JP2013055139A - ウエーハ及び識別マーク形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 結晶体からなるウエーハであって、表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該外周余剰領域のウエーハ内部に該ウエーハの結晶方位を示す識別マークが形成されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
波長 :1064nm
出力 :0.1W
繰り返し周波数 :50kHz
12 レーザビーム照射ユニット
13 デバイス形成領域
15 外周余剰領域
16 レーザビーム発生ユニット
17 改質層
18 集光器
Claims (2)
- 結晶体からなるウエーハであって、
表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、
該外周余剰領域のウエーハ内部に該ウエーハの結晶方位を示す識別マークが形成されていることを特徴とするウエーハ。 - 表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有する結晶体からなるウエーハの内部に、該ウエーハの結晶方位を示す識別マークを形成する識別マーク形成方法であって、
該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該外周余剰領域のウエーハの内部に位置付けて該レーザビームをウエーハに照射して、該ウエーハ内部に該ウエーハの結晶方位を示す識別マークとしての改質層を形成することを特徴とする識別マーク形成方法。
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2011
- 2011-09-01 JP JP2011190893A patent/JP2013055139A/ja active Pending
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