JP2017103387A - ウェーハ分割方法及びウェーハ分割装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スループットの低下を招くことなく、チッピング等の不具合を防止することができるウェーハ分割方法及びウェーハ分割装置を提供する。【解決手段】表面に半導体素子が形成されたウェーハの分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側からブレードにより切削溝を形成し、切削溝が形成されたウェーハの表面に保護テープを貼着し、ウェーハの裏面を研削して切削溝をウェーハの裏面に表出させウェーハを個々のチップに分離するウェーハ分割方法であって、ウェーハ又はダミーウェーハにブレードにより検査用溝を形成する検査用溝形成工程と、検査用溝が形成されたウェーハ又はダミーウェーハを撮像した撮像画像に基づき、検査用溝の形状情報を取得する検査用溝形状検出工程と、検査用溝の形状情報に基づき、ウェーハの裏面の研削速度を制御する研削速度制御工程と、を備える。【選択図】図１４

Description

本発明は、ウェーハ分割方法及びウェーハ分割装置に関する。

表面に半導体素子が形成されたウェーハは、ダイシング装置によって切断又は溝入れ等の切削加工が施される。ダイシング装置は、スピンドルによって高速回転される薄い円盤状のブレードと、ウェーハを吸着保持するテーブルと、を備え、テーブルに吸着保持されたウェーハに対し、高速回転するブレードによってウェーハを、格子状に形成された分割予定ラインに沿って切削加工する。ブレードとテーブルは、ダイシング装置に備えられたＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向の各移動部によって相対的に移動される。これによって、ウェーハが分割予定ラインに沿って切削加工される。

近年、半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄葉化が進んでいる。ウェーハを薄葉化するために、ウェーハの裏面を研削するバックグラインド（裏面研削）が行われている。

例えば、特許文献１には、表面に半導体素子が形成されたウェーハを個々のチップに分割する方法として、ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）法（先ダイシング法ともいう。）が提案されている。ＤＢＧ法は、ウェーハの表面（デバイスが形成されている面）から分割予定ラインに沿って所定の深さの切削溝を形成（ハーフカット）し、ウェーハの表面に保護テープを貼着した後、切削溝に到達するまでウェーハの裏面を研削することで個々のチップに分割する方法である。このＤＢＧ法によれば、ウェーハの裏面研削の後にダイシングを行う方法に比べて、ウェーハ分割時の破損を抑えることが可能となる。

特開平９−２１３６６２号公報

しかしながら、上述したＤＢＧ法においては、次のような問題がある。

すなわち、ブレードは磨耗に伴い先端の断面形状がＲ形状（円弧状）へと変化するが、先端にＲ形状が形成されたブレードを用いて切削加工すると、ブレードの先端形状が切削溝の形状にそのまま転写されてしまい、切削溝の底部（下端側）の角部は垂直にならずにＲ形状となる。このように切削溝の底部に形成されたＲ形状部分は強度的に弱い部分であり、ウェーハの裏面研削時に小さな衝撃が加わるだけで簡単に欠けてしまいやすい。そのため、ウェーハを個々のチップに分割した後、得られるチップにチッピング等の不具合が発生しやすくなる。一方、このような不具合を防止するために、ウェーハの裏面の研削速度を遅くすることでウェーハの裏面研削時に加わる衝撃を小さくすることも考えられるが、全体的なスループットの低下を招くことになってしまう。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、スループットの低下を招くことなく、チッピング等の不具合を防止することができるウェーハ分割方法及びウェーハ分割装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の第１態様に係るウェーハ分割方法は、表面に半導体素子が形成されたウェーハの分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側からブレードにより切削溝を形成し、切削溝が形成されたウェーハの表面に保護テープを貼着し、ウェーハの裏面を研削して切削溝をウェーハの裏面に表出させウェーハを個々のチップに分離するウェーハ分割方法であって、ウェーハ又はダミーウェーハにブレードにより検査用溝を形成する検査用溝形成工程と、検査用溝が形成されたウェーハ又はダミーウェーハを撮像した撮像画像に基づき、検査用溝の形状情報を取得する検査用溝形状検出工程と、検査用溝の形状情報に基づき、ウェーハの裏面の研削速度を制御する研削速度制御工程と、を備える。

