JP2014138057A - 窒化物半導体ウェハのマーキング方法および識別符号付き窒化物半導体ウェハ - Google Patents
窒化物半導体ウェハのマーキング方法および識別符号付き窒化物半導体ウェハ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体ウェハ31に、周波数3kHz以上15kHz以下、または25kHz以上60kHz以下のレーザ光を照射して識別符号32をマーキングする。
【選択図】図3
Description
31 窒化ガリウムウェハ(窒化物半導体ウェハ)
32 識別符号
Claims (6)
- 窒化物半導体ウェハに、周波数3kHz以上15kHz以下、または25kHz以上60kHz以下のレーザ光を照射して識別符号をマーキングする
ことを特徴とする窒化物半導体ウェハのマーキング方法。 - 前記レーザ光が、Nd−YAGレーザの基本波もしくは第2高調波である
請求項1記載の窒化物半導体ウェハのマーキング方法。 - 前記窒化物半導体ウェハが、窒化ガリウムウェハである
請求項1または2記載の窒化物半導体ウェハのマーキング方法。 - 前記窒化物半導体ウェハの厚さが250μm以上であり、
前記識別符号のマーキング深さを20μm以上とし、
前記識別符号をマーキングしていない平坦面からの前記識別符号周辺の盛り上がり高さを3μm以下とする
請求項1〜3いずれかに記載の窒化物半導体ウェハのマーキング方法。 - 前記識別符号を、ライン状もしくはドット状にマーキングする
請求項1〜4いずれかに記載の窒化物半導体ウェハのマーキング方法。 - 識別符号をマーキングした窒化物半導体ウェハであって、
厚さが250μm以上であり、
前記識別符号のマーキング深さが20μm以上であり、
前記識別符号をマーキングしていない平坦面からの前記識別符号周辺の盛り上がり高さが3μm以下である
ことを特徴とする窒化物半導体ウェハ。
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