JP2009119537A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェハなどの基板の周縁部を効率良く研磨する。
【解決手段】基板１０を周方向に回転させつつ、基板１０の周縁部１１に、押圧パッド３１を備えた押圧機構３０により研磨部材４１を押し付けて研磨する基板処理方法であって、押圧パッド３１の少なくとも一部の、押出機構３０が押圧パッド３１を基板１０の周縁部１１に対して押し付ける軸方向に対する角度を、該角度を能動的に変位させるリニアアクチュエータ３３ａ，３３ｂなどを備えた角度変位機構により、周縁部１１の研磨対象面に応じて変化させて研磨する。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体ウェハなどの基板の周縁部を研磨するための基板処理方法及び基板処理装置に関する。

近年、半導体素子の微細化、半導体装置の高密度化に伴い、半導体ウェハ（基板）の周縁部（ベベル部及びエッジ部）に生じる表面荒れや、基板の周縁部（ベベル部及びエッジ部）に付着して汚染源となる膜を除去することが重要になってきている。

この種の技術としては、従来、研磨法、エッチング法、マイクロトーチを利用する方法など様々な方法が知られているが、なかでも、研磨法は、処理時間が短く、処理領域の制御性も比較的高いという特徴を有することから広く用いられている。この研磨法では、通常、基板を周方向に回転させながら、研磨テープなどの研磨部材を基板の周縁部の研磨対象面に押し付けて研磨する（例えば、特許文献1参照。）。

しかしながら、従来の研磨技術では、半導体ウェハ周縁部の広い領域に研磨部材を効果的かつ適正に押し付けて研磨することが困難であった。また、従来の研磨技術は、半導体ウェハのベベル部を研磨するものであり、ベベル部に続く表面が平坦な部分（エッジ部）を研磨するためには、ベベル部用研磨装置とは別にエッジ部用の研磨装置が必要であった。この場合、研磨機構、研磨プロセスが複雑化し、研磨効率が低下するのみならず、処理コストの上昇や歩留まりの低下を招くおそれがある。
特開２００６−３０３１１２号公報

本発明の目的は、半導体ウェハなどの基板の周縁部を効率良く研磨することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。

本発明の一態様によれば、基板を周方向に回転させつつ、前記基板の周縁部に、押圧パッドを備えた押圧機構により研磨部材を押し付けて研磨する基板処理方法であって、前記押圧パッドの少なくとも一部の、前記押出機構が前記押圧パッドを前記基板周縁部に対して押し付ける軸方向に対する角度を、該角度を能動的に変位させる角度変位機構により、前記周縁部の研磨対象面に応じて変化させて研磨することを特徴とする基板処理方法が提供される。

本発明の他の態様によれば、基板の周縁部を研磨する基板処理装置であって、前記基板を周方向に回転させつつ保持する基板保持機構と、前記基板の周縁部を研磨するために、前記基板の周縁部に研磨部材を押し付ける押圧パッドを備えた押圧機構とを具備してなり、前記押圧機構は、前記押圧パッドの少なくとも一部の、前記押圧機構が前記押圧パッドを前記基板周縁部に対して押し付ける軸方向に対する角度を能動的に変位させる角度変位機構を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。

本発明の一態様による基板処理方法及び他の態様による基板処理装置によれば、半導体ウェハなどの基板の周縁部を効率良く研磨することができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下では本発明の実施の形態を図面に基づいて説明するが、それらの図面は図解のために提供されるものであり、本発明はそれらの図面に何ら限定されるものではない。また、以下に説明する実施形態では、いずれも基板が半導体ウェハである場合を例に説明しているが、周縁部の研磨を必要とするものであれば、半導体ウェハに限らず種々の基板に広く適用できることはいうまでもない。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態について説明する。図１は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示した図であり、半導体ウェハの主面に平行な方向から見た図である。

