JP2022188089A - ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 66
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 37
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 24
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 178
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
[2] ウェーハをバックグラインディングによって所望の厚さに加工するウェーハの薄化方法であって、上記ウェーハ外周のエッジ部を面取り部として加工し、上記面取り部の上部を上記ウェーハの上面から薄化する目的厚さ(T)まで上記ウェーハの外周から内周に向かって水平に除去し、外周から除去される取り代長さをL、面取り部の水平に対する角度φ、余裕代α、として、L=T/tanφ+αとなる形状に加工し、上記角度φを上記ウェーハの搬送カセットの内面と、上記エッジ部の角部とが点接触とならないように決定することを特徴とするウェーハの薄化方法。
[3] ウェーハをバックグラインディングによって所望の厚さに加工するウェーハの薄化装置において、上記ウェーハ外周のエッジ部を面取り部として加工する面取り装置と、上記バックグラインディングの加工前に予め面取り加工された上記面取り部の上部を目的厚さ(T)まで上記ウェーハの外周から内周に向かって水平に切り込んで除去する砥石と、を備え、除去される取り代長さをL、余裕代α、上記ウェーハの搬送カセットの内面で上記ウェーハの外周部と接触する部分の角度をφとして、L=T/tanφ+αとなる形状に加工する際に、上記加工後に、上記ウェーハの最外周部を研磨する研磨テープと、上記エッジ部の角部とが点接触とならないように上記角度φを決定することを特徴とするウェーハの薄化装置。
[4] ウェーハをバックグラインディングによって所望の厚さに加工するウェーハの薄化装置において、上記ウェーハ外周のエッジ部を面取り部として加工する面取り装置と、上記バックグラインディングの加工前に予め面取り加工された上記面取り部の上部を目的厚さ(T)まで上記ウェーハの外周から内周に向かって水平に切り込んで除去する砥石と、を備え、除去される取り代長さをL、余裕代α、上記ウェーハの搬送カセットの内面で上記ウェーハの外周部と接触する部分の角度をφとして、L=T/tanφ+αとなる形状に加工し、上記角度φを上記ウェーハの搬送カセットの内面と、上記エッジ部の角部とが点接触とならないように決定することを特徴とするウェーハの薄化装置。
[5] バックグラインディングによって所望の厚さに薄化されるウェーハにおいて、上記ウェーハ外周のエッジ部が面取り部として加工され、上記面取り部の上部は上記ウェーハの上面から薄化する目的厚さ(T)まで上記ウェーハの外周から内周に向かって水平に除去され、外周から除去される取り代長さをL、面取り部の水平に対する角度φ、余裕代α、として、L=T/tanφ+αとなる形状に加工され、上記角度φは、上記ウェーハの外周部を研磨する研磨テープと、上記エッジ部の角部とが点接触とならないように決定されたことを特徴とするウェーハ。
[6] バックグラインディングによって所望の厚さに薄化されるウェーハにおいて、上記ウェーハ外周のエッジ部が面取り部として加工され、上記面取り部の上部は上記ウェーハの上面から薄化する目的厚さ(T)まで上記ウェーハの外周から内周に向かって水平に除去され、外周から除去される取り代長さをL、面取り部の水平に対する角度φ、余裕代α、として、L=T/tanφ+αとなる形状に加工され、上記角度φは、上記ウェーハの搬送カセットの内面と、上記エッジ部の角部とが点接触とならないように決定されたことを特徴とするウェーハ。
L=T/tanφ+αとなる形状に加工する。
Tは、使用するウェーハWの目的厚さ、φは搬送カセット等の保持具、又は研磨テープとの接触角と略等しくされた面取り角度として、バックグラインディング前に加工することで、ウェーハW端面に生じうるダメージを回避することができる。
Claims (6)
- ウェーハをバックグラインディングによって所望の厚さに加工するウェーハの薄化方法であって、
前記ウェーハ外周のエッジ部を面取り部として加工し、
前記面取り部の上部を前記ウェーハの上面から薄化する目的厚さ(T)まで前記ウェーハの外周から内周に向かって水平に除去し、
外周から除去される取り代長さをL、面取り部の水平に対する角度φ、余裕代α、として、L=T/tanφ+αとなる形状に加工する際に、
前記加工後に、前記ウェーハの最外周部を研磨する研磨テープと、前記エッジ部の角部とが点接触とならないように前記角度φを決定することを特徴とするウェーハの薄化方法。 - ウェーハをバックグラインディングによって所望の厚さに加工するウェーハの薄化方法であって、
前記ウェーハ外周のエッジ部を面取り部として加工し、
前記面取り部の上部を前記ウェーハの上面から薄化する目的厚さ(T)まで前記ウェーハの外周から内周に向かって水平に除去し、
外周から除去される取り代長さをL、面取り部の水平に対する角度φ、余裕代α、として、L=T/tanφ+αとなる形状に加工し、
前記角度φを前記ウェーハの搬送カセットの内面と、前記エッジ部の角部とが点接触とならないように決定することを特徴とするウェーハの薄化方法。 - ウェーハをバックグラインディングによって所望の厚さに加工するウェーハの薄化装置において、
前記ウェーハ外周のエッジ部を面取り部として加工する面取り装置と、
前記バックグラインディングの加工前に予め面取り加工された前記面取り部の上部を目的厚さ(T)まで前記ウェーハの外周から内周に向かって水平に切り込んで除去する砥石と、
を備え、除去される取り代長さをL、余裕代α、前記ウェーハの搬送カセットの内面で前記ウェーハの外周部と接触する部分の角度をφとして、L=T/tanφ+αとなる形状に加工する際に、
前記加工後に、前記ウェーハの最外周部を研磨する研磨テープと、前記エッジ部の角部とが点接触とならないように前記角度φを決定することを特徴とするウェーハの薄化装置。 - ウェーハをバックグラインディングによって所望の厚さに加工するウェーハの薄化装置において、
前記ウェーハ外周のエッジ部を面取り部として加工する面取り装置と、
前記バックグラインディングの加工前に予め面取り加工された前記面取り部の上部を目的厚さ(T)まで前記ウェーハの外周から内周に向かって水平に切り込んで除去する砥石と、を備え、
除去される取り代長さをL、余裕代α、前記ウェーハの搬送カセットの内面で前記ウェーハの外周部と接触する部分の角度をφとして、L=T/tanφ+αとなる形状に加工し、
前記角度φを前記ウェーハの搬送カセットの内面と、前記エッジ部の角部とが点接触とならないように決定することを特徴とするウェーハの薄化装置。 - バックグラインディングによって所望の厚さに薄化されるウェーハにおいて、
前記ウェーハ外周のエッジ部が面取り部として加工され、
前記面取り部の上部は前記ウェーハの上面から薄化する目的厚さ(T)まで前記ウェーハの外周から内周に向かって水平に除去され、
