JP6424345B2 - GaN基板の製造方法 - Google Patents
GaN基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6424345B2 JP6424345B2 JP2014560791A JP2014560791A JP6424345B2 JP 6424345 B2 JP6424345 B2 JP 6424345B2 JP 2014560791 A JP2014560791 A JP 2014560791A JP 2014560791 A JP2014560791 A JP 2014560791A JP 6424345 B2 JP6424345 B2 JP 6424345B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gan
- single crystal
- thickness
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 199
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 224
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 98
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 27
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
次に、単結晶基板の片面にGaN結晶を形成して厚さが50μm又は200μmのGaN基板を作製することで、GaN基板の厚さが50μmではGaN基板の表面の1cm2当たりの転位密度が3.0×107以上5.0×107以下であり、GaN基板の厚さが200μmでは表面の1cm2当たりの転位密度が0.9×107以上1.5×107以下であることを特徴とする。
各パターン間のピッチが0.5mmであり、
単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比が、0.10%又は0.20%であることが好ましい。
各パターン間のピッチが1.0mmであり、
単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比が、0.05%又は0.10%であることが好ましい。
なおレーザの照射は、単結晶基板3の内部にアモルファス部分6が形成できるのであれば、如何様な照射条件で実施してもよいが、短い時間幅の中にエネルギーを集中させることが出来るため、高いピーク出力が得ることができるという点で、断続的にレーザ光を出すパルスレーザを用いて、下記1)および2)に示す範囲内で実施することが好ましい。1)レーザ波長:200nm〜5000nm
2)パルス幅:フェムト秒オーダー〜ナノ秒オーダー(1fs〜1000ns)
<照射条件A>
・レーザ波長:200nm〜400nm
・パルス幅:ナノ秒オーダー(1ns〜1000ns)。なお、より好ましくは、10ns〜15ns。
<照射条件B>
・レーザ波長:400nm〜2000nm
・パルス幅:フェムト秒オーダー〜ピコ秒オーダー(1fs〜1000ps)。なお、より好ましくは、200fs〜800fs。
・パルス幅:50ns〜200ns
・繰り返し周波数:10kHz〜500kHz
・照射エネルギー:3μJ〜30μJ
・レーザのスポットサイズ:0.5μm〜4.0μm
・試料ステージの走査速度:50mm/s〜1000mm/s(より好ましくは100mm/s〜1000mm/s)
評価用サンプルとしてサファイア単結晶基板の片面に、1層構成のGaN結晶が形成されたものを以下の手順で作製した。まず、サファイア単結晶基板におけるGaN結晶非成長面側からレーザを照射し、図8(d)に示す直線状のパターンで約1500本のアモルファス部分をピッチ100μmで形成して、アモルファス部分を有するサファイア単結晶基板を作製した。更にアモルファス部分は、サファイア単結晶基板の厚さ方向において2本形成し、各アモルファス部分の長さは50μmとした。
サファイア単結晶基板としては、オリフラ面付きの円形状のサファイア単結晶基板(直径:2インチ(50mm)、厚さ:430μm)を用いた。なお、このサファイア単結晶基板は、片面が鏡面研磨されたものであり、表面粗さRaは0.1nmとされている。GaN結晶はこの鏡面研磨された片面を成長面として形成される。また、片面はC面に設定した。
単結晶基板のGaN結晶非成長面には鏡面研磨を施した。次に、平坦な試料ステージ上に、GaN結晶が形成される面を下面側として、真空吸着によりサファイア単結晶基板を固定した。この状態で、前記GaN結晶非成長面側から、以下の照射条件にてレーザ照射を行うことでアモルファス部分を形成した。なお、レーザ照射に際しては、試料ステージの縦方向の走査方向がサファイア単結晶基板のオリフラと一致するように、試料ステージ上にサファイア単結晶基板を固定した。そして、レーザ照射装置に対して、試料ステージを縦方向および横方向に走査し、サファイア単結晶基板の平面方向に対して直線状のパターンとなるように、アモルファス部分を形成した。
・レーザ波長:1048nm
・パルス幅:1000fs以下
・繰り返し周波数:100kHz
・照射エネルギー:3μJ
・レーザのスポットサイズ:4μm
・試料ステージの走査速度:400mm/s
サファイア単結晶基板の成長面には、GaN結晶を1層構成で形成した。なお、具体的な成長条件は以下の通りであり、以下に示す(1)〜(5)の順にプロセスを実施した。 (1)サーマルクリーニング
サファイア単結晶基板をHVPE装置内に配置した後、成長面のサーマルクリーニングを、基板温度1050℃にて約600秒間実施した。
(2)窒化処理
基板温度1050℃にて約240秒間窒化処理を行い、サファイア基板を室温近傍まで冷却後大気暴露を実施した。
(3)低温バッファ層の形成
成膜時の基板温度を600℃とし、膜厚が7nmとなるまで低温バッファ層を形成した。
(4)GaN結晶の形成
成長時の基板温度を1045℃とし、成膜レート30μm/sにて厚さが200μmとなるまでGaN結晶を形成した。
(5)クールダウン
片面にGaN結晶を形成したサファイア基板を室温近傍まで冷却後、GaN結晶からGaN基板を得た。得られたGaN基板は、オリフラ面付きの円形状で、直径2インチ(50mm)、厚さ:200μmであった
−転位密度とその分布およびクラック発生有無の評価−
図10に、得られたGaN基板の外観写真を示す。図10で示されるように、内部にアモルファス部分を形成したサファイア単結晶基板を用いて成長形成したGaN基板の場合、200μmの厚さでもクラックの発生は認められなかった。従って、高歩留まりの効果も得られることが分かった。
図11に、比較例で得られたGaN結晶の写真を示す。図11に示すように、アモルファス部分非形成のサファイア基板にGaN結晶を成長させた場合、10〜20μmの厚さでGaN結晶はクールダウン時に発生する歪みにより粉々に砕けた。
2 GaN基板の表面
3 単結晶基板
4 レーザ照射装置
5 レーザ
6 アモルファス部分
7 アモルファス部分の長さ
8 低温バッファ層
9 GaN結晶
t GaN基板の厚さ
d 単結晶基板の厚さ
Claims (3)
- GaN結晶と異なる結晶の単結晶基板の内部にレーザを照射して、前記単結晶基板の内部にアモルファス部分を形成し、
次に、前記単結晶基板の片面にGaN結晶を形成して厚さが50μm又は200μmのGaN基板を作製することで、前記GaN基板の厚さが50μmでは前記GaN基板の表面の1cm 2 当たりの転位密度が3.0×10 7 以上5.0×10 7 以下であり、前記GaN基板の厚さが200μmでは前記表面の1cm 2 当たりの転位密度が0.9×10 7 以上1.5×10 7 以下であることを特徴とするGaN基板の製造方法。 - 前記アモルファス部分が、前記単結晶基板の平面方向に対して直線状の複数のパターンで設けられ、
各パターン間のピッチが0.5mmであり、
前記単結晶基板の体積に対して前記アモルファス部分の総体積が占める体積比が、0.10%又は0.20%であることを特徴とする請求項1記載のGaN基板の製造方法。 - 前記アモルファス部分が、前記単結晶基板の平面方向に対して直線状の複数のパターンで設けられ、
各パターン間のピッチが1.0mmであり、
前記単結晶基板の体積に対して前記アモルファス部分の総体積が占める体積比が、0.05%又は0.10%であることを特徴とする請求項1記載のGaN基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013022814 | 2013-02-08 | ||
JP2013022814 | 2013-02-08 | ||
PCT/JP2014/052713 WO2014123171A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-02-06 | GaN基板及びGaN基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014123171A1 JPWO2014123171A1 (ja) | 2017-02-02 |
JP6424345B2 true JP6424345B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=51299763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014560791A Active JP6424345B2 (ja) | 2013-02-08 | 2014-02-06 | GaN基板の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150368832A1 (ja) |
EP (1) | EP2955253A4 (ja) |
JP (1) | JP6424345B2 (ja) |
KR (1) | KR20150115740A (ja) |
CN (1) | CN105026625A (ja) |
TW (1) | TW201500607A (ja) |
WO (1) | WO2014123171A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107002284B (zh) * | 2014-12-03 | 2019-07-09 | 日本碍子株式会社 | 13族元素氮化物层的分离方法及复合基板 |
DE112017001472T5 (de) * | 2016-03-24 | 2018-11-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Impfkristallsubstraten und Gruppe 13-Element-Nitridkristallen, und Impfkristallsubstrate |
CN106601607B (zh) * | 2016-12-16 | 2019-08-13 | 镓特半导体科技(上海)有限公司 | 激光辅助氮化镓晶体化学机械抛光方法 |
CN110314896A (zh) * | 2019-03-21 | 2019-10-11 | 清华大学 | 一种半导体衬底材料抛光方法 |
WO2023187882A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 日本碍子株式会社 | AlN単結晶基板 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08222812A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
US8633093B2 (en) * | 2001-04-12 | 2014-01-21 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate |
US7556687B2 (en) * | 2001-09-19 | 2009-07-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gallium nitride crystal substrate and method of producing same |
US7323256B2 (en) * | 2003-11-13 | 2008-01-29 | Cree, Inc. | Large area, uniformly low dislocation density GaN substrate and process for making the same |
JP4264020B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-05-13 | 株式会社レーザーシステム | レーザ加工方法および装置 |
JP4720125B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-07-13 | 日立電線株式会社 | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにiii−v族窒化物系半導体 |
JP2006193348A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体基板およびその製造方法 |
JP4849296B2 (ja) * | 2005-04-11 | 2012-01-11 | 日立電線株式会社 | GaN基板 |
KR100673873B1 (ko) * | 2005-05-12 | 2007-01-25 | 삼성코닝 주식회사 | 열전도도가 우수한 질화갈륨 단결정 기판 |
GB2436398B (en) | 2006-03-23 | 2011-08-24 | Univ Bath | Growth method using nanostructure compliant layers and HVPE for producing high quality compound semiconductor materials |
CN101874286B (zh) * | 2007-11-27 | 2012-07-25 | 纳米晶公司 | 通过纳米或微米颗粒膜生长的超低位错密度的第三族-氮化物半导体衬底及其制备方法 |
JP2009280482A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物単結晶自立基板およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
CN101565854A (zh) * | 2008-04-25 | 2009-10-28 | 住友电气工业株式会社 | Ⅲ族氮化物单晶自立式衬底及利用该衬底制造半导体装置的方法 |
JP5195613B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2013-05-08 | 日立電線株式会社 | 窒化物半導体自立基板の製造方法 |
JP5549158B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2014-07-16 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板およびその製造方法、ならびにGaN系半導体デバイスおよびその製造方法 |
US8598685B2 (en) * | 2009-09-04 | 2013-12-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN single crystal substrate and method of manufacturing thereof and GaN-based semiconductor device and method of manufacturing thereof |
JP5328682B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2013-10-30 | 日立電線株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造方法及びiii族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2011201759A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-10-13 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法 |
JP5732684B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2015-06-10 | 並木精密宝石株式会社 | 単結晶基板、単結晶基板の製造方法、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法 |
-
2014
- 2014-02-06 US US14/766,400 patent/US20150368832A1/en not_active Abandoned
- 2014-02-06 KR KR1020157019184A patent/KR20150115740A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-02-06 CN CN201480007176.8A patent/CN105026625A/zh active Pending
- 2014-02-06 EP EP14749478.5A patent/EP2955253A4/en not_active Withdrawn
- 2014-02-06 JP JP2014560791A patent/JP6424345B2/ja active Active
- 2014-02-06 WO PCT/JP2014/052713 patent/WO2014123171A1/ja active Application Filing
- 2014-02-10 TW TW103104216A patent/TW201500607A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150115740A (ko) | 2015-10-14 |
EP2955253A1 (en) | 2015-12-16 |
WO2014123171A1 (ja) | 2014-08-14 |
JPWO2014123171A1 (ja) | 2017-02-02 |
TW201500607A (zh) | 2015-01-01 |
US20150368832A1 (en) | 2015-12-24 |
CN105026625A (zh) | 2015-11-04 |
EP2955253A4 (en) | 2016-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5802943B2 (ja) | エピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法および多層膜付き内部改質基板の製造方法 | |
JP5552627B2 (ja) | エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法 | |
JP6424345B2 (ja) | GaN基板の製造方法 | |
TWI489016B (zh) | Single crystal substrate, single crystal substrate manufacturing method, multi-layer single-crystal substrate manufacturing method and component manufacturing method | |
KR100921409B1 (ko) | 프리스탠딩 (알루미늄, 갈륨, 인듐)질화물 및 이를제조하기 위한 분리방법 | |
US8147612B2 (en) | Method for manufacturing gallium nitride crystal and gallium nitride wafer | |
WO2011108703A1 (ja) | 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法 | |
KR20060081107A (ko) | 결정 성장 방법 | |
JP2009061462A (ja) | 基板の製造方法および基板 | |
JP2013214686A (ja) | Iii族窒化物半導体層およびiii族窒化物半導体層の製造方法 | |
CN108884594B (zh) | 晶种基板的制造方法、13族元素氮化物结晶的制造方法及晶种基板 | |
JP2016023123A (ja) | 窒化ガリウム基板 | |
KR100455277B1 (ko) | 변형된 선택 성장 공정을 이용한 GaN 단결정 성장 방법 | |
JP2010267759A (ja) | 積層体の製造方法 | |
Yang et al. | Dislocation reduction in GaN grown on nano-patterned templates | |
JP7084805B2 (ja) | Iii族窒化物単結晶基板及びiii族窒化物単結晶積層体の製造方法 | |
KR101005765B1 (ko) | 질화물 반도체 기판의 제조 방법 | |
JP2005033132A (ja) | GaN基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180925 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6424345 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |