495KS, 닛토덴코사제)을 첩부하였다. 다이싱 테이프의 점착제면에는 다이싱하기 위한 다이싱 링을 첩부하였다. 첩부 후, 차광 22℃에서 30분 방치하였다. 그 후, 마스킹재를 박리하고, 하기 표 2에 나타내는 조건에서, Si 웨이퍼 및 다이싱 테이프의 블레이드 다이싱을 행하고, 1변 1mm 사방의 복수의 실리콘 칩이 배열 고정된 다이싱·다이 본드 필름을 조제하였다.
다이싱 후, 다이싱 테이프의 기재측으로부터 Si 베어 웨이퍼를 향하여 이하의 조건에서 자외선을 조사하였다.
<자외선 조사 조건>
자외선 조사 장치: 닛토 세이키사제, 상품명: UM810
광원: 고압 수은등
조사 강도: 50mW/㎠(측정 기기: 우시오사제, 제품명 「자외선 조도계 UT-101」)
조사 시간: 6초
적산 광량: 300mJ/㎠
Figure pct00001
Figure pct00002
마찬가지의 방법을 사용하여, 다이싱 링에 대하여, 전사용 양면 점착 시트의 제1 점착제층이 표면이 되도록 첩부하고 제1 점착제층의 세퍼레이터(1)를 박리하여, 표 2에 나타내는 조건과 마찬가지의 방법을 사용하여 양면 점착 시트의 표면 30㎛의 깊이까지 다이싱하고, 1변 1mm 사방의 복수의 실리콘 칩이 배열 고정된 다이싱·다이 본드 필름과 쌍이 되는 마킹이 붙은 전사용 양면 점착 시트를 제작하였다.
상기에서 얻어진 다이싱·다이 본드 필름의 접착층 구비 실리콘 칩이 고정된 면을 하향으로 배치하고, 실시예, 비교예에서 얻어진 전사용 양면 점착 시트(기재의 제1 점착제층 측에 마킹한 것)의 제1 점착제층을 상향으로, 클리어런스가 1mm가 되도록 대향하여 배치하여, 마킹을 위치 정렬하고, 다이싱·다이 본드 필름의 상측(이측으로부터) 접착층 구비 실리콘 칩을 바늘로 찔러 눌러서, 제1 점착제층의 점착면에 10개 낙하시켰다.
떨어진 실리콘 칩을 모두 눈으로 보아 확인하고, 마킹 위치에 정확하게 떨어져 있는지, 뒤집히는 일 없이 떨어져 있는지를 확인하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
○…모두 마킹에 대하여 위치 어긋남·뒤집히는 일 없이 떨어져 있다.
△…5개 이상 마킹에 대하여 위치 어긋남·뒤집히는 일 없이 떨어져 있다.
×…모두 마킹에 대하여 위치 어긋남 또는 뒤집혀 떨어져 있다.
(점착력)
<PET 필름에 대한 제1 점착제층의 초기 점착력의 측정>
실시예 및 비교예의 전사용 양면 점착 시트를, 폭 25mm, 길이 150mm로 절단하고, 평가용 샘플로 하였다.
제2 점착제층의 세퍼레이터를 박리하고, 제2 점착제층 표면을 유리판(마쯔나미 가라스 고교 가부시키가이샤제, 상품명: 마이크로슬라이드 유리 S)에 접합하였다. 그 후, 폭 20mm, 길이 100mm로 절단한 PET 필름 「상품명: 루미러 S10#25(도레이사제)」을, 23℃×50％ RH의 환경 하에서, 세퍼레이터를 박리한 제1 점착제층에 2.0kg 1왕복에 의해 첩부하였다. 23℃×50％ RH의 환경 하에서 30분간 양생한 후, 만능 인장 시험기(미네베아 가부시키가이샤제, 제품명: TCM-1kNB)를 사용하여, 박리 각도 180도, 인장 속도 300mm/분으로 박리하고, 점착력을 측정하였다.
<PET 필름에 대한 제1 점착제층의 160℃, 5분 후의 점착력의 측정>
실시예 및 비교예의 전사용 양면 점착 시트를, 폭 25mm, 길이 150mm로 절단하고, 평가용 샘플로 하였다.
제2 점착제층의 세퍼레이터를 박리하고, 점착제층 표면을 유리판(마쯔나미 가라스 고교 가부시키가이샤제, 상품명: 마이크로 슬라이드 가라스 S)에 접합하였다. 그 후, 폭 20mm, 길이 100mm로 절단한 PET 필름 「상품명: 루미러 S10#25(도레이사제)」을, 23℃×50％ RH의 환경 하에서, 세퍼레이터를 박리한 제1 점착제층에 2.0kg 1왕복에 의해 첩부하였다. 23℃×50％ RH의 환경 하에서 30분간 양생하였다.
