JP2010074003A - 研削装置およびウエーハ研削方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 abstract description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 84
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【課題】ウエーハの裏面における外周余剰領域を残存させて環状の補強部を形成する際に、補強部の内周端の形状が凹凸状にならないように研削できるようにする。
【解決手段】研削砥石3b,4bを備えた研削ホイール3c,4cの外周側面をツルーイングするツルーイング手段14を備え、研削ホイール3c,4cの外周側面をツルーイング手段14によって適宜ツルーイングすることで、研削ホイール3c,4cの外周側面を真円状態に維持できるようにした。
【選択図】図2
【解決手段】研削砥石3b,4bを備えた研削ホイール3c,4cの外周側面をツルーイングするツルーイング手段14を備え、研削ホイール3c,4cの外周側面をツルーイング手段14によって適宜ツルーイングすることで、研削ホイール3c,4cの外周側面を真円状態に維持できるようにした。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体デバイス等のデバイスが形成されたウエーハに環状の補強部を形成するよう所定の領域を研削する研削装置およびウエーハ研削方法に関するものである。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC,LSI等の半導体デバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することにより、半導体デバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイア基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも、ストリートに沿って切断することにより、個々の発光ダイオード、レーザダイオード等の光デバイスに分割され、電子機器に広く利用されている。
上述したように分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に裏面を研削またはエッチングによって所定の厚さに形成される。ここに、近年にあっては、電子機器の小型・軽量化を達成するためにウエーハの厚さを50μm以下に形成することが要求されている。
ところが、ウエーハの厚さを単純に50μm以下に薄型化すると、破損しやすくなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になる等の不具合が発生する。
このようなことから、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域を残存させて環状の補強部を形成することにより、薄くなったウエーハの搬送等の取り扱いを容易にしたウエーハ加工方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1のウエーハ加工方法によれば、ウエーハの厚さを50μm以下に形成しても破損しにくく、搬送等の取り扱いが容易となる。しかしながら、研削砥石を備えた研削ホイールによる研削処理が経時的に繰り返されると、外周余剰領域を残存させるようにウエーハを研削した際に、環状の補強部の内周端の形状が凹凸になってしまうという不具合がある。
このような凹凸が生ずると、研削後のエッチング工程においてエッチング液が凹凸に従いムラのある状態で環状の補強部の内周端を流れることとなり、溝ができてしまう。この結果、環状の補強部の強度の均一性が損なわれ、ウエーハの搬送等に支障をきたす場合がある。また、環状の補強部の上面にもでこぼこが生じてしまう。これは、エッチング液をスピンコートする際に、残存した凹凸によって液が環状の補強部の上面に均一に360度広がらないためである。例えば、凸部が存在した場合、その凸部によってエッチング液の半径方向の広がりが妨げられ、凸部の影となる外方にエッチング液がかからない筋が生ずる。この結果、環状の補強部の上面がでこぼこになってしまい、環状の補強部に作用して搬送を行う機構などが使用できなくなってしまう場合がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域を残存させて環状の補強部を形成する際に、補強部の内周端の形状が凹凸状にならないように研削することができる研削装置およびウエーハ研削方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる研削装置は、表面に複数のデバイスが形成された円形状のデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハを、裏面が露出する状態に保持する平坦な保持面を有する保持手段と、前記保持面に対向して配設され、該保持面に略直交する方向に延びる回転軸を有し、該回転軸に着脱自在に装着される研削砥石を備えた研削ホイールによって前記保持面に保持された前記ウエーハにおける前記デバイス形成領域に対応する裏面を研削する研削手段と、を具備する研削装置であって、前記研削砥石を備えた前記研削ホイールの外周側面をツルーイングするツルーイング手段を備えることを特徴とする。
また、本発明にかかる研削装置は、上記発明において、前記保持手段を前記研削手段に対して相対移動させる移動手段を備え、前記ツルーイング手段は、前記保持手段とともに該移動手段上に配設されていることを特徴とする。
また、本発明にかかるウエーハ研削方法は、表面に複数のデバイスが形成された円形状のデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハを、裏面が露出する状態に保持する平坦な保持面を有する保持手段と、前記保持面に対向して配設され、該保持面に略直交する方向に延びる回転軸を有し、該回転軸に着脱自在に装着される研削砥石を備えた研削ホイールによって前記保持面に保持された前記ウエーハにおける前記デバイス形成領域に対応する裏面を研削する研削手段と、を具備する研削装置によるウエーハ研削方法であって、前記研削手段に装着された、前記研削砥石を備えた前記研削ホイールの外周側面をツルーイングするツルーイング工程と、前記保持面に保持された前記ウエーハを、前記研削砥石を備えた前記研削ホイールで研削する研削工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、研削砥石を備えた研削ホイールの外周側面をツルーイングするツルーイング手段を備えるので、研削砥石を備えた研削ホイールの外周側面を適宜ツルーイングすることで、研削砥石を備えた研削ホイールの外周側面を真円状態に維持することができ、よって、研削により環状の補強部を形成する際に、補強部の内周端の形状が凹凸状にならないように研削することができるという効果を奏する。
以下、本発明を実施するための最良の形態である研削装置およびウエーハ検索方法について図面を参照して説明する。本発明は、実施の形態や変形例に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。
図1は、本実施の形態にかかる研削装置の構成例を示す斜視図であり、図2(a)(b)は、ツルーイング時と研削時とを示す要部の概略平面図である。本実施の形態の研削装置1は、後述するようにウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域を残存させて環状の補強部を形成するためのものである。本実施の形態の研削装置1は、例えば、ハウジング2と、2つの研削手段3,4と、移動手段5上に設置された例えば3つの保持手段6a〜6cと、カセット7,8と、位置合わせ手段9と、搬入手段10と、搬出手段11と、洗浄手段12と、搬出入手段13と、ツルーイング手段14とを主に備えている。
研削手段3は、保持手段6bの保持面6sに直交する回転軸3aの下端に着脱自在に装着された研削砥石3bを有する研削ホイール3cをモータ3dによって回転させながら保持面6sに保持されたウエーハWの裏面(上面)に押圧することによって、ウエーハWの裏面に対して後述するように所定の研削加工を施すためのものである。研削手段4も同様に、保持手段6cの保持面6sに直交する回転軸4aの下端に着脱自在に装着された研削砥石4bを有する研削ホイール4cをモータ4dによって回転させながら保持面6sに保持されたウエーハWの裏面に押圧することによって、ウエーハWの裏面に対して後述するように所定の研削加工を施すためのものである。これらの研削に際しては、加工点を冷却し加工屑を排出させるために研削水が使用される。
移動手段5は、ハウジング2の上面に設けられた円盤状のターンテーブルであり、水平面内で回転可能に設けられ、適宜タイミングで回転駆動される。この移動手段5上には、例えば3つの保持手段6a〜6cが、例えば120度の位相角で等間隔に配設されている。これら保持手段6a〜6cは、上面に真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものであり、平坦に形成された保持面6sに載置されたウエーハWを真空吸着して保持する。これら保持手段6a〜6cは、研削加工時には、回転駆動機構によって水平面内で回転駆動される。このような保持手段6a〜6cは、移動手段5の回転によって、研削手段3,4に対して相対移動される。
