JPH11162852A

JPH11162852A - 電子デバイス用基板およびその製造方法

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Publication number: JPH11162852A
Application number: JP34389597A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Yano; 義彦矢野
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1997-11-28
Filing date: 1997-11-28
Publication date: 1999-06-18
Anticipated expiration: 2017-11-28
Also published as: JP4183787B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等の窒化物バルク単
結晶ウエハと同等の特性を有し、かつ電子デバイスの製
造に適用可能な大面積の基板を提供する。【解決手段】Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少
なくとも１種とＮとを主成分とし、ウルツァイト型構造
を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、
前記窒化物結晶の（０００１）面が、前記窒化物薄膜表
面に平行となるように単一配向しており、面積が１０cm
²以上である電子デバイス用基板。この電子デバイス用
基板は、表面がＳｉ単結晶から構成される支持基板の表
面に、希土類元素の酸化物および／または酸化ジルコニ
ウムから構成されるエピタキシャル膜であるバッファ層
を形成し、このバッファ層表面に前記窒化物薄膜を成長
させた後、支持基板の少なくとも一部または支持基板と
バッファ層との少なくとも一部を除去することにより製
造される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードや
レーザーダイオード等に適用される電子デバイス用基板
およびその製造方法に関し、詳しくは、含窒素III−Ｖ
族化合物半導体層を備える窒化物半導体装置などに適用
される基板およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アル
ミニウム・ガリウム（ＡｌＧａＮ）、あるいはこれらの
混晶などのIII−Ｖ族窒化物半導体は、電界効果型トラ
ンジスタ、ＬＥＤ（発光ダイオード）、レーザーダイオ
ード等の窒化物半導体装置の構成材料として利用されて
いる。特に最近では、たとえば、日経エレクトロニクス
no.674,p.79(1996)に示されるように、このような窒化
物半導体の積層構造からなり、青色、緑色等の短波長光
を発光するＬＥＤが注目されている。

【０００３】ＧａＮ薄膜を用いた半導体素子では、薄膜
を形成するための基板材料として、一般にサファイアが
用いられている。しかし、サファイアはＧａＮと格子定
数および熱膨張係数が大きく異なるため、基板とＧａＮ
薄膜との界面からＧａＮ薄膜側に転位が導入されたり、
ＧａＮ結晶が応力により変形を受けたりし、良質な結晶
が得られないという問題がある。また、サファイア基板
は劈開面を出して割ることが難しく、レーザーダイオー
ドを作製する場合に端面の形成が難しいという問題があ
る。また、サファイア基板はＳｉ等の半導体基板と比べ
ると高価であり、表面平坦性が悪いなどの問題もある。

【０００４】窒化物半導体装置に最も適する基板は、そ
の上に形成する窒化物結晶薄膜と結晶構造および格子定
数が一致し、かつ熱膨張係数が同等のものである。例え
ば、ＧａＮからなるエピタキシャル薄膜を利用して半導
体素子を作製する場合、ＧａＮの単結晶基板を用いれ
ば、高品質のＧａＮエピタキシャル薄膜を成長させるこ
とができるので、特性の高い半導体装置が得られる。こ
の場合のＧａＮ単結晶基板は、その表面が（０００１）
面となっている必要がある。

【０００５】しかし、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮなどの窒
化物バルク単結晶は、数立方ミリメートル程度のものし
か得られていない。すなわち、窒化物バルク単結晶で
は、サファイア基板を代替するような面積１０cm²以上
のウエハを製造することは不可能である。

【０００６】一方、サファイアに比べ安価なＳｉを、Ｇ
ａＮ系半導体素子用基板として用いることも検討されて
いる。しかし、ＳｉとＧａＮとは、格子定数差、熱膨張
係数差、格子構造の違いが大きいため、Ｓｉ単結晶基板
の上に良質のＧａＮ薄膜を形成することはやはり難しか
った。

【０００７】ＧａＮ等の窒化物半導体層の結晶性を向上
させるための提案として、例えば特開平９−４５９６０
号公報には、Ｓｉ基板上にＺｎＯバッファ層を介してＩ
ｎＧａＡｌＮ層を設けることが記載されている。同公報
では、Ｓｉ基板上にＺｎＯバッファ層をスパッタ法等に
より直接形成している。しかし、本発明者らの実験で
は、Ｓｉ基板上にＺｎＯバッファ層を単結晶膜（本明細
書におけるエピタキシャル膜）として形成することは実
質的に不可能であり、結晶性および表面性に優れた膜と
することができないことがわかった。このため、このよ
うなＺｎＯバッファ層上には、良好な結晶性を有する窒
化物半導体層を形成することはできない。

【０００８】また、特開平８−２６４８９４号公報に
は、ＳｉやＳｉＣ基板上に、Ｃａ_xＭｇ_1-xＦ₂（０≦ｘ
≦１）層およびＭｇ_tＣａ_3-tＮ₂（０≦ｔ≦３）層の少
なくとも一方を形成し、この上にＧａ_yＩｎ_zＡｌ_1-y-z
Ｎ（０≦ｙ，ｚ≦１）層を形成した半導体素子が記載さ
れている。同公報では、表面の平坦性が高いＳｉやＳｉ
Ｃ等を用いることができ、かつ良質のＧａＩｎＡｌＮ層
を形成できることを効果としている。しかし、本発明者
らの実験によれば、Ｓｉ基板上に形成したＣａ_xＭｇ_1-x
Ｆ₂層やＭｇ_tＣａ_3-tＮ₂層は、結晶性および表面性が不
十分であることがわかった。このため、これらの層の上
には、良好な結晶性を有する窒化物半導体層を形成する
ことはできない。

【０００９】また、Ｓｉ基板上にＧａＮ層を形成する際
に、バッファ層としてＡｌＮ層やＳｉＣ層を利用するこ
とも知られている［J.Cryst.Growth 128,391(1993)およ
びJ.Cryst.Growth 115,634(1991)］。しかし、本発明者
らの実験によれば、Ｓｉ基板上に直接形成したＡｌＮ層
やＳｉＣ層は、結晶性および表面性が不十分であること
がわかった。このため、これらの層の上には、良好な結
晶性を有する窒化物半導体層を形成することはできな
い。

