JP2006332274A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップの裏面に導電性部材が貼付された半導体装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明は、半導体チップ(11)の裏面に導電性部材(13)が貼付される半導体装置において、半導体チップ(11)の裏面側に設けられた第1の非導電性部材(12)と、第1の非導電性部材(12)上に設けられた第2の非導電性部材(111)とを有し、導電性部材(13)は第1の非導電性部材(12)と第2の非導電性部材(111)とを介して半導体チップ(11)の裏面に貼付されることを特徴としており、例えば、第1の非導電性部材(12)はレジストであり、第2の非導電性部材(111)はダイアタッチメントフィルムであることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】 本発明は、半導体チップ(11)の裏面に導電性部材(13)が貼付される半導体装置において、半導体チップ(11)の裏面側に設けられた第1の非導電性部材(12)と、第1の非導電性部材(12)上に設けられた第2の非導電性部材(111)とを有し、導電性部材(13)は第1の非導電性部材(12)と第2の非導電性部材(111)とを介して半導体チップ(11)の裏面に貼付されることを特徴としており、例えば、第1の非導電性部材(12)はレジストであり、第2の非導電性部材(111)はダイアタッチメントフィルムであることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置及びその製造方法に係り、特に、半導体チップの裏面に導電性部材が貼付された半導体装置及びその製造方法に関する。
半導体装置のパッケージとして各種タイプのパッケージが開発されている。このうち、軽量、薄型、高密度化を実現するために、チップをインナーリード上に搭載するPKGと呼ばれるタイプのパッケージが提案されている(特許文献1参照)。
図6は従来の一例の断面図を示す。
従来の半導体装置1は、半導体チップ11、ダイアタッチメントフィルム12、リードフレーム13、ワイヤ14から構成されている。
半導体チップ11は、半導体基板上に半導体集積回路を形成した構成とされており、表面11aにパッド31が形成されている。パッド31は、半導体チップ11に形成された半導体集積回路を外部と接続するための端子である。
半導体チップ11の裏面11bには、非導電性部材12が貼付されている。非導電性部材12は、例えば、ダイアタッチメントフィルムから構成されており、ダイシングの前に半導体ウェハの裏面側に貼付される。
リードフレーム13は、タブ21及びインナーリード22から構成されており、半導体チップ11のダイアタッチメントフィルム12の下面に貼付される。ワイヤ14は、半導体チップ11の表面11a側に設けられたパッド31とリードフレーム13との間に懸架される。
特開昭61−218139号公報
しかるに、従来の半導体装置の構造では、半導体チップ11をリードフレーム13上に搭載した際にダイシング、ワイヤボンディング時に発生した導電性塵芥41が図7に示すように半導体チップ11の側面とリードフレーム13との間に付着した場合、リードフレーム13と半導体チップ11との間に電流がリークし、半導体チップ11上に形成された半導体集積回路が正常に動作しなくなるなどの問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、半導体チップとリードフレームとの電流リークを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、半導体チップ(11)の裏面に導電性部材(13)が貼付される半導体装置において、半導体チップ(11)の裏面側に設けられた第1の非導電性部材(12)と、第1の非導電性部材(12)上に設けられた第2の非導電性部材(111)とを有し、導電性部材(13)は第1の非導電性部材(12)と第2の非導電性部材(111)とを介して半導体チップ(11)の裏面に貼付されることを特徴とする。
第1の非導電性部材(12)はレジストであり、第2の非導電性部材(111)はダイアタッチメントフィルムであることを特徴とする。
導電性部材(13)は、少なくともインナーリード(22)であることを特徴とする。導電性部材は、他の半導体チップ(11−1)であることを特徴とする。
また、本発明は、半導体チップ(11)の裏面に導電性部材(13)が貼付される半導体装置の製造方法において、半導体チップ(11)の裏面側に第1の非導電性部材(12)を設ける工程と、第1の非導電性部材(12)上に第2の非導電性部材(111)を設ける工程と、第1の非導電性部材(12)と第2の非導電性部材(111)とを介して半導体チップ(11)の裏面に導電性部材(13)を貼付する工程とを有することを特徴とする。
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、特許請求の範囲の記載が限定されるものではない。
本発明によれば、半導体チップの裏面側に第1の非導電性部材を設け、第1の非導電性部材上に第2の非導電性部材を設け、第1の非導電性部材と第2の非導電性部材とを介して導電部材を貼付することにより、半導体チップと導電部材との沿面距離を長くとることができ、よって、半導体チップと導電部材との絶縁性を向上させることができる。また、第2の非導電性部材を半導体チップに加熱して、圧着することにより第2の非導電性部材が軟化して、半導体チップの側面に回り込ませることができ、これによって、導電部材と半導体チップとの間に導電性の塵などが付着して半導体チップ側面と導電部材とが短絡することを防止できる。
〔半導体装置100〕
図1は本発明の一実施例の斜視図を示す。同図中、図6と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図1は本発明の一実施例の斜視図を示す。同図中、図6と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本実施例の半導体装置100は、第1の非導電性部材12上に、さらに、第2の非導電性部材111を貼付し、第2の非導電性部材111にタブ21、及び、リード22を貼付する構成とされている。
第2の非導電性部材111は、例えば、従来のダイアタッチメントフィルムに比べて十分に厚いダイアタッチメントフィルムから構成されている。
〔製造方法〕
次に、半導体装置100の製造方法について説明する。
