JP2003124392A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハ状態からの切断面がそのまま側面と
なるような半導体装置において、その側面の保護を図っ
て信頼性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供す
ること。 【解決手段】 側面で、樹脂層２０が、絶縁層５と保護
膜４を覆ってウェーハ２にまで延びている半導体装置１
１は、個別の半導体装置に分離するダイシング位置に、
第１のダイシングソー１４で、表面側から、保護膜４よ
りも深い位置まで切り溝１６を形成した後、切り溝１６
を埋めるように樹脂層２０を形成し、切り溝１６の幅よ
りも刃幅が小さい第２のダイシングソー１５を用いて、
切り溝１６の位置で樹脂層２０及びウェーハ２を切断す
ることによって得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハに
半導体集積回路を形成した後、ウェーハ状態で一括し
て、基板へ実装するための再配線やはんだボール形成な
どを行ってから、切断手段を用いて、個々のチップごと
あるいは複数のチップ単位で切断し、この切断面を側面
として有する半導体装置及びその製造方法に関し、更に
詳しくは、個々に分離された半導体装置の側面（切断
面）の保護を図った半導体装置及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】各種携帯用電子機器の小型化に伴い、そ
れらに組み込まれる半導体装置（ＩＣパッケージ部品）
も小型化が要求されており、挿入実装型のＤＩＰ（Dual
In-line Package）に代わるものとして、より小型で薄
型化を図った、ＱＦＰ（Quad Flat Package ）、ＢＧＡ
（Ball Grid Array ）、ＣＳＰ（Chip Scale Package又
は Chip size Package）などがある。更に近年において
は、半導体チップに極めて近いサイズのウェーハレベル
ＣＳＰと呼ばれるものがある。

【０００３】図１２、１３に、従来の代表的なウェーハ
レベルＣＳＰ構造の半導体装置の製造方法を示す。

【０００４】（図１２Ａ）先ず、例えばシリコンでなる
ウェーハ２の表面（図では下側）に半導体集積回路を形
成する。次いで、ウェーハ２の表面に、半導体集積回路
を保護する保護膜（例えばＳｉＮでなる）４を形成す
る。ここまでの工程が、半導体装置の一連の製造工程に
おいて、いわゆる前工程と呼ばれるウェーハ処理工程で
あり、ウェーハレベルＣＳＰでは、この後チップに分割
せず、ウェーハ状態で一括して、以下の工程を続けて行
う。

【０００５】保護膜４上に、再配線のための下地となる
絶縁層（例えばポリイミド）５を形成する。次いで、保
護膜４及び絶縁層５を選択的に開口し、半導体集積回路
の電極面（例えばＡｌでなる）３を露出させる。次い
で、露出した電極面３と接続させて、絶縁層５上に配線
層（例えばＣｕでなる）７を形成する。配線層７は、例
えばＡｌでなるビア６を介して電極面３に接続する。次
いで、配線層７上に、複数のビアポスト（例えばＣｕで
なる）８を形成する。以上の工程は、公知のフォトリソ
グラフィ法などにより行われる。

【０００６】（図１２Ｂ）図１２Ａで得られたウェーハ
を金型にセットして、配線層７を覆うモールド樹脂層
（例えばエポキシ樹脂でなる）１０を形成する。ビアポ
スト８の周囲もモールド樹脂層１０で覆われるが、配線
層７と接続する反対側の端面は露出する。

【０００７】（図１３Ｃ）モールド樹脂層１０から露出
している各ビアポスト８の端面に、はんだボール９を形
成する。これは、例えば、予め所定の寸法の球形にそろ
えたはんだボール９を各ビアポスト８に配置し、リフロ
ー（加熱溶融）することにより形成する（はんだボール
移載法）。

【０００８】（図１３Ｄ）ダイシングソー１５を用い
て、所定のダイシング位置で、ウェーハ２、保護膜４、
絶縁層５、モールド樹脂層１０を切断して、個別の半導
体装置に分離する。ダイシングソー１５の構成として
は、例えば、高速回転するスピンドルの先端に取り付け
られ、ダイヤモンド微粒を貼り付けた薄い円形刃であ
る。

【０００９】以上のようにして、図１１に示す、ウェー
ハレベルＣＳＰ構造の半導体装置１が得られる。ウェー
ハ２上に複数形成された半導体集積回路の微細な電極面
３は、実装基板への実装時に電極端子間のショートを防
いで信頼性を高めるため、ビア６や配線層７を介して、
ピッチがより拡大されたビアポスト８として再配列（再
配線）されている。ビアポスト８とモールド樹脂層１０
は、この半導体装置１が実装基板に実装された状態で、
シリコンで構成されるウェーハ２とガラスエポキシ等で
構成される実装基板との熱膨張係数の差で生じる応力を
緩和する役割を果たす。ビアポスト８の先端にははんだ
ボール９が形成され、半導体装置１の外部電極端子とし
て機能し、実装基板への実装を安定化させ、より信頼性
の高いものとする。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述したようなウェー
ハレベルＣＳＰにおいては、個別の半導体装置１に分離
する際の切断面が、そのまま各半導体装置１の側面とな
り、保護膜４と絶縁層５との境界部、更に絶縁層５とモ
ールド樹脂層１０との境界部が外部に露出した構造とな
る。このため、特に湿気の多いところで使用される場合
には、それら境界部から水分が侵入し、実装基板への実
装時の熱衝撃によって境界部にクラックが発生したり、
侵入した水分によって電極面３や配線層７を腐食させる
などの信頼性低下の問題があった。

【００１１】また、ウェーハレベルＣＳＰの構造には、
図１４に示す半導体装置１’のように、絶縁層５が切断
面まで延在していない、すなわち絶縁層５が外部に露出
しないものもあるが、なおもこの構成では、保護膜４と
モールド樹脂層１０との境界部は外部に露出しており、
更に、保護膜４とモールド樹脂層１０との境界部から侵
入した水分はそのまま保護膜４と絶縁層５との界面を介
して内方へと直線的に侵入していき易い構造となってい
るため、電極面３や配線層７に達し易く、やはりこの構
造でも十分な信頼性が得られない。

【００１２】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、ウェ
ーハ状態からの切断面がそのまま側面となるような半導
体装置において、その側面の保護を図って信頼性を高め
た半導体装置及びその製造方法を提供することを課題と
する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
表面に半導体集積回路が形成された半導体ウェーハに、
半導体集積回路を保護する保護膜と、この保護膜の上に
形成される絶縁層と、この絶縁層の上に形成され半導体
集積回路と接続される配線層と、この配線層に接続する
ボール状電極端子と、配線層を覆う樹脂層とが形成され
た状態で、切断手段により切断されて個別に分離され、
切断手段で切断された切断面を側面として有する半導体
装置であり、その側面では、樹脂層が、絶縁層と保護層
とを覆って半導体ウェーハにまで延びている。

【００１４】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
ウェーハの表面に半導体集積回路を形成する工程と、半
導体集積回路の上に保護膜を形成する工程と、保護膜の
上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層の上に、半導体集
積回路と接続する配線層を形成する工程と、個別の半導
体装置に分離するダイシング位置に、第１の切断手段
で、表面側から、保護膜よりも深い位置まで切り溝を形
成する工程と、切り溝を埋め、且つ配線層を覆う樹脂層
を形成する工程と、配線層に接続するボール状電極端子
を形成する工程と、切り溝の幅よりも刃幅が小さい第２
の切断手段を用いて、切り溝の位置で個別の半導体装置
に分離するダイシング工程と、を有する。

【００１５】すなわち、本発明では、最終的に個別の半
導体装置に切り出す第２の切断手段の厚さ（刃幅）を、
先の工程で形成された切り溝の幅、すなわちこの切り溝
形成時の第１の切断手段の厚さ（刃幅）に比べて小さく
することで、切り溝を埋める樹脂層の部位で切断するこ
とができ、分離された半導体装置の側面となる切断面で
は、その樹脂層が最表面に出てきて、露出したくない保
護膜や絶縁膜などとの境界部を保護する構造が得られ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、従来と同じ構成部分
には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。

【００１７】図２、３に、本発明の第１の実施の形態に
よる、ウェーハレベルＣＳＰ構造の半導体装置の製造方
法を示す。

【００１８】（図２Ａ）先ず、例えばシリコンでなるウ
ェーハ２の回路形成面である表面（図において下側）に
半導体集積回路を形成する。次いで、ウェーハ２の表面
に、半導体集積回路を保護する保護膜（例えばＳｉＮで
なる）４を形成する。ここまでの工程は、一般的な公知
のウェーハ処理技術にて行われる。

【００１９】次いで、保護膜４上に、基板実装時の再配
線のための下地となる絶縁層（例えばポリイミド）５を
形成する。次いで、保護膜４及び絶縁層５を選択的に開
口し、半導体集積回路の電極面（例えばＡｌでなる）３
を露出させる。次いで、露出した電極面３と接続させ
て、絶縁層５上に配線層（例えばＣｕでなる）７を形成
する。配線層７は、例えばＡｌでなるビア６を介して電
極面３に接続する。次いで、配線層７上に、複数のビア
ポスト（例えばＣｕでなる突起状電極）８を形成する。
以上の工程は、公知のフォトリソグラフィ法などにより
行われる。

【００２０】（図２Ｂ）後工程でウェーハ２を個別の半
導体装置に分離するための所定のダイシング位置に、第
１の切断手段である第１のダイシングソー１４を用い
て、ウェーハ２の表面側から切り溝１６を入れる。切り
溝１６の深さは、ウェーハ２の表面側から、絶縁層５と
保護膜４を切断して、ウェーハ２のほぼ半分程度まで達
する。第１のダイシングソー１４の構成としては、例え
ば、高速回転するスピンドルの先端に取り付けられ、ダ
イヤモンド微粒を貼り付けた薄い円形刃である。

【００２１】（図２Ｃ）上記工程で切り溝１６を形成さ
れたウェーハ２を金型にセットして、切り溝１６を埋
め、且つ配線層７を覆うモールド樹脂層（例えばエポキ
シ樹脂でなる）２０を形成する。ビアポスト８の周囲も
モールド樹脂層２０で覆われるが、配線層７と接続する
反対側の端面は露出する。

【００２２】（図３Ｄ）モールド樹脂層２０から露出し
ている各ビアポスト８の端面に、はんだボール９を形成
する。これは、例えば、予め所定の寸法の球形にそろえ
たはんだボール９を各ビアポスト８に配置し、リフロー
（加熱溶融）することにより形成する（はんだボール移
載法）。あるいは、ソルダーペーストを各ビアポスト８
上にスクリーン印刷し、リフローすることによりはんだ
ボール９を形成してもよい。

【００２３】（図３Ｅ）切り溝１６よりも幅の小さい
（すなわち、第１のダイシングソー１４よりも厚さの薄
い）、第２の切断手段である第２のダイシングソー１５
を用いて、切り溝１６のほぼ中央部で、ウェーハ２及び
モールド樹脂層２０を縦方向に切断して、個別の半導体
装置に分離する。第２のダイシングソー１５の構成とし
ては、第１のダイシングソー１４と同様、例えば、高速
回転するスピンドルの先端に取り付けられ、ダイヤモン
ド微粒を貼り付けた薄い円形刃である。

【００２４】以上のようにして、図１に示す、半導体装
置１１が得られる。ウェーハ２上に複数形成された半導
体集積回路の微細な電極面３は、実装基板への実装時に
電極端子間のショートを防いで信頼性を高めるため、ビ
ア６や配線層７を介して、ピッチがより拡大されたビア
ポスト８として再配列（再配線）されている。ビアポス
ト８とモールド樹脂層２０は、この半導体装置１が実装
基板に実装された状態で、シリコンで構成されるウェー
ハ２とガラスエポキシ等で構成される実装基板との熱膨
張係数の差で生じる応力を緩和する役割を果たす。ビア
ポスト８の先端にははんだボール９が形成され、半導体
装置１の外部電極端子として機能し、実装基板への実装
を安定化させ、より信頼性の高いものとする。

【００２５】更に、本実施の形態では、ウェーハ状態か
らの切断面である側面では、保護膜４、絶縁層５、モー
ルド樹脂層２０の各境界部が外部に露出せず、モールド
樹脂層２０の、切り溝１６に埋め込まれてウェーハ２ま
で延在する部分２０ａで保護されている。従って、側面
側からの水分の侵入を防いで、基板実装時の熱衝撃によ
るクラックの発生や、実装後の水分侵入による電極面３
や配線層７などの腐食を防いで信頼性を高めることがで
きる。

【００２６】また、モールド樹脂層２０とウェーハ２と
の界面は、その断面形状が屈曲したＬ字形状をしている
ため、モールド樹脂層２０とウェーハ２との界面に側面
側から水分が侵入したとしても内部まで届きにくく、更
に、界面伝いに電極面３や配線層７まで水分が進む距離
も従来に比べて長くなるため、内部の半導体集積回路に
ダメージが及びにくい。

【００２７】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。なお、上記第１の実施の形態と同じ構成部分
には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。

【００２８】第１の実施の形態と同様な、図２Ａ、Ｂ、
Ｃの工程を経て、図４Ａに示す状態となる。この後、本
実施の形態では、ウェーハ２の裏面（回路形成面と反対
側の面）を、図４Ｂに示すように、切り溝１６の底部に
達するまで研削する。この裏面研削は、例えばＣＭＰ
（Chemical Mechanical Polishing ）法にて行う。

【００２９】この後、第１の実施の形態と同様に、モー
ルド樹脂層２０から露出している各ビアポスト８の端面
に、はんだボール９を形成し、次いで、切り溝１６の幅
よりも刃幅の小さい第２のダイシングソー１５を用い
て、切り溝１６のほぼ中央部で、モールド樹脂層２０を
縦方向に切断して、個別の半導体装置に分離する。

【００３０】以上のようにして、図６に示す、第２の実
施の形態による半導体装置２１が得られる。この半導体
装置２１では、ウェーハ２の側面全てが、モールド樹脂
層２０の、切り溝１６へ埋め込まれた部分２０ａで覆わ
れているため、水分の侵入を防止するだけでなく、機械
的強度も高めて、側面の保護をより強化することができ
る。その他、第１の実施の形態と同様な作用効果が得ら
れる。

【００３１】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。なお、上記各実施の形態と同じ構成部分には
同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。

【００３２】本実施の形態では、図４Ｂに示す裏面研削
までは、第２の実施の形態と同じである。この後、図５
Ｃに示すように、ウェーハ２の裏面に裏面保護用樹脂層
１２（例えばエポキシ樹脂）を、例えば金型を用いて形
成する。

【００３３】次いで、図５Ｄに示すように、モールド樹
脂層２０から露出している各ビアポスト８の端面に、は
んだボール９を形成し、更に、切り溝１６の幅よりも刃
幅の小さい第２のダイシングソー１５を用いて、切り溝
１６のほぼ中央部で、モールド樹脂層２０と裏面保護用
樹脂層１２を縦方向に切断して、個別の半導体装置に分
離する。

【００３４】以上のようにして、図７に示す、第３の実
施の形態による半導体装置３１が得られる。この半導体
装置３１では、ウェーハ２を、モールド樹脂層２０及び
裏面保護用樹脂層１２で完全に保護することができる。
また、各チップに分割してから、分割された各チップご
とにモールディングを施すのではなく、ウェーハ状態で
一括して樹脂によるウェーハ２の保護が行え、切断した
時点では既に各チップ（ウェーハ２）は樹脂で覆われた
構造となっているので、工程の簡略化、効率化が図れ
る。その他、第１の実施の形態と同様な作用効果が得ら
れる。

【００３５】更に、上記第２、第３の実施の形態では、
第２のダイシングソー１５を用いた切断の際には、樹脂
の部分のみを切断するので切断を容易に行え、ダイシン
グソー１５の破損を防げ、また、切断の影響でウェーハ
２にストレス、亀裂等のダメージが入ることも防げる。

【００３６】次に、本発明の第４の実施の形態について
説明する。なお、上記各実施の形態と同じ構成部分には
同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。

【００３７】本実施の形態では、第１のダイシングソー
１４を用いた切り溝形成の際に（ハーフカットの際）
に、図８に示すように、小径部３５ａと大径部３５ｂと
からなる段付き形状の切り溝３５を形成する。このよう
な切り溝３５は、第１のダイシングソー１４の刃先を凸
形状にすれば容易に実現できる。あるいは、小径部３５
ａと、大径部３５ｂとを、それぞれ刃幅の異なる２つの
ダイシングソーで別々に形成してもよい。なお、小径部
３５の幅（内径）と、フルカット用の第２のダイシング
ソー１５の刃幅との関係は、小径部３５の幅（内径）＞
第２のダイシングソー１５の刃幅、とする。

【００３８】この後、図９に示すように、第２のダイシ
ングソー１５を用いて、小径部３５ａのほぼ中央部で、
ウェーハ２及びモールド樹脂層３０を縦方向に切断し
て、個別の半導体装置に分離する。すなわち、切り溝３
５を埋めるモールド樹脂層３０の凸状部分のほぼ中心で
切断する。以上のようにして、図１０に示す、第４の実
施の形態による半導体装置４１が得られる。

【００３９】本実施の形態によれば、切断面、すなわち
半導体装置４１の側面では、モールド樹脂層３０がウェ
ーハ２の内側で段部３６を形成している。すなわち、モ
ールド樹脂層３０とウェーハ２との界面に段部３６が形
成されている。このため、モールド樹脂層３０とウェー
ハ２との界面に側面側から水分が侵入したとしても内部
まで届きにくく、更に、界面伝いに電極面３や配線層７
まで水分が進む距離も長いため、内部の半導体集積回路
にダメージが及びにくい。その他、第１の実施の形態と
同様な作用効果が得られる。

【００４０】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、
本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能であ
る。

【００４１】第２のダイシングソー１５の刃先の断面形
状は矩形に限らず、台形状であってもよい。このような
ダイシングソーを用いて切断すると、切断面、すなわち
各半導体装置１１、２１、３１、４１の側面がストレー
ト形状ではなく、傾斜した形状となるが、上述した作用
効果には何ら影響はない。

【００４２】また、上記実施の形態で示した各構成部材
の具体的な材質は一例であって、上記実施の形態で示し
たものに限られるものではない。

【００４３】

【発明の効果】本発明の半導体装置は、ウェーハ状態か
ら切り出される際の切断面である側面において、樹脂層
が、絶縁層と保護膜を覆って半導体ウェーハにまで延び
ている。このような構成のため、側面において、保護
膜、絶縁層、樹脂層の各境界部が外部に露出せず、これ
ら境界部からの水分の侵入を防ぐことができ、基板実装
時の熱衝撃によるクラックの発生や、実装後の水分侵入
による電極面や配線層の腐食などを防いで品質に優れた
半導体装置を提供することができる。

【００４４】本発明の半導体装置の製造方法では、個別
の半導体装置に分離するダイシング位置に、第１の切断
手段で、表面側から、半導体ウェーハ表面に形成される
保護膜よりも深い位置まで切り溝を形成した後、切り溝
を埋めるように樹脂層を形成し、切り溝の幅よりも刃幅
が小さい第２の切断手段を用いて、切り溝の位置で樹脂
層及びウェーハを切断することによって、その切断面で
ある側面において、樹脂層が、絶縁層と保護膜を覆って
半導体ウェーハにまで延びている構造が得られる。この
ような構成のため、側面において、保護膜、絶縁層、樹
脂層の各境界部が外部に露出せず、これら境界部からの
水分の侵入を防ぐことができ、基板実装時の熱衝撃によ
るクラックの発生や、実装後の水分侵入による電極面や
配線層の腐食などを防いで品質に優れた半導体装置を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
断面図である。

【図２】同第１の実施の形態による半導体装置の製造工
程断面図であり、Ａは再配線・ビアポスト形成工程を示
し、Ｂはハーフカット工程（切り溝形成工程）を示し、
Ｃは樹脂封止工程を示す。

【図３】図２に続く製造工程断面図であり、Ｄははんだ
ボール搭載工程を示し、Ｅは分離工程を示す。

【図４】本発明の第２及び第３の実施の形態による半導
体装置の製造工程断面図であり、Ａは樹脂封止工程を示
し、Ｂは裏面研削工程を示す。

【図５】図４に続いて行われる、第３の実施の形態によ
る半導体装置の製造工程断面図であり、Ｃは裏面への樹
脂封止工程を示し、Ｄは分離工程を示す。

【図６】第２の実施の形態による半導体装置の断面図で
ある。

【図７】第３の実施の形態による半導体装置の断面図で
ある。

【図８】第４の実施の形態による半導体装置の製造工程
断面図である。

【図９】図８に続く製造工程断面図である。

【図１０】第４の実施の形態による半導体装置の断面図
である。

【図１１】従来例の半導体装置の断面図である。

【図１２】同従来例の半導体装置の製造工程断面図であ
り、Ａは再配線・ビアポスト形成工程を示し、Ｂは樹脂
封止工程を示す。

【図１３】図１２に続く製造工程断面図であり、Ａはは
んだボール搭載工程を示し、Ｂは分離工程を示す。

【図１４】他従来例の半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

２……シリコンウェーハ、３……電極面、４……保護
膜、５……絶縁層、７……配線層、８……ビアポスト、
９……はんだボール、１２……裏面保護用樹脂層、１４
……第１のダイシングソー、１５……第２のダイシング
ソー、１６……切り溝、２０、２０ａ……モールド樹
脂、２１……半導体装置、３０……モールド樹脂層、３
１……半導体装置、３５……切り溝、３５ａ……小径
部、３５ｂ……大径部、３６……段部、４１……半導体
装置。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に半導体集積回路が形成された半導
   体ウェーハに、前記半導体集積回路を保護する保護膜
   と、該保護膜の上に形成される絶縁層と、該絶縁層の上
   に形成され前記半導体集積回路と接続される配線層と、
   該配線層に接続するボール状電極端子と、前記配線層を
   覆う樹脂層とが形成された状態で、切断手段により切断
   されて個別に分離され、前記切断手段で切断された切断
   面が側面となる半導体装置において、 前記側面では、前記樹脂層が、前記絶縁層と前記保護膜
   とを覆って前記半導体ウェーハにまで延びていることを
   特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記樹脂層は、前記半導体ウェーハの側
   面の全てを覆っていることを特徴とする請求項１に記載
   の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記半導体ウェーハの裏面が、裏面保護
   用樹脂層で覆われていることを特徴とする請求項２に記
   載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記半導体ウェーハと前記樹脂層との界
   面に段部が形成されていることを特徴とする請求項１に
   記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 半導体ウェーハの表面に半導体集積回路
   を形成する工程と、 前記半導体集積回路の上に保護膜を形成する工程と、 前記保護膜の上に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の上に、前記半導体集積回路と接続する配線
   層を形成する工程と、 個別の半導体装置に分離するダイシング位置に、第１の
   切断手段で、前記表面側から、前記保護膜よりも深い位
   置まで切り溝を形成する工程と、 前記切り溝を埋め、且つ前記配線層を覆う樹脂層を形成
   する工程と、 前記配線層に接続するボール状電極端子を形成する工程
   と、 前記切り溝の幅よりも刃幅が小さい第２の切断手段を用
   いて、前記切り溝の位置で個別の半導体装置に分離する
   ダイシング工程と、を有することを特徴とする半導体装
   置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記樹脂層の形成後、前記半導体ウェー
   ハの裏面側から前記切り溝まで前記半導体ウェーハを裏
   面研削する工程を有することを特徴とする請求項５に記
   載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記半導体ウェーハの前記裏面研削後、
   前記半導体ウェーハの裏面に裏面保護用樹脂層を形成す
   る工程を有し、 前記第２の切断手段を用いたダイシングの際には、前記
   裏面保護用樹脂層も切断することを特徴とする請求項６
   に記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記切り溝を、大径部とこれより内径の
   小さい小径部とからなる段付き状に形成し、前記小径部
   の内径は前記第２の切断手段の幅より大きく、前記小径
   部の位置で前記第２の切断手段を用いたダイシングを行
   うことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造
   方法。