JP5802943B2 - エピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法および多層膜付き内部改質基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法は、反り形状および/または反り量を制御するために、単結晶基板に対するレーザ照射により、単結晶基板の内部に熱変性層を形成し、
上記熱変性層が、上記単結晶基板の平面方向に対して、
i)複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状(格子形状を除く)、
ii)複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、
iii)同心円状、
iv)上記単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、
v)上記単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、
vi)ストライプ形状、ならびに、
vii)らせん形状
から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状を描くように形成され、
上記レーザ照射が、下記照射条件Aを満たすように実施されることを特徴とする(但し、熱変性層が、上記単結晶基板の平面方向に対して格子形状を成す分割予定ラインに沿って単結晶基板の内部に形成される場合を除く)。
<照射条件A>
・レーザ波長:200nm〜400nm
・パルス幅:ナノ秒オーダー
上記熱変性層が、上記単結晶基板の平面方向に対して、
i)複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状(格子形状を除く)、
ii)複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、
iii)同心円状、
iv)上記単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、
v)上記単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、
vi)ストライプ形状、ならびに、
vii)らせん形状
から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状を描くように形成され、
上記レーザ照射が、下記照射条件Aを満たすように実施されることを特徴とする(但し、上記熱変性層が、上記単結晶基板の平面方向に対して格子形状を成す分割予定ラインに沿って上記単結晶基板の内部に形成される場合を除く)。
<照射条件A>
・レーザ波長:200nm〜400nm
・パルス幅:ナノ秒オーダー
2 レーザ照射装置
3 改質領域
4 ピッチ
5 形成位置
6 熱変性層の長さ
7 サファイア基板
8 低温バッファ層
9 n−GaN層
10 InGaN系活性層
なお、レーザの照射は、熱変性層が形成できるのであれば、如何様な照射条件で実施してもよいが、一般には、短い時間幅の中にエネルギーを集中させることが出来るため、高いピーク出力が得ることができるという点で、断続的にレーザ光を出すパルスレーザを用いて、下記1)および2)に示す範囲内で実施することが好ましい。
1)レーザ波長:200nm〜5000nm
2)パルス幅:フェムト秒オーダー〜ナノ秒オーダー(1fs〜1000ns)
<照射条件A>
・レーザ波長:200nm〜400nm
・パルス幅:ナノ秒オーダー(1ns〜1000ns)。なお、より好ましくは、10ns〜15ns。
<照射条件B>
・レーザ波長:400nm〜2000nm
・パルス幅:フェムト秒オーダー〜ピコ秒オーダー(1fs〜1000ps)。なお、より好ましくは、200fs〜800fs。
・パルス幅:50ns〜200ns
・繰り返し周波数:10kHz〜500kHz
・照射エネルギー:3μJ〜30μJ
・レーザのスポットサイズ:0.5μm〜4.0μm
・試料ステージの走査速度:50mm/s〜1000mm/s(より好ましくは100mm/s〜1000mm/s)
・パルス幅:30ns〜80ns
・繰り返し周波数:10kHz〜500kHz
・照射エネルギー:8μJ〜20μJ
・レーザのスポットサイズ:0.5μm〜4.0μm
・試料ステージの走査速度:50mm/s〜1000mm/s(より好ましくは100mm/s〜1000mm/s)
・パルス幅:200fs〜800fs
・繰り返し周波数:10kHz〜500kHz
・照射エネルギー:3μJ〜6μJ
・レーザのスポットサイズ:0.5μm〜4.0μm
・試料ステージの走査速度:50mm/s〜1000mm/s(より好ましくは100mm/s〜1000mm/s)
・パルス幅:200fs〜800fs
・繰り返し周波数:10kHz〜500kHz
・照射エネルギー:3μJ〜6μJ
・レーザのスポットサイズ:0.5μm〜4.0μm
・試料ステージの走査速度:50mm/s〜1000mm/s(より好ましくは100mm/s〜1000mm/s)
・パルス幅:10ns〜15ns
・繰り返し周波数:10kHz〜500kHz
・照射エネルギー:10μJ〜20μJ
・レーザのスポットサイズ:0.5μm〜4.0μm
・試料ステージの走査速度:50mm/s〜1000mm/s(より好ましくは100mm/s〜1000mm/s)
i)複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状
ii)複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状
iii)同心円状
iv)単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状
v)単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状
vi)ストライプ形状
vii)らせん形状
(Molecular Beam Epitaxy)等の気相成膜法を利用することがより好ましい。なお、エピタキシャル成長用内部改質基板の成膜面は、鏡面状態であることが特に好ましい。多層膜が形成される面を鏡面状態とするためには、例えば、鏡面研磨を実施することができる。
(1)本実施形態の多層膜付き内部改質基板の多層膜をパターニングして個々の素子部分を形成する素子部分形成工程、
(2)素子部分が片面に形成された素子部分付き単結晶基板の素子部分が形成されていない面を、少なくとも、熱変性層が除去されるまで研磨する研磨工程、
(3)研磨工程において研磨された面側から、個々の素子部分の境界ラインに沿って、レーザを照射することで分割予定ラインを形成する分割予定ライン形成工程、
(4)分割予定ライン形成工程において形成された分割予定ラインに沿って外力を加えることで、素子部分付きの単結晶基板を素子部分単位で分割する分割工程、
ここで、(3)分割予定ライン形成工程、および、(4)分割工程を実施する場合、特許文献3に記載の技術を利用することができる。
熱変性層を形成するサファイア基板として、片面が研磨された2インチサファイア基板を用いた。基板厚みは430μmであった。熱変性層を形成する前の基板の反り形状および反り量はレーザ干渉計で測定した。
内部改質領域パターンを形成するサファイア基板として、片面が研磨された4インチサファイア基板を用いた。基板厚みは650μmであった。実験例1と同様に、改質領域パターン形成前の基板の反り形状および反り量はレーザ干渉計で測定した。
実験例2において熱変性層を形成したサファイア基板のうち、サンプル10,12,14,16,18と、熱変性層未形成の従来のサファイア基板(サンプル20とする)を同時にMOCVD装置に導入し、サファイア基板上への窒化ガリウム層の成長を行った。各成膜工程における成長温度および膜厚を表8に示す。
熱変性層を形成するサファイア基板として、片面が研磨された2インチ基板を用いた。基板厚みは430μmであった。熱変性層を形成する前の基板の反り形状および反り量はレーザ干渉計で測定した。
熱変性層を形成するサファイア基板として、片面が研磨された2インチ基板を用いた。基板厚みは430μmであった。熱変性層を形成する前の基板の反り形状および反り量はレーザ干渉計で測定した。
実験例6,7において熱変性層を形成したサファイア基板と、熱変性層未形成サファイア基板を同時にMOCVD装置に導入し、基板上への窒化ガリウム層の成長を行った。各成膜工程における成長温度および膜厚を上述の表8に示す条件と同じである。
Claims (11)
- 反り形状および/または反り量を制御するために、単結晶基板に対するレーザ照射により、上記単結晶基板の内部に熱変性層を形成し、
上記熱変性層が、上記単結晶基板の平面方向に対して、
i)複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状(格子形状を除く)、
ii)複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、
iii)同心円状、
iv)上記単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、
v)上記単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、
vi)ストライプ形状、ならびに、
vii)らせん形状
から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状を描くように形成され、
上記レーザ照射が、下記照射条件Aを満たすように実施されることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法(但し、上記熱変性層が、上記単結晶基板の平面方向に対して格子形状を成す分割予定ラインに沿って上記単結晶基板の内部に形成される場合を除く)。
<照射条件A>
・レーザ波長:200nm〜400nm
・パルス幅:ナノ秒オーダー - 請求項1に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、
前記単結晶基板の厚み方向の相対位置を、成膜面となる片面側を0%と仮定し、上記成膜面と反対側の面を100%とし仮定した際に、
前記熱変性層が、前記単結晶基板の厚み方向の3%以上95%以下の範囲内に位置するように形成されることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、
前記単結晶基板の材質が、サファイア、窒化物半導体、Si、GaAs、水晶およびSiCから選択される少なくともいずれか1種であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、
前記熱変性層を形成する前の前記単結晶基板の形状は、その成膜面が凹面であり、上記凹面の曲率が0km−1より大きく160km−1以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。 - 請求項4に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、
前記凹面の曲率が40km−1以上150km−1以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。 - 請求項4または請求項5に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、
前記凹面の曲率が85km−1以上150km−1以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、
前記単結晶基板の直径が50mm以上300mm以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。 - 請求項1〜7のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、
前記単結晶基板の厚みが0.05mm以上5.0mm以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。 - 請求項1〜8のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、
前記単結晶基板は、成膜面となる面が研磨面であり、当該単結晶基板に対する前記レーザ照射が上記研磨面に通じて行われることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。 - 反り形状および/または反り量を制御するために、単結晶基板に対するレーザ照射により、上記単結晶基板の内部に熱変性層を形成し、
さらに上記単結晶基板の片面に2つ以上の層を有する多層膜を形成し、
上記熱変性層が、上記単結晶基板の平面方向に対して、
i)複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状(格子形状を除く)、
ii)複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、
iii)同心円状、
iv)上記単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、
v)上記単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、
vi)ストライプ形状、ならびに、
vii)らせん形状
から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状を描くように形成され、
上記レーザ照射が、下記照射条件Aを満たすように実施されることを特徴とする多層膜付き内部改質基板の製造方法(但し、上記熱変性層が、上記単結晶基板の平面方向に対して格子形状を成す分割予定ラインに沿って上記単結晶基板の内部に形成される場合を除く)。
<照射条件A>
・レーザ波長:200nm〜400nm
・パルス幅:ナノ秒オーダー - 請求項10に記載の多層膜付き内部改質基板の製造方法において、
前記多層膜を構成する少なくともいずれか1層が、窒化物半導体結晶層であることを特徴とする多層膜付き内部改質基板の製造方法。
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