WO2021044735A1 - 研磨装置 - Google Patents

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WO2021044735A1
WO2021044735A1 PCT/JP2020/027235 JP2020027235W WO2021044735A1 WO 2021044735 A1 WO2021044735 A1 WO 2021044735A1 JP 2020027235 W JP2020027235 W JP 2020027235W WO 2021044735 A1 WO2021044735 A1 WO 2021044735A1
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WO
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polishing
pressing member
wafer
reel
pressing
Prior art date
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PCT/JP2020/027235
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English (en)
French (fr)
Inventor
健治 小寺
伊藤 賢也
北斗 山野邊
原田 稔
Original Assignee
株式会社荏原製作所
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • B24B21/06Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces involving members with limited contact area pressing the belt against the work, e.g. shoes sweeping across the whole area to be ground
    • B24B21/08Pressure shoes; Pressure members, e.g. backing belts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a polishing device for forming a recess having a right-angled cross section on the peripheral edge of a substrate such as a bonded wafer.
  • a polishing device equipped with a grindstone 500 as shown in FIG. 15 is used to polish the peripheral edge of a wafer, which is an example of a substrate.
  • This type of polishing apparatus polishes the peripheral edge of the wafer W by bringing the grindstone 500 into contact with the peripheral edge of the wafer W while rotating the wafer W and the grindstone 500, and obtains a right-angled cross-sectional shape as shown in FIG. Form a recess 505 to have.
  • the polishing apparatus shown in FIG. 15 is particularly used in a process of laminating and thinning wafers.
  • the wafer W is manufactured by laminating a patterned wafer W1 on which a pattern is formed and a support wafer W2 composed of a silicon wafer or the like with an oxide film or an adhesive (indicated by reference numeral 200). Will be done.
  • FIG. 17B by pressing the grindstone 500 against the peripheral edge portion of the wafer W while rotating the wafer W, a recess 510 having a right-angled cross-sectional shape is formed on the peripheral edge portion of the wafer W as shown in FIG. 17C.
  • a polishing device using a polishing tape 600 as shown in FIG. 18A has been proposed. While the polishing tape 600 is moved in the longitudinal direction thereof, the polishing surface of the polishing tape 600 is pressed against the peripheral edge of the wafer W by the pressing member 601. Since the polishing tape 600 is moved in the longitudinal direction during the polishing of the wafer W, clogging of the polished surface of the polishing tape 600 is unlikely to occur, and a stable polishing rate is achieved.
  • the polishing tape 600 extends outward from the pressing member 601, and the portion of the polishing tape 600 extending outward comes into oblique contact with the peripheral edge of the wafer W.
  • an inclined surface 620 was formed on the peripheral edge of the wafer W, and a recess having a right-angled cross-sectional shape could not be formed.
  • the present invention provides a polishing apparatus capable of forming a recess having a right-angled cross-sectional shape on a substrate such as a wafer by using a polishing tape.
  • a holding stage having a substrate holding surface for holding the substrate, a polishing head having a pressing member for pressing the polishing tape against the peripheral edge of the substrate on the substrate holding surface, and holding the polishing head on the substrate.
  • the pressing member includes an actuator that moves in a direction perpendicular to the surface, and the pressing member has a pressing surface parallel to the substrate holding surface and an inclined surface connected to the inner end edge of the pressing surface.
  • the angle between the pressing surface and the inclined surface is a sharp angle
  • the polishing head includes a positioning roller that determines a relative position of the polishing tape with respect to the inclined surface, and extends between the positioning roller and the pressing member.
  • a polishing device is provided in which the angle of the polishing tape with respect to the pressing surface is a sharp angle.
  • the relative positions of the positioning roller and the pressing member are fixed.
  • the angle of the polishing tape extending between the positioning roller and the pressing member with respect to the pressing surface is in the range of 30 to 90 degrees.
  • the polishing head is a group that holds a feeding reel for feeding the polishing tape, a winding reel for winding the polishing tape, a positioning roller, a pressing member, the feeding reel, and the winding reel. It has more reels.
  • the polishing apparatus further includes a feeding reel for feeding the polishing tape and a take-up reel for winding the polishing tape, and the feeding reel and the take-up reel have the same height as the polishing head. Is located in.
  • the substrate holding surface is the same size as the substrate or larger than the substrate.
  • a holding stage having a substrate holding surface for holding the substrate, a polishing head having a pressing member for pressing the polishing tape against the peripheral edge of the substrate on the substrate holding surface, and holding the polishing head on the substrate.
  • the pressing member includes an actuator that moves in a direction parallel to the surface, and the pressing member has a pressing surface that is perpendicular to the substrate holding surface and an inclined surface that is connected to the lower end edge of the pressing surface.
  • the angle between the surface and the inclined surface is sharp
  • the polishing head includes a positioning roller that determines a relative position of the polishing tape with respect to the inclined surface, and extends between the positioning roller and the pressing member.
  • a polishing device is provided in which the angle of the polishing tape with respect to the pressing surface is a sharp angle.
  • the relative positions of the positioning roller and the pressing member are fixed.
  • the angle of the polishing tape extending between the positioning roller and the pressing member with respect to the pressing surface is in the range of 30 to 90 degrees.
  • the polishing head is a group that holds a feeding reel for feeding the polishing tape, a winding reel for winding the polishing tape, a positioning roller, a pressing member, the feeding reel, and the winding reel. It has more reels.
  • the polishing apparatus further includes a feeding reel for feeding the polishing tape and a take-up reel for winding the polishing tape, and the feeding reel and the take-up reel are arranged above the polishing head. Has been done.
  • the substrate holding surface is the same size as the substrate or larger than the substrate.
  • the polishing tape since the inclined surface has an acute angle with respect to the pressing surface, the polishing tape extends diagonally along the inclined surface. Since the portion of the polishing tape extending along the inclined surface does not contact the peripheral edge of the substrate, the polishing tape pressed against the peripheral edge of the substrate by the pressing surface forms a recess having a right-angled cross-sectional shape in the substrate such as a wafer. can do.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the state of polishing the peripheral part of a wafer. It is a schematic diagram which shows the other embodiment of a polishing apparatus. It is a schematic diagram which shows still another embodiment of a polishing apparatus. It is an enlarged view of the polishing head shown in FIG. It is a perspective view of the pressing member shown in FIG. It is a figure which shows the state of pressing the polishing tape against the peripheral edge part of a wafer by the pressing member shown in FIG. It is a figure which shows the state of pressing the polishing tape against the peripheral edge part of a wafer by the pressing member shown in FIG. It is sectional drawing of the wafer which the depression of the right-angled cross-sectional shape was formed in the peripheral part.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a peripheral edge of a wafer polished by using the polishing apparatus shown in FIG. 18A.
  • the peripheral edge portion of the substrate is defined as a region including a bevel portion located at the outermost periphery of the substrate and a top edge portion and a bottom edge portion located inside the bevel portion in the radial direction.
  • An example of a substrate is a wafer.
  • FIG. 1A and 1B are enlarged cross-sectional views showing the peripheral edge of the substrate. More specifically, FIG. 1A is a cross-sectional view of a so-called straight type substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view of a so-called round type substrate.
  • the bevel portion is the outermost peripheral surface of the substrate W composed of an upper inclined portion (upper bevel portion) P, a lower inclined portion (lower bevel portion) Q, and a side portion (apex) R. (Represented by reference numeral B).
  • the bevel portion is a portion having a curved cross section (indicated by reference numeral B) that constitutes the outermost peripheral surface of the substrate W.
  • the top edge portion is a flat annular portion E1 located inside the bevel portion B in the radial direction.
  • the bottom edge portion is a flat annular portion E2 located on the opposite side of the top edge portion E1 and located inside the bevel portion B in the radial direction.
  • the top edge portion E1 may include a region in which the device is formed.
  • the top edge portion E1 and the bottom edge portion E2 are connected to the bevel portion B.
  • FIG. 2 is a schematic view showing an embodiment of the polishing apparatus.
  • the polishing apparatus according to the present embodiment is used for polishing the peripheral edge portion of a wafer W, which is an example of a substrate, to form a recess having a right-angled cross section in the peripheral edge portion.
  • Specific examples of the wafer W include a bonded wafer as shown in FIG. 17A.
  • the polishing apparatus has a holding stage 1 having a substrate holding surface 1a for holding a wafer W, which is an example of a substrate, and an axial center of the holding stage 1 on the substrate holding surface 1a.
  • the stage rotating device 3 that rotates around the CL, the polishing head 8 having the pressing member 5 for pressing the polishing tape T against the peripheral edge of the wafer W on the substrate holding surface 1a, and the polishing head 8 against the substrate holding surface 1a. It is provided with an actuator 12 that moves in a vertical direction.
  • An opening 1b such as a hole or a groove is formed in the substrate holding surface 1a, and this opening 1b is connected to the vacuum line 15.
  • a plurality of openings 1b may be provided.
  • the substrate holding surface 1a has the same shape as the wafer W. In the present embodiment, the wafer W is circular, and the substrate holding surface 1a is also circular.
  • the substrate holding surface 1a has the same size as the wafer W. That is, the diameter of the substrate holding surface 1a is the same as the diameter of the wafer W. Therefore, the entire lower surface of the wafer W is held by the substrate holding surface 1a.
  • the substrate holding surface 1a may be larger than the wafer W.
  • the stage rotating device 3 is equipped with an electric motor or the like.
  • the stage rotating device 3 is connected to a stage shaft 1c fixed to the lower part of the holding stage 1.
  • the holding stage 1 and the stage shaft 1c are integrally rotated around the axis CL of the substrate holding surface 1a.
  • the wafer W is held on the substrate holding surface 1a so that the axis of the wafer W coincides with the axis CL of the substrate holding surface 1a. Therefore, the wafer W rotates about the axis of the wafer W (that is, the axis CL of the substrate holding surface 1a) integrally with the holding stage 1.
  • a liquid supply nozzle 18 is arranged above the substrate holding surface 1a.
  • the liquid supply nozzle 18 is connected to a liquid supply line (not shown), and is configured to supply a liquid such as pure water or alkaline water to the center of the wafer W.
  • the liquid supplied to the center of the rotating wafer W can spread over the entire upper surface of the wafer W by centrifugal force, and can protect the upper surface of the wafer W from particles such as polishing debris.
  • the polishing head 8 is arranged above the outer peripheral portion of the substrate holding surface 1a.
  • the polishing head 8 is connected to the actuator 12.
  • the actuator 12 is held by a holding member such as a bracket (not shown).
  • the specific configuration of the actuator 12 is not particularly limited, but the actuator 12 can be configured by, for example, an air cylinder or a combination of a ball screw mechanism and a servomotor.
  • the polishing head 8 includes a feeding reel 21 for feeding the polishing tape T, a winding reel 22 for winding the polishing tape T, and a tape feeding mechanism 25 for feeding the polishing tape T in the longitudinal direction thereof.
  • the feeding reel 21, the winding reel 22, the pressing member 5, and the tape feeding mechanism 25 are integrally moved by the actuator 12.
  • the pressing member 5 is arranged above the outer peripheral portion of the substrate holding surface 1a.
  • the pressing member 5 is located directly above the peripheral edge of the wafer W held on the substrate holding surface 1a.
  • the pressing member 5 supports the back side of the polishing tape T and presses the polishing surface (front side) of the polishing tape T against the peripheral edge portion of the wafer W to polish the peripheral edge portion of the wafer W.
  • the polished surface of the polishing tape T has abrasive grains fixed on it.
  • the actuator 12 described above moves the pressing member 5 toward the peripheral edge of the wafer W, whereby the pressing member 5 can press the polishing tape T against the peripheral edge of the wafer W.
  • the force (that is, polishing load) that the pressing member 5 presses the polishing tape T against the peripheral edge of the wafer W can be adjusted by the actuator 12.
  • the polishing tape T at the polishing point of the wafer W extends in the radial direction of the wafer W (that is, the radial direction of the substrate holding surface 1a).
  • the polishing head 8 includes a sensor target 28.
  • the sensor target 28 can be moved by the actuator 12 integrally with the pressing member 5.
  • the polishing device includes a displacement sensor 30 arranged facing the sensor target 28.
  • the displacement sensor 30 is configured to measure the moving distance of the sensor target 28, that is, the moving distance of the polishing head 8.
  • Examples of the displacement sensor 30 include a contact type displacement sensor and a non-contact type displacement sensor. Such contact displacement sensors and non-contact displacement sensors are available on the market.
  • the moving distance of the polishing head 8 may be measured by the displacement sensor 30 without particularly providing the sensor target 28.
  • the displacement sensor 30 is connected to the motion control unit 34, and the measured value of the moving distance of the polishing head 8 is transmitted from the displacement sensor 30 to the motion control unit 34.
  • the operation control unit 34 is configured to determine the polishing end point of the wafer W based on the measured value of the moving distance of the polishing head 8.
  • the operation control unit 34 is composed of at least one computer.
  • the operation control unit 34 has a storage device 34a in which a program for determining the polishing end point of the wafer W is stored based on the measured value of the moving distance of the polishing head 8, and a process of executing an operation according to an instruction included in the program.
  • the device 34b (CPU, GPU, etc.) is provided.
  • Wafer W is polished as follows.
  • the wafer W is placed on the substrate holding surface 1a by a transfer device (not shown) so that its center coincides with the axial center CL of the substrate holding surface 1a.
  • the holding stage 1 is rotated about the axis CL by the stage rotating device 3, whereby the wafer W is rotated about the axis.
  • the liquid supply nozzle 18 supplies the liquid to the center of the wafer W, and forms a film of the liquid on the upper surface of the wafer W.
  • the actuator 12 moves the entire polishing head 8 including the pressing member 5 toward the wafer W, and the pressing member 5 presses the polished surface of the polishing tape T against the peripheral edge of the wafer W.
  • the direction in which the pressing member 5 presses the polishing tape T against the peripheral edge of the wafer W is a direction perpendicular to the upper surface of the wafer W.
  • the peripheral edge of the wafer W is polished by the relative motion of the polishing tape T and the wafer W in the presence of a liquid.
  • the polishing tape T is fed at a predetermined speed in the longitudinal direction thereof.
  • the displacement sensor 30 measures the moving distance of the polishing head 8.
  • the measured value of the moving distance of the polishing head 8 is sent to the operation control unit 34.
  • the operation control unit 34 determines the polishing end point when the measured value of the moving distance of the polishing head 8 reaches a preset target value. After determining the polishing end point, the operation control unit 34 issues a command to the actuator 12 to separate the polishing head 8 from the wafer W, and then stops the stage rotating device 3.
  • the actuator 12 is composed of a combination of a ball screw mechanism and a servomotor
  • the motion control unit 34 determines the moving distance of the polishing head 8 from the screw pitch of the ball screw mechanism and the number of rotations of the servomotor. be able to. Therefore, the displacement sensor 30 may be omitted.
  • FIG. 3 is an enlarged view of the polishing head 8.
  • the polishing head 8 includes a feeding reel 21 for feeding the polishing tape T, a winding reel 22 for winding the polishing tape T, a positioning roller 33 for supporting the polishing tape T, a plurality of guide rollers 35 and 36, and the polishing tape T. It is provided with a tape feeding mechanism 25 for feeding in the longitudinal direction.
  • the polishing tape T extends from the feeding reel 21 to the winding reel 22 via the guide roller 35, the positioning roller 33, the pressing member 5, the guide roller 36, and the tape feeding mechanism 25 in this order.
  • the polishing head 8 further includes a positioning roller 33, guide rollers 35 and 36, a pressing member 5, a tape feeding mechanism 25, a feeding reel 21, and a base 40 for holding a take-up reel 22.
  • the sensor target 28 is fixed to the base 40.
  • the pressing member 5 is fixed to the lower part of the base 40 and projects downward from the lower part of the base 40.
  • the pressing member 5 has a pressing surface 5A parallel to the substrate holding surface 1a and an inclined surface 5B connected to the inner end edge 5c of the pressing surface 5A.
  • the pressing surface 5A constitutes the bottom surface of the pressing member 5 and is located below the base 40.
  • the tape feed mechanism 25 has a tape feed roller 25A, a tape feed motor 25B connected to the tape feed roller 25A, and a nip roller 25C that presses the polishing tape T against the tape feed roller 25A.
  • the nip roller 25C is urged toward the tape feed roller 25A by an urging device (for example, a spring) (not shown).
  • the polishing tape T is sandwiched between the tape feed roller 25A and the nip roller 25C.
  • the tape feed roller 25A and the nip roller 25C are rotatably supported by the base 40.
  • the tape feed motor 25B is fixed to the base 40. When the tape feed roller 25A is rotated by the tape feed motor 25B, the polishing tape T is fed in the longitudinal direction thereof.
  • the polishing tape T is fed in the direction indicated by the arrow in FIG. 3 and moved from the feeding reel 21 to the winding reel 22. During the polishing of the wafer W, the polishing tape T is fed at a predetermined speed by the tape feeding mechanism 25.
  • the positioning roller 33, the guide rollers 35, 36, the feeding reel 21, and the take-up reel 22 are rotatably held on the base 40. Since the pressing member 5 is also fixed to the base 40, the relative positions of the pressing member 5 with respect to the positioning roller 33, the guide rollers 35, 36, the feeding reel 21, and the take-up reel 22 are fixed.
  • the positioning roller 33 and the guide roller 36 are arranged adjacent to the pressing member 5. At least a part of the positioning roller 33 is located outside the inner edge 5c of the pressing surface 5A in the radial direction of the substrate holding surface 1a (that is, in the radial direction of the wafer W).
  • the positioning roller 33 functions as a guide roller for determining (fixing) the relative position of the polishing tape T with respect to the inclined surface 5B of the pressing member 5.
  • the position of the polishing tape T along the inclined surface 5B is fixed by the positioning roller 33.
  • the inclined surface 5B of the pressing member 5 faces the axial center CL (see FIG. 2) of the substrate holding surface 1a, and constitutes an inner surface of the pressing member 5.
  • the distance between the positioning roller 33 and the upper end of the inclined surface 5B is shorter than the distance between the guide rollers 35 and 36 and the upper end of the inclined surface 5B.
  • the positioning roller 33 is arranged at a position closest to the inclined surface 5B as compared with the guide rollers 35 and 36.
  • the feeding reel 21 and the take-up reel 22 are connected to two tension motors 45 and 46, respectively. These tension motors 45 and 46 are fixed to the base 40. The tension motors 45 and 46 are configured to apply torque in the opposite direction to the feeding reel 21 and the take-up reel 22, whereby tension can be applied to the polishing tape T.
  • the feeding reel 21, the take-up reel 22, and the pressing member 5 are supported by a common base 40.
  • the relative position of the pressing member 5 with respect to the base 40 does not change even if the tension of the polishing tape T is increased. Therefore, the actuator 12 can accurately apply a preset polishing load to the pressing member 5 without being affected by the tension of the polishing tape T.
  • FIG. 4 is a perspective view of the pressing member 5.
  • the inclined surface 5B extends upward from the inner edge 5c of the pressing surface 5A. Both the pressing surface 5A and the inclined surface 5B are flat surfaces.
  • the angle ⁇ between the pressing surface 5A and the inclined surface 5B is an acute angle. More specifically, the angle ⁇ is in the range of 20 to 90 degrees, preferably in the range of 30 to 70 degrees.
  • the pressing member 5 is made of a metal such as stainless steel or a hard resin.
  • FIG. 5 is an enlarged side view showing the pressing member 5 and the positioning roller 33.
  • the positioning roller 33 is located directly above the inclined surface 5B and is arranged close to the inclined surface 5B. At least a part of the positioning roller 33 is located outside the inner edge 5c of the pressing surface 5A in the radial direction of the substrate holding surface 1a (that is, the radial direction of the wafer W).
  • the positioning roller 33 guides the polishing tape T so that the polishing tape T extends along the inclined surface 5B.
  • the relative position of the polishing tape T with respect to the inclined surface 5B is fixed by the positioning roller 33.
  • the angle ⁇ of the polishing tape T extending between the positioning roller 33 and the pressing member 5 with respect to the pressing surface 5A is an acute angle.
  • the angle ⁇ may be the same as the angle ⁇ between the pressing surface 5A and the inclined surface 5B as shown in FIG. 5, or may be smaller than the angle ⁇ as shown in FIG. It may be, or as shown in FIG. 7, it may be larger than the angle ⁇ .
  • the positioning roller 33 is arranged at a position where the back side of the polishing tape T comes into contact with the inclined surface 5B, and in the embodiment shown in FIG. 7, the positioning roller 33 is the polishing tape.
  • the back side of the T is arranged at a position away from the inclined surface 5B.
  • FIGS. 8A to 8C are views showing how the peripheral edge of the wafer is polished.
  • the wafer W has a structure in which a pattern wafer W1 on which a pattern is formed and a support wafer W2 composed of a silicon wafer or the like are bonded together with an oxide film or an adhesive (indicated by reference numeral 200).
  • the polishing tape T is pressed against the peripheral edge of the wafer W by the pressing member 5.
  • the direction in which the pressing member 5 presses the polishing tape T is a direction perpendicular to the substrate holding surface 1a.
  • FIG. 8B the polishing tape T scrapes the entire peripheral edge of the pattern wafer W1 and further scrapes a part of the peripheral edge of the support wafer W2.
  • the polishing tape T is pressed against the wafer W only by the pressing surface 5A forming the bottom surface of the pressing member 5, and the inclined surface 5B of the pressing member 5 does not press the polishing tape T against the wafer W.
  • the pressing surface 5A of the pressing member 5 is parallel to the substrate holding surface 1a, and the moving direction of the pressing member 5 is perpendicular to the substrate holding surface 1a. Since the substrate holding surface 1a is parallel to the upper surface of the wafer W, the pressing surface 5A of the pressing member 5 is also parallel to the upper surface of the wafer W on the substrate holding surface 1a. Therefore, as shown in FIG. 8C, the polishing tape T can form a recess 100 having a right-angled cross section on the peripheral edge of the wafer W as the pressing member 5 moves.
  • the polishing load applied from the pressing member 5 to the wafer W via the polishing tape T is received by the holding stage 1. Therefore, the wafer W does not bend downward, and as a result, the pressing member 5 pushes the polishing tape T in the direction perpendicular to the upper surface of the wafer W, and the polishing tape T makes a recess having a right-angled cross section on the peripheral edge of the wafer W. Can be formed.
  • the polishing tape T is gradually fed in the longitudinal direction by the tape feeding mechanism 25 (see FIG. 3), so that the polishing tape T is not clogged. Therefore, the polishing rate (removal rate) of the wafer W is stable.
  • FIG. 9 is a schematic view showing another embodiment of the polishing apparatus. Since the configuration and operation of the present embodiment, which are not particularly described, are the same as those of the embodiments described with reference to FIGS. 1A to 8C, duplicate description thereof will be omitted.
  • the feeding reel 21 and the take-up reel 22 are arranged apart from the polishing head 8. More specifically, the feeding reel 21 and the take-up reel 22 are rotatably supported by a reel support 50 arranged away from the polishing head 8.
  • the feeding reel 21 and the take-up reel 22 are arranged outside the base 40 of the polishing head 8 and are located at the same height as the polishing head 8.
  • the polishing head 8 includes a first guide roller 51 and a second guide roller 52 that are rotatably supported on the upper portion of the base 40.
  • the first guide roller 51 is located at the same height as the feeding reel 21, and the second guide roller 51 is located at the same height as the take-up reel 22. Therefore, the polishing tape T extends laterally from the feeding reel 21 to the first guide roller 51. Similarly, the polishing tape T extends laterally from the second guide roller 52 to the take-up reel 22.
  • the tension motors 45 and 46 are fixed to the reel support 50.
  • the position of the reel support 50 is fixed, and the positions of the feeding reel 21 and the take-up reel 22 are also fixed.
  • the actuator 12 moves the polishing head 8 including the first guide roller 51, the second guide roller 52, the positioning roller 33, and the pressing member 5 in a direction perpendicular to the substrate holding surface 1a (upper surface of the wafer W), while moving the polishing head 8 in a direction perpendicular to the substrate holding surface 1a (upper surface of the wafer W).
  • the positions of the feeding reel 21 and the take-up reel 22 do not change.
  • FIG. 10 is a schematic view showing still another embodiment of the polishing apparatus. Since the configuration and operation of the present embodiment, which are not particularly described, are the same as those of the embodiments described with reference to FIGS. 1A to 8C, duplicate description thereof will be omitted.
  • the entire polishing head 8 is placed in a state where the polishing head 8 shown in FIG. 2 is tilted by 90 degrees.
  • the entire polishing head 8 including the pressing member 5 and the positioning roller 33 is located outside the substrate holding surface 1a. More specifically, the polishing head 8 is located outside the substrate holding surface 1a in the radial direction of the substrate holding surface 1a, and the pressing member 5 is arranged at a position slightly higher than the substrate holding surface 1a.
  • the pressing member 5 is fixed to the inner portion of the base 40, and projects from the inner portion of the base 40 toward the substrate holding surface 1a.
  • the actuator 12 is located outside the polishing head 8 in the radial direction of the substrate holding surface 1a.
  • the actuator 12 is arranged so as to move the polishing head 8 in the radial direction of the substrate holding surface 1a (that is, the radial direction of the wafer W).
  • the actuator 12 can move the polishing head 8 in the direction toward the axis CL of the substrate holding surface 1a and in the direction away from the axis CL. Therefore, the pressing member 5 can press the polishing tape T against the peripheral edge of the wafer W in the direction toward the center of the wafer W.
  • FIG. 11 is an enlarged view of the polishing head 8 shown in FIG.
  • the pressing surface 5A of the pressing member 5 is perpendicular to the substrate holding surface 1a, and the inclined surface 5B is inclined upward from the lower end edge 5d of the pressing surface 5A.
  • the angle between the pressing surface 5A and the inclined surface 5B and the angle of the polishing tape T extending between the positioning roller 33 and the pressing member 5 with respect to the pressing surface 5A are the same as those in the above-described embodiment.
  • the uppermost point of the positioning roller 33 is located higher than the lower end edge 5d of the pressing surface 5A.
  • the pressing surface 5A faces the axial center CL of the substrate holding surface 1a and is parallel to the axial center CL.
  • FIG. 12 is a perspective view of the pressing member 5 shown in FIG.
  • the pressing surface 5A is curved with the same curvature as the curvature of the peripheral edge portion of the wafer W. Therefore, when the pressing surface 5A presses the polishing tape T against the peripheral edge of the wafer W, the polishing tape T is curved along the peripheral edge of the wafer W. The reason why the pressing surface 5A is curved along the peripheral edge portion of the wafer W in this way is to increase the contact area between the polishing tape T and the peripheral edge portion of the wafer W.
  • FIG. 13A to 13C are views showing how the pressing member 5 shown in FIG. 11 presses the polishing tape T against the peripheral edge of the wafer W.
  • the polishing tape T is pressed against the peripheral edge of the wafer W by the pressing member 5.
  • the direction in which the pressing member 5 presses the polishing tape T is a direction parallel to the substrate holding surface 1a (that is, a direction parallel to the upper surface of the wafer W) and a direction toward the axial center CL of the substrate holding surface 1a (that is, that is). The direction toward the center of the wafer W).
  • the polishing tape T contacts only the pattern wafer W1 of the wafer W.
  • the polishing tape T comes into contact with both the pattern wafer W1 and the support wafer W2, and scrapes the peripheral edges of these two wafers W1 and W2. Similar to the above-described embodiment, during polishing of the wafer W, the polishing tape T is pressed against the wafer W only by the pressing surface 5A forming the inner surface of the pressing member 5, and the inclined surface forming the bottom surface of the pressing member 5. 5B does not press the polishing tape T against the wafer W.
  • the pressing surface 5A of the pressing member 5 is perpendicular to the substrate holding surface 1a, and the moving direction of the pressing member 5 is parallel to the substrate holding surface 1a.
  • the polishing tape T Since the substrate holding surface 1a is substantially parallel to the upper surface of the wafer W, the polishing tape T has a cross-sectional shape perpendicular to the peripheral edge of the wafer W as the pressing member 5 moves, as shown in FIG. 13C.
  • the depression 100 can be formed.
  • FIG. 14 is a schematic view showing still another embodiment of the polishing apparatus. Since the configuration and operation of the present embodiment, which are not particularly described, are the same as those of the embodiments described with reference to FIGS. 10 to 13C, duplicate description thereof will be omitted.
  • the entire polishing head 8 is placed in a state where the polishing head 8 shown in FIG. 9 is tilted by 90 degrees.
  • the feeding reel 21 and the take-up reel 22 are arranged apart from the polishing head 8. More specifically, the feeding reel 21 and the take-up reel 22 are rotatably supported by a reel support 50 arranged away from the polishing head 8. The feeding reel 21 and the take-up reel 22 are arranged above the polishing head 8.
  • the polishing head 8 includes a first guide roller 51 and a second guide roller 52 that are rotatably supported on the outer portion of the base 40.
