WO2020203541A1 - ＧａＮ基板ウエハおよびＧａＮ基板ウエハの製造方法 - Google Patents

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    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material

Definitions

  • the present invention mainly relates to a GaN substrate wafer and a method for manufacturing the same.
  • the GaN substrate wafer is a substrate wafer made of GaN (gallium nitride).
  • a substrate wafer is a wafer mainly used as a substrate in a semiconductor device manufacturing process.
  • the substrate used for the InGaN-based laser diode (LD) currently commercially produced is a GaN substrate having a relatively high carrier concentration. Recently, research and development of vertical GaN power devices using such GaN substrates have been active.
  • GaN thick film When a GaN thick film is grown on a sapphire wafer by HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy), if a region with a low impurity concentration is provided at the bottom of the GaN thick film and a region with a high impurity concentration is provided at the top, the GaN thick film is formed.
  • HVPE Hadride Vapor Phase Epitaxy
  • a GaN substrate wafer having a region having a low impurity concentration on the back surface side and a region having a high impurity concentration on the front surface side can be obtained (Patent Documents 1 and 2). ..
  • Patent Document 1 or Patent Document 2 When manufacturing a GaN substrate wafer having a region having a low impurity concentration on the back surface side and a region having a high impurity concentration on the front surface side by the method disclosed in Patent Document 1 or Patent Document 2, one wafer every time a GaN substrate wafer is made, it is necessary to grow a GaN thick film with HVPE on one sapphire wafer. Therefore, the method disclosed in Patent Document 1 or Patent Document 2 cannot be said to have high manufacturing efficiency.
  • the present inventor manufactures a GaN wafer having a low impurity concentration in advance, and then grows a GaN layer having a high impurity concentration on the wafer to a specific thickness, so that the region where the impurity concentration is increased is placed on the front surface side. It has been found that a GaN substrate wafer having only one can be produced more efficiently.
  • the present invention has been made based on such an idea, and its embodiments include the following.
  • a (0001) oriented GaN substrate wafer having a first region provided on the N-polar side and a second region provided on the Ga-polar side across the regrowth interface.
  • a GaN substrate wafer having a minimum thickness of 20 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less in two regions, and the second region includes a region having a higher total donor impurity concentration than the first region.
  • (1) It has a diameter of 50 mm or more and 55 mm or less and a thickness of 250 ⁇ m or more and 450 ⁇ m or less.
  • (2) It has a diameter of 100 mm or more and 105 mm or less and a thickness of 350 ⁇ m or more and 750 ⁇ m or less.
  • Si concentration is 5 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 or more
  • O concentration is 3 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 or less
  • H concentration is 1 ⁇ 10 17 atoms / cm 3 or less
  • a method for manufacturing a GaN substrate wafer having a first region provided on the N-polar side and a second region provided on the Ga-polar side across the regrowth interface (I) A first GaN thick film composed of (0001) oriented GaN that is not intentionally doped is grown on a seed wafer by HVPE, and then at least one first c-plane from the first GaN thick film. The first step to obtain a GaN wafer, (Ii) A second GaN thick film made of (0001) oriented GaN that is not intentionally doped is grown on the first c-plane GaN wafer with HVPE, and then the second GaN thick film is sliced.
  • the second step of obtaining the second c-plane GaN wafer and (Iii) (0001) It has a third step of growing an oriented GaN film having a thickness of 500 ⁇ m or less on the second c-plane GaN wafer with HVPE, and A method for manufacturing a GaN substrate wafer, wherein the GaN film has a region in which the total concentration of donor impurities is higher than that of the second c-plane GaN wafer.
  • GaN substrate wafer manufacturing method [23] The method for producing a GaN substrate wafer according to any one of [20] to [22], wherein the GaN substrate wafer satisfies any of the conditions selected from the following (1) to (3).
  • (1) Has a diameter of 50 mm or more and 55 mm or less and a thickness of 250 ⁇ m or more and 450 ⁇ m or less
  • (2) Has a diameter of 100 mm or more and 105 mm or less and a thickness of 350 ⁇ m or more and 750 ⁇ m or less
  • the GaN film having a thickness of 800 ⁇ m or less has a region length of 1 ⁇ m or more in the c-axis direction from the upper surface of the GaN film, and the total concentration of donor impurities in the region is 1 ⁇ 10 18 atoms /.
  • the present invention it is possible to provide a high-performance GaN substrate wafer having a high carrier concentration. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method for efficiently producing a GaN substrate wafer having a high carrier concentration. Therefore, it can be preferably used for manufacturing a nitride semiconductor device in which a device structure is provided on a GaN substrate having a high carrier concentration.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a GaN substrate wafer according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a GaN substrate wafer according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a GaN substrate wafer according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a process sectional view for explaining a manufacturing process of a nitride semiconductor device using the GaN substrate wafer according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a process sectional view for explaining the GaN substrate wafer manufacturing method according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a process sectional view for explaining the GaN substrate wafer manufacturing method according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a process sectional view for explaining the GaN substrate wafer manufacturing method according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic view showing the basic configuration of the HVPE apparatus.
  • FIG. 9 is a diagram showing the carrier concentration of the GaN substrate wafer produced in the examples.
  • GaN Substrate Wafer An embodiment of the present invention relates to a GaN substrate wafer.
  • the GaN substrate wafer according to the embodiment is a (0001) oriented GaN wafer, and is composed of a first region provided on the N-polar side with the regrowth interface interposed therebetween and a second region provided on the Ga-polar side. ..
  • the minimum thickness of the second region is 20 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the second region includes a region in which the total concentration of donor impurities is higher than that of the first region.
  • impurity means a component other than Ga element and N element contained in a GaN substrate.
  • the carrier concentration in at least a part of the region is 1 ⁇ 10 18 cm -3 or more, further 2 ⁇ 10 18 cm -3 or more, further 3 ⁇ 10 18 cm -3 or more, and further 4 ⁇ 10 18 cm ⁇ . It can be 3 or more, even 6 ⁇ 10 18 cm -3 or more, and even 8 ⁇ 10 18 cm -3 or more.
  • the carrier concentration is referred to in the present specification, it means the carrier concentration at room temperature unless otherwise specified.
  • the (0001) oriented GaN wafer is a GaN wafer having a (0001) crystal plane, that is, a main plane (large area plane) parallel to or substantially parallel to the c plane, and is also referred to as a c plane GaN wafer.
  • 1 and 2 show an example of the GaN substrate wafer according to the embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view and
  • FIG. 2 is a cross-sectional view.
  • the GaN substrate wafer 100 shown in FIGS. 1 and 2 is a self-supporting substrate wafer made of only GaN crystals, one of the two main surfaces being an N-polar surface 101 and the other being a Ga polar surface 102.
  • the N-polar surface 101 and the Ga polar surface 102 are parallel to each other.
  • the GaN substrate wafer 100 is oriented (0001), and the inclination of the Ga polar plane 102 from the (0001) crystal plane is 10 degrees or less (including 0 degrees).
  • the inclination may be 0.2 degrees or more.
  • the inclination is preferably 5 degrees or less, more preferably 2.5 degrees or less.
  • the inclination may be 1.5 degrees or less, or may be 1 degree or less.
  • the diameter of the GaN substrate wafer 100 is usually 45 mm or more, and may be 95 mm or more, or 145 mm or more. Typically, it is 50 to 55 mm (about 2 inches), 100 to 105 mm (about 4 inches), 150 to 155 mm (about 6 inches), and the like.
  • the preferred range of thickness of the GaN substrate wafer 100 varies with diameter. When the diameter of the GaN substrate wafer 100 is about 2 inches, the thickness is preferably 250 ⁇ m or more, more preferably 300 ⁇ m or more, further preferably 350 ⁇ m or more, and preferably 450 ⁇ m or less, more preferably 400 ⁇ m or less.
  • the thickness is preferably 350 ⁇ m or more, more preferably 400 ⁇ m or more, and preferably 750 ⁇ m or less, more preferably 650 ⁇ m or less, still more preferably 600 ⁇ m or less.
  • the thickness is preferably 450 ⁇ m or more, more preferably 550 ⁇ m or more, and preferably 800 ⁇ m or less, more preferably 700 ⁇ m or less.
  • the GaN substrate wafer 100 is usually disk-shaped, but in the modified example, the shape of the main surface may be square, rectangular, hexagonal, octagonal, elliptical, or irregular. Good.
  • the diameter can be read as "the shortest length as a straight line passing through the center of gravity on the main surface".
  • the N-polar surface 101 of the GaN substrate wafer 100 is a “back surface” and may be mirror-finished, rough-finished, or matte-finished.
  • the Ga polar surface 102 of the GaN substrate wafer 100 is a “front surface”, and when the GaN substrate wafer 100 is used for manufacturing a nitride semiconductor device, the nitride semiconductor layer is usually placed on the Ga polar surface 102. It is epitaxially grown.
  • the Ga polar surface 102 may be a surface as-grown as it is crystal-grown, but is preferably a surface flattened by processing such as polishing, CMP (Chemical Mechanical Polishing), and etching. (Flat surface).
  • the root mean square (RMS) roughness of the Ga polar plane 102 measured by an atomic force microscope (AFM) is preferably less than 5 nm, more preferably less than 2 nm, still more preferably less than 1 nm in the measurement range of 2 ⁇ m ⁇ 2 ⁇ m. , May be less than 0.5 nm.
  • the Ga polar surface 102 may be a surface formed by cutting, but it is preferably a surface that has been flattened by polishing, CMP, etching, or the like without cutting.
  • the GaN substrate wafer 100 has a regrowth interface 103 between its two main surfaces, and has a first region 110 on the N-polar side and a second region 120 on the Ga-polar side with the regrowth interface 103 interposed therebetween. are doing.
  • the "re-growth interface” means a boundary surface generated when a GaN crystal grows on an arbitrary substrate, and its existence means, for example, a scanning electron microscope cathode luminescence observation or a fluorescence microscope observation of a cross section of a GaN substrate wafer. Can be confirmed by.
  • the regrowth interface 103 is preferably, but not essential, parallel to the Ga polar plane 102.
  • the thickness of the second region 120 is usually minimal at one end in the tilt direction and maximal at the other end. It is preferable that the difference between the thickness of the second region 120 at one end and the thickness at the other end does not exceed 200 ⁇ m.
  • the first region 110 is finally removed. That is, it is assumed that the nitride semiconductor device chip manufactured by using the GaN substrate wafer 100 does not include a portion derived from the first region 110. In such a usage mode, there is no particular requirement for the electrical characteristics of the GaN crystal forming the first region 110.
  • HVPE Hydride Vapor Phase Epitaxy.
  • Si concentration is 5 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 or more
  • O concentration is 3 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 or less
  • H concentration is 1 ⁇ 10 17 atoms / cm 3 or less
  • Si concentration is less than 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 .
  • the Si concentration is 5 ⁇ 10 17 atoms / cm 3 or less
  • the O concentration is 2 ⁇ 10 17 atoms / cm 3 or less
  • the H concentration is 5 ⁇ 10 16 atoms.
  • the concentration of each impurity other than / cm 3 or less and Si, O and H can be 5 ⁇ 10 15 atoms / cm 3 or less.
  • "intentional doping” means that a target element is added as a raw material in the process of growing a GaN crystal.
  • the second region 120 is usually grown on the first region 110 with HVPE.
  • the reason why the regrowth interface 103 exists between the first region 110 and the second region 120 is that the step of growing the first region 110 and the step of growing the second region 120 are not continuous.
  • the minimum thickness of the second region 120 is at least 20 ⁇ m, preferably 40 ⁇ m or more, more preferably 50 ⁇ m or more, and may be 100 ⁇ m or more. The reason is that in the process of manufacturing the nitride semiconductor device chip using the GaN substrate wafer 100, after the first region 110 is removed from the substrate wafer 100, the remaining second region 120 supports the structure of the semiconductor device chip. This is so that it can play a role as a substrate.
  • the minimum thickness means the thickness of the portion where the thickness is the minimum.
  • the upper limit of the minimum thickness of the second region 120 is 300 ⁇ m.
  • the thickness of the second region 120 is considered to be the minimum thickness at all points.
  • the main doping region 120 a region within a specific length L from the Ga polar surface 102 of the GaN substrate wafer 100 is defined as the main doping region 120a.
  • the second region 120 is doped so that the total concentration of donor impurities is at least 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more in at least the main doping region 120a.
  • the total concentration of donor impurities is the sum of the concentrations of all types of donor impurities.
  • the specific length L is usually at least 1 ⁇ m, and may be 5 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, 20 ⁇ m or more, 25 ⁇ m or more, 50 ⁇ m or more, 75 ⁇ m or more, 100 ⁇ m or more, 150 ⁇ m or more, 200 ⁇ m or more, and the like.
  • the total concentration of donor impurities in at least a portion of the main dope region 120a is preferably 2 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or greater, more preferably 3 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or greater, and 4 ⁇ 10 18 atoms / cm.
  • main-doped region 120a has a higher carrier concentration than the first region 110.
  • the specific length L is determined so that the GaN substrate consisting of only the main doping region 120a can support the structure of the semiconductor device chip.
  • the specific length L is at least 20 ⁇ m, preferably 40 ⁇ m or more, more preferably 50 ⁇ m or more, and may be 100 ⁇ m or more.
  • the minimum thickness t120 of the second region 120 is preferably 1.2 times or less the specific length L.
  • the variation in the total concentration of donor impurities along the c-axis direction in the main doping region 120a is preferably within ⁇ 25%, more preferably within ⁇ 20%, still more preferably within ⁇ 15%, and more from the median. More preferably, it is within ⁇ 10%.
  • the total concentration of donor impurities in the second region 120, including the main doped region 120a is 5 ⁇ 10 19 atoms / cm 3 or less, and even 2 ⁇ 10 19 atoms, to avoid significant deterioration of crystal quality due to excessive doping. / Cm 3 or less.
  • Donor impurities that can be contained in the second region 120 include Group 14 elements such as Si (silicon) and Ge (germanium), and Group 16 elements such as O (oxygen) and S (sulfur).
  • the donor impurity contained at the highest concentration in the second region 120 or the main doped region 120a is preferably Si or Ge, mainly for the following two reasons.
  • Si and Ge are donor impurities that show a high activation rate along with O.
  • facet growth is required to obtain GaN doped with O at a high concentration, whereas GaN doped with Si or Ge at a high concentration can be obtained by c-plane growth.
  • Facet growth is a technique for growing a (0001) oriented GaN film so that the growth surface is full of pits.
  • c-plane growth is the growth of such a GaN film so that the growth surface is flat. Since the through dislocations have the property of gathering at the bottom of the pit, when the second region 120 is formed by facet growth, the uniformity of the through dislocation density on the Ga polar surface 102 is lowered.
  • manufacturers of nitride semiconductor devices prefer GaN substrate wafers with high uniformity of through-dislocation density. Forming the second region 120 by facet growth is also disadvantageous in terms of the productivity of the substrate wafer 100. This is because the faceted-grown GaN film requires more processing time to flatten the surface than the c-plane grown GaN film.