本発明の第２態様に係るウェーハ分割方法は、第１態様において、研削速度制御工程は、ウェーハの裏面の研削速度を、ウェーハがブレードの切り込み深さに相当する第１厚さとなるまでは第１研削速度とし、その後はウェーハが第１厚さよりも小さい第２厚さとなるまで第１研削速度よりも遅い第２研削速度とする。

本発明の第３態様に係るウェーハ分割方法は、第１態様又は第２態様において、検査用溝の形状情報に基づき、ブレードのブレード径を算出するブレード径算出工程と、ウェーハに切削溝を形成するときのブレードの切り込み深さをブレード径算出工程で算出されたブレード径に基づいて変化させる切り込み深さ制御工程と、を備える。

本発明の第４態様に係るウェーハ分割装置は、表面に半導体素子が形成されたウェーハの分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側からブレードにより切削溝を形成し、切削溝が形成されたウェーハの表面に保護テープを貼着し、ウェーハの裏面を研削して切削溝をウェーハの裏面に表出させウェーハを個々のチップに分離するウェーハ分割装置であって、ブレードによりウェーハ又はダミーウェーハに形成された検査用溝を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像した撮像画像に基づき、検査用溝の形状情報を取得する検査用溝形状検出手段と、検査用溝の形状情報に基づき、ウェーハの裏面の研削速度を制御する研削速度制御手段と、を備える。

本発明の第５態様に係るウェーハ分割装置は、第４態様において、研削速度制御手段は、ウェーハの裏面の研削速度を、ウェーハがブレードの切り込み深さに相当する第１厚さとなるまでは第１研削速度とし、その後はウェーハが第１厚さよりも小さい第２厚さとなるまで第１研削速度よりも遅い第２研削速度とする。

本発明の第６態様に係るウェーハ分割装置は、第４態様又は第５態様において、検査用溝の形状情報に基づき、ブレードのブレード径を算出するブレード径算出手段と、ウェーハに切削溝を形成するときのブレードの切り込み深さをブレード径算出手段で算出されたブレード径に基づいて変化させる切り込み深さ制御手段と、を備える。

本発明によれば、スループットの低下を招くことなく、チッピング等の不具合を防止することができる。

本発明の実施の形態に係るウェーハ分割方法を示したフローチャート図 本実施の形態で用いられるダイシング装置の構成を示す外観図 図２に示したダイシング装置でダイシング対象となるウェーハの一例を示した平面図 検査用溝が形成される様子を示した概略図 撮像手段によりウェーハの表面が撮像される様子を示した概略図 コントローラの構成を示したブロック図 ウェーハＷに形成された検査用溝を示した図 図７の一部を拡大した拡大平面図 ブレードとウェーハとの位置関係を示した概略図 ウェーハに形成された検査用溝を側面（Ｘ方向）から見た断面図 ダイシング工程によりウェーハに切削溝が形成された様子を示した概略図 ウェーハの表面に保護テープが貼り付けられた様子を示した概略図 本実施の形態に係る裏面研削工程で用いられる裏面研削装置の構成を示した概略図 裏面研削工程を説明するための図

以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施形態について説明する。

図１は、本発明の実施の形態に係るウェーハ分割方法を示したフローチャート図である。

図１に示すように、本実施の形態のウェーハ分割方法は、表面に半導体素子が形成されたウェーハの分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側からブレードにより切削溝を形成し、切削溝が形成されたウェーハの表面に保護テープを貼着し、ウェーハの裏面を研削して切削溝をウェーハの裏面に表出させウェーハを個々のチップに分離するウェーハ分割方法であって、ブレード形状認識処理工程（ステップＳ１０）と、ダイシング工程（ステップＳ１２）と、テープ貼付工程（ステップＳ１４）と、裏面研削工程（ステップＳ１６）とを含むものである。以下、各工程について説明する前に、本実施の形態で用いられるダイシング装置の構成について概略を説明する。