이어서, 160℃의 공기 순환식 항온 오븐에서 5분간 가열하고, 빼내었다. 그 후, 23℃×50％ RH의 환경 하에서 30분간 방랭하고 만능 인장 시험기(미네베아 가부시키가이샤제, 제품명: TCM-1kNB)를 사용하여, 박리 각도 180도, 인장 속도 300mm/분으로 박리하고, 점착력을 측정하였다.
<유리판에 대한 제2 점착제층의 초기 점착력의 측정>
실시예 및 비교예의 전사용 양면 시트를, 폭 25mm, 길이 150mm로 절단하고, 평가용 샘플로 하였다.
23℃×50％ RH의 환경 하에서, 평가용 샘플의 세퍼레이터를 박리한 제2 점착제층 표면을 유리판(마쯔나미 가라스 고교 가부시키가이샤제, 상품명: 마이크로 슬라이드 가라스 S)에, 2.0kg 롤러 1왕복에 의해 첩부하였다. 23℃×50％ RH의 환경 하에서 30분간 양생한 후, 만능 인장 시험기(미네베아 가부시키가이샤제, 제품명: TCM-1kNB)를 사용하여, 박리 각도 180도, 인장 속도 300mm/분으로 박리하고, 점착력을 측정하였다.
<유리판에 대한 제2 점착제층의 160℃ 5분 후의 점착력의 측정>
실시예 및 비교예의 전사용 양면 점착 시트를, 폭 25mm, 길이 150mm로 절단하고, 평가용 샘플로 하였다.
23℃×50％ RH의 환경 하에서, 평가용 샘플의 세퍼레이터를 박리한 제2 점착제층 표면을 유리판(마쯔나미 가라스 고교 가부시키가이샤제, 상품명: 마이크로 슬라이드 가라스 S)에, 2.0kg 롤러 1왕복에 의해 첩부하였다. 23℃×50％ RH의 환경 하에서 30분간 양생하였다.
이어서, 160℃의 공기 순환식 항온 오븐에서 5분간 가열하고, 빼내었다. 그 후, 23℃×50％ RH의 환경 하에서 30분간 방랭하고 만능 인장 시험기(미네베아 가부시키가이샤제, 제품명: TCM-1kNB)를 사용하여, 박리 각도 180도, 인장 속도 300mm/분으로 박리하고, 점착력을 측정하였다.
(태크력)
실시예 및 비교예의 전사용 양면 점착 시트를, 폭 20mm, 길이 50mm로 절단하고, 평가용 샘플로 하였다.
평가용 샘플의 측정하지 않은 면의 점착제층 표면을 유리판(마쯔나미 가라스 고교 가부시키가이샤제, 상품명: 마이크로 슬라이드 가라스 S)에, 핸드 롤러로 접합하였다. 이어서 측정하는 면에 붙어 있는 세퍼레이터를 박리하고, 태킹 시험기(레스카사제, 제품명: TAC-II)를 사용하여, 하기 조건에서 태크력(gf/5mmΦSUS)을 측정하였다.
<측정 조건>
프로브: 5mmφSUS
압입/뽑아내기 속도: 120mm/min
압입 하중: 100gf
접촉 시간: 3초
(표면력)
실시예 및 비교예의 전사용 양면 점착 시트를, 폭 10mm, 길이 10mm로 절단하고, 평가용 샘플로 하였다.
평가용 샘플의 측정하지 않은 면의 점착제층 표면을 유리판(마쯔나미 가라스 고교 가부시키가이샤제, 상품명: 마이크로 슬라이드 가라스 S)에, 핸드 롤러로 접합하여 고정하고, 이어서 측정하는 면의 세퍼레이터를 박리하고, 초미소 압입 경도 시험기(ELIONIX사제, 제품명: ENT-NEXUS)를 사용하여, 하기 조건에서 표면력(μN)을 측정하였다.
<측정 조건>
사용 압자: 유리 공 프로브(ELIONIX사제, 직경: 1mm, BK7)
측정 분위기: 대기 중
측정 온도: 30℃
(표면 조도)
접촉 광학식 조도 측정기(장치: Zygo사제 New View 7300)를 사용하여, 대물 렌즈 50배, 내부 렌즈 2배(측정 시야(XY): 70㎛×50㎛)로 필름의 풀 표면의 측정을 행하였다. 샘플은 High Pass 처리를 행한 후에 Ra, Rz, Rms의 각각의 값을 3군데 측정하여 평균값을 측정값으로 하였다.
(저장 탄성률, 손실 탄성률)
실시예 및 비교예의 전사용 양면 점착 시트의 제1 점착제층에 대하여, AFM(브루커·에이엑스에스사제, 제품명 「NanoScope V/Dimension Icon」)을 사용하여, 관찰·측정을 행하고, 25℃에서의 1Hz, 1kHz의 저장 탄성률, 손실 탄성률을 각각 구하였다. 측정 모드는 AFM·DMA 모드를 사용하여, 이하의 조건에서 측정을 행하였다.