  • the total concentration of donor impurities excluding Si is set to 10% or less, further 5% or less, and further 1% or less of the Si concentration, so that the carrier concentration in the region is the Si concentration. It can be controlled by adjustment.
  • the Si concentration in the region is preferably 4 ⁇ 10 17 atoms / cm 3 or more. is there.
  • the second region 120 is normally grown in HVPE, one or more conditions selected from the following (a') to (c') are satisfied with respect to the impurity concentration thereof.
  • the condition of the second region 120 may be independent of the condition of the first region 110 described above, that is, the conditions may be the same or different from each other.
  • (A') Si concentration is 5 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 or more
  • (b') O concentration is 3 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 or less
  • c') H concentration is 1 ⁇ 10 17 atoms / cm 3 or less
  • the regrowth interface 103 between the first region 110 and the second region 120 may be a rough surface.
  • the regrowth interface 103 can become a rough surface.
  • the direction from the first region 110 to the second region 120 perpendicular to the regrowth interface 103 is the height direction, and the height difference between the highest point and the lowest point at the regrowth interface is the roughness of the regrowth interface.
  • the roughness r can be, for example, 0.3 ⁇ m or more and 12 ⁇ m or less.
  • the dislocation density on the Ga polar surface 102 of the GaN substrate wafer 100 is 0.5 times or more and less than 2 times, or 2 times or more and less than 5 times, or 5 times or more and 10 times the dislocation density of the first region 110 in the vicinity of the regrowth interface 103. Can be less than.
  • a method for keeping the dislocation density of the Ga polar surface 102 within the above range a method of making the regrowth interface 103 a rough surface can be mentioned.
  • the “neighborhood of the regrowth interface 103” means a region up to 1 ⁇ m from the regrowth interface 103 to the Ga polar surface 102 side. When the regrowth interface 103 is a rough surface, the highest point at the regrowth interface is used as a reference.
  • the edge of the GaN substrate wafer 100 may be chamfered.
  • the substrate wafer 100 may be provided with various markings as necessary, such as an orientation flat or notch for displaying the crystal orientation, and an index flat for facilitating the identification of the front surface and the back surface. it can.
  • the semiconductor device manufactured by using the GaN substrate wafer 100 is basically a nitride semiconductor device.
  • a nitride semiconductor device is a semiconductor device in which the main part of the device structure is formed of a nitride semiconductor.
  • Nitride semiconductors are also called nitride-based III-V group compound semiconductors, group III nitride-based compound semiconductors, GaN-based semiconductors, etc., and include GaN and part or all of GaN gallium in other periodic tables. Includes compounds substituted with Group 13 elements (B, Al, In, etc.).
  • the types of nitride semiconductor devices that can be manufactured using the GaN substrate wafer 100 are not limited, and as an example, light emitting devices such as laser diodes (LD) and light emitting diodes (LEDs), rectifiers, bipolar transistors, and field effect transistors. , Electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMTs).
  • a nitride semiconductor device is manufactured using the GaN substrate wafer 100, after the GaN substrate wafer 100 is prepared as shown in FIG. 4 (a), the Ga polar surface 102 thereof is shown in FIG. 4 (b).
  • the epitaxial film 300 including at least the n-type nitride semiconductor layer 310 and the p-type nitride semiconductor layer 320 is grown by the metalorganic vapor phase growth method (MOVPE) to form an epitaxial wafer.
  • MOVPE metalorganic vapor phase growth method
  • the epitaxial wafer is fragmented into a nitride semiconductor device chip, but to thin the epitaxial wafer before fragmentation.
  • the first region 110 of the GaN substrate wafer 100 is removed by a method such as grinding or etching. This thinning process may be performed so that a ring-shaped thick portion remains on the outer peripheral portion of the epitaxial wafer. That is, the first region 110 of the GaN substrate wafer 100 can be removed only in the portion excluding the outer peripheral portion of the epitaxial wafer.
  • the second region 120 is also partially removed from the GaN substrate wafer 100 so that the main doping region 120a is exposed on the N-polar surface side of the thinned epitaxial wafer, and only the main doping region 120a is exposed. Remaining.
  • the epitaxial wafer 300 may be divided after the electrodes are formed on the surface of the exposed main doping region 120a.
  • GaN substrate wafer Next, a method for manufacturing a GaN substrate wafer, which is another embodiment of the present invention, will be described.
  • the manufacturing method described below is a preferred embodiment for manufacturing the GaN substrate wafer according to the embodiment of the present invention described above.
  • the above-mentioned GaN substrate wafer is mentioned as a preferable embodiment of the GaN substrate wafer obtained by the method of manufacturing a GaN substrate wafer described below.
  • the above-mentioned GaN substrate wafer 100 according to the embodiment can be preferably manufactured by using the method described below. This method is applied to the production of a GaN substrate wafer having an N-polar side and a Ga-polar side across a regrowth interface, and has the following steps.
  • a region is provided in which the total concentration of donor impurities is higher than that of the GaN wafer.
  • the step of manufacturing the substrate in the second step it is preferable to perform the following steps in which the first step is added. Therefore, the following first step is optional.
  • a first GaN thick film composed of (0001) oriented GaN that is not intentionally doped is grown on a seed wafer by HVPE, and the first GaN thick film is processed to form at least one first GaN thick film.
  • a second GaN thick film made of (0001) oriented GaN that is not intentionally doped is grown on the first c-plane GaN wafer obtained in the first step by HVPE, and the second GaN thickness is formed.
  • the second step of slicing the second c-plane GaN wafer from the film (Iii) (0001) A third step of growing an oriented GaN film having a thickness of 500 ⁇ m or less on a second c-plane GaN wafer obtained in the second step with HVPE to obtain a laminated structure. However, at least a part of the GaN film is doped so that the total concentration of donor impurities is higher than that of the second c-plane GaN wafer. In the present specification, "on the wafer” is synonymous with "on the surface of the wafer”.
  • the seed wafer 1 shown in FIG. 5 (a) is prepared, and as shown in FIG. 5 (b), the seed wafer 1 is composed of (0001) unintentionally undoped GaN and oriented first.
  • the GaN thick film 2 is grown with HVPE.
  • FIG. 5 (c) at least one first c-plane GaN wafer 3 is obtained by processing the first GaN thick film 2.
  • An example of the seed wafer 1 is a c-plane sapphire wafer, and preferably, a release layer may be provided on the main surface.
  • a GaN layer having a thickness of several hundred nm is grown on a c-plane sapphire wafer with MOVPE via a low temperature buffer layer, and a Ti (titanium) layer having a thickness of several tens nm is further formed on the GaN layer by vacuum deposition.
  • a c-plane sapphire wafer with a release layer is formed by annealing in a mixed gas of 80% H 2 (hydrogen gas) and 20% NH 3 (ammonia) at, for example, 1060 ° C. for 30 minutes. Can be done.
  • the seed wafer 1 may be a c-plane GaN wafer manufactured in a separate process.
  • the first GaN thick film 2 is grown to a thickness sufficient to produce at least one self-supporting c-plane GaN wafer.
  • the first GaN thick film 2 is grown to a thickness of several mm or more, from which at least two first c-plane GaN wafers 3 are sliced.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view showing one of the first c-plane GaN wafers 3 produced in the first step.
  • the first c-plane GaN wafer 3 is not limited to the one obtained by the first step.
  • the second step as shown in FIG.
  • the second GaN thick film 4 made of (0001) unintentionally doped GaN on the Ga polar plane of the first c-plane GaN wafer 3 is oriented. Is then grown on HVPE, and then the second c-plane GaN wafer 5 is sliced from the second GaN thick film 4 as shown in FIG. 6 (c).
  • the second GaN thick film 4 is grown to a thickness sufficient to produce at least one second c-plane GaN wafer 5 by processing the second GaN thick film 4.
  • the second GaN thick film 4 is grown to a thickness of several mm or more, from which at least two second c-plane GaN wafers 5 are sliced.
  • the second c-plane GaN wafer 5 has an N-polar plane and a Ga-polar plane parallel to each other as main planes.
  • the Ga polar plane in the second GaN wafer 5 The inclination angle (off-cut angle) and inclination direction (off-cut direction) from the crystal plane of (0001) are preferably the same as the off-cut angle and off-cut direction that the GaN substrate wafer 100 should have, but are essential. is not.
  • the off-cut orientation that the GaN substrate wafer 100 should have varies depending on the requirements of the manufacturer of the semiconductor device that uses the GaN substrate wafer 100, but the second c-plane GaN having various off-cut orientations accordingly. Preparing the wafer 5 may lead to a decrease in the production efficiency of the GaN substrate wafer 100. It should also be noted that the optimum conditions for growing the GaN film 6 with HVPE on the second c-plane GaN wafer 5 in the next third step may change depending on the off-cut orientation of the second c-plane GaN wafer 5. Is.
  • the initial thickness t5i of the second c-plane GaN wafer 5 may be thinner than the thickness normally possessed by the GaN substrate wafer used for manufacturing a nitride semiconductor device. This is because, unlike the GaN substrate wafer, which needs to withstand a semiconductor process including a large number of processes, the second c-plane GaN wafer 5 only needs to be damaged during the next third process. For example, when the diameter of the second c-plane GaN wafer 5 is about 2 inches, its initial thickness t5i is preferably 300 ⁇ m or less, 250 ⁇ m or less, and even 200 ⁇ m or less. By reducing the initial thickness t5i of the second c-plane GaN wafer 5, the number of second c-plane GaN wafers 5 that can be sliced from the second GaN thick film 4 can be increased.
  • a (0001) oriented GaN film 6 having a thickness of 500 ⁇ m or less is grown on the Ga polar surface of the second c-plane GaN wafer 5 with HVPE and laminated. Get the structure. At this time, a regrowth interface is formed between the second c-plane GaN wafer 5 and the GaN film 6.
  • the Ga polar surface of the second c-plane GaN wafer 5 is flattened by appropriately using techniques such as grinding, polishing, and CMP before growing the GaN film 6 (flattening step).
  • the Ga polar surface of the second c-plane GaN wafer 5 may be flattened and then further processed into a rough surface by etching (roughening step) to grow the GaN film 6.
  • etching roughening step
  • the dislocation density of the GaN film 6 is about the same as or higher than that of the second c-plane GaN wafer 5, specifically, 0.5 times or more and less than 2 times the dislocation density on the Ga polar plane of the second c-plane GaN wafer 5. Or it will be a higher value.
  • the advantage of roughening the Ga polar surface of the second c-plane GaN wafer 5 is that the laminated structure formed by the growth of the GaN film 6 is less likely to crack, and the crack occurrence frequency roughens the Ga polar surface. It can be less than 1/10 of the time when it does not turn into.
  • the Ga polar surface of GaN can be roughened without using an etching mask. If the HVPE apparatus used for growing the GaN film 6 is provided with an HCl supply line for etching, the Ga polar surface of the second c-plane GaN wafer 5 is roughened in the reactor of the HVPE apparatus immediately before the growth of the GaN film 6. Can be transformed into.
  • Preferred etching conditions when HCl is used as an etching gas are as follows.
  • the HCl partial pressure is, for example, 0.002-0.05 atm.
  • H 2 partial pressure is, for example, 0.2 ⁇ 0.8 atm.
  • the NH 3 partial pressure is, for example, 0.01 to 0.05 atm.
  • the etching temperature is, for example, 900 to 1050 ° C.
  • the etching time is, for example, 1 to 60 minutes.
  • the roughness of the Ga polar surface of the second c-plane GaN wafer after etching is defined as the height difference between the highest point and the lowest point, the roughness can be, for example, 0.3 to 12 ⁇ m.
  • the roughness of the Ga polar surface of the second c-plane GaN wafer tends to increase with the etching time.
  • the etching time when HCl is used as the etching gas is set so that the roughness of the Ga polar surface does not exceed 0.5 ⁇ m.
  • the second c-plane GaN under the conditions of HCl partial pressure 0.01 to 0.02 atm, H 2 partial pressure 0.05 to 0.08 atm, NH 3 partial pressure 0.01 to 0.03 atm, and temperature 970 to 1000 ° C.
  • the preferable etching time when etching the Ga polar surface of the wafer 5 is 5 minutes or less.
  • the Ga polar surface of the second c-plane GaN wafer 5 may be roughened by forming an etching mask patterned by a photolithography technique and then dry etching. Dot patterns and net patterns are typical examples of suitable patterns for etching masks.
  • the dry etching may be RIE (reactive ion etching) using Cl 2 (chlorine gas) or a chlorine-containing compound as the etching gas.
  • the GaN film 6 is provided with a portion doped so that the total concentration of donor impurities is higher than that of the second c-plane GaN wafer 5.
  • the carrier concentration in at least a part of the portion is 1 ⁇ 10 18 cm -3 or more, further 2 ⁇ 10 18 cm -3 or more, further 3 ⁇ 10 18 cm -3 or more, and further 4 ⁇ 10 18 cm ⁇ . It can be 3 or more, even 6 ⁇ 10 18 cm -3 or more, and even 8 ⁇ 10 18 cm -3 or more.
  • Preferred donor impurities are Si and Ge.
  • the GaN film 6 may be provided with the specific doping region 6a.
  • the upper end (end on the [0001] side) of the specific doped region 6a is preferably the upper surface of the GaN film 6, the region length in the c-axis direction is preferably 1 ⁇ m or more, and the total concentration of donor impurities in the region. Is a region of 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more. In other words, this region length means the thickness (height in the thickness direction) of the region where the total concentration of donor impurities is 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more.
  • the region length of the specific doped region 6a in the c-axis direction can be 5 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, 20 ⁇ m or more, 25 ⁇ m or more, 50 ⁇ m or more, 75 ⁇ m or more, 100 ⁇ m or more, 150 ⁇ m or more, 200 ⁇ m or more, and the like.
  • the total concentration of donor impurities in the specific doped region 6a is preferably 2 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more, more preferably 3 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more, and 4 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more, 6 It may be ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more, 8 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or more, and the like.
  • the carrier concentration is higher than that of the second c-plane GaN wafer 5 in at least a part, preferably the whole, of the specific doping region 6a.
  • the GaN film 6 is specified so that a region having a sufficient carrier concentration can be provided on the Ga polar side of the GaN substrate wafer to be manufactured with a thickness of 20 ⁇ m or more, 50 ⁇ m or more, 100 ⁇ m or more, and the like.
  • the region length of the dope region 6a in the c-axis direction can be 20 ⁇ m or more, 50 ⁇ m or more, 100 ⁇ m or more, and the like. In the preferred embodiment, it is desirable that there is no change in carrier concentration along the c-axis direction within the specific doping region 6a.
  • the variation in the total concentration of donor impurities along the c-axis direction in the specific doped region 6a is preferably within ⁇ 25%, more preferably within ⁇ 20%, still more preferably within ⁇ 15% from the median. More preferably, it is within ⁇ 10%.
  • the GaN film 6 may have an intervening region 6b between the specific doping region 6a and the second c-plane GaN wafer 5.
