TW201701344A

TW201701344A - 晶圓的加工方法

Info

Publication number: TW201701344A
Application number: TW105113737A
Authority: TW
Inventors: Atsushi Kubo; Xin Lu
Original assignee: Disco Corp
Priority date: 2015-06-08
Filing date: 2016-05-03
Publication date: 2017-01-01
Also published as: KR20160144311A; CN106252281A; JP2017005056A

Abstract

本發明的課題為提供一種能夠獲得品質良好的晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)之晶圓的加工方法。解決手段是包含下列步驟：第1切削溝形成步驟，是以具有第1厚度的切削刀從晶圓的表面側沿著分割預定線形成深度相當於器件的成品厚度的第1切削溝；塑模步驟，是將塑模樹脂敷設在已實施第1切削溝形成步驟的晶圓之表面上，並且將塑模樹脂埋設到該第1切削溝；第2切削溝形成步驟，是以具有比第1厚度薄的第2厚度的切削刀，形成深度比被敷設在晶圓之表面的塑模樹脂以及被埋設到該第1切削溝的塑模樹脂的厚度還深而到達晶圓的第2切削溝；保護構件貼附步驟，是將保護構件貼附於被敷設在已實施第2切削溝形成步驟的晶圓的表面之塑模樹脂的表面上；以及背面磨削步驟，是磨削已實施保護構件貼附步驟的晶圓的背面，以使第2切削溝顯露而將晶圓分割成一個個的器件。

Description

晶圓的加工方法

發明領域

本發明是有關於一種晶圓的加工方法，該方法是將在表面上有複數條分割預定線形成為格子狀，且在由該複數條分割預定線所劃分的複數個區域中形成有器件的晶圓沿著分割預定線分割成一個個的器件，並且以樹脂將一個個的器件被覆。

發明背景

在半導體器件的製造步驟中，是在大致呈圓板狀的半導體晶圓的表面上，藉由排列成格子狀之分割預定線而劃分成複數個區域，並在此劃分的區域中形成IC、LSI等器件。藉由將如此所形成之半導體晶圓沿著分割預定線切斷，以將形成有器件之區域分割而製造出一個個的器件。

近年來，已開發有將晶圓分割成一個個的器件，並且以樹脂將一個個的器件被覆的封裝技術。作為這項封裝技術之一的被稱為晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)之封裝技術已被揭示在下列專利文獻1中。

被揭示在下列專利文獻1中的封裝技術，是將樹脂被覆在晶圓的背面，從晶圓的表面沿著分割預定線形成達到樹脂的切削溝，將塑模樹脂敷設在晶圓的表面以被覆各器件，並且將塑模樹脂埋設到切削溝後，藉由以厚度比切削溝的寬度更薄的切削刀將被充填於切削溝的塑模樹脂切斷，來分割成一個個的晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

此外，作為製造晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)的晶圓的加工方法，有下列的技術被開發。

(1)從晶圓的表面側沿著分割預定線形成深度相當於器件的成品厚度的切削溝。

(2)將塑模樹脂敷設在晶圓之表面上，並且將塑模樹脂埋設到切削溝。

(3)在被敷設於晶圓的表面上的塑模樹脂之表面貼附保護構件，並磨削晶圓的背面而使切削溝顯露。

(4)將晶圓的背面貼附於切割膠帶，藉由以厚度比切削溝的寬度薄的切削刀將被埋設於切削溝的塑模樹脂切斷，來分割成一個個的晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2006-100535號公報

發明概要

然而，在上述的任何一個加工方法中，以切削刀將埋設於切削溝的塑模樹脂切斷後，會有由於塑模樹脂的阻力而使切削刀的切割刃撓曲，在構成晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)的器件的側面上留下傷痕的問題。

本發明是有鑒於上述事實而作成的發明，其主要的技術課題在於提供一種能夠獲得品質良好的晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)之晶圓的加工方法。

為了解決上述主要的技術課題，依據本發明，提供一種晶圓的加工方法，其是在表面上有複數條分割預定線形成為格子狀，且在由該複數條分割預定線所劃分的複數個區域中形成有於表面具備有凸塊的器件的晶圓的加工方法，該晶圓的加工方法之特徵在於包含：第1切削溝形成步驟，是以具有第1厚度的切削刀從晶圓的表面側沿著分割預定線形成深度相當於器件的成品厚度的第1切削溝；塑模步驟，是將塑模樹脂敷設在已實施該第1切削溝形成步驟的晶圓之表面上，並且將塑模樹脂埋設到該第1切削溝；第2切削溝形成步驟，是以具有比該第1厚度薄的第2厚度的切削刀，形成深度比被敷設在晶圓的表面的塑模樹脂以及被埋設到該第1切削溝的塑模樹脂的厚度還深而到達晶圓的第2切削溝；保護構件貼附步驟，是將保護構件貼附於被敷設在已實施該第2切削溝形成步驟的晶圓之表面的塑模樹脂的表面上；及背面磨削步驟，是磨削已實施該保護構件貼附步驟的晶圓的背面，以使該第2切削溝顯露而將晶圓分割成一個個的器件。

本發明的晶圓的加工方法由於包含有下列步驟：第1切削溝形成步驟，是以具有第1厚度的切削刀從晶圓的表面側沿著分割預定線形成深度相當於器件的成品厚度的第1切削溝；塑模步驟，是將塑模樹脂敷設在已實施該第1切削溝形成步驟的晶圓之表面上，並且將塑模樹脂埋設到第1切削溝；第2切削溝形成步驟，是以具有比該第1厚度薄的第2厚度的切削刀，形成深度比被敷設在晶圓的表面的塑模樹脂以及被埋設到該第1切削溝的塑模樹脂的厚度還深而到達晶圓的第2切削溝；保護構件貼附步驟，是將保護構件貼附於被敷設在已實施該第2切削溝形成步驟的晶圓之表面的塑模樹脂的表面上；以及背面磨削步驟，是磨削已實施該保護構件貼附步驟的晶圓的背面，以使該第2切削溝顯露而將晶圓分割成一個個的器件，因此，不是在磨削已於表面敷設有塑模樹脂的晶圓之背面之後才沿著分割預定線切削，故可解決在器件的側面留下傷痕的問題。此外，在上述第2切削溝形成步驟中，由於會形成深度比被敷設在晶圓的表面的塑模樹脂以及被埋設到該第1切削溝的塑模樹脂的厚度還深而到達晶圓的第2切削溝，因此，可藉由切削構成晶圓的矽等，而穩定切削刀的外周部的旋轉。因此，不會有如只切削塑模樹脂時一樣，於切削刀上產生撓曲之情形，而可解決因切削刀撓曲而在器件的側面留下傷痕的問題。還有，在上述第2切削溝形成步驟中，由於切削刀的外周部僅稍微切削構成晶圓的矽等，因此發生自動磨銳作用(self-sharpening)而使切削狀態變得良好，並提升器件的品質。

2‧‧‧半導體晶圓

2a‧‧‧表面

2b‧‧‧背面

21‧‧‧分割預定線

210‧‧‧第1切削溝

22‧‧‧器件

23‧‧‧凸塊

3、30‧‧‧切削裝置

31‧‧‧切削裝置的工作夾台

32‧‧‧切削設備

321、521、721‧‧‧主軸殼體

322、522、722‧‧‧旋轉主軸

323‧‧‧切削刀

323a、323b‧‧‧環狀切割刃

33‧‧‧拍攝設備

4‧‧‧樹脂被覆裝置

40‧‧‧塑模樹脂

41‧‧‧保持夾台

410‧‧‧第2切削溝

42‧‧‧樹脂供給噴嘴

421‧‧‧噴出口

5‧‧‧研磨裝置

51‧‧‧研磨裝置的工作夾台

52‧‧‧研磨設備

523、723‧‧‧安裝座

524‧‧‧研磨工具

525、725‧‧‧基台

526‧‧‧研磨墊

527、727‧‧‧連結螺栓

6‧‧‧保護膠帶

7‧‧‧磨削裝置

71‧‧‧磨削裝置的工作夾台

72‧‧‧磨削設備

724‧‧‧磨削輪

726‧‧‧磨削磨石

F‧‧‧環狀框架

T‧‧‧切割膠帶

322a、41a、51a、524a、524b、71a、724a、724b、X、X1、X2、 Y、Z1、Z2‧‧‧箭頭

圖1為作為以本發明的晶圓的加工方法分割的晶圓的半導體晶圓的立體圖。

圖2為用以實施本發明的晶圓的加工方法中的第1切削溝形成步驟的切削裝置之主要部位立體圖。

圖3(a)~(d)為本發明的晶圓的加工方法中的第1切削溝形成步驟的說明圖。

圖4(a)~(c)為本發明的晶圓的加工方法中的塑模步驟的說明圖。

圖5(a)~(c)為本發明的晶圓的加工方法中的凸塊露出步驟的說明圖。

圖6為用以實施本發明的晶圓的加工方法中的第2溝形成步驟的切削裝置的主要部位立體圖。

圖7(a)~(d)為本發明的晶圓的加工方法中的第2溝形成步驟的說明圖。

圖8(a)、(b)為本發明的晶圓的加工方法中的保護構件貼附步驟的說明圖。

圖9(a)~(c)為本發明的晶圓的加工方法中的背面磨削步驟的說明圖。

圖10為本發明的晶圓的加工方法中的晶圓支持步驟的說明圖。

圖11為藉由本發明的晶圓的加工方法而被分割成一個個的器件的立體圖。

用以實施發明之形態

以下，針對本發明的晶圓的加工方法的較佳實施形態，參照附加圖式以詳細說明。

在圖1中，顯示有作為依據本發明而被加工的晶圓的半導體晶圓的立體圖。圖1所示之半導體晶圓2是由厚度為例如600μm的矽晶圓所構成，並在表面2a上有複數條分割預定線21形成為格子狀，且在藉由該複數條分割預定線21所劃分出的複數個區域中形成有IC、LSI等的器件22。此各器件22是做成全部都相同的構成。器件22的表面中各自形成有複數個作為突起電極之凸塊23。以下，說明將此半導體晶圓2沿著分割預定線21分割成一個個的器件22，並且以樹脂將一個個的器件被覆的晶圓的加工方法。

首先，實施第1切削溝形成步驟，該第1切削溝形成步驟是以具有第1厚度的切削刀從半導體晶圓2的表面側沿著分割預定線21，形成深度相當於器件的成品厚度的第1切削溝。此第1切削溝形成步驟在圖示的實施形態中，是使用圖2所示的切削裝置3實施的。圖2所示的切削裝置3具備有保持被加工物的工作夾台31、切削保持於該工作夾台31上之被加工物的切削設備32、與拍攝保持於該工作夾台31 上之被加工物的拍攝設備33。工作夾台31是構成為可吸引保持被加工物，且形成為藉由圖未示的切削進給設備，使其在圖2中於箭頭X所示的切削進給方向上移動，並藉由圖未示的分度進給設備，使其在箭頭Y所示的分度進給方向上移動。

上述切削設備32包含有實質上水平地配置的主軸殼體321、旋轉自如地被該主軸殼體321支持的旋轉主軸322、與裝設在該旋轉主軸322的前端部且具備有環狀的切割刃323a的切削刀323，並形成為旋轉主軸322藉由配設在主軸殼體321內的圖未示之伺服馬達來使其朝箭頭322a所示的方向旋轉。再者，切削刀323的環狀的切割刃323a在圖示的實施形態中，是設定在為第1厚度之50μm。上述拍攝設備33是由顯微鏡或CCD相機等光學設備所構成，並將所拍攝到的圖像訊號傳送到圖未示之控制設備。

使用上述的切削裝置3實施第1切削溝形成步驟時，是如圖2所示，將半導體晶圓2的背面2b側載置在工作夾台31上，並藉由操作圖未示的吸引設備，以將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台31上。因此，保持於工作夾台31上的半導體晶圓2會成為表面2a在上側。如此進行以將吸引保持半導體晶圓2的工作夾台31藉由圖未示的切削進給設備定位到拍攝設備33的正下方。

當將工作夾台31定位於拍攝設備33的正下方後，實行校準(alignment)作業，該校準作業是藉由拍攝設備33及圖未示之控制設備檢測用來沿著半導體晶圓2的分割預定線21而形成第1分割溝之切削區域。亦即，拍攝設備33和圖未示之控制設備會實行圖像處理而執行切削區域之校準，該圖像處理是用以進行在半導體晶圓2之預定方向上所形成的分割預定線21與切削刀323之位置對齊的型樣匹配(pattern matching)等的圖像處理(校準步驟)。此外，對於在半導體晶圓2上所形成的相對於上述預定方向朝正交之方向延伸的分割預定線21，也是同樣地執行切削區域之校準。

如上述地進行而執行了檢測保持於工作夾台31上之半導體晶圓2的切削區域的校準後，會將保持有半導體晶圓2的工作夾台31移動至切削加工區域之切削開始位置。此時，如圖3(a)所示，是將半導體晶圓2定位成使分割預定線21的一端(在圖3(a)中為左端)置於於離切削刀323的環狀的切割刃323a的正下方右側預定量之位置上。其次，將切削刀323從圖3(a)中的2點鏈線所示的待機位置如箭頭Z1所示地朝下方切入進給，且如圖3(a)中的實線所示地定位在預定的切入進給位置。此切入進給位置如圖3(a)以及圖3(c)所示，是設定在切削刀323的環狀的切割刃323a的下端位於從半導體晶圓2的表面算起相當於器件的成品厚度的深度位置上(例如，200μm)。

接著，使切削刀323在圖3(a)中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並使工作夾台31在圖3(a)中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動。然後，分割預定線21的另一端(在圖3(b)中為右端)到達離切削刀323 的環狀切割刃323a的正下方左側預定量之位置時，停止工作夾台31的移動。藉由像這樣將工作夾台31切削進給，以如圖3(d)所示，在半導體晶圓2上沿著分割預定線21形成從表面算起相當於器件的成品厚度之深度(例如，200μm)，且寬度為50μm的第1切削溝210(第1切削溝形成步驟)。

其次，如圖3(b)中箭頭Z2所示地使切削刀323上升而定位到2點鏈線所示之待機位置上，且將工作夾台31在圖3(b)中朝箭頭X2所示之方向移動，以返回到圖3(a)所示之位置上。然後，將工作夾台31朝與紙面垂直之方向(分度進給方向)只分度進給相當於分割預定線21之間隔的量，並將下一個應切削之分割預定線21定位到與切削刀323對應的位置上。如此進行而將下一條用來切削的分割預定線21定位在與切削刀323對應的位置上後，實施上述的第1切削溝形成步驟。然後，在已形成於半導體晶圓2上的所有分割預定線21上，實施上述之第1切削溝形成步驟。

實施上述第1切削溝形成步驟後，實施塑模步驟，該塑模步驟是在半導體晶圓2的表面敷設塑模樹脂，並將塑模樹脂埋設到第1切削溝210。此塑模步驟是如圖4(a)所示，將已實施上述第1切削溝形成步驟的半導體晶圓2的背面2b載置在樹脂被覆裝置4的保持夾台41的上表面之保持面上。然後，藉由作動圖未示的吸引設備，將半導體晶圓2吸引保持在保持夾台41的保持面上。因此，被保持於保持夾台41的半導體晶圓2會成為表面2a在上側。如此進行而將半導體晶圓2保持在保持夾台41上後，如圖4(a)所示，將樹脂供給噴嘴42的噴出口421定位在被保持於保持夾台41上的半導體晶圓2的中心部，作動圖未示的樹脂供給設備，從樹脂供給噴嘴42的噴出口421將塑模樹脂40朝被保持於保持夾台41上的半導體晶圓2的中央區域滴下預定量。將預定量的塑模樹脂40滴在半導體晶圓2的表面2a的中央區域後，如圖4(b)所示，藉由將保持夾台41朝箭頭41a所示的方向以預定的旋轉速度旋轉預定時間，以如圖4(b)以及圖4(c)所示，在半導體晶圓2的表面2a敷設塑模樹脂40，並且將塑模樹脂40埋設到第1切削溝210中。再者，塑模樹脂40在圖示的實施形態中是使用熱硬化性的液狀樹脂(環氧系的樹脂)，且藉由被敷設在半導體晶圓2的表面2a並且被埋設到切削溝210後，以150℃左右加熱以使其硬化。

其次，實施凸塊露出步驟，該凸塊露出步驟是研磨已敷設在半導體晶圓2的表面2a的塑模樹脂40，而將形成於器件22的表面之凸塊23露出。此凸塊露出步驟是使用圖5(a)所示的研磨裝置5來實施。圖5(a)所示的研磨裝置5具備有保持被加工物的工作夾台51、與研磨保持在該工作夾台51的被加工物的研磨設備52。工作夾台51是構成為將被加工物吸引保持於上表面，並藉由圖未示之旋轉驅動機構，而使其在圖5(a)中朝箭頭51a所示的方向旋轉。研磨設備52具備有主軸殼體521、旋轉自如地被該主軸殼體521支撐並藉由圖未示的旋轉驅動機構使其旋轉的旋轉主軸522、裝設於該旋轉主軸522之下端的安裝座523、及安裝在該安裝座523之下表面的研磨工具524。此研磨工具524是由圓形之基台525與裝設在該基台525的下表面的研磨墊526所構成，且基台525是藉由連結螺栓527安裝在安裝座523的下表面。再者，在圖示之實施形態中，研磨墊526是在毛氈(felt)中混入由作為研磨材料的二氧化矽(silica)所構成之磨粒。

使用上述研磨裝置5實施上述凸塊露出步驟時，如圖5(a)所示，是將已實施上述塑模步驟的半導體晶圓2的背面2b側載置在工作夾台51的上表面(保持面)。然後，藉由操作圖未示的吸引設備，將半導體晶圓2吸附保持在工作夾台51上(晶圓保持步驟)。因此，被保持在工作夾台51上的半導體晶圓2會成為已被敷設在表面2a的塑模樹脂40在上側。如上述地將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台51上後，將工作夾台51在圖5(a)中朝箭頭51a所示的方向以預定的旋轉速度旋轉，並使研磨設備52的研磨工具524在圖5(a)中朝箭頭524a所示的方向以預定的旋轉速度旋轉，如圖5(b)所示，使研磨墊526接觸已被敷設在為被加工面之表面2a上的塑模樹脂40的上表面，將研磨工具524如在圖5(a)以及圖5(b)中以箭頭524b所示地以預定的研磨進給速度朝下方(相對於工作夾台51的保持面垂直的方向)研磨進給預定量。其結果，如圖5(c)所示，將已敷設在表面2a的塑模樹脂40研磨預定量，使形成於器件22的表面的凸塊23露出(凸塊露出步驟)。

再者，在上述塑模步驟中，不被覆凸塊23的上端部來將塑模樹脂40敷設在半導體晶圓2的表面2a的情況下，上述凸塊露出步驟不一定是必要的。

實施上述之凸塊露出步驟後，實施第2切削溝形成步驟，該第2切削溝形成步驟是以具有比上述第1厚度更薄的第2厚度的切削刀，形成深度比已敷設在半導體晶圓2的表面的塑模樹脂以及被埋設到第1切削溝的塑模樹脂的厚度更深而到達半導體晶圓2的第2切削溝。此第2切削溝形成步驟在圖示的實施形態中，是使用圖6所示的切削裝置30實施。再者，由於圖6所示的切削裝置30與上述圖2所示的切削裝置3除了切削刀323的環狀的切割刃323a以外均為相同構成，因此，對於相同構件會附上相同符號而省略說明。圖6所示的切削裝置30中的切削刀323的環狀的切割刃323b是設定為比上述環狀的切割刃323a的第1厚度(50μm)更薄的第2厚度的20μm。

使用圖6所示的切削裝置30來實施第2切削溝形成步驟時，是將已實施上述凸塊露出步驟的半導體晶圓2的背面2b側載置在工作夾台31上。然後，藉由作動圖未示的吸引設備，以將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台31上。因此，保持於保持夾台31上的半導體晶圓2會成為已敷設在表面2a的塑模樹脂40在上側。如此進行，可將吸引保持半導體晶圓2的工作夾台31藉由圖未示的切削進給設備定位到拍攝設備33的正下方。

當將工作夾台31定位在拍攝設備33的正下方後，即實行校準作業，該校準作業是以拍攝設備33以及圖未示的控制設備檢測用來切削被敷設於半導體晶圓2的表面的塑模樹脂以及被埋設到第1切削溝210的塑模樹脂之切削區域。亦即，拍攝設備33以及圖未示的控制設備是實行圖像處理，該圖像處理是用於進行形成於半導體晶圓2的預定方向上的埋設有塑模樹脂40的切削溝210、與切削刀323之位置對齊的圖影像處理，而執行切削區域的校準(校準步驟)。再者，由於在圖示的實施形態中，在形成了切削溝210的半導體晶圓2的表面會敷設有塑模樹脂40，因此拍攝設備33是拍攝形成於將分割預定線21包夾而相鄰的器件22上且從塑模樹脂40的表面露出的凸塊23，並傳送至圖未示的控制設備。然後，圖未示的控制設備會將形成於相鄰的器件22，且凸塊23與凸塊23的中間位置決定為形成於分割預定線21的切削溝210的寬度方向中間位置。如此進行而執行了相對於形成於半導體晶圓2的預定方向之埋設有塑模樹脂40的切削溝210的校準後，對於形成在半導體晶圓2上的相對於上述預定方向正交的方向上所形成之切削溝210，也是同樣地執行切削區域的校準。

如上述地進行而執行了檢測保持於工作夾台31上之半導體晶圓2的切削區域的校準後，會將保持有半導體晶圓2的工作夾台31移動至切削加工區域之切削開始位置。此時，如圖7(a)所示，是將半導體晶圓2定位成使埋設有用來切削的塑模樹脂40的切削溝210的一端(在圖7(a)中為左端)會置於離切削刀323的環狀切割刃323b的正下方右側預定量之位置上。

如此進行而將保持在切削裝置30之工作夾台31上的半導體晶圓2定位到切削加工區域之切削開始位置後，即可將切削刀323在圖7(a)中從以2點鏈線所示的待機位置如箭頭Z1所示地朝向下方切入進給，而在圖7(a)中如實線所示地定位到預定的切入進給位置。此切入進給位置如圖7(a)以及圖7(c)所示，是設定在使切削刀323的環狀的切割刃323b的下端到達由矽晶圓構成的半導體晶圓2的位置上。

接著，使切削刀323在圖7(a)中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並使工作夾台31在圖7(a)中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動。然後，於埋設有塑模樹脂40的第1切削溝210的另一端(在圖7(b)中為右端)到達離切削刀323的環狀的切割刃323b的正下方左側預定量的位置後，停止工作夾台31的移動。像這樣藉由將工作夾台31切削進給，可如圖7(d)所示地形成比被敷設於半導體晶圓2的表面的塑模樹脂40以及被埋設於第1切削溝210的塑模樹脂40的厚度更深而到達半導體晶圓2之寬度為20μm的第2切削溝410(第2切削溝形成步驟)。在此第2切削溝形成步驟中，由於切削刀323的環狀的切割刃323b的下端是如圖7(c)所示地設定在到達由矽晶圓構成的半導體晶圓2的位置上，因此可藉由使環狀的切割刃323b切削構成半導體晶圓2的矽，穩定環狀的切割刃323b的外周部之旋轉。因此，不會有像只切削塑模樹脂時一樣，於切削刀323的環狀的切割刃323b上產生撓曲的情形，因而使因為環狀的切割刃323b撓曲而在器件的側面留下傷痕的問題獲得解決。此外，在上述第2切削溝形成步驟中，由於切削刀323的環狀的切割刃323b的外周部僅稍微切削構成半導體晶圓2的矽，因此發生自動磨銳作用而使切削狀態變得良好，並提升器件的品質。

其次，在圖7(b)中，使切削刀323如箭頭Z2所示上升而定位到2點鏈線所示之待機位置上，且將工作夾台31在圖7(b)中朝箭頭X2所示之方向移動，以返回到圖7(a)所示之位置。然後，將工作夾台31朝與紙面垂直的方向(分度進給方向)只分度進給相當於埋設有塑模樹脂40的切削溝210的間隔(分割預定線21的間隔)的量，將下一個用來切削的埋設於切削溝210的塑模樹脂40定位到與切削刀323對應的位置上。如此進行而將下一個用來切削的埋設於切削溝210的塑模樹脂40定位在與切削刀323對應的位置上後，實施上述的第2切削溝形成步驟。然後，對於與被埋設於形成在半導體晶圓2上的所有第1切削溝210的塑模樹脂40對應的區域均實施上述的第2切削溝形成步驟。

實施上述的第2切削溝形成步驟後，實施保護構件貼附步驟，該保護構件貼附步驟是將保護構件貼附在已被敷設於半導體晶圓2的表面的塑模樹脂40之表面。亦即，如圖8所示，在被敷設於半導體晶圓2的表面2a的塑模樹脂40之表面貼附作為保護構件的保護膠帶6。再者，保護膠帶6在圖示之實施形態中是在厚度為100μm之由聚氯乙烯(PVC)所形成的片狀基材的表面上將丙烯酸樹脂系之膠料塗布為厚度5μm左右。

其次，實施背面磨削步驟，該背面磨削步驟是磨削已實施保護構件貼附步驟的半導體晶圓2的背面，以使第2切削溝410顯露，而將半導體晶圓2分割成一個個的器件。此背面磨削步驟是利用圖9(a)所示的磨削裝置7來實施。圖9(a)所示的磨削裝置7具備有保持被加工物的工作夾台71、及磨削保持於該工作夾台71上之被加工物的磨削設備72。工作夾台71是構成為將被加工物吸引保持於為保持面之上表面，並藉由圖未示的旋轉驅動機構使其在圖9(a)中朝箭頭71a所示的方向旋轉。磨削設備72具備有主軸殼體721、旋轉自如地被該主軸殼體721支撐且藉由圖未示的旋轉驅動機構來使其旋轉的旋轉主軸722、裝設在該旋轉主軸722之下端的安裝座723、及安裝在該安裝座723之下表面的磨削輪724。此磨削輪724是由圓環狀之基台725、與在該基台725之下表面裝設成環狀之磨削磨石726所構成，且是藉由連結螺栓727來將基台725安裝在安裝座723的下表面。

在使用上述之磨削裝置7實施上述背面磨削步驟時，是如圖9(a)所示，將已實施上述保護構件貼附步驟的半導體晶圓2的保護膠帶6側載置在工作夾台71的上表面(保持面)上。然後，藉由作動圖未示的吸引設備，以隔著保護膠帶6將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台71上。因此，保持於工作夾台71上的半導體晶圓2會成為背面2b在上側。當像這樣隔著保護膠帶6將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台71上之後，將工作夾台71在圖9(a)中朝箭頭71a所示的方向以例如300rpm旋轉，並將磨削設備72的磨削輪724在圖9(a)中朝箭頭724a所示的方向以例如6000rpm旋轉，以如圖9(b)所示地使磨削磨石726接觸到作為被加工面之半導體晶圓2的背面2b，並將磨削輪724在圖9(a)以及圖9(b)中如箭頭 724b所示地以例如1μm/秒的磨削進給速度朝下方(相對於工作夾台71的保持面垂直的方向)磨削進給預定量。其結果，半導體晶圓2的背面2b被磨削，且如圖9(c)所示，使上述切削溝410顯露於半導體晶圓2的背面2b，而將半導體晶圓2分割成一個個的器件22。再者，已分割成一個個的器件22因保護膠帶6的作用並沒有散落，而維持著晶圓的形態。

其次，實施晶圓支持步驟，該晶圓支持步驟是將切割膠帶貼附在已實施背面磨削步驟的半導體晶圓2的背面，並且將該切割膠帶的外周部裝設到環狀的框架F上，而將貼附在被敷設於半導體晶圓2的表面的塑模樹脂40的表面上之保護膠帶6剝離。亦即，如圖10所示，將已實施背面磨削步驟的半導體晶圓2的背面2b貼附在以覆蓋環狀的框架F的內側開口部的方式裝設外周部的切割膠帶T的表面。然後，將貼附在被敷設於半導體晶圓2的表面的塑模樹脂40的表面上之保護膠帶6剝離。因此，貼附在切割膠帶T的表面上的半導體晶圓2會成為被敷設在表面的塑模樹脂40在上側。如此進行，以將已實施晶圓支持步驟的半導體晶圓2搬送至作為下一個步驟之拾取步驟，並按一個個的器件進行拾取。如此進行而被拾取的器件22是如圖11所示，構成以塑模樹脂40被覆表面以及側面之晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

2‧‧‧半導體晶圓

2b‧‧‧背面

40‧‧‧塑模樹脂

410‧‧‧第2切削溝

6‧‧‧保護膠帶

Claims

一種晶圓的加工方法，是在表面上有複數條分割預定線形成為格子狀，且在由該複數條分割預定線所劃分的複數個區域中形成有表面具備有凸塊的器件的晶圓的加工方法，其特徵在於包含：第1切削溝形成步驟，是以具有第1厚度的切削刀從晶圓的表面側沿著分割預定線形成深度相當於器件的成品厚度的第1切削溝；塑模步驟，是將塑模樹脂敷設在已實施該切削溝形成步驟的晶圓之表面上，並且將塑模樹脂埋設到該第1切削溝；第2切削溝形成步驟，是以具有比該第1厚度薄的第2厚度的切削刀，形成深度比被敷設在晶圓的表面的塑模樹脂以及被埋設到該第1切削溝的塑模樹脂的厚度還深而到達晶圓的第2切削溝；保護構件貼附步驟，是將保護構件貼附於被敷設在已實施該第2切削溝形成步驟的晶圓之表面的塑模樹脂的表面上；及背面磨削步驟，是磨削已實施該保護構件貼附步驟的晶圓的背面，以使該第2切削溝顯露而將晶圓分割成一個個的器件。