CN110828352A - 晶圆承载方法 - Google Patents
晶圆承载方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110828352A CN110828352A CN201810890505.8A CN201810890505A CN110828352A CN 110828352 A CN110828352 A CN 110828352A CN 201810890505 A CN201810890505 A CN 201810890505A CN 110828352 A CN110828352 A CN 110828352A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive
- resin
- adhesive film
- tension
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67333—Trays for chips
- H01L21/67336—Trays for chips characterized by a material, a roughness, a coating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
一种晶圆承载方法,其步骤是先准备一晶圆、以及一用于承载晶圆的胶膜,且胶膜能对晶圆提供一粘着力;接着可在对胶膜提供向外的张力下,以所述粘着力将晶圆粘结于胶膜上、或是先以所述粘着力将晶圆粘结于胶膜上,再对胶膜提供向外的张力,以使胶膜因承受所述张力而向外撑开晶圆。借以达到使晶圆维持在处于平整的状况下、或亦将已翘曲的晶圆予以拉平回复的目的与功效。
Description
技术领域
本发明是与一种备制晶圆的技术有关,尤指一种于备制晶圆的过程中,提供晶圆承载的方法。
背景技术
目前,晶圆(wafer)是一种以硅材作为半导体集成电路的晶片材料。晶片是层层堆叠而成的,且由于晶片尺寸很小,故若欲在有限的面积上即难以制作太多的金属接脚(锡球),使晶圆级封装(WLP)无法适用于接脚数太多的积体电路,因此现在亦有发展出如“扇入型晶圆级封装(FIWLP)”及“扇出型晶圆级封装(FOWLP)”等加工工艺(制程)。
其中的“扇出型晶圆级封装”,在其制程中必须使用载体(carrier)来承载晶片,而一般在应用上该载体往往是以玻璃为之。因为玻璃具有足够的强度可以通过所述制程中种种的过程,但也由于其强度较佳而难以在晶圆自然翘曲后提供强制其撑平的回复力量,以致仅管能粘结于晶圆底部并作为晶圆的载体支撑,惟一旦晶圆翘曲后即无法恢复,造成晶圆制造上的合格率(良率)降低等问题。
此外,除了上述的制程中,其它制造晶圆的过程中也有可能因如晶圆薄化而发生自然翘曲等问题,目前皆无较佳的补救方式,大多只能作为报废的材料而销毁之。
有鉴于此,本发明人为改善并解决上述的缺失,乃特潜心研究并配合学理的运用,终于提出一种设计合理且有效改善上述缺失的本发明。
发明内容
本发明的主要目的,在于可提供一种晶圆承载方法,其可于备制晶圆的过程中,提供晶圆所需的支撑作为承载,一方面可使晶圆维持在处于平整的状况下、另一方面也可将已翘曲的晶圆予以拉平回复,借以避免晶圆因遭遇翘曲而报销、或是已翘曲的晶圆只能报销处理而浪费成本。
为了达成上述的目的,本发明提供一种晶圆承载方法,其步骤包括:
a)准备一晶圆、以及一用于承载晶圆的胶膜,且胶膜能对晶圆提供一粘着力;
b)以所述粘着力将晶圆粘结于胶膜上;
c)对胶膜提供向外的张力,使胶膜因承受所述张力而向外撑开晶圆。
附图说明
图1为本发明的步骤流程图。
图2为本发明的步骤示意图(一)。
图3为本发明的步骤示意图(二)。
图4为本发明的步骤示意图(三)。
图5为本发明提供的张力与晶圆翘曲度的关系图。
图6为本发明胶膜基层的应变-应力的关系图。
主要元件符号说明:
<本发明>
晶圆1,胶膜2,基层20,粘着层21,步骤S1~S3。
具体实施方式
为了进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
请参阅图1,为本发明的步骤流程图。本发明提供一种晶圆承载方法,其可于备制晶圆的过程中,提供晶圆所需的支撑作为承载,如此一方面可使晶圆维持在处于平整的状况下、另一方面也可将已翘曲的晶圆予以拉平回复,进而便于进行后续的制程。
首先,如图1的步骤S1,并请一并参阅图2所示:准备一晶圆1、以及一用于承载该晶圆1的胶膜2,且该胶膜2能对该晶圆1提供一粘着力;其中,该胶膜2主要具有一基层20、以及一层叠于该基层20上的粘着层21,该粘着层21即用以提供上述粘着力而将晶圆粘结于该胶膜2,而该胶膜2基层20的材料可为聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物、乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等烯烃系树脂,或是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯系树脂,或是聚氯乙烯(PVC),或是聚苯硫醚(PPS),或是聚醚醚酮(PEEK),或是聚酰亚胺(Polyimide,俗称“PI”),或是聚酰胺的酰胺系树脂。而该胶膜2粘着层21的材料可为天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯酯树 、热塑性聚酰亚胺树脂、诸如6-耐纶及6,6-耐纶的聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、诸如PET(聚对苯二甲酸伸乙酯)及PBT(聚对苯二甲酸丁二酯)的饱和聚酯树脂,或碳氟化合物树脂;树脂可单一或任二者、任二者以上的组合使用。
接着,如图1的步骤S2,并请一并参阅图3所示:以上述胶膜2的粘着力将晶圆1粘结于该胶膜2上;意即,透过该胶膜2的粘着层21将晶圆1粘结于胶膜2上。所述粘着力约在200至1500 gf/25mm的范围内,较佳者约在500至1000gf/25mm的范围内。同时,如图1的步骤S3,并请一并参阅图4所示:对胶膜2提供向外的张力,使胶膜2因承受所述张力T而向外撑开;其中,所述对胶膜2提供向外的张力T,可于上述晶圆1尚未粘结于该胶膜2的前,即提供该胶膜2所述向外的张力T。换言的,上述步骤S2及S3,可依序先执行步骤S2再从行步骤S3、亦可同时执行步骤S2及步骤S3。也就是说,胶膜2可在未承受所述向外的张力T前先与晶圆1粘结后,再承受所述向外的张力;也可以在胶膜2承受所述向外的张力T的情况下,与晶圆1进行粘结。
如图5所示,为晶圆1翘曲度与上述张力T的关系图。由于晶圆1的厚度及其翘曲度等状况会影响拉平晶圆1的所需张力T,故在本发明所举的实施例中,系以厚度约在700um左右的晶圆1为例:而晶圆1在翘曲度200um以内的情况下,所述张力T约以7N(牛顿)可将该晶圆1拉平;当然,若晶圆1的厚度较薄时,所需的张力T也会较小。而当所述张力T提高约至20N时,可将翘曲度在1000um以内的晶圆1拉平;当然,若晶圆1的厚度较薄时,以20N的所述张力T可以提供更大翘曲度的晶圆1进行拉平。在更进一步的实测中,若晶圆1的厚度约在200um左右时,所述张力T仅需提供12N即可将翘曲度在2300um以内的晶圆1拉平。因此上述步骤S1的粘着力,皆必须在能承受所述张力T的情况下仍能将晶圆1粘结于胶膜2上。同时,如图6所示,胶膜2的基层20也必须在承受大于20N以上约至30N的范围保有其材质的弹性变形,且不会被撕裂、撕断或过度延伸。
是以,借由上述的构造组成,即可得到本发明晶圆承载方法。
因此,借由本发明晶圆承载方法,可在备制晶圆1的过程中,通过本发明的方法达到使晶圆维持在处于平整的状况下、或亦将已翘曲的晶圆予以拉平回复的目的与功效,借以避免在任何备制晶圆的过程中,因发生翘曲而报销、或无法回复等。故本发明可避免晶圆报销而提高良率,并能避免晶圆报销而增加成本等问题。
惟以上所述仅为本发明的较佳可行实施例,非因此即拘限本发明的保护范围,故举凡运用本发明说明书及附图内容所为的等效技术、手段等变化,均同理皆包含于本发明的保护范围内,合予陈明。
Claims (9)
1.一种晶圆承载方法,其特征在于,其步骤包括:
a)准备一晶圆、以及一用于承载该晶圆的胶膜,且该胶膜能对该晶圆提供一粘着力;
b)以所述粘着力将该晶圆粘结于该胶膜上;
c)对该胶膜提供向外的张力,使该胶膜因承受所述张力而向外撑开该晶圆。
2.如权利要求1所述的晶圆承载方法,其特征在于,该胶膜具有一基层、以及一层叠于该基层上的粘着层,且该粘着层即用以提供所述粘着力而将该晶圆粘结于该胶膜上。
3.如权利要求2所述的晶圆承载方法,其特征在于,该基层的材料选自聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙酸乙烯酯共聚物的烯烃系树脂,或是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯的聚酯系树脂,或是聚氯乙烯,或是聚苯硫醚,或是聚醚醚酮,或是聚酰亚胺,或是聚酰胺的酰胺系树脂。
4.如权利要求2或3所述的晶圆承载方法,其特征在于,该粘着层的材料选自橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯酯树 、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸伸乙酯及聚对苯二甲酸丁二酯的饱和聚酯树脂,或碳氟化合物树脂。
5.如权利要求1所述的晶圆承载方法,其特征在于,所述步骤b)是先执行后,再执行所述步骤c)。
6.如权利要求1所述的晶圆承载方法,其特征在于,所述步骤b)及所述步骤c)是同时执行。
7.如权利要求1所述的晶圆承载方法,其特征在于,粘着力在200至1500 gf/25mm的范围内。
8.如权利要求1所述的晶圆承载方法,其特征在于,粘着力在500至1000gf/25mm的范围内。
9.如权利要求1、7或8所述的晶圆承载方法,其特征在于,所述步骤c)的张力在7N至20N的范围内。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810890505.8A CN110828352A (zh) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 晶圆承载方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810890505.8A CN110828352A (zh) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 晶圆承载方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110828352A true CN110828352A (zh) | 2020-02-21 |
Family
ID=69533978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810890505.8A Pending CN110828352A (zh) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 晶圆承载方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110828352A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080233712A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Disco Corporation | Method of manufacturing device |
CN102746802A (zh) * | 2011-04-20 | 2012-10-24 | 株式会社迪思科 | 粘着带和晶片加工方法 |