【００１０】一方、これらに対し本発明者らは、特願平
８−２６４８９４号においてＳｉ基板上に、高品質の窒
化物エピタキシャル膜を得る方法を提案している。

【００１１】しかし、サファイア基板やＳｉ単結晶基板
などを用いる方法では、いずれの方法においても基板と
その上に成長する窒化物半導体薄膜との間に格子定数差
や熱膨張係数差が存在するため、基板と窒化物半導体薄
膜との間にバッファ層を挟んだとしても窒化物半導体薄
膜中に応力が発生してしまう。この応力は、窒化物半導
体薄膜のエピタキシャル成長の妨げとなり、また窒化物
半導体薄膜の電気的特性を不安定にする要因となってし
まう。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、基板
上にＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を有し、ＬＥＤやレー
ザーダイオードに適用される窒化物半導体装置では、最
も理想的な基板はＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮなどの窒化物
単結晶ウエハである。また、窒化物バルク単結晶ウエハ
は、圧電性、高熱伝導性などの各種物性が優れるという
特徴があるため、その特徴を利用して、ＳＡＷ（弾性表
面波）素子用の基板、ＩＣ用のヒートシンク基板にも好
適である。しかし、現在のところ窒化物バルク単結晶は
大面積化が不可能であるため、これらの電子デバイスの
基板としては実用化されていない。

【００１３】本発明はこのような事情からなされたもの
である。本発明の目的は、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮなど
の窒化物バルク単結晶ウエハと同等の特性を有し、か
つ、電子デバイスの製造に適用可能な大面積の基板を提
供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１２）のいずれかにより達成される。（１）Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくと
も１種とＮとを主成分とし、ウルツァイト型構造を有す
る窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、前記窒
化物結晶の（０００１）面が、前記窒化物薄膜表面に平
行となるように単一配向しており、面積が１０cm²以上
である電子デバイス用基板。（２）上記（１）の電子デバイス用基板の一方の面側
に、希土類元素（ＳｃおよびＹを含む）の酸化物および
／または酸化ジルコニウムから構成されるエピタキシャ
ル膜であるバッファ層が存在する電子デバイス用基板。（３）上記（１）または（２）の電子デバイス用基板
の一方の面の一部に、Ｓｉからなる支持部材が存在する
電子デバイス用基板。（４）上記（１）または（２）の電子デバイス用基板
の一方の面に、補強板を張り付けたものである電子デバ
イス用基板。（５）上記（１）または（２）の電子デバイス用基板
の一方の面に、前記窒化物薄膜の自立性を補強するため
の補強膜を形成したものである電子デバイス用基板。（６）前記補強膜が、Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択
される少なくとも１種とＮとを主成分とし、多結晶また
はアモルファスである上記（５）の電子デバイス用基
板。（７）前記窒化物薄膜がエピタキシャル膜である上記
（１）〜（６）のいずれかの電子デバイス用基板。（８）上記（１）〜（７）のいずれかの電子デバイス
用基板を製造する方法であって、表面がＳｉ単結晶から
構成される支持基板の表面に、希土類元素の酸化物およ
び／または酸化ジルコニウムから構成されるエピタキシ
ャル膜であるバッファ層を形成し、このバッファ層表面
に前記窒化物薄膜を成長させた後、支持基板の少なくと
も一部または支持基板とバッファ層との少なくとも一部
を除去する工程を有する電子デバイス用基板の製造方
法。（９）支持基板がＳｉ（１００）面を表面に有するも
のであり、バッファ層が（１１１）配向である上記
（８）の電子デバイス用基板の製造方法。（１０）支持基板がＳｉ（１１１）面を表面に有する
ものであり、バッファ層が（１１１）配向である上記
（８）の電子デバイス用基板の製造方法。（１１）支持基板の少なくとも一部、または支持基板
とバッファ層との少なくとも一部を除去する際に、研磨
またはエッチングを利用する上記（８）〜（１０）のい
ずれかの電子デバイス用基板の製造方法。（１２）前記窒化物薄膜をスパッタリング法により成
長させる上記（８）〜（１１）のいずれかの電子デバイ
ス用基板の製造方法。

【００１５】

【作用および効果】本発明では、Ｓｉ基板上に、高結晶
性を有し、表面平坦性に優れる薄膜（後述するＲ−Ｚｒ
系酸化物薄膜）の形成が可能なこと、また、この薄膜の
結晶構造および格子定数が窒化物薄膜に近似しているこ
とに着目し、まず、表面がＳｉ単結晶からなる支持基板
の上に前記薄膜を形成し、これをバッファ層として、そ
の上に窒化物薄膜を形成する。このようにして得られた
窒化物薄膜は、高結晶性であり、表面平坦性が良好であ
る。

【００１６】次に、支持基板を取り除くか、支持基板と
バッファ層とを取り除くことにより、窒化物薄膜、また
はこれとバッファ層との積層膜を得、これを電子デバイ
ス用基板として利用する。

【００１７】このようにして作製された電子デバイス用
基板は、その上に窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成
長させる際に、窒化物バルク単結晶基板と同等の効果を
示す。また、この電子デバイス用基板は、窒化物バルク
単結晶基板と同等の電気的特性や熱伝導性を示す。しか
も、窒化物単結晶バルク体では前述したように大面積の
ものは得られないが、本発明では、支持基板として用い
るＳｉ単結晶ウエハと同等の大面積の窒化物単結晶基板
が得られる。また、支持基板として用いるＳｉ単結晶
は、単結晶のなかで最も安価であるため、本発明では高
性能の電子デバイスを安価に提供できる。

【００１８】本発明の電子デバイス用基板は、高品質の
ＬＥＤ、レーザーなどの窒化物半導体素子用の基板とし
て理想的な特性を示す。また、窒化物半導体素子用とし
てばかりでなく、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等の窒化物の
物性、例えば、圧電性、高熱伝導性など特徴のある特性
を利用した電子デバイス、たとえばＳＡＷ素子用の基
板、ＩＣ用のヒートシンク基板にも好適である。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。

