JP6569857B2 - ダイシング方法及びダイシング装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明に係るダイシング方法によるダイシング工程を実行するダイシング装置10の外観図である。
加工部20には、カメラ26が設けられる。このカメラ26は、図2に示すウェーハWの平面図の如く、ウェーハWの表面Waに形成されている格子状のダイシングラインDL(Dicing Line)を撮像して、ウェーハWを既知のパターンマッチング法によりアライメントするための部材として使用される。ウェーハWのダイシングラインDLで区画される矩形状の領域には複数の半導体素子SDが形成される。これらのダイシングラインDLに、後述するブレード28(図1参照)によって、ウェーハWの厚さよりも浅い切削溝(溝)が形成される。
図1のダイシング装置10では、まず、複数枚のウェーハWが収納されたカセットが、不図示の搬送装置、又は手動によってロードポート12に載置される。載置されたカセットからウェーハWが取り出され、搬送装置16によってテーブル18の表面に載置される。この後、ウェーハWの裏面が、テーブル18に吸着保持される。これにより、ウェーハWがテーブル18に保持される。
図4(A)、(B)は、ウェーハWの表面WaのダイシングラインDLに沿って形成される切削溝52の第1のダイシング方法を時系列的に示した説明図である。
図6は、裏面研削加工工程を実行する裏面研削装置60の概要を示した側面図である。
以下、ダイシング装置10と裏面研削装置60を使用した半導体装置の製造方法について説明する。
図7は、半導体装置の第1の製造方法を示すフローチャートである。図8は、図7のフローチャートに基づく各工程の動作を示した説明図である。
裏面研削工程S3が終了すると、複数の半導体素子SDは、半導体素子SDごとに分離される。しかしながら、ウェーハWの面取り部RのダイシングラインDLには、切削溝52が形成されていない。このため、面取り部Rに存在する複数のコーナーチップCTは分離されず、ウェーハWの外縁部に沿って繋がった状態で残される。
第1の実施形態のダイシング方法では、図4の如く、面取り部Rの長さbの全領域を未切削の領域としたが、長さbの領域の一部に未切削の領域が残るように切削開始位置、及び切削終了位置を設定してもよい。このダイシング方法を第2のダイシング方法として説明する。
図10(A)、(B)、(C)は、ダイシングラインDLに第1の研削溝と第2の切削溝56を研削加工する研削方法を時系列的に示した説明図である。
ダイシング工程において、ウェーハWは、図1のダイシング装置10のテーブル18の上面に、半導体素子SDを上にして吸着保持される。そして、ブレード28によるダイシングによってダイシングラインDLに切削溝54、56を形成する。
裏面研削工程が終了すると、複数の半導体素子SDは、半導体素子SDごとに分離される。しかしながら、第2の切削溝56の深さeは、第1の切削溝54の深さaよりも浅いので、ウェーハWの外縁部に存在する複数のコーナーチップCTは分離されず、ウェーハWの外縁部に沿って繋がった状態で残される。
Claims (4)
- ウェーハの裏面を研削する裏面研削加工が行われる前に、前記ウェーハの表面に形成された複数の半導体素子を区画するダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から溝を切削加工するダイシング方法であって、
前記ダイシングラインの一方の端部が位置する前記ウェーハの一方の外縁部から内側に位置する第1の内側位置に向けて、前記ウェーハの表面側からブレードを、前記ウェーハの厚さよりも浅い第1の溝を切り込む深さ位置へ進出させ、前記第1の内側位置を前記ブレードによって切削するブレード進出工程と、
前記ダイシングラインの他方の端部が位置する前記ウェーハの他方の外縁部から内側に位置する第2の内側位置に向けて、前記ウェーハと前記ブレードとを相対的に前記ダイシングラインに沿った切削方向に移動させることにより、前記第1の内側位置から前記第2の内側位置まで前記第1の溝を前記ブレードによって切削加工する第1の溝加工工程と、
前記第2の内側位置に移動した前記ブレードを、前記ウェーハの表面側へ退避させるブレード退避工程と、
を含み、
前記ウェーハの一方の外縁部と前記第1の内側位置との間、及び前記ウェーハの他方の外縁部と前記第2の内側位置との間に、それぞれ、前記ブレードによって前記第1の溝よりも浅い第2の溝を切削加工する第2の溝加工工程と、
をさらに含む、ダイシング方法。 - 前記ウェーハの一方の外縁部から前記第1の内側位置までの長さ、及び前記ウェーハの他方の外縁部から前記第2の内側位置までの長さは、前記ウェーハの外周部の表面に形成される面取り部の長さ、前記ブレードの半径、及び前記第1の溝の深さに基づいて設定される、請求項1に記載のダイシング方法。
- ウェーハの裏面を研削する裏面研削加工が行われる前に、前記ウェーハの表面に形成された複数の半導体素子を区画するダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から溝を研削加工するダイシング装置であって、
前記ウェーハを保持するテーブルと、
スピンドルによって回転されるブレードと、
前記ウェーハの表面に対して前記ブレードを進退移動させるブレード進退手段と、
前記テーブルと前記ブレードとを前記ダイシングラインに沿って相対的に切削方向に移動させる移動手段と、
前記ブレード進退手段と前記移動手段とを制御する制御手段であって、前記ブレード進退手段を制御することにより、前記ダイシングラインの一方の端部が位置する前記ウェーハの一方の外縁部から内側に位置する第1の内側位置に向けて、前記ウェーハの表面側から前記ブレードを、前記ウェーハの厚さよりも浅い第1の溝を切り込む深さ位置へ進出させ、前記移動手段を制御することにより、前記ダイシングラインの他方の端部が位置する前記ウェーハの他方の外縁部から内側に位置する第2の内側位置に向けて、前記ウェーハと前記ブレードとを相対的に前記切削方向に移動させることにより、前記第1の内側位置から前記第2の内側位置まで前記第1の溝を前記ブレードによって切削加工させ、前記ブレード進退手段を制御することにより、前記第2の内側位置に移動した前記ブレードを、前記ウェーハの表面側へ退避させ、前記ブレード進退手段及び前記移動手段を制御することにより、前記ウェーハの一方の外縁部と前記第1の内側位置との間、及び前記ウェーハの他方の外縁部と前記第2の内側位置との間に、それぞれ、前記ブレードによって前記第1の溝よりも浅い第2の溝を切削加工させる制御手段と、
を有する、ダイシング装置。 - 前記制御手段は、
前記ウェーハの一方の外縁部から前記第1の内側位置までの長さ、及び前記ウェーハの他方の外縁部から前記第2の内側位置までの長さを、前記ウェーハの外縁部の表面に形成される面取り部の長さ、前記ブレードの半径、前記第1の溝の深さに基づいて設定し、前記第1の内側位置までの前記長さ、前記第2の内側位置までの前記長さ、前記移動手段による前記切削方向の速度、前記ブレードの半径、及び前記第1の溝の深さに基づいて前記ブレード進退手段及び前記移動手段を制御する、請求項3に記載のダイシング装置。
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