KR20220128282A - 가공 장치 및 가공 방법 - Google Patents

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요시토모 나리타
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Abstract

(과제) 에지 트리밍에 의해 손상되는 디바이스의 비율을 저감 또는 0으로 할 수 있음과 함께, 피가공물의 이면측을 연삭한 후에 피가공물에 크랙이 발생하는 개연성을 저감시킬 수 있는 가공 장치 및 가공 방법을 제공한다.
(해결 수단) 피가공물의 외주 부분을 가공할 때의 가공 궤적을, 노치의 위치를 중심으로 한 미리 정해진 범위 내에 있어서 노치의 위치로부터 멀어질수록 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 좁아지고, 또한, 이 미리 정해진 범위 외에 있어서 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 기준폭(최저한의 가공폭)과 동일해지도록 설정한다. 이로써, 노치의 위치로부터 먼 위치의 가공폭이 좁아지므로, 에지 트리밍에 의해 손상되는 디바이스의 비율을 저감 또는 0으로 할 수 있다. 또한, 노치의 위치의 가공폭이 가장 넓어지므로, 피가공물의 이면측을 연삭한 후에 피가공물에 크랙이 발생할 개연성을 저감시킬 수 있다.

Description

가공 장치 및 가공 방법{PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD}
본 발명은, 노치가 형성된 원반형의 피가공물을 가공하는 가공 장치 및 이 피가공물을 가공하는 가공 방법에 관한 것이다.
IC(Integrated Circuit) 및 LSI(Large Scale Integration) 등의 디바이스의 칩은, 휴대 전화 및 퍼스널 컴퓨터 등의 각종 전자 기기에 있어서 불가결한 구성 요소이다. 이러한 칩은, 예컨대, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물의 표면에 다수의 디바이스를 형성한 후에, 피가공물을 개개의 디바이스를 포함하는 영역마다 분할함으로써 제조된다.
칩의 제조에 이용되는 피가공물은, 외주 부분에 발생하는 크랙을 기점으로 하여 균열되기 쉽다. 그 때문에, 칩의 제조 공정에 있어서는, 각종 공정에 앞서, 피가공물의 외주 부분이 모따기되는 것이 일반적이다. 또한, 칩의 제조 공정에 있어서는, 제조되는 칩의 소형화 등을 목적으로 하여, 피가공물의 분할에 앞서, 피가공물의 이면측을 연삭하여 피가공물이 박화되는 경우도 많다.
다만, 외주 부분이 모따기된 피가공물의 이면측을 연삭하여 피가공물을 박화하면, 피가공물의 이면측의 외주 부분이 나이프 에지가 된다. 이 외주 부분에는, 응력이 집중되어 크랙이 발생하기 쉽다. 그 때문에, 칩의 제조 공정에 있어서는, 이 외주 부분의 표면측의 일부를 제거하는 에지 트리밍이 실시된 후에, 이 외주 부분의 잔부를 제거하도록 피가공물의 이면측을 연삭하는 경우가 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
또한, 칩의 제조에 이용되는 피가공물의 외주 부분에는, 일반적으로, 피가공물의 결정 방위를 나타내는 노치가 형성되어 있다. 이 노치는, 예를 들어, 칩의 제조 공정에 있어서의 피가공물의 위치 결정 등에 이용된다. 다만, 이러한 피가공물에 대하여 에지 트리밍 및 이면측의 연삭이 행해지면, 노치가 소실되어, 그 후의 공정에 있어서 피가공물의 위치 결정 등이 곤란해질 우려가 있다.
이 점을 감안하여, 피가공물의 이면측의 연삭 후에도 피가공물의 결정 방위를 인식할 수 있는 에지 트리밍의 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 이 방법에 있어서는, 피가공물의 표면이 타원 형상이 되도록, 피가공물에 대해 에지 트리밍이 실시되고 있다. 구체적으로는, 이 표면은, 피가공물의 중심에서 본 노치의 방향이 타원의 단축의 방향과 일치하도록 가공되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2000-173961호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2019-220632호
칩의 제조 비용을 저감하기 위해서는, 피가공물의 표면에 가능한 많은 디바이스를 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 이와 같은 경우에는, 에지 트리밍에 의해 손상되는 디바이스의 비율을 저감하거나 또는 0으로 하기 위해, 에지 트리밍의 가공폭을 가능한 좁게 하는 것이 바람직하다.
한편, 에지 트리밍의 가공폭이 좁아지면, 노치의 일부가 피가공물의 표면측에 잔존할 우려가 있다. 이 경우, 에지 트리밍된 피가공물의 이면측을 연삭한 후에, 피가공물의 표면측에 노치의 선단부(피가공물의 중심에 가까운 부분)가 잔존하는 것에 기인하여 크랙이 발생할 우려가 있다.
이 점을 감안하여, 본 발명의 목적은, 에지 트리밍에 의해 손상되는 디바이스의 비율을 저감 또는 0으로 할 수 있음과 함께, 피가공물의 이면측을 연삭한 후에 피가공물에 크랙이 발생하는 개연성을 저감시킬 수 있는 가공 장치 및 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 노치가 형성된 원반형의 피가공물을 가공하는 가공 장치에 있어서, 상기 피가공물을 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지된 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과, 환형의 가공 궤적을 따라 상기 피가공물의 외주 부분을 기준폭 이상의 가공폭으로 가공하도록 상기 가공 유닛을 제어하는 제어 유닛을 구비하고, 상기 가공 궤적은, 상기 노치의 위치를 포함하는 미리 정해진 범위 내에 있어서 상기 노치의 위치로부터 멀어질수록 상기 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 좁아지고, 또한, 상기 미리 정해진 범위 외에 있어서 상기 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 상기 기준폭과 동일해지도록 설정되는, 가공 장치가 제공된다.
본 발명의 가공 장치에 있어서는, 상기 가공 궤적을 설정하기 위한 정보를 상기 제어 유닛에 입력하는 입력 유닛을 더 구비하고, 상기 정보는, 상기 노치의 위치에 있어서의 상기 가공폭의 상기 기준폭으로부터의 증분폭과, 상기 미리 정해진 범위를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 가공 장치에 있어서는, 상기 가공 유닛은, 스핀들에 장착된 환형의 절삭 블레이드를 구비한 것이 바람직하다.
또는, 본 발명의 가공 장치에 있어서는, 상기 가공 유닛은, 상기 피가공물에 흡수되는 파장의 레이저빔을 생성하는 레이저 발진기를 구비한 것이 바람직하다.
또는, 본 발명의 가공 장치에 있어서는, 상기 가공 유닛은, 상기 피가공물을 투과하는 파장의 레이저빔을 생성하는 레이저 발진기를 구비한 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 노치가 형성된 원반형의 피가공물을 가공하는 가공 방법에 있어서,
상기 피가공물을 유지 테이블로 유지하는 유지 단계와, 환형의 가공 궤적을 따라 상기 피가공물의 외주 부분을 기준폭 이상의 가공폭으로 가공하는 가공 단계를 포함하고, 상기 가공 궤적은, 상기 노치의 위치를 포함하는 미리 정해진 범위 내에 있어서 상기 노치의 위치로부터 멀어질수록 상기 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 좁아지고, 또한, 상기 미리 정해진 범위 외에 있어서 상기 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 상기 기준폭과 동일해지도록 설정되는, 가공 방법이 제공된다.
본 발명에 있어서는, 피가공물의 외주 부분을 가공할 때의 가공 궤적이, 노치의 위치를 포함하는 미리 정해진 범위 내에 있어서 노치의 위치로부터 멀어질수록 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 좁아지고, 또한, 이 미리 정해진 범위 외에 있어서 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 기준폭(최저한의 가공폭)과 동일해지도록 설정된다.
이에 의해, 본 발명에 있어서는, 노치의 위치로부터 먼 위치의 가공폭이 좁아지므로, 에지 트리밍에 의해 손상되는 디바이스의 비율을 저감 또는 0으로 할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는, 노치의 위치의 가공폭이 가장 넓어지므로, 피가공물의 이면측을 연삭한 후에 피가공물에 크랙이 발생할 개연성을 저감시킬 수 있다.
도 1은 가공 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2(A)는, 피가공물의 일례를 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 2(B)는, 피가공물의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은, 피가공물에 대한 에지 트리밍의 가공 궤적을 설정하기 위해 필요한 정보의 입력 화면의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 4는, 피가공물의 가공 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 흐름도이다.
도 5는, 유지 테이블에 재치된 피가공물을 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 6은, 피가공물에 대한 에지 트리밍의 가공 궤적을 설정하기 위해 필요한 정보가 입력된 입력 화면의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은, 에지 트리밍의 가공 궤적의 내주와 피가공물의 위치의 관계를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 8(A)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 8(B)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 9(A)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 9(B)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 10(A)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 10(B)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 11(A)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 11(B)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 12(A)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 12(B)는, 에지 트리밍이 실시되고 있는 피가공물을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 13(A)는, 에지 트리밍된 피가공물을 모식적으로 도시하는 상면도이고, 도 13(B)는 에지 트리밍된 피가공물을 모식적으로 도시하는 측면도이다.
도 14는, 레이저 조사 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 도 1 은, 피가공물을 가공하는 가공 장치가 되는 절삭 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 또한, 도 1에 도시되는 X축 방향(전후 방향) 및 Y축 방향(좌우 방향)은, 수평면 상에 있어서 서로 직교하는 방향이며, 또한, Z축 방향(상하 방향)은, X축 방향 및 Y축 방향에 직교하는 방향(연직 방향)이다. 또한, 도 1에 있어서는, 편의상, 절삭 장치의 구성 요소의 일부가 블록으로 도시되어 있다.
도 1에 도시된 절삭 장치(2)는, 각 구성 요소를 지지하는 베이스(4)를 구비한다. 베이스(4)의 상면에는, 길이 방향이 X축 방향에 평행한 직사각형의 개구(4a)가 형성되어 있다. 개구(4a) 내에는, 평판형의 커버(6)와, 커버(6)의 이동에 따라 신축하는 벨로우즈 형상의 커버(8)가 설치되어 있다.
커버(6)의 상방에는, 유지 테이블(10)이 설치되어 있다. 유지 테이블(10)은, 상방으로 노출된 원반형의 포러스판(10a)을 갖는다. 포러스판(10a)의 상면은, 대략 평행하며, 피가공물을 유지하는 유지 테이블(10)의 유지면이 된다. 또한, 커버(6, 8)의 하방에는, 커버(6) 및 유지 테이블(10)을 X축 방향을 따라 이동시키는 X축 방향 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
도 2(A)는, 유지 테이블(10)의 유지면에 있어서 유지되는 피가공물의 일례를 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 2(B)는, 도 2(A)에 나타내는 A0B0선에 있어서의 피가공물의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타내는 피가공물(11)은, 예를 들어, Si(실리콘), SiC(탄화 실리콘) 또는 GaN(질화갈륨) 등의 반도체 재료로 이루어지는 웨이퍼이다.
피가공물(11)의 표면(11a)은, 디바이스 영역(13a)과, 디바이스 영역(13a)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(13b)을 포함한다. 그리고, 디바이스 영역(13a)은, 격자형으로 설정된 복수의 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획되고, 이들 복수의 영역의 각각에는, IC 또는 LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.
또한, 피가공물(11)의 외주 부분은, 모따기되어 있다. 즉, 피가공물(11)의 측면(11b)은, 외측으로 볼록해지도록 만곡되어 있다. 또한, 피가공물(11)의 외주 부분에는, 피가공물(11)의 결정 방위를 나타내는 노치(11c)가 형성되어 있다. 그리고, 피가공물(11)은, 직접 또는 다이싱 테이프(도시하지 않음)를 통해, 그 이면(11d)측이 유지 테이블(10)의 유지면(포러스판(10a)의 상면)에 재치된다.
또한, 유지 테이블(10)의 내부에는, 유지 테이블(10)의 외부에 설치된 이젝터 등의 흡인원(도시하지 않음)에 일단이 접속된 흡인로(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인로의 타단은, 포러스판(10a)에 도달하고 있다. 그 때문에, 이면(11d)이 아래가 되도록 피가공물(11)이 유지면에 재치된 상태에서, 이 흡인원을 동작시키면, 피가공물(11)이 유지 테이블(10)에 흡인 유지된다.
또한, 유지 테이블(10)은, 모터 등의 유지 테이블용 회전 구동원(도시하지 않음)에 연결되어 있다. 이 유지 테이블용 회전 구동원을 동작시키면, 유지면의 중심을 통과하고, 또한, Z축 방향을 따른 회전축으로 유지 테이블(10)이 회전한다.
베이스(4)의 상면의 개구(4a)의 근방에는, 지지 구조(12)가 설치되어 있다. 지지 구조(12)는, 베이스(4)의 상면으로부터 Z축 방향을 따라 연장되는 입설(立設)부(12a)와, 개구(4a)의 상방의 공간을 걸치도록 입설부(12a)의 상단부로부터 Y축 방향을 따라 연장되는 암부(12b)를 구비한다. 암부(12b)의 전면측에는, Y축 방향 이동 기구(14)가 설치되어 있다.
Y축 방향 이동 기구(14)는, 암부(12b)의 전면에 고정되고, 또한, Y축 방향을 따라 연장되는 한 쌍의 Y축 가이드 레일(16)을 구비한다. 한 쌍의 Y축 가이드 레일(16)의 전면측에는, 한 쌍의 Y축 가이드 레일(16)을 따라 슬라이드 가능한 양태로 Y축 이동 플레이트(18)가 연결되어 있다.
또한, 한 쌍의 Y축 가이드 레일(16)의 사이에는, Y축 방향을 따라 연장되는 나사축(20)이 배치되어 있다. 나사축(20)의 일단부에는, 나사축(20)을 회전시키기 위한 모터(도시하지 않음)가 연결되어 있다. 나사축(20)의 나선형의 홈이 형성된 표면에는, 회전하는 나사축(20)의 표면을 구르는 볼을 수용하는 너트부(도시하지 않음)가 설치되어, 볼 나사가 구성되어 있다.
즉, 나사축(20)이 회전하면, 볼이 너트부 내를 순환하여, 너트부가 Y축 방향을 따라 이동한다. 또한, 이 너트부는, Y축 이동 플레이트(18)의 후면측에 고정되어 있다. 그 때문에, 나사축(20)의 일단부에 연결되어 있는 모터로 나사축(20)을 회전시키면, 너트부와 함께 Y축 이동 플레이트(18)가 Y축 방향을 따라 이동한다.
Y축 이동 플레이트(18)의 전면(前面)측에는, Z축 방향 이동 기구(22)가 설치되어 있다. Z축 방향 이동 기구(22)는, Y축 이동 플레이트(18)의 전면에 고정되고, 또한, Z축 방향을 따라 연장되는 한 쌍의 Z축 가이드 레일(24)을 구비한다. 한 쌍의 Z축 가이드 레일(24)의 전면측에는, 한 쌍의 Z축 가이드 레일(24)을 따라 슬라이드 가능한 양태로 Z축 이동 플레이트(26)가 연결되어 있다.
또한, 한 쌍의 Z축 가이드 레일(24)의 사이에는, Z축 방향을 따라 연장되는 나사축(28)이 배치되어 있다. 나사축(28)의 일단부에는, 나사축(28)을 회전시키기 위한 모터(30)가 연결되어 있다. 나사축(28)의 나선형의 홈이 형성된 표면에는, 회전하는 나사축(28)의 표면을 구르는 볼을 수용하는 너트부(도시하지 않음)가 설치되어, 볼 나사가 구성되어 있다.
즉, 나사축(28)이 회전하면, 볼이 너트부 내를 순환하고, 너트부가 Z축 방향을 따라 이동한다. 또한, 이 너트부는, Z축 이동 플레이트(26)의 후면측에 고정되어 있다. 그 때문에, 모터(30)로 나사축(28)을 회전시키면, 너트부와 함께 Z축 이동 플레이트(26)가 Z축 방향을 따라 이동한다.
Z축 이동 플레이트(26)의 하부에는, 절삭 유닛(가공 유닛)(32)이 고정되어 있다. 절삭 유닛(32)은, 길이 방향이 Y축 방향에 평행한 통형상의 스핀들 하우징(34)을 갖는다. 스핀들 하우징(34)에는, 길이 방향이 Y축 방향에 평행한 원기둥 형상의 스핀들(도시하지 않음)이 수용되어 있다. 이 스핀들은, 회전 가능한 양태로 스핀들 하우징(34)에 의해 지지된다.
스핀들의 선단부는, 스핀들 하우징(34)의 외측으로 돌출되고, 이 선단부에는 환형의 절삭날을 갖는 절삭 블레이드(36)가 장착되어 있다. 또한, 스핀들의 기단부는, 스핀들 하우징(34)에 내장되는 모터 등의 절삭 블레이드용 회전 구동원(도시하지 않음)에 연결되어 있다. 이 절삭 블레이드용 회전 구동원을 동작시키면, 스핀들과 함께 Y축 방향을 따른 회전축으로 절삭 블레이드(36)가 회전한다.
또한, X축 방향에 있어서 절삭 유닛(32)에 인접하는 위치에는, Z축 이동 플레이트(26)의 하부에 고정되어 있는 촬상 유닛(38)이 설치되어 있다. 촬상 유닛(38)은, 예를 들어 LED(Light Emitting Diode) 등의 광원과, 대물 렌즈와, CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 또는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 등의 촬상 소자를 갖는다.
또한, 베이스(4)의 상방에는, 유지 테이블(10) 및 지지 구조(12) 등을 둘러싸는 커버(40)가 설치되어 있다. 또한, 도 1에 있어서는, 편의상, 커버(40)의 변(邊)만이 일점 쇄선으로 나타나 있다. 또한, 커버(40)의 측면에는, 터치 패널(42)이 설치되어 있다.
터치 패널(42)은, 예컨대, 오퍼레이터로부터의 지시를 절삭 장치(2)에 입력하기 위한 입력 유닛으로서 기능하는 터치 센서와, 오퍼레이터에게 각종 정보를 통지하기 위한 통지 유닛으로서 기능하는 디스플레이에 의해 구성된다. 이 터치 센서는, 예를 들어 정전 용량 방식의 터치 센서 또는 저항막 방식의 터치 센서 등이다. 또한, 이 디스플레이는, 예를 들어 액정 디스플레이 또는 유기 EL(Electro Luminescence) 디스플레이 등이다.
상술한 절삭 장치(2)의 구성 요소의 동작은, 절삭 장치(2)에 내장되는 제어 유닛(44)에 의해 제어된다. 제어 유닛(44)은, 예컨대, 절삭 장치(2)의 구성 요소를 제어하기 위한 신호를 생성하는 처리부와, 이 처리부에 있어서 이용되는 각종 정보(데이터 및 프로그램 등)를 기억하는 기억부를 갖는다.
이 처리부의 기능은, 기억부에 기억된 프로그램을 판독하여 실행하는 CPU(Central Processing Unit) 등에 의해 구현된다. 또한, 이 기억부의 기능은, DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory) 및 NAND형 플래시 메모리 등의 반도체 메모리와, HDD(Hard Disk Drive) 등의 자기 기억 장치 중 적어도 하나에 의해 구현된다.
예를 들어, 이 기억부에는, 피가공물(11)에 대하여 에지 트리밍을 실시할 때의 최저한의 가공폭(기준폭)의 구체적인 값(예를 들어, 1mm)이 기억되어 있다. 또한, 이 처리부는, 예를 들어, 피가공물(11)에 대한 에지 트리밍의 가공 궤적을 설정하기 위해 필요한 정보의 입력 화면을 터치 패널(42)에 표시시킨다.
도 3은 이러한 입력 화면의 일례를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 3에 도시된 입력 화면(46)은, 가공 궤적을 설정하기 위해 필요한 정보가 입력되는 복수의 프레임(46a, 46b, 46c)을 포함한다. 구체적으로는, 프레임(46a)은, 에지 트리밍 시의 기준이 되는 위치를 나타내는 정보(피가공물(11)의 노치(11c)의 위치를 에지 트리밍의 가공점에 맞추기 위해 필요한 유지 테이블(10)의 회전 각도)를 입력하기 위한 프레임이다.
또한, 프레임(46b)은, 에지 트리밍의 가공폭을 상기한 기준폭보다도 넓게 하는 범위를 나타내는 정보(노치(11c)의 위치를 중심으로 한 유지 테이블(10)의 회전 각도)를 입력하기 위한 프레임이다. 또한, 프레임(46c)은, 에지 트리밍 시의 기준이 되는 위치(노치(11c)의 위치)에 있어서의 에지 트리밍의 가공폭과 상기의 기준폭의 차(증분폭)를 입력하기 위한 프레임이다.
그리고, 오퍼레이터가 복수의 프레임(46a, 46b, 46c) 중 어느 하나에 접촉하면, 제어 유닛(44)의 처리부는, 터치 패널(42)에 텐키(ten key, 도시하지 않음)를 표시시킨다. 이에 의해, 이 텐키를 이용하여 오퍼레이터가 복수의 프레임(46a, 46b, 46c)의 각각에 구체적인 수치를 입력하는 것이 가능하게 된다. 그리고, 이들 수치가 입력된 후, 입력 화면(46)에 표시되는 입력 아이콘(46d)에 오퍼레이터가 접촉하면, 각 수치가 제어 유닛(44)에 입력된다.
피가공물(11)에 대한 에지 트리밍의 가공 궤적을 설정하기 위해 필요한 정보가 제어 유닛(44)에 입력되면, 제어 유닛(44)의 처리부는, 피가공물(11)에 대한 에지 트리밍의 가공 궤적을 설정한다. 이 가공 궤적은, 노치(11c)의 위치를 중심으로 한 미리 정해진 범위 내에 있어서 노치(11c)의 위치로부터 멀어질수록 피가공물(11)의 외주 부분의 가공폭이 좁아지고, 또한, 이 미리 정해진 범위 외에 있어서 피가공물(11)의 외주 부분의 가공폭이 기준폭과 동일해지도록 설정된다.
또한, 제어 유닛(44)의 처리부는, 유지 테이블(10)의 유지면의 중심에서 보아 Y축 방향에 가공점이 위치된 상태에서 피가공물(11)에 대한 에지 트리밍이 행해지도록 절삭 장치(2)의 구성 요소를 제어한다. 단적으로는, 제어 유닛(44)의 처리부는, 에지 트리밍의 도중에, 유지 테이블(10)을 회전시키고, 또한 절삭 유닛(32)을 Y축 방향을 따라 이동시키지만, 유지 테이블(10)을 X축 방향을 따라 이동시키지 않는다.
도 4는, 절삭 장치(2) 등의 가공 장치에 있어서의 피가공물(11)의 가공 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 흐름도이다. 이 방법에 있어서는, 우선, 피가공물(11)을 유지 테이블(10)로 유지한다(유지 단계:S1). 예컨대, X축 방향 및 Y축 방향에 평행한 평면(XY 평면)에 있어서, 피가공물(11)의 중심과 유지 테이블(10)의 유지면의 중심이 일치한 상태로, 유지 테이블(10)의 내부에 형성된 흡인로에 접속되어 있는 흡인원을 동작시킨다.
이어서, 환형의 가공 궤적을 따라 피가공물(11)의 외주 부분을 상기의 기준폭 이상의 가공폭으로 가공한다(가공 단계:S2). 이 가공 궤적은, 상술한 바와 같이, 터치 패널(42)을 통하여 입력되는 각종 정보 등에 기초하여 설정된다. 이 점에 대해, 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한다.
도 5는, 유지 테이블(10)에 재치된 피가공물(11)을 모식적으로 나타내는 상면도이다. 또한, 도 5에 도시된 점선(A)은, 피가공물(11)의 반경에서 상기한 기준폭을 뺀 길이(기준 길이)를 반경으로 하는 피가공물(11)의 외주(노치(11c)를 제외함)의 동심원을 나타내고 있다. 그리고, 도 6 은, 도 5에 나타내는 상태에서 피가공물(11)이 유지 테이블(10)에 재치되는 경우에, 피가공물(11)에 대한 에지 트리밍의 가공 궤적을 설정하기 위해 필요한 정보가 입력된 입력 화면의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
구체적으로는, 도 5에 있어서는, 유지 테이블(10)의 유지면의 중심에서 보아, 피가공물(11)의 노치(11c)가 Y축 방향과는 반대의 방향에 위치되어 있다. 또한, 절삭 장치(2)에 있어서의 피가공물(11)에 대한 에지 트리밍에 있어서는, 상술한 바와 같이, 유지 테이블(10)의 유지면의 중심에서 보아 Y축 방향에 가공점이 위치된다. 그로 인해, 노치(11c)의 위치를 에지 트리밍의 가공점에 맞추기 위해 필요한 유지 테이블(10)의 회전 각도는 180°이며, 이 값이 도 6에 도시된 입력 화면(46)의 프레임(46a)에 입력된다.
또한, 이러한 노치(11c)의 위치의 확인은, 예컨대, 촬상 유닛(38)에 의한 피가공물(11)의 촬상에 의해 형성되는 화상에 기초하여 행해진다. 즉, 오퍼레이터는, 이 화상 등을 참조하여, 프레임(46a)에 적절한 수치를 입력할 수 있다.
또는, 유지 테이블(10)에 반입되기 전에 피가공물(11)의 노치(11c)의 위치를 확인한 후, 유지 테이블(10)의 중심에서 보아 미리 정해진 방향에 노치(11c)가 위치되도록 피가공물(11)이 유지 테이블(10)에 반입되어도 좋다. 이와 같이 유지 테이블(10)의 중심에서 본 노치(11c)의 위치가 미리 정해져 있는 경우, 입력 화면(46)에는 프레임(46a)이 포함되어 있지 않아도 좋다.
또한, 도 5에 있어서는, 유지 테이블(10)의 유지면의 직경 방향에 있어서의 피가공물(11)의 노치(11c)의 폭이, 상기한 기준폭보다, 예컨대 200㎛~400㎛ 길다. 이러한 경우, 도 6에 도시되는 입력 화면(46)의 프레임(46c)에는, 도 5에 도시되는 노치(11c)를 제거하기 위하여 필요한 상기의 증분폭으로서, 예를 들면, 500㎛가 입력된다. 또한, 도 5에 나타내는 점선(B)은, 피가공물(11)의 반경으로부터 상기의 기준폭 및 상기의 증분폭을 뺀 길이(최단 길이)를 반경으로 하는 피가공물(11)의 외주(노치(11c)를 제외함)의 동심원을 나타내고 있다.
또한, 도 5에 있어서는, 이 점선(B)이 피가공물(11)에 형성된 디바이스(15a, 15b, 15c, 15d)의 코너에 약간 겹친다. 이와 같은 경우, 에지 트리밍에 의해 디바이스(15a, 15b, 15c, 15d)가 손상되지 않도록, 디바이스(15a, 15b, 15c, 15d) 근방의 영역의 에지 트리밍의 가공폭은, 상기의 기준폭으로 하는 것이 바람직하다. 그 때문에, 도 6에 도시되는 입력 화면(46)의 프레임(46b)에는, 예를 들면, 120°가 입력된다.
도 7은, 도 6에 나타내는 각종 정보에 기초하여 설정되는 에지 트리밍의 가공 궤적의 내주(일점 쇄선(C))가 겹쳐진 피가공물(11)을 모식적으로 나타내는 상면도이다. 즉, 가공 단계(S2)에 있어서는, 도 7에 나타내는 일점 쇄선(C)보다 외측에 위치하는 피가공물(11)의 외주 부분을 가공한다.
또한, 도 7에 있어서는, 편의상, 피가공물(11)에 형성되는 복수의 디바이스(15)가 생략되어 있다. 또한, 도 7에 나타내는 점선(D)은, 피가공물(11)의 중심과 일점 쇄선(C)을 연결하고, 또한 피가공물(11)의 중심과 노치(11c)의 위치를 통과하는 직선에 평행한 선분이다. 즉, 점선(D)의 길이는, 상기의 최단 길이와 동일하다.
또한, 도 7에 나타내는 점선(E) 및 점선(F)은, 피가공물(11)의 중심과 일점 쇄선(C)을 연결하고, 또한 그 길이가 상기의 기준 길이와 동일한 선분이다. 또한, 점선(D) 및 점선(E)이 이루는 예각과 점선(D) 및 점선(F)이 이루는 예각은 60°이다.
또한, 일점 쇄선(C)과 점선(D)과 점선(E) 또는 점선(F)에 의해 둘러싸이는 중심각이 60°인 부채 형상의 영역의 경계에 위치하는 일점 쇄선(C) 상의 점과, 피가공물(11)의 중심과의 간격은, 이 점이 노치(11c)의 위치로부터 멀어질수록 길어진다. 또한, 일점 쇄선(C)과 점선(E)과 점선(F)에 의해 둘러싸이는 중심각이 240°인 부채 형상의 영역의 경계에 위치하는 일점 쇄선(C) 상의 점과, 피가공물(11)의 중심과의 간격은, 일정(상기의 기준 길이)하다.
즉, 이 가공 궤적의 내주(일점 쇄선(C))는, 노치(11c)의 위치를 중심으로 한 유지 테이블(10)의 회전 각도가 120°의 범위 내에 있어서 노치(11c)의 위치로부터 멀어질수록 피가공물(11)의 중심과의 간격이 길어진다. 또한, 이 가공 궤적의 내주(일점 쇄선(C))는, 이 범위 외(나머지의 240°의 범위 내)에 있어서 피가공물(11)의 중심과의 간격이 동일해진다.
그리고, 가공 단계(S2)에 있어서는, 이 가공 궤적을 따라 피가공물(11)의 에지 트리밍이 행해진다. 이 에지 트리밍의 일례에 대해, 도 8(A), 도 8(B), 도 9(A), 도 9(B), 도 10(A), 도 10(B), 도 11(A), 도 11(B), 도 12(A) 및 도 12(B)를 참조해 설명한다. 또한 도 8(A), 도 9(A), 도 10(A), 도 11(A) 및 도 12(A)의 각각은, 에지 트리밍이 행해지고 있는 피가공물(11)을 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 8(B), 도 9(B), 도 10(B), 도 11(B) 및 도 12(B)는, 도 8(A), 도 9(A), 도 10(A), 도 11(A) 및 도 12(A)에 도시되는 ANBN선(N은 5이하의 자연수)에 있어서의 피가공물(11)의 단면을 각각 모식적으로 나타내는 단면도이다.
또한, 도 8(A), 도 9(A), 도 10(A), 도 11(A) 및 도 12(A)에 있어서는, 편의상, 절삭 블레이드(36)의 상면이 모식적으로 도시되어 있다. 또한, 도 8(B), 도 9(B), 도 10(B), 도 11(B) 및 도 12(B)에 있어서는, 편의상, 절삭 블레이드(36)의 측면이 모식적으로 도시되어 있다. 또한, 이 절삭 블레이드(36)로서는, 상기 기준폭 및 상기 증분폭의 합보다 폭이 넓은 절삭 블레이드가 이용된다.
피가공물(11)에 대하여 에지 트리밍을 행할 때에는, 우선, 절삭 블레이드(36)가 피가공물(11)로부터 이격되도록, X축 방향 이동 기구가 유지 테이블(10)을 X축 방향을 따라 이동시킨다. 이어서, 피가공물(11)의 중심에서 보아 Y축 방향에 위치하는 피가공물(11)의 외주 부분의 영역이 절삭 블레이드(36)에서 보아 X축 방향에 배치되도록, Y축 방향 이동 기구(14)가 절삭 유닛(32)을 Y축 방향을 따라 이동시킨다.
이 때, 이 영역과 피가공물(11)의 중심의 간격은, 상기의 기준 길이가 되도록 조정된다. 이어서, 피가공물(11)의 표면(11a)보다 낮고, 또한 이면(11d)보다 높은 위치에 절삭 블레이드(36)의 최하단을 위치시키도록, Z축 방향 이동 기구(22)가 절삭 유닛(32)을 하강시킨다. 이어서, 절삭 블레이드용 회전 구동원을 동작시켜 절삭 블레이드(36)를 회전시키면서, 절삭 블레이드(36)를 피가공물(11)에 절입시킨다.
구체적으로는, 피가공물(11)의 중심으로부터 보아 Y축 방향에 위치하는 피가공물(11)의 외주 부분의 영역에 절삭 블레이드(36)의 최하단이 도달할 때까지, X축 방향 이동 기구가 유지 테이블(10)을 X축 방향을 따라 이동시킨다(도 8(A) 및 도 8(B) 참조). 이어서, 절삭 블레이드(36)를 회전시킨 채로, 유지 테이블용 회전 구동원이 유지 테이블(10)을 120°회전시킨다(도 9(A) 및 도 9(B) 참조).
이어서, 절삭 블레이드(36) 및 유지 테이블(10)을 회전시킨 채로, 피가공물(11)의 중심에 절삭 블레이드(36)가 접근하도록 Y축 방향 이동 기구(14)가 절삭 유닛(32)의 위치를 조정한다. 구체적으로는, 유지 테이블(10)을 추가적으로 60° 회전시킨 타이밍에, 피가공물(11)의 중심과 절삭 블레이드(36)와의 간격이 상기한 최단 길이가 되도록, Y축 방향 이동 기구(14)가 절삭 유닛(32)을 피가공물(11)의 중심에 서서히 접근시킨다(도 10(A) 및 도 10(B) 참조).
피가공물(11)의 중심과 절삭 블레이드(36)의 간격을 상기한 최단 길이로 한 후에는, 절삭 블레이드(36) 및 유지 테이블(10)을 회전시킨 채로, 피가공물(11)의 중심으로부터 절삭 블레이드(36)가 이격되도록 Y축 방향 이동 기구(14)가 절삭 유닛(32)의 위치를 조정한다. 구체적으로는, 유지 테이블(10)을 추가적으로 60° 회전시킨 타이밍에, 피가공물(11)의 중심과 절삭 블레이드(36)의 간격이 상기한 기준 길이가 되도록, Y축 방향 이동 기구(14)가 절삭 유닛(32)을 서서히 피가공물(11)의 중심으로부터 이격시킨다(도 11(A) 및 도 11(B) 참조).
피가공물(11)의 중심과 절삭 블레이드(36)의 간격을 상기한 기준 길이로 한 후에는, 절삭 블레이드(36) 및 유지 테이블(10)을 회전시킨 채로, 피가공물(11)의 중심과 절삭 블레이드(36)의 간격을 유지한다. 구체적으로는, 유지 테이블(10)을 추가적으로 120° 회전시킬 때까지, Y축 방향 이동 기구(14)가 절삭 유닛(32)을 이동시키지 않는다(도 12(A) 및 도 12(B) 참조).
이상에 의해, 피가공물(11)에 대한 에지 트리밍이 완료된다. 그 결과, 도 1 3(A) 및 도 13(B)에 도시된 바와 같이, 에지 트리밍에 의해 외주 부분에 단차(11e)가 형성된 피가공물(11)이 얻어진다. 또한, 도 13(A)는, 에지 트리밍 후의 피가공물(11)을 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 13(B)는, 에지 트리밍 후의 피가공물(11)을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 4에 도시된 방법에 있어서는, 피가공물(11)의 외주 부분을 가공할 때의 가공 궤적이, 노치(11c)의 위치를 중심으로 한 미리 정해진 범위 내에 있어서 노치(11c)의 위치로부터 멀어질수록 피가공물(11)의 외주 부분의 가공폭이 좁아지고, 또한, 이 미리 정해진 범위 외에 있어서 피가공물(11)의 외주 부분의 가공폭이 기준폭(최저한의 가공폭)과 동일해지도록 설정된다.
이에 의해, 도 4에 도시되는 방법에 있어서는, 노치(11c)의 위치로부터 먼 위치의 가공폭이 좁아지므로, 에지 트리밍에 의해 손상되는 디바이스(15)의 비율을 저감 또는 0으로 할 수 있다. 또한, 이 방법에 있어서는, 노치(11c)의 위치의 가공폭이 가장 넓어지기 때문에, 피가공물(11)의 이면(11d)측을 연삭한 후에 피가공물(11)에 크랙이 생기는 개연성을 저감할 수 있다.
또한, 상술한 방법은 본 발명의 일 양태이며, 본 발명의 방법은 상술한 방법에 한정되지 않는다. 예컨대, 상술한 방법의 가공 단계(S2)에 있어서는, 피가공물(11)의 외주 부분의 이면(11d)측의 일부를 잔존시키도록 에지 트리밍이 행해지고 있지만, 본 발명의 방법의 가공 단계에 있어서는, 피가공물(11)의 외주 부분의 전부가 제거되어도 좋다.
즉, 본 발명의 방법의 가공 단계에 있어서는, 피가공물(11)의 외주 부분에 단차(11e)를 형성하지 않고, 피가공물(11)의 표면(11a) 및 이면(11d)에 직교하는 측면이 형성되도록 에지 트리밍이 행해져도 좋다.
이러한 에지 트리밍은, 예컨대, 절삭 블레이드(36)의 최하단이 피가공물(11)의 이면(11d)보다 아래에 위치된 상태에서, 상술한 바와 같이, 피가공물(11)의 외주 부분을 가공함으로써 행해진다.
또한, 이 경우에는, 피가공물(11)의 이면(11d)측에 다이싱 테이프가 부착되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 이 다이싱 테이프를 통해 피가공물(11)이 유지 테이블(10)에 유지된 상태에서, 피가공물(11)의 에지 트리밍이 행해지는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 방법의 가공 단계(S2)에 있어서는, 절삭 블레이드(36)를 이용하여 피가공물(11)이 가공되어 있었지만, 본 발명의 방법의 가공 단계에서는, 레이저빔을 이용하여 피가공물(11)이 가공되어도 좋다.
도 14는, 레이저빔을 사용하여 가공 단계를 실시하는 레이저 조사 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 또한, 도 14에 도시되는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향은, 도 1에 도시되는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향에 각각 대응한다.
도 14에 도시된 레이저 조사 장치(48)는, 유지 테이블(50)을 갖는다. 유지 테이블(50)은, 상방으로 노출된 원반형의 포러스판(50a)을 갖는다. 포러스판(50a)의 상면은, 대략 평행하며, 피가공물(11)을 유지하는 유지면이 된다.
유지 테이블(50)의 내부에는, 유지 테이블(50)의 외부에 설치된 이젝터 등의 흡인원(도시하지 않음)에 일단이 접속된 흡인로(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인로의 타단은, 포러스판(50a)에 도달하고 있다. 그리고, 이면(11d)이 아래가 되도록 피가공물(11)이 유지면에 재치된 상태에서, 이 흡인원을 동작시키면, 피가공물(11)이 유지 테이블(50)에 흡인 유지된다.
또한, 유지 테이블(50)은, X축 방향 이동 기구(도시하지 않음) 및 Y축 방향 이동 기구(도시하지 않음)에 연결되어 있다. 그리고, X축 방향 이동 기구 및/또는 Y축 방향 이동 기구가 동작하면, 유지 테이블(50)은, X축 방향 및/또는 Y축 방향을 따라 이동한다. 또한, 유지 테이블(50)은, 회전 구동원(도시하지 않음)에 연결되어 있다. 그리고, 이 회전 구동원을 동작시키면, 유지면의 중심을 통과하고, 또한 Z축 방향을 따른 회전축으로 유지 테이블(50)이 회전한다.
유지 테이블(50)의 상방에는, 레이저빔 조사 유닛(가공 유닛)(52)의 헤드(54)가 설치되어 있다. 헤드(54)는, Y축 방향을 따라 연장되는 연결부(56)의 선단(일단)부에 설치되어 있다. 또한, 헤드(54)는 집광 렌즈 및 미러 등의 광학계를 수용하고, 연결부(56)는 미러 및/또는 렌즈 등의 광학계를 수용한다.
또한, 연결부(56)의 타단부는, Z축 방향 이동 기구(도시하지 않음)에 연결되어 있다. 그리고, Z축 방향 이동 기구가 동작하면, 헤드(54) 및 연결부(56)는, Z축 방향을 따라 이동한다. 레이저빔 조사 유닛(52)은, 피가공물(11)에 흡수되는 파장(예컨대, 365nm) 또는 피가공물(11)을 투과하는 파장(예컨대, 1064nm)의 레이저빔을 생성하는 레이저 발진기(도시하지 않음)를 갖는다.
레이저 발진기는, 예를 들어, Nd:YAG 등의 레이저 매질을 갖는다. 그리고, 레이저 발진기에서 레이저빔이 생성되면, 연결부(56) 및 헤드(54)에 수용된 광학계를 통하여, 레이저빔이 헤드(54)의 바로 아래에 조사된다.
또한, 연결부(56)의 측부에는, 유지 테이블(50)의 유지면측을 촬상 가능한 촬상 유닛(58)이 설치되어 있다. 촬상 유닛(58)은, 예를 들어 LED 등의 광원과, 대물 렌즈와, CCD 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서 등의 촬상 소자를 갖는다.
그리고, 레이저 조사 장치(48)에 있어서는, 피가공물(11)에 흡수되는 파장 또는 피가공물(11)을 투과하는 파장의 레이저빔을 이용하여, 피가공물(11)에 대한 에지 트리밍이 행해진다. 구체적으로는, 먼저, 피가공물(11)을 유지 테이블(50)로 유지한다(유지 단계:S1).
예컨대, XY 평면에 있어서, 피가공물(11)의 중심과 유지 테이블(50)의 유지면의 중심이 일치한 상태로, 유지 테이블(50)의 내부에 형성된 흡인로에 접속되어 있는 흡인원을 동작시킨다. 이에 따라, 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 유지 테이블(50)의 중심에서 보아 노치(11c)가 Y축 방향의 반대의 방향에 위치된 상태로, 피가공물(11)이 유지 테이블(10)에 재치된다.
그리고, 피가공물(11)에 흡수되는 파장의 레이저빔을 사용하는 경우에는, 예를 들어, 이하의 순서로 가공 단계(S2)가 실시된다. 우선, 피가공물(11)의 중심에서 보아 Y축 방향에 위치하는 피가공물(11)의 외주 부분의 영역의 바로 위에 레이저빔 조사 유닛(52)의 헤드(54)가 위치되도록, X축 방향 이동 기구, Y축 방향 이동 기구 및 회전 구동원이 피가공물(11)을 유지하는 유지 테이블(50)의 위치를 조정한다.
이어서, 피가공물(11)에 흡수되는 파장의 레이저빔을 피가공물(11)에 조사한다. 이로써, 피가공물(11)의 모따기된 외주 부분을 구성하는 재료의 어블레이션이 발생한다. 이 때, 레이저빔은, 예를 들어, 그 Y 축 방향을 따른 폭이 상기의 기준폭 및 상기의 증분폭의 합보다 넓어지도록 조정된다. 또한, 피가공물(11)의 중심과 피가공물(11)에 조사되는 레이저빔의 간격은, 상기의 기준 길이가 되도록 조정된다.
이어서, 도 8(A), 도 8(B), 도 9(A), 도 9(B), 도 10(A), 도 10(B), 도 11(A), 도 11(B), 도 12(A) 및 도 12(B) 등을 참조하여 설명한 바와 같이, Y축 방향 이동 기구 및 회전 구동원이 유지 테이블(50)을 이동시키면서, 레이저빔 조사 유닛(52)이 피가공물(11)에 흡수되는 파장의 레이저빔을 조사한다. 그 결과, 도 13(A) 및 도 13(B)에 도시된 바와 같이, 에지 트리밍에 의해 외주 부분에 단차(11e)가 형성된 피가공물(11)이 얻어진다.