【００２０】本発明の電子デバイス用基板は、少なくと
も表面がＳｉ単結晶である支持基板表面上にバッファ層
を形成し、このバッファ層上に、窒化物薄膜を形成した
後、支持基板またはこれとバッファ層とを取り去ること
により、製造される。

【００２１】窒化物薄膜形成のためのバッファ層には、
後述するＲ−Ｚｒ系酸化物薄膜を用いる。

【００２２】本発明におけるバッファ層と窒化物薄膜と
のように、２層の薄膜を連続して形成する場合、下地と
なる薄膜（下地薄膜）とその上に成長する薄膜（成長薄
膜）との間の格子の不整合度は、ミスマッチ度で表され
る。例えば、下地薄膜構成材料のバルク体の格子定数を
ｄ_subとし、成長薄膜構成材料のバルク体の格子定数を
ｄ_epiとすれば、ミスマッチ度δ（単位：％）は、 δ（％）＝［（ｄ_epi−ｄ_sub）／ｄ_sub］×１００で表される。成長薄膜の格子定数が下地薄膜のそれより
大きければ、δは正の値となる。一方、δが負の場合、
下地薄膜の格子定数が成長薄膜のそれよりも大きいこと
を意味している。δ＝０である場合には、下地薄膜と成
長薄膜との格子が一致している、すなわち格子が整合し
ていることを意味している。δの符号にかかわらず、δ
の値が大きいほど格子不整合度が大きく、格子不整合に
起因する歪みや欠陥等が結晶に導入されやすくなるの
で、好ましくない。

【００２３】従来、ＧａＮ薄膜等のＧａＩｎＡｌＮ系窒
化物薄膜を形成するための基板としては、上述したよう
にサファイア基板が一般的である。しかし、サファイア
ｃ面の上に（０００１）配向のＧａＮが成長する場合、
エピタキシャル成長時の両結晶の関係は、サファイア
［０００１］／ＧａＮ［０００１］かつサファイア［１
０００］／ＧａＮ［−１０１０］となり、また、サファ
イアｃ面内の格子定数（ａ軸の格子定数）は０．４７６
nm、ＧａＮ（０００１）面内の格子定数（ａ軸の格子定
数）は０．３１６nmなので、ミスマッチ度δは（３^1/2×０．３１６）／０．４７６−１、すなわち、＋１５．０％と大きくなる。

【００２４】これに対し、本発明において窒化物薄膜と
接するＲ−Ｚｒ系酸化物薄膜の構成材料、例えばＺｒＯ
₂にＹを添加した安定化ジルコニア（ＹＳＺ）結晶は、
立方晶であってそのａ軸の格子定数が０．５２０４nmな
ので、図６に示すように（１１１）面内の格子定数は
０．３６８０nmとなる。この格子はＧａＮ（０００１）
面内の格子と整合し、そのときのδは−１４．１％であ
り、サファイア基板を用いた場合に対しミスマッチ度が
改善される。また、ＹＳＺに替えてＹｂ₂Ｏ₃、Ｌｕ
₂Ｏ₃、Ｓｃ₂Ｏ₃を用いれば、（１１１）面内の格子定数
はそれぞれ０．３６７９nm、０．３６７４nm、０．３４
８１nmとなり、ＧａＮ（０００１）面とのマッチングは
さらに良好となる。

【００２５】このように本発明では、従来用いられてい
るサファイア基板との組み合わせに比べ格子不整合度が
小さくなり、したがって、結晶性の高い窒化物薄膜が得
られる。

【００２６】次に、各薄膜について説明する。

【００２７】Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜本発明においてバッファ層として用いられるＲ−Ｚｒ系
酸化物薄膜は、希土類元素（ＳｃおよびＹを含む）の酸
化物および／または酸化ジルコニウムを主成分とするエ
ピタキシャル膜である。

【００２８】希土類元素の酸化物は、Ｙｂ₂Ｏ₃、Ｔｍ₂
Ｏ₃、Ｅｒ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃、Ｇｄ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ
₃、Ｔｂ₂Ｏ₃、Ｐｒ₂Ｏ₃、Ｎｄ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂、Ｅｕ
₂Ｏ₃、Ｓｍ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｓｃ₂Ｏ₃およびＬｕ₂Ｏ₃の
１種からなるか、これらの２種以上を含む固溶体から構
成されることが好ましく、これらのうちでは特に、Ｙｂ
₂Ｏ₃、Ｔｍ₂Ｏ₃、Ｅｒ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃、Ｔｂ₂
Ｏ₃、Ｓｃ₂Ｏ₃およびＬｕ₂Ｏ₃の１種からなるか、これ
らの２種以上を含む固溶体から構成されることが好まし
い。希土類元素を２種以上含むとき、その比率は任意で
ある。なお、これらの酸化物は、化学量論組成から偏倚
していてもよい。

【００２９】酸化ジルコニウムは、組成が実質的にＺｒ
Ｏ₂であることが好ましいが、化学量論組成から偏倚し
ていてもよい。

【００３０】Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜が希土類元素酸化物
と酸化ジルコニウムとの固溶体である場合、固溶比率は
任意である。ただし、表面平坦性を良好にするために
は、Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜を、実質的に希土類元素酸化
物から構成するか、実質的に酸化ジルコニウムから構成
することが好ましい。また、酸化ジルコニウムを主成分
とする場合、酸化ジルコニウムの純度が高いほど絶縁抵
抗も高くなり、リーク電流も小さくなることから、絶縁
特性を必要とする場合には好ましい。酸化ジルコニウム
を主成分とする場合には、薄膜中の酸素を除く構成元素
中におけるＺｒの比率は、好ましくは９３mol%超、より
好ましくは９５mol%以上、さらに好ましくは９８mol%以
上、最も好ましくは９９．５mol%以上である。高純度の
酸化ジルコニウム薄膜において、酸素およびＺｒを除く
構成元素は、通常、希土類元素やＰなどである。なお、
Ｚｒの比率の上限は、現在のところ９９．９９mol%程度
である。また、現在の高純度化技術ではＺｒＯ₂とＨｆ
Ｏ₂との分離は難しいので、ＺｒＯ₂の純度は、通常、Ｚ
ｒ＋Ｈｆでの純度を指している。したがって、本明細書
におけるＺｒＯ₂の純度は、ＨｆとＺｒとを同元素とみ
なして算出された値であるが、ＨｆＯ₂は本発明におけ
るＲ−Ｚｒ系酸化物薄膜においてＺｒＯ₂と全く同様に
機能するため、問題はない。

