JP2006287104A - マーク認識システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 画像認識装置30は撮像した画像から、識別マークの識別用文字列および誤り検出用コードを解読する。パソコン40は解読した識別マークの誤り検出用コードを用いて、解読した識別用文字列について正誤判定し、正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について識別用文字列を構成する文字群の一部を他の文字と入れ替えて訂正する。
【選択図】 図1
Description
特許文献1の装置は、以下のような構成を採っている。
前記画像信号(G−1〜G−N)に基づいて前記文字列(A−1〜A−N)をそれぞれ画像認識し、文字列(A−1〜A−N)の画像を1対1で対応した文字信号(L−1〜L−N)で出力する画像認識手段と、
前記文字信号(L−1〜L−N)を入力し、文字信号(L−1〜L−N)の中に重複する文字信号が含まれるか否かを識別する識別手段と、
前記識別手段により制御されて前記文字信号(L−1〜L−N)に1対1で対応する文字列(A’−1〜A’−N)を表示画面上に表示するとともに、重複する文字列には識別符号を付して表示する表示手段と
を具備している。これにより、文字列に重複がないかチェックし、重複がある場合には?等の識別符号を付して表示する。
請求項2に記載のように、請求項1に記載のマーク認識システムにおいて、前記解読手段は、撮像した画像から識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する際に、識別用文字列を構成する文字群の各文字についての確か度合いを算出し、前記訂正手段は、確か度合いが低い文字について他の文字と入れ替えて解読した識別用文字列を訂正するものであるとよい。
図1は、本実施形態におけるマーク認識システムの概略構成図であり、当該マーク認識システムはシリコンウエハ10に付された識別マーク11(後記する図3参照)を認識して、シリコンウエハ10を管理するためのものである。本実施形態においては、管理対象としている物品がシリコンウエハ(広義には半導体ウエハ)である。
図3において、シリコンウエハ10の中央部分はチップ形成領域となっており、シリコンウエハ10の一方の面における外周縁には識別マーク11が付されている。識別マーク11は、識別用文字列12と誤り検出用コード(情報)13とを備えている。識別用文字列12は、シリコンウエハ10の表面にマーキングされ、撮像した画像により認識されるものである。図3では文字列12は6桁の数字にて構成している。具体的には、図3では「012345」としている。
図4は平面図であり、図5は正面図である。図4,5において、テーブル(図示略)の上にはシリコンウエハ10が載置されている。シリコンウエハ10よりも上側においてレーザビームLbがミラー60を経てシリコンウエハ10の上面に照射される。また、吸引ノズル61が設けられ、吸引ノズル61の吸引口(開口部)61aは水平方向においてシリコンウエハ10の外周面10aから外側に所定距離Lだけ離間して配置されている。
マーク認識システムは、前述の識別マーク11(シリコンウエハ10に付されたマーク)とテーブル1とカメラ20と画像認識装置30とパソコン40とディプレイ50とにより構成されている。テーブル1の上にはシリコンウエハ10が載置される。
ステップ101でカメラ20により識別マーク11を光学的に読み取って画像に変換する(撮像する)。次に、画像認識装置30はステップ102でマーク解読を行う。図12を用いて、マーク解読処理について説明する。図12の例において、読み取った画像(識別マーク)について、1文字ずつ文字候補群の中から読み取った画像に近い文字候補を少なくとも1つ選択する。詳しくは、識別マークを構成する7桁の文字に対して1文字ずつ文字毎の確か度合いを求めるとともに確か度合いの低い文字については解読候補を選出する。具体的には、図12では、文字列の各文字についての確か度合いとして、数字「0」に対して「90%」、数字「1」に対して「80%」、数字「2」に対して「70%」、数字「3」に対して「60%」、数字「4」に対して「50%」、数字「6」に対して「10%」、コードとしてのアルファベット「A」に対して90%と決定される。また、確か度合いの低い文字である「6」についての解読候補として、「6」、「8」、「5」、「3」が求められ、かつ、その確か度合いとして、数字「6」に対して「90%」、数字「8」に対して「50%」、数字「5」に対して「40%」、数字「3」に対して「20%」と決定される。換言すれば、「6」、「8」、「5」、「3」のうちの確か度合いが最も高い「6」が選択された状態が図12である。
マーク認識システムは、図1,11を用いて説明したように、シリコンウエハ10に付され、かつ、識別用文字列12および誤り検出用コード(情報)13を有する識別マーク11と、撮像手段としてのカメラ20と、解読手段としての画像認識装置30と、正誤判定手段および訂正手段としてのパソコン40とを備えている。そして、カメラ20は、識別マーク11を撮像する。画像認識装置30は、カメラ20により撮像した画像から、識別マーク11の識別用文字列12および誤り検出用コード(情報)13を解読する。さらに、パソコン40は、解読した識別マークの誤り検出用コード(情報)を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定するとともに(図11のステップ103)、正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について識別用文字列を構成する文字群の一部を他の文字と入れ替えて訂正する(図11のステップ104)。その結果、識別用文字列12を撮像して認識する際に文字列12について正しく認識することが可能となる。
