JP2013157451A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、第1の工程において、半導体基板2にレーザ光L1を照射して半導体基板2の内部を改質することにより、半導体基板2の内部に、不純物を捕獲するためのゲッタリング領域18を形成する。第2の工程において、隣り合う機能素子25が形成される位置の間を通るように設定された切断予定ライン5に沿って、半導体基板2にレーザ光L2を照射してゲッタリング領域18よりも表面2a側の位置に切断起点領域8を形成する。第3の工程において、切断予定ライン5に沿って、機能素子25ごとに少なくとも半導体基板2を切断し、一つの機能素子25を含む半導体デバイス20を複数得る。
【選択図】図13
Description
Claims (6)
- 複数の機能素子を形成するための表面及び前記表面と反対側の裏面を有する半導体基板に第1のレーザ光を照射して前記半導体基板の内部を改質することにより、不純物を捕獲するためのゲッタリング領域を前記半導体基板の内部に形成する第1の工程と、
前記第1の工程の後に、隣り合う前記機能素子が形成される位置の間を通るように設定された切断予定ラインに沿って、前記半導体基板に第2のレーザ光を照射して前記半導体基板の内部を改質することにより、前記半導体基板の厚さ方向に亀裂を発生させるための切断起点領域を前記半導体基板の内部における前記ゲッタリング領域よりも前記表面側の位置に形成する第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記切断予定ラインに沿って、前記機能素子ごとに少なくとも前記半導体基板を切断し、一つの前記機能素子を含む半導体デバイスを複数得る第3の工程と、
を備える、半導体デバイスの製造方法。 - 前記第1の工程では、前記半導体デバイスとして形成されたときの前記半導体基板内部において当該半導体基板の厚さの中心位置よりも前記裏面側の位置に前記ゲッタリング領域を形成する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第3の工程では、半導体基板が所定の厚さとなるように前記半導体基板の前記裏面を研磨する、請求項1又は2記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第2の工程では、前記半導体基板の前記裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板に前記第2のレーザ光を照射する、請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第2の工程では、前記半導体基板に前記第2のレーザ光を照射することにより、前記切断起点領域から発生した前記亀裂を少なくとも前記半導体基板の前記表面に到達させる、請求項1〜4のいずれか一項記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記第1の工程では、前記切断予定ラインと交差しないように、前記ゲッタリング領域を前記半導体基板の内部に形成する、請求項1〜5のいずれか一項記載の半導体デバイスの製造方法。
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