JP2006287104A - マーク認識システム - Google Patents

Abstract

【課題】 識別用の文字列を撮像して認識する際に文字列について正しく認識することができるマーク認識システムを提供する。
【解決手段】 画像認識装置３０は撮像した画像から、識別マークの識別用文字列および誤り検出用コードを解読する。パソコン４０は解読した識別マークの誤り検出用コードを用いて、解読した識別用文字列について正誤判定し、正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について識別用文字列を構成する文字群の一部を他の文字と入れ替えて訂正する。
【選択図】 図１

Description

本発明はマーク認識システムに関するものである。

従来、管理対象としている物品に識別マークを付して管理することが行われており、そのために識別マークの認識装置が使用されている（例えば、特許文献１等）。
特許文献１の装置は、以下のような構成を採っている。

第１のウエハ（２１−１）に記入された文字列（Ａ−１）、第２のウエハ（２１−２）に記入された文字列（Ａ−２），・・・，第Ｎのウエハ（２１−Ｎ）に記入された文字列（Ａ−Ｎ）を順次撮像し、前記文字列（Ａ−１〜Ａ−Ｎ）に１対１で対応する複数の画像信号（Ｇ−１〜Ｇ−Ｎ）を出力する撮像手段と、
前記画像信号（Ｇ−１〜Ｇ−Ｎ）に基づいて前記文字列（Ａ−１〜Ａ−Ｎ）をそれぞれ画像認識し、文字列（Ａ−１〜Ａ−Ｎ）の画像を１対１で対応した文字信号（Ｌ−１〜Ｌ−Ｎ）で出力する画像認識手段と、
前記文字信号（Ｌ−１〜Ｌ−Ｎ）を入力し、文字信号（Ｌ−１〜Ｌ−Ｎ）の中に重複する文字信号が含まれるか否かを識別する識別手段と、
前記識別手段により制御されて前記文字信号（Ｌ−１〜Ｌ−Ｎ）に１対１で対応する文字列（Ａ’−１〜Ａ’−Ｎ）を表示画面上に表示するとともに、重複する文字列には識別符号を付して表示する表示手段と
を具備している。これにより、文字列に重複がないかチェックし、重複がある場合には？等の識別符号を付して表示する。

また、ウエハ等に識別マークを刻印する方法として、レーザ光線を使用して刻印する方法が知られている。このレーザ光線の出力を大きくすることで、刻印の深度や大きさを大きくすることができ、その結果、誤読取を低減することができることが知られている。
特開平６−７７１００号公報

しかしながら、上記の特許文献１に開示された装置では、複数の重複する文字列を持つウエハが存在することが分かるが、重複する文字列を持つウエハのうち、いずれが正しい文字列を持つウエハで、いずれが誤って読み取られたものであるかの判別がつかない。つまり、物品に付された認識マークを誤って読み取った場合に、いずれが正しく読み取ったものであるかが分からないという問題がある。また、レーザ光線の出力を大きくすることで誤読取を低減しようとすると、刻印の周辺にレーザ光線の照射により飛散した半導体の破片が付着し、その結果、半導体ウエハ等の歩留まりや品質が低下するという問題がある。

本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、識別用の文字列を撮像して認識する際に文字列について正しく認識することができるマーク認識システムを提供することにある。

請求項１に記載の発明は、管理対象としている物品に付され、かつ、識別用文字列および誤り検出用情報を有する識別マークと、前記識別マークを撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像した画像から、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する解読手段と、前記解読手段により解読した識別マークの誤り検出用情報を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定する正誤判定手段と、前記正誤判定手段による正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について識別用文字列を構成する文字群の一部を他の文字と入れ替えて訂正する訂正手段と、を備えたマーク認識システムをその要旨としている。

請求項１に記載の発明によれば、解読手段によって、撮像手段により撮像した画像から、識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報が解読される。そして、正誤判定手段によって、解読手段により解読した識別マークの誤り検出用情報を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定される。さらに、訂正手段によって、正誤判定手段による正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について識別用文字列を構成する文字群の一部が他の文字と入れ替えられて訂正される。

このようにして、識別用の文字列を撮像して認識する際に文字列について正しく認識することができる。
請求項２に記載のように、請求項１に記載のマーク認識システムにおいて、前記解読手段は、撮像した画像から識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する際に、識別用文字列を構成する文字群の各文字についての確か度合いを算出し、前記訂正手段は、確か度合いが低い文字について他の文字と入れ替えて解読した識別用文字列を訂正するものであるとよい。

請求項３に記載のように、請求項１または２に記載のマーク認識システムにおいて、前記解読手段は、撮像した画像から識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する際に、識別用文字列を構成する文字群の文字について解読候補となる文字を準備し、前記訂正手段は、正誤判定手段による正誤判定結果が誤りである場合に、前記解読候補となる文字を入れ替えて解読した識別用文字列を訂正するものであるとよい。

請求項４に記載のように、請求項１〜３のいずれか１項に記載のマーク認識システムにおいて、更に、訂正手段により入れ替えた識別用文字列について、誤り検出用情報を用いて正誤判定する再正誤判定手段を備えるようにすると、再判定することにより精度向上を図る上で好ましいものとなる。

請求項５に記載のように、請求項４に記載のマーク認識システムにおいて、前記再正誤判定手段において識別用文字列について正しいと判定されるまで、前記訂正手段による文字の入れ替えと前記再正誤判定手段による正誤判定を繰り返すようにすると、精度向上を図る上でより好ましいものとなる。

請求項６に記載のように、請求項１〜５のいずれか１項に記載のマーク認識システムにおいて、前記識別マークの誤り検出用情報は、識別用文字列における各数字の合計値をコード化したもの、または、識別用文字列における各文字コードに対応する数値の合計値をコード化したものを用いるとよい。

請求項７に記載のように、請求項１〜６のいずれか１項に記載のマーク認識システムにおいて、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、管理対象としている物品としての半導体ウエハに対して、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームを照射することによりマーキングしたものであると、異物の発生を抑制しつつマーキングすることができ、かつ、誤り検出用情報を付すことにより正しく認識することができる。

請求項８に記載のように、請求項１〜７のいずれか１項に記載のマーク認識システムにおいて、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、管理対象としている物品としての半導体ウエハに対してレーザビームを照射することによりマーキングしたものであり、かつ、マーキング中において半導体ウエハの外周面上または外周面から外方へ５ｍｍ以内の領域に吸引ノズルの吸引口を配置してレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引しながらマーキングしたものであると、マーキング中でのレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引して飛散物の半導体ウエハ表面への付着を防止することができる。

請求項９に記載のように、請求項１〜６のいずれか１項に記載のマーク認識システムにおいて、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、管理対象としている物品としての半導体ウエハに対してウエハ内部に集光点を合わせてレーザビームを照射してウエハでのレーザビーム入射面から所定距離だけ内方側に多光子吸収による改質領域または多孔質領域を形成することによりマーキングしたものであると、ウエハにおけるレーザビーム入射面から所定距離だけ内方側に形成した変質領域または多孔質領域によりマーキングされ、ウエハ表面においてレーザ照射に伴う異物の発生を防止することができる。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施形態におけるマーク認識システムの概略構成図であり、当該マーク認識システムはシリコンウエハ１０に付された識別マーク１１（後記する図３参照）を認識して、シリコンウエハ１０を管理するためのものである。本実施形態においては、管理対象としている物品がシリコンウエハ（広義には半導体ウエハ）である。

図２には本実施形態におけるＩＣ製造プロセスを示す。図２において、シリコンウエハを準備（用意）し、識別マークをレーザマーキングする。この識別マークは各シリコンウエハ毎に異なるものが付され、同マークによりシリコンウエハを特定することができる。マーキングした後において、シリコンウエハを洗浄する。さらに、シリコンウエハに対しＩＣ製造工程（第１回目）を実施する。そして、シリコンウエハの識別マークを、図１に示した認識システムを用いて認識する。さらに、シリコンウエハに対しＩＣ製造工程（第２回目）を実施する。