  • the first guide roller 51 is located below the feeding reel 21, and the second guide roller 51 is located below the take-up reel 22. Therefore, the polishing tape T extends upward from the feeding reel 21 toward the first guide roller 51.
  • the polishing tape T extends upward from the second guide roller 52 toward the take-up reel 22.
  • the tension motors 45 and 46 are fixed to the reel support 50.
  • the position of the reel support 50 is fixed, and the positions of the feeding reel 21 and the take-up reel 22 are also fixed.
  • the actuator 12 moves the polishing head 8 including the first guide roller 51, the second guide roller 52, the positioning roller 33, and the pressing member 5 in a direction parallel to the substrate holding surface 1a (upper surface of the wafer W), while moving the polishing head 8 in a direction parallel to the substrate holding surface 1a (upper surface of the wafer W).
  • the positions of the feeding reel 21 and the take-up reel 22 do not change.
  • the present invention can be used in a polishing apparatus for forming a recess having a right-angled cross section on the peripheral edge of a substrate such as a bonded wafer.

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Abstract

本発明は、貼り合わせウェーハなどの基板の周縁部に直角断面形状の窪みを形成するための研磨装置に関するものである。研磨装置は、研磨テープ(T)を基板保持面(1a)上の基板(W)の周縁部に押し付けるため押圧部材(5)を有する研磨ヘッド(8)を備えている。押圧部材(5)は、基板保持面(1a)に平行な押圧面(5A)と、押圧面(5A)の内端縁に接続された傾斜面(5B)を有しており、押圧面(5A)と傾斜面(5B)との角度は鋭角であり、研磨ヘッド(8)は、傾斜面(5B)に対する研磨テープ(T)の相対位置を定める位置決めローラ(33)を備えており、位置決めローラ(33)と押圧部材(5)との間を延びる研磨テープ(T)の押圧面(5A)に対する角度は、鋭角である。

Description

研磨装置
 本発明は、貼り合わせウェーハなどの基板の周縁部に直角断面形状の窪みを形成するための研磨装置に関する。
 基板の一例であるウェーハの周縁部を研磨するために、図15に示すような、砥石500を備えた研磨装置が使用されている。このタイプの研磨装置は、ウェーハWおよび砥石500を回転させながら、ウェーハWの周縁部に砥石500を接触させることでウェーハWの周縁部を研磨し、図16に示すような、直角断面形状を持つ窪み505を形成する。
 図15に示す研磨装置は、特に、ウェーハ同士の貼り合わせを行い、薄化する工程において使用される。図17Aに示すように、ウェーハWは、パターンが形成されたパターンウェーハW1と、シリコンウェーハなどから構成された支持ウェーハW2とを酸化膜または接着剤(符号200で示す)により貼り合わせることで作製される。図17Bに示すように、ウェーハWを回転させながら、砥石500をウェーハWの周縁部に押し付けることで、図17Cに示すように、直角断面形状の窪み510をウェーハWの周縁部に形成する。
 しかしながら、ウェーハWの研磨中は、砥石500の研磨面をリフレッシュ(ドレッシング)することはできないので、砥石500の目詰まりにより、研磨レートが低下しやすい。加えて、ウェーハWから除去すべき材料の量が多いため、砥石500の寿命が非常に短いという問題がある。
 そこで、砥石500に代えて、図18Aに示すような、研磨テープ600を用いた研磨装置が提案されている。研磨テープ600は、その長手方向に移動されながら、研磨テープ600の研磨面は押圧部材601によってウェーハWの周縁部に押し付けられる。ウェーハWの研磨中、研磨テープ600はその長手方向に移動されるので、研磨テープ600の研磨面の目詰まりが起こりにくく、安定した研磨レートが達成される。
特開2011-177842号公報 特開2011-224680号公報
 しかしながら、図18Aから分かるように、研磨テープ600は押圧部材601から外側に延びており、この外側に延びている研磨テープ600の部分がウェーハWの周縁部に斜めに接触する。結果として、図18Bに示すように、傾斜した面620がウェーハWの周縁部に形成され、直角断面形状を有する窪みを形成することができなかった。
 そこで、本発明は、研磨テープを用いて、直角断面形状を有する窪みをウェーハなどの基板に形成することができる研磨装置を提供する。
 一態様では、基板を保持するための基板保持面を有する保持ステージと、研磨テープを前記基板保持面上の基板の周縁部に押し付けるため押圧部材を有する研磨ヘッドと、前記研磨ヘッドを前記基板保持面に対して垂直な方向に移動させるアクチュエータを備え、前記押圧部材は、前記基板保持面に平行な押圧面と、前記押圧面の内端縁に接続された傾斜面を有しており、前記押圧面と前記傾斜面との角度は鋭角であり、前記研磨ヘッドは、前記傾斜面に対する前記研磨テープの相対位置を定める位置決めローラを備えており、前記位置決めローラと前記押圧部材との間を延びる前記研磨テープの前記押圧面に対する角度は、鋭角である、研磨装置が提供される。
 一態様では、前記位置決めローラと前記押圧部材の相対位置は固定されている。
 一態様では、前記位置決めローラと前記押圧部材との間を延びる前記研磨テープの前記押圧面に対する角度は、30~90度の範囲内にある。
 一態様では、前記研磨ヘッドは、前記研磨テープを繰り出す繰り出しリールと、前記研磨テープを巻き取る巻取りリールと、前記位置決めローラ、前記押圧部材、前記繰り出しリール、および前記巻取りリールを保持する基台をさらに有している。
 一態様では、前記研磨装置は、前記研磨テープを繰り出す繰り出しリールと、前記研磨テープを巻き取る巻取りリールをさらに備えており、前記繰り出しリールおよび前記巻取りリールは、前記研磨ヘッドと同じ高さに配置されている。
 一態様では、前記基板保持面は、前記基板と同じ大きさか、または前記基板よりも大きい。
 一態様では、基板を保持するための基板保持面を有する保持ステージと、研磨テープを前記基板保持面上の基板の周縁部に押し付けるため押圧部材を有する研磨ヘッドと、前記研磨ヘッドを前記基板保持面と平行な方向に移動させるアクチュエータを備え、前記押圧部材は、前記基板保持面に対して垂直な押圧面と、前記押圧面の下端縁に接続された傾斜面を有しており、前記押圧面と前記傾斜面との角度は鋭角であり、前記研磨ヘッドは、前記傾斜面に対する前記研磨テープの相対位置を定める位置決めローラを備えており、前記位置決めローラと前記押圧部材との間を延びる前記研磨テープの前記押圧面に対する角度は、鋭角である、研磨装置が提供される。
 一態様では、前記位置決めローラと前記押圧部材の相対位置は固定されている。
 一態様では、前記位置決めローラと前記押圧部材との間を延びる前記研磨テープの前記押圧面に対する角度は、30~90度の範囲内にある。
 一態様では、前記研磨ヘッドは、前記研磨テープを繰り出す繰り出しリールと、前記研磨テープを巻き取る巻取りリールと、前記位置決めローラ、前記押圧部材、前記繰り出しリール、および前記巻取りリールを保持する基台をさらに有している。
 一態様では、前記研磨装置は、前記研磨テープを繰り出す繰り出しリールと、前記研磨テープを巻き取る巻取りリールをさらに備えており、前記繰り出しリールおよび前記巻取りリールは、前記研磨ヘッドの上方に配置されている。
 一態様では、前記基板保持面は、前記基板と同じ大きさか、または前記基板よりも大きい。
 本発明によれば、傾斜面は、押圧面に対して鋭角であるので、研磨テープは傾斜面に沿って斜めに延びる。この傾斜面に沿って延びる研磨テープの部分は基板の周縁部には接触しないので、押圧面によって基板の周縁部に押し付けられた研磨テープは、直角断面形状を有する窪みをウェーハなどの基板に形成することができる。
基板の周縁部を示す拡大断面図である。 基板の周縁部を示す拡大断面図である。 研磨装置の一実施形態を示す模式図である。 研磨ヘッドの拡大図である。 押圧部材の斜視図である。 押圧部材と位置決めローラを示す拡大側面図である。 押圧部材と位置決めローラの配置の他の例を示す側面図である。 押圧部材と位置決めローラの配置のさらに他の例を示す側面図である。 ウェーハの周縁部を研磨する様子を示す図である。 ウェーハの周縁部を研磨する様子を示す図である。 ウェーハの周縁部を研磨する様子を示す図である。 研磨装置の他の実施形態を示す模式図である。 研磨装置のさらに他の実施形態を示す模式図である。 図10に示す研磨ヘッドの拡大図である。 図11に示す押圧部材の斜視図である。 図11に示す押圧部材で研磨テープをウェーハの周縁部に対して押し付けている様子を示す図である。 図11に示す押圧部材で研磨テープをウェーハの周縁部に対して押し付けている様子を示す図である。 直角断面形状の窪みが周縁部に形成されたウェーハの断面図である。 研磨装置のさらに他の実施形態を示す模式図である。 砥石を備えた従来の研磨装置を示す模式図である。 直角断面形状の窪みが周縁部に形成されたウェーハの断面図である。 ウェーハを示す図である。 ウェーハを研磨している様子を示す図である。 直角断面形状の窪みが周縁部に形成されたウェーハの断面図である。 研磨テープを用いた従来の研磨装置を示す模式図である。 図18Aに示す研磨装置を用いて研磨されたウェーハの周縁部を示す断面図である。
 以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
 本明細書では、基板の周縁部を、基板の最外周に位置するベベル部と、このベベル部の半径方向内側に位置するトップエッジ部およびボトムエッジ部とを含む領域として定義する。基板の例としては、ウェーハが挙げられる。
 図1Aおよび図1Bは、基板の周縁部を示す拡大断面図である。より詳しくは、図1Aはいわゆるストレート型の基板の断面図であり、図1Bはいわゆるラウンド型の基板の断面図である。図1Aの基板Wにおいて、ベベル部は、上側傾斜部(上側ベベル部)P、下側傾斜部(下側ベベル部)Q、および側部(アペックス)Rから構成される基板Wの最外周面(符号Bで示す)である。図1Bの基板Wにおいては、ベベル部は、基板Wの最外周面を構成する、湾曲した断面を有する部分(符号Bで示す)である。トップエッジ部は、ベベル部Bの半径方向内側に位置する平坦な環状部E1である。ボトムエッジ部は、トップエッジ部E1とは反対側に位置し、ベベル部Bの半径方向内側に位置する平坦な環状部E2である。トップエッジ部E1は、デバイスが形成された領域を含むこともある。トップエッジ部E1およびボトムエッジ部E2は、ベベル部Bに接続されている。
 図2は、研磨装置の一実施形態を示す模式図である。本実施形態に係る研磨装置は、基板の一例であるウェーハWの周縁部を研磨して、該周縁部に直角断面形状の窪みを形成する用途に使用される。ウェーハWの具体的な例としては、図17Aに示すような、貼り合わせウェーハが挙げられる。
 図2に示すように、本実施形態に係る研磨装置は、基板の一例であるウェーハWを保持するための基板保持面1aを有する保持ステージ1と、保持ステージ1を基板保持面1aの軸心CLを中心に回転させるステージ回転装置3と、研磨テープTを基板保持面1a上のウェーハWの周縁部に押し付けるため押圧部材5を有する研磨ヘッド8と、研磨ヘッド8を基板保持面1aに対して垂直な方向に移動させるアクチュエータ12を備えている。
 基板保持面1aには、孔または溝などの開口1bが形成されており、この開口1bは真空ライン15に接続されている。開口1bは複数設けられてもよい。ウェーハWの下面が基板保持面1a上に置かれた状態で、開口1b内に真空が形成されると、ウェーハWは、基板保持面1aに真空により保持される。基板保持面1aは、ウェーハWと同じ形状を有している。本実施形態では、ウェーハWは円形であり、基板保持面1aも円形である。基板保持面1aは、ウェーハWと同じ大きさを有している。すなわち、基板保持面1aの直径は、ウェーハWの直径と同じである。したがって、ウェーハWの下面の全体が基板保持面1aによって保持される。一実施形態では、基板保持面1aは、ウェーハWよりも大きくてもよい。
 ステージ回転装置3は、電動機などを備えている。このステージ回転装置3は、保持ステージ1の下部に固定されたステージ軸1cに連結されている。ステージ回転装置3が作動すると、保持ステージ1およびステージ軸1cは、基板保持面1aの軸心CLを中心に一体に回転される。ウェーハWは、ウェーハWの軸心が基板保持面1aの軸心CLに一致するように、基板保持面1a上に保持される。したがって、ウェーハWは、保持ステージ1と一体にウェーハWの軸心(すなわち、基板保持面1aの軸心CL)を中心に回転する。
 基板保持面1aの上方には、液体供給ノズル18が配置されている。この液体供給ノズル18は、図示しない液体供給ラインに接続されており、純水またはアルカリ水などの液体をウェーハWの中心に供給するように構成されている。回転するウェーハWの中心に供給された液体は、遠心力によってウェーハWの上面の全体を広がり、ウェーハWの上面を研磨屑などのパーティクルから保護することができる。
 研磨ヘッド8は、基板保持面1aの外周部の上方に配置されている。研磨ヘッド8は、アクチュエータ12に連結されている。アクチュエータ12は、図示しないブラケットなどの保持部材によって保持されている。アクチュエータ12の具体的構成は特に限定されないが、例えばエアシリンダ、またはボールねじ機構とサーボモータとの組み合わせによってアクチュエータ12を構成することができる。
 研磨ヘッド8は、研磨テープTを繰り出す繰り出しリール21と、研磨テープTを巻き取る巻取りリール22と、研磨テープTをその長手方向に送るテープ送り機構25とを備えている。繰り出しリール21、巻取りリール22、押圧部材5、およびテープ送り機構25は、アクチュエータ12によって一体に移動される。
 押圧部材5は、基板保持面1aの外周部の上方に配置されている。押圧部材5は、基板保持面1aに保持されているウェーハWの周縁部の直上に位置している。押圧部材5は、研磨テープTの裏側を支持し、研磨テープTの研磨面(表側)をウェーハWの周縁部に対して押し付けることで、ウェーハWの周縁部を研磨する。研磨テープTの研磨面は、その上に固定された砥粒を有している。上述したアクチュエータ12は、押圧部材5をウェーハWの周縁部に向かって移動させ、これにより押圧部材5は研磨テープTをウェーハWの周縁部に対して押し付けることができる。押圧部材5が研磨テープTをウェーハWの周縁部に押し付ける力(すなわち研磨荷重)は、アクチュエータ12によって調節することができる。ウェーハWの研磨点での研磨テープTはウェーハWの半径方向(すなわち基板保持面1aの半径方向)に延びている。
 研磨ヘッド8は、センサターゲット28を備えている。このセンサターゲット28は押圧部材5と一体にアクチュエータ12によって移動可能である。研磨装置は、センサターゲット28を向いて配置された変位センサ30を備えている。変位センサ30は、センサターゲット28の移動距離、すなわち研磨ヘッド8の移動距離を測定するように構成されている。変位センサ30の例としては、接触式変位センサ、非接触式変位センサが挙げられる。このような接触式変位センサおよび非接触式変位センサは、市場で入手することができる。一実施形態では、センサターゲット28を特に設けずに、変位センサ30で研磨ヘッド8の移動距離を測定してもよい。
 変位センサ30は動作制御部34に接続されており、研磨ヘッド8の移動距離の測定値は、変位センサ30から動作制御部34に送信されるようになっている。動作制御部34は、研磨ヘッド8の移動距離の測定値に基づいて、ウェーハWの研磨終点を決定するように構成されている。動作制御部34は、少なくとも1台のコンピュータから構成されている。動作制御部34は、研磨ヘッド8の移動距離の測定値に基づいて、ウェーハWの研磨終点を決定するためのプログラムが格納された記憶装置34aと、プログラムに含まれる命令に従って演算を実行する処理装置34b(CPUまたはGPUなど)を備えている。
 ウェーハWは次のようにして研磨される。ウェーハWは、その中心が基板保持面1aの軸心CLに一致するように、図示しない搬送装置によって基板保持面1a上に置かれる。保持ステージ1は、ステージ回転装置3によって軸心CLを中心に回転され、これによりウェーハWはその軸心を中心に回転される。液体供給ノズル18は、液体をウェーハWの中心に供給し、液体の膜をウェーハWの上面に形成する。そして、アクチュエータ12は、押圧部材5を含む研磨ヘッド8の全体をウェーハWに向かって移動させ、押圧部材5は研磨テープTの研磨面をウェーハWの周縁部に対して押し付ける。押圧部材5が研磨テープTをウェーハWの周縁部に押し付ける方向は、ウェーハWの上面に垂直な方向である。ウェーハWの周縁部は、液体の存在下で研磨テープTとウェーハWとの相対運動により研磨される。ウェーハWの研磨中、研磨テープTはその長手方向に所定の速度で送られる。
 ウェーハWの研磨中、変位センサ30は、研磨ヘッド8の移動距離を測定する。研磨ヘッド8の移動距離の測定値は、動作制御部34に送られる。動作制御部34は、研磨ヘッド8の移動距離の測定値が、予め設定された目標値に達した時点である研磨終点を決定する。動作制御部34は、研磨終点を決定した後、アクチュエータ12に指令を発して研磨ヘッド8をウェーハWから離間させ、次いでステージ回転装置3を停止させる。アクチュエータ12がボールねじ機構とサーボモータとの組み合わせから構成されている一実施形態では、動作制御部34は、研磨ヘッド8の移動距離は、ボールねじ機構のねじピッチとサーボモータの回転回数から求めることができる。したがって、変位センサ30は省略してもよい。
 図3は、研磨ヘッド8の拡大図である。研磨ヘッド8は、研磨テープTを繰り出す繰り出しリール21と、研磨テープTを巻き取る巻取りリール22と、研磨テープTを支持する位置決めローラ33および複数のガイドローラ35,36と、研磨テープTをその長手方向に送るテープ送り機構25とを備えている。研磨テープTは、繰り出しリール21から、ガイドローラ35、位置決めローラ33、押圧部材5、ガイドローラ36、およびテープ送り機構25をこの順に経由して巻取りリール22に延びている。
 研磨ヘッド8は、位置決めローラ33、ガイドローラ35,36、押圧部材5、テープ送り機構25、繰り出しリール21、および巻取りリール22を保持する基台40をさらに有している。センサターゲット28は、基台40に固定されている。押圧部材5は、基台40の下部に固定されており、基台40の下部から下方に突出している。押圧部材5は、基板保持面1aに平行な押圧面5Aと、押圧面5Aの内端縁5cに接続された傾斜面5Bを有している。押圧面5Aは、押圧部材5の底面を構成しており、かつ基台40の下方に位置している。
