JP7170746B2 - 酸化物単結晶基板及びその製造方法 - Google Patents
酸化物単結晶基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7170746B2 JP7170746B2 JP2020553763A JP2020553763A JP7170746B2 JP 7170746 B2 JP7170746 B2 JP 7170746B2 JP 2020553763 A JP2020553763 A JP 2020553763A JP 2020553763 A JP2020553763 A JP 2020553763A JP 7170746 B2 JP7170746 B2 JP 7170746B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- region
- oxide single
- crystal substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
- B23K26/386—Removing material by boring or cutting by boring of blind holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
以下、本開示の酸化物単結晶基板について説明する。図1に、本開示の一実施形態に係る酸化物単結晶基板1(以下、単に基板1ともいう)の概略断面図を示す。
本開示の一実施形態に係る酸化物単結晶基板の製造方法として、サファイア基板1を例として以下に記載する。まず、所定の結晶方位(例えばc面)の第1主面1aと第2主面1bとを有する基板1を準備する。基板1は、チョクラルスキー(CZ)法などの公知の製造方法により育成されたサファイアインゴットを、基板1の形状に合わせて外形加工し、マルチワイヤーソー等を用いてスライス加工することによって作製できる。
1a 第1主面
1b 第2主面
2 凹部
2a 内壁面
3 第1領域(凹部近傍領域)
4 第2領域(バルク領域)
Claims (10)
- 主面に凹部を備え、前記凹部の内壁面から深さ15μm以内の第1領域における、円相当径0.3μm以上の閉気孔の密度が、前記第1領域以外の第2領域における、円相当径0.3μm以上の閉気孔の密度よりも大きい、酸化物単結晶基板。
- 前記第1領域において、前記内壁面に沿って前記閉気孔が配列している、請求項1に記載の酸化物単結晶基板。
- サファイア基板である、請求項1または2に記載の酸化物単結晶基板。
- 前記内壁面が多結晶である、請求項1~3のいずれかに記載の酸化物単結晶基板。
- 主面に凹部を備え、前記凹部の内壁面を含む多結晶領域と、前記多結晶領域以外の単結晶領域とを有し、前記多結晶領域における円相当径0.3μm以上の閉気孔の密度が、前記単結晶領域における円相当径0.3μm以上の閉気孔の密度よりも大きい、酸化物単結晶基板。
- 前記多結晶領域において、前記内壁面に沿って前記閉気孔が配列している、請求項5に記載の酸化物単結晶基板。
- サファイア基板である、請求項5または6に記載の酸化物単結晶基板。
- 酸化物単結晶基板の主面をレーザ加工して前記主面に凹部を形成するレーザ加工工程と、
前記酸化物単結晶基板を熱処理して、前記レーザ加工の際に前記凹部内に生じた付着物を再結晶化する熱処理工程とを備えた、酸化物単結晶基板の製造方法。 - 前記熱処理工程の後、前記酸化物単結晶基板をエッチングする工程を、さらに備えた、請求項8に記載の酸化物単結晶基板の製造方法。
- 前記酸化物単結晶基板がサファイア基板であって、前記熱処理工程において、真空雰囲気で、1000℃以上サファイアの融点以下の温度で熱処理する、請求項8または9に記載の酸化物単結晶基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018203718 | 2018-10-30 | ||
JP2018203718 | 2018-10-30 | ||
PCT/JP2019/040685 WO2020090473A1 (ja) | 2018-10-30 | 2019-10-16 | 酸化物単結晶基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020090473A1 JPWO2020090473A1 (ja) | 2021-09-16 |
JP7170746B2 true JP7170746B2 (ja) | 2022-11-14 |
Family
ID=70464017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020553763A Active JP7170746B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-10-16 | 酸化物単結晶基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7170746B2 (ja) |
WO (1) | WO2020090473A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7338082B1 (ja) | 2023-01-10 | 2023-09-04 | 住友精密工業株式会社 | 圧電体膜基板の製造方法および圧電体膜基板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005314121A (ja) | 2004-04-26 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
JP2013239591A (ja) | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP2014031306A (ja) | 2012-07-10 | 2014-02-20 | Hitachi Metals Ltd | 高融点材料単結晶基板への識別マークの形成方法、及び高融点材料単結晶基板 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3449201B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2003-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
-
2019
- 2019-10-16 WO PCT/JP2019/040685 patent/WO2020090473A1/ja active Application Filing
- 2019-10-16 JP JP2020553763A patent/JP7170746B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005314121A (ja) | 2004-04-26 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
JP2013239591A (ja) | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP2014031306A (ja) | 2012-07-10 | 2014-02-20 | Hitachi Metals Ltd | 高融点材料単結晶基板への識別マークの形成方法、及び高融点材料単結晶基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2020090473A1 (ja) | 2021-09-16 |
WO2020090473A1 (ja) | 2020-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6232329B2 (ja) | SiC種結晶の加工変質層の除去方法、SiC種結晶及びSiC基板の製造方法 | |
US11652010B2 (en) | Semiconductor substrate crack mitigation systems and related methods | |
JP6212203B2 (ja) | 窒化物半導体単結晶基板の製造方法 | |
CN111916348A (zh) | 制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体 | |
JP6450920B2 (ja) | ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP6326491B2 (ja) | 窒化物半導体単結晶基板の製造方法 | |
JP7170746B2 (ja) | 酸化物単結晶基板及びその製造方法 | |
JP2008290895A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
KR100536932B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
JPH02143532A (ja) | 半導体ウェーハの不純物除去方法 | |
JP2010251523A (ja) | 部分soiウェーハの製造方法 | |
WO2020234416A1 (en) | Crystal efficient sic device wafer production | |
JP6083522B2 (ja) | III 族窒化物半導体結晶の製造方法およびGaN基板の製造方法 | |
JP4719126B2 (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
JP6287127B2 (ja) | プラズマ処理装置用シリコン電極板及びその製造方法 | |
JPH03177400A (ja) | 半導体材料ウェハーの製造方法 | |
JP6634573B2 (ja) | ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP6820785B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
TWI732812B (zh) | 氮化鋁單結晶 | |
KR20170036055A (ko) | Ⅲ족 질화물 결정 성장용 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2006124244A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素ウエハ | |
JP2014175436A (ja) | サファイアインゴットの切断方法 | |
CN117265647A (zh) | 半导体单晶衬底的宏观缺陷消除方法及半导体单晶衬底 | |
JP2014205587A (ja) | 結晶成長用るつぼおよび結晶の製造方法 | |
CN106783550A (zh) | 在衬底片分区上进行异质外延的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220405 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221005 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7170746 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |