JP2008235769A - AlGaN結晶層の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、AlGaN層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なAlGaN層を形成することができる。特に、テンプレート基板の表面層が第1のAlN層からなる場合であれば、600℃以下の形成温度でTMAとTMGの混合ガスを、TMAに対するTMGの混合比を3/17以上6/17以下の範囲で供給して第2のAlN層を形成することで、応力緩和効果を有するバッファ層を好適に形成することができる。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る方法を用いることによって作製される積層体10の断面模式図である。積層体10は、発光デバイスや受光デバイスなどの種々のデバイスにおいてその構成部分となる構造体を、簡略化して示したものである。
テンプレート基板1は、所定の単結晶からなる基材1aの上に、AlNからなる表面層1bが形成された構造を有する。
バッファ層2は、この上に形成するAlGaN層3が良好な表面平坦性を有して形成されることを意図して設けられる層である。
AlGaN層3は、バッファ層2の上に形成される。AlGaN層3は、より厳密にいえばAlxGa1-xN(0≦x≦1)なる組成式で表される結晶層である。AlGaN層3は、図1において図示するように単一の結晶層として形成されるものとは限られず、積層体10が構成部分となって実現されるデバイスが発揮すべき機能に応じて、同一のあるいは相異なる組成の(つまりは種々のxの値が与えられた)複数の結晶層が積層されることで、AlGaN層3が形成される態様であってもよい。あるいは、P型やN型の導電型を有するように、適宜にアクセプタ元素やドナー元素がドープされていてもよい。また、厚みについても、求められる機能に応じて適宜に定められてよい。
次に、上述のような良好な表面平坦性を有するAlGaN層の形成までのプロセスについて説明する。ここでは、C面サファイア単結晶を基材1aとして用いられ、表面層1bとして第1のAlN層が形成されたテンプレート基板1を用い、バッファ層2として第2のAlN層を形成する場合について説明する。
1a 基材
1b 表面層
2 バッファ層
3 AlGaN層
10 積層体
Claims (9)
- 所定の単結晶基材上に、第1のAlN層を形成することによってテンプレート基板を作製する第1AlN層形成工程と、
前記第1のAlN層の上に、第2のAlN層を形成する第2AlN層形成工程と、
前記第2のAlN層の上に、AlGaN層を形成するAlGaN層形成工程と、
を備え、
前記第1AlN層形成工程においては実質的に原子レベルで平坦な表面を有するとともに面内圧縮応力が作用するように前記第1のAlN層を形成し、
前記第2AlN層形成工程においては前記第1のAlN層よりも面内圧縮応力が緩和されてなるように前記第2のAlN層を形成し、
前記AlGaN層形成工程においては1000℃以上の形成温度で前記AlGaN層を形成する、
ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。 - 所定の単結晶基材上に、第1のAlN層を形成することによってテンプレート基板を作製する第1AlN層形成工程と、
前記第1のAlN層の上に、第2のAlN層を形成する第2AlN層形成工程と、
前記第2のAlN層の上に、AlGaN層を形成するAlGaN層形成工程と、
を備え、
前記第1AlN層形成工程においては実質的に原子レベルで平坦な表面を有するとともに面内圧縮応力が作用するように前記第1のAlN層を形成し、
前記第2AlN層形成工程においては600℃以下の形成温度でかつGa含有雰囲気のもとで前記第2のAlN層を形成し、
前記AlGaN層形成工程においては1000℃以上の形成温度で前記AlGaN層を形成する、
ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。 - 請求項2に記載のAlGaN結晶層の形成方法であって、
前記第2AlN層形成工程においては、
トリメチルアルミニウムとトリメチルガリウムとの混合ガスの供給を、トリメチルアルミニウムに対するトリメチルガリウムの混合比を3/17以上6/17以下の範囲の所定の値として行うことで、前記Ga含有雰囲気のもとでの前記第2のAlN層の形成を行う、
ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のAlGaN結晶層の形成方法であって、
前記第1AlN層形成工程が、
前記単結晶基材の上にAlNからなる結晶層をエピタキシャル形成する形成工程と、
前記1500℃以上の加熱温度で前記結晶層を加熱する加熱工程と、
含み、
前記加熱工程によって得られる実質的に原子レベルで平坦な表面を有する前記結晶層を前記第1のAlN層とする、
ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。 - 実質的に原子レベルで平坦な表面を有するとともに面内圧縮応力が作用する第1のAlN層を表面層として備えるテンプレート基板の上に、AlGaNからなる結晶層を形成する方法であって、
前記基板の表面に形成されてなる第1のAlN層の上に第2のAlN層を形成するAlN層形成工程と、
前記第2のAlN層の上に、AlGaN層を形成するAlGaN層形成工程と、
を備え、
前記AlN層形成工程においては前記第1のAlN層よりも面内圧縮応力が緩和されてなるように前記第2のAlN層を形成し、
前記AlGaN層形成工程においては1000℃以上の形成温度で前記AlGaN層を形成する、
ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。 - 実質的に原子レベルで平坦な表面を有するとともに面内圧縮応力が作用する第1のAlN層を表面層として備えるテンプレート基板の上に、AlGaNからなる結晶層を形成する方法であって、
前記基板の表面に形成されてなる第1のAlN層の上に第2のAlN層を形成するAlN層形成工程と、
前記第2のAlN層の上に、AlGaN層を形成するAlGaN層形成工程と、
を備え、
前記AlN層形成工程においては600℃以下の形成温度でかつGa含有雰囲気のもとで前記第2のAlN層を形成し、
前記AlGaN層形成工程においては1000℃以上の形成温度で前記AlGaN層を形成する、
ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。 - 請求項6に記載のAlGaN結晶層の形成方法であって、
前記AlN層形成工程においては、
トリメチルアルミニウムとトリメチルガリウムとの混合ガスの供給を、トリメチルアルミニウムに対するトリメチルガリウムの混合比を3/17以上6/17以下の範囲の所定の値として行うことで、前記Ga含有雰囲気のもとでの前記第2のAlN層の形成を行う、
ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。 - 請求項5ないし請求項7のいずれかに記載のAlGaN結晶層の形成方法であって、
前記テンプレート基板が、
所定の単結晶基材の上にAlNからなる結晶層をエピタキシャル形成する形成工程と、
前記1500℃以上の加熱温度で前記結晶層を加熱する加熱工程と、
含むテンプレート基板作製工程によって作製されたものであり、
前記加熱工程によって得られる実質的に原子レベルで平坦な表面を有する前記結晶層が前記第1のAlN層とされてなる、
ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。 - 請求項1ないし請求項8のいずれかに記載のAlGaN結晶層の形成方法であって、
前記AlGaN層の形成に先立って、前記テンプレート基板と前記第2のAlN層からなる積層体を前記AlGaN層の形成温度よりも高い温度に加熱する加熱処理を行う、
ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。
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