この基板処理装置は、図２に示すような断面が多角形状の半導体ウェハの周縁部を研磨するためのものである。本明細書において、「ベベル部」は、図２に示す半導体ウェハにおいては、上側傾斜面Ｐ、下側傾斜面Ｑ及び端面Ｒからなる部分（符号Ｂで示す部分）をいい、また、「エッジ部」は、そのような「ベベル部」に続く半導体ウェハの表面及び裏面の平坦な部分（符号Ｅで示す部分）、つまり、上側平坦面Ｓ及び下側平坦面Ｔからなる部分をいう。なお、上側傾斜面Ｐ及び下側傾斜面Ｑ、あるいは、端面Ｒを含む「ベベル部」全体が、図示したような平面でなく曲面で形成されている場合であっても、本装置を用いてほぼ同様に研磨することが可能である。

図１に示すように、本実施形態の基板処理装置は、半導体ウェハ１０を保持する基板保持機構２０と、基板保持機構２０に保持された半導体ウェハ１０の周縁部１１を研磨するため、半導体ウェハ１０の周縁部１１に研磨テープ４１（研磨部材）を押し付ける押圧機構３０と、研磨テープ４１を押圧機構３０へ送り出し、かつ、押圧機構３０から回収する、研磨テープ供給リール及び研磨テープ回収リール（いずれも図示なし）を有する研磨テープ供給回収機構４０と、半導体ウェハ１０と研磨テープ４１が接触する部分に純水を供給するための純水供給ノズル５１を備えている。

基板保持機構２０は、半導体ウェハ１０を吸着して水平に保持する保持部２１と、この保持部を回転させるための回転軸２２を有している。保持部２１を回転軸２２を中心に回転させることにより、保持部２１に保持された半導体ウェハ１０を、回転軸２２を中心に回転させることができる。

押圧機構３０は、シリコーンゴム、天然ゴム、ウレタンゴム、ブチレンゴムなどの弾性材料で形成された、表面が半導体ウェハ１０の周縁部１１に対し研磨テープ４１を押し付けるための押圧面となる押圧パッド３１と、押圧パッド３１の背面に当接されたステンレス鋼などの金属や塩化ビニル樹脂などのプラスチックからなる押圧板３２と、押圧板３２を押圧パッド３１に向けて押圧する複数のリニアアクチュエータ３３を備えた押圧ヘッド３４と、リニアアクチュエータ３３の変位量を制御するコントローラ３５を有している。リニアアクチュエータ３３は、押圧板３２の横方向（半導体ウェハ１０の表面に平行な方向）両端部に対応する位置にそれぞれ１個ずつ、その変位量に応じて押圧板３２が横方向に湾曲するように設けられている。リニアアクチュエータ３３を駆動させ、押圧板３２を湾曲させることによって、研磨テープ４１の押圧面となる押圧パッド３１表面が押圧板３２と略同じ曲率で変形し、したがって、研磨テープ４１も押圧板３２とほぼ同じ曲率で変形し、半導体ウェハ１０の周縁部に押し付けられることになる。すなわち、リニアアクチュエータ３３は、研磨テープ４１を押圧する押圧パッド３１の少なくとも一部の、この押圧パッド３１を押圧機構３０（押圧ヘッド３４）が半導体ウェハ１０の周縁部１１に対して押し付ける軸方向に対する角度を変位させ、その全体の形状を研磨対象面と略同一形状に変化させる手段として機能する。なお、押圧板３２を横方向に所望の曲率で湾曲させることができれば、リニアアクチュエータ３３の数や配置位置などは特に限定されるものではない。また、リニアアクチュエータ３３に変えて後述する第３の実施形態で用いたような屈曲変位アクチュエータを用いることも可能である。

研磨テープ供給回収機構４０は、研磨テープ供給リール及び研磨テープ回収リールの他に、研磨テープ供給リールから送り出された研磨テープ４１を、押圧機構３０の押圧パッド３１表面に案内し、さらに押圧パッド３１表面から研磨テープ回収リールへと案内する一対のガイドローラ４４，４５を有している。

そして、これらの一対のガイドローラ４４，４５は、押圧機構３０の押圧パッド３１、押圧板３２、リニアアクチュエータ３３及び押圧ヘッド３４と一体に半導体ウェハ１０の周縁部１１に向けて進退し、かつ、半導体ウェハ１０の表面と垂直な方向（図１中、矢印Ａで示す方向）に旋回往復移動するようになっている。また、このとき、一対のガイドローラ４４，４５で定まる研磨テープ４１の研磨対象面との対向面が、押圧機構３０（押圧パッド３１）の軸方向、すなわち押圧パッド３１の押し付け方向に対し略垂直な関係を保持するように、押圧機構３０と研磨テープ供給回収機構４０とが移動する。

次に、上記構成の基板処理装置を用いた基板処理方法について記載する。
まず、図１に示すように、半導体ウェハ１０を基板保持機構２０の保持部２１に保持させ、例えば５００ｒｐｍで回転させる。この状態で、研磨テープ４１を研磨テープ供給回収機構４０により研磨テープ供給リールから、例えば１００ｍｍ／ｍｉｎの速度で連続的に送り出すとともに、この送り出された研磨テープ４１を押圧機構３０により半導体ウェハ１０の周縁部１１に、例えば上側傾斜面Ｐ、端面Ｒ及び下側傾斜面Ｑの順に押し付け研磨する。

その際、研磨テープ４１と半導体ウェハ１０が接触する部分に純水供給ノズル５１から純水を供給する一方、研磨対象面（上側傾斜面Ｐ、端面Ｒ及び下側傾斜面Ｑ）の曲率に応じて、リニアアクチュエータ３３の変位量を制御する。すなわち、研磨テープ４１を押圧する押圧パッド３１の表面が研磨対象面と略同じ曲率を有するようにリニアアクチュエータ３３を動作させる。

図３及び図４は、その一例を示したもので、図３は、研磨テープ４１を押圧パッド（横方向の長さ約８０ｍｍ）３１及び押圧板３２を介して半導体ウェハ１０(直径３００ｍｍ、上側傾斜面Ｐの端面Ｒに対する傾斜角＋７０°、下側傾斜面Ｑの端面Ｒに対する傾斜角−７０°)の周縁部１１の端面Ｒに押し付けているときの状態を模式的に示した図である。また、図４は、同半導体ウェハ１０の周縁部１１の上側傾斜面Ｐ（下側傾斜面Ｑ）に研磨テープ４１を押し付けているときの状態を模式的に示した図である。なお、図３（ａ）及び図４（ａ）は、半導体ウェハ１０の表面に対し垂直な方向から見た図であり、また、図３（ｂ）及び図４（ｂ）は、半導体ウェハ１０の表面に対し平行な方向から見た図である。図３（ｂ）及び図４（ｂ）では、半導体ウェハ１０及び押圧パッド３１のみを図示している。

図３に示すように、研磨テープ４１を半導体ウェハ１０の周縁部１１の端面Ｒに押し付けているときには、リニアアクチュエータ３３を約７ｍｍ変位させ、また、図４に示すように、研磨テープ４１を半導体ウェハ１０の周縁部１１の上側傾斜面Ｐ（下側傾斜面Ｑ）に押し付けているときには、リニアアクチュエータ３３を約２ｍｍ変位させる。このようにリニアアクチュエータ３３を変位させることにより、押圧パッド３１の表面が半導体ウェハ１０の端面Ｒ及び上側傾斜面Ｐ（下側傾斜面Ｑ）の周方向の曲率と略同じ曲率の曲面に変化する。その結果、研磨テープ４１の全域を略均等な圧力で半導体ウェハ１０のそれぞれの研磨対象面である端面Ｒまたは上側傾斜面Ｐ（下側傾斜面Ｑ）に押し付けることが可能となり、各研磨対象面を効率良くかつ良好に研磨することができる。