外周から除去される取り代長さをL、面取り部の水平に対する角度φ、余裕代α、として、L=T/tanφ+αとなる形状に加工され、
前記角度φは、前記ウェーハの外周部を研磨する研磨テープと、前記エッジ部の角部とが点接触とならないように決定されたことを特徴とするウェーハ。 - バックグラインディングによって所望の厚さに薄化されるウェーハにおいて、
前記ウェーハ外周のエッジ部が面取り部として加工され、
前記面取り部の上部は前記ウェーハの上面から薄化する目的厚さ(T)まで前記ウェーハの外周から内周に向かって水平に除去され、
外周から除去される取り代長さをL、面取り部の水平に対する角度φ、余裕代α、として、L=T/tanφ+αとなる形状に加工され、
前記角度φは、前記ウェーハの搬送カセットの内面と、前記エッジ部の角部とが点接触とならないように決定されたことを特徴とするウェーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022148244A JP7419467B2 (ja) | 2017-03-29 | 2022-09-16 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017064473A JP6896476B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
JP2021094295A JP7147011B2 (ja) | 2017-03-29 | 2021-06-04 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
JP2022148244A JP7419467B2 (ja) | 2017-03-29 | 2022-09-16 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021094295A Division JP7147011B2 (ja) | 2017-03-29 | 2021-06-04 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022188089A true JP2022188089A (ja) | 2022-12-20 |
JP7419467B2 JP7419467B2 (ja) | 2024-01-22 |
Family
ID=64018955
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017064473A Active JP6896476B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
JP2021094295A Active JP7147011B2 (ja) | 2017-03-29 | 2021-06-04 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
JP2022148244A Active JP7419467B2 (ja) | 2017-03-29 | 2022-09-16 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017064473A Active JP6896476B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
JP2021094295A Active JP7147011B2 (ja) | 2017-03-29 | 2021-06-04 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP6896476B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4378476A1 (en) | 2021-07-27 | 2024-06-05 | Toray Industries, Inc. | Medicament for treatment and/or prevention of cancer |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335521A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ外周部研削方法 |
JP2009119537A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2015135881A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270298A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 張り合わせ基板の製造方法 |
JP3949941B2 (ja) | 2001-11-26 | 2007-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
JP2005085946A (ja) | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Sanyo Electric Co Ltd | ウェハ搬送方法 |
JP2010023119A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 |
-
2017
- 2017-03-29 JP JP2017064473A patent/JP6896476B2/ja active Active
-
2021
- 2021-06-04 JP JP2021094295A patent/JP7147011B2/ja active Active
-
2022
- 2022-09-16 JP JP2022148244A patent/JP7419467B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335521A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ外周部研削方法 |
JP2009119537A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2015135881A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7419467B2 (ja) | 2024-01-22 |
JP2021122073A (ja) | 2021-08-26 |
JP6896476B2 (ja) | 2021-06-30 |
JP2018170313A (ja) | 2018-11-01 |
JP7147011B2 (ja) | 2022-10-04 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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