CN102754200A (zh) * | 2009-12-22 | 2012-10-24 | 古河电气工业株式会社 | 半导体晶片表面保护用胶带 |
CN103620742A (zh) * | 2011-07-01 | 2014-03-05 | 古河电气工业株式会社 | 粘接膜、切割芯片接合膜及使用该切割芯片接合膜的半导体加工方法 |
CN103871837A (zh) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 改善晶圆翘曲度的方法 |
CN104409385A (zh) * | 2014-10-20 | 2015-03-11 | 上海技美电子科技有限公司 | 晶圆承载框的加工装置 |
-
2018
- 2018-08-07 CN CN201810890505.8A patent/CN110828352A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080233712A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Disco Corporation | Method of manufacturing device |
CN102754200A (zh) * | 2009-12-22 | 2012-10-24 | 古河电气工业株式会社 | 半导体晶片表面保护用胶带 |
CN102746802A (zh) * | 2011-04-20 | 2012-10-24 | 株式会社迪思科 | 粘着带和晶片加工方法 |
CN103620742A (zh) * | 2011-07-01 | 2014-03-05 | 古河电气工业株式会社 | 粘接膜、切割芯片接合膜及使用该切割芯片接合膜的半导体加工方法 |
CN103871837A (zh) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 改善晶圆翘曲度的方法 |
CN104409385A (zh) * | 2014-10-20 | 2015-03-11 | 上海技美电子科技有限公司 | 晶圆承载框的加工装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4430085B2 (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルム | |
KR20180029739A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
JP5089560B2 (ja) | 半導体チップ積層体および半導体チップ積層用接着剤組成物 | |
KR20100119725A (ko) | 다이 어태치 필름 부착형 다이싱 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP5322609B2 (ja) | 半導体装置製造用フィルムロール | |
CN106935547B (zh) | 一种柔性显示装置的制作方法及柔性显示装置 | |
JP2010062205A (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法 | |
JP2012062372A (ja) | 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体装置の製造方法。 | |
JP5944155B2 (ja) | 積層シート、及び、積層シートを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2005322815A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
US9669567B2 (en) | Manufacturing method of molded article | |
JP2018129401A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2009212300A (ja) | 半導体ウエハのバックグラインド方法、半導体ウエハのダイシング方法、及び半導体チップの実装方法 | |
JP2014082498A (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法 | |
PH12019501778B1 (en) | Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device | |
TW201310722A (zh) | 發光二極體裝置之製造方法 | |
JPH08124881A (ja) | ダイシングテープ及びそれを用いた半導体装置の組立方 法 | |
CN110828352A (zh) | 晶圆承载方法 | |
JP4361309B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
TWI673172B (zh) | 晶圓承載方法 | |
JP4774999B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6213252B2 (ja) | 研削された基材の製造方法、並びにこれに用いられるフィルム状粘着剤及び積層体 | |
CN111681985B (zh) | 显示面板剥离方法 | |
JP2015198117A (ja) | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
KR102615699B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |