TWI711080B

TWI711080B - 晶圓的加工方法

Info

Publication number: TWI711080B
Application number: TW105117849A
Authority: TW
Inventors: 久保敦嗣; 陸昕
Original assignee: 日商迪思科股份有限公司
Priority date: 2015-07-13
Filing date: 2016-06-06
Publication date: 2020-11-21
Also published as: JP6557081B2; TW201705257A; JP2017022280A

Abstract

本發明的課題是提供一種可得到品質良好之晶圓級晶片尺寸封裝(WLSP)的晶圓的加工方法。解決手段是在正面上將複數條分割預定線形成為格子狀，且在藉由複數條分割預定線所劃分出的複數個區域中形成有正面具備有凸塊之器件的晶圓的加工方法，其包含：切削溝形成步驟，藉由具有第1厚度之切削刀從晶圓的正面側沿著分割預定線形成深度相當於器件之成品厚度的切削溝；塑模步驟，在晶圓的正面上敷設塑模樹脂並且將塑模樹脂埋設到切削溝中；塑模樹脂去除步驟，將敷設在晶圓的正面上之塑模樹脂的外周部以環狀的形式去除而使切削溝顯露出並使埋設在切削溝之塑模樹脂露出於晶圓的正面；及切削步驟，檢測露出於晶圓之外周部的埋設在切削溝中的塑模樹脂，並將具有比第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂之寬度方向中央上，以藉由切削刀沿著該切削溝切削塑模樹脂。

Description

晶圓的加工方法

發明領域

本發明是有關於一種在正面將複數條分割預定線形成為格子狀，並且將在藉由該複數條分割預定線所劃分出之複數個區域中形成有器件的晶圓，沿著分割預定線分割為一個個的器件，並且以樹脂將一個個的器件被覆之晶圓的加工方法。

發明背景

在半導體器件的製造步驟中，是在大致呈圓板狀的半導體晶圓的正面上藉由排列成格子狀之分割預定線劃分複數個區域，並在此劃分的區域中形成IC、LSI等器件。藉由將如此所形成之半導體晶圓沿著分割預定線切斷，以將形成有器件之區域分割而製造出一個個的器件。

近年來，已開發有將晶圓分割成一個個的器件，並且以樹脂被覆一個個的器件之封裝技術。作為這項封裝技術之一的被稱為晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)之封裝技術已被揭示在下述專利文獻1中。

被揭示在下述專利文獻1中的封裝技術，是在將樹脂被覆於晶圓之背面，並從晶圓的正面沿著分割預定線形成到達樹脂之切削溝，且將塑模樹脂(mold resin)敷設在晶圓的正面以被覆各器件，並且將塑模樹脂埋設到切削溝後，藉由以厚度比切削溝之寬度更薄的切削刀將被充填於切削溝的塑模樹脂切斷，而分割為一個個的晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

又，作為製造晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)之晶圓的加工方法，已開發有以下之技術。

(1)從晶圓的正面側沿著分割預定線而形成深度相當於器件之成品厚度的切削溝。

(2)在晶圓的正面上敷設塑模樹脂，並且將塑模樹脂埋設到切削溝中。

(3)在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，且磨削晶圓的背面使切削溝顯露出來。

(4)將晶圓的背面貼附於切割膠帶上，且藉由以厚度比切削溝的寬度還薄之切削刀將埋設於切削溝的塑模樹脂切斷，以分割成一個個的晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2006-100535號公報

發明概要

然而，在上述之任一個加工方法中，藉由切削刀將已埋設於切削溝之塑模樹脂切斷時，由於晶圓之正面敷設有塑模樹脂，因此，雖然以形成於器件且從塑模樹脂之正面露出的突起電極的凸塊(bump)作為基準來間接地將切削刀定位於形成於分割預定線之切削溝，但由於凸塊與分割預定線不一定為正確的位置關係，因此會有切削刀從形成於分割預定線之切削溝偏離而在構成晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)之器件的側面上造成傷痕的問題。

本發明是有鑑於上述事實而作成的發明，其主要的技術課題在於提供一種可以得到品質良好的晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)之晶圓的加工方法。

為解決上述主要之課題，在本發明之第1發明中，提供一種在正面上將複數條分割預定線形成為格子狀，且在藉由該複數條分割預定線所劃分出的複數個區域中形成有正面具備有凸塊之器件的晶圓的加工方法，其特徵在於，該晶圓的加工方法包含：切削溝形成步驟，藉由具有第1厚度之切削刀從晶圓的正面側沿著分割預定線形成深度相當於器件之成品厚度的切削溝；塑模步驟，在已實施該切削溝形成步驟之晶圓的正面上敷設塑模樹脂，並且將塑模樹脂埋設到該切削溝中；塑模樹脂去除步驟，將敷設在已實施該塑模步驟之晶圓的正面上之塑模樹脂的外周部以環狀的形式去除而使該切削溝顯露出且使埋設在該切削溝之塑模樹脂露出於晶圓的正面；及切削步驟，檢測已實施該塑模樹脂去除步驟而露出於晶圓的外周部之埋設在該切削溝中的塑模樹脂，並將具有比該第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂之寬度方向中央上，以藉由切削刀沿著該切削溝切削塑模樹脂。

在本發明之第2發明中，於已實施上述塑模樹脂去除步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟及支持構件貼附步驟，且上述切削步驟是在實施支持構件貼附步驟之後實施，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件之成品厚度，該支持構件貼附步驟是在晶圓的背面貼附支持構件並且將貼附在敷設於晶圓之止面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。

在本發明之第3發明中，於已實施上述塑模步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟及支持構件貼附步驟，並於之後實施上述塑模樹脂去除步驟及上述切削步驟，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件之成品厚度，該支持構件貼附步驟是在晶圓的背面貼附支持構件並且將貼附在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。

在本發明之第4發明中，在已實施上述塑模樹脂去除步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟及支持構件貼附步驟，該保護構件貼附步驟是在上述切削步驟中形成到達切削溝之底面的切斷溝，且之後在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件之成品厚度並將晶圓分割成一個個的器件，該支持構件貼附步驟是在晶圓之背面貼附支持構件並且將貼附在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。

在本發明之第5發明中，於已實施上述塑模步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟、半切溝形成步驟及支持構件貼附步驟，並於之後實施上述塑模樹脂去除步驟及上述切削步驟，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件的成品厚度並且使切削溝顯露出而使埋設於切削溝中的塑模樹脂露出於晶圓之背面，該半切溝形成步驟是藉由具有比上述第1厚度更薄之第2厚度的切削刀，從晶圓的背面側將埋設於切削溝之塑模樹脂以大約一半之深度進行切削而形成半切溝，該支持構件貼附步驟是在晶圓之背面貼附支持構件並且將貼附在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。

在本發明之第6發明中，於已實施過上述塑模樹脂去除步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟、半切溝形成步驟及支持構件貼附步驟，並於之後實施上述切削步驟，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓的背面以形成器件的成品厚度並且使切削溝顯露出而使埋設於切削溝中的塑模樹脂露出於晶圓的背面，該半切溝形成步驟是藉由具有比第1厚度更薄之第2厚度的切削刀，從晶圓的背面側將埋設於切削溝之塑模樹脂以大約一半的深度進行切削而形成半切溝，該支持構件貼附步驟是在晶圓的背面貼附支持構件並且將貼附在敷設於晶圓的正面之塑模樹脂的正面上之保護構件剝離。

本發明之第7發明中，於已實施上述塑模樹脂去除步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟、分割步驟及支持構件貼附步驟，該保護構件貼附步驟是在上述切削步驟中形成埋設於切削溝之塑模樹脂的大約一半深度之半切溝，並於之後在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件之成品厚度並且使切削溝顯露出而使埋設於切削溝之塑模樹脂露出於晶圓之背面，該分割步驟是藉由具有比上述第1厚度更薄之第2厚度的切削刀，從晶圓的背面側將埋設於切削溝之殘存的塑模樹脂完全地切削以分割成一個個的器件，該支持構件貼附步驟是在晶圓的背面貼附支持構件並且將貼附在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。

本發明之晶圓的加工方法，是在正面上將複數條分割預定線形成為格子狀，且在藉由該複數條分割預定線所劃分之複數個區域中形成有正面具備有凸塊的器件之晶圓的加工方法，由於其包含藉由具有第1厚度之切削刀從晶圓的正面側沿著分割預定線形成深度相當於器件之成品厚度的切削溝的切削溝形成步驟、在已實施該切削溝形成步驟之晶圓的正面上敷設塑模樹脂並且將塑模樹脂埋設到該切削溝中的塑模步驟、將敷設在已實施過該塑模步驟之晶圓的正面上之塑模樹脂的外周以環狀的形式去除而使該切削溝顯露出並使埋設於該切削溝之塑模樹脂露出於晶圓的正面的塑模樹脂去除步驟，及檢測已實施該塑模樹脂去除步驟而露出於晶圓的外周部之埋設在該切削溝中的塑模樹脂，並將具有比該第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂之寬度方向中央上，而藉由切削刀沿著該切削溝切削塑模樹脂之切削步驟，所以切削步驟是將切削刀定位在已露出於晶圓的外周部正面之埋設於切削溝的塑模樹脂之寬度方向中央上來實施，因此，即使晶圓的正面敷設有塑模樹脂，也可以在埋設於切削溝之塑模樹脂的寬度方向中央上藉由切削刀沿著埋設有塑模樹脂之切削溝正確地切削，而可解決在器件的側面造成傷痕之問題。

2:半導體晶圓

2a:正面

2b:背面

21:分割預定線

210、404、410:切削溝

210a:底面

22:器件

23:凸塊

3、30、300:切削裝置

31:切削裝置的工作夾台

32:切削設備

321、521、721:主軸殼體

322、522、722:旋轉主軸

323:切削刀

323a、323b、323c:切割刃

33:攝像設備

4:樹脂被覆裝置

40:塑模樹脂

401、403:半切溝

402:分割溝

41:保持台

42:樹脂供給噴嘴

421:噴出口

5:研磨裝置

51:研磨裝置之工作夾台

52:研磨設備

523、723:安裝座

524:研磨工具

525、725:基台

526:研磨墊

527、727:連結螺栓

6:保護膠帶

7:磨削裝置

71:磨削裝置之工作夾台

72:磨削設備

724:磨削輪

726:磨削磨石

31a、322a、41a、51a、524a、524b、71a、724a、724b、X、X1、X2、Y、Z1、Z2:箭頭

T:切割膠帶

F:環狀框架

圖1為藉由本發明之晶圓的加工方法而被分割之作為晶圓的半導體晶圓之立體圖。

圖2是用於實施本發明之晶圓的加工方法中的切削溝形成步驟之切削裝置的主要部位立體圖。

圖3(a)~(d)是本發明之晶圓的加工方法中的切削溝形成步驟的說明圖。

圖4(a)~(c)是本發明之晶圓的加工方法中的塑模步驟的說明圖。

圖5(a)~(c)是顯示本發明之晶圓的加工方法中的凸塊露出步驟的說明圖。

圖6是用於實施本發明之晶圓的加工方法中的塑模樹脂去除步驟之切削裝置的主要部位立體圖。

圖7是已實施本發明之晶圓的加工方法之第1實施形態中的塑模樹脂去除步驟之半導體晶圓的立體圖。

圖8(a)~(b)是本發明之晶圓的加工方法之第1實施形態中的保護構件貼附步驟之說明圖。

圖9(a)~(c)是本發明之晶圓的加工方法之第1實施形態中的背面磨削步驟之說明圖。

圖10是在本發明之晶圓的加工方法之第1實施形態中的支持構件貼附步驟之說明圖。

圖11是用於本發明之晶圓的加工方法中的切削步驟之切削裝置的主要部位立體圖。

圖12(a)~(d)是本發明之晶圓的加工方法之第1實施形態中的切削步驟之說明圖。

圖13是藉由本發明之晶圓的加工方法而被分割成一個個的器件的立體圖。

圖14是本發明之晶圓的加工方法之第2實施形態中的保護構件貼附步驟之說明圖。

圖15(a)~(b)是從已實施本發明之晶圓的加工方法之第2實施形態中的背面磨削步驟之半導體晶圓的背面側來看之立體圖及主要部位放大剖面圖。

圖16是本發明之晶圓的加工方法之第2實施形態中的支持構件貼附步驟之說明圖。

圖17(a)~(b)是本發明之晶圓的加工方法之第2實施形態中的塑模樹脂去除步驟之說明圖。

圖18(a)~(d)是本發明之晶圓的加工方法之第3實施形態中的切削步驟之說明圖。

圖19(a)~(b)是本發明之晶圓的加工方法之第3實施形態中的保護構件貼附步驟之說明圖。

圖20(a)~(b)是從已實施本發明之晶圓的加工方法之第3實施形態中的背面磨削步驟之半導體晶圓的背面側來看之立體圖及主要部位放大剖面圖。

圖21是本發明之晶圓的加工方法之第3實施形態中的支持構件貼附步驟之說明圖。

圖22(a)~(d)是本發明之晶圓的加工方法之第4實施形態中的半切溝形成步驟之說明圖。

圖23是本發明之晶圓的加工方法之第4實施形態中的支持構件貼附步驟之說明圖。

圖24是已實施本發明之晶圓的加工方法之第4實施形態中的塑模樹脂去除步驟之半導體晶圓的立體圖。

圖25(a)~(d)是本發明之晶圓的加工方法之第4實施形態中的切削步驟之說明圖。

圖26(a)~(d)是本發明之晶圓的加工方法之第6實施形態中的切削步驟之說明圖。

圖27(a)~(d)是本發明之晶圓的加工方法之第6實施形態中的分割步驟之說明圖。

圖28是本發明之晶圓的加工方法之第6實施形態中的支持構件貼附步驟之說明圖。

用以實施發明之形態

以下，針對本發明的晶圓之加工方法的較佳實施形態，參照附加圖式以作更詳細之說明。

在圖1中所示為作為依照本發明而被加工之晶圓的半導體晶圓之立體圖。圖1所示之半導體晶圓2是由厚度為例如600μm的矽晶圓所構成，並在正面2a上將複數條分割預定線21形成為格子狀，且在藉由該複數條分割預定線21所劃分出的複數個區域中形成有IC、LSI等的器件22。此各個器件22是做成全部都相同的構成。在器件22的正面上分別形成有複數個作為突起電極之凸塊23。以下，說明將該半導體晶圓2沿著分割預定線21分割成一個個器件22，並且以樹脂將一個個器件被覆之晶圓的加工方法。

首先，實施切削溝形成步驟，其是藉由具有第1厚度之切割刀，從半導體晶圓2之正面側沿著分割預定線21形成深度相當於器件之成品厚度的切削溝。在圖示之實施形態中，此切削溝形成步驟是利用圖2所示之切削裝置3來實施。圖2所示之切削裝置3具備有保持被加工物之工作夾台31、切削保持於該工作夾台31上之被加工物的切削設備32、與拍攝保持於該工作夾台31上之被加工物的攝像設備33。工作夾台31構成為用以吸引保持被加工物，且形成為藉由圖未示之切削進給設備使其在圖2中朝箭頭X所示之切削進給方向移動，並且藉由圖未示之分度進給設備，使其朝箭頭Y所示之分度進給方向移動。又，工作夾台31是構成為藉由圖未示之旋轉機構使其適當地旋轉。

上述切削設備32包含有實質上水平地配置之主軸殼體321、旋轉自如地被該主軸殼體321支撐的旋轉主軸322，及裝設於該旋轉主軸322之前端部之具備有環狀的切割刃323a之切削刀323，且形成為使旋轉主軸322藉由配置於主軸殼體321內之圖未示的伺服馬達，而使其朝箭頭322a所示之方向旋轉。再者，在圖示之實施形態中，切削刀323之環狀的切割刃323a是設定為第1厚度之50μm。上述攝像設備33是由顯微鏡與CCD相機等光學設備所構成，並將所拍攝到的圖像訊號傳送到圖未示之控制設備。

利用上述之切削裝置3來實施切削溝形成步驟時，是如圖2所示，將半導體晶圓2之背面2b側載置在工作夾台31上，且藉由作動圖未示之吸引設備而將半導體晶圓2吸引保持於工作夾台31上。因此，保持於工作夾台31上的半導體晶圓2會變成正面2a在上側。如此進行以將吸引保持半導體晶圓2之工作夾台31藉由圖未示之切削進給設備定位到攝像設備33之正下方。

當將工作夾台31定位於攝像設備33的正下方後，即可以藉由攝像設備33及圖未示之控制設備實行檢測半導體晶圓2之沿著分割預定線21用來形成分割溝之切削區域的校準(alignment)作業。亦即，攝像設備33和圖未示出之控制設備會實行用於進行半導體晶圓2之於預定方向上所形成的分割預定線21、與切削刀323的位置對齊之型樣匹配(pattern matching)等的圖像處理，而完成切削區域之校準(校準步驟)。又，對於形成在半導體晶圓2之相對於上述預定方向朝垂直相交之方向延伸的分割預定線21，也是同樣地完成切削區域的校準。

當如上所述地進行而執行了檢測保持於工作夾台31上之半導體晶圓2的切削區域的校準後，會將保持有半導體晶圓2的工作夾台31移動至切削加工區域之切削開始位置。此時，如圖3(a)所示，是將半導體晶圓2定位成使分割預定線21之一端(在圖3(a)中為左端)相較於切削刀323之環狀的切割刃323a正下方更位於右側預定量的位置。接著，將切削刀323在圖3(a)中從2點鏈線所示之待機位置如箭頭Z1所示地朝下方切入進給，且如圖3(a)中實線所示地定位至預定的切入進給位置。如圖3(a)及圖3(c)所示，此切入進給位置是設定在使切削刀323之環狀的切割刃323a之下端在離半導體晶圓2之正面相當於器件之成品厚度的深度之位置(例如，200μm)上。

接著，使切削刀323在圖3(a)中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並使工作夾台31在圖3(a)中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動。然後，當分割預定線21之另一端(在圖3(b)中為右端)到達比切削刀323之環狀的切割刃323a的正下方更位於左側預定量的位置之後，即停止工作夾台31之移動。藉由像這樣將工作夾台31切削進給，以如圖3(d)所示地在半導體晶圓2上沿著分割預定線21形成距離正面相當於器件之成品厚度的深度(例如，200μm)，且寬度為50μm的切削溝210(切削溝形成步驟)。

其次，如在圖3(b)中以箭頭Z2所示地使切削刀323上升而定位到2點鏈線所示之待機位置上，且將工作夾台31在圖3(b)中朝箭頭X2所示之方向移動，以返回到圖3(a)所示之位置上。然後，將工作夾台31朝與紙面垂直之方向(分度進給方向)分度進給相當於分割預定線21之間隔的量，並將下一個用來切削之分割預定線21定位到與切削刀323相對應的位置上。如此進行而將下一個用來切削之分割預定線21定位到與切削刀323相對應之位置上之後，即可實施上述之切削溝形成步驟。然後，對已形成於半導體晶圓2上之所有的分割預定線21均實施上述之切削溝形成步驟。

在實施上述之切削溝形成步驟之後，即可實施在半導體晶圓2之正面敷設塑模樹脂，並將塑模樹脂埋設到切削溝210中的塑模步驟。如圖4(a)所示，此塑模步驟是將已實施上述切削溝形成步驟之半導體晶圓2的背面2b側載置在樹脂被覆裝置4的保持台41的上正面之保持面上。然後，藉由作動圖未示之吸引設備，將半導體晶圓2吸引保持在保持台41的保持面上。如此一來，已保持於保持台41上之半導體晶圓2會成為正面2a在上側。如此進行而將半導體晶圓2保持於保持台41上後，即可如圖4(a)所示，將樹脂供給噴嘴42的噴出口421定位在已保持於保持台41上之半導體晶圓2的中心部，並作動圖未示之樹脂供給設備，從樹脂供給噴嘴42之噴出口421將塑模樹脂40朝已保持於保持台41上之半導體晶圓2的中央區域滴下預定量。當將預定量的塑模樹脂40滴在半導體晶圓2之正面2a的中央區域後，如圖4(b)所示，藉由將保持台41朝箭頭41a所示之方向以預定的旋轉速度旋轉預定時間，以如圖4(b)及(c)所示地在半導體晶圓2之正面2a上敷設塑模樹脂40，並且將塑模樹脂40埋設到切削溝210中。再者，在圖示之實施形態中，塑模樹脂40是使用熱硬化性之液狀樹脂(環氧系樹脂)，且藉由敷設於半導體晶圓2之正面2a並且埋設到切削溝210之後，在150℃左右下加熱，以使其硬化。

接著，實施凸塊露出步驟，該凸塊露出步驟是研磨已敷設於半導體晶圓2之正面2a的塑模樹脂40，而將形成於器件22之正面的凸塊23露出。該凸塊露出步驟是利用圖5(a)所示之研磨裝置5來實施。圖5(a)所示之研磨裝置5具備有保持被加工物之工作夾台51、及研磨保持於該工作夾台51之被加工物的研磨設備52。工作夾台51是構成為將被加工物吸引保持於上正面，並藉由圖未示之旋轉驅動機構而使其在圖5(a)中朝箭頭51a所示的方向旋轉。研磨設備52具備有主軸殼體521、旋轉自如地被該主軸殼體521支撐並藉由圖未示的旋轉驅動機構使其旋轉的旋轉主軸522、裝設於該旋轉主軸522的下端之安裝座523、及安裝在該安裝座523之下正面的研磨工具524。此研磨工具524是由圓形之基台525與裝設在該基台525之下正面的研磨墊526所構成，且是藉由連結螺栓527將基台525安裝在安裝座523的下正面。再者，在圖示之實施形態中，研磨墊526是在毛氈(felt)中混入由作為研磨材料的二氧化矽(silica)所構成之磨粒。

要利用上述之研磨裝置5來實施上述凸塊露出步驟時，是如圖5(a)所示，將已實施上述塑模步驟後之半導體晶圓2的背面2b側載置在工作夾台51的上正面(保持面)。然後，藉由作動圖未示之吸引設備，將半導體晶圓2吸附保持在工作夾台51上(晶圓保持步驟)。如此一來，保持於工作夾台51上之半導體晶圓2會成為敷設於正面2a之塑模樹脂40在上側。當像這樣將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台51上後，將工作夾台51在圖5(a)中朝箭頭51a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並且使研磨設備52之研磨工具524在圖5(a)中朝箭頭524a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，且如圖5(b)所示，使研磨墊526接觸作為被加工面之敷設在正面2a上的塑模樹脂40之上正面，將研磨工具524在圖5(a)及圖5(b)中如箭頭524b所示地以預定之研磨進給速度朝下方(相對於工作夾台51之保持面垂直的方向)研磨進給預定量。其結果為，如圖5(c)所示，可將敷設在正面2a之塑模樹脂40研磨預定量，而使形成於器件22之正面的凸塊23露出。

再者，在上述塑模步驟中，在不被覆凸塊23的情況下而將塑模樹脂40敷設在半導體晶圓2之正面2a時，上述凸塊露出步驟不一定是必要的。

上述之切削溝形成步驟與塑模步驟及凸塊露出步驟在本發明之晶圓的加工方法中是共通之加工順序。以下，說明關於凸塊露出步驟以後的本發明之晶圓的加工方法之實施形態。

首先，針對凸塊露出步驟以後之本發明之晶圓的加工方法之第1實施形態，參照圖6至圖13來進行說明。

當實施上述之凸塊露出步驟之後，實施塑模樹脂去除步驟，該塑模樹脂去除步驟是將敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之外周部以環狀的形式去除，而使切削溝210顯露出並使埋設於切削溝210之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2之正面。在圖示之實施形態中，該塑模樹脂去除步驟是使用圖6所示之切削裝置30來實施。再者，由於圖6所示之切削裝置30與上述圖2所示之切削裝置3除了切削刀323之環狀的切割刃323a以外均為相同之構成，因此，對於相同之構件會附上相同符號而省略說明。在圖6所示之切削裝置30中的切削刀323之環狀的切割刃323b是將厚度設定為2~3mm。

在利用圖6所示之切削裝置30來實施塑模樹脂去除步驟時，是將已實施上述凸塊露出步驟之半導體晶圓2的背面2b側載置在工作夾台31上。接著，藉由作動圖未示之吸引設備，以將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台31上。如此一來，保持於工作夾台31上之半導體晶圓2會變成敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40在上側。如此進行，以將已吸引保持半導體晶圓2之工作夾台31移動到切削刀323之切削加工區域，且如圖6所示地將半導體晶圓2之外周部定位在切削刀323之正下方。

接著，將切削刀323在圖6中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並且如箭頭Z1所示地朝下方切入進給。此切入進給位置是設定成到達敷設有塑模樹脂40之半導體晶圓2的正面的位置。然後，使工作夾台31在圖6中朝箭頭31a所示之方向旋轉1圈。其結果為，如圖7所示，將敷設於半導體晶圓2之正面2a的塑模樹脂40的外周部以環狀的形式去除而使切削溝210顯露出來，並且埋設於切削溝210之塑模樹脂40會露出於半導體晶圓2之正面2a。像這樣實施塑模樹脂去除步驟，以將敷設於半導體晶圓2之正面2a的塑模樹脂40之外周部以環狀的形式去除而使切削溝210顯露出來，並且使埋設於切削溝210之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2之正面2a，藉此，可以在露出於半導體晶圓2之正面2a的埋設於切削溝210之塑模樹脂40的預定位置上正確地實施後述之切削步驟。

當如上所述地實施塑模樹脂去除步驟之後，實施保護構件貼附步驟，該保護構件貼附步驟是在敷設於半導體晶圓2之正面2a的塑模樹脂40的正面上貼附保護構件。也就是說，如圖8(a)及(b)所示，會在敷設於半導體晶圓2之正面2a的塑模樹脂40之正面上，貼附作為保護構件之保護膠帶6。再者，在圖示之實施形態中，保護膠帶6是在厚度為100μm之由聚氯乙烯(PVC)所形成之片狀基材的正面上將丙烯酸樹脂系之膠料塗佈厚度5μm左右。

接著，實施背面磨削步驟，該背面磨削步驟是磨削已實施保護構件貼附步驟之半導體晶圓2的背面而使切削溝210顯露出來，且使埋設於切削溝210之塑模樹脂露出於半導體晶圓2之背面。此背面磨削步驟是使用圖9所示的磨削裝置7來實施。圖9(a)所示的磨削裝置7具備有保持被加工物的工作夾台71、及磨削保持於該工作夾台71上之被加工物的磨削設備72。工作夾台71是構成為在作為保持面之上正面吸引保持被加工物，且藉由圖未示之旋轉驅動機構在圖9(a)中使其朝箭頭71a所示之方向旋轉。磨削設備72具備有主軸殼體721、旋轉自如地被支撐在該主軸殼體721上且藉由圖未示的旋轉驅動機構使其旋轉的旋轉主軸722、裝設在該旋轉主軸722的下端之安裝座723、及安裝在該安裝座723的下正面之磨削輪724。此磨削輪724是由圓環狀之基台725、與在該基台725之下正面裝設成環狀之磨削磨石726所構成，且是藉由連結螺栓727來將基台725安裝在安裝座723的下正面。

在利用上述磨削裝置7來實施上述背面磨削步驟時，是如圖9(a)所示，將已實施上述保護構件貼附步驟之半導體晶圓2的保護膠帶6側載置在工作夾台71之上正面(保持面)上。然後，藉由作動圖未示之吸引設備，以隔著保護膠帶6將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台71上。因此，保持於工作夾台71上的半導體晶圓2會成為背面2b在上側。當像這樣隔著保護膠帶6將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台71之後，將工作夾台71在圖9(a)中朝箭頭71a所示之方向以例如300rpm旋轉，並將磨削設備72之磨削輪724在圖9(a)中朝箭頭724a所示的方向以例如6000rpm旋轉，以如圖9(b)所示地使磨削磨石726接觸到作為被加工面之半導體晶圓2的背面2b，並使磨削輪724在圖9(a)及圖9(b)中如箭頭724b所示地以例如1μm/秒的磨削進給速度朝下方(相對於工作夾台71的保持面垂直的方向)磨削進給預定量。其結果為，半導體晶圓2的背面2b被磨削，且如圖9(c)所示地使切削溝210顯露於半導體晶圓2的背面2b，而使埋設於切削溝210之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2的背面2b。

當實施了上述背面磨削步驟之後，實施支持構件貼附步驟，該支持構件貼附步驟是在半導體晶圓2的背面貼附支持構件，並且將貼附在敷設於半導體晶圓2的正面之塑模樹脂40的正面上之作為保護構件的保護膠帶6剝離。也就是說，如圖10所示，將已實施上述之背面磨削步驟之半導體晶圓2的背面2b貼附在以覆蓋環狀框架F的內側開口部之方式裝設上外周部之作為支持構件的切割膠帶T的正面上。然後，將貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上的保護膠帶6剝離。如此一來，貼附於切割膠帶T之正面上的半導體晶圓2會成為敷設在正面之塑模樹脂40在上側。

接著，實施切削步驟，該切削步驟是檢測於已實施上述塑模樹脂去除步驟之半導體晶圓2的外周部露出之埋設於切削溝210的塑模樹脂40，且將具有比上述第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂40的寬度方向中央上，而藉由切削刀沿著切削溝210切削塑模樹脂40。在圖示之實施形態中，此切削步驟是利用圖11所示之切削裝置300來實施。再者，由於圖11所示之切削裝置300與上述圖2 所示之切削裝置3除了切削刀323之環狀的切割刃323a以外均為相同的構成，因此，對於相同構件會附上相同符號而省略說明。圖11所示之切削裝置300中的切削刀323之環狀的切割刃323c是設定成比上述環狀的切割刃323a的第1厚度(50μm)更薄之第2厚度的20μm。

在利用圖11所示之切削裝置300來實施切削步驟時，是將已實施上述支持構件貼附步驟之半導體晶圓2的切割膠帶T側載置在工作夾台31上。然後，藉由作動圖未示之吸引設備，而隔著切割膠帶T將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台31上。如此一來，保持於工作夾台31上之半導體晶圓2會變成敷設於正面之塑模樹脂40在上側。再者，在圖11中雖然是將裝設有切割膠帶T之環狀框架F省略來顯示，但是環狀框架F會受到配置於工作夾台31上之適當的框架保持設備保持。如此進行以將吸引保持有半導體晶圓2之工作夾台31藉由圖未示之切削進給設備定位到攝像設備33之正下方。

當將工作夾台31定位於攝像設備33之正下方後，即實行校準作業，該校準作業是藉由攝像設備33及圖未示之控制設備檢測埋設於形成在半導體晶圓2之切削溝210中的塑模樹脂40之用來切削之切削區域。也就是說，攝像設備33及圖未示之控制設備會實行用於進行露出在半導體晶圓2之外周且埋設在形成於預定方向之切削溝210中的塑模樹脂40、與切削刀323之位置對齊的圖像處理，以完成切削區域的校準(校準步驟)。又，對於埋設在形成在半導體晶圓2之相對於上述預定方向朝垂直相交之方向形成的切削溝210中的塑模樹脂40，也是同樣地完成切削區域的校準。在此校準步驟中，由於埋設於切削溝210之塑模樹脂40已露出於半導體晶圓2之外周部正面，因此可以將埋設於切削溝210之塑模樹脂40藉由攝像設備33拍攝而明確地檢測。

當如上所述地進行而執行了檢測保持於工作夾台31上之半導體晶圓2的切削區域的校準後，會將保持有半導體晶圓2的工作夾台31移動至切削加工區域之切削開始位置。此時，如圖12(a)所示，是將半導體晶圓2定位成使用來切削之埋設於切削溝210中的塑模樹脂40之一端(在圖12(a)中為左端)相較於切削刀323之環狀的切割刃323c之正下方更位在右側預定量之位置，並且將埋設於切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央定位在與切削刀323相對應之位置上。

如此進行而將保持在切削裝置3之工作夾台31上的半導體晶圓2定位到切削加工區域之切削開始位置後，即可將切削刀323在圖12(a)中從以2點鏈線表示之待機位置如箭頭Z1所示地朝向下方切入進給，而在圖12(a)中如實線所示地定位到預定之切入進給位置。如圖12(c)所示，此切入進給位置是設定在使切削刀323之環狀的切割刃323c之下端到達貼附於半導體晶圓2之背面的切割膠帶T之位置。

接著，使切削刀323在圖12(a)中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並使工作夾台31在圖12(a)中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動。然後，當埋設於切削溝210之塑模樹脂40的另一端(在圖12(b)中為右端)到達比切削刀323之環狀的切割刃323c的正下方更位於左側預定量之位置後，即停止工作夾台31之移動。藉由像這樣將工作夾台31切削進給，可如圖12(d)所示地藉由到達切割膠帶T之寬度為20μm的切削溝410，將敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40及埋設於切削溝210之塑模樹脂40完全地切削(切削步驟)。由於此切削步驟是將在上述之校準步驟中所檢測且露出於半導體晶圓2之外周部正面之埋設於切削溝210的塑模樹脂40之寬度方向中央，定位在與切削刀323相對應之位置來實施，因此即使在半導體晶圓2之正面敷設有塑模樹脂40，也可藉由切削刀323於埋設於切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央上沿著切削溝210正確地切削，因此可解決在器件的側面造成傷痕的問題。

其次，如在圖12(b)中以箭頭Z2所示地使切削刀323上升而定位到2點鏈線所示之待機位置上，且將工作夾台31在圖12(b)中朝箭頭X2所示之方向移動，以返回到圖12(a)所示之位置上。然後，將工作夾台31朝與紙面垂直的方向(分度進給方向)分度進給相當於埋設有塑模樹脂40之切削溝210的間隔(分割預定線21之間隔)的量，並將下一個用來切削之埋設於切削溝210的塑模樹脂40定位到與切削刀323相對應之位置上。如此進行而將下一個用來切削之埋設於切削溝210的塑模樹脂40定位到與切削刀323相對應之位置上後，即可實施上述之切削步驟。然後，對於埋設在形成於半導體晶圓2之所有的切削溝210之塑模樹脂40均實施上述之切削步驟。其結果為，將半導體晶圓2沿著分割預定線21分割成一個個器件22，而構成分割成一個個並將器件22如圖13所示地以塑模樹脂40被覆正面及側面之晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

接著，關於上述凸塊露出步驟以後的本發明晶圓的加工方法之第2實施形態，參照上述各實施形態與圖14至圖17來說明。

晶圓的加工方法之第2實施形態是在實施上述塑模步驟及凸塊露出步驟之後，實施保護構件貼附步驟，該保護構件貼附步驟是將保護構件貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上。亦即，如圖14所示，在敷設於半導體晶圓2之正面2a的塑模樹脂40之正面上，貼附作為保護構件之保護膠帶6。再者，保護膠帶6是使用與上述第1實施形態中所使用之膠帶相同的膠帶。

在實施保護構件貼附步驟之後，實施背面磨削步驟，該背面磨削步驟是磨削半導體晶圓2之背面而使切削溝210顯露出，且使埋設於切削溝210之塑模樹脂露出於半導體晶圓2之背面。此背面磨削步驟是與上述圖9所示之第1實施形態中的背面磨削步驟同樣地實施。其結果為，半導體晶圓2之背面2b被磨削，且如圖15(a)及(b)所示地使切削溝210顯露於半導體晶圓2之背面2b，而使埋設於切削溝210之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2之背面2b。

當實施了上述背面磨削步驟之後，實施支持構件貼附步驟，該支持構件貼附步驟是在半導體晶圓2之背面貼附支持構件，並且將貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40的正面上之作為保護構件之保護膠帶6剝離。此支持構件貼附步驟是與上圖10所示之第1實施形態中的支持構件貼附步驟同樣，且如圖16所示，是將已實施上述之背面磨削步驟的半導體晶圓2的背面2b貼附在以覆蓋環狀框架F的內側開口部之方式裝設上外周部之作為支持構件之切割膠帶T的正面上，且將貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上的保護膠帶6剝離。如此一來，貼附於切割膠帶T之正面的半導體晶圓2會成為敷設於正面之塑模樹脂40在上側。

當實施上述之支持構件貼附步驟之後，實施塑模樹脂去除步驟，該塑模樹脂去除步驟是將敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之外周部以環狀的形式去除，而使切削溝210顯露出並使埋設於切削溝210之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2之正面。此塑模樹脂去除步驟是與上述第1實施形態中之塑模樹脂去除步驟同樣地利用圖6所示之切削裝置30來實施。也就是說，如圖17(a)所示，是將已實施上述支持構件貼附步驟之半導體晶圓2的切割膠帶T側載置在切削裝置30之工作夾台31上。然後，藉由作動圖未示之吸引設備，以隔著切割膠帶T將半導體晶圓2吸引保持於工作夾台31上。如此一來，隔著切割膠帶T保持在工作夾台31上之半導體晶圓2會成為敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40在上側。再者，在圖17(a)中雖然是將裝設有切割膠帶T之環狀框架F省略來顯示，但是環狀框架F會受到配置於工作夾台31上之適當的框架保持設備保持。如此進行，以將已吸引保持半導體晶圓2之工作夾台31移動到切削刀323之切削加工區域，且如圖17(a)所示地將半導體晶圓2之外周部定位在切削刀323之正下方。

接著，與上述圖6所示之第1實施形態中的塑模樹脂去除步驟同樣地，將切削刀323在圖17(a)中使其朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並且如箭頭Z1所示地朝下方切入進給。此切入進給位置是設定成到達敷設有塑模樹脂40之半導體晶圓2的正面之位置。然後，使工作夾台31在圖17(a)中朝箭頭31a所示之方向旋轉1圈。其結果為，如圖17(b)所示，將敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之外周部以環狀的形式去除而使切削溝210顯露出來，並且埋設於切削溝210之塑模樹脂40會露出於半導體晶圓2的正面。

當實施上述塑模樹脂去除步驟後，實施切削步驟，該切削步驟是檢測露出於半導體晶圓2之外周部之埋設於切削溝210的塑模樹脂40，且將具有比上述第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂40之寬度方向中央上，而藉由切削刀沿著切削溝210切削塑模樹脂40。此切削步驟是使用上述圖11所示之切削裝置300，且與圖11及圖12所示之上述第1實施形態中的切削步驟同樣地實施。由於該切削步驟是將如上所述地露出於半導體晶圓2之外周部正面的埋設於切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央定位在與切削刀323相對應之位置上，因此即使在半導體晶圓2之正面上敷設有塑模樹脂40，也可藉由切削刀323於埋設在切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央上沿著切削溝210正確地切削，因而可解決在器件之側面造成傷痕的問題。

接著，關於上述凸塊露出步驟以後之本發明之晶圓的加工方法之第3實施形態，參照上述各實施形態與圖18至圖21來說明。

晶圓的加工方法之第3實施形態是在實施上述圖6及圖7所示之第1實施形態中的塑模樹脂去除步驟之後，實施切削步驟，該切削步驟是檢測露出於半導體晶圓2之外周部之埋設於切削溝210之塑模樹脂40，且將具有比上述第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂40之寬度方向中央上，而藉由切削刀沿著切削溝210切削塑模樹脂40。再者，在第3實施形態中的切削步驟中，會形成到達上述切削溝210之底面的切斷溝。此切削步驟是利用上述圖11所示之切削裝置300來實施。

利用上述圖11所示之切削裝置300來實施切削步驟時，是將已實施上述塑模樹脂去除步驟之半導體晶圓2的背面2b側載置在切削裝置300的工作夾台31上。然後，藉由作動圖未示之吸引設備，以將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台31上。因此，如圖18(a)所示，保持於工作夾台31上之半導體晶圓2會成為敷設於正面2a之塑模樹脂40在上側。如此進行而將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台31上之後，即實行校準作業，該校準作業是與上述第1實施形態中的切削步驟之校準步驟同樣地，檢測埋設於形成在半導體晶圓2之切削溝210中的塑模樹脂40之用來切削的切削區域。在此校準步驟中，由於埋設於切削溝210之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2之外周部正面，因此可以將埋設於切削溝210之塑模樹脂40藉由攝像設備33拍攝而明確地檢測。

接著，將保持有半導體晶圓2之工作夾台31移動至切削加工區域的切削開始位置。此時，如圖18(a)所示，是使半導體晶圓2定位成使用來切削之埋設於切削溝210的塑模樹脂40之一端(在圖18(a)中為左端)相較於切削刀323之環狀的切割刃323c的正下方更位於右側預定量的位置，並且將埋設於切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央定位在與切削刀323相對應的位置上。

如此進行而將保持在切削裝置300之工作夾台31上的半導體晶圓2定位到切削加工區域之切削開始位置後，即可將切削刀323在圖18(a)中從以2點鏈線表示之待機位置如箭頭Z1所示地朝向下方切入進給，而在圖18(a)中如實線所示地定位到預定之切入進給位置。如圖18(c)所示，此切入進給位置是設定在使切削刀323之環狀的切割刃323c的下端到達切削溝210之底面210a的位置。

接著，使切削刀323在圖18(a)中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並使工作夾台31在圖18(a)中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動。然後，當埋設於切削溝210之塑模樹脂40的另一端(在圖18(b)中為右端)到達比切削刀323之環狀的切割刃323b的正下方更位於左側預定量之位置後，即停止工作夾台31之移動。藉由像這樣將工作夾台31切削進給，可如圖18(d)所示地形成比敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40及埋設於切削溝210之塑模樹脂40之厚度更深而到達半導體晶圓2之寬度為20μm的切削溝410。由於此切削步驟是將在上述校準步驟中所檢測且露出於半導體晶圓2之外周部正面之埋設於切削溝210的塑模樹脂40之寬度方向中央，定位在與切削刀323相對應之位置來實施，因此即使在半導體晶圓2之正面敷設有塑模樹脂40，也可藉由切削刀323於埋設於切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央上沿著切削溝210正確地切削，因而可解決在器件的側面造成傷痕的問題。

其次，如在圖18(b)中以箭頭Z2所示地使切削刀323上升而定位到2點鏈線所示之待機位置上，且將工作夾台31在圖18(b)中朝箭頭X2所示之方向移動，以返回到圖18(a)所示之位置上。然後，將工作夾台31朝與紙面垂直的方向(分度進給方向)分度進給相當於埋設有塑模樹脂40之切削溝210的間隔(分割預定線21的間隔)之量，並將下一個用來切削之埋設於切削溝210的塑模樹脂40定位到與切削刀323相對應之位置上。如此進行而將下一個用來切削之埋設於切削溝210的塑模樹脂40定位到與切削刀323相對應之位置上後，則可實施上述之切削步驟。然後，對與埋設在形成於半導體晶圓2之所有切削溝210的塑模樹脂40相對應的區域均實施上述切削步驟。

當如上所述地實施切削步驟之後，實施保護構件貼附步驟，該保護構件貼附步驟是將保護構件貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上。也就是說，如圖19所示，在敷設於半導體晶圓2之正面2a的塑模樹脂40之正面上，貼附作為已實施切削步驟後的保護構件的保護膠帶6。再者，保護膠帶6是使用與上述第1實施形態中所使用之膠帶相同的膠帶。

當如上所述地進行而實施保護構件貼附步驟之後，實施背面磨削步驟，該背面磨削步驟是磨削半導體晶圓2之背面而使切削溝210顯露出，且使埋設於切削溝210之塑模樹脂露出於半導體晶圓2之背面。此背面磨削步驟是與上述圖9所示之第1實施形態中的背面磨削步驟同樣地實施。其結果為，半導體晶圓2的背面2b被磨削，且如圖20(a)及(b)所示地使切削溝210顯露於半導體晶圓2的背面2b，而使埋設於切削溝210之塑模樹脂40及已切斷塑模樹脂40之切削溝410露出於半導體晶圓2之背面2b。如此一來，半導體晶圓2會沿著分割預定線分割成一個個的器件。

當實施上述背面磨削步驟之後，實施支持構件貼附步驟，該支持構件貼附步驟是在半導體晶圓2之背面貼附支持構件，並且將貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40的正面上之作為保護構件之保護膠帶6剝離。亦即，如圖21所示，將已實施上述之背面磨削步驟之半導體晶圓2的背面2b貼附在以覆蓋環狀框架F之內側開口部的方式裝設上外周部之作為支持構件之切割膠帶T的正面上。然後，將貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上的保護膠帶6剝離。如此一來，將敷設在半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40切斷之切削溝410會露出，其中該半導體晶圓2是貼附於切割膠帶T之正面。

如上所述地進行，以將已實施支持構件貼附步驟之半導體晶圓2搬送至下一個步驟之拾取步驟，並按一個個的器件進行拾取。如此進行而被拾取之器件22是如上述圖13所示，構成以塑模樹脂40被覆正面及側面之晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

接著，關於上述凸塊露出步驟以後之本發明晶圓的加工方法之第4實施形態，參照上述各實施形態與圖22至圖25以進行說明。

晶圓的加工方法之第4實施形態是在實施上述塑模步驟及凸塊露出步驟之後，實施保護構件貼附步驟與背面磨削步驟，該保護構件貼附步驟是將保護構件貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上，該背面磨削步驟是磨削半導體晶圓2之背面以使切削溝210顯露出，並使埋設於切削溝210之塑模樹脂露出於半導體晶圓2之背面。也就是說，保護構件貼附步驟是實施上述第2實施形態中的圖14所示之保護構件貼附步驟，且背面磨削步驟是實施上述第2實施形態中的圖15所示之背面磨削步驟。

當實施上述背面磨削步驟之後，實施半切溝形成步驟，該半切溝形成步驟是藉由具有比上述第1厚度更薄之第2厚度的切削刀從半導體晶圓2之背面側將埋設於切削溝210之塑模樹脂40以大約一半之深度進行切削而形成半切溝。該半切溝形成步驟是利用上述圖11所示之切削裝置300來實施。

在利用圖11所示之切削裝置300來實施半切溝形成步驟時，是將已實施有上述背面磨削步驟之半導體晶圓2的保護膠帶6側載置在工作夾台31上。然後，藉由作動圖未示之吸引設備，以隔著保護膠帶6將半導體晶圓2吸引保持而在工作夾台31上。如此一來，如圖22(a)所示，保持在工作夾台31上之半導體晶圓2會變成背面2b在上側。如此進行以將吸引保持有半導體晶圓2之工作夾台31，藉由圖未示之切削進給設備定位到攝像設備33的正下方。

當將工作夾台31定位在攝像設備33的正下方後，即實行校準作業，該校準作業是藉由攝像設備33及圖未示的控制設備檢測對埋設於形成在半導體晶圓2上之切削溝210中的塑模樹脂40進行切削而用來形成半切溝之切削區域。也就是說，攝像設備33及圖未示之控制設備會實行用於進行埋設在形成於半導體晶圓2之預定方向上的切削溝210中之塑模樹脂40、與切削刀323之位置對齊的圖像處理，以完成切削區域的校準(校準步驟)。又，對於埋設在形成於半導體晶圓2之相對於上述預定方向朝垂直相交之方向形成的切削溝210中的塑模樹脂40，也是同樣地完成切削區域的校準。

當如上所述地進行而執行了檢測保持於工作夾台31上之半導體晶圓2的切削區域的校準後，會將保持有半導體晶圓2的工作夾台31移動至切削加工區域之切削開始位置。此時，如圖22(a)所示，是將半導體晶圓2定位成使用來切削之埋設於切削溝210中的塑模樹脂40的一端(在圖22(a)中為左端)相較於切削刀323之環狀的切割刃323c之正下方更位在右側預定量之位置，並且將埋設於切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央定位在與切削刀323相對應之位置上。

如此進行而將保持在切削裝置300之工作夾台31上的半導體晶圓2定位到切削加工區域之切削開始位置後，即可將切削刀323在圖22(a)中從以2點鏈線表示之待機位置如箭頭Z1所示地朝向下方切入進給，而在圖22(a)中如實線所示地定位到預定之切入進給位置。如圖22(c)所示，此切入進給位置是設定成使切削刀323之環狀的切割刃323b的下端在埋設於切削溝210之塑模樹脂40的厚度方向中間位置上。

接著，使切削刀323在圖22(a)中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並使工作夾台31在圖22(a)中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動。然後，當埋設於切削溝210之塑模樹脂40的另一端(在圖22(b)中為右端)到達比切削刀323之環狀的切割刃323b之正下方更位於左側預定量之位置後，即停止工作夾台31的移動。藉由像這樣將工作夾台31切削進給，可如圖22(d)所示地以大約一半的深度切削埋設在切削溝210之塑模樹脂40而形成寬度為20μm的半切溝401(半切溝形成步驟)。

當實施上述半切溝形成步驟之後，實施支持構件貼附步驟，該支持構件貼附步驟是在半導體晶圓2之背面貼附支持構件，並且將貼附在敷設於半導體晶圓2的正面之塑模樹脂40的正面上之作為保護構件的保護膠帶6剝離。此支持構件貼附步驟是與上述圖16所示之第2實施形態中的支持構件貼附步驟同樣，如圖23所示，是將已實施上述背面磨削步驟之半導體晶圓2的背面2b貼附在以覆蓋環狀框架F的內側開口部之方式裝設上外周部之作為支持構件的切割膠帶T的正面上，且將貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上的保護膠帶6剝離。如此進行，在埋設在形成於貼附在切割膠帶T之半導體晶圓2上的切削溝210中之塑模樹脂40中，會形成有上述半切溝401。

接著，實施塑模樹脂去除步驟，該塑模樹脂去除步驟是將敷設在半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40的外周部以環狀的形式去除而使切削溝210顯露出，且使埋設在切削溝210之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2之正面。此塑模樹脂去除步驟是利用上述圖6所述之切削裝置30，且與上述第2實施形態中的圖17(a)及(b)所示之塑模樹脂去除步驟同樣地實施。其結果，如圖24所示，將敷設在半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40的外周部以環狀的形式去除而使切削溝210顯露出，並且埋設在切削溝210之塑模樹脂40會露出於半導體晶圓2之正面。再者，在埋設於形成在半導體晶圓2之切削溝210中的塑模樹脂40中，會形成有上述半切溝401。

當實施上述塑模樹脂去除步驟之後，可實施切削步驟，該切削步驟是檢測露出於半導體晶圓2之外周部之埋設於切削溝210之塑模樹脂40，且將具有比上述第1厚度更薄的第2厚度之切削刀定位在塑模樹脂40之寬度方向中央上，而將埋設在切削溝210之殘存的塑模樹脂40完全地切削。此切削步驟是利用上述圖11所示之切削裝置300，且如圖25(a)至(d)所示地實施。也就是說，是將貼附有已實施上述塑模樹脂去除步驟之半導體晶圓2的作為支持構件的切割膠帶T側載置在切削裝置300之工作夾台31上。然後，藉由作動圖未示之吸引設備，以隔著切割膠帶T將半導體晶圓2吸引保持於工作夾台31上(晶圓保持步驟)。因此，如圖25(a)所示，保持在工作夾台31之半導體晶圓2會成為敷設於正面上之塑模樹脂40在上側。如此進行以將吸引保持有半導體晶圓2之工作夾台31，藉由圖未示之切削進給設備定位到攝像設備33的正下方。

當將工作夾台31定位在攝像設備33之正下方後，即實行校準步驟，該校準步驟是藉由攝像設備33及圖未示之控制設備檢測用來將埋設在形成於半導體晶圓2之切削溝210中的殘存之塑模樹脂40完全地切削的切削區域。該校準步驟是與上述第1實施形態中的切削步驟的校準步驟同樣，實行檢測埋設在形成於半導體晶圓2之切削溝210中的塑模樹脂40之用來切削之切削區域的校準作業。在該校準步驟中，由於埋設在切削溝210中之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2之外周部正面，因此可以將埋設在切削溝210之塑模樹脂40藉由攝像設備33拍攝而明確地檢測。

當如以上所述地進行而執行了檢測保持於工作夾台31上之半導體晶圓2的切削區域的校準後，會將保持有半導體晶圓2的工作夾台31移動至切削加工區域之切削開始位置。此時，如圖25(a)所示，是使半導體晶圓2定位成使用來切削之埋設於切削溝210的塑模樹脂40之一端(在圖25(a)中為左端)相較於切削刀323之環狀的切割刃323c的正下方更位於右側預定量之位置，並且將埋設在切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央定位在與切削刀323相對應之位置上。

如此進行而將保持在切削裝置300之工作夾台31上的半導體晶圓2定位到切削加工區域之切削開始位置後，即可將切削刀323在圖25(a)中從以2點鏈線表示之待機位置如箭頭Z1所示地朝向下方切入進給，而在圖25(a)中如實線所示地定位到預定之切入進給位置。如圖25(c)所示，此切入進給位置是設定在使切削刀323之環狀的切割刃323c之下端到達半切溝401之位置上。

接著，使切削刀323在圖25(a)中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並使工作夾台31在圖25(a)中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動。然後，當埋設在切削溝210之塑模樹脂40的另一端(在圖25(b)中為右端)到達比切削刀323之環狀的切割刃323b之正下方更位於左側預定量之位置後，即停止工作夾台31之移動。藉由像這樣將工作夾台31切削進給，可如圖25(d)所示地將埋設在切削溝210之殘存的塑模樹脂40，藉由到達半切溝401之寬度為20μm的分割溝402而完全地切削(切削步驟)。由於該切削步驟是將上述校準步驟中所檢測且露出於半導體晶圓2之外周正面之埋設於切削溝210的塑模樹脂40的寬度方向中央，定位在與切削刀323相對應之位置來實施，因此即使在半導體晶圓2之正面敷設有塑模樹脂40，也可藉由切削刀323於埋設在切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央上沿著切削溝210正確地切削，因而可解決在器件之側面造成傷痕的問題。

其次，如圖25(b)中以箭頭Z2所示地使切削刀323上升而定位到2點鏈線所示之待機位置上，且將工作夾台31在圖25(b)中朝箭頭X2所示之方向移動，以返回到圖25(a)所示之位置上。然後，將工作夾台31朝與紙面垂直的方向(分度進給方向)分度進給相當於埋設有塑模樹脂40之切削溝210的間隔(分割預定線21的間隔)之量，並將下一個用來切削之埋設於切削溝210的塑模樹脂40定位到與切削刀323相對應的位置上。如此進行而將下一個用來切削之埋設於切削溝210之塑模樹脂40定位到與切削刀323相對應之位置上之後，即可實施上述之切削步驟。然後，對於埋設在形成於半導體晶圓2之所有的切削溝210中的塑模樹脂40均實施上述之切削步驟。其結果為，半導體晶圓2會沿著埋設在沿著分割預定線形成的切削溝210中的塑模樹脂40而分割成一個個器件。將已實施此切削步驟而分割成一個個器件的半導體晶圓2以貼附於裝設在環狀框架F之切割膠帶T上的狀態搬送至下一步驟之拾取步驟，並按一個個器件進行拾取。如此進行而被拾取之器件22是如上述圖13所示，構成以塑模樹脂40被覆正面及側面之晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

接著，針對上述凸塊露出步驟以後之本發明晶圓的加工方法之第5實施形態，參照上述各實施形態中所實施之各步驟來說明。

晶圓的加工方法之第5實施形態是在實施上述塑模步驟及凸塊露出步驟之後，實施塑模樹脂去除步驟、保護構件貼附步驟與背面磨削步驟，該塑模樹脂去除步驟是將敷設在半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之外周以環狀的形式去除而使切削溝210顯露出，且使埋設在切削溝210之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2之正面，該保護構件貼附步驟是將保護構件貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40的正面上，該背面磨削步驟是磨削半導體晶圓2之背面以使切削溝210顯露出，並使埋設在切削溝210之塑模樹脂露出於半導體晶圓2之背面。再者，塑模樹脂去除步驟是實施上述第1實施形態中之圖6及圖7所示之塑模樹脂去除步驟，且保護構件貼附步驟是實施上述第1實施形態中的圖8所示之保護構件貼附步驟，而背面磨削步驟是實施上述第1實施形態中的圖9所示之背面磨削步驟。

當實施上述之背面磨削步驟之後，實施半切溝形成步驟、支持構件貼附步驟與切削步驟，該半切溝形成步驟是藉由具有比第1厚度更薄之第2厚度的切削刀從半導體晶圓2之背面側以大約一半之深度切削埋設在切削溝210之塑模樹脂40以形成半切溝，該支持構件貼附步驟是將支持構件貼附於半導體晶圓2之背面，並且將貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上的作為保護構件之保護膠帶6剝離，該切削步驟是檢測露出於半導體晶圓2之外周部之埋設於切削溝210之塑模樹脂40，且將具有比上述第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂40的寬度方向中央，並將埋設在切削溝210之殘存的塑模樹脂40完全地切削。再者，半切溝形成步驟是實施上述第4實施形態中的圖22所示之半切溝形成步驟，支持構件貼附步驟是實施上述第4實施形態中的圖23所示之支持構件貼附步驟，而切削步驟是實施上述第4實施形態中的圖25所示之切削步驟。其結果為，半導體晶圓2會沿著埋設在沿著分割預定線形成之切削溝210中的塑模樹脂40而分割成一個個器件。將已實施此切削步驟且分割成一個個器件之半導體晶圓2以貼附於裝設在環狀框架F之切割膠帶T上的狀態搬送至下一個步驟之拾取步驟，且按一個個器件進行拾取。如此進行而被拾取之器件22是如上述圖13所示，構成以塑模樹脂40被覆正面及側面之晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

接著，針對上述凸塊露出步驟以後之本發明之晶圓的加工方法之第6實施形態，參照上述各實施形態及圖26及圖27來說明。

晶圓的加工方法之第6實施形態是在實施上述塑模步驟及凸塊露出步驟之後，實施塑模樹脂去除步驟，該塑模樹脂去除步驟是將敷設在半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之外周部以環狀的形式去除而使切削溝210顯露出，且使埋設在切削溝210之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2之正面。此塑模樹脂去除步驟是實施上述第1實施形態中的圖6及圖7所示之塑模樹脂去除步驟。

當實施上述塑模樹脂去除步驟之後，可實施切削步驟，該切削步驟是檢測藉由實施塑模樹脂去除步驟而露出於半導體晶圓2之外周部的埋設在切削溝210之塑模樹脂40，且將具有比上述第1厚度更薄的第2厚度之切削刀定位在塑模樹脂40的寬度方向中央，並將埋設在切削溝210中之塑模樹脂40以大約一半之深度進行切削以形成半切溝。形成此半切溝之切削步驟是利用上述圖11所示之切削裝置300來實施。

在利用圖11所示之切削裝置300來實施半切溝形成步驟時，是將已實施上述塑模樹脂去除步驟之半導體晶圓2的背面2b側載置於工作夾台31上。然後，藉由作動圖未示之吸引設備，以將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台31上。因此，如圖26(a)所示，保持於工作夾台31上之半導體晶圓2會成為敷設在半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40在上側。如此進行以將吸引保持有半導體晶圓2之工作夾台31，藉由圖未示之切削進給設備定位至攝像設備33之正下方。

當將工作夾台31定位至攝像設備33之正下方後，即實行校準作業，該校準作業是藉由攝像設備33及圖未示之控制設備檢測對埋設在形成於半導體晶圓2之切削溝210的塑模樹脂40進行切削而用來形成半切溝之切削區域。該校準步驟是與上述第1實施形態中的切削步驟之校準步驟同樣，實行檢測埋設在形成於半導體晶圓2之切削溝210中的塑模樹脂40之用來切削的切削區域之校準作業。在該校準步驟中，由於埋設在切削溝210中之塑模樹脂40露出於半導體晶圓2的外周部正面，因此可以將埋設在切削溝210之塑模樹脂40藉由攝像設備33拍攝而明確地檢測。

當如上所述地進行而執行了檢測保持於工作夾台31上之半導體晶圓2的切削區域的校準後，會將保持有半導體晶圓2的工作夾台31移動至切削加工區域之切削開始位置。此時，如圖26(a)所示，是使半導體晶圓2定位成使用來切削之埋設於切削溝210的塑模樹脂40之一端(在圖26(a)中為左端)相較於切削刀323之環狀的切割刃323c之正下方更位於右側預定量之位置，並且將埋設在切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央定位在與切削刀323相對應之位置上。

如此進行而將保持在切削裝置300之工作夾台31上的半導體晶圓2定位到切削加工區域之切削開始位置後，即可將切削刀323在圖26(a)中從以2點鏈線表示之待機位置如箭頭Z1所示地朝向下方切入進給，而在圖26(a)中如實線所示地定位到預定之切入進給位置。如圖26(c)所示，此切入進給位置是設定成使切削刀323之環狀的切割刃323c之下端在埋設於切削溝210之塑模樹脂40的厚度方向中間位置上。

接著，使切削刀323在圖26(a)中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並使工作夾台31在圖26(a) 中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動。然後，當埋設在切削溝210之塑模樹脂40的另一端(在圖26(b)中為右端)到達比切削刀323之環狀的切割刃323c之正下方更位於左側預定量之位置後，即停止工作夾台31之移動。藉由像這樣將工作夾台31切削進給，可如圖26(d)所示地以大約一半的深度切削埋設於切削溝210之塑模樹脂40而形成寬度為20μm的半切溝403(切削步驟)。由於此切削步驟是將在上述校準步驟中所檢測且露出於半導體晶圓2之外周部正面之埋設於切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央，定位在與切削刀323相對應之位置而實施，因此即使在半導體晶圓2之正面上敷設塑模樹脂40，也可藉由切削刀323於埋設在切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央上沿著切削溝210正確地切削，因而可解決在器件的側面造成傷痕之問題。

當已實施形成上述之半切溝403的切削步驟之後，實施保護構件貼附步驟與背面磨削步驟，該保護構件貼附步驟是將保護構件貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上，該背面磨削步驟是磨削半導體晶圓2之背面而使切削溝210顯露出，且使埋設在切削溝210之塑模樹脂露出於半導體晶圓2之背面。再者。保護構件貼附步驟是實施上述第1實施形態中的圖8所示之保護構件貼附步驟，背面磨削步驟是實施上述第1實施形態中的圖9所示之背面磨削步驟。

在實施上述背面磨削步驟之後，可實施分割步驟，該分割步驟是檢測露出於半導體晶圓2之外周部的埋設於切削溝210之塑模樹脂40，且藉由具有比上述第1厚度更薄的第2厚度之切削刀，從半導體晶圓2之背面側將埋設在切削溝210之殘存的塑模樹脂40完全地切削，而將半導體晶圓2分割成一個個器件。此分割步驟是利用上述圖11所示之切削裝置300來實施。也就是說，將已實施上述背面磨削步驟之半導體晶圓2的保護膠帶6側載置在切削裝置300之工作夾台31上。然後，藉由作動圖未示的吸引設備，隔著保護膠帶6將半導體晶圓2吸引保持在工作夾台31上(晶圓保持步驟)。如此一來，如圖27(a)所示，保持於工作夾台31上之半導體晶圓2會成為背面2b在上側。如此進行以將吸引保持有半導體晶圓2之工作夾台31，藉由圖未示之切削進給設備定位到攝像設備33的正下方。

當將工作夾台31定位在攝像設備33之正下方後，即實行校準步驟，該校準步驟是藉由攝像設備33及圖未示之控制設備檢測用來將埋設在形成於半導體晶圓2之切削溝210中的殘存之塑模樹脂40完全地切削的切削區域。此校準步驟是與上述第4實施形態中的半切溝形成步驟之校準步驟同樣，實行檢測埋設在形成於半導體晶圓2之切削溝210中的塑模樹脂40之用來切削的切削區域的校準作業。

接著，將保持有半導體晶圓2之工作夾台31移動至切削加工區域的切削開始位置。此時，是如圖27(a)所示，使半導體晶圓2定位成使用來切削之埋設於切削溝210的塑模樹脂40之一端(在圖27(a)中為左端)相較於切削刀323之環狀的切割刃323c之正下方更位於右側預定量之位置，並且將埋設在切削溝210之塑模樹脂40的寬度方向中央定位在與切削刀323相對應之位置上。

如此進行而將保持在切削裝置300之工作夾台31上的半導體晶圓2定位到切削加工區域之切削開始位置後，即可將切削刀323在圖27(a)中從以2點鏈線表示之待機位置如箭頭Z1所示地朝向下方切入進給，而在圖27(a)中如實線所示地定位到預定之切入進給位置。如圖27(c)所示，此切入進給位置是設定在使切削刀323之環狀的切割刃323c之下端到達半切溝403之位置上。

接著，使切削刀323在圖27(a)中朝箭頭322a所示之方向以預定之旋轉速度旋轉，並使工作夾台31在圖27(a)中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動。然後，當埋設在切削溝210之塑模樹脂40的另一端(在圖27(b)中為右端)到達比切削刀323之環狀的切割刃323b之正下方更位於左側預定量之位置後，即停止工作夾台31之移動。藉由像這樣將工作夾台31切削進給，可如圖27(d)所示地將埋設在切削溝210之殘存的塑模樹脂40，藉由到達半切溝403之寬度為20μm的切削溝404而完全地切削，且將半導體晶圓2分割成一個個器件(分割步驟)。

當實施了上述分割步驟之後，實施支持構件貼附步驟，該支持構件貼附步驟在半導體晶圓2之背面貼附支持構件，並且將貼附在敷設於半導體晶圓2的正面之塑模樹脂 40的正面上之作為保護構件之保護膠帶6剝離。此支持構件貼附步驟是與上述第4實施形態中的圖23所示之支持構件貼附步驟同樣，且如圖28所示，是將已實施上述之分割步驟之半導體晶圓2之背面2b貼附在以覆蓋環狀框架F的內側開口部之方式裝設上外周部之作為支持構件的切割膠帶T之正面上，且將貼附在敷設於半導體晶圓2之正面的塑模樹脂40之正面上的保護膠帶6剝離。如此進行，會在埋設於形成在貼附於切割膠帶T之半導體晶圓2上的切削溝210中的塑模樹脂40中，形成有上述半切溝403與切削溝404。已實施此支持構件貼附步驟之半導體晶圓2會被搬送至下一個步驟的拾取步驟，並按一個個器件進行拾取。如此進行而被拾取之器件22是如上述圖13所示，構成以塑模樹脂40被覆正面及側面之晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

2:半導體晶圓

2a:正面

210:切削溝

40:塑模樹脂

Claims

一種晶圓的加工方法，是在正面上將複數條分割預定線形成為格子狀，且在藉由該複數條分割預定線所劃分出的複數個區域中形成有正面具備有凸塊之器件的晶圓的加工方法，前述晶圓的加工方法包含：切削溝形成步驟，藉由具有第1厚度之切削刀從晶圓之正面側沿著分割預定線形成深度相當於器件之成品厚度的切削溝；塑模步驟，在已實施該切削溝形成步驟之晶圓的正面上敷設塑模樹脂，並且將塑模樹脂埋設到該切削溝中；塑模樹脂去除步驟，將敷設在已實施該塑模步驟之晶圓的正面上之塑模樹脂的外周部以環狀的形式去除而使該切削溝顯露出，且使埋設在該切削溝之塑模樹脂露出於晶圓之正面；及切削步驟，檢測已實施該塑模樹脂去除步驟且露出於晶圓的外周部之埋設在該切削溝中的塑模樹脂，並將具有比該第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂之寬度方向中央上，以藉由切削刀沿著該切削溝切削塑模樹脂，在該塑模步驟中，是以該凸塊露出的方式在晶圓的正面被覆塑模樹脂，以使在實施該塑模樹脂去除步驟之前，在以該塑模樹脂被覆的晶圓的正面，該凸塊是露出的狀態，或者，在該塑模步驟中，該凸塊被塑模樹脂被覆的情況時，實施使形成於器件之正面的該凸塊露出的凸塊露出步驟，以使在實施該塑模樹脂去除步驟之前，在以該塑模樹脂被覆的晶圓的正面，該凸塊是露出的狀態。
如請求項1之晶圓的加工方法，其中，在實施該塑模樹脂去除步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟及支持構件貼附步驟，且該切削步驟是在實施該支持構件貼附步驟之後實施，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓的背面以形成器件的成品厚度，該支持構件貼附步驟是在晶圓的背面貼附支持構件並且將貼附於敷設在晶圓之正面之塑模樹脂的正面上的保護構件剝離。
如請求項1之晶圓的加工方法，其中，在實施該塑模步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟及支持構件貼附步驟，並於之後實施該塑模樹脂去除步驟及該切削步驟，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之止面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件之成品厚度，該支持構件貼附步驟是在晶圓之背面貼附支持構件並且將貼附在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。
如請求項1之晶圓的加工方法，其中，在實施該塑模樹脂去除步驟之後，在該切削步驟中形成到達該切削溝之底面的切斷溝，且之後實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟及支持構件貼附步驟，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件的成品厚度並將晶圓分割成一個個器件，該支持構件貼附步驟是在晶圓之背面貼附支持構件並且將貼附在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。
一種晶圓的加工方法，是在正面上將複數條分割預定線形成為格子狀，且在藉由該複數條分割預定線所劃分出的複數個區域中形成有正面具備有凸塊之器件的晶圓的加工方法，前述晶圓的加工方法包含：切削溝形成步驟，藉由具有第1厚度之切削刀從晶圓之正面側沿著分割預定線形成深度相當於器件之成品厚度的切削溝；塑模步驟，在已實施該切削溝形成步驟之晶圓的正面上敷設塑模樹脂，並且將塑模樹脂埋設到該切削溝中；塑模樹脂去除步驟，將敷設在已實施該塑模步驟之晶圓的正面上之塑模樹脂的外周部以環狀的形式去除而使該切削溝顯露出，且使埋設在該切削溝之塑模樹脂露出於晶圓之正面；及切削步驟，檢測已實施該塑模樹脂去除步驟且露出於晶圓的外周部之埋設在該切削溝中的塑模樹脂，並將具有比該第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂之寬度方向中央上，以藉由切削刀沿著該切削溝切削塑模樹脂，在實施該塑模步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟、半切溝形成步驟及支持構件貼附步驟，並於之後實施該塑模樹脂去除步驟及該切削步驟，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件之成品厚度並且使該切削溝顯露出而使埋設於該切削溝之塑模樹脂露出於晶圓之背面，該半切溝形成步驟是藉由具有比該第1厚度更薄之第2厚度之切削刀，從晶圓的背面側將埋設在該切削溝之塑模樹脂以大約一半之深度進行切削而形成半切溝，該支持構件貼附步驟是在晶圓之背面貼附支持構件並且將貼附在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。
一種晶圓的加工方法，是在正面上將複數條分割預定線形成為格子狀，且在藉由該複數條分割預定線所劃分出的複數個區域中形成有正面具備有凸塊之器件的晶圓的加工方法，前述晶圓的加工方法包含：切削溝形成步驟，藉由具有第1厚度之切削刀從晶圓之正面側沿著分割預定線形成深度相當於器件之成品厚度的切削溝；塑模步驟，在已實施該切削溝形成步驟之晶圓的正面上敷設塑模樹脂，並且將塑模樹脂埋設到該切削溝中；塑模樹脂去除步驟，將敷設在已實施該塑模步驟之晶圓的正面上之塑模樹脂的外周部以環狀的形式去除而使該切削溝顯露出，且使埋設在該切削溝之塑模樹脂露出於晶圓之正面；及切削步驟，檢測已實施該塑模樹脂去除步驟且露出於晶圓的外周部之埋設在該切削溝中的塑模樹脂，並將具有比該第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂之寬度方向中央上，以藉由切削刀沿著該切削溝切削塑模樹脂，在實施該塑模樹脂去除步驟之後，實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟、半切溝形成步驟及支持構件貼附步驟，並於之後實施該切削步驟，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件之成品厚度並且使該切削溝顯露出，而使埋設在該切削溝之塑模樹脂露出於晶圓之背面，該半切溝形成步驟是藉由具有比該第1厚度更薄之第2厚度之切削刀，從晶圓之背面側將埋設在該切削溝之塑模樹脂以大約一半的深度進行切削以形成半切溝，該支持構件貼附步驟是在晶圓之背面貼附支持構件並且將貼附於敷設在晶圓之正面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。
一種晶圓的加工方法，是在正面上將複數條分割預定線形成為格子狀，且在藉由該複數條分割預定線所劃分出的複數個區域中形成有正面具備有凸塊之器件的晶圓的加工方法，前述晶圓的加工方法包含：切削溝形成步驟，藉由具有第1厚度之切削刀從晶圓之正面側沿著分割預定線形成深度相當於器件之成品厚度的切削溝；塑模步驟，在已實施該切削溝形成步驟之晶圓的正面上敷設塑模樹脂，並且將塑模樹脂埋設到該切削溝中；塑模樹脂去除步驟，將敷設在已實施該塑模步驟之晶圓的正面上之塑模樹脂的外周部以環狀的形式去除而使該切削溝顯露出，且使埋設在該切削溝之塑模樹脂露出於晶圓之正面；及切削步驟，檢測已實施該塑模樹脂去除步驟且露出於晶圓的外周部之埋設在該切削溝中的塑模樹脂，並將具有比該第1厚度更薄之第2厚度的切削刀定位在塑模樹脂之寬度方向中央上，以藉由切削刀沿著該切削溝切削塑模樹脂，在實施該塑模樹脂去除步驟之後，在該切削步驟中形成埋設在該切削溝之塑模樹脂的大約一半深度的半切溝，並於之後實施保護構件貼附步驟、背面磨削步驟、分割步驟及支持構件貼附步驟，該保護構件貼附步驟是在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上貼附保護構件，該背面磨削步驟是磨削晶圓之背面以形成器件之成品厚度並且使該切削溝顯露出而使埋設在該切削溝之塑模樹脂露出於晶圓之背面，該分割步驟是藉由具有比該第1厚度更薄之第2厚度之切削刀，從晶圓的背面側將埋設在該切削溝之殘存的塑模樹脂完全地切削以分割成一個個的器件，該支持構件貼附步驟是在晶圓之背面貼附支持構件，並且將貼附在敷設於晶圓之正面的塑模樹脂之正面上的保護構件剝離。