【００３１】Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜には、特性改善のた
めに添加物を導入してもよい。例えば、ＣａやＭｇなど
のアルカリ土類元素をドーピングすると、膜のピンホー
ルが減少し、リークを抑制することができる。また、Ａ
ｌおよびＳｉは、膜の抵抗率を向上させる効果がある。
さらに、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの遷移元素は、膜
中において不純物による準位（トラップ準位）を形成す
ることができ、この準位を利用することにより導電性の
制御が可能になる。

【００３２】Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜は、その上に形成さ
れる窒化物薄膜との間で、格子定数を好ましくマッチン
グさせることにより、結晶性の高い窒化物薄膜を形成す
る役割を果たす。窒化物薄膜は六方晶系の結晶から構成
されるため、Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜は、（１１１）配向
のエピタキシャル膜から構成される。

【００３３】なお、希土類元素酸化物薄膜は、Ｓｉ（１
１１）基板上に形成する場合でもＳｉ（１００）基板上
に形成する場合でも（１１１）配向となるため、この場
合には支持基板が（１００）配向であってもよい。これ
に対し酸化ジルコニウム薄膜は、Ｓｉ（１１１）基板上
では（１１１）配向となるが、Ｓｉ（１００）基板上で
は（００１）配向となるので、この場合には（１１１）
配向の支持基板を用いる。

【００３４】なお、本明細書におけるエピタキシャル膜
は、まず、単一配向膜である必要がある。本明細書にお
ける単一配向膜とは、Ｘ線回折による測定を行ったと
き、目的とする面以外のものの反射のピーク強度が目的
とする面の最大ピーク強度の１０％以下、好ましくは５
％以下である膜である。例えば、（１１１）単一配向膜
は、膜の２θ−θＸ線回折で（ＬＬＬ）面以外の反射ピ
ークの強度が、（ＬＬＬ）面反射の最大ピーク強度の１
０％以下、好ましくは５％以下の膜である。なお、本明
細書において（ＬＬＬ）は、（１１１）や（２２２）な
どの等価な面を総称する表示である。また、例えば六方
晶系の結晶における（０００１）単一配向膜、すなわち
ｃ面単一配向膜は、（０００Ｌ）面以外の反射ピークの
強度が、（０００Ｌ）面反射の最大ピーク強度の１０％
以下、好ましくは５％以下の膜である。なお、（０００
Ｌ）は、（０００１）や（０００２）などの等価な面を
総称する表示である。

【００３５】そして、本明細書におけるエピタキシャル
膜とは、上記単一配向膜において、膜面内をＸ−Ｙ面と
し、膜厚方向をＺ軸としたとき、結晶がＸ軸、Ｙ軸およ
びＺ軸方向にともに揃って配向しているものである。こ
のような配向は、ＲＨＥＥＤ評価でスポットまたはスト
リークパターンを示すことで確認できる。なお、ＲＨＥ
ＥＤとは、反射高速電子線回折（Reflection High Ener
gy Electron Diffraction）であり、ＲＨＥＥＤ評価
は、膜面内における結晶軸の配向の指標である。

【００３６】なお、ＲＨＥＥＤ像がストリークであっ
て、しかもシャープである場合、各層の結晶性および表
面平坦性が優れていることを意味する。

【００３７】結晶性の高い窒化物薄膜を形成するために
は、Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜は、結晶性および表面平坦性
に優れるものであることが好ましい。具体的には、Ｒ−
Ｚｒ系酸化物薄膜、あるいはこれを構成する各薄膜は、
Ｘ線回折による（１１１）面の反射のロッキングカーブ
の半値幅が１．５０°以下となる程度の結晶性を有して
いることが好ましい。また、Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜の表
面性を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定される表
面粗さＲｚ（十点平均粗さ、基準長さ５００nm）で表し
たとき、Ｒｚは、好ましくは２nm以下、より好ましくは
０．６０nm以下である。なお、このような表面粗さは、
表面の好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以
上、さらに好ましくは９５％以上の領域で実現している
ことが望ましい。上記表面粗さは、基板全面にわたって
各層を形成したときに、面積１０cm²以上の領域にわた
って平均に分布した任意の１０箇所以上を測定しての値
である。本明細書において、薄膜表面の例えば８０％以
上でＲｚが２nm以下であるとは、上記のように１０箇所
以上を測定したときにその８０％以上の箇所でＲｚが２
nm以下であることを意味する。なお、表面粗さＲｚは、
JIS B 0610に規定されている。

【００３８】Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜におけるロッキング
カーブの半値幅およびＲｚの下限値は特になく、小さい
ほど好ましいが、現在のところ、ロッキングカーブの半
値幅の下限値は、一般に０．７°程度、特に０．４°程
度、Ｒｚの下限値は０．１０nm程度である。

【００３９】Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜の好ましい厚さは、
好ましくは５〜５００nm、より好ましくは１０〜５０nm
である。Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜は、その結晶性、表面
性、絶縁性を損なわない程度に薄いことが好ましい。

【００４０】なお、Ｒ−Ｚｒ系酸化物薄膜は、組成の異
なる２種以上の薄膜を積層したものであってもよく、厚
さ方向において組成が徐々に変化する傾斜構造膜であっ
てもよい。

【００４１】窒化物薄膜窒化物薄膜は、Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少
なくとも１種とＮとを主成分とし、好ましくは、実質的
にＧａ_xＩｎ_yＡｌ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦
１）で表される組成を有する。具体的組成は、適用され
る電子デバイスに応じ、必要とされる特性に合致するよ
うに決定すればよい。例えば、窒化物薄膜の組成を制御
することにより、格子定数および熱膨張係数を調整する
ことが可能なので、適用される電子デバイス中において
窒化物薄膜上に成長させる必要のあるエピタキシャル膜
に応じ、窒化物薄膜の組成を決定すればよい。