<측정 설정>
측정 영역: 5㎛×5㎛
측정 점수: 32×32
액추에이터: 1 내지 20kHz 소인
(유리 리워크성)
유리판에 대한 제2 점착제층의 160℃ 5분 후의 점착력의 측정에 있어서 이하 기준에서 유리 리워크성을 판단하였다.
○: 3N/25mm 이하
△: 3N/25mm 초과 5N/25mm 이하
×: 5N/25mm 초과
(전사성)
PET 필름에 대한 제1 점착제층의 160℃ 5분후의 점착력의 측정에 있어서 이하 기준에서 전사성을 판단하였다.
○: 1000mN/25mm 이하
△: 1000N/25mm 초과 5000mN/25mm 미만
×: 5000mN/25mm 이상
Figure pct00003
Figure pct00004
본 발명의 베리에이션을 이하에 부기한다.
〔부기 1〕 제1 점착제층과, 기재와, 제2 점착제층이 이 순서대로 적층된 전사용 양면 점착 시트이며,
상기 제1 점착제층은, 저점착성 점착제층으로 이루어지고,
상기 제2 점착제층은, 박리성 점착제층으로 이루어지는, 전사용 양면 점착 시트.
〔부기 2〕 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 저장 탄성률이, 50MPa 이하인, 부기 1에 기재된 전사용 양면 점착 시트.
〔부기 3〕 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1kHz, 25℃에서의 저장 탄성률이, 100MPa 이하인, 부기 1 또는 2에 기재된 전사용 양면 점착 시트.
〔부기 4〕 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 저장 탄성률에 대한 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1kHz, 25℃에서의 저장 탄성률의 비율이 1보다도 큰, 부기 1 내지 3의 어느 하나에 기재된 전사용 양면 점착 시트.
〔부기 5〕 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 손실 탄성률이, 7MPa 이하인, 부기 1 내지 4의 어느 하나에 기재된 전사용 양면 점착 시트.
〔부기 6〕 상기 제1 점착제층의 스테인리스판(직경 5mm)에 대한 태크력이, 10 내지 250gf/Φ5mmSUS인, 부기 1 내지 5의 어느 하나에 기재된 전사용 양면 점착 시트.
〔부기 7〕 상기 기재가, 내열성 수지를 포함하는, 부기 1 내지 6의 어느 하나에 기재된 전사용 양면 점착 시트.
〔부기 8〕 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장 방법이며,
다이싱된 전자 부품을, 부기 1 내지 7의 어느 하나에 기재된 전사용 양면 점착 시트의 제1 점착제층이 수취하는 공정,
상기 제1 점착제층이 수취한 전자 부품을 실장 기판에 전사하는 공정을 포함하는, 방법.
〔부기 9〕 상기 전사용 양면 점착 시트의 제2 점착제층에 캐리어 기판이 접착되어 있는, 부기 8에 기재된 방법.
〔부기 10〕 상기 전자 부품이, 반도체 칩인, 부기 8 또는 9에 기재된 방법.
1: 전사용 양면 점착 시트
10: 기재
11: 제1 점착제층
12: 제2 점착제층
110, 120: 세퍼레이터
20: 다이싱 테이프
21: 전자 부품
22: 캐리어 기판
23: 핀 부재
30: 실장 기판
31: 회로면

Claims (10)

  1. 제1 점착제층과, 기재와, 제2 점착제층이 이 순서대로 적층된 전사용 양면 점착 시트이며,
    상기 제1 점착제층은, 저점착성 점착제층으로 이루어지고,
    상기 제2 점착제층은, 박리성 점착제층으로 이루어지는, 전사용 양면 점착 시트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 저장 탄성률이, 50MPa 이하인, 전사용 양면 점착 시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1kHz, 25℃에서의 저장 탄성률이, 100MPa 이하인, 전사용 양면 점착 시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 저장 탄성률에 대한 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1kHz, 25℃에서의 저장 탄성률의 비율이 1보다도 큰, 전사용 양면 점착 시트.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 점착제층의 AFM-DMA에 의한 주파수 1Hz, 25℃에서의 손실 탄성률이, 7MPa 이하인, 전사용 양면 점착 시트.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 점착제층의 스테인리스판(직경 5mm)에 대한 태크력이, 10 내지 250gf/Φ5mmSUS인, 전사용 양면 점착 시트.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재가, 내열성 수지를 포함하는, 전사용 양면 점착 시트.
  8. 전자 부품의 실장 기판 상에의 실장 방법이며,
    다이싱된 전자 부품을, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 전사용 양면 점착 시트의 제1 점착제층이 수취하는 공정,
    상기 제1 점착제층이 수취한 전자 부품을 실장 기판에 전사하는 공정을 포함하는, 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전사용 양면 점착 시트의 제2 점착제층에 캐리어 기판이 접착되어 있는, 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 전자 부품이, 반도체 칩인, 방법.
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