CN106783550A - 在衬底片分区上进行异质外延的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种在衬底片分区上进行异质外延的方法,包括以下步骤:(1)在大尺寸晶圆片上,通过设置切割槽,对晶圆片表面进行分区,所述切割槽的宽度0.1~500μm,深度0.1~100μm;(2)在已经分区的晶圆片表面进行异质材料的外延薄膜生长。
Description
技术领域
本发明属于半导体电子器件制造技术领域,具体涉及一种在衬底片分区上进行异质外延的方法。
背景技术
对于大面积的衬底晶圆片,如果在其上生长异质外延薄膜,由于外延成核的过程是随机性的,是由一定的核心区原子向外进行延伸式的生长,当两片外延区域相碰撞时,因各自与下方的衬底存在着晶格失配,并且彼此之间也可能存在晶向等方面的不一致等原因,可能导致异质外延工艺的失效。当衬底片面积比较小时,这种现象尚不明显,然而如果衬底片面积较大,要求大面积生长以及在大面积上得到生长良好的异质外延层薄膜,目前的技术就不能保证生长的外延薄膜质量了。
现有技术在大面积生长情形下,无法完全抑制各种工艺缺陷,特别是不同材料间的晶格适配误差。当这种晶格失配不断累积,达到一定程度后,就会显性影响所生长的外延薄膜的质量,即,在薄层中产生大密度的缺陷。如上所述,当局部产生的缺陷随着外延生长过程而向外部扩散时,在不同区域的边界处,将存在较大和较严重的缺陷,严重时外延层薄膜会由于所积累的内部应力而开裂,造成工艺的完全失效。
本发明针对现有技术的上述缺陷,提出分区外延的方式,将实际的外延生长限制在各个小面积的分区之内进行。不仅使小面积分区部分的外延层可以良好生长,更可以避免各种失配因素的积累,并且通过分区的边沿来阻断缺陷区的外扩,从而在大尺寸晶圆片衬底上,形成完美质量的异质外延层薄膜。
发明内容
本发明的技术方案如下,一种在衬底片分区上进行异质外延的方法,包括以下步骤:
(1)在大尺寸晶圆片上,通过设置切割槽,对晶圆片表面进行分区,所述切割槽的宽度0.1~500μm,深度0.1~100μm,所述各个分区的面积为1mm2-2500mm2;
(2)在已经分区的晶圆片表面进行异质材料的外延薄膜生长。
进一步,所述步骤(1)中的大尺寸晶圆片,其直径≥4英寸(10mm)。
进一步,所述步骤(1)中的切割槽是通过光刻或刻蚀工艺形成的。
进一步,所述步骤(1)中的切割槽是等距和均匀分布的。
进一步,所述步骤(1)中的切割槽通过氧化或沉积工艺,形成氧化硅或氮化硅的外延生长阻挡层,防止外延优先从切割槽中开始生长,致使小分区中正常的薄膜生长受到干扰。
进一步,所述步骤(2)中在高温和真空环境下进行气相外延薄膜生长。
进一步,所述步骤(2)中将异质材料外延生长分步进行,在各步骤之间,插入激光退火或快速光退火的工艺,对于已生长的异质外延薄膜进行修整,由此使生长过程中不产生并且不累积工艺缺陷。
进一步,所述激光退火使用激光束从晶圆片的一侧向另一侧缓慢扫描,将异质外延薄膜中存在的缺陷驱赶至分区边缘的切割槽。
本发明与现有技术相比,具有的有益效果为:
通过在大尺寸晶圆片的表面设置切割槽,以及在切割槽中生长外延阻挡材料等辅助性措施,可以将实际的异质外延层材料的生长限制在小的局部分区中进行,避免各种工艺缺陷因素的不断积累。即使在某分区出现了外延薄膜质量缺陷,也能够通过片上的切割槽进行限制,不使缺陷向其他分区扩散,由此可以在大面积晶圆片上生长出所需高质量的异质外延薄膜。
附图说明
图1是本发明在衬底片上进行分区后的结构示意图。
图中1-晶圆片上的切割槽,2-准备进行异质外延的小面积分区。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明进一步详细说明。
实施例1
对于大尺寸的晶圆片衬底,利用光刻、刻蚀等工艺步骤,在其上制作出宽度为100μm,深度为10μm的切割槽,分区的面积为400mm2,这些切割槽将大面积的晶圆片表面进行分区,各个分区的面积为4cm2。采用减压外延的方法,在各分区表面进行异质外延薄膜的生长。
本实施例能够实现本发明所述方法的基本功能,提供一种在大面积晶圆片上生长良好的异质外延薄膜。
实施例2
制作切割槽和实施异质外延生长的过程同实施例1。不同之处在于,在切割槽制作完成后,在实施外延生长之前,通过氧化、沉积等工艺步骤,在切割槽中形成氧化硅,氮化硅等外延生长的阻挡层,以防止外延优先地从切割槽中开始生长出来。
本实施例在前例基础上增加了阻挡层沉积的工艺步骤,可以防止外延优先地从切割槽中开始生长出来,干扰正常的小分区中的薄膜生长。
实施例3
各工艺步骤同实施例2,但是外延生长的步骤分成两步实施,在两步之间插入激光退火的处理。这里的激光退火,是将一定能量的激光整形成线形的束斑,然后用该条激光线,从晶圆片的一侧向另一侧缓慢扫描。如果第一步外延所形成的异质外延薄膜中存在缺陷,则由于激光线条的扫描动作,该缺陷将被驱赶到本分区边缘的切割槽,在那里被截断,由此对第一步外延的异质薄膜进行了修复。第二步外延,在修复后的薄膜表面继续进行。
本实施例采用了及时修复的工艺,使晶圆片表面的原子排序得以维持。尽管增加了处理步骤,但是总体外延层的生长质量最终得到更好的保障。
以上,仅为本发明的较佳实施例,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员可以对本发明的技术环节予以变通,应用于相类似的场合,例如同质外延的场合。本发明的保护范围以权利要求所界定的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种在衬底片分区上进行异质外延的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在大尺寸晶圆片上,通过设置切割槽,对晶圆片表面进行分区,所述切割槽的宽度0.1~500μm,深度0.1~100μm;
(2)在已经分区的晶圆片表面进行异质材料的外延薄膜生长。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤(1)中的大尺寸晶圆片,其直径≥4英寸(10mm)。
3.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤(1)中的切割槽是通过光刻或刻蚀工艺形成的。
4.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤(1)中的切割槽是等距和均匀分布的。
5.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤(1)中的切割槽通过氧化或沉积工艺,形成氧化硅或氮化硅的外延生长阻挡层。
6.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤(2)中在高温和真空环境下进行气相外延薄膜生长。
7.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤(2)中将异质材料外延生长分步进行,在各步骤之间,插入激光退火或快速光退火的工艺,对于已生长的异质外延薄膜进行修整,由此使生长过程中不产生并且不累积工艺缺陷。
8.根据权利要求7所述方法,其特征在于,所述激光退火使用激光束从晶圆片的一侧向另一侧缓慢扫描,将异质外延薄膜中存在的缺陷驱赶至分区边缘的切割槽。
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