図２は、本実施の形態で用いられるダイシング装置の構成を示す外観図である。図３は、図２に示したダイシング装置でダイシング対象となるウェーハの一例を示した平面図である。

図２に示すように、ダイシング装置１０は、複数のウェーハＷが収納されたカセットを外部装置との間で受け渡すロードポート１２と、吸着部１４を有しウェーハＷを装置各部に搬送する搬送手段１６と、ウェーハＷを載置するテーブル１８と、ウェーハＷの加工が行われる加工部２０と、ウェーハの表面を撮像する撮像手段２６と、加工後のウェーハＷを洗浄し乾燥させるスピンナ２２とを備えている。ダイシング装置１０の各部の動作は制御手段としてのコントローラ２４により制御される。

加工部２０には、２本対向して配置され、先端にブレード２８が取り付けられた高周波モータ内蔵型のエアーベアリング式スピンドル３２が設けられており、所定の回転速度で高速回転するとともに、互いに独立して図のＹ方向のインデックス送りとＺ方向の切り込み送りとがなされる。また、ウェーハＷを吸着載置するテーブル１８がＺ方向の軸心を中心に回転可能に構成されているとともに、Ｘテーブル３０の移動によって図のＸ方向に研削送りされるように構成されている。

ブレード２８は、ダイヤモンド砥粒やＣＢＮ砥粒をニッケルで電着した電着ブレードや、金属粉末を混入した樹脂で結合したメタルレジンボンドのブレード等が用いられる。

コントローラ２４は、撮像手段２６で撮像された撮像画像に基づき不図示のＸ、Ｙ、θの各移動軸を制御して、ウェーハＷとブレード２８との位置合わせ（アライメント）を行う。

このように構成されたダイシング装置１０では、まず、複数枚のウェーハＷが収納されたカセットが、不図示の搬送装置、又は手動によってロードポート１２に載置される。載置されたカセットからウェーハＷが取り出され、搬送手段１６によりテーブル１８上に載置される。

ここで、ダイシング対象としてのウェーハＷの表面には、図３に示すように、格子状の分割予定ライン（ストリート）Ｌによって複数の領域に区画されている。区画された各領域には、所定の厚みを有するデバイス（半導体素子）Ｓが形成されている。テーブル１８上にはウェーハＷの表面が上向きとなる状態で載置される。

このようにしてテーブル１８上に載置されたウェーハＷは、撮像手段２６により表面が撮像され、ウェーハＷの表面に形成された分割予定ラインＬの位置とブレード２８の位置とが、不図示のＸ、Ｙ、θの各移動軸によりテーブル１８を調整して合わせられる。

位置合わせが終了し、ダイシングが開始されると、スピンドル３２が回転を始め、ブレード２８が高速に回転するとともに、不図示のノズルより切削液が供給される。この状態でウェーハＷは、テーブル１８とともに不図示の移動軸によって、図１に示すＸ方向へ加工送りされるとともに、スピンドル３２が所定の高さまでＺ方向へ下がりダイシングが行われる。

本実施の形態のダイシング装置１０では、ブレード２８の先端形状（Ｒ形状）に応じてダイシング工程（ステップＳ１２）におけるブレード２８の切り込み深さや裏面研削工程（ステップＳ１６）におけるウェーハＷの裏面の研削速度を制御できるようにするために、これらの工程に先駆けて、以下に説明するブレード形状認識処理工程（ステップＳ１０）が行われる。