以下、識別マークの認識とＩＣ製造工程（第３回目以降）を繰り返し実施して所望の素子を作り込む。なお、レーザマーキング後の洗浄は、ＩＣ製造工程（第１回目）での熱処理等の前洗浄の意味もある。

図３は、レーザマーキングを行った後のシリコンウエハ１０の平面図である。
図３において、シリコンウエハ１０の中央部分はチップ形成領域となっており、シリコンウエハ１０の一方の面における外周縁には識別マーク１１が付されている。識別マーク１１は、識別用文字列１２と誤り検出用コード（情報）１３とを備えている。識別用文字列１２は、シリコンウエハ１０の表面にマーキングされ、撮像した画像により認識されるものである。図３では文字列１２は６桁の数字にて構成している。具体的には、図３では「０１２３４５」としている。

誤り検出用コード１３は、文字列１２と共にシリコンウエハ１０の表面にマーキングされ、撮像した画像により認識されるものである。誤り検出用コード１３は、１桁のアルファベットにて構成しており、識別用文字列１２における各数字の合計値をコード化したものである。具体的には、図３では誤り検出用コード１３は、０＋１＋２＋３＋４＋５＝１５であり、合計値「１５」に対応するコードを「Ａ」としている。即ち、「Ａ」とは合計値「１５」を意味している。このコードとして、合計値「１６」を意味する「Ｂ」、合計値「１７」を意味する「Ｃ」、合計値「１８」を意味する「Ｄ」、…等がある。

図４，５にはレーザマーキング装置の概略構成を示す。
図４は平面図であり、図５は正面図である。図４，５において、テーブル（図示略）の上にはシリコンウエハ１０が載置されている。シリコンウエハ１０よりも上側においてレーザビームＬｂがミラー６０を経てシリコンウエハ１０の上面に照射される。また、吸引ノズル６１が設けられ、吸引ノズル６１の吸引口（開口部）６１ａは水平方向においてシリコンウエハ１０の外周面１０ａから外側に所定距離Ｌだけ離間して配置されている。

ここで、識別マーク１１（識別用文字列１２と誤り検出用コード１３）は、シリコンウエハ１０に対して、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームＬｂを照射することによりマーキングしたものである。これは次の理由による。

図６には、波長が５２３ｎｍのレーザビームを用いたときにおけるレーザ出力（ワット）と異物発生の有無との関係についての測定結果を示す。ここで、異物について説明すると、図７に示すようにシリコンウエハ１０の表面に凹部１５を形成してマークを形成する際に、シリコンがレーザビームＬｂにより溶融して異物１６となって凹部１５の外周部や図８に示すように凹部１５の周辺に付着する。図６において、レーザ出力を、１９０Ｗ，１８８Ｗ，１８６Ｗ，１８４Ｗ，１８２Ｗ，１８０Ｗとし、この場合における異物発生の有無を測定した結果、１８６Ｗ以下では異物が発生しなかった。これにより、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームを照射してマーキングを行うと異物の発生を防止できることが分かる。

さらに、図３の識別マーク１１（識別用文字列１２と誤り検出用コード１３）は、シリコンウエハ１０に対してレーザビームＬｂを照射することによりマーキングしたものであり、しかもマーキング中においてシリコンウエハ１０の外周面１０ａ（図４，５参照）上または外周面１０ａから外方へ５ｍｍ以内の領域に吸引ノズル６１の吸引口６１ａを配置してレーザ照射に伴い発生する飛散物（シリコンの破片や塵等）を吸引しながらマーキングしたものである。これは次の理由による。

図９に示す平面図において吸引ノズル６１の吸引口（開口部）６１ａとシリコンウエハ１０の外周面１０ａとの距離Ｌ（図４，５参照）を、−５ｍｍ、０ｍ、５ｍｍ、１０ｍｍと変えつつウエハ表面の文字列の中央および両端の文字をＳＥＭにて観察した。なお、このときの文字列は１８文字である。その結果を図１０に示す。