識別用文字列12と誤り検出用コード(情報)13の形成に関して、図15に示すように、シリコンウエハ10に対して表面から所定距離dだけ内方に集光点を合わせてレーザビームLbを照射して、図16に示すようにウエハ内部に多光子吸収による領域17を形成する。領域17は、レーザ加熱によりシリコンが改質された領域(改質領域)、具体的にはポリシリコン領域である。または、領域17はレーザ加熱によりシリコンが多孔質となった領域(多孔質領域)である。この領域(改質領域または多孔質領域)17によってウエハ10でのレーザビーム入射面から所定距離dだけ内方側にマークを形成する。
また、識別マーク11(識別用文字列12および誤り検出用コード(情報)13)は刻印でなく印刷で形成してもよい。
Claims (9)
- 管理対象としている物品に付され、かつ、識別用文字列および誤り検出用情報を有する識別マークと、
前記識別マークを撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により撮像した画像から、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する解読手段と、
前記解読手段により解読した識別マークの誤り検出用情報を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定する正誤判定手段と、
前記正誤判定手段による正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について識別用文字列を構成する文字群の一部を他の文字と入れ替えて訂正する訂正手段と、
を備えたことを特徴とするマーク認識システム。 - 前記解読手段は、撮像した画像から識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する際に、識別用文字列を構成する文字群の各文字についての確か度合いを算出し、前記訂正手段は、確か度合いが低い文字について他の文字と入れ替えて解読した識別用文字列を訂正することを特徴とする請求項1に記載のマーク認識システム。
- 前記解読手段は、撮像した画像から識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する際に、識別用文字列を構成する文字群の文字について解読候補となる文字を準備し、前記訂正手段は、正誤判定手段による正誤判定結果が誤りである場合に、前記解読候補となる文字を入れ替えて解読した識別用文字列を訂正することを特徴とする請求項1または2に記載のマーク認識システム。
- 更に、訂正手段により入れ替えた識別用文字列について、誤り検出用情報を用いて正誤判定する再正誤判定手段を備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマーク認識システム。
- 前記再正誤判定手段において識別用文字列について正しいと判定されるまで、前記訂正手段による文字の入れ替えと前記再正誤判定手段による正誤判定を繰り返すことを特徴とする請求項4に記載のマーク認識システム。
- 前記識別マークの誤り検出用情報は、識別用文字列における各数字の合計値をコード化したもの、または、識別用文字列における各文字コードに対応する数値の合計値をコード化したものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のマーク認識システム。
- 前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、管理対象としている物品としての半導体ウエハに対して、波長が523nmで、かつ、出力が186W以下のレーザビームを照射することによりマーキングしたものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のマーク認識システム。
- 前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、管理対象としている物品としての半導体ウエハに対してレーザビームを照射することによりマーキングしたものであり、かつ、マーキング中において半導体ウエハの外周面上または外周面から外方へ5mm以内の領域に吸引ノズルの吸引口を配置してレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引しながらマーキングしたものであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のマーク認識システム。
- 前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、管理対象としている物品としての半導体ウエハに対してウエハ内部に集光点を合わせてレーザビームを照射してウエハでのレーザビーム入射面から所定距離だけ内方側に多光子吸収による改質領域または多孔質領域を形成することによりマーキングしたものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のマーク認識システム。
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