CN102307040A - 一种smd石英晶片晶砣的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种SMD石英晶片晶砣的制备方法，包括如下步骤：(1)用夹具将多片叠加排列成砣状的晶片以X边或Z边竖直放入盛有紫外线胶合剂的平底容器中，直至晶片之间全部浸入紫外线胶合剂；(2)取出上述浸有胶合剂的晶片放入粘砣夹具中固定；(3)将经固定后的晶砣放置紫外线光照灯下照射，待胶合剂固化后取出，得到预期产品。本发明应用紫外线胶合剂粘结晶片，粘结过程不需要加热，操作安全，不仅可以改善操作环境，而且可以节约能源，并且加工后的晶砣化砣容易，晶片易清洗干净，晶片质量不受影响。
Description
技术领域
本发明涉及一种SMD石英晶片晶砣的制备方法。
背景技术
目前市场对石英晶体频率片的外形尺寸要求是比较高，特别是目前发展前景非常看好的SMD系列晶片，随着越来越多的厂家进入这一竞争激烈的行列，对SMD3225、2520、2016等小型化晶片的外形要求也是随之提高了很多。由于晶片较小，其外形尺寸加工通常是将多片晶片用胶合剂粘结成晶砣后再进行加工，通常使用的粘砣方法都是在高温的条件，将松香、蜂蜡等物按一定比例融合为胶合剂溶液，同时将需要进行外形加工的晶片按照一定数量划分为砣，每砣的两头放置上保护玻璃，晶砣成排放置于高温加热板上，每排之间保持一定的缝隙，晶片需要在加热板上放置加热一段时间，以便利用高温将晶片间隙中的空气排出，并将高温中的胶合剂溶液缓慢倒入晶砣排与排之间的缝隙中，利用胶合剂的粘力以及液体的流动性使胶合剂流淌至晶片与晶片之间的缝隙中，充分粘合晶片，待溶液完全粘合晶片后，将晶砣取出放置于整合器皿内，同时用工具来整形晶砣表面，使之无明显的凹凸不平，待冷却后即可取出进行后续的外形加工。但此方法有不少危害：高温对员工的危害极大，易出现员工受伤情况，同时松香、蜂蜡等物体颗粒较大，吸附渗透性不是很理想，对粘合后的晶砣的光洁度、外形和晶片垂直度都有一定的不良影响，而且随着天气季节的变化，还需要改变粘合剂的配比使之可以更好的用于生产。该种粘合剂在外形加工过程结束后的化砣过程中不易化解干净、清洗难度较大，化砣过程还必须使用硫酸、硝酸等强酸溶解胶体，化砣后的废液以及化砣过程中产生的刺激性气体都对员工的人身安全容易出现危害，对环境造成污染。因此在提高产品质量、保护员工人身安全、环境保护、节约能源等方面的综合考虑下，亟需一种高效节能、安全可靠的生产工艺。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的不足之处，提供一种SMD石英晶片晶砣的制备方法，不仅操作安全，对环境无污染，而且可以节约能源。
为实现上述目的，本发明包括如下步骤：(1)用夹具将多片叠加排列成砣状的晶片以X边或Z边竖直放入盛有紫外线胶合剂的平底容器中，直至晶片之间全部浸入紫外线胶合剂；(2)取出上述浸有胶合剂的晶片放入粘砣夹具中固定；(3)将经固定后的晶砣放置紫外线光照灯下照射，待胶合剂固化后取出，得到预期产品。
为了便于将晶片之间的空气排出，防止晶砣中出现气泡，步骤(1)平底容器中胶合剂的液位高度不超过晶片Z边或X边宽度的三分之二，胶合剂沿晶片之间的间隙由下向上被吸附至晶片之间，晶片之间的气体由上方排出。
由上述技术方案可知，本发明应用紫外线胶合剂粘结晶片，由于紫外线胶合剂的吸附渗透性很好，粘合后的晶砣的光洁度、外形和晶片的垂直度都可以满足小型化高精度晶片的严格的生产要求；本发明只需用紫外线照射固化，粘结过程不需要加热，不会产生大量挥发性有害气体，操作安全，不仅可以改善操作环境，而且可以节约能源，并且加工后的晶砣化砣容易，晶片易清洗干净，晶片质量不受影响，所用化胶剂无毒且容易取得。
具体实施方式
本发明的方法如下：选择一平底容器，向平底容器中倒入紫外线胶合剂，胶合剂的液位高度不超过晶片Z边或X边宽度的三分之二。将一定数量的晶片X边或Z边竖直整齐码放成砣状，两端Y面各附上一块保护玻璃片，用夹钳夹着两端玻璃片将上述多片叠加排列成砣状的晶片以X边或Z边竖直放入盛有紫外线胶合剂的平底容器中，胶合剂沿晶片之间的间隙由下向上被吸附至晶片之间，晶片之间的气体由上方排出当晶片上方有胶合剂溢出时，晶片之间已全部浸入紫外线胶合剂；取出上述浸有胶合剂的晶砣放入粘砣夹具中固定，用整形铲整形并除去晶砣表面胶合剂；再将经整形固定后的晶砣放置紫外线光照灯下照射，待胶合剂固化后取出，得到预期产品。
Claims (2)
1.一种SMD石英晶片晶砣的制备方法，包括如下步骤：(1)用夹具将多片叠加排列成砣状的晶片以X边或Z边竖直放入盛有紫外线胶合剂的平底容器中，直至晶片之间全部浸入紫外线胶合剂；(2)取出上述浸有胶合剂的晶片放入粘砣夹具中固定；(3)将经固定后的晶砣放置紫外线光照灯下照射，待胶合剂固化后取出，得到预期产品。
2.根据权利要求1所述的一种SMD石英晶片晶砣的制备方法，其特征在于：步骤(1)平底容器中胶合剂的液位高度不超过晶片Z边或X边宽度的三分之二。
Priority Applications (1)
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| CN201110112695A CN102307040A (zh) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | 一种smd石英晶片晶砣的制备方法 |
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2011
- 2011-05-03 CN CN201110112695A patent/CN102307040A/zh active Pending
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