図１０は集塵機の吸引ノズル６１の位置と異物の除去効果を示すものであって、図１０において、吸引口（ノズル先端部）６１ａとシリコンウエハ１０の外周面１０ａとの距離Ｌを、−５ｍｍ、０ｍ、５ｍｍ、１０ｍｍと変えると、Ｌ＝−５ｍｍの場合にはノズル６１がレーザビームＬｂを遮るためマーキング不可能である。Ｌ＝０ｍｍの場合、即ち、ウエハ外周面１０ａ上に吸引口６１ａがある場合には異物残りは発生しなかった。Ｌ＝５ｍｍの場合には、わずかに異物が残った。Ｌ＝１０ｍｍの場合には、多量の異物が残った。このようにして、集塵機の吸引ノズル６１の吸引口６１ａの位置が、ウエハ外周面１０ａから０〜５ｍｍの範囲で異物を除去することができることが分かる。

次に、図１に示したマーク認識システムについて説明する。
マーク認識システムは、前述の識別マーク１１（シリコンウエハ１０に付されたマーク）とテーブル１とカメラ２０と画像認識装置３０とパソコン４０とディプレイ５０とにより構成されている。テーブル１の上にはシリコンウエハ１０が載置される。

図１において、撮像手段としてのカメラ２０によりシリコンウエハ１０に付した識別マーク１１を撮像することができるようになっている。解読手段としての画像認識装置３０はカメラ２０により撮像した画像から識別マーク１１を解読するためのものである。

図１１は、マーク認識システムの動作を示すフローチャートである。
ステップ１０１でカメラ２０により識別マーク１１を光学的に読み取って画像に変換する（撮像する）。次に、画像認識装置３０はステップ１０２でマーク解読を行う。図１２を用いて、マーク解読処理について説明する。図１２の例において、読み取った画像（識別マーク）について、１文字ずつ文字候補群の中から読み取った画像に近い文字候補を少なくとも１つ選択する。詳しくは、識別マークを構成する７桁の文字に対して１文字ずつ文字毎の確か度合いを求めるとともに確か度合いの低い文字については解読候補を選出する。具体的には、図１２では、文字列の各文字についての確か度合いとして、数字「０」に対して「９０％」、数字「１」に対して「８０％」、数字「２」に対して「７０％」、数字「３」に対して「６０％」、数字「４」に対して「５０％」、数字「６」に対して「１０％」、コードとしてのアルファベット「Ａ」に対して９０％と決定される。また、確か度合いの低い文字である「６」についての解読候補として、「６」、「８」、「５」、「３」が求められ、かつ、その確か度合いとして、数字「６」に対して「９０％」、数字「８」に対して「５０％」、数字「５」に対して「４０％」、数字「３」に対して「２０％」と決定される。換言すれば、「６」、「８」、「５」、「３」のうちの確か度合いが最も高い「６」が選択された状態が図１２である。

図１１において、パソコン４０はステップ１０３で、解読した識別マーク（１１）におけるコード（１３）を用いて文字列（１２）について正誤判定を行う。詳しくは、文字列（１２）がチェックサム（コード１３）と合致するか判定する。これを、図１３（ａ），（ｂ）を用いて説明するならば、図１３（ａ）の識別マーク１１に対し図１３（ｂ）の読み取り結果を得た場合においては、文字列（１２）が正しく読み取れていると文字列（１２）の総和が「１５」であり、対応するコードが「Ａ」となり、正しいことが分かる。そして、パソコン４０は図１１のステップ１０３において判定結果がＯＫ、即ち、正しければ、ステップ１０６で確定し、ステップ１０７で表示する。

一方、ステップ１０３で正誤判定を行った結果、誤りであった場合について説明すると、図１３（ａ）の識別マーク１１に対し図１３（ｃ）の読み取り結果を得た場合においては、文字列（１２）の総和が「１６」であり、対応するコードが「Ｂ」となり、正しくないことが分かる。