【００４２】窒化物薄膜は、ウルツァイト型の結晶構造
を有する窒化物から構成される（０００１）単一配向膜
であることが好ましく、エピタキシャル膜であることが
より好ましい。

【００４３】窒化物薄膜は、絶縁基板として用いること
もでき、ｎ型やｐ型の半導体基板として用いることもで
きる。半導体基板として用いる場合には、例えばＳｉや
Ｍｇなど、Ｇａ_xＩｎ_yＡｌ_1-x-yＮの半導体化において
公知のドーピング元素を添加すればよい。

【００４４】窒化物薄膜を支持基板上に直接形成せずに
前記バッファ層を介して形成するのは、窒化物薄膜を支
持基板表面に直接形成すると、エピタキシャル成長しな
いからである。

【００４５】窒化物薄膜は、結晶性および表面平坦性に
優れるものであることが好ましい。具体的には、窒化物
薄膜は、Ｘ線回折による（０００１）面の反射のロッキ
ングカーブの半値幅が２．５０°以下となる程度の結晶
性を有していることが好ましい。また、窒化物薄膜上に
結晶性の高い窒化物半導体薄膜を形成するためには、窒
化物薄膜の表面平坦性が良好であることが好ましい。窒
化物薄膜の表面平坦性を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）に
より測定される表面粗さＲｚ（十点平均粗さ、基準長さ
５００nm）で表したとき、Ｒｚは、好ましくは２０nm以
下、より好ましくは１０nm以下である。なお、このよう
な表面粗さは、表面の好ましくは８０％以上、より好ま
しくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上の領域
で実現していることが望ましい。上記表面粗さは、基板
全面にわたって各層を形成したときに、面積１０cm²以
上の領域にわたって平均に分布した任意の１０箇所以上
を測定しての値である。

【００４６】窒化物薄膜におけるロッキングカーブの半
値幅およびＲｚの下限値は特になく、小さいほど好まし
いが、現在のところ、ロッキングカーブの半値幅の下限
値は、一般に０．９°程度、Ｒｚの下限値は０．１０nm
程度である。

【００４７】なお、表面平坦性を向上させるために、各
薄膜の表面を研磨してもよい。研磨には、研磨溶液に、
アルカリ溶液等を用いる化学的研磨、コロイダルシリカ
等を用いる機械的研磨、化学的研磨と機械的研磨との併
用などを利用すればよい。

【００４８】窒化物薄膜の厚さは、好ましくは０．１〜
３００μm、より好ましくは１〜１００μmである。窒化
物薄膜が薄すぎると、支持基板を取り除いた後の取り扱
いが困難となり、自立膜とできないこともある。一方、
窒化物薄膜が厚すぎると、応力が発生しやすくなり、ま
た、形成時間も長くなりすぎる。

【００４９】なお、窒化物薄膜が薄い場合（例えば１０
μm未満である場合）、窒化物薄膜表面に補強板を張り
付けることにより、ハンドリング性、電気的特性、構造
的特性等の向上を図ることが可能である。補強板には、
窒化物薄膜に応力を生じさせないもの、具体的には、熱
膨張係数が窒化物薄膜と同等であるか近似し、かつ表面
平坦性の良好なもの、例えば平滑なガラス板などを用い
ることが好ましい。窒化物薄膜を補強板に固定する方法
は、窒化物薄膜に応力を生じさせないものであれば特に
限定されない。固定には例えば接着剤を用いてもよい
が、補強板の表面性が良好であれば、窒化物薄膜を載せ
るだけで補強板に密着して固定される。

【００５０】また、ガラス板等の補強板を接着する構成
のほか、窒化物薄膜上に、窒化物薄膜の自立性を補強す
るための膜（以下、補強膜という）を形成する構成とし
てもよい。補強膜は、窒化物薄膜の応力発生を抑えるた
めに熱膨張係数のマッチング等を考慮して、窒化物薄膜
と同一または類似の組成の窒化物から構成することが好
ましい。ただし、補強膜には高結晶性は要求されないの
で、単結晶である必要はなく、多結晶膜やアモルファス
膜でよい。したがって、補強膜は、室温付近で形成で
き、また、膜形成速度を高くすることができる。補強膜
の厚さは、十分な補強効果が得られるように適宜決定す
ればよく、窒化物薄膜の厚さなどによっても好ましい範
囲は異なるが、例えば５０〜１０００μm、好ましくは
１００〜５００μmの範囲から選択すればよい。

【００５１】なお、電子デバイス用基板としての窒化物
薄膜は、組成の異なる２種以上の薄膜を積層したもので
あってもよく、厚さ方向において組成が徐々に変化する
傾斜構造膜であってもよい。例えば、支持基板に対する
格子整合性が相対的に良好な窒化物からなる薄膜と、窒
化物半導体薄膜に対する格子整合性が相対的に良好な窒
化物からなる薄膜とを積層し、２層構造の窒化物薄膜と
してもよい。

【００５２】支持基板支持基板には、Ｓｉ単結晶を表面に有するものを用い
る。支持基板の少なくとも表面は、Ｓｉ単結晶の（１１
１）面または（１００）面から構成されていることが好
ましく、（１１１）面から構成されていることがより好
ましい。

【００５３】薄膜形成方法バッファ層の形成方法は特に限定されないが、好ましく
は、本出願人による特開平８−１０９０９９号公報に記
載された方法に準じて蒸着法を用いる。

【００５４】窒化物薄膜の形成方法は特に限定されない
が、スパッタリング法やＭＯＶＰＥ（有機金属気相成
長）法を用いることが好ましく、特に、スパッタリング
法を用いることが好ましい。ＭＯＶＰＥ法では基板温度
を１０００℃程度と高くする必要があるが、本発明者ら
の実験によれば、スパッタリング法では基板温度６００
℃程度で高結晶性の窒化物薄膜の形成が可能である。ま
た、支持基板を取り去って窒化物薄膜を自立膜とするた
めには、窒化物薄膜の内部応力を小さくする必要がある
が、スパッタリング法はＭＯＶＰＥ法と異なり、薄膜の
内部応力を多種類の条件、例えばガス圧、基板−ターゲ
ット間距離、入力パワーなどによって自在に制御できる
ので、内部応力を小さくすることが容易である。