なお、研磨テープ４１には、例えば、ポリエチレンテレフタレート基材（例えば、幅８０ｍｍ、厚さ５０μｍ）上にバインダによりダイヤモンド砥粒を固着させたものなどが使用される。

ちなみに、リニアアクチュエータ３３及びその変位量を制御するコントローラ３５を有さない以外は本実施形態の装置と同様に構成された装置を用いて、半導体ウェハ１０(直径３００ｍｍ、上側傾斜面Ｐの傾斜角＋７０°、下側傾斜面Ｑの傾斜角−７０°)のベベル部を、上側傾斜面Ｐ、端面Ｒ及び下側傾斜面Ｑの順に研磨したところ、それぞれ３５秒、５０秒及び３５秒の計１２０秒を要した。これに対し、本実施形態を適用して同様の研磨を行ったところ、３０秒、３０秒及び３０秒の計９０秒で研磨を完了することができた。また、研磨面の最大表面粗さ（ＲＶ）及び中心線平均粗さ（Ｒａ）を光干渉測定装置ＷＹＫＯ ＮＴ１１００（Ｖｅｅｃｏ製 商品名）を用いて測定したところ、前者の装置ではＲＶが５００ｎｍであったのに対し、本実施形態では１００ｎｍと、研磨痕の深さが均一化されていることが確認された。これは、端面Ｒ及び各傾斜面Ｐ，Ｑともに研磨荷重が均一化されたからと考えられる。なお、Ｒａについては、両者に大きな差はなかった。

以上説明したように、本実施形態では、研磨テープを押圧する面（押圧パッド３１の表面）の曲率を、研磨対象面の曲率と略同一に変化させることができるため、半導体ウェハ周縁部のベベル部に対し、端面のみならず上側傾斜面も下側傾斜面もすべて、研磨テープの略全域を使用して、しかも、適正な圧力を印加して、研磨することができる。したがって、従来に比べ研磨効率を大幅に向上させることができ、研磨時間の短縮、研磨コストの低減を図ることができるとともに、研磨仕上がり面の品質を向上させることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。なお、基板処理装置の基本的な構成及び基本的な研磨方法は前述した第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態で説明した事項については説明を省略する。

図５は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示した図であり、半導体ウェハの主面に平行な方向から見た図である。

本実施形態では、押圧機構３０の構成が部分的に第１の実施形態と相違している。すなわち、本実施形態では、リニアアクチュエータ３３が押圧板３２の縦方向（半導体ウェハ１０の表面に垂直な方向）両端部に対応する位置にそれぞれ１個ずつ、その変位量に応じて押圧板３２にその押し付け方向に対し縦方向の傾きを付与することができるように設けられている。なお、押圧板３２の縦方向の傾きを所望の角度に変化させることができれば、リニアアクチュエータ３３の数や配置位置などは特に限定されるものではない。また、リニアアクチュエータ３３に変えて後述する第３の実施形態で用いたような屈曲変位アクチュエータを用いることも可能である。

従来の装置では、例えば図６に示すように、半導体ウェハ１０のエッジ部（上側平坦面Ｓ）を研磨するため、押圧パッド３１を一対のガイドローラ４４，４５などとともにエッジ部（上側平坦面Ｓ）に押し付けることができる位置まで旋回させていこうとすると、その位置に達する前、旋回角度（押圧パッド３１表面の半導体ウェハ１０の端面Ｒに対する角度）が例えば＋８２°になったときに、一方のガイドローラ４４が半導体ウェハ１０の表面に接触してしまい、研磨テープ４１を押圧パッド３１によりエッジ部（上側平坦面Ｓ）に押し付けて研磨することができなくなる。