ブレード形状認識処理工程では、ダイシング対象となるウェーハＷをテーブル１８に載置して、ウェーハＷとブレード２８との位置合わせを行った後、図４に示すように、スピンドル３２によりブレード２８を高速に回転させるとともに、ブレード２８を所定の高さ位置（Ｚ方向位置）に移動させてＺ方向への切り込み送りを行う。これにより、図５に示すように、ウェーハＷの表面には所定の深さの検査用溝（微小カーフ）５０が形成される。

さらにブレード形状認識処理工程では、図５に示すように、撮像手段２６によりウェーハＷの表面を撮像し、撮像手段２６で撮像した撮像画像から検査用溝５０の形状を検出し、この検出結果に基づいて、ダイシング工程（ステップＳ１２）におけるブレード２８の切り込み深さや裏面研削工程（ステップＳ１６）におけるウェーハＷの裏面の研削速度の制御が行われる。

図６は、コントローラ２４の構成を示したブロック図である。図６に示すように、コントローラ２４は、上述した制御を実現するために、検査用溝形状検出部４０と、ブレード径算出部４２と、溝深さ算出部４４と、記憶部４６と、切り込み深さ制御部４８とを備えている。

検査用溝形状検出部４０は、撮像手段２６で撮像された撮像画像に基づき、ブレード２８によりウェーハＷの表面に形成された検査用溝５０の形状情報を取得する検出部である。

図７は、ウェーハＷに形成された検査用溝５０の様子を示した図であり、（ａ）はウェーハＷに形成された検査用溝５０を上面から見た平面図であり、（ｂ）はウェーハＷに形成された検査用溝５０を側面（Ｙ方向）から見た断面図である。図８は、図７（ａ）の一部を拡大した拡大平面図である。各図面では、分かりやすくするために検査用溝５０を誇張して描いている。

検査用溝形状検出部４０は、撮像手段２６で撮像された撮像画像を公知の方法で画像処理を行うことによって、図７及び図８に示すように、検査用溝５０の形状情報として、検査用溝５０の長さ（カーフ長さ）ａと、検査用溝５０の直線部分（Ｒ形状が形成される先端部分を除いた部分）の長さｄとを検出して取得する。検査用溝形状検出部４０で取得された検査用溝５０の形状情報はブレード径算出部４２及び溝深さ算出部４４に与えられる。

ブレード径算出部４２は、後述の切り込み深さ制御部４８においてブレード２８の切り込み深さを制御するために、ブレード２８のブレード径（直径）を算出する算出部である。また、ブレード径算出部４２で算出されたブレード径は、後述の溝深さ算出部４４において検査用溝５０の溝深さ情報を得るために用いられる。ブレード径算出部４２は、ブレード径算出手段の一例である。

ブレード径算出部４２は、検査用溝形状検出部４０で取得された検査用溝５０の形状情報と、ブレード高さ検出部３４で検出されたブレード２８の高さ位置（Ｚ方向位置）とに基づいて、ブレード２８のブレード径を算出する。ブレード高さ検出部３４は、例えばリニアスケール等の公知の位置検出手段によって構成されており、ブレード２８の高さ位置としてウェーハＷの表面からブレード２８の回転中心までの距離を検出する。ブレード径算出部４２で算出されたブレード径は溝深さ算出部４４及び切り込み深さ制御部４８に与えられる。

図９は、ブレード２８とウェーハＷとの位置関係を示した概略図である。図９に示すように、検査用溝５０は、ブレード２８を回転させながら、ブレード２８をウェーハＷをＸ方向に相対的に移動させることなく、ブレード２８をウェーハＷに対してＺ方向に切り込み送りすることにより形成される。このとき、ブレード２８によってウェーハＷに形成される検査用溝５０の長さ（Ｘ方向長さ）をａとし、ブレード２８のブレード径をＲとし、ブレード高さ検出部３４は、ブレード２８の高さ位置（Ｚ方向位置）ｈとして、ウェーハＷの表面からブレード２８の回転中心までの距離を検出するものとした場合、ブレード径Ｒは、次式によって求められる。