  • the intervening region 6b is not subject to any restrictions regarding doping.
  • the intervening region 6b can only be partially intentionally doped.
  • the intervening region corresponds to a region of the GaN film 6 that does not correspond to the specific doping region 6a. That is, the total concentration of donor impurities in the intervening region is less than 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 .
  • a dopant of the same type as the dopant added to the specific doping region 6a may be added to the intervening region 6b at least partially, and the concentration of the dopant approaches the specific doping region 6a within the intervening region 6b. It may increase continuously or gradually as it increases.
  • the thickness of the intervening region 6b may be determined so that the thickness of the GaN film 6 including the specific doped region 6a and the intervening region 6b does not exceed 500 ⁇ m, but is preferably 50 ⁇ m or less, more preferably 40 ⁇ m or less. More preferably, it is 20 ⁇ m or less, and may be 10 ⁇ m or less.
  • the total concentration of donor impurities excluding Si is set to 10% or less, further 5% or less, and further 1% or less of the Si concentration, so that the carrier concentration in the same region is the Si concentration. It can be controlled by adjustment.
  • the Si concentration in the region is preferably 4 ⁇ 10 17 atoms / cm 3 or more.
  • the maximum value of the total concentration of donor impurities in the GaN film 6 is 5 ⁇ 10 19 atoms / cm 3 or less, and further 2 ⁇ 10 19 atoms / cm 3 or less, in order to avoid a significant decrease in crystal quality due to excessive doping. Further, it may be 1 ⁇ 10 19 atoms / cm 3 or less.
  • the growth thickness t6g of the GaN film 6 is set between 20 ⁇ m and 500 ⁇ m in consideration of the design thickness of the second region 120 of the GaN substrate wafer. ..
  • the growth thickness t6g of the GaN film 6 may be the same as the design thickness of the second region 120 in the GaN substrate wafer to be manufactured, but is preferably larger than the design thickness. By doing so, the surface of the GaN film 6 can be flattened in the subsequent thinning step.
  • the growth thickness t6g of the GaN film 6 is preferably 50 ⁇ m or more larger than the design thickness of the second region 120, more preferably 100 ⁇ m or more, and preferably 200 ⁇ m or more not exceeding the design thickness.
  • the thickness difference of the GaN film 6 before and after the thinning step is preferably 200 ⁇ m or less.
  • the thickness of the GaN film 6 is reduced by 50 ⁇ m or more in the subsequent thinning step.
  • the thickness difference of the GaN film 6 before and after the thinning step is 50 ⁇ m or more.
  • the GaN film 6 can be formed in a relatively short time, and therefore the by-product NH 4 Cl (ammonium chloride) blocks the exhaust system of the HVPE apparatus. It is possible to grow the GaN film 6 on a large number of second c-plane GaN wafers 5 at a time without worrying about the above. Therefore, the throughput in the third step can be extremely high. Further, the short time required to form the GaN film 6 can also contribute to the reduction of costs associated with cleaning and maintenance of the HVPE reactor. This is because the HVPE reactor deteriorates more slowly and has a longer service life when the time required for one growth step is shorter.
  • NH 4 Cl ammonium chloride
  • a thinning step of thinning the laminated structure obtained in the third step is performed.
  • the thickness of the second c-plane GaN wafer 5 is reduced from the initial thickness t5i to the final thickness t5f
  • the thickness of the GaN film 6 is reduced from the growth thickness t6g to the final thickness t6f.
  • the thinning step only one of the second c-plane GaN wafer 5 and the GaN film 6 may be processed.
  • the thickness of the second c-plane GaN wafer 5 and the GaN film 6 is the first region 110 and the second in the GaN substrate wafer. It is reduced until it matches the design thickness of each region 120.
  • the technique used for processing the second c-plane GaN wafer 5 and / or the GaN film 6 in the thinning step can be appropriately selected from grinding, wrapping, CMP, dry etching, wet etching and the like.
  • the off-cut orientation of the GaN substrate wafer 100 to be manufactured and the off-cut orientation of the second c-plane GaN wafer 5 are the same, the N-polar plane of the laminated structure to be processed, that is, the second c-plane, is used as a reference for the plane orientation.
  • the back surface of the two-c-plane GaN wafer 5 can be used.
  • the off-cut orientation of the GaN substrate wafer 100 to be manufactured is different from that of the second c-plane GaN wafer 5, that is, when at least one of the off-cut angle and the off-cut direction is different, the crystal of the laminated structure to be processed The orientation is confirmed by an X-ray diffractometer.
  • the GaN substrate wafer 100 according to the embodiment can be produced with a high yield.
  • the reason is that there is no step of growing the intentionally doped GaN thick film with HVPE to a thickness on the order of mm, and a step of slicing the grown GaN thick film.
  • the GaN thick film may be grown to a thickness on the order of mm by HVPE, but the first GaN thick film 2 and the second GaN thick film 4 to be grown in these steps are intended. Since it is not specifically doped, morphology abnormalities and cracks are less likely to occur during growth, and the frequency of cracking during slicing is low.
  • the GaN film 6 grown in the third step is intentionally doped, but since the growth thickness of the GaN film 6 is only 500 ⁇ m or less, morphology abnormalities and cracks are unlikely to occur during the growth. Moreover, the GaN film 6 does not need to be sliced. That is, it is not necessary to perform slicing in the thinning step described above. In particular, it is preferable that the GaN film 6 formed in the third section undergoes a thinning step without slicing.
  • the manufacturing method described above it is possible to reduce the variation in the off-cut angle in the main surface of the GaN substrate wafer 100.
  • the reason is that the warpage of the second GaN thick film 4 that is homoepitaxially grown on the first c-plane GaN wafer 3 that has not been intentionally doped can be extremely small.
  • the variation in the off-cut angle can be extremely small.
  • the change in warpage due to stacking the GaN film 6 on the second c-plane GaN wafer 5 in the third step is small, because the growth thickness of the GaN film 6 is as small as 500 ⁇ m or less.
  • the HVPE apparatus 10 shown in FIG. 8 includes a hot wall type reactor 11, a gallium reservoir 12 and a susceptor 13 arranged in the reactor, and a first heater 14 and a second heater 15 arranged outside the reactor. I have.
  • the first heater 14 and the second heater 15 respectively surround the reactor 11 in an annular shape.
  • the reactor 11 is a quartz tube chamber.
  • the reactor 11 there is a first zone Z1 that is mainly heated by the first heater 14, and a second zone Z2 that is mainly heated by the second heater 15.
  • the exhaust pipe PE is connected to the reactor end on the second zone Z2 side.
  • the gallium reservoir 12 arranged in the first zone Z1 is a quartz container having a gas inlet and a gas outlet.
  • the susceptor 13 arranged in the second zone Z2 is formed of, for example, graphite. A mechanism for rotating the susceptor 13 can be arbitrarily provided.
  • NH 3 reacts with GaCl in the second zone Z2, and the resulting GaN crystallizes on the seed placed on the susceptor 13.
  • the doping gas diluted with the carrier gas is led to the second zone Z2 in the reactor 11 through the dopant introduction tube P4.
  • Ammonia introduction pipe P1, hydrogen chloride introduction pipe P2, gallium chloride introduction pipe P3 and dopant introduction pipe P4 are formed of quartz at a portion arranged in the reactor 11.
  • H 2 hydrogen gas
  • N 2 nitrogen gas
  • a mixed gas of H 2 and N 2 is preferably used as the carrier gas for diluting each of NH 3 , HCl and the doping gas.
  • the preferred conditions for growing GaN using the HVPE apparatus 10 are as follows.
  • the temperature of the gallium reservoir is, for example, 500 to 1000 ° C, preferably 700 ° C or higher, and preferably 900 ° C or lower.
  • the susceptor temperature is, for example, 900 to 1100 ° C., preferably 930 ° C. or higher, more preferably 950 ° C. or higher, and preferably 1050 ° C. or lower, more preferably 1020 ° C. or lower.
  • the V / III ratio which is the ratio of the NH 3 partial pressure to the GaCl partial pressure in the reactor, is, for example, 1 to 20, preferably 2 or more, more preferably 3 or more, and preferably 10 or less. .. If the V / III ratio is too large or too small, it causes deterioration of the morphology of the growth surface of GaN. Deterioration of morphology on the growth surface can cause deterioration of crystal quality.
  • the efficiency of incorporation into the GaN crystal is strongly dependent on the crystal orientation of the growth surface.
  • O oxygen
  • Ge germanium
  • the use of a V / III ratio that is too low increases the nitrogen vacancy concentration of the growing GaN crystal.
  • the effect of nitrogen vacancies on a GaN crystal, a GaN substrate using it, or a nitride semiconductor device formed on the GaN substrate is not clear at present, but the concentration is as low as possible because it is a point defect. I think it should be done.
  • GaN growth rate can control the product of the NH 3 partial pressure and GaCl partial pressure in the reactor as a parameter.
  • the rate is, for example, 20 to 200 ⁇ m / h, and particularly when the GaN film 6 is grown in the third step, it is preferably 120 ⁇ m / h or less, more preferably 100 ⁇ m / h or less, and further preferably 80 ⁇ m / h or less. .. This is because a growth rate that is too high deteriorates the surface morphology of the growing GaN.
  • the supply rate of the doping gas is gradually increased to a predetermined value over several minutes to several tens of minutes from the start of supply in order to prevent deterioration of the morphology of the growth surface. Is preferable.
  • the supply of the doping gas is preferably started when the GaN film 6 is grown by at least several ⁇ m.
  • SiH 4 silane
  • SiH 3 Cl monoochlorosilane
  • SiH 2 Cls diichlorosilane
  • SiHCl 3 trichlorosilane
  • SiCl 4 tetrachlorosilane
  • GeH 4 German), GeH 3 Cl (monochrome Rogerman), GeH 2 Cls (dichlorogerman), GeHCl 3 (trichlorogerman) or GeCl 4 (tetrachlorogerman) can be preferably used as the doping gas for Ge doping. ..
  • the molar ratio of H 2 in the carrier gas can affect the impurity concentration of the growing GaN.
  • the molar ratio of H 2 in the carrier gas referred to here is calculated based on the flow rate of each gas type supplied as a carrier gas from outside the reactor into the reactor. Impurities of Si or Ge-doped GaN grown by HVPE on the Ga polar plane of a c-plane GaN wafer cut out from a GaN crystal grown by HVPE on a sapphire substrate at substantially the same growth rate using the same V / III ratio. Table 1 below shows the results of investigating how the concentration changes depending on the molar ratio of H 2 in the carrier gas.
  • the O concentration of Si-doped GaN is 10% or less of the Si concentration when the carrier gas is only N 2 . Since the only donor other than Si is substantially O, this is equivalent to the total concentration of donors excluding Si being 10% or less of the Si concentration. Increasing the molar ratio of H 2 in the carrier gas further lowers the O concentration of Si-doped GaN, which is less than 1% of the Si concentration when the molar ratio is 0.7.
  • the molar ratio of H 2 in the carrier gas when the molar ratio of H 2 in the carrier gas is 0 (zero), the Ge concentration is 10 times or more higher than when the molar ratio is 0.7, and Ge with respect to the Si concentration. The concentration ratio is also higher. Therefore, at first glance, the molar ratio of H 2 carrier gas is lower is preferred going. However, when the molar ratio of H 2 in the carrier gas is 0 and 0.7, as can be seen from the fact that the O concentration is also an order of magnitude higher in the former, the former condition is used. The present inventors have confirmed that the growth surface morphology of GaN is poor and that this is the reason for the high Ge concentration. Under the condition that the molar ratio of H 2 in the carrier gas is too low, a GaN crystal having low Ge concentration uniformity grows.
  • the molar ratio of H 2 in the carrier gas is preferably about 0.3 to 0.7, and the Ge-doped GaN grown in this way has a Ge concentration of 1.
  • the Si concentration is 4 ⁇ 10 17 atoms / cm 3 or more.
  • O concentration of the GaN grown by HVPE tend to decrease with increasing the molar ratio of H 2 carrier gas, 2 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 or less, Furthermore, it can be 1 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 or less. This is because the growing surface morphology is improved.
  • the GaN grown using the HVPE apparatus 10 may contain O and Si in SIMS detectable concentrations, even when not intentionally doped.
  • the Si source is quartz (SiO 2 ) used in the reactor and piping in the reactor, and the O source is either or both of such quartz and moisture remaining or invading the reactor.
  • the parts arranged in the reactor 11, including the parts not shown in FIG. 8, include SiC (silicon carbide), SiNx (silicon nitride), BN (boron nitride), and alumina. , W (tungsten), Mo (molybdenum) and the like can be used. By doing so, the concentration of each impurity other than Si, O and H in the GaN grown using the HVPE apparatus 10 can be 5 ⁇ 10 15 atoms / cm 3 or less unless intentional doping is performed.
  • the GaN seed was set on the susceptor of the HVPE apparatus.
  • a GaN template substrate on sapphire prepared by MOCVD Metalorganic Vapor Deposition Growth Method
  • MOCVD Metalorganic Vapor Deposition Growth Method
  • the c-plane side was used as the growth plane.
  • the inside of the reactor is filled with a heater installed outside the reactor. It was heated. After the susceptor temperature reached 1000 ° C., the susceptor temperature was kept constant and GaN was grown.
  • the temperature of the gallium reservoir was set to 900 ° C. 69 mol% of the carrier gas supplied into the reactor during growth was H 2 , and the rest was N 2 .
  • GaCl and NH 3 are supplied into the reactor so that the partial pressures are 7.9 ⁇ 10 -3 atm and 0.024 atm, respectively, and a second GaN thick film containing no donor impurities is about 2.5 mm. Grow to thickness. The growth rate of the second GaN thick film calculated from the thickness and the growth time was about 40 ⁇ m / h. Next, this GaN thick film was sliced parallel to the c-plane to obtain a wafer, and then the Ga polar plane of the wafer was flattened by grinding and subsequently subjected to CMP finishing.
  • a second c-plane GaN wafer having a thickness of 350 ⁇ m and containing no donor impurities was prepared. If the thickness of the second GaN thick film is increased by lengthening the growth time, two or more second c-plane GaN wafers can be obtained.
  • the partial pressures of GaCl, NH 3 and SiH 2 Cl 2 are 7.9 ⁇ 10 -3 atm, 0.024 atm and 1.9 ⁇ 10, respectively. It was supplied into the reactor so as to be -8 atm, and a GaN film doped with Si as a donor impurity was grown to a thickness of about 0.4 mm. The surface of the GaN film was finished by polishing without slicing to obtain a Si-doped GaN substrate wafer having a diameter of about 60 mm. The growth rate of the Si-doped GaN film calculated from the thickness and the growth time was about 40 ⁇ m / h.
  • the GaN substrate wafer obtained by the above manufacturing method is a two-layer substrate having a regrowth interface, a first region on the N-polar side and a second region on the Ga-polar side, and is a Ga-polar side, that is, a GaN film.
  • the carrier concentration was 4.0 ⁇ 10 18 cm -3 .