この場合、例えば図７（ａ）に示すように、押圧パッド３１表面を＋α°（例えば＋１０°）の傾斜面で形成することにより、ガイドローラ４４が半導体ウェハ１０の表面に接触する前に、研磨テープ４１を押圧パッド３１によりエッジ部（上側平坦面Ｓ）に押し付け研磨することが可能になる。しかしながら、その反面、図７（ｂ）に示すように、押圧機構と研磨テープ供給回収機構を逆方向に旋回させたときのエッジ部（下側平坦面Ｔ）の研磨はさらに困難になる。

本実施形態では、上述したように、リニアアクチュエータ３３が押圧板３２の縦方向両端部にそれぞれ１個ずつ設けられ、その変位量に応じて押圧板３２の押し付け方向に対する縦方向の傾斜角度を調整することができるようになっているので、図８に示すように、ガイドローラ４４またはガイドローラ４５が半導体ウェハ１０の表面または裏面にそれぞれ接触する前に、つまり、それらの立体的制約を受けずに、研磨テープ４１を半導体ウェハ１０のエッジ部（上側平坦面Ｓおよび下側平坦面Ｔ）に押し付けることが可能になる。すなわち、半導体ウェハ１０の周縁部１１の上側平坦面Ｓを研磨するときには、図８（ａ）に示すように、上側アクチュエータ３３ａの変位量を下側アクチュエータ３３ｂの変位量より大きくして、押圧パッド３１表面に、例えば＋α°の傾斜角（端面Ｒに対し）を付与する。一方、半導体ウェハ１０の下側平坦面Ｔを研磨するときには、図８（ｂ）に示すように、下側アクチュエータ３３ｂの変位量を上側アクチュエータ３３ａの変位量より大きくして、押圧パッド３１表面に−α°の傾斜角（端面Ｒに対し）を付与する。これにより、研磨テープ４１を半導体ウェハ１０の上側平坦面Ｓ及び下側平坦面Ｔのいずれにも押圧パッド３１で確実に押し付けて研磨することができる。

次に、上記構成の基板処理装置を用いた基板処理方法について記載する。
まず、図５に示すように、半導体ウェハ１０を基板保持機構２０の保持部２１に保持させ、例えば５００ｒｐｍで回転させる。この状態で、研磨テープ４１を研磨テープ供給回収機構４０により研磨テープ供給リールから、例えば１００ｍｍ／ｍｉｎの速度で連続的に送り出すとともに、この送り出された研磨テープ４１を押圧機構３０により半導体ウェハの周縁部に、例えば上側平坦面Ｓ、上側傾斜面Ｐ、端面Ｒ、下側傾斜面Ｑ及び下側平坦面Ｔの順に押し付け研磨する。

その際、研磨テープ４１と半導体ウェハ１０が接触する部分に純水供給ノズル５１から純水を供給する一方、研磨対象面（上側平坦面Ｓ、上側傾斜面Ｐ、端面Ｒ、下側傾斜面Ｑ及び下側平坦面Ｔ）に応じてリニアアクチュエータ３３の変位量を制御する。

すなわち、上側平坦面Ｓを研磨する場合、例えば押圧パッド３１（縦方向の長さ約２０ｍｍ）を一対のガイドローラ４４，４５などとともに、ガイドローラ４４が半導体ウェハ１０（直径３００ｍｍ、上側傾斜面Ｐの傾斜角＋７０°、下側傾斜面Ｑの傾斜角−７０°）の表面に接触しない、例えば押圧パッド３１表面の端面Ｒに対する角度が＋７０°となる位置まで旋回させ、その状態で上側リニアアクチュエータ３３ａを約３ｍｍ伸張させる。これにより、押圧パッド３１表面の端面Ｒに対する角度が約＋２５°付加されて、押圧パッド３１表面が上側平坦面Ｓと略平行になり、研磨テープ４１を上側平坦面Ｓ全体に押し付けて研磨することができる。また、下側平坦面Ｔを研磨する場合は、上側平坦面Ｓを研磨する場合と逆に、押圧パッド３１を一対のガイドローラ４４，４５などとともに、ガイドローラ４５が半導体ウェハ１０の表面に接触しない、例えば押圧パッド３１表面の端面Ｒに対する角度が−７０°となる位置まで旋回させ、その状態で下側リニアアクチュエータ３３ｂを約３ｍｍ伸張させる。これにより、押圧パッド表面の端面Ｒに対する角度が約−２５°付加されて、押圧パッド３１表面が下側平坦面Ｔと略平行になり、研磨テープ４１を下側平坦面Ｔ全体に押し付けて研磨することができる。上側傾斜面Ｐ、端面Ｒ、および下側傾斜面Ｑについては、旋回動作のみで押圧パッド３１表面をそれらの研磨対象面に平行にすることができるため、リニアアクチュエータ３３ａ，３３ｂを動作させることなく研磨すればよい。