溝深さ算出部４４は、切り込み深さ制御部４８においてブレード２８の切り込み深さを制御するために、検査用溝５０の溝深さ情報を取得する。溝深さ算出部４４で取得された検査用溝５０の溝深さ情報は切り込み深さ制御部４８に与えられる。

図１０は、ウェーハＷに形成された検査用溝５０を側面（Ｘ方向）から見た断面図である。図１０において、Ｃ１はブレード２８の切り込み深さを示し、Ｃ２は検査用溝５０の底部のＲ形状部分（ブレード２８の先端のＲ形状部分により形成された溝部分）の深さを示している。なお、図面では、分かりやすくするために検査用溝５０を誇張して描いている。

溝深さ算出部４４は、ブレード径算出部４２で算出されたブレード径Ｒと、検査用溝形状検出部４０で取得された検査用溝５０の形状情報とに基づき、ウェーハＷに形成された検査用溝５０における切り込み深さＣ１及び検査用溝５０の底部のＲ形状部分の深さＣ２を算出して取得する。具体的には、次式（２）及び（３）により、ブレード２８の切り込み深さＣ１とＲ形状部分の深さＣ２とを求めることができる。

以上のようにしてブレード形状認識処理工程（ステップＳ１０）が行われた後、図１に示すように、ダイシング工程（ステップＳ１２）が行われる。ダイシング工程では、切り込み深さ制御部４８によってブレード２８の切り込み深さが制御されつつ、図１１に示すように、ウェーハＷには分割予定ラインに沿って複数の切削溝５４が形成される。

切り込み深さ制御部４８は、ダイシング工程におけるブレード２８の切り込み深さを制御する制御部であり、溝深さ算出部４４で算出された検査用溝５０の溝深さ情報とブレード径算出部４２で算出されたブレード径Ｒとに基づき、ブレード２８の切り込み深さを制御する。

図１１に示すように、ダイシング工程におけるブレード２８の切り込み深さをＮ１とし、ブレード２８が新品状態（磨耗していない状態）のときのブレード２８の切り込み深さ（初期切り込み深さ）をＮ０とし、ブレード２８の摩耗量をΔｅとし、チップの仕上げ厚みをＤとしたとき、切り込み深さ制御部４８は、次式を満たすように、ブレード２８の切り込み深さＮ１を制御する。

Ｎ１＝Ｎ０＋Δｅ
＝Ｄ＋Ｃ２＋Δｅ ・・・（４）
なお、ブレード２８の摩耗量Δｅは、ブレード２８が新品状態のときのブレード２８のブレード径をＲ_０としたとき、次式によって求めることができる。

Δｅ＝（Ｒ_０−Ｒ）／２ ・・・（５）
また、切り込み深さ制御部４８で算出されたブレード２８の切り込み深さＮ１は記憶部４６に記憶される。記憶部４６に記憶されたブレード２８の切り込み深さＮ１は、後述の裏面研削装置６０の制御部７４（図１３参照）により参照される。

このように本実施の形態におけるダイシング工程では、切り込み深さ制御部４８によりブレード２８の切り込み深さが制御されつつ、ウェーハＷには分割予定ラインに沿って複数の切削溝５４が形成される。具体的には、ブレード２８の摩耗によりブレード径Ｒが小さくなるほど、ブレード２８の切り込み深さが大きくなるように制御が行われる。これにより、ブレード２８の摩耗によりブレード径Ｒに変化が生じた場合でも、その変化による影響を受けることなく、ウェーハＷの表面から常に一定の切り込み深さでブレード２８により切削溝５４を形成することが可能となり、ブレード２８の切り込み深さの信頼性が向上する。

また、本実施の形態におけるダイシング工程では、切り込み深さ制御部４８によるブレード２８の切り込み深さの制御によって、切削溝５４の底部のＲ形状部分がチップの仕上げ厚みＤよりも深い位置に形成されるため、後述する裏面研削速度の制御と相まってチッピングの発生を効果的に抑制することが可能となる。

