JP2006193348A - Iii族窒化物半導体基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 下地基板1上に第1のIII族窒化物半導体層11をエピタキシャル成長させる成長工程と、第1のIII族窒化物半導体層11を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板11a,11b,11c,11dを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第1のIII族窒化物半導体層11に、不純物元素としてC、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加する。
【選択図】 図1
Description
本発明にかかる一のIII族窒化物半導体基板は、不純物元素としてC、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の不純物元素を1×1017cm-3以上の濃度で含有し、基板の主面内における不純物元素の最小濃度に対する最大濃度の比で表わされる不純物元素の濃度の面内分布が1以上3以下であり、比抵抗が1×104Ω・cm以上で、厚さが70μm以上であるIII族窒化物半導体基板である。
本発明にかかる他のIII族窒化物半導体基板は、不純物元素としてO、Si、S、Ge、SeおよびTeからなる群から選ばれる少なくとも1種類の不純物元素を1×1017cm-3以上の濃度で含有し、基板の主面内における不純物元素の最小濃度に対する最大濃度の比で表わされる不純物元素の濃度の面内分布が1以上3以下であり、比抵抗が1Ω・cm以下で、厚さが70μm以上であるIII族窒化物半導体基板である。
本発明にかかる一のIII族窒化物半導体基板の製造方法は、図1を参照して、図1(a)に示すように下地基板1上に第1のIII族窒化物半導体層11をエピタキシャル成長させる成長工程と、図1(b)に示すように第1のIII族窒化物半導体層11を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板11a,11b,11c,11dを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第1のIII族窒化物半導体層11に、不純物元素としてC、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbから少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加することを特徴とする。
本発明にかかる他のIII族窒化物半導体基板の製造方法は、図2を参照して、開口部を有するマスク層2を下地基板1上の少なくとも一部に形成した後、実施形態3と同様の成長工程(図2(a))および加工工程(図2(b))を行なうものである。開口部を有するマスク層2を介して、下地基板1上に第1の窒化物半導体層11を成長させることにより、いわゆるラテラル成長を行なわせるものであるため、第1のIII族窒化物半導体層11の転位密度をさらに低減することができる。なお、開口部を有するマスク層は、SiO2層、SixNy層などが用いられ、スパッタ法、熱CVD法などにより形成される。
本発明にかかるさらに他のIII族窒化物半導体基板の製造方法は、図3を参照して、図3(a)に示すように、実施形態3または実施形態4において下地基板1上に成長させた第1のIII族窒化物半導体層11上に、第2のIII族窒化物半導体層12をエピタキシャル成長させる成長工程と、図3(b)に示すように、第2のIII族窒化物半導体層12を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板12a,12b,12cを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第2のIII族窒化物半導体層12に、不純物元素としてO、Si、S、Ge、SeおよびTeからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加することを特徴とする。
本発明にかかるさらに他のIII族窒化物半導体基板の製造方法は、図4を参照して、図4(a)に示すように、実施形態3から実施形態5のいずれかのIII族窒化物半導体基板の製造方法により得られたIII族窒化物半導体基板10上に、第3のIII族窒化物半導体層21をエピタキシャル成長させる成長工程と、図4(b)に示すように、第3のIII族窒化物半導体層21を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板21a,21b,21c,21dを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第3のIII族窒化物半導体層21に、不純物元素としてC、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加することを特徴とする。
本発明にかかるさらに他のIII族窒化物半導体基板の製造方法は、図5を参照して、図5(a)に示すように、実施形態3から実施形態5のいずれかのIII族窒化物半導体基板の製造方法により得られたIII族窒化物半導体基板10上に、第4のIII族窒化物半導体層22をエピタキシャル成長させる成長工程と、図5(b)に示すように、第4のIII族窒化物半導体層22を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板22a,22b,22c,22dを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第4のIII族窒化物半導体層22に、不純物元素としてO、Si、S、Ge、SeおよびTeからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加することを特徴とする。
図1(a)を参照して、下地基板1としてHVPE法におけるファセット成長法(特許文献1に記載の方法)により成長させたGaN基板(基板の主面は、(0001)面に対して{1−100}面方向に1°の角度を有する)を用いて、HVPE法により第1のIII族窒化物半導体層11として厚さ2000μmの高比抵抗のGaN層を成長させた。Ga源として、800℃でHClガスを金属ガリウムに接触させて得られたGaClガスを用い、N源として、NH3ガスを用いた。また、不純物元素であるCを添加するための不純物元素原料として、メタンガスを用いた。また、キャリアガスとして、H2ガスを用いた。
不純物元素原料として、塩化マグネシウム(MgCl2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、高比抵抗のGaN基板を得た。得られたGaN基板の不純物元素Mgの最小濃度は1×1018cm-3、Mgの濃度の面内分布(最大濃度/最小濃度)は2.5、比抵抗は1×105Ω・cm以上、平均転位密度は1×106cm-2、転位集中領域の面密度は1cm-2以下、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅は80arcsec、キャリア濃度は1×1015cm-3以下および波長450nmにおける光の吸収係数は50cm-1以上であった。結果を表1にまとめた。
不純物元素原料として、鉄と塩化水素ガスとを反応させて生成した塩化鉄(FeCl2)ガスを用いた以外は、実施例1と同様にして、高比抵抗のGaN基板を得た。得られたGaN基板の不純物元素Feの最小濃度は1×1018cm-3、Mgの濃度の面内分布(最大濃度/最小濃度)は2.0、比抵抗は1×107Ω・cm以上、平均転位密度は1×106cm-2、転位集中領域の面密度は1cm-2以下、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅は80arcsec、キャリア濃度は1×1015cm-3以下および波長450nmにおける光の吸収係数は50cm-1以上であった。結果を表1にまとめた。
図2(a)を参照して、下地基板1としてHVPE法におけるファセット成長法(特許文献1に記載の方法)により成長させたGaN基板(基板の主面は、(0001)面に対して{1100}面方向に1°の角度を有する)を用い、下地基板1であるGaN基板の少なくとも一部に、開口部を有するマスク層2として、大きさ2μm×2μmの開口部が最密構造になるように均一分布した厚さ0.1μmのSiO2層を形成した後は、実施例1と同様にして、高比抵抗のGaN基板を得た。ここで、上記マスク層2は、スパッタ法により、厚さ0.1μmのSiO2層を形成した後、フォトリソグラフィにより大きさ2μm×2μmの開口部を最密に均一に分布するように形成することにより得られる。得られたGaN基板の不純物元素Cの最小濃度は1×1018cm-3、Cの濃度の面内分布(最大濃度/最小濃度)は1.5、比抵抗は1×107Ω・cm以上、平均転位密度は1×105cm-2、転位集中領域の面密度は1cm-2以下、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅は50arcsec、キャリア濃度は1×1015cm-3以下および波長450nmにおける光の吸収係数は50cm-1以上であった。結果を表1にまとめた。
下地基板1としてサファイア基板(基板の主面は、(0001)面に対して{1100}面方向に1°の角度を有する)を用いた以外は、実施例4と同様にして、高比抵抗のGaN基板を得た。得られたGaN基板の不純物元素Cの最小濃度は1×1018cm-3、Cの濃度の面内分布(最大濃度/最小濃度)は1.5、比抵抗は1×107Ω・cm以上、平均転位密度は1×107cm-2、転位集中領域の面密度は1cm-2以下、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅は100arcsec、キャリア濃度は1×1015cm-3以下および波長450nmにおける光の吸収係数は50cm-1以上であった。結果を表1にまとめた。
下地基板1としてGaAs基板(基板の主面は、(111)A面に対して{1−100}面方向に1°の角度を有する)を用いた以外は、実施例4と同様にして、高比抵抗のGaN基板を得た。得られたGaN基板の不純物元素Cの最小濃度は1×1018cm-3、Cの濃度の面内分布(最大濃度/最小濃度)は1.5、比抵抗は1×107Ω・cm以上、平均転位密度は2×107cm-2、転位集中領域の面密度は1cm-2以下、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅は110arcsec、キャリア濃度は1×1015cm-3以下および波長450nmにおける光の吸収係数は50cm-1以上であった。結果を表1にまとめた。
下地基板1として6H−SiC基板(基板の主面は、(0001)面に対して{1−100}面方向に1°の角度を有する)を用いた以外は、実施例4と同様にして、高比抵抗のGaN基板を得た。得られたGaN基板の不純物元素Cの最小濃度は1×1018cm-3、Cの濃度の面内分布(最大濃度/最小濃度)は1.5、比抵抗は1×107Ω・cm以上、平均転位密度は4×107cm-2、転位集中領域の面密度は1cm-2以下、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅は130arcsec、キャリア濃度は1×1015cm-3以下および波長450nmにおける光の吸収係数は50cm-1以上であった。結果を表1にまとめた。
実施例1において下地基板1として用いたHVPE法におけるファセット成長法(特許文献1に記載の方法)により成長させたGaN基板(基板の主面は、(0001)面に対して{1−100}面方向に1°の角度を有する)の不純物元素の最小濃度は1×1016cm-3、不純物元素の濃度の面内分布(最大濃度/最小濃度)は30、比抵抗は0.01Ω・cm、平均転位密度は1×106cm-2、転位集中領域の面密度は500cm-2、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅は60arcsec、キャリア濃度は1×1018cm-3以下および波長450nmにおける光の吸収係数は30cm-1以下であった。結果を表1にまとめた。
下地基板1として実施例1で製作した高比抵抗のGaN基板(基板の主面は、(0001)面に一致(0°の角度)する)を用い、不純物元素原料として、酸素(O2)ガスを用い、不純物元素原料の分圧を0.001kPa(1×10-5気圧)とした以外は、実施例1と同様にして、低比抵抗のGaN基板を得た。
不純物元素原料として、テトラクロロシラン(SiCl4)ガスを用いた以外は、実施例8と同様にして、低比抵抗のGaN基板を得た。得られたGaN基板の不純物元素Siの最小濃度は1×1018cm-3、Siの濃度の面内分布(最大濃度/最小濃度)は2.5、比抵抗は0.01Ω・cm、平均転位密度は1×106cm-2、転位集中領域の面密度は1cm-2以下、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅は60arcsec、キャリア濃度は1×1018cm-3および波長450nmにおける光の吸収係数は5cm-1以下であった。結果を表2にまとめた。
不純物元素原料として、硫化水素(H2S)ガスを用いた以外は、実施例8と同様にして、低比抵抗のGaN基板を得た。得られたGaN基板の不純物元素Sの最小濃度は1×1018cm-3、S濃度の面内分布(最大濃度/最小濃度)は2.0、比抵抗は0.02Ω・cm、平均転位密度は1×107cm-2、転位集中領域の面密度は1cm-2以下、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅は60arcsec、キャリア濃度は7×1017cm-3および波長450nmにおける光の吸収係数は10cm-1以下であった。結果を表2にまとめた。
Claims (21)
- 不純物元素として、C、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上の濃度で含有し、基板の主面内における前記不純物元素の最小濃度に対する最大濃度の比で表わされる前記不純物元素の濃度の面内分布が1以上3以下であり、
比抵抗が1×104Ω・cm以上で、厚さが70μm以上であるIII族窒化物半導体基板。 - 不純物元素として、O、Si、S、Ge、SeおよびTeからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上の濃度で含有し、基板の主面内における前記不純物元素の最小濃度に対する最大濃度の比で表わされる前記不純物元素の濃度の面内分布が1以上3以下であり、
比抵抗が1Ω・cm以下で、厚さが70μm以上であるIII族窒化物半導体基板。 - 平均転位密度が1×107cm-2以下であり、転位密度1×108cm-2を超える転位集中領域の面密度が1cm-2以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物半導体基板。
- III族窒化物がGaNである請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物半導体基板。
- 前記III族窒化物半導体基板の主面が、(0001)面、(1−100)面および(11−20)面のうちいずれか1つの面に対して、−5°以上5°以下の角度を有する請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物半導体基板。
- X線回折におけるロッキングカーブの半値幅が、10arcsec以上500arcsec以下である請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物半導体基板。
- キャリア濃度が1×1015cm-3以下である請求項1に記載のIII族窒化物半導体基板。
- キャリア濃度が1×1017cm-3以上1×1020cm-3以下である請求項2に記載のIII族窒化物半導体基板。
- 波長450nmの光の吸収係数が50cm-1以上である請求項1に記載のIII族窒化物半導体基板。
- 波長450nmの光の吸収係数が10cm-1以下である請求項2に記載のIII族窒化物半導体基板。
- 下地基板上に第1のIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と、前記第1のIII族窒化物半導体層を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板を形成する加工工程とを含み、
前記成長工程において、前記第1のIII族窒化物半導体層に、不純物元素としてC、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 第1のIII族窒化物半導体層上に、第2のIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と、前記第2のIII族窒化物半導体層を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板を形成する加工工程とを含み、
前記成長工程において、前記第2のIII族窒化物半導体層に、不純物元素としてO、Si、S、Ge、SeおよびTeからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項11または請求項12に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法により得られたIII族窒化物半導体基板上に、第3のIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と、前記第3のIII族窒化物半導体層を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板を形成する加工工程とを含み、
前記成長工程において、前記第3のIII族窒化物半導体層に、不純物元素としてC、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項11または請求項12に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法により得られたIII族窒化物半導体基板上に、第4のIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と、前記第4のIII族窒化物半導体層を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板を形成する加工工程とを含み、
前記成長工程において、前記第4のIII族窒化物半導体層に、不純物元素としてO、Si、S、Ge、SeおよびTeからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 前記下地基板として、GaAs基板、サファイア基板、Si基板およびSiC基板のうちいずれかを用いることを特徴とする請求項11から請求項14のいずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記下地基板として、ファセット成長法により得られたIII族窒化物基板を用いることを特徴とする請求項11から請求項14のいずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 開口部を有するマスク層を前記下地基板上の少なくとも一部に形成した後、前記成長工程を行なうことを特徴とする請求項15または請求項16に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記下地基板の主面が、(0001)面、(1−100)面および(11−20)面のうちいずれか1つの面に対して、−5°以上5°以下の角度を有する請求項11から請求項16のいずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記成長工程において、前記III族窒化物半導体層の成長表面が平坦な単一面を維持したまま、前記III族窒化物半導体層を成長させることを特徴とする請求項11から請求項18のいずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記不純物元素の原料として、メタン、塩化マグネシウム、塩化鉄、塩化ベリリウム、塩化亜鉛、塩化バナジウムおよび塩化アンチモンからなる群から選ばれる少なくとも1つの原料を用いることを特徴とする請求項11または請求項13に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記不純物元素の原料として、酸素、水、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、硫化水素、塩化ゲルマニウム、塩化セレンおよび塩化テルルからなる群から選ばれる少なくとも1つの原料を用いることを特徴とする請求項12または請求項14に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。
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