【００５５】本発明では、支持基板と同等の面積をもつ
電子デバイス用基板が得られるので、支持基板として大
面積のＳｉ単結晶ウエハ、例えば面積１０cm²以上のＳ
ｉ単結晶ウエハを用いることにより、１０cm²以上の大
面積の電子デバイス用基板を作製することができる。Ｓ
ｉ単結晶はサファイアに比べて著しく安価であるため、
サファイア基板を用いる場合に比べ製造コストを著しく
低くできる。現状の半導体製造プロセスは、２〜８イン
チのＳｉ単結晶ウエハ、特に６インチタイプを用いたも
のが主流であるが、本発明はこれに対応が可能である。
なお、マスク等を用いて、ウエハの一部だけに窒化物薄
膜を形成する構成としてもよい。

【００５６】支持基板の除去方法支持基板を除去する方法としては、例えば、支持基板を
研磨する方法、化学的にウエットエッチングする方法、
真空中でドライエッチングする方法、これらの方法を組
み合わせて用いる方法などが好ましい。研磨には、研磨
溶液としてアルカリ溶液等を用いる化学的研磨、コロイ
ダルシリカ等を用いる機械的研磨、化学的研磨と機械的
研磨とを併用する方法などを用いればよい。

【００５７】なお、エッチングの際に、フォトレジスト
層やＳｉＯ₂層などからなる保護パターンを形成してお
くことにより、支持基板の一部を選択的に取り去る選択
エッチングが可能である。したがって、窒化物薄膜が比
較的薄い場合に、支持基板の一部を残して構造的な補強
部材として利用することができる。例えば、支持基板を
選択エッチングしたり、いわゆるマイクロマシーニング
加工したりすることにより、目的とするデバイスに適し
た任意の基板構造を得ることができる。なお、支持基板
の除去は、どの段階で行ってもよい。例えば、デバイス
の種類によっては、窒化物薄膜上に素子を作り込んだ後
で支持基板を取り去る構成としてもよい。

【００５８】支持基板の除去により得られた電子デバイ
ス用基板では、通常、支持基板と反対側の面を、窒化物
半導体薄膜等をエピタキシャル成長させる面として用い
る。

【００５９】窒化物半導体装置本発明の電子デバイス用基板を利用した窒化物半導体装
置の具体的用途は特に限定されず、窒化物半導体薄膜の
高結晶性および平坦性を利用した各種用途に好ましく適
用できる。具体的には、例えば、１層の窒化物半導体薄
膜上にショットキー電極を形成してショットキーダイオ
ードを構成したり、複数の窒化物半導体薄膜を設けてｐ
ｎ接合を形成し、ダイオードやトランジスタを構成した
り、さらに活性層を設けて発光ダイオードを構成した
り、共振構造としてレーザーダイオードを構成したりす
ることができる。

【００６０】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００６１】実施例１まず、支持基板上に、バッファ層としてＺｒＯ₂薄膜を
形成した。ＺｒＯ₂薄膜の形成は、本出願人による特開
平８−１０９０９９号公報に記載された方法に準じて、
以下の手順で行った。

【００６２】支持基板には、その表面が（１１１）面と
なるように切断して鏡面研磨したＳｉ単結晶ウエハ（直
径２インチの円形、厚さ３００μm）を用いた。研磨表
面は、４０％フッ化アンモニウム水溶液によりエッチン
グ洗浄した。次に、図１に示す蒸着装置１を用い、その
真空槽１ａ内に設置された回転軸４およびモータ５を有
する回転手段と、ヒータ６を有する加熱手段とを備えた
基板ホルダ３に、支持基板２を固定し、真空槽内を１０
^-6Torrまで油拡散ポンプにより排気した。次に、支持基
板２の洗浄面をＳｉ酸化物により保護するために、ま
ず、基板を２０rpmで回転させ、酸化性ガス供給装置７
の酸化性ガス供給ノズル８から、酸素を支持基板２表面
付近に２５cc／分の割合で導入しながら、６００℃に加
熱した。これにより熱酸化が生じて、支持基板２表面に
厚さ約１nmのＳｉ酸化物層が形成された。

【００６３】次いで、支持基板を９００℃に加熱し、２
０rpmで回転させると共にノズルから酸素ガスを２５cc
／分の割合で導入しながら、Ｚｒ蒸発部９から金属Ｚｒ
を蒸発させて基板表面に供給した。これにより、前工程
で形成したＳｉ酸化物層の還元とＺｒＯ₂薄膜（バッフ
ァ層）の形成とを行った。このＺｒＯ₂薄膜の厚さは、
１０nmとした。

【００６４】このＺｒＯ₂薄膜についてＸ線回折を行っ
たところ、ＺｒＯ₂の（１１１）ピークが明瞭に観察さ
れ、単一配向性の高結晶性の膜であることがわかった。
この（１１１）反射のロッキングカーブの半値幅は０．
７°（支持基板からの反射を含む実測値）であり、配向
性に優れることも確認できた。また、このＺｒＯ₂薄膜
を、ＲＨＥＥＤにより評価した結果、この薄膜表面の回
折パターンは完全にストリークであった。この完全にス
トリークであるパターンは、このＺｒＯ₂薄膜が結晶
性、表面性に優れたエピタキシャル膜であることを示し
ている。また、この薄膜表面のほぼ全体にわたる１０箇
所において、JIS B 0610による十点平均粗さＲｚ（基準
長さＬ：５００nm）を測定したところ、平均で０．８０
nm、最大で１．００nm、最小で０．０８nmであり、分子
レベルで平坦であることが確認された。