ダイシング工程（ステップＳ１２）が行われた後、テープ貼付工程（ステップＳ１４）が行われる。テープ貼付工程では、ウェーハＷの表面に形成されたデバイスＳを保護するために、図１２に示すように、不図示のテープ貼付装置によりウェーハＷの表面に保護テープ（ＢＧテープ）６６が貼り付けられる。保護テープ６６は、ＰＥＴやポリオレフィンなどの基材とアクリル系合成樹脂などの粘着剤からなり、粘着剤が半導体素子に密着される。粘着剤は、紫外線照射により樹脂中の結合状態が変化し接着力が低下する特性を有する。

表面に保護テープ６６が貼り付けられたウェーハＷは、不図示の搬送装置により裏面研削装置６０に搬送される。裏面研削装置６０では、図１に示した裏面研削工程（ステップＳ１６）が行われる。

図１３は、本実施の形態に係る裏面研削工程で用いられる裏面研削装置の構成を示した概略図である。図１３に示すように、裏面研削装置６０は、ウェーハＷを保持するテーブル６２と、ウェーハＷの裏面を研削加工するバックグラインダ６４とを備えている。

ウェーハＷはテーブル６２の上面に保護テープ６６を介して吸着保持される。テーブル６２は、回転軸６８を中心に所定の回転数で回転される。

バックグラインダ６４は、テーブル６２の上方に設けられる。バックグラインダ６４の本体７０は、テーブル６２の回転軸６８に対して偏心した位置に配置された回転軸７２を有しており、回転軸７２を中心に所定の回転数で回転される。この本体７０の下面には、複数の砥石（不図示）が所定の間隔をもって固定されており、これらの砥石がテーブル６２に向けて本体７０とともに下降される。これによって、砥石がウェーハＷの裏面に押圧され、ウェーハＷの裏面が研削されていく。そして、ウェーハＷが所定の厚さ（チップの仕上げ厚みに相当する厚さ）となるまでウェーハＷの裏面の研削加工が行われる。これにより、ウェーハＷが個々のチップに分離される。

制御部７４は、裏面研削装置６０のテーブル６２やバックグラインダ６４等の各部の動作を制御する。

本実施形態における制御部７４は、研削速度制御手段の一例であり、ウェーハＷの裏面研削時に切削溝５４の底部に形成されたＲ形状部分が欠けてしまうことを防止するため、検査用溝形状検出部４０で取得された検査用溝５０の形状情報に基づき、バックグラインダ６４によるウェーハＷの裏面の研削速度を制御する。

具体的には、制御部７４は、図６に示した記憶部４６を参照してブレード２８の切り込み深さＮ１を取得し、この切り込み深さＮ１に基づいて、バックグラインダ６４によるウェーハＷの裏面の研削速度を制御する。その詳細な制御方法としては、ウェーハＷの裏面の研削速度を、ウェーハＷの厚みが図１４（ａ）に示した第１厚さ（切り込み深さＮ１に相当する厚さ）となるまで第１研削速度Ｖ１とし、その後はウェーハＷの厚みが図１４（ａ）に示した第１厚さから図１４（ｂ）に示した第２厚さ（チップの仕上げ厚みＤに相当する厚さ）となるまで第１研削速度Ｖ１よりも遅い第２研削速度Ｖ２とする。

本実施の形態における裏面研削工程では、制御部７４において上記制御が実行されることにより、ウェーハＷの裏面に切削溝５４が表出するまでは高速（第１研削速度Ｖ１）で研削加工が行われ、切削溝５４のＲ形状部分ではウェーハＷの裏面の研削速度が低速（第２研削速度Ｖ２）で研削加工が行われる。したがって、ウェーハＷの裏面研削時に切削溝５４の底部のＲ形状部分が欠けることなくチッピングの発生を防止できるとともに、全体的なスループットの向上を図ることが可能となる。