パソコン４０は図１１のステップ１０３において誤りであったならばステップ１０４に移行して、解読した文字列（１２）について確か度合いの低い文字に対し文字候補を入れ替えて訂正する。これを、図１２の例で説明するならば、図１３（ｃ）および図１２において、「０」，「１」，「２」，「３」，「４」，「６」についての確か度合いの比較において確か度合いが低い文字「６」に対し、「６」，「８」，「５」，「３」についての文字毎の確か度合いの比較において２番目に確か度合いが高い文字「８」を入れ替えて図１４（ａ）に示すようにする。

パソコン４０は図１１のステップ１０４の処理を行った後、ステップ１０５に移行する。パソコン４０はステップ１０５において入れ替えた文字列（１２）について前述のステップ１０３と同様にして正誤判定を行う。パソコン４０は図１１のステップ１０５で正しければ、ステップ１０６で確定し、ステップ１０７で表示する。一方、正しくなかった場合について図１４（ａ）を用いて説明するならば、図１４（ａ）のように入れ替え後においては、文字列（１２）の総和が「１８」であり、対応するコードが「Ｄ」となり、正しくないことが分かる。

このようにパソコン４０は図１１のステップ１０５で正誤判定を行った結果、誤りであったならば、ステップ１０４に戻り、確か度合いが低い文字に対し文字候補を入れ替える。以下、ステップ１０４，１０５を繰り返してチェックサムが合致するまで（合計値がコードと一致するまで）文字候補の入れ替えとチェックサム判定を繰り返し、ステップ１０６で確定し、ステップ１０７で表示する。

図１２の例で説明するならば、図１４（ａ）における文字「８」に対し図１２において次に確か度合いが高い文字「５」を図１４（ｂ）のように入れ替え後においては、文字列（１２）の総和が「１５」であり、対応するコードが「Ａ」となり、正しいことが分かる。

以上のごとく、本実施形態は下記の特徴を有している。
マーク認識システムは、図１，１１を用いて説明したように、シリコンウエハ１０に付され、かつ、識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３を有する識別マーク１１と、撮像手段としてのカメラ２０と、解読手段としての画像認識装置３０と、正誤判定手段および訂正手段としてのパソコン４０とを備えている。そして、カメラ２０は、識別マーク１１を撮像する。画像認識装置３０は、カメラ２０により撮像した画像から、識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３を解読する。さらに、パソコン４０は、解読した識別マークの誤り検出用コード（情報）を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定するとともに（図１１のステップ１０３）、正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について識別用文字列を構成する文字群の一部を他の文字と入れ替えて訂正する（図１１のステップ１０４）。その結果、識別用文字列１２を撮像して認識する際に文字列１２について正しく認識することが可能となる。

また、画像認識装置３０は、撮像した画像から識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３を解読する際に、図１２に示すごとく、識別用文字列１２を構成する文字群の各文字についての確か度合いを算出し（図１１のステップ１０２）、パソコン４０は、確か度合いが低い文字について他の文字と入れ替えて解読した識別用文字列を訂正する（図１１のステップ１０４）。よって、確か度合いを考慮して文字の入れ替えを行うことができる。

また、画像認識装置３０は、撮像した画像から識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３を解読する際に、図１２に示すごとく、識別用文字列１２を構成する文字群の文字について解読候補となる文字を準備し（図１１のステップ１０２）、パソコン４０は、正誤判定結果が誤りである場合に、解読候補となる文字を入れ替えて解読した識別用文字列を訂正する（図１１のステップ１０４）。よって、解読候補を準備して容易に文字の入れ替えを行うことができる。

また、再正誤判定手段としてのパソコン４０は、ステップ１０４において入れ替えた識別用文字列について、ステップ１０５で誤り検出用コード（情報）１３を用いて正誤判定する。よって、再判定することにより精度向上を図る上で好ましい。そして、パソコン４０において識別用文字列について正しいと判定されるまで、パソコン４０による解読候補となる文字の入れ替えと正誤判定を繰り返す（図１１のステップ１０４，１０５）。よって、精度向上を図る上でより好ましい。