【００６５】なお、図１に示す希土類元素蒸発部１０か
ら希土類元素を蒸発させることにより、ＺｒＯ₂薄膜に
替えて希土類元素酸化物薄膜を形成し、同様に結晶性と
表面性とを評価したところ、ＺｒＯ₂薄膜と同等の結果
が得られた。ただし、ＺｒＯ₂と希土類元素酸化物との
固溶体からなる薄膜を形成した場合には、表面性がやや
悪くなった。また、ＺｒＯ₂薄膜およびＹＳＺ（Ｙによ
り安定化したジルコニウム）薄膜の抵抗率を測定した結
果、ＺｒＯ₂薄膜はＹＳＺ薄膜に比べ５倍の高抵抗を示
し、絶縁性に優れることが確認された。

【００６６】次に、ＺｒＯ₂薄膜上に、窒化物薄膜とし
て厚さ２０μmのＡｌＮ薄膜を形成した。ＡｌＮ薄膜の
形成は、Ｎ₂ガス雰囲気中におけるＲＦマグネトロンス
パッタリング法により行った。ターゲットにはＡｌを用
い、基板温度は６００℃、Ｎ₂ガス圧は０．２５Pa、Ｒ
Ｆパワーは３００Wとした。

【００６７】このＡｌＮ薄膜についてＸ線回折を行った
ところ、ＡｌＮの（０００２）ピークが明瞭に観察さ
れ、単一配向性のウルツァイト型の高結晶性の膜である
ことがわかった。この（０００２）反射のロッキングカ
ーブの半値幅は１．９°であり、配向性に優れることも
確認できた。このＡｌＮ薄膜をＲＨＥＥＤにより評価し
た。ＲＨＥＥＤにおける回折パターンは、支持基板を面
内において回転させると、図２のパターンと図３のパタ
ーンとが回転角３０°ごとに交互に現れるものであっ
た。これらのパターンから、このＡｌＮ薄膜は、エピタ
キシャル膜であることがわかる。この薄膜表面のほぼ全
体にわたる１０箇所において、JIS B 0610による十点平
均粗さＲｚ（基準長さＬ：５００nm）を測定したとこ
ろ、平均で２．５nm、最大で５nm、最小で１．０nmであ
り、平坦であることが確認された。

【００６８】次に、ウエットエッチングにより支持基板
を取り去った。具体的には、ＡｌＮ薄膜表面をフォトレ
ジスト層で保護した後、ＫＯＨ溶液に投入することによ
り支持基板を溶解して取り去った。これにより、自立性
を有するＡｌＮ薄膜からなる電子デバイス用基板が得ら
れた。

【００６９】実施例２表面が（１００）面となるように切断、鏡面研磨したＳ
ｉ単結晶（直径２インチの円形、厚さ３００μm）から
なる支持基板（１００）と、表面が（１１１）面となる
ように切断、鏡面研磨したＳｉ単結晶（直径２インチ、
厚さ３００μm）からなる支持基板（１１１）とを準備
し、これらの支持基板の表面を、４０％フッ化アンモニ
ウム水溶液によりエッチング洗浄した。これらの支持基
板を用いて、１．支持基板、２．バッファ層（Ｌｕ₂Ｏ₃薄膜）、３．窒化物（ＧａＮ）薄膜の順で薄膜が積層された膜構造体を、以下の手順で作製
した。

【００７０】まず、実施例１と同様にして支持基板表面
にＳｉ酸化物層を形成し、次いで、Ｚｒの替わりにＬｕ
を用いたほかは実施例１と同様にして、Ｌｕ₂Ｏ₃薄膜を
形成した。Ｌｕ₂Ｏ₃薄膜の厚さは、１０nmとした。

【００７１】Ｌｕ₂Ｏ₃薄膜についてＸ線回折を行ったと
ころ、支持基板（１００）を用いた場合にはＬｕ₂Ｏ₃薄
膜の希土類Ｃ型構造の（２２２）ピークが明瞭に観察さ
れ、強く配向したＬｕ₂Ｏ₃結晶膜が得られたことが確認
された。また、支持基板（１１１）を用いた場合にも同
様に（２２２）ピークが明瞭に観察され、支持基板の結
晶構造、対称性を反映した方位に強く配向したＬｕ₂Ｏ₃
結晶膜が得られたことが確認された。

【００７２】また、各支持基板上のＬｕ₂Ｏ₃薄膜をＲＨ
ＥＥＤにより評価した。この結果、回折パターンはシャ
ープなストリーク状であり、これらの薄膜がエピタキシ
ャル膜であってその表面が原子レベルで平坦であること
が確認された。また、これらのＬｕ₂Ｏ₃薄膜表面のほぼ
全体にわたる１０箇所において、JIS B 0610による十点
平均粗さＲｚ（基準長さＬ：５００nm）を測定したとこ
ろ、支持基板（１００）上のＬｕ₂Ｏ₃（１１１）薄膜で
は、平均で０．７０nm、最大で０．９５nm、最小で０．
１０nmであり、支持基板（１１１）上のＬｕ₂Ｏ₃（１１
１）薄膜では、平均で０．８０nm、最大で１．００nm、
最小で０．０８nmであり、いずれも分子レベルで平坦で
あった。

【００７３】次に、各Ｌｕ₂Ｏ₃（１１１）薄膜上に、
（０００１）ＧａＮ薄膜を１００μmの厚さに形成し
た。形成にはＲＦマグネトロンスパッタリング法を用
い、反応性ガスとして窒素を、ターゲットとしてＧａを
用いた。基板温度は６００℃とした。

【００７４】支持基板（１１１）上に形成したＧａＮ薄
膜についてＸ線回折を行ったところ、ＧａＮの（０００
２）ピークが明瞭に観察され、単一配向性のウルツァイ
ト型の高結晶性の膜であることがわかった。この（００
０２）反射のロッキングカーブの半値幅は１．３°であ
り、配向性に優れることも確認できた。このＧａＮ薄膜
を、ＲＨＥＥＤにより評価した。ＲＨＥＥＤにおける回
折パターンは、支持基板を面内において回転させると、
図４のパターンと図５のパターンとが回転角３０°ごと
に交互に現れるものであった。これらのパターンから、
このＧａＮ薄膜は、エピタキシャル膜であることがわか
る。この薄膜表面のほぼ全体にわたる１０箇所におい
て、JIS B 0610による十点平均粗さＲｚ（基準長さＬ：
５００nm）を測定したところ、平均で０．９nm、最大で
１．５nm、最小で０．５nmであり、平坦であることが確
認された。