なお、本実施の形態では、テーブル１８上にウェーハＷを載置して、ウェーハＷに検査用溝を形成する態様としているが、これに限らず、テーブル１８上にウェーハＷと同様の材質で構成されたダミーウェーハを載置して、ダミーウェーハに検査用溝を形成する態様としてもよい。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。

１０…ダイシング装置、１８…テーブル、２４…コントローラ、２６…撮像手段、２８…ブレード、３２…スピンドル、３４…ブレード高さ検出部、４０…検査用溝検出部、４２…ブレード径算出部、４４…溝深さ算出部、４６…記憶部、４８…切り込み深さ制御部、５０…検査用溝、５４…切削溝、６０…裏面研削装置、６２…テーブル、６４…バックグラインダ、６６…保護テープ

Claims (6)

1. 表面に半導体素子が形成されたウェーハの分割予定ラインに沿って前記ウェーハの表面側からブレードにより切削溝を形成し、前記切削溝が形成された前記ウェーハの表面に保護テープを貼着し、前記ウェーハの裏面を研削して前記切削溝を前記ウェーハの裏面に表出させ前記ウェーハを個々のチップに分離するウェーハ分割方法であって、
   前記ウェーハ又はダミーウェーハに前記ブレードにより検査用溝を形成する検査用溝形成工程と、
   前記検査用溝が形成された前記ウェーハ又は前記ダミーウェーハを撮像した撮像画像に基づき、前記検査用溝の形状情報を取得する検査用溝形状検出工程と、
   前記検査用溝の形状情報に基づき、前記ウェーハの裏面の研削速度を制御する研削速度制御工程と、
   を備えるウェーハ分割方法。
2. 前記研削速度制御工程は、前記ウェーハの裏面の研削速度を、前記ウェーハが前記ブレードの切り込み深さに相当する第１厚さとなるまでは第１研削速度とし、その後は前記ウェーハが前記第１厚さよりも小さい第２厚さとなるまで前記第１研削速度よりも遅い第２研削速度とする、
   請求項１に記載のウェーハ分割方法。
3. 前記検査用溝の形状情報に基づき、前記ブレードのブレード径を算出するブレード径算出工程と、
   前記ウェーハに前記切削溝を形成するときの前記ブレードの切り込み深さを前記ブレード径算出工程で算出された前記ブレード径に基づいて変化させる切り込み深さ制御工程と、
   を備える請求項１又は２に記載のウェーハ分割方法。
4. 表面に半導体素子が形成されたウェーハの分割予定ラインに沿って前記ウェーハの表面側からブレードにより切削溝を形成し、前記切削溝が形成された前記ウェーハの表面に保護テープを貼着し、前記ウェーハの裏面を研削して前記切削溝を前記ウェーハの裏面に表出させ前記ウェーハを個々のチップに分離するウェーハ分割装置であって、
   前記ブレードにより前記ウェーハ又はダミーウェーハに形成された検査用溝を撮像する撮像手段と、
   前記撮像手段で撮像した撮像画像に基づき、前記検査用溝の形状情報を取得する検査用溝形状検出手段と、
   前記検査用溝の形状情報に基づき、前記ウェーハの裏面の研削速度を制御する研削速度制御手段と、
   を備えるウェーハ分割装置。
5. 前記研削速度制御手段は、前記ウェーハの裏面の研削速度を、前記ウェーハが前記ブレードの切り込み深さに相当する第１厚さとなるまでは第１研削速度とし、その後は前記ウェーハが前記第１厚さよりも小さい第２厚さとなるまで前記第１研削速度よりも遅い第２研削速度とする、
   請求項４に記載のウェーハ分割装置。
6. 前記検査用溝の形状情報に基づき、前記ブレードのブレード径を算出するブレード径算出手段と、
   前記ウェーハに前記切削溝を形成するときの前記ブレードの切り込み深さを前記ブレード径算出手段で算出された前記ブレード径に基づいて変化させる切り込み深さ制御手段と、
   を備える請求項４又は５に記載のウェーハ分割装置。
   

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