また、識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３は、図６を用いて説明したようにシリコンウエハ１０に対して、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームＬｂを照射することによりマーキングしたものである。こうすることにより、異物の発生を抑制しつつマーキングすることができ、かつ、誤り検出用コード（情報）１３を付すことにより正しく認識することができる。

また、識別マーク１１の識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３は、シリコンウエハ１０に対してレーザビームＬｂを照射することによりマーキングしたものであり、かつ、図９，１０を用いて説明したようにマーキング中においてシリコンウエハ１０の外周面１０ａ上または外周面１０ａから外方へ５ｍｍ以内の領域に吸引ノズル６１の吸引口６１ａを配置してレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引しながらマーキングしたものである。こうすることにより、マーキング中でのレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引して飛散物のシリコンウエハ表面への付着を防止することができる（シリコンウエハ表面から除去できる）。

なお、前記実施形態は以下のように変更してもよい。
識別用文字列１２と誤り検出用コード（情報）１３の形成に関して、図１５に示すように、シリコンウエハ１０に対して表面から所定距離ｄだけ内方に集光点を合わせてレーザビームＬｂを照射して、図１６に示すようにウエハ内部に多光子吸収による領域１７を形成する。領域１７は、レーザ加熱によりシリコンが改質された領域（改質領域）、具体的にはポリシリコン領域である。または、領域１７はレーザ加熱によりシリコンが多孔質となった領域（多孔質領域）である。この領域（改質領域または多孔質領域）１７によってウエハ１０でのレーザビーム入射面から所定距離ｄだけ内方側にマークを形成する。

このように、識別用文字列１２と誤り検出用コード（情報）１３は、シリコンウエハ１０に対してウエハ内部に集光点を合わせてレーザビームを照射してウエハ１０でのレーザビーム入射面から所定距離ｄだけ内方側に多光子吸収による領域（改質領域または多孔質領域）１７を形成することによりマーキングしたものである。よって、シリコンウエハ１０におけるレーザビーム入射面から所定距離ｄだけ内方側に形成した領域（改質領域または多孔質領域）１７によりマーキングされ、ウエハ表面においてレーザ照射に伴う異物の発生を防止することができる。

これまでの説明においてはシリコンウエハ（半導体ウエハ）を管理対象とした場合について説明してきたが、これに限ることなく、他にも、例えば液晶用ガラス基板にマークを付けて管理する場合等に適用することができる。

また、識別用文字列１２は図３では６桁の数字で構成したが、桁数は５桁以下でも７桁以上でもよく、また、数字以外の文字、例えばアルファベットや漢字文字や特殊文字（♯、％、＝、等）等でもよい。誤り検出用コード（情報）１３に関して、図３では０＋１＋２＋３＋４＋５＝１５であり、合計値「１５」に対応するコード「Ａ」を付与した。これに代わり、識別用文字列１２における各文字がアルファベットや漢字文字や特殊文字等の場合においてはＡＳＣＩＩ文字コードやＪＩＳの符号表のように各文字を数字で符号化したものの合計値をコード化してもよい。このように、誤り検出用コード（情報）は、識別用文字列における各数字の合計値をコード化したものでも、識別用文字列における各文字コードに対応する数値の合計値をコード化したものでもよい。

また、誤り検出用情報（１３）としてコード化したものを用いたが、これに限らずコード化せずに、例えば文字列１２の合計値をそのまま、誤り検出用情報としてもよい。
また、識別マーク１１（識別用文字列１２および誤り検出用コード（情報）１３）は刻印でなく印刷で形成してもよい。

実施形態におけるマーク認識システムの概略構成図。 ＩＣ製造プロセスを示す図。 レーザマーキングを行った後のシリコンウエハの平面図。 レーザマーキング装置の概略構成図。 レーザマーキング装置の概略構成図。 レーザ出力（ワット）と異物発生の有無との関係についての測定結果を示す図。 シリコンウエハにレーザビームを照射したときの状況を示す縦断面図。 シリコンウエハにレーザビームを照射したときの状況を示す縦断面図。 測定に用いた吸引ノズルとシリコンウエハの位置関係を示す平面図。 ノズル位置と異物の発生状況の測定結果を示す図。 マーク認識システムの動作を示すフローチャート。 マークの解読の際の確か度合いおよび解読候補の抽出についての説明図。 （ａ），（ｂ），（ｃ）は正誤判定の説明図。 （ａ），（ｂ）は正誤判定の説明図。 シリコンウエハへのレーザビームの照射状況を示す縦断面図。 シリコンウエハの縦断面図。

符号の説明

１０…シリコンウエハ、１１…識別マーク、１２…識別用文字列、１３…誤り検出用コード、１７…領域、２０…カメラ、３０…画像処理装置、４０…パソコン、６１…吸引ノズル、６１ａ…吸引口、Ｌｂ…レーザビーム。

Claims (9)

1. 管理対象としている物品に付され、かつ、識別用文字列および誤り検出用情報を有する識別マークと、
   前記識別マークを撮像する撮像手段と、
   前記撮像手段により撮像した画像から、前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する解読手段と、
   前記解読手段により解読した識別マークの誤り検出用情報を用いて、解読した識別用文字列について正誤判定する正誤判定手段と、
   前記正誤判定手段による正誤判定結果が誤りであると、解読した識別用文字列について識別用文字列を構成する文字群の一部を他の文字と入れ替えて訂正する訂正手段と、
   を備えたことを特徴とするマーク認識システム。
2. 前記解読手段は、撮像した画像から識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する際に、識別用文字列を構成する文字群の各文字についての確か度合いを算出し、前記訂正手段は、確か度合いが低い文字について他の文字と入れ替えて解読した識別用文字列を訂正することを特徴とする請求項１に記載のマーク認識システム。
3. 前記解読手段は、撮像した画像から識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報を解読する際に、識別用文字列を構成する文字群の文字について解読候補となる文字を準備し、前記訂正手段は、正誤判定手段による正誤判定結果が誤りである場合に、前記解読候補となる文字を入れ替えて解読した識別用文字列を訂正することを特徴とする請求項１または２に記載のマーク認識システム。
4. 更に、訂正手段により入れ替えた識別用文字列について、誤り検出用情報を用いて正誤判定する再正誤判定手段を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のマーク認識システム。
5. 前記再正誤判定手段において識別用文字列について正しいと判定されるまで、前記訂正手段による文字の入れ替えと前記再正誤判定手段による正誤判定を繰り返すことを特徴とする請求項４に記載のマーク認識システム。
6. 前記識別マークの誤り検出用情報は、識別用文字列における各数字の合計値をコード化したもの、または、識別用文字列における各文字コードに対応する数値の合計値をコード化したものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のマーク認識システム。
7. 前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、管理対象としている物品としての半導体ウエハに対して、波長が５２３ｎｍで、かつ、出力が１８６Ｗ以下のレーザビームを照射することによりマーキングしたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のマーク認識システム。
8. 前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、管理対象としている物品としての半導体ウエハに対してレーザビームを照射することによりマーキングしたものであり、かつ、マーキング中において半導体ウエハの外周面上または外周面から外方へ５ｍｍ以内の領域に吸引ノズルの吸引口を配置してレーザ照射に伴い発生する飛散物を吸引しながらマーキングしたものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のマーク認識システム。
9. 前記識別マークの識別用文字列および誤り検出用情報は、管理対象としている物品としての半導体ウエハに対してウエハ内部に集光点を合わせてレーザビームを照射してウエハでのレーザビーム入射面から所定距離だけ内方側に多光子吸収による改質領域または多孔質領域を形成することによりマーキングしたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のマーク認識システム。

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