  • the carrier concentration on the Ga polar side was 1.0 ⁇ 10 18 cm -3 or more over the entire surface, and was stable at approximately 4.0 ⁇ 10 18 cm -3 except for the end. .. In addition, no cracks or surface roughness were observed.
  • the growth time of the Si-doped GaN film was extended about 6 times to make the thickness of the GaN film about 2.5 mm.
  • the obtained GaN substrate wafer two-layer substrate
  • an abnormal growth portion was generated.
  • the abnormal growth portion referred to here deep dents due to SiNx were scattered in some parts in the surface of the substrate.

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Abstract

ドーピングにより増加されたキャリア濃度を有するＧａＮ基板上にデバイス構造が設けられた窒化物半導体デバイスの製造に好ましく使用され得る、改善された生産性を有するＧａＮ基板ウエハおよびその製造方法を提供すること。（０００１）配向したＧａＮウエハであって、再成長界面を挟んでＮ極性側に設けられた第一領域と、Ｇａ極性側に設けられた第二領域とを有し、該第二領域の最小厚さが２０μｍ以上３００μｍ以下であり、該第二領域には、該第一領域よりドナー不純物総濃度の高い領域が含まれる、ＧａＮ基板ウエハ。第二領域のうち、当該ＧａＮ基板ウエハのＧａ極性側の主面から特定長以内にある領域を主ドープ領域と定め、少なくとも該主ドープ領域においてドナー不純物の総濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であるように該第二領域をドーピングしてもよい。

Description

ＧａＮ基板ウエハおよびＧａＮ基板ウエハの製造方法
　本発明は、主として、ＧａＮ基板ウエハとその製造方法に関する。ＧａＮ基板ウエハとは、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる基板ウエハである。基板ウエハとは、主に半導体デバイスの製造プロセスにおいて基板として使用されるウエハである。
　現在商業的に生産されているＩｎＧａＮ系のレーザーダイオード（ＬＤ）に用いられている基板は、比較的高いキャリア濃度を有するＧａＮ基板である。最近では、かかるＧａＮ基板を用いた縦型ＧａＮパワーデバイスの研究開発が盛んである。
　サファイアウエハ上にＧａＮ厚膜をＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）で成長させるときに、該ＧａＮ厚膜の下部に不純物濃度の低い領域、上部に不純物濃度の高い領域を設けると、該ＧａＮ厚膜を該サファイアウエハから剥離させたときに、裏面側に不純物濃度が低い領域を有し、おもて面側に不純物濃度が高い領域を有するＧａＮ基板ウエハが得られる（特許文献１、特許文献２）。
特開２００７－７０１５４号公報 特開２００７－２５１１７８号公報
　特許文献１または特許文献２に開示された方法で、裏面側に不純物濃度が低い領域を有し、おもて面側に不純物濃度が高い領域を有するＧａＮ基板ウエハを製造する場合、１枚のＧａＮ基板ウエハを作る毎に、１枚のサファイアウエハ上にＨＶＰＥでＧａＮ厚膜を成長させる必要がある。そのため、特許文献１または特許文献２に開示された方法は製造効率が高いものとは言えない。
　本発明者は、低不純物濃度のＧａＮウエハを予め製造したうえで、その上に高不純物濃度のＧａＮ層を特定の厚みで成長させれば、不純物濃度を高めた領域をおもて面側にのみ有するＧａＮ基板ウエハを、より効率良く生産できることを見出した。
　本発明はかかる着想に基づきなされたものであり、その実施形態には以下が含まれる。
［１］（０００１）配向したＧａＮ基板ウエハであって、再成長界面を挟んでＮ極性側に設けられた第一領域と、Ｇａ極性側に設けられた第二領域とを有し、該第二領域の最小厚さが２０μｍ以上３００μｍ以下であり、該第二領域には、該第一領域よりドナー不純物総濃度の高い領域が含まれる、ＧａＮ基板ウエハ。
［２］前記第一領域よりドナー不純物総濃度の高い領域の少なくとも一部のキャリア濃度が、１×１０１８ｃｍ－３以上である、前記［１］に記載のＧａＮ基板ウエハ。
［３］前記ＧａＮ基板ウエハが、以下の（１）～（３）から選ばれる何れかの条件を充たす、前記［１］または［２］に記載のＧａＮ基板ウエハ。
（１）５０ｍｍ以上５５ｍｍ以下の直径と２５０μｍ以上４５０μｍ以下の厚さを有する。
（２）１００ｍｍ以上１０５ｍｍ以下の直径と３５０μｍ以上７５０μｍ以下の厚さを有する。
（３）１５０ｍｍ以上１５５ｍｍ以下の直径と４５０μｍ以上８００μｍ以下の厚さを有する。
［４］前記第二領域は、ドナー不純物総濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である主ドープ領域を有する、前記［１］～［３］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［５］前記第二領域において、ＧａＮ極性側の主面から特定長以内の領域が前記主ドープ領域であり、かつ、該特定長が１μｍ以上である、前記［４］に記載のＧａＮ基板ウエハ。
［６］前記第二領域の最小厚さが前記特定長の１．２倍以下である、前記［５］に記載のＧａＮ基板ウエハ。
［７］前記主ドープ領域において、ｃ軸方向に沿ったドナー不純物総濃度の変動が、中央値から±２５％の範囲内である、前記［４］～［６］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［８］前記第二領域に最も高い濃度で含有される不純物がＳｉまたはＧｅである、前記［１］～［７］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［９］前記主ドープ領域に最も高い濃度で含有される不純物がＳｉまたはＧｅである、［４］～［７］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［１０］前記主ドープ領域において、Ｓｉを除くドナー不純物の総濃度がＳｉ濃度の１０％以下である、前記［４］～［９］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［１１］前記主ドープ領域において、Ｇｅ濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、かつＳｉ濃度が４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、前記［４］～［１０］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［１２］前記第一領域および第二領域の少なくとも何れか一方の不純物濃度が、下記の（ａ）～（ｃ）から選ばれる一以上の条件を充たす、前記［１］～［１１］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
（ａ）Ｓｉ濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上
（ｂ）Ｏ濃度が３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
（ｃ）Ｈ濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
［１３］前記第一領域において、Ｓｉ濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である、前記［１］～［１２］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［１４］前記再成長界面が粗面である、前記［１］～［１３］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［１５］Ｇａ極性側の主面における転位密度が、前記再成長界面の近傍における前記第一領域の転位密度の０．５倍以上２倍未満である、前記［１］～［１４］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［１６］Ｇａ極性側の主面が平坦面である、前記[１]～[１５]のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハ。
［１７］前記［１］～［１６］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハと、該ＧａＮ基板ウエハのＧａ極性面上にエピタキシャル成長した窒化物半導体層と、を有するエピタキシャルウエハ。
［１８］前記［１］～［１６］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハを準備する工程と、該ＧａＮ基板ウエハのＧａ極性面上に窒化物半導体層を成長させてエピタキシャルウエハを得る工程と、を有するエピタキシャルウエハの製造方法。
［１９］前記［１］～［１６］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハを準備する工程と、該ＧａＮ基板ウエハのＧａ極性面上に窒化物半導体層を成長させてエピタキシャルウエハを得る工程と、前記ＧａＮ基板ウエハの前記第一領域の少なくとも一部を除去する工程と、を有する半導体デバイスの製造方法。
［２０］基板上に、（０００１）配向した第二ＧａＮ厚膜をＨＶＰＥにより成長させた後、該第二ＧａＮ厚膜をスライスすることにより第二ｃ面ＧａＮウエハを得る第二工程と、該第二ｃ面ＧａＮウエハ上に、（０００１）配向した厚さ５００μｍ以下のＧａＮ膜をＨＶＰＥにより成長させる第三工程とを有し、かつ、該ＧａＮ膜は、該第二ｃ面ＧａＮウエハよりもドナー不純物の総濃度が高い領域を有する、ＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［２１］再成長界面を挟んでＮ極性側に設けられた第一領域とＧａ極性側に設けられた第二領域とを有するＧａＮ基板ウエハを製造する方法であって、
　（i）意図的にドーピングされていないＧａＮからなり（０００１）配向した第一ＧａＮ厚膜を、シードウエハ上にＨＶＰＥで成長させた後、該第一ＧａＮ厚膜から少なくとも１枚の第一ｃ面ＧａＮウエハを得る第一工程と、
　（ii）意図的にドーピングされていないＧａＮからなり（０００１）配向した第二ＧａＮ厚膜を、該第一ｃ面ＧａＮウエハ上にＨＶＰＥで成長させた後、該第二ＧａＮ厚膜をスライスすることにより、第二ｃ面ＧａＮウエハを得る第二工程と、
　（iii）（０００１）配向した厚さ５００μｍ以下のＧａＮ膜を、該第二ｃ面ＧａＮウエハ上にＨＶＰＥで成長させる第三工程とを有し、かつ、
　該ＧａＮ膜は、該第二ｃ面ＧａＮウエハよりもドナー不純物の総濃度が高い領域を有する、ＧａＮ基板ウエハ製造方法。
［２２］前記第二ｃ面ＧａＮウエハよりもドナー不純物の総濃度が高い領域の少なくとも一部のキャリア濃度が、１×１０１８ｃｍ－３以上である、前記［２０］または［２１］に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［２３］前記ＧａＮ基板ウエハが、以下の（１）～（３）から選ばれる何れかの条件を充たす、前記［２０］～［２２］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
（１）５０ｍｍ以上５５ｍｍ以下の直径と２５０μｍ以上４５０μｍ以下の厚さを有する
（２）１００ｍｍ以上１０５ｍｍ以下の直径と３５０μｍ以上７５０μｍ以下の厚さを有する
（３）１５０ｍｍ以上１５５ｍｍ以下の直径と４５０μｍ以上８００μｍ以下の厚さを有する
［２４］前記ＧａＮ膜が、該ＧａＮ膜の上面からｃ軸方向の領域長が１μｍ以上であり、かつ、領域内のドナー不純物の総濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、特定ドープ領域を有する、前記［２０］～［２３］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［２５］前記特定ドープ領域のｃ軸方向の領域長が、２０μｍ以上である、前記［２４］に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［２６］前記特定ドープ領域内において、ｃ軸方向に沿ったドナー不純物の総濃度の変動が中央値±２５％以内である、前記［２４］または［２５］に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［２７］前記ＧａＮ膜が、前記特定ドープ領域と前記第二ｃ面ＧａＮウエハとの間に厚さ５０μｍ以下の介在領域を有する、前記［２４］～［２６］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［２８］前記特定ドープ領域が最も高い濃度で含有する不純物がＳｉまたはＧｅである、前記［２４］～［２７］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［２９］前記特定ドープ領域において、Ｓｉを除くドナーの総濃度がＳｉ濃度の１０％以下である、前記［２４］～［２８］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［３０］前記特定ドープ領域において、Ｇｅ濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、かつＳｉ濃度が４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、前記［２４］～［２９］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［３１］前記第三工程の後に前記ＧａＮ膜を薄化する薄化工程を有する、前記［２０］～［３０］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［３２］前記薄化工程の前後における前記ＧａＮ膜の厚さ差が２００μｍ以下である、前記［３１］に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［３３］前記ＧａＮ基板ウエハと前記第二ｃ面ＧａＮウエハのオフカット方位が異なる、前記［２０］～［３２］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［３４］前記第二工程と前記第三工程との間に、該第二工程で得られた前記第二ｃ面ＧａＮウエハのＧａ極性面を平坦化する平坦化工程、更にエッチングにより粗化する粗化工程を有する、前記［２０］～［３３］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
［３５］
　前記薄化工程において、スライス加工することなく前記ＧａＮ膜を薄化する、［３１］～［３４］のいずれかに記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
　本発明によれば、高いキャリア濃度を有し、高性能なＧａＮ基板ウエハを提供することができる。また、本発明によれば、高いキャリア濃度を有するＧａＮ基板ウエハを効率よく製造する方法を提供することができる。そのため、高いキャリア濃度を有するＧａＮ基板上にデバイス構造が設けられた窒化物半導体デバイスの製造に好ましく使用され得る。
図１は、実施形態に係るＧａＮ基板ウエハを示す斜視図である。 図２は、実施形態に係るＧａＮ基板ウエハを示す断面図である。 図３は、実施形態に係るＧａＮ基板ウエハを示す断面図である。 図４は、実施形態に係るＧａＮ基板ウエハを用いた窒化物半導体デバイスの製造工程を説明するための工程断面図である。 図５は、実施形態に係るＧａＮ基板ウエハ製造方法を説明するための工程断面図である。 図６は、実施形態に係るＧａＮ基板ウエハ製造方法を説明するための工程断面図である。 図７は、実施形態に係るＧａＮ基板ウエハ製造方法を説明するための工程断面図である。 図８は、ＨＶＰＥ装置の基本構成を示す模式図である。 図９は、実施例で作成したＧａＮ基板ウエハのキャリア濃度を示す図である。
　以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は本発明の実施形態の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定はされない。
　本発明において「Ｘ～Ｙ」（Ｘ，Ｙは任意の数字）と表現した場合、特記しない限り「Ｘ以上Ｙ以下」の意と共に、「好ましくはＸより大きい」及び「好ましくはＹより小さい」の意を包含する。
１．ＧａＮ基板ウエハ
　本発明の一実施形態はＧａＮ基板ウエハに関する。
　実施形態に係るＧａＮ基板ウエハは、（０００１）配向したＧａＮウエハであり、再成長界面を挟んでＮ極性側に設けられた第一領域と、Ｇａ極性側に設けられた第二領域とからなる。該第二領域は、最小厚さが２０μｍ以上３００μｍ以下である。該第二領域には、ドナー不純物の総濃度が該第一領域よりも高い領域が含まれる。なお、本明細書において「不純物」とは、ＧａＮ基板に含有されるＧａ元素及びＮ元素以外の成分を意味する。
　該領域の少なくとも一部におけるキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ－３以上、更には２×１０１８ｃｍ－３以上、更には３×１０１８ｃｍ－３以上、更には４×１０１８ｃｍ－３以上、更には６×１０１８ｃｍ－３以上、更には８×１０１８ｃｍ－３以上であり得る。なお、本明細書でキャリア濃度に言及するときは、特に断らない限り、室温でのキャリア濃度を意味する。
　（０００１）配向したＧａＮウエハとは、（０００１）結晶面すなわちｃ面と平行または略平行な主面（大面積面）を有するＧａＮウエハであり、ｃ面ＧａＮウエハともいう。
　図１および図２に、実施形態に係るＧａＮ基板ウエハの一例を示す。図１は斜視図であり、図２は断面図である。
　図１および図２に示すＧａＮ基板ウエハ１００は、ＧａＮ結晶のみからなる、自立した基板ウエハであり、その２つの主面の一方はＮ極性面１０１、他方はＧａ極性面１０２である。
　Ｎ極性面１０１とＧａ極性面１０２は互いに平行である。
　ＧａＮ基板ウエハ１００は（０００１）配向しており、Ｇａ極性面１０２の（０００１）結晶面からの傾斜は１０度以下（０度を含む）である。該傾斜は、０．２度以上であってもよい。また、該傾斜は、好ましくは５度以下、より好ましくは２．５度以下である。該傾斜は、１．５度以下であってもよく、１度以下であってもよい。
　ＧａＮ基板ウエハ１００の直径は、通常４５ｍｍ以上であり、９５ｍｍ以上、あるいは１４５ｍｍ以上であってもよい。典型的には５０～５５ｍｍ（約２インチ）、１００～１０５ｍｍ（約４インチ）、１５０～１５５ｍｍ（約６インチ）等である。
　ＧａＮ基板ウエハ１００の厚さの好ましい範囲は、直径に応じて変わる。
　ＧａＮ基板ウエハ１００の直径が約２インチのとき、厚さは好ましくは２５０μｍ以上、より好ましくは３００μｍ以上、更に好ましくは３５０μｍ以上であり、また、好ましくは４５０μｍ以下、より好ましくは４００μｍ以下である。
　ＧａＮ基板ウエハ１００の直径が約４インチのとき、厚さは好ましくは３５０μｍ以上、より好ましくは４００μｍ以上であり、また、好ましくは７５０μｍ以下、より好ましくは６５０μｍ以下、更に好ましくは６００μｍ以下である。
　ＧａＮ基板ウエハ１００の直径が約６インチのとき、厚さは好ましくは４５０μｍ以上、より好ましくは５５０μｍ以上であり、また、好ましくは８００μｍ以下、より好ましくは７００μｍ以下である。
　上記の通り、ＧａＮ基板ウエハ１００は通常円盤形であるが、変形例では、主面の形状が正方形、長方形、六角形、八角形、楕円形などであってもよく、不定形であってもよい。このような変形例の場合は、前記の直径を「主面において重心を通る直線として最も短い長さ」と読み替えることができる。
　ＧａＮ基板ウエハ１００のＮ極性面１０１は「裏面」であり、鏡面仕上げされていてもよいし、粗面或いは艶消し仕上げされていてもよい。
　ＧａＮ基板ウエハ１００のＧａ極性面１０２は「おもて面」であり、ＧａＮ基板ウエハ１００が窒化物半導体デバイスの製造に使用されるときは、通常、Ｇａ極性面１０２上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長される。
　Ｇａ極性面１０２は結晶成長させたままの状態（as-grown）の表面であってもよいが、好ましくは、研磨、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）、エッチング等の加工を受けて平坦化された表面（平坦面）である。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定されるＧａ極性面１０２の根二乗平均（ＲＭＳ）粗さは、測定範囲２μｍ×２μｍにおいて好ましくは５ｎｍ未満、より好ましくは２ｎｍ未満、更に好ましくは１ｎｍ未満であり、０．５ｎｍ未満であってもよい。Ｇａ極性面１０２は切削によって形成された面であってもよいが、切削せずに研磨、ＣＭＰ、エッチング等の平坦化のみを施された面であることが好ましい。
　ＧａＮ基板ウエハ１００は、その２つの主面の間に再成長界面１０３を有しており、再成長界面１０３を挟んでＮ極性側に第一領域１１０、Ｇａ極性側に第二領域１２０を有している。「再成長界面」とは、任意の基板上にＧａＮ結晶が成長した際に生じる境界面を意味し、その存在は、例えばＧａＮ基板ウエハの断面を走査電子顕微鏡カソードルミネッセンス観察または蛍光顕微鏡観察することによって確認することができる。
　再成長界面１０３は、Ｇａ極性面１０２と平行であることが好ましいが、必須ではない。再成長界面１０３がＧａ極性面１０２から傾斜しているとき、通常、第二領域１２０の厚さは傾斜方向の一方端で最小となり、他方端で最大となる。第二領域１２０の該一方端における厚さと該他方端における厚さの差が２００μｍを超えないことが好ましい。
　ＧａＮ基板ウエハ１００を用いた窒化物半導体デバイスの製造過程では、最終的に第一領域１１０が除去されることが想定される。つまり、ＧａＮ基板ウエハ１００を用いて製造される窒化物半導体デバイスチップには、第一領域１１０に由来する部分が含まれないことが想定される。このような使用態様であれば、第一領域１１０をなすＧａＮ結晶の電気特性に特段の要求事項はない。
　第一領域１１０をなすＧａＮ結晶は通常、ＨＶＰＥで成長されるので、その不純物濃度に関し、次の（ａ）～（ｃ）から選ばれる一以上の条件を充たす。本明細書においてＨＶＰＥとは、ハイドライド気相成長法（Hydride Vapor Phase Epitaxy）を意味する。
（ａ）Ｓｉ濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上
（ｂ）Ｏ濃度が３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
（ｃ）Ｈ濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
　好ましくは、第一領域１１０をなすＧａＮ結晶は意図的ドープされないので、そのＳｉ濃度は１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である。
　ＨＶＰＥで成長される、意図的ドープされていないＧａＮにおいては、Ｓｉ濃度が５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、Ｏ濃度が２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、Ｈ濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、Ｓｉ、ＯおよびＨ以外の各不純物の濃度が５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり得る。なお「意図的なドープ」とは、ＧａＮ結晶を成長させる過程で、対象とする元素を原料として添加することを意味する。
　第二領域１２０は通常、第一領域１１０の上にＨＶＰＥで成長される。第一領域１１０と第二領域１２０の間に再成長界面１０３が存在するのは、第一領域１１０を成長させる工程と第二領域１２０を成長させる工程とが連続していないからである。
　第二領域１２０の最小厚さは、少なくとも２０μｍ、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上であり、１００μｍ以上であってもよい。その理由は、ＧａＮ基板ウエハ１００を用いた窒化物半導体デバイスチップの製造過程で、基板ウエハ１００から第一領域１１０が除去された後、残った第二領域１２０が該半導体デバイスチップの構造を支える基板としての役割を担い得るようにするためである。最小厚さとは、厚さが最小である箇所の厚さを意味する。
　第二領域１２０の最小厚さの上限は、３００μｍである。
　Ｇａ極性面１０２と再成長界面１０３が平行で、第二領域１２０の厚さが一様であるときは、第二領域１２０の厚さは全ての箇所で最小厚さであるとみなされる。
　第二領域１２０においては、ＧａＮ基板ウエハ１００のＧａ極性面１０２から特定長Ｌ以内にある領域が主ドープ領域１２０ａと定められる。第二領域１２０は、少なくとも主ドープ領域１２０ａでドナー不純物の総濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となるようにドーピングされる。ドナー不純物の総濃度とは、全ての種類のドナー不純物の濃度を足し合わせた濃度である。
　特定長Ｌは、通常少なくとも１μｍであり、５μｍ以上、１０μｍ以上、２０μｍ以上、２５μｍ以上、５０μｍ以上、７５μｍ以上、１００μｍ以上、１５０μｍ以上、２００μｍ以上などであり得る。
　主ドープ領域１２０ａの少なくとも一部におけるドナー不純物の総濃度は、好ましくは２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、より好ましくは３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上などであってもよい。
　主ドープ領域１２０ａの少なくとも一部、好ましくは全体で、キャリア濃度が第一領域１１０よりも高い。
　好ましい実施形態においては、ＧａＮ基板ウエハ１００を用いた半導体デバイスチップの製造過程で、ＧａＮ基板ウエハ１００から第一領域１１０に加えて第二領域１２０も一部除去し、主ドープ領域１２０ａを露出させたときでも、主ドープ領域１２０ａのみからなるＧａＮ基板が該半導体デバイスチップの構造を支え得るように、特定長Ｌが定められる。この実施形態では、特定長Ｌは少なくとも２０μｍ、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上であり、１００μｍ以上であってもよい。
　該好ましい実施形態では、第二領域１２０の最小厚さｔ１２０が、特定長Ｌの１．２倍以下であることが好ましい。
　該好ましい実施形態では、主ドープ領域１２０ａ内において、ｃ軸方向に沿ったキャリア濃度の変動が小さいことが望ましい。従って、主ドープ領域１２０ａ内におけるｃ軸方向に沿ったドナー不純物の総濃度の変動は、中央値から好ましくは±２５％以内、より好ましくは±２０％以内、更に好ましくは±１５％以内、より更に好ましくは±１０％以内である。
　主ドープ領域１２０ａを含め、第二領域１２０におけるドナー不純物の総濃度は、過剰なドーピングによる結晶品質の著しい低下を避けるために、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、更には２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とされ得る。
　キャリア濃度を高めるために第二領域１２０に添加されるドーパントがドナー不純物である理由は、ＧａＮにおいてはドナーの方が一般にアクセプターより高い活性化率を示すからである。活性化率とは、ドープされたＧａＮにおける、ドーパントの濃度に対するキャリア濃度の比率のことである。
　第二領域１２０が含有し得るドナー不純物には、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）等の１４族元素と、Ｏ（酸素）、Ｓ（硫黄）等の１６族元素がある。
　第二領域１２０または主ドープ領域１２０ａに最も高い濃度で含有されるドナー不純物は、好ましくはＳｉまたはＧｅであり、それは主に次の２つの理由による。
　第一に、ＳｉとＧｅは、Ｏと並んで高い活性化率を示すドナー不純物である。
　第二に、Ｏを高濃度でドープしたＧａＮを得るためにはファセット成長が必要であるのに対し、ＳｉまたはＧｅを高濃度でドープしたＧａＮはｃ面成長により得ることができる。
　ファセット成長とは、（０００１）配向したＧａＮ膜を、成長表面がピットだらけとなるように成長させる技法である。対照的に、かかるＧａＮ膜を成長表面が平らになるように成長させるのが、ｃ面成長である。
　貫通転位はピットの底に集まる性質を持つため、第二領域１２０をファセット成長で形成した場合、Ｇａ極性面１０２における貫通転位密度の均一性が低下する。しかしながら、窒化物半導体デバイスの製造者が好むのは、貫通転位密度の均一性が高いＧａＮ基板ウエハである。
　第二領域１２０をファセット成長で形成することは、基板ウエハ１００の生産性の点でも不利である。なぜなら、ファセット成長させたＧａＮ膜は、ｃ面成長させたＧａＮ膜に比べ、表面を平坦化するためにより多くの加工時間を要するからである。
　一例では、主ドープ領域１２０ａにおいて、Ｓｉを除くドナー不純物の総濃度をＳｉ濃度の１０％以下、更には５％以下、更には１％以下とすることで、同領域におけるキャリア濃度をＳｉ濃度の調節により制御可能とし得る。
　好ましい態様としては、主ドープ領域１２０ａがＧｅでドープされ、その濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であるとき、同領域におけるＳｉ濃度は、好ましくは４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。
　第二領域１２０は通常、ＨＶＰＥで成長されるので、その不純物濃度に関し、次の（ａ’）～（ｃ’）から選ばれる一以上の条件を充たす。なお、第二領域１２０の条件は、上述の第一領域１１０の条件から独立したものであってよい、つまり、互いに同じ条件であっても、異なる条件であってもよい。
（ａ’）Ｓｉ濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上
（ｂ’）Ｏ濃度が３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
（ｃ’）Ｈ濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
　一例では、図３に示すように、第一領域１１０と第二領域１２０との間の再成長界面１０３が粗面であってもよい。例えば、第二領域１２０を成長させる前に、第一領域１１０の表面をエッチングにより粗面化したとき、再成長界面１０３は粗面となり得る。再成長界面１０３に垂直に第一領域１１０から第二領域１２０に向かう方向を高さ方向とし、該再成長界面における最も高い点と最も低い点の間の高低差を該再成長界面の粗さｒとしたとき、該粗さｒは例えば０．３μｍ以上１２μｍ以下であり得る。
　ＧａＮ基板ウエハ１００のＧａ極性面１０２における転位密度は、再成長界面１０３の近傍における第一領域１１０の転位密度の０．５倍以上２倍未満、２倍以上５倍未満または５倍以上１０倍未満であり得る。Ｇａ極性面１０２の転位密度を上記範囲内とするための方法としては、再成長界面１０３を粗面とする方法が挙げられる。「再成長界面１０３の近傍」とは、再成長界面１０３からＧａ極性面１０２側へ１μｍ迄の領域を意味する。再成長界面１０３が粗面である場合は、該再成長界面における最も高い点を基準とする。