 テープ送り機構25は、テープ送りローラ25Aと、テープ送りローラ25Aに連結されたテープ送りモータ25Bと、研磨テープTをテープ送りローラ25Aに対して押し付けるニップローラ25Cを有している。ニップローラ25Cは、図示しない付勢装置(例えば、ばね)によってテープ送りローラ25Aに向かって付勢されている。研磨テープTはテープ送りローラ25Aとニップローラ25Cとの間に挟まれている。テープ送りローラ25Aおよびニップローラ25Cは、基台40に回転可能に支持されている。テープ送りモータ25Bは、基台40に固定されている。テープ送りローラ25Aがテープ送りモータ25Bによって回転されると、研磨テープTは、その長手方向に送られる。すなわち、研磨テープTは、図3の矢印で示す方向に送られ、繰り出しリール21から巻取りリール22まで移動される。ウェーハWの研磨中は、研磨テープTは、テープ送り機構25によって所定の速度で送られるようになっている。
 位置決めローラ33、ガイドローラ35,36、繰り出しリール21、および巻取りリール22は、基台40に回転可能に保持されている。押圧部材5も基台40に固定されているので、位置決めローラ33、ガイドローラ35,36、繰り出しリール21、および巻取りリール22に対する押圧部材5の相対位置は、固定である。位置決めローラ33およびガイドローラ36は、押圧部材5に隣接して配置されている。位置決めローラ33の少なくとも一部は、基板保持面1aの半径方向において(すなわちウェーハWの半径方向において)押圧面5Aの内端縁5cの外側に位置している。
 位置決めローラ33は、押圧部材5の傾斜面5Bに対する研磨テープTの相対位置を定める(固定する)ためのガイドローラとして機能する。傾斜面5Bに沿った研磨テープTの位置は位置決めローラ33によって固定される。押圧部材5の傾斜面5Bは、基板保持面1aの軸心CL(図2参照)を向いており、押圧部材5の内側の面を構成している。位置決めローラ33と傾斜面5Bの上端との距離は、ガイドローラ35,36と傾斜面5Bの上端との距離よりも短い。言い換えれば、位置決めローラ33は、ガイドローラ35,36に比べて、傾斜面5Bに最も近い位置に配置されている。
 繰り出しリール21および巻取りリール22は、2つのテンションモータ45,46にそれぞれ連結されている。これらテンションモータ45,46は、基台40に固定されている。テンションモータ45,46は、繰り出しリール21および巻取りリール22に逆方向のトルクを与えるように構成されており、これにより研磨テープTにテンションを与えることができる。
 押圧部材5および位置決めローラ33に支持される研磨テープTが弛まないように、ウェーハWの研磨中は、研磨テープTのテンションはある程度高く維持することが必要とされる。本実施形態では、繰り出しリール21、巻取りリール22、および押圧部材5は、共通の基台40に支持されている。特に、押圧部材5は基台40に固定されているので、研磨テープTのテンションを高めても、基台40に対する押圧部材5の相対位置は変化しない。したがって、アクチュエータ12は、研磨テープTのテンションに影響されずに、予め設定された研磨荷重を押圧部材5に正確に与えることができる。
 図4は、押圧部材5の斜視図である。傾斜面5Bは、押圧面5Aの内端縁5cから上方に延びている。押圧面5Aおよび傾斜面5Bともに、平坦な面である。押圧面5Aと傾斜面5Bとの角度αは鋭角である。より具体的には、角度αは、20~90度の範囲内であり、好ましくは、30~70度の範囲内である。押圧部材5は、ステンレス鋼などの金属、または硬質の樹脂から構成されている。
 図5は、押圧部材5と位置決めローラ33を示す拡大側面図である。位置決めローラ33は、傾斜面5Bの直上に位置しており、傾斜面5Bに近接して配置されている。位置決めローラ33の少なくとも一部は、基板保持面1aの半径方向(すなわちウェーハWの半径方向)において、押圧面5Aの内端縁5cよりも外側に位置している。位置決めローラ33は、研磨テープTが傾斜面5Bに沿って延びるように、研磨テープTを案内する。研磨テープTの傾斜面5Bに対する相対位置は、位置決めローラ33によって固定される。
 位置決めローラ33と押圧部材5との間を延びる研磨テープTの押圧面5Aに対する角度βは、鋭角である。角度βが鋭角である限りにおいて、角度βは、図5に示すように押圧面5Aと傾斜面5Bとの角度αと同じでもよいし、図6に示すように、角度αよりも小さくてもよいし、または図7に示すように、角度αよりも大きくてもよい。図5および図6に示す実施形態では、位置決めローラ33は、研磨テープTの裏側を傾斜面5Bに接触させる位置に配置されており、図7に示す実施形態では、位置決めローラ33は、研磨テープTの裏側が傾斜面5Bから離れた位置に配置されている。
 図8A乃至図8Cは、ウェーハの周縁部を研磨する様子を示す図である。ウェーハWは、パターンが形成されたパターンウェーハW1と、シリコンウェーハなどから構成された支持ウェーハW2とが酸化膜または接着剤(符号200で示す)により貼り合わせられた構成を有している。図8Aに示すように、研磨テープTは、押圧部材5によりウェーハWの周縁部に押し付けられる。押圧部材5が研磨テープTを押し付ける方向は、基板保持面1aに対して垂直な方向である。図8Bに示すように、研磨テープTは、パターンウェーハW1の周縁部の全体を削り取り、さらに支持ウェーハW2の周縁部の一部を削り取る。
 ウェーハWの研磨中は、研磨テープTは、押圧部材5の底面を構成する押圧面5AのみによりウェーハWに押し付けられ、押圧部材5の傾斜面5Bは研磨テープTをウェーハWに押し付けない。押圧部材5の押圧面5Aは、基板保持面1aと平行であり、押圧部材5の移動方向は基板保持面1aに対して垂直である。基板保持面1aは、ウェーハWの上面と平行であるので、押圧部材5の押圧面5Aも基板保持面1a上のウェーハWの上面と平行である。したがって、研磨テープTは、図8Cに示すように、押圧部材5の移動に伴って、ウェーハWの周縁部に直角断面形状の窪み100を形成することができる。
 図8Aおよび図8Bに示すように、基板保持面1aはウェーハWと同じ大きさを有するので、研磨テープTを介して押圧部材5からウェーハWに加わる研磨荷重は、保持ステージ1によって受け止められる。したがって、ウェーハWは下方に撓まず、結果として、押圧部材5は研磨テープTをウェーハWの上面に対して垂直な方向に押し、研磨テープTは直角断面形状の窪みをウェーハWの周縁部に形成することができる。
 ウェーハWの研磨中は、研磨テープTはその長手方向にテープ送り機構25(図3参照)によって少しずつ送られるので、研磨テープTの目詰まりは発生しない。よって、ウェーハWの研磨レート(除去レート)は安定する。
 図9は、研磨装置の他の実施形態を示す模式図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、図1A乃至図8Cを参照して説明した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。
 本実施形態では、繰り出しリール21および巻取りリール22は、研磨ヘッド8から離れて配置されている。より具体的には、繰り出しリール21および巻取りリール22は、研磨ヘッド8から離れて配置されたリールサポート50に回転可能に支持されている。繰り出しリール21および巻取りリール22は、研磨ヘッド8の基台40の外側に配置されており、研磨ヘッド8と同じ高さに位置している。研磨ヘッド8は、基台40の上部に回転可能に支持されている第1ガイドローラ51および第2ガイドローラ52を備えている。第1ガイドローラ51は繰り出しリール21と同じ高さに位置しており、第2ガイドリールは巻取りリール22と同じ高さに位置している。したがって、研磨テープTは繰り出しリール21から第1ガイドローラ51に横方向に延びている。同様に、研磨テープTは、第2ガイドローラ52から巻取りリール22に横方向に延びている。
 テンションモータ45,46は、リールサポート50に固定されている。リールサポート50の位置は固定されており、繰り出しリール21および巻取りリール22の位置も同様に固定されている。アクチュエータ12は、第1ガイドローラ51、第2ガイドローラ52、位置決めローラ33、押圧部材5を含む研磨ヘッド8を、基板保持面1a(ウェーハWの上面)と垂直な方向に移動させ、その一方で繰り出しリール21および巻取りリール22の位置は変化しない。
 2つのテンションモータ45,46によって反対方向のトルクを繰り出しリール21および巻取りリール22に与えると、研磨テープTにテンションが加えられる。この研磨テープTのテンションは、研磨ヘッド8を繰り出しリール21および巻取りリール22に向かって引き寄せる力を発生させる。研磨ヘッド8を引き寄せる力の方向は、アクチュエータ12が研磨ヘッド8を移動させる方向に対して垂直である。したがって、アクチュエータ12が研磨ヘッド8の押圧部材5に与える力(研磨荷重)は、研磨テープTのテンションにほとんど影響されない。結果として、アクチュエータ12は、研磨テープTのテンションに影響されずに、予め設定された研磨荷重を押圧部材5に正確に与えることができる。
 図10は、研磨装置のさらに他の実施形態を示す模式図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、図1A乃至図8Cを参照して説明した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。本実施形態では、研磨ヘッド8の全体は、図2に示す研磨ヘッド8を90度傾けた状態に置かれる。押圧部材5および位置決めローラ33を含む研磨ヘッド8の全体は、基板保持面1aの外側に位置している。より具体的には、研磨ヘッド8は、基板保持面1aの半径方向において基板保持面1aの外側に位置し、かつ押圧部材5は基板保持面1aよりもやや高い位置に配置されている。押圧部材5は、基台40の内側部に固定されており、基台40の内側部から基板保持面1aに向かって突出している。
 アクチュエータ12は、基板保持面1aの半径方向において研磨ヘッド8の外側に位置している。アクチュエータ12は、研磨ヘッド8を基板保持面1aの半径方向(すなわちウェーハWの半径方向)に移動させるように配置されている。言い換えれば、アクチュエータ12は、研磨ヘッド8を基板保持面1aの軸心CLに向かう方向および軸心CLから離れる方向に移動させることができる。したがって、押圧部材5は、研磨テープTをウェーハWの周縁部に対してウェーハWの中心に向かう方向に押し付けることができる。