なお、本実施形態においても、研磨テープ４１には、第１の実施形態と同様、例えば、ポリエチレンテレフタレート基材（例えば、幅８０ｍｍ、厚さ５０μｍ）上にバインダによりダイヤモンド砥粒を固着させたものなどを使用することができる。

以上説明したように、本実施形態では、押圧パッド３１表面の、押圧パッド３１を押し付ける方向に対する縦方向の角度を変位させることができるため、半導体ウェハ１０のベベル部のみならずエッジ部にもガイドローラ４４，４５による立体的制約を受けることなく研磨テープ４１を押し付け、研磨することが可能となる。

なお、本実施形態においても、第１の実施形態の場合と同様に、リニアアクチュエータの動作により、押圧板３２が横方向にも湾曲するように構成してもよい。これにより、上記の効果に加え、第１の実施形態の場合と同様、ベベル部に対し、端面のみならず上側傾斜面も下側傾斜面もすべて、研磨テープの略全域を使用して、しかも、適正な圧力を印加して、研磨することができ、研磨時間の短縮、研磨コストの低減を図ることができるとともに、研磨仕上がり面の品質を向上させることができる。この場合、押圧板３２のその押し付け方向に対する縦方向の角度を調整するためのリニアアクチュエータを、押圧板３２を横方向に湾曲させるためのリニアアクチュエータの一部または全部として使用することも可能である。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。本実施形態においても、基板処理装置の基本的な構成及び基本的な研磨方法は前述した第１の実施形態または第２の実施形態と同様であるため、第１の実施形態または第２の実施形態で説明した事項については説明を省略する。

本実施形態では、押圧機構３０の構成が第１の実施形態及び第２の実施形態と相違している。図９に、その要部構成を模式的に示す。

図９に示すように、本実施形態では、押圧板３２及びリニアアクチュエータ３３に代えて、例えば直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍの柱状で、かつ、その長さ方向に垂直な方向に、例えば０〜１００°の範囲の任意の角度で、かつ、曲率半径２ｍｍの屈曲変位が可能な屈曲変位アクチュエータ３６が複数、例えば１６本、それぞれの屈曲方向を一致させて押圧パッド（図示を省略）の背面に平面状に並列配置されている。

本実施形態では、コントローラ３５で複数の屈曲変位アクチュエータ３６の変位量を個々に制御することにより、押圧パッド全体の形状を、周縁部１１の研磨対象面に応じて研磨対象面と略同一形状に変化させることができ、これにより、半導体ウェハ１０の周縁部１１を効率よく研磨することができる。