【００７５】なお、支持基板（１００）上に形成したＧ
ａＮ薄膜についても、Ｘ線回折、ＲＨＥＥＤおよび表面
平坦性の評価において同様な結果が得られた。

【００７６】次に、コロイダルシリカを用いた機械的研
磨により支持基板を厚さ２０μmまで研削し、続いて、
ウエットエッチングにより支持基板の残部とＬｕ₂Ｏ₃薄
膜とを取り去り、自立性を有するＧａＮ薄膜からなる電
子デバイス用基板を得た。

【００７７】実施例３支持基板（１１１）を用い、ＧａＮ薄膜の厚さを４００
nmとしたほかは実施例２と同様にして、支持基板、バッ
ファ層および窒化物薄膜からなる膜構造体を得た。

【００７８】この膜構造体の窒化物薄膜上に、補強膜と
して厚さ２００μmのＧａＮ膜を形成した。補強膜の形
成には、窒化物薄膜と同様にＲＦマグネトロンスパッタ
リング法を用いた。スパッタリングの際の条件は、補強
膜に応力が生じないように選択した。具体的には、基板
（膜構造体）温度を室温とし、ＲＦパワーを１kWとし、
スパッタ雰囲気をＡｒ＋Ｎ₂（Ｎ₂：２０％）とした。得
られた補強膜は、面内に垂直にｃ軸が配向した多結晶膜
であった。

【００７９】次に、実施例２と同様にして支持基板を厚
さ２０μmまで研削し、続いてウエットエッチングによ
り支持基板の残部を取り去った。さらに、Ａｒイオンエ
ッチングによりＬｕ₂Ｏ₃薄膜を完全に除去し、補強膜と
窒化物薄膜との積層体からなる自立膜を得た。なお、Ｌ
ｕ₂Ｏ₃薄膜を除去する際に、窒化物薄膜も厚さ約５０nm
にわたって除去された。補強膜を形成しなかった場合に
は窒化物薄膜を自立膜とすることは不可能であった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子デバイス用基板の製造に用いられ
る蒸着装置の一例を示す図である。

【図２】結晶構造を示す図面代用写真であって、Ｓｉ
（１１１）支持基板／ＺｒＯ₂（１１１）薄膜構造上に
形成したＡｌＮ薄膜のＲＨＥＥＤパターンである。

【図３】結晶構造を示す図面代用写真であって、Ｓｉ
（１１１）支持基板／ＺｒＯ₂（１１１）薄膜構造上に
形成したＡｌＮ薄膜のＲＨＥＥＤパターンであり、電子
線の入射方向を、支持基板面内において図２に対し３０
°回転させた方向とした場合のものである。

【図４】結晶構造を示す図面代用写真であって、Ｓｉ
（１１１）支持基板／Ｌｕ₂Ｏ₃（１１１）薄膜構造上に
形成したＧａＮ薄膜のＲＨＥＥＤパターンである。

【図５】結晶構造を示す図面代用写真であって、Ｓｉ
（１１１）支持基板／Ｌｕ₂Ｏ₃（１１１）薄膜構造上に
形成したＧａＮ薄膜のＲＨＥＥＤパターンであり、電子
線の入射方向を、支持基板面内において図４に対し３０
°回転させた方向とした場合のものである。

【図６】ＹＳＺ立方晶の格子定数を説明するための模式
図である。

【符号の説明】

１蒸着装置１ａ真空槽２支持基板３ホルダ４回転軸５モータ６ヒータ７酸化性ガス供給装置８酸化性ガス供給ノズル９Ｚｒ蒸発部１０希土類元素蒸発部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少
なくとも１種とＮとを主成分とし、ウルツァイト型構造
を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、
前記窒化物結晶の（０００１）面が、前記窒化物薄膜表
面に平行となるように単一配向しており、面積が１０cm
²以上である電子デバイス用基板。
【請求項２】請求項１の電子デバイス用基板の一方の
面側に、希土類元素（ＳｃおよびＹを含む）の酸化物お
よび／または酸化ジルコニウムから構成されるエピタキ
シャル膜であるバッファ層が存在する電子デバイス用基
板。
【請求項３】請求項１または２の電子デバイス用基板
の一方の面の一部に、Ｓｉからなる支持部材が存在する
電子デバイス用基板。
【請求項４】請求項１または２の電子デバイス用基板
の一方の面に、補強板を張り付けたものである電子デバ
イス用基板。
【請求項５】請求項１または２の電子デバイス用基板
の一方の面に、前記窒化物薄膜の自立性を補強するため
の補強膜を形成したものである電子デバイス用基板。
【請求項６】前記補強膜が、Ａｌ、ＧａおよびＩｎか
ら選択される少なくとも１種とＮとを主成分とし、多結
晶またはアモルファスである請求項５の電子デバイス用
基板。
【請求項７】前記窒化物薄膜がエピタキシャル膜であ
る請求項１〜６のいずれかの電子デバイス用基板。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかの電子デバイス
用基板を製造する方法であって、表面がＳｉ単結晶から構成される支持基板の表面に、希
土類元素の酸化物および／または酸化ジルコニウムから
構成されるエピタキシャル膜であるバッファ層を形成
し、このバッファ層表面に前記窒化物薄膜を成長させた
後、支持基板の少なくとも一部または支持基板とバッフ
ァ層との少なくとも一部を除去する工程を有する電子デ
バイス用基板の製造方法。
【請求項９】支持基板がＳｉ（１００）面を表面に有
するものであり、バッファ層が（１１１）配向である請
求項８の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項１０】支持基板がＳｉ（１１１）面を表面に
有するものであり、バッファ層が（１１１）配向である
請求項８の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項１１】支持基板の少なくとも一部、または支
持基板とバッファ層との少なくとも一部を除去する際
に、研磨またはエッチングを利用する請求項８〜１０の
いずれかの電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項１２】前記窒化物薄膜をスパッタリング法に
より成長させる請求項８〜１１のいずれかの電子デバイ
ス用基板の製造方法。