　その他、図１～３には示されていないが、ＧａＮ基板ウエハ１００のエッジは面取りされていてもよい。また、基板ウエハ１００には、結晶の方位を表示するオリエンテーション・フラットまたはノッチ、おもて面と裏面の識別を容易にするためのインデックス・フラット等、必要に応じて様々なマーキングを施すことができる。
　ＧａＮ基板ウエハ１００を用いて製造される半導体デバイスは、基本的に窒化物半導体デバイスである。窒化物半導体デバイスとは、デバイス構造の主要部を窒化物半導体で形成した半導体デバイスである。
　窒化物半導体は、窒化物系III－V族化合物半導体、III族窒化物系化合物半導体、ＧａＮ系半導体などとも呼ばれ、ＧａＮを含む他、ＧａＮのガリウムの一部または全部を他の周期表第１３族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ等）で置換した化合物を含む。
　ＧａＮ基板ウエハ１００を用いて製造し得る窒化物半導体デバイスの種類に限定はなく、一例として、レーザーダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光デバイス、および、整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などの電子デバイスが挙げられる。
　ＧａＮ基板ウエハ１００を用いて窒化物半導体デバイスを製造するときは、図４（ａ）に示すようにＧａＮ基板ウエハ１００が準備された後、そのＧａ極性面１０２上に、図４（ｂ）に示すように、例えばｎ型窒化物半導体層３１０とｐ型窒化物半導体層３２０を少なくとも含むエピタキシャル膜３００が有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）で成長されることにより、エピタキシャルウエハが形成される。
　エッチング加工、イオン注入、電極形成、保護膜形成等を含み得る半導体プロセスが実行された後、エピタキシャルウエハは分断されて窒化物半導体デバイスチップとなるが、分断の前にエピタキシャルウエハを薄化するために、通常、図４（ｃ）に示すように、ＧａＮ基板ウエハ１００の第一領域１１０が研削、エッチング等の方法で除去される。
　この薄化加工は、エピタキシャルウエハの外周部にリング状の厚肉部が残るように行われてもよい。つまり、エピタキシャルウエハの外周部を除いた部分においてのみ、ＧａＮ基板ウエハ１００の第一領域１１０が除去され得る。
　図４（ｃ）では、薄化後のエピタキシャルウエハのＮ極性面側に主ドープ領域１２０ａが露出するよう、ＧａＮ基板ウエハ１００から第二領域１２０も部分的に除去され、主ドープ領域１２０ａのみが残っている。露出した主ドープ領域１２０ａの表面に電極が形成された後、エピタキシャルウエハ３００が分断されてもよい。
２．ＧａＮ基板ウエハの製造方法
　次に、本発明の別の実施形態であるＧａＮ基板ウエハの製造方法について説明する。以下に記載する製造方法は、前記した本発明の一実施形態であるＧａＮ基板ウエハを製造する好ましい一形態である。また、以下に記載するＧａＮ基板ウエハの製造方法によって得られるＧａＮ基板ウエハの好ましい態様は、前記したＧａＮ基板ウエハが挙げられる。
　実施形態に係る前述のＧａＮ基板ウエハ１００は、好ましくは、以下に説明する方法を用いて製造し得る。この方法は、再成長界面を挟んでＮ極性側とＧａ極性側を有するＧａＮ基板ウエハの製造に適用されるものであって、次の工程を有する。
（ii’）基板上に、（０００１）配向した第二ＧａＮ厚膜をＨＶＰＥにより成長させた後、該第二ＧａＮ厚膜をスライスすることにより第二ｃ面ＧａＮウエハを得る第二工程と、
（iii’）該第二ｃ面ＧａＮウエハ上に、（０００１）配向した厚さ５００μｍ以下のＧａＮ膜をＨＶＰＥにより成長させる第三工程とを有し、該ＧａＮ膜には、該第二ｃ面ＧａＮウエハよりもドナー不純物の総濃度が高い領域が設けられる。
　更に、上記第二工程における基板を製造する工程として第一工程を加えた以下の工程とすることが好ましい。従って下記の第一工程は任意である。
（i）意図的にドーピングされていないＧａＮからなり（０００１）配向した第一ＧａＮ厚膜を、シードウエハ上にＨＶＰＥで成長させるとともに、該第一ＧａＮ厚膜を加工して少なくとも１枚の第一ｃ面ＧａＮウエハを得る第一工程。
（ii）意図的にドーピングされていないＧａＮからなり（０００１）配向した第二ＧａＮ厚膜を、第一工程で得た第一ｃ面ＧａＮウエハ上にＨＶＰＥで成長させるとともに、該第二ＧａＮ厚膜から第二ｃ面ＧａＮウエハをスライスする第二工程。
（iii）（０００１）配向した厚さ５００μｍ以下のＧａＮ膜を、第二工程で得た第二ｃ面ＧａＮウエハ上にＨＶＰＥで成長させて積層構造体を得る第三工程。但し、該ＧａＮ膜の少なくとも一部は、第二ｃ面ＧａＮウエハよりもドナー不純物の総濃度が高くなるようにドーピングされる。
　本明細書において「ウエハ上に」は「ウエハの表面に」と同義である。
　以下、上記の第一工程から第三工程を更に詳しく説明する。
　第一工程では、図５（ａ）に示すシードウエハ１を準備のうえ、その上に、図５（ｂ）に示すように、意図的にドーピングされていないＧａＮからなり（０００１）配向した第一ＧａＮ厚膜２をＨＶＰＥで成長させる。更に、図５（ｃ）に示すように、第一ＧａＮ厚膜２を加工することにより、少なくとも１枚の第一ｃ面ＧａＮウエハ３を得る。
　シードウエハ１の一例はｃ面サファイアウエハであり、好ましくは、主面に剥離層を設けたものであってもよい。例えば、ｃ面サファイアウエハ上にＭＯＶＰＥで低温バッファ層を介して厚さ数百ｎｍのＧａＮ層を成長させ、更に、該ＧａＮ層上に真空蒸着で厚さ数十ｎｍのＴｉ（チタン）層を形成した後、８０％のＨ２（水素ガス）と２０％のＮＨ３（アンモニア）の混合ガス中、例えば１０６０℃で３０分間アニールすることにより、剥離層付きのｃ面サファイアウエハを形成することができる。
　シードウエハ１は、別途工程で製造したｃ面ＧａＮウエハであってもよい。
　第一ＧａＮ厚膜２は、当該第一ＧａＮ厚膜２を加工することにより、自立したｃ面ＧａＮウエハを少なくとも１枚作製できるだけの厚さに成長させる。好ましい例では、第一ＧａＮ厚膜２を数ｍｍ以上の厚さに成長させて、そこから少なくとも２枚の第一ｃ面ＧａＮウエハ３をスライスする。
　図６（ａ）は、第一工程で作製された第一ｃ面ＧａＮウエハ３の一枚を示す断面図である。但し第一ｃ面ＧａＮウエハ３は、第一工程により得られたものに限定されない。
　第二工程では、図６（ｂ）に示すように、第一ｃ面ＧａＮウエハ３のＧａ極性面上に、意図的にドーピングされていないＧａＮからなり（０００１）配向した第二ＧａＮ厚膜４を、ＨＶＰＥで成長させ、次いで、図６（ｃ）に示すように、該第二ＧａＮ厚膜４から第二ｃ面ＧａＮウエハ５をスライスする。第二ＧａＮ厚膜４は、当該第二ＧａＮ厚膜４を加工することにより、少なくとも１枚の第二ｃ面ＧａＮウエハ５を作製できるだけの厚さに成長させる。好ましい例では、第二ＧａＮ厚膜４を数ｍｍ以上の厚さに成長させて、そこから少なくとも２枚の第二ｃ面ＧａＮウエハ５をスライスする。
　第二ｃ面ＧａＮウエハ５は、図７（ａ）に断面図を示すように、互いに平行なＮ極性面およびＧａ極性面を主面として有する。
　実施形態に係る前述のＧａＮ基板ウエハ１００を製造する場合には、第二工程で第二ＧａＮ厚膜４から第二ｃ面ＧａＮウエハ５をスライスする際に、第二ＧａＮウエハ５におけるＧａ極性面の（０００１）結晶面からの傾斜角度（オフカット角）および傾斜方向（オフカット方向）を、ＧａＮ基板ウエハ１００が有すべきオフカット角およびオフカット方向と同じとすることが好ましいが、必須ではない。
　ＧａＮ基板ウエハ１００が有すべきオフカット方位は、ＧａＮ基板ウエハ１００を使用する半導体デバイスの製造者の要求に応じて様々であるが、それに応じて様々なオフカット方位を有する第二ｃ面ＧａＮウエハ５を準備することは、ＧａＮ基板ウエハ１００の生産効率の低下につながり得る。第二ｃ面ＧａＮウエハ５のオフカット方位によって、次の第三工程で第二ｃ面ＧａＮウエハ５上にＨＶＰＥでＧａＮ膜６を成長させるときの最適条件が変わり得ることにも、注意が必要である。
　第二ｃ面ＧａＮウエハ５の初期厚ｔ５ｉは、窒化物半導体デバイスの製造に用いられるＧａＮ基板ウエハが通常有する厚さより薄くてもよい。なぜなら、多数の工程からなる半導体プロセスに耐える必要があるＧａＮ基板ウエハと異なり、第二ｃ面ＧａＮウエハ５は次の第三工程までの間に破損しなければよいだけからである。
　例えば、第二ｃ面ＧａＮウエハ５の直径が約２インチであるとき、その初期厚ｔ５ｉは好ましくは３００μｍ以下であり、２５０μｍ以下、更には２００μｍ以下であってもよい。
　第二ｃ面ＧａＮウエハ５の初期厚ｔ５ｉを小さくすることで、第二ＧａＮ厚膜４からスライスし得る第二ｃ面ＧａＮウエハ５の枚数を増やし得る。
　第三工程では、図７（ｂ）に示すように、第二ｃ面ＧａＮウエハ５のＧａ極性面上に、（０００１）配向した厚さ５００μｍ以下のＧａＮ膜６をＨＶＰＥで成長させて、積層構造体を得る。このとき、第二ｃ面ＧａＮウエハ５とＧａＮ膜６の間には再成長界面が形成される。
　通常、第二ｃ面ＧａＮウエハ５のＧａ極性面は、ＧａＮ膜６を成長させる前に研削、研磨、ＣＭＰ等の技法を適宜用いて平坦に加工される（平坦化工程）。
　一例では、第二ｃ面ＧａＮウエハ５のＧａ極性面を平坦化した後に、更にエッチングで粗面に加工したうえで（粗化工程）、ＧａＮ膜６を成長させてもよい。
　第二ｃ面ＧａＮウエハ５の転位密度が１０６ｃｍ－２前半以下であるとき、そのＧａ極性面を粗化しても、その上に成長するＧａＮ膜６の転位密度が顕著に減少することはない。むしろＧａＮ膜６の転位密度は、第二ｃ面ＧａＮウエハ５と同程度以上、具体的には、第二ｃ面ＧａＮウエハ５のＧａ極性面における転位密度の０．５倍以上２倍未満、あるいはそれよりも高い値となる。
　第二ｃ面ＧａＮウエハ５のＧａ極性面を粗化したときの利点は、ＧａＮ膜６の成長により形成される積層構造体が割れ難くなることであり、クラック発生頻度は該Ｇａ極性面を粗化しないときの１０分の１を下回り得る。
　ＨＣｌ（塩化水素）をエッチングガスに用いると、ＧａＮのＧａ極性面はエッチングマスクを用いることなく粗化することが可能である。ＧａＮ膜６の成長に用いるＨＶＰＥ装置にエッチング用のＨＣｌ供給ラインを設ければ、該ＨＶＰＥ装置のリアクター内で、ＧａＮ膜６の成長直前に、第二ｃ面ＧａＮウエハ５のＧａ極性面を粗化することができる。
　ＨＣｌをエッチングガスに用いるときの好ましいエッチング条件は次の通りである。
　ＨＣｌ分圧は、例えば０．００２～０．０５ａｔｍである。
　Ｈ２分圧は、例えば０．２～０．８ａｔｍである。
　ＮＨ３分圧は、例えば０．０１～０．０５ａｔｍである。ＮＨ３を流すことで、ＧａＮのＧａ極性面はより均一に粗化される。
　エッチング温度は、例えば９００～１０５０℃である。
　エッチング時間は、例えば１～６０分である。
　エッチング後の第二ｃ面ＧａＮウエハのＧａ極性面の粗さを、最も高い点と最も低い点の間の高低差と定義したとき、該粗さは例えば０．３～１２μｍとし得る。
　ＨＣｌを用いたエッチングでは、エッチング時間以外の条件を固定したとき、エッチング時間とともに、第二ｃ面ＧａＮウエハのＧａ極性面の粗さは大きくなる傾向がある。
　奇妙なことに、Ｇａ極性面を粗さが０．６～１２μｍとなるようＨＣｌでエッチングしたとき、その上に成長させたＧａＮ膜６の転位密度は第二ｃ面ＧａＮウエハ５のそれより数倍から最大で１０倍程度まで高くなる。従って、製造効率も考慮すると、ＨＣｌをエッチングガスに用いるときのエッチング時間は、Ｇａ極性面の粗さが０．５μｍを超えないように定めることが好ましい。
　例えば、ＨＣｌ分圧０．０１～０．０２ａｔｍ、Ｈ２分圧０．０５～０．０８ａｔｍ、ＮＨ３分圧０．０１～０．０３ａｔｍ、温度９７０～１０００℃という条件で第二ｃ面ＧａＮウエハ５のＧａ極性面をエッチングするときの好ましいエッチング時間は５分以下である。
　一例では、第二ｃ面ＧａＮウエハ５のＧａ極性面を、フォトリソグラフィ技法によりパターニングしたエッチングマスクを形成したうえで、ドライエッチングすることにより粗面としてもよい。ドットパターンとネットパターンが、エッチングマスクの好適なパターンの典型例である。ドライエッチングは、Ｃｌ２（塩素ガス）または含塩素化合物をエッチングガスに用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）であってもよい。
　ＧａＮ膜６には、ドナー不純物の総濃度が第二ｃ面ＧａＮウエハ５よりも高くなるようにドーピングした部分が設けられる。該部分の少なくとも一部におけるキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ－３以上、更には２×１０１８ｃｍ－３以上、更には３×１０１８ｃｍ－３以上、更には４×１０１８ｃｍ－３以上、更には６×１０１８ｃｍ－３以上、更には８×１０１８ｃｍ－３以上であり得る。好ましく用いられるドナー不純物はＳｉおよびＧｅである。
　好適例では、ＧａＮ膜６に特定ドープ領域６ａを設けてもよい。特定ドープ領域６ａは、その上端（［０００１］側の端）がＧａＮ膜６の上面であり、ｃ軸方向の領域長が１μｍ以上であることが好ましく、かつ、領域内においてドナー不純物の総濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の領域である。換言すれば、この領域長は、ドナー不純物の総濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である領域の厚さ（厚み方向の高さ）を意味する。
　特定ドープ領域６ａの、ｃ軸方向の領域長は、５μｍ以上、１０μｍ以上、２０μｍ以上、２５μｍ以上、５０μｍ以上、７５μｍ以上、１００μｍ以上、１５０μｍ以上、２００μｍ以上などであり得る。
　特定ドープ領域６ａにおけるドナー不純物の総濃度は、好ましくは２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、より好ましくは３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上などであってもよい。
　特定ドープ領域６ａの少なくとも一部、好ましくは全体で、キャリア濃度が第二ｃ面ＧａＮウエハ５よりも高い。
　好ましい実施形態においては、製造すべきＧａＮ基板ウエハのＧａ極性側に、十分なキャリア濃度を有する領域を２０μｍ以上、５０μｍ以上、１００μｍ以上などの厚さで設け得るように、ＧａＮ膜６に設ける特定ドープ領域６ａのｃ軸方向の領域長を２０μｍ以上、５０μｍ以上、１００μｍ以上などとすることができる。
　該好ましい実施形態では、特定ドープ領域６ａ内において、ｃ軸方向に沿ったキャリア濃度の変動が無いことが望ましい。従って、特定ドープ領域６ａ内におけるｃ軸方向に沿ったドナー不純物の総濃度の変動は、中央値から好ましくは±２５％以内、より好ましくは±２０％以内、更に好ましくは±１５％以内、より更に好ましくは±１０％以内である。
　ＧａＮ膜６は、特定ドープ領域６ａと第二ｃ面ＧａＮウエハ５との間に介在領域６ｂを有し得る。介在領域６ｂはドーピングに関して何の制約も受けない。例えば、介在領域６ｂは、一部のみが意図的にドーピングされ得る。ここで介在領域とは、ＧａＮ膜６において特定ドープ領域６ａに該当しない領域に相当する。すなわち介在領域のドナー不純物の総濃度は１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である。
　一例では、特定ドープ領域６ａに添加するドーパントと同種のドーパントを、介在領域６ｂに少なくとも部分的に添加してもよく、更に、該ドーパントの濃度は、介在領域６ｂ内で特定ドープ領域６ａに近付くにつれて連続的または段階的に増加していてもよい。
　介在領域６ｂの厚さは、特定ドープ領域６ａと介在領域６ｂを合わせたＧａＮ膜６の厚さが５００μｍを超えないように定めればよいが、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは４０μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以下であり、１０μｍ以下であってもよい。