カセット7,8は、複数のスロットを有するウエーハ用の収容器である。一方のカセット7は、研削加工前のウエーハWを収容し、他方のカセット8は、研磨加工後のウエーハWを収容する。なお、ウエーハWとしては、例えばシリコンウエーハ等の半導体ウエーハや、サファイア基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハ、さらには、μmオーダの精度が要求される各種加工材料を用い得る。また、位置合わせ手段9は、カセット7から取り出されたウエーハWが仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。
また、搬入手段10は、吸着パッドを有して水平面内で回転駆動される搬送アームからなり、位置合わせ手段9で位置合わせされた研削加工前のウエーハWを吸着保持して搬入搬出位置に位置する保持手段6a上に搬入する。搬出手段11は、吸着パッドを有して水平面内で回転駆動される搬送アームからなり、搬入搬出位置に位置する保持手段6a上に保持された研削加工後のウエーハWを吸着保持して洗浄手段12に搬出する。
また、搬出入手段13は、例えばU字型ハンド13aを備えるロボットピックであり、U字型ハンド13aによってウエーハWを吸着保持して搬送する。具体的には、搬出入手段13は、研削加工前のウエーハWをカセット7から位置合わせ手段9へ搬出するとともに、研削加工後のウエーハWを洗浄手段12からカセット8へ搬入する。洗浄手段12は、研削加工後のウエーハWを洗浄し、研削された加工面に付着している研削屑等のコンタミネーションを除去する。
ここで、研削手段3,4は、それぞれ昇降送り手段15,16により昇降送り可能に設けられ、研削砥石3b,4bを有する研削ホイール3c,4cを保持手段6b,6c上のウエーハWの上面に対して研削送り可能に構成されている。これらの昇降送り手段15,16は、ハウジング2の上面に設けられた可動ブロック17,18に搭載されている。可動ブロック17,18は、図2に示すように、研削ホイール3c,4cが保持手段6b,6c付近の位置で移動手段5の半径方向に進退移動するように、図示しない移動機構によってハウジング2に対して可動的に設けられている。すなわち、可動ブロック17,18の可動方向は、保持手段6b,6cの配置に対応させて120度の角度をなすように設定されている。
ツルーイング手段14は、ハウジング2の上面において保持手段6b,6cの近傍であって移動手段5外の位置に2つ設けられている。これらのツルーイング手段14は、研削砥石3b,4bの外周側面をツルーイングするためのものであり、研削砥石3b,4bの外周側面が接触可能な高さ位置にツルーイング工具14aを回転自在に有する。ツルーイング工具14aは、例えばアルミナセラミックからなるが、この他、#40〜#100辺りの砥石であってもよい。ここで、ツルーイング手段14は、可動ブロック17,18による研削ホイール3c,4cの進退移動方向に一致させて移動手段5外の位置に配置され、研削ホイール3c,4cを進退移動させることで、ツルーイング工具14aに対して研削砥石3b,4bの外周側面が接離自在とされている。
なお、ツルーイング工具14aと研削砥石3b,4bの外周側面との接触時に、接触状態が適正となるように可動ブロック17,18の移動量を制御するために、その接触状態を検出するための図示しない接触検知センサを備えている。この接触検知センサは、通電式、圧電センサ式、歪ゲージ式等のセンサが用いられる。
つづいて、図2(b)に示すように、研削ホイール3c,4cがツルーイング手段14から離間し、保持手段6b,6c上に位置する研削工程時の研削加工について図3〜図6を参照して説明する。図3は、ウエーハおよび保護テープを示す斜視図であり、図4は、ウエーハの表面に保護テープが貼着された状態を示す斜視図であり、図5は、研削砥石の回転軌跡およびウエーハとの位置関係を示す平面図的な説明図であり、図6は、リング状の補強部が形成されたウエーハを裏面側から見た斜視図である。
まず、本実施の形態で研削加工する対象であるウエーハについて説明する。図3に示すウエーハWの表面Waは、デバイス領域W1と外周余剰領域W2とを有する。デバイス領域W1には、ストリートSによって区画された複数のデバイスDが形成され、このデバイス領域W1の外周側には、デバイスDが形成されていない外周余剰領域W2が形成される。このデバイス領域W1は、外周余剰領域W2に囲繞されている。このウエーハWの表面Waは、ウエーハWの裏面Wbを凹状に研削するにあたり、図4に示すように、デバイスDを保護するために保護テープTが貼着される。
その後、ウエーハWの裏面Wbのうちのデバイス領域W1に対応する部分、すなわち、デバイス領域W1の裏側を研削して所望の厚さにする。この研削には、研削手段3,4が用いられる。ここでは、研削手段3の例で説明する。研削砥石3b(研削ホイール3c)は、その回転軌跡の最外周の直径がデバイス領域W1の半径より大きくデバイス領域W1の直径より小さく、かつ、回転軌跡の最内周の直径がデバイス領域W1の半径より小さくなるように形成されている。このため、ウエーハWの外径をD2とし、研削砥石3b(研削ホイール3c)の外径をD3としたとき、D3<D2なる関係を満たすように設定されている。
このとき、研削砥石3bを、ウエーハWの裏面Wbの回転中心を通過するとともに形成すべきリング状の補強部の内側(デバイス領域W1と外周余剰領域W2との境界部)に位置付けることで、研削砥石3bがウエーハWの裏面Wbの回転中心に常時接触するとともに外周余剰領域W2の裏面に接触しないように制御する。具体的には、図5に示すように、ウエーハWの回転中心Woが、常に研削砥石3bの回転軌跡の最外周3oよりも内側でかつ回転軌跡の内周3iよりも外側に位置するようにして、研削砥石3bを回転中心Woに常時接触させる。さらに、その回転軌跡の最外周3oが外周余剰領域W2の裏面側に接触しないように制御する。
このような制御によって、ウエーハWの裏面Wbのうちデバイス領域W1に相当する領域のみが研削され、図6に示すように、裏面Wbに凹部W3が形成され、外周余剰領域W2に相当する部分には、研削前と同様の厚さを有するリング状の補強部W4が残存する。
なお、このようなデバイス領域W1の厚さを所定の厚さに制御するため、保持手段6b付近には、高さ検出手段19が移動手段5外に位置させて設けられている。この高さ検出手段19は、インプロセスゲージによるもので、保持手段6bの平坦な保持面6sに接触してその高さを検出する第1の高さ検出センサ19aと、保持手段6bに保持されたウエーハWの裏面Wbのうちデバイス領域W1の所定位置に接触してその高さを検出する第2の高さ検出センサ19bとを有する触針式センサである。これにより、第1、第2の高さ検出センサ19a,19bによりそれぞれ検出された高さの差によってウエーハWのデバイス領域W1の厚さを検出する。保持手段6c側についても、同様に高さ検出手段19が設けられている。
そして、上記の研削前、あるいは研削砥石3b,4bを備えた研削ホイール3c,4cによる研削処理が経時的に繰り返された場合などの適宜タイミングで、図2(a)に示すように、ツルーイング手段14のツルーイング工具14aによって研削ホイール3c,4cの外周側面(研削砥石3bの回転軌跡の最外周3oに相当する)をツルーイングする。すなわち、可動ブロック17,18を移動手段5から退避する退避方向に移動させることで、研削ホイール3c,4cの外周側面をツルーイング工具14aに接触させ、この状態で、研削ホイール3c,4cをモータ3d,4dにより回転させる。この際、研削ホイール3c,4cの外周側面とツルーイング工具14aとの接触状態は、図示しない接触検知センサによって検知され、接触状態がツルーイング処理に適正となるように可動ブロック17,18の移動量が制御される。このようなツルーイング処理を施すことにより、研削ホイール3c,4cの外周側面は真円状態に維持される。
図7により、ツルーイング処理の効果について説明する。図7−1、図7−2は、図6に示すような研削処理後のウエーハWについて、A部を上方から撮影した電子顕微鏡写真である。図7−2は、ツルーイング処理なしの従来方式による場合のウエーハWの研削結果を示し、図7−1は、本実施の形態に従い、アルミナセラミックのツルーイング工具14aで研削ホイール3c,4cの外周側面をツルーイングした後のウエーハWの研削結果を示している。これらの写真から明らかなように、従来方式では環状の補強部W4の内周端の形状が凹凸になってしまう場合があるのに対して、本実施の形態によれば、補強部W4の内周端の形状が凹凸状にならないように滑らかに研削されていることが分かる。
よって、本実施の形態では、研削手段3,4に装着された、研削砥石3b,4bを備えた研削ホイール3c,4cの外周側面をツルーイング手段14によってツルーイングする図2(a)に示すようなツルーイング工程を研削前等の適宜タイミングで行って、保持手段6b,6cに保持されたウエーハWを、研削砥石3b,4bを備えた研削ホイール3c,4cで研削する図2(b)に示すような研削工程を行わせる。これにより、後のエッチング工程においてエッチング液がムラのある状態で環状の補強部W4の内周端を流れるようなことがなく、溝が生じないので、環状の補強部W4の強度の均一性を確保することができ、ウエーハWの搬送等に支障をきたすことはない。この際、研削ホイール3c,4c毎にツルーイング手段14が設けられているので、研削ホイール3c,4cの外周側面のツルーイング処理を同時に行うことができる。
(変形例1)
図8は、本実施の形態の変形例1にかかる研削装置の構成例を示す斜視図であり、図9(a)(b)は、ツルーイング時とツルーイングしていない時とを示す要部の概略平面図である。本変形例1では、ツルーイング手段14を1つとし、保持手段6a〜6cと同様に移動手段5上に搭載して設けたものである。ツルーイング手段14は、例えば保持手段6b,6cの中間であって、移動手段5における研削ホイール3c,4cを通る回転軌跡上の位置に配置されている。
図8は、本実施の形態の変形例1にかかる研削装置の構成例を示す斜視図であり、図9(a)(b)は、ツルーイング時とツルーイングしていない時とを示す要部の概略平面図である。本変形例1では、ツルーイング手段14を1つとし、保持手段6a〜6cと同様に移動手段5上に搭載して設けたものである。ツルーイング手段14は、例えば保持手段6b,6cの中間であって、移動手段5における研削ホイール3c,4cを通る回転軌跡上の位置に配置されている。
このような構成において、研削工程時には、研削ホイール3c,4cに対応する位置にウエーハWを保持した保持手段6b,6cが位置するように移動手段5の停止位置を設定する。これにより、前述したような研削処理が実行される。この際、図9(b)に示すツルーイングしていない時と同様に、ツルーイング手段14は、保持手段6b,6cの中間に位置し、研削ホイール3c,4cから離間しているので、研削処理には支障ない。
そして、例えば研削ホイール3cに関してツルーイングを行う場合について説明する。この場合、図9(a)に示すように、移動手段5を回転させることで、ツルーイング手段14のツルーイング工具14aを研削ホイール3cに接触する位置まで移動させる。この状態で、研削ホイール3cをモータ3dにより回転させる。この際、研削ホイール3cの外周側面とツルーイング工具14aとの接触状態は、図示しない接触検知センサによって検知され、接触状態がツルーイング処理に適正となるように移動手段5の回転移動量が制御される。研削ホイール4cのツルーイングの場合には、移動手段5を逆方向に回転移動させればよい。このようなツルーイング処理を施すことにより、研削ホイール3c,4cの外周側面は真円状態に維持される。
本変形例1によれば、ツルーイング手段14を移動手段5上に搭載させることで、1つのツルーイング手段14を複数の研削ホイール3c,4cに兼用させることができる。
(変形例2)
図10は、本実施の形態の変形例2にかかるツルーイング手段の構成を示す斜視図であり、図11は、そのツルーイング工程時を示す要部の斜視図である。本変形例2は、上面の中心にツルーイング工具20aが設けられた円板状のツルーイング手段20を用いるようにしたものである。このツルーイング手段20は、例えばウエーハWと同等の大きさで、保持手段6b,6c上に吸着保持されるように形成されている。
図10は、本実施の形態の変形例2にかかるツルーイング手段の構成を示す斜視図であり、図11は、そのツルーイング工程時を示す要部の斜視図である。本変形例2は、上面の中心にツルーイング工具20aが設けられた円板状のツルーイング手段20を用いるようにしたものである。このツルーイング手段20は、例えばウエーハWと同等の大きさで、保持手段6b,6c上に吸着保持されるように形成されている。
よって、例えば研削ホイール4cのツルーイングを要する場合には、ウエーハWに代えて、図11に示すように、保持手段6c上にツルーイング手段20を吸着保持させる。そして、研削ホイール4cの外周側面がツルーイング工具20aの外周面に接触する状態とし、研削ホイール4cとツルーイング工具20a(保持手段6c)との両方または一方を回転駆動させることで、研削ホイール4cの外周側面のツルーイング処理を行う。研削ホイール3cの場合であれば、保持手段6b上にツルーイング手段20を吸着保持させればよい。
本変形例2によれば、ウエーハWと同様に保持手段6b,6c上に吸着保持可能なツルーイング手段20を用いることで、ツルーイング時には、ツルーイング手段20を保持手段6b,6c上に保持させればよく、研削装置1としては改造の必要なくツルーイング処理を実現することができる。
(変形例3)
図12(a)(b)は、本実施の形態の変形例3にかかるツルーイング前後のツルーイング手段の構成を示す斜視図である。本変形例3は、単純に円板状に形成されて研削ホイール3c,4cにより研削穿孔可能な使い捨てタイプのツルーイング手段21を用いるようにしたものである。このツルーイング手段21は、例えばウエーハWと同等の大きさで、保持手段6b,6c上に吸着保持されるように形成されている。
図12(a)(b)は、本実施の形態の変形例3にかかるツルーイング前後のツルーイング手段の構成を示す斜視図である。本変形例3は、単純に円板状に形成されて研削ホイール3c,4cにより研削穿孔可能な使い捨てタイプのツルーイング手段21を用いるようにしたものである。このツルーイング手段21は、例えばウエーハWと同等の大きさで、保持手段6b,6c上に吸着保持されるように形成されている。
よって、例えば研削ホイール3cのツルーイングを要する場合には、ウエーハWに代えて、保持手段6b上にツルーイング手段21を吸着保持させる。そして、研削ホイール3cをモータ3dで回転させながら昇降送り手段15によってツルーイング手段21に向けて下降させる。研削ホイール3cがツルーイング手段21の表面に接触した後も、さらに研削ホイール3cの下降送りを行い、回転している研削ホイール3cによってツルーイング手段21を研削加工することで、図12(b)に示すように、ツルーイング手段21の一部に研削ホイール3c対応の穿孔21aを形成する。このような穿孔21aを形成する研削処理により、研削ホイール3cの外周側面がツルーイング処理され、研削ホイール3cの外周側面は真円状態に維持される。研削ホイール4cの場合であれば、保持手段6c上にツルーイング手段21を吸着保持させればよい。
本変形例3によれば、ウエーハWと同様に保持手段6b,6c上に吸着保持可能なツルーイング手段21を用いることで、ツルーイング時には、ツルーイング手段21を保持手段6b,6c上に保持させればよく、研削装置1としては改造の必要なくツルーイング処理を実現することができる。加えて、ツルーイング手段21の任意の位置に穿孔21aを形成するようにツルーイング処理を行わせればよいので、研削ホイール3c,4cとの間での位置合わせの必要もなく、簡単に実現できる。
1 研削装置
3,4 研削手段
3a,4a 回転軸
3b,4b 研削砥石
3c,4c 研削ホイール
5 移動手段
6a〜6c 保持手段
6s 保持面
14,20,21 ツルーイング手段
D デバイス
W ウエーハ
W1 デバイス領域
W2 外周余剰領域
W4 補強部
Wa 表面
Wb 裏面
3,4 研削手段
3a,4a 回転軸
3b,4b 研削砥石
3c,4c 研削ホイール
5 移動手段
6a〜6c 保持手段
6s 保持面
14,20,21 ツルーイング手段
D デバイス
W ウエーハ
W1 デバイス領域
W2 外周余剰領域
W4 補強部
Wa 表面
Wb 裏面
Claims (3)
- 表面に複数のデバイスが形成された円形状のデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハを、裏面が露出する状態に保持する平坦な保持面を有する保持手段と、前記保持面に対向して配設され、該保持面に略直交する方向に延びる回転軸を有し、該回転軸に着脱自在に装着される研削砥石を備えた研削ホイールによって前記保持面に保持された前記ウエーハにおける前記デバイス形成領域に対応する裏面を研削する研削手段と、を具備する研削装置であって、
前記研削砥石を備えた前記研削ホイールの外周側面をツルーイングするツルーイング手段を備えることを特徴とする研削装置。 - 前記保持手段を前記研削手段に対して相対移動させる移動手段を備え、前記ツルーイング手段は、前記保持手段とともに該移動手段上に配設されていることを特徴とする請求項1に記載の研削装置。
- 表面に複数のデバイスが形成された円形状のデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハを、裏面が露出する状態に保持する平坦な保持面を有する保持手段と、前記保持面に対向して配設され、該保持面に略直交する方向に延びる回転軸を有し、該回転軸に着脱自在に装着される研削砥石を備えた研削ホイールによって前記保持面に保持された前記ウエーハにおける前記デバイス形成領域に対応する裏面を研削する研削手段と、を具備する研削装置によるウエーハ研削方法であって、
前記研削手段に装着された、前記研削砥石を備えた前記研削ホイールの外周側面をツルーイングするツルーイング工程と、
前記保持面に保持された前記ウエーハを、前記研削砥石を備えた前記研削ホイールで研削する研削工程と、
を含むことを特徴とするウエーハ研削方法。
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---|---|---|---|
JP2008241608A JP2010074003A (ja) | 2008-09-19 | 2008-09-19 | 研削装置およびウエーハ研削方法 |
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-
2008
- 2008-09-19 JP JP2008241608A patent/JP2010074003A/ja active Pending
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