또한, 피가공물(11)을 투과하는 파장의 레이저빔을 사용하는 경우에는, 예를 들어, 이하의 순서로 가공 단계(S2)가 실시된다. 우선, 피가공물(11)의 중심에서 보아 Y축 방향에 위치하는 피가공물(11)의 외주 부분의 영역의 바로 위에 레이저빔 조사 유닛(52)의 헤드(54)가 위치되도록, X축 방향 이동 기구, Y축 방향 이동 기구 및 회전 구동원이 피가공물(11)을 유지하는 유지 테이블(50)의 위치를 조정한다.
이어서, 피가공물(11)을 투과하는 파장의 레이저빔을 피가공물(11)에 조사한다. 이로써, 피가공물(11)의 모따기된 외주 부분을 구성하는 재료의 구조가 다광자 흡수에 기인하여 변질된다. 이 때, 레이저빔은, 그 집광점이 피가공물(11)의 내부에 위치되도록 조정된다. 또한, 피가공물(11)의 중심과 피가공물(11)에 조사되는 레이저빔의 간격은, 상기한 기준 길이가 되도록 조정된다.
이어서, 도 8(A), 도 8(B), 도 9(A), 도 9(B), 도 10(A), 도 10(B), 도 11(A), 도 11(B), 도 12(A) 및 도 12(B) 등을 참조하여 설명한 바와 같이, Y축 방향 이동 기구 및 회전 구동원이 유지 테이블(50)을 이동시키면서, 레이저빔 조사 유닛(52)이 피가공물(1)을 투과하는 파장의 레이저빔을 조사한다. 이에 의해, 원환형의 변질층이 외주 단부의 내부에 형성된 피가공물(11)이 얻어진다.
이어서, 피가공물(11)에 외력을 부여함으로써, 원환형의 변질층을 따라 피가공물(11)을 파단한다. 예컨대, 피가공물(11)의 이면(11d)측을 연삭함으로써, 원환형의 변질층으로부터 피가공물(11)의 두께 방향으로 크랙을 진전시켜, 피가공물(11)의 중앙부와 모따기된 외주 단부를 분리한다. 그 결과, 에지 트리밍된 피가공물(11)이 얻어진다.
또한, 레이저 조사 장치(48)에 있어서의 가공점의 위치(레이저빔이 조사되는 피가공물(11)의 위치)의 조정은, 레이저빔 조사 유닛(52)에 수용된 광학계를 조정함으로써 행해져도 좋다. 즉, 이 가공점의 조정은, 레이저빔 조사 유닛(52)에 수용된 미러 및/또는 렌즈의 기울기 등을 조정함으로써 실시되어도 좋다.
그 외, 상술한 실시형태에 관련된 구조 및 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
2: 절삭 장치
4: 베이스(4a: 개구)
6,8: 커버
10: 유지 테이블(10a: 포러스판)
12: 지지 구조(12a: 입설부, 12b: 암부)
14: Y축 방향 이동 기구
16: Y축 가이드 레일
18: Y축 이동 플레이트
20: 나사축
22: Z축 방향 이동 기구
24: Z축 가이드 레일
26: Z축 이동 플레이트
28: 나사축
30: 모터
32: 절삭 유닛(가공 유닛)
34: 스핀들 하우징
36: 절삭 블레이드
38: 촬상 유닛
40: 커버
42: 터치 패널
44: 제어 유닛
46: 입력 화면(46a, 46b, 46c: 프레임, 46d: 입력 아이콘)
11: 웨이퍼(11a: 표면, 11b: 측면, 11c: 노치)
　　　　　(11d: 이면, 11e: 단차)
13a: 디바이스 영역
13b: 외주 잉여 영역
15: 디바이스
15a,15b,15c,15d: 디바이스
48: 레이저 조사 장치
50: 유지 테이블(50a: 포러스판)
52: 레이저빔 조사 유닛(가공 유닛)
54: 헤드
56: 연결부
58: 촬상 유닛

Claims (6)

  1. 노치가 형성된 원반형의 피가공물을 가공하는 가공 장치에 있어서,
    상기 피가공물을 유지하는 유지 테이블과,
    상기 유지 테이블에 유지된 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과,
    환형의 가공 궤적을 따라 상기 피가공물의 외주 부분을 기준폭 이상의 가공폭으로 가공하도록 상기 가공 유닛을 제어하는 제어 유닛을 구비하고,
    상기 가공 궤적은, 상기 노치의 위치를 포함하는 미리 정해진 범위 내에 있어서 상기 노치의 위치로부터 멀어질수록 상기 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 좁아지고, 또한, 상기 미리 정해진 범위 외에 있어서 상기 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 상기 기준폭과 동일해지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가공 궤적을 설정하기 위한 정보를 상기 제어 유닛에 입력하는 입력 유닛을 더 구비하고,
    상기 정보는, 상기 노치의 위치에 있어서의 상기 가공폭의 상기 기준폭으로부터의 증분폭과, 상기 미리 정해진 범위를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가공 유닛은, 스핀들에 장착된 환형의 절삭 블레이드를 구비한 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가공 유닛은, 상기 피가공물에 흡수되는 파장의 레이저빔을 생성하는 레이저 발진기를 구비한 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가공 유닛은, 상기 피가공물을 투과하는 파장의 레이저빔을 생성하는 레이저 발진기를 구비한 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  6. 노치가 형성된 원반형의 피가공물을 가공하는 가공 방법에 있어서,
    상기 피가공물을 유지 테이블로 유지하는 유지 단계와,
    환형의 가공 궤적을 따라 상기 피가공물의 외주 부분을 기준폭 이상의 가공폭으로 가공하는 가공 단계를 포함하고,
    상기 가공 궤적은, 상기 노치의 위치를 포함하는 미리 정해진 범위 내에 있어서 상기 노치의 위치로부터 멀어질수록 상기 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 좁아지고, 또한, 상기 미리 정해진 범위 외에 있어서 상기 피가공물의 외주 부분의 가공폭이 상기 기준폭과 동일해지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
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