JP2014031306A - 高融点材料単結晶基板への識別マークの形成方法、及び高融点材料単結晶基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の高融点材料単結晶基板への識別マーク形成方法は、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、窒化ホウ素、酸化亜鉛、酸化ガリウムおよび二酸化チタンからなる群から選ばれる1つによって構成される、単結晶からなる高融点材料単結晶基板の主面に、溝が形成される第1のエネルギ密度で、前記高融点材料単結晶基板の主面をレーザビームによって走査し、1つ以上の溝によって構成される識別マークを前記高融点材料単結晶基板の主面に形成する工程(a)と、前記第1のエネルギ密度よりも低い第2のエネルギ密度で前記高融点材料単結晶基板の主面に形成された溝内を前記レーザビームによって走査する工程(b)とを包含する。
【選択図】図1
Description
以下、図面を参照しながら本発明による高融点材料単結晶基板への識別マークの形成方法の第1の実施形態を説明する。本実施形態では、高融点材料単結晶基板として炭化珪素単結晶基板を用いる。図1は、第1の実施形態の炭化珪素単結晶基板への識別マークの形成方法によって識別マーク14が形成された炭化珪素単結晶基板10を模式的に示している。炭化珪素単結晶基板10は炭化珪素単結晶からなる。炭化珪素単結晶のポリタイプに特に制限はなく、どのようなポリタイプの炭化珪素単結晶であってもよい。炭化珪素単結晶基板10の大きさおよび厚さに特に制限はない。
好ましい。また、酸化を促進させるために酸素を添加してもよい。印加するパワーなどエッチングの諸条件については、エッチングに用いる装置などにより決定される。エッチング速度は10μm/hを超えないことが好ましい。エッチング速度が10μm/hを超える場合、エッチング条件が炭化珪素単結晶基板10の主面10aに対して激しすぎ、主面10aにイオンの衝突によるダメージが入ったり、エッチング後の主面10aの表面モフォロジーが悪化したりする可能性があるため好ましくない。
以下、図面を参照しながら本発明による高融点材料単結晶基板への識別マークの形成方法の第2の実施形態を説明する。本実施形態では、高融点材料単結晶基板としてサファイア単結晶基板を用いる。
以下、図面を参照しながら本発明による高融点材料単結晶基板への識別マークの形成方法の第3の実施形態を説明する。本実施形態では、高融点材料単結晶基板として窒化ガリウム単結晶基板を用いる。
表1に示すように、炭化珪素、サファイアおよび窒化ガリウム以外に、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、窒化ホウ素、酸化亜鉛、酸化ガリウムおよび二酸化チタンによって構成される単結晶基板も、融点が高い。これらの材料の単結晶基板にも第1〜第3の実施形態で説明した識別マークの形成方法を用いることによって、視認性が高く、識別マーク14の形成に起因する種々の問題の発生が抑制された優れた高融点材料単結晶基板が得られる。
以下、第1の実施形態の炭化珪素単結晶基板への識別マークの形成方法を用いて、炭化珪素単結晶基板に識別マークを形成した一例を説明する。
以下、第2の実施形態の高融点材料単結晶基板への識別マークの形成方法を用いて、サファイア単結晶基板に識別マークを形成した一例を説明する。
10’ サファイア単結晶基板
10’’ 窒化ガリウム単結晶基板
10a、10b 主面
12 オリエンテーションフラット
14 識別マーク
16 溝
16a、16b、16b’ 表面
16c 底面
16d 側面
16e 矢印
18 凝固物
19 隆起
22 ビームスポット
24 走査パターン
Claims (10)
- サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、窒化ホウ素、酸化亜鉛、酸化ガリウムおよび二酸化チタンからなる群から選ばれる1つによって構成される、単結晶からなる高融点材料単結晶基板への識別マーク形成方法であって、
前記高融点材料単結晶基板の主面に溝が形成される第1のエネルギ密度で、前記高融点材料単結晶基板の主面をレーザビームによって走査し、1つ以上の溝によって構成される識別マークを前記高融点材料単結晶基板の主面に形成する工程(a)と、
前記第1のエネルギ密度よりも低い第2のエネルギ密度で前記高融点材料単結晶基板の前記主面に形成された溝内をレーザビームによって走査する工程(b)と、
を包含する、高融点材料単結晶基板への識別マーク形成方法。 - 前記溝の幅は50μm以上であり、前記溝の深さは10μm以上である請求項1に記載の高融点材料単結晶基板への識別マーク形成方法。
- 前記溝の内表面の表面粗さRaは1μm以下である請求項1または2に記載の高融点材料単結晶基板への識別マーク形成方法。
- 前記工程(b)の後、前記高融点材料単結晶基板の前記主面を機械研磨する工程(c)をさらに包含する請求項1から3のいずれかに記載の高融点材料単結晶基板への識別マーク形成方法。
- 前記工程(c)の後、前記高融点材料単結晶基板の前記主面に気相エッチングを施す請求項4に記載の高融点材料単結晶基板への識別マーク形成方法。
- 前記高融点材料単結晶基板の前記主面の表面粗さRaは0.1nm以上2.0nm以下である請求項1から5のいずれかに記載の高融点材料単結晶基板への識別マーク形成方法。
- サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、窒化ホウ素、酸化亜鉛、酸化ガリウムおよび二酸化チタンからなる群から選ばれる1つによって構成される、単結晶からなり、主面に1つ以上の溝によって構成される識別マークを備えた高融点材料単結晶基板であって、
前記溝の幅は50μm以上0.5mm未満であり、前記溝の深さは10μm以上であり、
前記溝の内表面の表面粗さRaは1μm以下である、高融点材料単結晶基板。 - 前記主面の表面粗さRaは0.1nm以上2.0nm以下である請求項7に記載の高融点材料単結晶基板。
- 前記溝の底面は凝固面である請求項7または8に記載の高融点材料単結晶基板。
- 前記溝の底面は縞模様を有する請求項9に記載の高融点材料単結晶基板。
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US (2) | US9318443B2 (ja) |
JP (1) | JP6155866B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014138057A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Hitachi Metals Ltd | 窒化物半導体ウェハのマーキング方法および識別符号付き窒化物半導体ウェハ |
JP2016171149A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2017105697A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-15 | 東洋炭素株式会社 | 薄型のSiCウエハの製造方法及び薄型のSiCウエハ |
JP2019033271A (ja) * | 2014-07-22 | 2019-02-28 | 株式会社Flosfia | 剥離方法、結晶性半導体膜および半導体装置 |
WO2020090473A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 酸化物単結晶基板及びその製造方法 |
JP2021044565A (ja) * | 2020-11-13 | 2021-03-18 | クアーズテック株式会社 | 化合物半導体基板の凹凸識別方法、および、これに用いる化合物半導体基板の表面検査装置 |
WO2024004994A1 (ja) * | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー | 半導体基板 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013212577A1 (de) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Abtragschneiden eines Werkstücks mittels eines gepulsten Laserstrahls |
US9626608B2 (en) * | 2014-12-01 | 2017-04-18 | Savannah River Nuclear Solutions, Llc. | Additive manufactured serialization |
CN114951967A (zh) * | 2021-02-19 | 2022-08-30 | 深圳市大族数控科技股份有限公司 | 基于超快激光的微通孔加工方法和系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230165A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006000865A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Mitsubishi Materials Corp | マーキング方法 |
JP2008181972A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Hitachi Cable Ltd | 窒化ガリウム基板のマーキング方法及び窒化ガリウム基板 |
JP2009231365A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板の表面処理のモニター方法およびマーカ付半導体基板 |
JP2012066974A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体ウェハ及びその製造方法 |
WO2012093684A1 (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-12 | 日立金属株式会社 | 炭化珪素単結晶基板への識別マークの形成方法、及び炭化珪素単結晶基板 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2993373B2 (ja) | 1994-07-19 | 1999-12-20 | 住友金属工業株式会社 | パターン加工方法およびパターンを備えるセラミックス部材 |
US20060183625A1 (en) * | 2002-07-09 | 2006-08-17 | Kenichiro Miyahara | Substrate for forming thin film, thin film substrate, optical wave guide, luminescent element and substrate for carrying luminescent element |
JP2006043717A (ja) | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | マーキング方法、単結晶炭化ケイ素製部材の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素製部材 |
KR100901822B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2009-06-09 | 주식회사 실트론 | 질화갈륨 성장용 기판 및 질화갈륨 기판 제조 방법 |
US8690636B2 (en) * | 2009-05-26 | 2014-04-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Compound semiconductor substrate production method |
JP2011218384A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Sumco Corp | 透明材料のレーザー加工方法 |
JP2011243651A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置、貼り合せ基板およびそれらの製造方法 |
-
2013
- 2013-06-10 JP JP2013121762A patent/JP6155866B2/ja active Active
- 2013-07-09 US US13/937,469 patent/US9318443B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-08 US US15/063,585 patent/US9508655B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230165A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006000865A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Mitsubishi Materials Corp | マーキング方法 |
JP2008181972A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Hitachi Cable Ltd | 窒化ガリウム基板のマーキング方法及び窒化ガリウム基板 |
JP2009231365A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板の表面処理のモニター方法およびマーカ付半導体基板 |
JP2012066974A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体ウェハ及びその製造方法 |
WO2012093684A1 (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-12 | 日立金属株式会社 | 炭化珪素単結晶基板への識別マークの形成方法、及び炭化珪素単結晶基板 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014138057A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Hitachi Metals Ltd | 窒化物半導体ウェハのマーキング方法および識別符号付き窒化物半導体ウェハ |
JP2019033271A (ja) * | 2014-07-22 | 2019-02-28 | 株式会社Flosfia | 剥離方法、結晶性半導体膜および半導体装置 |
JP2016171149A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2017105697A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-15 | 東洋炭素株式会社 | 薄型のSiCウエハの製造方法及び薄型のSiCウエハ |
WO2020090473A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 酸化物単結晶基板及びその製造方法 |
JPWO2020090473A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2021-09-16 | 京セラ株式会社 | 酸化物単結晶基板及びその製造方法 |
JP7170746B2 (ja) | 2018-10-30 | 2022-11-14 | 京セラ株式会社 | 酸化物単結晶基板及びその製造方法 |
JP2021044565A (ja) * | 2020-11-13 | 2021-03-18 | クアーズテック株式会社 | 化合物半導体基板の凹凸識別方法、および、これに用いる化合物半導体基板の表面検査装置 |
WO2024004994A1 (ja) * | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー | 半導体基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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