 図11は、図10に示す研磨ヘッド8の拡大図である。押圧部材5の押圧面5Aは、基板保持面1aに対して垂直であり、傾斜面5Bは、押圧面5Aの下端縁5dから上方に傾斜している。押圧面5Aと傾斜面5Bとの角度、および位置決めローラ33と押圧部材5との間を延びる研磨テープTの押圧面5Aに対する角度は、上述した実施形態と同じである。位置決めローラ33の最上点は、押圧面5Aの下端縁5dよりも高い位置にある。本実施形態では、押圧面5Aは、基板保持面1aの軸心CLを向いており、軸心CLと平行である。
 図12は、図11に示す押圧部材5の斜視図である。図12に示すように、押圧面5Aは、ウェーハWの周縁部の曲率と同じ曲率で湾曲している。したがって、押圧面5Aが研磨テープTをウェーハWの周縁部に対して押し付けるとき、研磨テープTはウェーハWの周縁部に沿って湾曲する。このように押圧面5AをウェーハWの周縁部に沿って湾曲させる理由は、研磨テープTとウェーハWの周縁部との接触面積を大きくするためである。
 図13A乃至図13Cは、図11に示す押圧部材5で研磨テープTをウェーハWの周縁部に対して押し付けている様子を示す図である。図13Aに示すように、研磨テープTは、押圧部材5によりウェーハWの周縁部に押し付けられる。押圧部材5が研磨テープTを押し付ける方向は、基板保持面1aに平行な方向(すなわち、ウェーハWの上面と平行な方向)であり、かつ基板保持面1aの軸心CLに向かう方向(すなわち、ウェーハWの中心に向かう方向)である。図13Aに示すように、研磨当初は、研磨テープTはウェーハWのパターンウェーハW1のみに接触する。
 図13Bに示すように、研磨が進行するにつれて、研磨テープTは、パターンウェーハW1と支持ウェーハW2の両方に接触し、これら2つウェーハW1,W2の周縁部を削り取る。上述した実施形態と同様に、ウェーハWの研磨中は、研磨テープTは、押圧部材5の内側面を構成する押圧面5AのみによりウェーハWに押し付けられ、押圧部材5の底面を構成する傾斜面5Bは研磨テープTをウェーハWに押し付けない。押圧部材5の押圧面5Aは、基板保持面1aに対して垂直であり、押圧部材5の移動方向は基板保持面1aと平行である。基板保持面1aは、ウェーハWの上面と実質的に平行であるので、研磨テープTは、図13Cに示すように、押圧部材5の移動に伴って、ウェーハWの周縁部に直角断面形状の窪み100を形成することができる。
 図14は、研磨装置のさらに他の実施形態を示す模式図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、図10乃至図13Cを参照して説明した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。本実施形態では、研磨ヘッド8の全体は、図9に示す研磨ヘッド8を90度傾けた状態に置かれる。
 本実施形態では、繰り出しリール21および巻取りリール22は、研磨ヘッド8から離れて配置されている。より具体的には、繰り出しリール21および巻取りリール22は、研磨ヘッド8から離れて配置されたリールサポート50に回転可能に支持されている。繰り出しリール21および巻取りリール22は、研磨ヘッド8の上方に配置されている。研磨ヘッド8は、基台40の外側部位に回転可能に支持されている第1ガイドローラ51および第2ガイドローラ52を備えている。第1ガイドローラ51は繰り出しリール21の下方に位置しており、第2ガイドリールは巻取りリール22の下方に位置している。したがって、研磨テープTは繰り出しリール21から第1ガイドローラ51に向かって上方に延びている。同様に、研磨テープTは、第2ガイドローラ52から巻取りリール22に向かって上方に延びている。
 テンションモータ45,46は、リールサポート50に固定されている。リールサポート50の位置は固定されており、繰り出しリール21および巻取りリール22の位置も同様に固定されている。アクチュエータ12は、第1ガイドローラ51、第2ガイドローラ52、位置決めローラ33、押圧部材5を含む研磨ヘッド8を、基板保持面1a(ウェーハWの上面)と平行な方向に移動させ、その一方で繰り出しリール21および巻取りリール22の位置は変化しない。
 2つのテンションモータ45,46によって反対方向のトルクを繰り出しリール21および巻取りリール22に与えると、研磨テープTにテンションが加えられる。この研磨テープTのテンションは、研磨ヘッド8を繰り出しリール21および巻取りリール22に向かって引き寄せる力を発生させる。研磨ヘッド8を引き寄せる力の方向は、アクチュエータ12が研磨ヘッド8を移動させる方向に対して垂直である。したがって、アクチュエータ12が研磨ヘッド8の押圧部材5に与える力(研磨荷重)は、研磨テープTのテンションにほとんど影響されない。結果として、アクチュエータ12は、研磨テープTのテンションに影響されずに、予め設定された研磨荷重を押圧部材5に正確に与えることができる。
 上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
 本発明は、貼り合わせウェーハなどの基板の周縁部に直角断面形状の窪みを形成するための研磨装置に利用可能である。
 1   保持ステージ
 1a  基板保持面
 1b  開口
 1c  ステージ軸
 3   ステージ回転装置
 5   押圧部材
 5A  押圧面
 5B  傾斜面
 8   研磨ヘッド
12   アクチュエータ
15   真空ライン
18   液体供給ノズル
21   繰り出しリール
22   巻取りリール
25   テープ送り機構
25A  テープ送りローラ
25B  テープ送りモータ
25C  ニップローラ
28   センサターゲット
30   変位センサ
33   位置決めローラ
34   動作制御部
34a  記憶装置
34b  処理装置
35,36  ガイドローラ
40   基台
45,46  テンションモータ
50   リールサポート
51   第1ガイドローラ
52   第2ガイドローラ
 T   研磨テープ

Claims (12)

  1.  基板を保持するための基板保持面を有する保持ステージと、
     研磨テープを前記基板保持面上の基板の周縁部に押し付けるため押圧部材を有する研磨ヘッドと、
     前記研磨ヘッドを前記基板保持面に対して垂直な方向に移動させるアクチュエータを備え、
     前記押圧部材は、前記基板保持面に平行な押圧面と、前記押圧面の内端縁に接続された傾斜面を有しており、前記押圧面と前記傾斜面との角度は鋭角であり、
     前記研磨ヘッドは、前記傾斜面に対する前記研磨テープの相対位置を定める位置決めローラを備えており、前記位置決めローラと前記押圧部材との間を延びる前記研磨テープの前記押圧面に対する角度は、鋭角である、研磨装置。
  2.  前記位置決めローラと前記押圧部材の相対位置は固定されている、請求項1に記載の研磨装置。
  3.  前記位置決めローラと前記押圧部材との間を延びる前記研磨テープの前記押圧面に対する角度は、30~90度の範囲内にある、請求項1または2に記載の研磨装置。
  4.  前記研磨ヘッドは、
      前記研磨テープを繰り出す繰り出しリールと、
      前記研磨テープを巻き取る巻取りリールと、
      前記位置決めローラ、前記押圧部材、前記繰り出しリール、および前記巻取りリールを保持する基台をさらに有している、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨装置。
  5.  前記研磨装置は、
      前記研磨テープを繰り出す繰り出しリールと、
      前記研磨テープを巻き取る巻取りリールをさらに備えており、
     前記繰り出しリールおよび前記巻取りリールは、前記研磨ヘッドと同じ高さに配置されている、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨装置。
  6.  前記基板保持面は、前記基板と同じ大きさか、または前記基板よりも大きい、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の研磨装置。
  7.  基板を保持するための基板保持面を有する保持ステージと、
     研磨テープを前記基板保持面上の基板の周縁部に押し付けるため押圧部材を有する研磨ヘッドと、
     前記研磨ヘッドを前記基板保持面と平行な方向に移動させるアクチュエータを備え、
     前記押圧部材は、前記基板保持面に対して垂直な押圧面と、前記押圧面の下端縁に接続された傾斜面を有しており、前記押圧面と前記傾斜面との角度は鋭角であり、
     前記研磨ヘッドは、前記傾斜面に対する前記研磨テープの相対位置を定める位置決めローラを備えており、前記位置決めローラと前記押圧部材との間を延びる前記研磨テープの前記押圧面に対する角度は、鋭角である、研磨装置。
  8.  前記位置決めローラと前記押圧部材の相対位置は固定されている、請求項7に記載の研磨装置。
  9.  前記位置決めローラと前記押圧部材との間を延びる前記研磨テープの前記押圧面に対する角度は、30~90度の範囲内にある、請求項7または8に記載の研磨装置。
  10.  前記研磨ヘッドは、
      前記研磨テープを繰り出す繰り出しリールと、
      前記研磨テープを巻き取る巻取りリールと、
      前記位置決めローラ、前記押圧部材、前記繰り出しリール、および前記巻取りリールを保持する基台をさらに有している、請求項7乃至9のいずれか一項に記載の研磨装置。
  11.  前記研磨装置は、
      前記研磨テープを繰り出す繰り出しリールと、
      前記研磨テープを巻き取る巻取りリールをさらに備えており、
     前記繰り出しリールおよび前記巻取りリールは、前記研磨ヘッドの上方に配置されている、請求項7乃至9のいずれか一項に記載の研磨装置。
  12.  前記基板保持面は、前記基板と同じ大きさか、または前記基板よりも大きい、請求項7乃至11のいずれか一項に記載の研磨装置。
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