　一例では、特定ドープ領域６ａにおいて、Ｓｉを除くドナー不純物の総濃度をＳｉ濃度の１０％以下、更には５％以下、更には１％以下とすることで、同領域におけるキャリア濃度をＳｉ濃度の調節により制御可能とし得る。
　特定ドープ領域６ａがＧｅでドープされ、その濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であるとき、同領域におけるＳｉ濃度は、好ましくは４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。
　ＧａＮ膜６におけるドナー不純物の総濃度の最大値は、過剰なドーピングによる結晶品質の著しい低下を避けるために、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、更には２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、更には１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とされ得る。
　実施形態に係る前述のＧａＮ基板ウエハ１００を製造する場合、ＧａＮ膜６の成長厚みｔ６ｇは、該ＧａＮ基板ウエハの第二領域１２０の設計厚みを考慮して、２０μｍから５００μｍの間で設定される。
　ＧａＮ膜６の成長厚ｔ６ｇは、製造すべきＧａＮ基板ウエハにおける第二領域１２０の設計厚と同じでもよいが、好ましくは該設計厚より大きくする。そうすることで、後の薄化工程においてＧａＮ膜６の表面の平坦化加工が可能となるからである。この場合、ＧａＮ膜６の成長厚ｔ６ｇは、該第二領域１２０の設計厚より５０μｍ以上大きいことが好ましく、１００μｍ以上大きいことがより好ましく、また、該設計厚を２００μｍ以上超えないことが好ましい。換言すれば、薄化工程の前後におけるＧａＮ膜６の厚さ差が２００μｍ以下であることが好ましい。
　ＧａＮ膜６の成長厚ｔ６ｇが、第二領域１２０の設計厚より５０μｍ以上大きいとき、後の薄化工程ではＧａＮ膜６の厚さが５０μｍ以上減じられる。換言すれば、薄化工程の前後におけるＧａＮ膜６の厚さ差が５０μｍ以上となる。
　成長厚ｔ６ｇが５００μｍを超えないことから、ＧａＮ膜６は比較的短時間で形成することができ、それ故に、副生物であるＮＨ４Ｃｌ（塩化アンモニウム）がＨＶＰＥ装置の排気システムを閉塞させることを心配することなく、一度に多数の第二ｃ面ＧａＮウエハ５上にＧａＮ膜６を成長させることが可能である。よって、第三工程におけるスループットは極めて高いものとなり得る。
　更に、ＧａＮ膜６の形成に要する時間が短いことは、ＨＶＰＥリアクターの洗浄とメンテナンスに関連するコストの削減にも寄与し得る。なぜなら、ＨＶＰＥリアクターは、１回の成長工程の所要時間が短いときの方が劣化の進行が遅く、使用寿命が長くなるからである。
　第三工程の後、必要に応じて、図７（ｃ）に示すように、第三工程で得た積層構造体を薄化する薄化工程が行なわれる。
　図７（ｃ）では、第二ｃ面ＧａＮウエハ５の厚さが初期厚ｔ５ｉから最終厚ｔ５ｆに減じられるとともに、ＧａＮ膜６の厚さが成長厚ｔ６ｇから最終厚ｔ６ｆに減じられているが、薄化工程では第二ｃ面ＧａＮウエハ５とＧａＮ膜６のいずれか一方のみが加工されてもよい。
　実施形態に係る前述のＧａＮ基板ウエハ１００を製造する場合には、薄化工程において、第二ｃ面ＧａＮウエハ５とＧａＮ膜６の厚さが、該ＧａＮ基板ウエハにおける第一領域１１０および第二領域１２０の設計厚とそれぞれ一致するまで減じられる。
　薄化工程において第二ｃ面ＧａＮウエハ５および／またはＧａＮ膜６の加工に用いる技法は、研削、ラッピング、ＣＭＰ、ドライエッチング、ウェットエッチング等から適宜選択することができる。
　製造すべきＧａＮ基板ウエハ１００のオフカット方位と、第二ｃ面ＧａＮウエハ５のオフカット方位とが同じであるときは、面方位の基準として、加工すべき積層構造体のＮ極性面すなわち第二ｃ面ＧａＮウエハ５の裏面が用いられ得る。
　製造すべきＧａＮ基板ウエハ１００のオフカット方位が、第二ｃ面ＧａＮウエハ５のそれと異なるとき、すなわちオフカット角とオフカット方向の少なくともいずれかが異なるときは、加工すべき積層構造体の結晶方位がＸ線回折装置で確認される。
　以上に説明した製造方法を用いることにより、実施形態に係るＧａＮ基板ウエハ１００を歩留りよく生産することができる。
　その理由は、意図的にドーピングしたＧａＮ厚膜をＨＶＰＥでｍｍオーダーの厚さに成長させる工程、および、そのように成長させたＧａＮ厚膜をスライス加工する工程が、存在しないことによる。
　第一工程および第二工程では、ＧａＮ厚膜をＨＶＰＥでｍｍオーダーの厚さに成長させてもよいが、これらの工程で成長させる第一ＧａＮ厚膜２および第二ＧａＮ厚膜４は、意図的にドーピングされないので、成長中にモホロジー異常やクラックが発生し難く、また、スライス中に割れる頻度も低い。
　一方、第三工程で成長させるＧａＮ膜６は意図的にドーピングされるが、ＧａＮ膜６の成長厚は５００μｍ以下に過ぎないので、成長中にモホロジー異常やクラックが発生し難い。しかも、ＧａＮ膜６はスライス加工する必要がない。すなわち、前記した薄化工程においてスライス加工を施す必要がない。特に、第三で形成されたＧａＮ膜６はスライス加工することなく薄化工程を経ることが好ましい。
　更に、以上に説明した製造方法によれば、ＧａＮ基板ウエハ１００の主面内におけるオフカット角のバラツキを小さくすることが可能である。
　理由は、意図的にドーピングしていない第一ｃ面ＧａＮウエハ３上に、意図的にドーピングせずホモエピタキシャル成長される第二ＧａＮ厚膜４の反りは、極めて小さいものとなり得ること、それゆえに、その第二ＧａＮ厚膜４からスライスされる第二ｃ面ＧａＮウエハ５において、オフカット角のバラツキが極めて小さくなり得ることにある。第三工程で第二ｃ面ＧａＮウエハ５上にＧａＮ膜６を積層することによる反りの変化は小さく、これは、ＧａＮ膜６の成長厚が５００μｍ以下と小さいことによる。
　上述の方法でＧａＮ基板ウエハ１００を製造するにあたり、第一工程～第三工程で使用し得るＨＶＰＥ装置について、図８を参照しつつ以下に説明する。
　図８に示すＨＶＰＥ装置１０は、ホットウォール型のリアクター１１と、該リアクター内に配置されるガリウム溜め１２およびサセプター１３と、該リアクターの外部に配置される第一ヒーター１４および第二ヒーター１５を備えている。第一ヒーター１４および第二ヒーター１５は、それぞれ、リアクター１１を環状に取り囲んでいる。
　リアクター１１は石英管チャンバーである。リアクター１１内には、主に第一ヒーター１４で加熱される第一ゾーンＺ１と、主に第二ヒーター１５で加熱される第二ゾーンＺ２がある。排気管ＰＥは第二ゾーンＺ２側のリアクター端に接続される。
　第一ゾーンＺ１に配置されるガリウム溜め１２は、ガス入口とガス出口を有する石英容器である。
　第二ゾーンＺ２に配置されるサセプター１３は、例えばグラファイトで形成される。サセプター１３を回転させる機構は任意に設けることができる。
　ＨＶＰＥ装置１０でＧａＮを成長させるには、サセプター１３上にシードを置いたうえで、第一ヒーター１４および第二ヒーター１５でリアクター１１内を加熱するとともに、キャリアガスで希釈されたＮＨ３（アンモニア）をアンモニア導入管Ｐ１を通して第二ゾーンＺ２に供給し、また、キャリアガスで希釈されたＨＣｌ（塩化水素）を塩化水素導入管Ｐ２を通してガリウム溜め１２に供給する。このＨＣｌはガリウム溜め１２の中の金属ガリウムと反応し、生じたＧａＣｌ（塩化ガリウム）が塩化ガリウム導入管Ｐ３を通して第二ゾーンＺ２に運ばれる。
　第二ゾーンＺ２でＮＨ３とＧａＣｌが反応し、生じるＧａＮがサセプター１３上に置かれたシード上で結晶化する。
　成長するＧａＮをドープするときは、キャリアガスで希釈されたドーピングガスをドーパント導入管Ｐ４を通してリアクター１１内の第二ゾーンＺ２に導く。
　アンモニア導入管Ｐ１、塩化水素導入管Ｐ２、塩化ガリウム導入管Ｐ３およびドーパント導入管Ｐ４は、リアクター１１内に配置される部分が石英で形成される。
　ＮＨ３、ＨＣｌおよびドーピングガスのそれぞれを希釈するキャリアガスには、Ｈ２（水素ガス）、Ｎ２（窒素ガス）またはＨ２とＮ２の混合ガスが好ましく用いられる。
　ＨＶＰＥ装置１０を用いてＧａＮを成長させるときの好ましい条件は、次の通りである。
　ガリウム溜めの温度は、例えば５００～１０００℃であり、好ましくは７００℃以上、また、好ましくは９００℃以下である。
　サセプター温度は、例えば９００～１１００℃であり、好ましくは９３０℃以上、より好ましくは９５０℃以上であり、また、好ましくは１０５０℃以下、より好ましくは１０２０℃以下である。
　リアクター内のＮＨ３分圧とＧａＣｌ分圧との比であるＶ／ＩＩＩ比は、例えば１～２０であり、好ましくは２以上、より好ましくは３以上であり、また、好ましくは１０以下である。
　Ｖ／ＩＩＩ比は大き過ぎても小さ過ぎても、ＧａＮの成長表面のモホロジーが悪化する原因となる。成長表面のモホロジー悪化は、結晶品質の低下の原因となり得る。
　ある種の不純物では、ＧａＮ結晶への取り込み効率が、成長表面の結晶方位に強く依存する。成長表面のモホロジーが良好でない条件で成長させたＧａＮ結晶の内部では、かかる不純物の濃度の均一性が低下する。これは、モホロジーの悪い成長表面には、様々な方位のファセットが存在することによる。
　ＧａＮ結晶への取り込み効率が成長表面の結晶方位により異なる不純物の典型例はＯ（酸素）であるが、Ｇｅ（ゲルマニウム）も同様の傾向があることを本発明者等は見出している。後述するように、第三工程でＧａＮ膜６をＧｅドープするとき、キャリアガス中のＨ２のモル比を下げ過ぎない方がよいのは、このことに関係している。
　その他として、低過ぎるＶ／ＩＩＩ比の使用は、成長するＧａＮ結晶の窒素空孔濃度を増加させる。窒素空孔がＧａＮ結晶やそれを用いたＧａＮ基板、あるいはそのＧａＮ基板上に形成される窒化物半導体デバイスに与える影響は今のところ明らかではないが、点欠陥であることから、濃度はできるだけ低くすべきと考えられる。
　ＧａＮの成長レートは、リアクター内のＮＨ３分圧とＧａＣｌ分圧の積をパラメータとして制御できる。該レートは例えば２０～２００μｍ／ｈであり、特に第三工程でＧａＮ膜６を成長させるときは、好ましくは１２０μｍ／ｈ以下、より好ましくは１００μｍ／ｈ以下、更に好ましくは８０μｍ／ｈ以下である。高過ぎる成長レートは成長するＧａＮの表面モホロジーを悪化させるからである。
　第三工程でＧａＮ膜６を意図的にドーピングするとき、成長表面のモホロジー悪化を防ぐために、ドーピングガスの供給レートは、供給開始から数分ないし数十分かけて徐々に所定値まで増加させることが好ましい。
　同じ理由から、ドーピングガスの供給は、ＧａＮ膜６を少なくとも数μｍ成長させた時点で開始することが好ましい。
　ＳｉドーピングのためのドーピングガスにはＳｉＨ４（シラン）、ＳｉＨ３Ｃｌ（モノクロロシラン）、ＳｉＨ２Ｃｌｓ（ジクロロシラン）、ＳｉＨＣｌ３（トリクロロシラン）またはＳｉＣｌ４（テトラクロロシラン）を好ましく使用し得る。
　ＧｅドーピングのためのドーピングガスにはＧｅＨ４（ゲルマン）、ＧｅＨ３Ｃｌ（モノクロロゲルマン）、ＧｅＨ２Ｃｌｓ（ジクロロゲルマン）、ＧｅＨＣｌ３（トリクロロゲルマン）またはＧｅＣｌ４（テトラクロロゲルマン）を好ましく使用し得る。
　キャリアガス中のＨ２のモル比は、成長するＧａＮの不純物濃度に影響し得る。ここでいうキャリアガス中のＨ２のモル比は、リアクター外からリアクター内にキャリアガスとして供給される各ガス種の流量に基づいて算出される。
　サファイア基板上にＨＶＰＥで成長させたＧａＮ結晶から切り出したｃ面ＧａＮウエハのＧａ極性面上に、同じＶ／ＩＩＩ比を用いて略同じ成長レートでＨＶＰＥにより成長させたＳｉまたはＧｅドープＧａＮの不純物濃度が、キャリアガス中のＨ２のモル比によりどのように変化するかを調べた結果を下記表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から分かるように、ＳｉドープＧａＮのＯ濃度は、キャリアガスがＮ２のみのときＳｉ濃度の１０％以下である。Ｓｉ以外のドナーは実質的にＯのみなので、これはＳｉを除くドナーの総濃度がＳｉ濃度の１０％以下であることに等しい。キャリアガス中のＨ２のモル比を上げると、ＳｉドープＧａＮのＯ濃度は更に低くなり、該モル比が０．７のときでＳｉ濃度の１％未満となる。
　一方、ＧｅドープＧａＮでは、キャリアガス中のＨ２のモル比が０（ゼロ）のとき、該モル比が０．７のときに比べ、Ｇｅ濃度が１０倍以上高く、また、Ｓｉ濃度に対するＧｅ濃度の比もより高い。従って、一見すると、キャリアガス中のＨ２のモル比は低い方が好ましそうである。
　しかし、キャリアガス中のＨ２のモル比が０のときと０．７のときとでは、前者の方がＯ濃度も１桁高いことから分かるように、前者の条件を用いたときの方がＧａＮの成長表面モホロジーは悪く、Ｇｅ濃度が高いのもそのせいであることを本発明者等は確認している。キャリアガス中のＨ２のモル比が低過ぎる条件では、Ｇｅ濃度の均一性が低いＧａＮ結晶が成長する。
　従って、ＧｅドープＧａＮを成長させるときは、キャリアガス中のＨ２のモル比を０．３～０．７程度とすることが好ましく、そうして成長させたＧｅドープＧａＮでは、Ｇｅ濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のとき、Ｓｉ濃度が４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。
　ＳｉとＧｅのいずれでドープしたときも、ＨＶＰＥで成長されるＧａＮのＯ濃度は、キャリアガス中のＨ２のモル比を上げると低下する傾向があり、２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、更には１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となり得る。これは、成長中の表面モホロジーが改善されるためである。
　ＨＶＰＥ装置１０を用いて成長されるＧａＮは、意図的にドーピングしないときであっても、ＯおよびＳｉをＳＩＭＳで検出可能な濃度で含有し得る。Ｓｉ源は、リアクターおよびリアクター内の配管に用いられる石英（ＳｉＯ２）であり、Ｏ源は、かかる石英と、リアクター内に残留または侵入した水分の、いずれかまたは両方である。
　図８では図示が省略されている部品を含め、リアクター１１内に配置される部品には、石英とカーボンの他に、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＳｉＮｘ（窒化ケイ素）、ＢＮ（窒化ホウ素）、アルミナ、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）などで形成されたものを用いることができる。そうすることで、ＨＶＰＥ装置１０を用いて成長されるＧａＮにおける、Ｓｉ、ＯおよびＨを除く各不純物の濃度は、意図的なドーピングをしない限り、５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とし得る。
　以下に実施例を示し、本発明を更に具体的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で種々の応用が可能である。
［実施例］
＜第二ｃ面ＧａＮウエハの作成（第二工程）＞
　まずＧａＮシードをＨＶＰＥ装置のサセプター上にセットした。ＧａＮシードとしては、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）により作成したサファイア上のＧａＮテンプレート基板を用い、ｃ面側を成長面とした。
　次いで、Ｎ２、Ｈ２およびＮＨ３を、それぞれの分圧が０．６７ａｔｍ、０．３１ａｔｍおよび０．０２ａｔｍとなるようにリアクター内に供給しながら、リアクターの外側に設置したヒーターによってリアクター内を加熱した。
　サセプター温度が１０００℃に到達した後は、サセプター温度を一定に保持し、ＧａＮを成長させた。ガリウム溜めの温度は９００℃に設定した。成長時にリアクター内に供給するキャリアガスは６９モル％をＨ２とし、残りをＮ２とした。
