JP5595790B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤を介して補強プレートを接合する補強プレート装着工程と、
補強プレートが接合されたウエーハの補強プレート側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに研削するウエーハ研削工程と、
該ウエーハ研削工程が実施され表面に補強プレートが接合されたウエーハの裏面からデバイスに形成された電極に連通する電極埋設用のビアホールをレーザー加工によって穿孔し、該ビアホールの外周面に絶縁膜を形成した後に、ビアホールに貫通電極を埋設する電極形成工程と、
該電極形成工程が実施されたウエーハの裏面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハの裏面に貼着された保護テープ側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハの表面に接合されている補強プレートを研削することにより耐熱性ボンド剤を残存させてウエーハの表面から補強プレートを除去する補強プレート除去工程と、
該補強プレート除去工程が実施されたウエーハの表面に残存しているボンド剤を除去するボンド剤除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
また、上記保護テープは環状のフレームに装着されたダイシングテープであって、該ダイシングテープにウエーハが貼着された状態で上記補強プレート除去工程を実施し、その後、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程を実施する。
先ず、複数のデバイス22が設けられたウエーハ2の表面に耐熱性ボンド剤を介して補強プレートを接合する補強プレート装着工程を実施する。即ち、図2に示すようにウエーハ2の表面2aに厚みが例えば500μmの円板状のシリコン基板からなる補強プレート3の表面3aを例えば250℃の高温に耐えられるエポキシ系のボンド剤4を介して接合する。なお、補強プレートとしては加工性がよいシリコン基板を用いることが望ましい。また、ボンド剤4の厚みは例えば20μmに設定されている。
第2の実施形態においても上記第1の実施形態における補強プレート装着工程とウエーハ研削工程および電極形成工程を上述したように実施する。そして、上記保護テープ貼着工程においては、図13に示すように電極形成工程が実施されたウエーハ2の裏面2bを環状のフレーム7の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ8の表面に貼着する。従って、第2の実施形態においては、表面に補強プレート3が接合されたウエーハ2の裏面2bを貼着したダイシングテープ8が保護テープとして機能する。
22:デバイス
221:電極
222:貫通電極
3:補強プレート
4:ボンド剤
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削手段
524:研削ホイール
6:保護テープ
7:環状のフレーム
8:ダイシングテープ
9:切削装置
91:切削装置のチャックテーブル
92:切削手段
Claims (3)
- 表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成した後、デバイスに形成された電極に連通する貫通電極を埋設するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤を介して補強プレートを接合する補強プレート装着工程と、
補強プレートが接合されたウエーハの補強プレート側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに研削するウエーハ研削工程と、
該ウエーハ研削工程が実施され表面に補強プレートが接合されたウエーハの裏面からデバイスに形成された電極に連通する電極埋設用のビアホールをレーザー加工によって穿孔し、該ビアホールの外周面に絶縁膜を形成した後に、ビアホールに貫通電極を埋設する電極形成工程と、
該電極形成工程が実施されたウエーハの裏面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハの裏面に貼着された保護テープ側を研削装置のチャックテーブル上に保持し、ウエーハの表面に接合されている補強プレートを研削することにより耐熱性ボンド剤を残存させてウエーハの表面から補強プレートを除去する補強プレート除去工程と、
該補強プレート除去工程が実施されたウエーハの表面に残存しているボンド剤を除去するボンド剤除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該補強プレート除去工程を実施した後に、ウエーハの裏面に貼着されている保護テープ側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施し、その後、ウエーハを個々のデバイス分割するウエーハ分割工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該保護テープは環状のフレームに装着されたダイシングテープであって、該ダイシングテープにウエーハが貼着された状態で該補強プレート除去工程を実施し、その後、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
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