次に、半導体装置100の製造方法について説明する。
図2、図3は半導体装置100の製造工程を示す図であり、各図は断面図を示している。
図2(A)に示す多数の半導体チップ11が搭載された半導体ウェハ200の裏面200bに、図2(B)に示すように第1の非導電性部材12を略全面に渡って貼付する。
次に、図2(C)に示すように第1の非導電性部材12上に第2の非導電性部材111を塗布して硬化させる。
次に、図2(D)に示すように半導体ウェハ200を第1の非導電性部材12及び第2の非導電性部材111とともに切断して、半導体チップ11を切り出す。
次に、図3(A)に示すように半導体チップ11をリードフレーム13上に搭載する。
次に、図3(B)に示すように半導体チップ11をリードフレーム13に加圧しつつ、加熱する。半導体チップ11をリードフレーム13に加圧しつつ、加熱することにより、第2の非導電性部材111が圧縮されて、半導体チップ11の周縁部から外方に延出し、図3(C)に示すように半導体チップ11の側面に回りこむ。
第2の非導電性部材111が図3(C)に示すように半導体チップ11の側面に回り込むことにより半導体チップ11の側面とリードフレーム13との距離を長く取ることができるため、塵芥などの影響を小さくできる。
〔動作〕
図4は本発明の一実施例の動作説明図を示す。
図4は本発明の一実施例の動作説明図を示す。
本実施例の半導体装置100によれば、半導体チップ11とリードフレーム13との沿面距離を長くとることができるため、半導体チップ11とリードフレーム13との絶縁性を向上させることができる。また、半導体チップ11をリードフレーム13上に搭載した際にダイシング、ワイヤボンディング時に発生した導電性塵芥41が図4に示すように半導体チップ11の側面とリードフレーム13との間に付着した場合であっても、第2の非導電性部材111が半導体チップ11の側面に回り込んでいるため、塵芥41は第2の非導電性部材111とリードフレーム13との間に付着することになる。このため、半導体チップ11とリードフレーム13とが電気的に接続されることがなく、よって、半導体チップ11とリードフレーム13との間に電流がリークすることを防止できる。
〔その他〕
なお、本実施例では、第1の非導電性部材12をレジストとしたが、第1の非導電性部材12は、半導体ウェハ200の裏面200bに塗布し、硬化できるような樹脂材料で構成してもよい。
なお、本実施例では、第1の非導電性部材12をレジストとしたが、第1の非導電性部材12は、半導体ウェハ200の裏面200bに塗布し、硬化できるような樹脂材料で構成してもよい。
また、本実施例では、半導体チップ11をリードフレーム13上に搭載する場合について説明したが、半導体チップ11を別の半導体チップ上に搭載する構造の半導体装置にも適用可能である。
〔変形例〕
図5は本発明の一実施例の変形例の断面図を示す。同図中、図1と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図5は本発明の一実施例の変形例の断面図を示す。同図中、図1と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本実施例の半導体装置300は、半導体チップ11−1上に他の半導体チップ11−2を搭載した、いわゆる、スタックドIC構造とされている。なお、半導体チップ11−2のパッド31はワイヤ14により半導体チップ11−1のパッド31に接続されている。
半導体チップ11−2の底面には、第1の非導電性部材12が形成され、さらに、第2の非導電性部材111が半導体チップ11−2の底面及び側面を覆うように形成されている。このため、半導体チップ11−2の側面と半導体チップ11−1の表面との沿面距離を長くとることができるため、半導体チップ11−1と半導体チップ11−2との絶縁性を向上させることができる。
100 半導体装置
11 半導体チップ、12 第1の非導電性部材、13 リードフレーム
14 ワイヤ
21 タブ、22 インナーリード
31 パッド
111 第2の非導電性部材
200 半導体ウェハ
11 半導体チップ、12 第1の非導電性部材、13 リードフレーム
14 ワイヤ
21 タブ、22 インナーリード
31 パッド
111 第2の非導電性部材
200 半導体ウェハ
Claims (5)
- 半導体チップの裏面に導電性部材が貼付される半導体装置において、
前記半導体チップの裏面側に設けられた第1の非導電性部材と、
前記第1の非導電性部材上に設けられた第2の非導電性部材とを有し、
前記導電性部材は、前記第1の非導電性部材と前記第2の非導電性部材とを介して前記半導体チップの裏面に貼付されることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の非導電性部材は、レジストであり、
前記第2の非導電性部材は、ダイアタッチメントフィルムであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記導電性部材は、インナーリードであることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記導電性部材は、他の半導体チップであることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 半導体チップの裏面に導電性部材が貼付される半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップが形成されたウェハの裏面側に第1の非導電性部材を設ける工程と、
前記第1の非導電性部材上に第2の非導電性部材を設ける工程と、
前記ウェハから前記半導体チップを切り出す工程と、
前記第1の非導電性部材と前記第2の非導電性部材とを介して前記半導体チップの裏面に前記導電性部材を貼付する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JPS61218139A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-27 | Hitachi Chiyou Lsi Eng Kk | 半導体装置 |
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2005
- 2005-05-25 JP JP2005152808A patent/JP2006332274A/ja active Pending
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