例えば、図１０（ａ）に示すように、複数の屈曲変位アクチュエータ３６を＋９０°の角度で屈曲させると、半導体ウェハ１０の上側平坦面Ｓ、または、上側平坦面Ｓと端面Ｒに研磨テープ４１を押し付けて研磨することができる。この場合、屈曲角度を上側傾斜面Ｐに対応する角度にすると、半導体ウェハ１０の上側傾斜面Ｐ、または、上側傾斜面Ｐと端面Ｒに研磨テープ４１を押し付けて研磨することができる。また、押圧パッド表面の横方向の曲率が、上側傾斜面Ｐの曲率と略同じになるように、各屈曲変位アクチュエータ３６の変位量を制御すると、研磨テープ４１の上側傾斜面Ｐの周方向に対する追従性が向上し、より効率のよい研磨が可能となる。すなわち、例えば、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示すように、中央部分に位置する屈曲変位アクチュエータ３６の変位量を外側に位置するものより僅かに小さくすると、研磨テープ４１の上側傾斜面Ｐの周方向に対する追従性が向上し、研磨テープ４１の使用領域を増大させ、よりいっそう効率のよい研磨が可能となる。なお、図１０（ｂ）は、傾斜角が約２０°の上側傾斜面Ｐを研磨する際の屈曲変位アクチュエータ３６の変位例であり、また図１０（ｃ）は、傾斜角が約７０°の上側傾斜面Ｐを研磨する際の屈曲変位アクチュエータ３６の変位例である。

本実施形態によれば、第１の実施形態及び第２の実施形態におけるような、押圧パッド３１を一対のガイドローラ４４，４５などとともに、半導体ウェハ１０の周縁部１１に対し一体に旋回させる手段を不要とすることができるため、装置の簡素化及び小型化を図ることができる。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、以上説明した実施形態では研磨部材として研磨テープを用いているが、研磨テープに代えて、予め決められた位置に固定される固定砥粒パッドを用いることも可能である。固定砥粒パッドとしては、例えば弾力性のある樹脂にセリア砥粒を埋め込んだものが使用される。固定砥粒パッドは、押圧パッド３１の表面に固定される。

第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示す図である。 半導体ウェハの周縁部の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る基板処理方法を説明するための図である。 第１の実施形態に係る基板処理方法を説明するための図である。 第２の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示す図である。 第２の実施形態に係る基板処理装置の効果を説明するための図である。 第２の実施形態に係る基板処理装置の効果を説明するための図である。 第２の実施形態に係る基板処理方法を説明するための図である。 第３の実施形態に係る基板処理装置の要部構成を示す図である。 第３の実施形態に係る基板処理方法を説明するための図である。

符号の説明

１０…半導体ウェハ、１１…周縁部、２０…基板保持機構、２１…保持部、２２…回転軸、３０…押圧機構、３１…押圧パッド、３２…押圧板、３３，３３ａ，３３ｂ…リニアアクチュエータ、３４…押圧ヘッド、３５…コントローラ、３６…屈曲変位アクチュエータ、４１…研磨テープ、４４，４５…ガイドローラ。

Claims (5)

1. 基板を周方向に回転させつつ、前記基板の周縁部に、押圧パッドを備えた押圧機構により研磨部材を押し付けて研磨する基板処理方法であって、
   前記押圧パッドの少なくとも一部の、前記押出機構が前記押圧パッドを前記基板周縁部に対して押し付ける軸方向に対する角度を、該角度を能動的に変位させる角度変位機構により、前記周縁部の研磨対象面に応じて変化させて研磨することを特徴とする基板処理方法。
2. 前記角度変位機構により、前記押圧パッドの少なくとも一部の前記基板の表面に平行な方向の角度を変化させることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
3. 前記角度変位機構により、前記押圧パッドの少なくとも一部の前記基板の表面に垂直な方向の角度を変化させることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
4. 前記角度変位機構により、前記押圧パッドの少なくとも一部を前記研磨対象面と略同一形状または略平行に変化させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の基板処理方法。
5. 基板の周縁部を研磨する基板処理装置であって、
   前記基板を周方向に回転させつつ保持する基板保持機構と、
   前記基板の周縁部を研磨するために、前記基板の周縁部に研磨部材を押し付ける押圧パッドを備えた押圧機構とを具備してなり、
   前記押圧機構は、前記押圧パッドの少なくとも一部の、前記押圧機構が前記押圧パッドを前記基板周縁部に対して押し付ける軸方向に対する角度を能動的に変位させる角度変位機構を備える
   ことを特徴とする基板処理装置。

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