　ＧａＣｌおよびＮＨ３をそれぞれの分圧が７．９×１０－３ａｔｍおよび０．０２４ａｔｍとなるようにリアクター内に供給し、ドナー不純物を含有していない第二ＧａＮ厚膜を約２．５ｍｍの厚さに成長させた。厚さと成長時間から算出した第二ＧａＮ厚膜の成長レートは約４０μｍ／ｈであった。
　次いで、このＧａＮ厚膜をｃ面に平行にスライスしてウエハを得た後、該ウエハのＧａ極性面に、研削による平坦化とそれに続くＣＭＰ仕上げを施した。該ウエハのＮ極性面側のスライスダメージは、エッチングにより除去した。更に、ウエハをカットすることにより、厚さ３５０μｍのドナー不純物を含有していない第二ｃ面ＧａＮウエハを作成した。
　なお、成長時間を長くすることにより第二ＧａＮ厚膜の厚さを厚くすれば、第二ｃ面ＧａＮウエハを２枚以上得ることができる。
＜ＧａＮ基板ウエハの作製（第三工程）＞
　前記第二ｃ面ＧａＮウエハをシードとして、ｃ面側を成長面としてＨＶＰＥ装置のサセプター上にセットした。
　次いで、Ｎ２、Ｈ２およびＮＨ３を、それぞれの分圧が０．２５ａｔｍ、０．７３ａｔｍおよび０．０２ａｔｍとなるようにリアクター内に供給しながら、リアクターの外側に設置したヒーターによってリアクター内を加熱した。
　サセプター温度が１０００℃に到達した後は、サセプター温度を一定に保持し、ＧａＮを成長させた。ガリウム溜めの温度は９００℃に設定した。成長時にリアクター内に供給するキャリアガスは、７３モル％をＨ２とし、残りをＮ２とした。
　成長開始直後から１分間は、粗面化として、ＨＣｌおよびＮＨ３をそれぞれの分圧が１．７×１０－２ａｔｍおよび０．０２４ａｔｍとなるようにリアクター内に供給し、意図的なドーピングガスの供給は行わなかった。
　粗面化の後６０分間は、ＧａＣｌおよびＮＨ３をそれぞれの分圧が７．９×１０－３ａｔｍおよび０．０２４ａｔｍとなるようにリアクター内に供給し、意図的なドーピングガスの供給は行わなかった。
　成長開始から６１分後、リアクター内へのＳｉＨ２Ｃｌ２の供給を開始した。ＳｉＨ２Ｃｌ２の供給レートは５分間かけて徐々に増加させた。
　ＳｉＨ２Ｃｌ２の供給レートが所定値に達した後は、ＧａＣｌ、ＮＨ３およびＳｉＨ２Ｃｌ２を、それぞれの分圧が７．９×１０－３ａｔｍ、０．０２４ａｔｍおよび１．９×１０－８ａｔｍとなるようにリアクター内に供給し、ドナー不純物としてＳｉをドープしたＧａＮ膜を約０．４ｍｍの厚さに成長させた。ＧａＮ膜の面はスライスすることなく、研磨することによって仕上げ、直径約６０ｍｍのＳｉドープＧａＮ基板ウエハを得た。
　厚さと成長時間から算出したＳｉドープＧａＮ膜の成長レートは約４０μｍ／ｈであった。
　上記の製造方法により得られたＧａＮ基板ウエハは、再成長界面を有し、Ｎ極性側に第一領域、Ｇａ極性側に第二領域を有する２層基板であり、Ｇａ極性側すなわちＧａＮ膜のキャリア濃度は４．０×１０１８ｃｍ－３であった。図９に示す通り、Ｇａ極性側は全面に亘ってキャリア濃度は１．０×１０１８ｃｍ－３以上であり、端部を除けば概ね４．０×１０１８ｃｍ－３で安定していた。また、クラックの発生や、表面荒れは見られなかった。
［参考例］
　上記実施例において、ＳｉをドープしたＧａＮ膜の成長時間を約６倍に延長することにより、ＧａＮ膜の厚さを約２．５ｍｍとした。得られたＧａＮ基板ウエハ（２層基板）は、異常成長部の発生が確認された。ここで言う異常成長部とは、基板面内のいくつかの部分において、ＳｉＮｘを起因とする深い窪みが散見された。
　以上、本発明を具体的な実施形態に即して説明したが、各実施形態は例として提示されたものであり、本発明の範囲を限定するものではない。本明細書に記載された各実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、様々に変形することができ、かつ、実施可能な範囲内で、他の実施形態により説明された特徴と組み合わせることができる。
１　シードウエハ
２　第一ＧａＮ厚膜
３　第一ｃ面ＧａＮウエハ
４　第二ＧａＮ厚膜
５　第二ｃ面ＧａＮウエハ
６　ＧａＮ膜
６ａ　特定ドープ領域
６ｂ　介在領域
１０　ＨＶＰＥ装置
１１　リアクター
１２　ガリウム溜め
１３　サセプター
１４　第一ヒーター
１５　第二ヒーター
１００　ＧａＮ基板ウエハ
１０１　Ｎ極性面
１０２　Ｇａ極性面
１０３　再成長界面
１１０　第一領域
１２０　第二領域
１２０ａ　主ドープ領域
２００　エピタキシャル膜
２１０　ｎ型窒化物半導体層
２２０　ｐ型窒化物半導体層
Ｌ　特定長

Claims (35)

  1. 　（０００１）配向したＧａＮ基板ウエハであって、再成長界面を挟んでＮ極性側に設けられた第一領域と、Ｇａ極性側に設けられた第二領域とを有し、該第二領域の最小厚さが２０μｍ以上３００μｍ以下であり、該第二領域には、該第一領域よりドナー不純物総濃度の高い領域が含まれる、ＧａＮ基板ウエハ。
  2. 　前記第一領域よりドナー不純物総濃度の高い領域の少なくとも一部のキャリア濃度が、１×１０１８ｃｍ－３以上である、請求項１に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  3. 　前記ＧａＮ基板ウエハが、以下の（１）～（３）から選ばれる何れかの条件を充たす、請求項１または２に記載のＧａＮ基板ウエハ。
    （１）５０ｍｍ以上５５ｍｍ以下の直径と２５０μｍ以上４５０μｍ以下の厚さを有する。
    （２）１００ｍｍ以上１０５ｍｍ以下の直径と３５０μｍ以上７５０μｍ以下の厚さを有する。
    （３）１５０ｍｍ以上１５５ｍｍ以下の直径と４５０μｍ以上８００μｍ以下の厚さを有する。
  4. 　前記第二領域は、ドナー不純物総濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である主ドープ領域を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  5. 　前記第二領域において、ＧａＮ極性側の主面から特定長以内の領域が前記主ドープ領域であり、かつ、該特定長が１μｍ以上である、請求項４に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  6. 　前記第二領域の最小厚さが前記特定長の１．２倍以下である、請求項５に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  7. 　前記主ドープ領域において、ｃ軸方向に沿ったドナー不純物総濃度の変動が、中央値から±２５％の範囲内である、請求項４～６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  8. 　前記第二領域に最も高い濃度で含有される不純物がＳｉまたはＧｅである、請求項１～７のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  9. 　前記主ドープ領域に最も高い濃度で含有される不純物がＳｉまたはＧｅである、請求項４～７のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  10. 　前記主ドープ領域において、Ｓｉを除くドナー不純物の総濃度がＳｉ濃度の１０％以下である、請求項４～９のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  11. 　前記主ドープ領域において、Ｇｅ濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、かつＳｉ濃度が４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、請求項４～１０のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  12. 　前記第一領域および第二領域の少なくとも何れか一方の不純物濃度が、下記の（ａ）～（ｃ）から選ばれる一以上の条件を充たす、請求項１～１１のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
    （ａ）Ｓｉ濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上
    （ｂ）Ｏ濃度が３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
    （ｃ）Ｈ濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
  13. 　前記第一領域において、Ｓｉ濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である、請求項１～１２のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  14. 　前記再成長界面が粗面である、請求項１～１３のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  15. 　Ｇａ極性側の主面における転位密度が、前記再成長界面の近傍における前記第一領域の転位密度の０．５倍以上２倍未満である、請求項１～１４のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  16. 　Ｇａ極性側の主面が平坦面である、請求項１～１５のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハ。
  17. 　請求項１～１６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハと、該ＧａＮ基板ウエハのＧａ極性面上にエピタキシャル成長した窒化物半導体層と、を有するエピタキシャルウエハ。
  18. 　請求項１～１６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハを準備する工程と、該ＧａＮ基板ウエハのＧａ極性面上に窒化物半導体層を成長させてエピタキシャルウエハを得る工程と、を有するエピタキシャルウエハの製造方法。
  19. 　請求項１～１６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハを準備する工程と、該ＧａＮ基板ウエハのＧａ極性面上に窒化物半導体層を成長させてエピタキシャルウエハを得る工程と、前記ＧａＮ基板ウエハの前記第一領域の少なくとも一部を除去する工程と、を有する半導体デバイスの製造方法。
  20. 　基板上に、（０００１）配向した第二ＧａＮ厚膜をＨＶＰＥにより成長させた後、該第二ＧａＮ厚膜をスライスすることにより第二ｃ面ＧａＮウエハを得る第二工程と、
    　該第二ｃ面ＧａＮウエハ上に、（０００１）配向した厚さ５００μｍ以下のＧａＮ膜をＨＶＰＥにより成長させる第三工程とを有し、かつ、
    　該ＧａＮ膜は、該第二ｃ面ＧａＮウエハよりもドナー不純物の総濃度が高い領域を有する、ＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  21. 　再成長界面を挟んでＮ極性側に設けられた第一領域とＧａ極性側に設けられた第二領域とを有するＧａＮ基板ウエハを製造する方法であって、
    　（i）意図的にドーピングされていないＧａＮからなり（０００１）配向した第一ＧａＮ厚膜を、シードウエハ上にＨＶＰＥで成長させた後、該第一ＧａＮ厚膜から少なくとも１枚の第一ｃ面ＧａＮウエハを得る第一工程と、
    　（ii）意図的にドーピングされていないＧａＮからなり（０００１）配向した第二ＧａＮ厚膜を、該第一ｃ面ＧａＮウエハ上にＨＶＰＥで成長させた後、該第二ＧａＮ厚膜をスライスすることにより、第二ｃ面ＧａＮウエハを得る第二工程と、
    　（iii）（０００１）配向した厚さ５００μｍ以下のＧａＮ膜を、該第二ｃ面ＧａＮウエハ上にＨＶＰＥで成長させる第三工程とを有し、かつ、
    　該ＧａＮ膜は、該第二ｃ面ＧａＮウエハよりもドナー不純物の総濃度が高い領域を有する、ＧａＮ基板ウエハ製造方法。
  22. 　前記第二ｃ面ＧａＮウエハよりもドナー不純物の総濃度が高い領域の少なくとも一部のキャリア濃度が、１×１０１８ｃｍ－３以上である、請求項２０または２１に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  23. 　前記ＧａＮ基板ウエハが、以下の（１）～（３）から選ばれる何れかの条件を充たす、請求項２０～２２のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
    （１）５０ｍｍ以上５５ｍｍ以下の直径と２５０μｍ以上４５０μｍ以下の厚さを有する。
    （２）１００ｍｍ以上１０５ｍｍ以下の直径と３５０μｍ以上７５０μｍ以下の厚さを有する。
    （３）１５０ｍｍ以上１５５ｍｍ以下の直径と４５０μｍ以上８００μｍ以下の厚さを有する。
  24. 　前記ＧａＮ膜が、該ＧａＮ膜の上面からｃ軸方向の領域長が１μｍ以上であり、かつ、領域内のドナー不純物の総濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、特定ドープ領域を有する、請求項２０～２３のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  25. 　前記特定ドープ領域のｃ軸方向の領域長が、２０μｍ以上である、請求項２４に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  26. 　前記特定ドープ領域内において、ｃ軸方向に沿ったドナー不純物の総濃度の変動が中央値±２５％以内である、請求項２４または２５に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  27. 　前記ＧａＮ膜が、前記特定ドープ領域と前記第二ｃ面ＧａＮウエハとの間に厚さ５０μｍ以下の介在領域を有する、請求項２４～２６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  28. 　前記特定ドープ領域が最も高い濃度で含有する不純物がＳｉまたはＧｅである、請求項２４～２７のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  29. 　前記特定ドープ領域において、Ｓｉを除くドナーの総濃度がＳｉ濃度の１０％以下である、請求項２４～２８のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  30. 　前記特定ドープ領域において、Ｇｅ濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、かつＳｉ濃度が４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、請求項２４～２９のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  31. 　前記第三工程の後に前記ＧａＮ膜を薄化する薄化工程を有する、請求項２０～３０のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  32. 　前記薄化工程の前後における前記ＧａＮ膜の厚さ差が２００μｍ以下である、請求項３１に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  33. 　前記ＧａＮ基板ウエハと前記第二ｃ面ＧａＮウエハのオフカット方位が異なる、請求項２０～３２のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  34. 　前記第二工程と前記第三工程との間に、該第二工程で得られた前記第二ｃ面ＧａＮウエハのＧａ極性面を平坦化する平坦化工程、更にエッチングにより粗化する粗化工程を有する、請求項２０～３３のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
  35. 　前記薄化において、スライス加工することなく前記ＧａＮ膜を薄化する、請求項３１～３４のいずれか一項に記載のＧａＮ基板ウエハの製造方法。
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